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JP2007273656A - Reflective mask blanks, reflective mask, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Reflective mask blanks, reflective mask, and manufacturing method of semiconductor device

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JP2007273656A
JP2007273656A JP2006096298A JP2006096298A JP2007273656A JP 2007273656 A JP2007273656 A JP 2007273656A JP 2006096298 A JP2006096298 A JP 2006096298A JP 2006096298 A JP2006096298 A JP 2006096298A JP 2007273656 A JP2007273656 A JP 2007273656A
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Morio Hosoya
守男 細谷
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Hoya Corp
Hoya株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflective mask blanks capable of realizing pattern transfer having higher contrast than that of a conventional CrN-based material, and to provide a reflective mask.
SOLUTION: The reflective mask blanks 10 has a substrate 1, a multilayer reflection film 2 for reflecting an exposure light, a protective film 6 on the multilayer reflection film 2, a buffer layer 3, and an absorber film 4 for absorbing the exposure light. These are sequentially formed on the substrate 1. The buffer layer 3 is made of a material containing chromium (Cr) as a main component, containing at least one kind of element selected from among silver (Ag), tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), and germanium (Ge). In the reflective mask 20, a transfer pattern is formed on the absorber film of the reflective mask blanks.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置製造等に使用される露光用反射型マスク、及びその原版である反射型マスクブランクス、並びに反射型マスクを使用して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device exposure reflective mask used in the manufacture or the like, and its precursor the a reflective mask blank, and a method of manufacturing a semiconductor device for manufacturing a semiconductor device using the reflective mask.

近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、極紫外(Extreme Ultra Violet:以下、EUVと呼称する)光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。 Recently, in the semiconductor industry, with miniaturization of semiconductor devices, extreme ultraviolet (Extreme Ultra Violet: hereinafter referred to as EUV) EUV lithography is an exposure technique using light is promising. なお、ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が0.2〜100nm程度の光のことである。 Herein, the EUV light represents light in a wavelength band in a soft X-ray region or a vacuum ultraviolet region, specifically, light having a wavelength of about 0.2 to 100 nm. この、EUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、たとえば特許文献1に記載された露光用反射型マスクが提案されている。 This, as a mask for use in the EUV lithography, for example, exposure reflective mask described in Patent Document 1 has been proposed.
このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。 Such reflective mask, a multilayer reflection film for reflecting exposure light on the substrate is formed, in which absorber film for absorbing the exposure light on the multilayer reflective film is formed in a pattern. 露光機(パターン転写装置)に搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。 The light incident on the reflective mask mounted on the exposure apparatus (pattern transfer apparatus), the absorber layer is absorbed at a portion where the absorber film without light image reflected optical system reflected by the multilayer reflective film in the portion It is transferred to the semiconductor substrate through.

上記多層反射膜としては、例えば13〜14nmのEUV光を反射するものとして、数nmの厚さのMoとSiを交互に40乃至60周期程度積層させたものなどが知られている。 Examples of the multilayer reflective film, for example, as for reflecting EUV light of 13 to 14 nm, such as those alternately are stacked about 40 to 60 cycles the thickness of the Mo and Si several nm are known. そして、反射率を高めるためには、屈折率の大きなMo膜を最上層とする方が望ましいが、Moは大気に触れると酸化されやすく、その結果、反射率が低下してしまう。 Then, in order to increase the reflectance, although the large Mo film having a refractive index better to the uppermost is desired, Mo is easily oxidized when exposed to air, as a result, the reflectance is lowered. そこで、酸化防止のための保護膜として、例えばSi膜を最上層に設けることが行われている。 Therefore, as a protective film for preventing oxidation, e.g. Si film has been carried out by providing the top layer.
また、特許文献2には、吸収体膜の材料として窒化クロム(CrN)を用いた反射型マスクが記載されている。 Further, Patent Document 2, the reflective mask using the chromium nitride (CrN) as the material of the absorber film is described.

特公平7−27198号公報 Kokoku 7-27198 Patent Publication No. 特開2003−318101号公報 JP 2003-318101 JP

EUVリソグラフィにおいては、マスク上でEUV光は基板に対して斜め入射及び出射するため、反射領域に対するパターニング層(すなわち吸収体膜、もしくは吸収体膜及びバッファー層)の膜厚が厚いと、入射光及び出射光の光路がパターニング層の影響を受けて、シャドウイング(shadowing)効果と呼ばれるパターンぼけが強く生じてしまうという問題が発生する。 In EUV lithography, since the EUV light on the mask is to be obliquely incident and exit with respect to the substrate, the patterning layer to the reflective area when the thickness of (i.e., the absorber layer or absorber film and the buffer layer) is thick, the incident light and the optical path of the emitted light is affected by the patterning layer, a problem that the pattern blurring called shadowing (shadowing) effects occurs strongly occurs. このパターンぼけの問題は特に近年のパターンの微細化に伴い顕著になってきている。 This pattern blurring problem has become particularly noticeable recent miniaturization of patterns.

したがって、吸収体膜の膜厚は出来る限り薄いことが望まれるが、吸収体膜の材料として、そのうちクロム系材料としては従来は窒化クロム(CrN)が用いられていた。 Thus, although the thickness of the absorber film thinner is desired as possible, as the material of the absorber film, as of which the chromium-based material chromium nitride (CrN) has been used conventionally. しかし、この窒化クロム(CrN)を吸収体膜の材料として用いた場合、膜厚をある程度厚くしないとEUV光に対する吸収係数が高くならないため、吸収体膜の膜厚を薄くするといっても自ずと限界がある。 However, if the chromium nitride (CrN) was used as the material of the absorber film, and since they are not high absorption coefficient for certain thickness and not the EUV light thickness, naturally a limit to say that to reduce the thickness of the absorber film there is.
このような事情から、従来のCrN材料系よりも吸収体膜の膜厚を薄くすることが可能な材料が要望されている。 Under these circumstances, materials capable of reducing the film thickness of the absorber film is desired than conventional CrN material system.

そこで本発明の目的は、第一に、従来のCrN材料系よりも高コントラストのパターン転写を実現できる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供することであり、第二に、従来のCrN材料系よりも吸収体膜等の膜厚をより薄くすることができる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供することであり、第三に、このような反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成する半導体装置の製造方法を提供することである。 It is an object of the present invention, the first, it is to provide a reflective mask blank and the reflective mask can be realized pattern transfer high contrast than conventional CrN material system, a second, conventional CrN material system is to provide a reflective mask blank and the reflective mask can be thinner the film thickness of such absorber films than in the third, the semiconductor substrate by such a lithographic technique employing a reflective mask to to provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a fine pattern.

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。 To solve the above problems, the present invention has the following configuration.
(構成1)基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、前記吸収体膜は、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクスである。 (Configuration 1) was a reflective mask blank having a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, and a absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film Te, the absorber layer is mainly composed of chromium (Cr), further silver (Ag), tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), at least one element selected from germanium (Ge) a reflective mask blank, characterized in that it consists of material containing.

構成1における、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料は、従来のCrNよりも露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持つため、構成1の反射型マスクブランクスから製造される反射型マスクを用いたパターン転写時に、高コントラストでパターン転写を行なえる。 In the configuration 1, a main component chromium (Cr), further silver (Ag), tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), containing at least one element selected from germanium (Ge) material is performed because it has a high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light than conventional CrN, during pattern transfer using a reflective mask to be produced from the reflective mask blank of the configuration 1, the pattern transfer with high contrast that. また、高い吸収係数を持つため、より薄い膜厚で吸収体膜を形成することができ、シャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止することができる。 Furthermore, due to its high absorption coefficient, it is possible to form the absorber film with a thinner film thickness, it is possible to prevent occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects.

(構成2)前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成1又は2に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 2) the absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in a characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) a reflective mask blank according to structure 1 or 2.
構成1におけるクロム系材料からなる吸収体膜は、構成2にあるように、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜との密着性、等をより向上することができる。 Absorber film made of chromium-containing material in the structure 1, as in Structure 2, further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in at least one selected from carbon (C), silicon (Si) by containing the species of elements, amorphous of the absorber film, surface smoothness, adhesion to the film stress, or a multilayer reflection film, or the like can be further improved.
(構成3)前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するルテニウム(Ru)化合物からなる保護膜が形成されていることを特徴とする構成1又は2に記載の反射型マスクブランクスである。 Wherein (Configuration 3) between the multilayer reflective film and the absorber film, the structure 1 or 2 wherein a protective film made of ruthenium (Ru) compound to protect the multilayer reflective film is formed which is a reflective mask blank.
多層反射膜と吸収体膜との間に、ルテニウム(Ru)化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 Between the multilayer reflective film and the absorber film, by providing a protective film made of ruthenium (Ru) compound, during pattern formation of the absorber film, and preventing the damage of the multilayer reflective film by etching for pattern modification can.

(構成4)基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えており、該バッファー層は、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクスである。 (Configuration 4) and the substrate, a reflection type mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate Te, between the multilayer reflective film and the absorber film comprises a buffer layer to which the absorber film and the etching characteristics are different, the buffer layer is mainly composed of chromium (Cr), further silver (Ag ), tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one element selected from germanium (Ge).

構成4における、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料は、従来のCrNよりも露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持つため、かかるクロム系材料で形成されたバッファー層を備えることにより、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体でEUV光の吸収体膜として機能し、高コントラストでパターン転写を行なえる。 In the configuration 4, a main component chromium (Cr), further silver (Ag), tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), containing at least one element selected from germanium (Ge) material since than conventional CrN having a high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light, by providing a buffer layer formed of such a chromium-containing material, EUV light across the combined absorber film and the buffer layer and functions as an absorber film, perform a pattern transfer with high contrast. また、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができ、構成4の反射型マスクブランクスから製造される反射型マスクを用いたパターン転写時に、シャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止することができる。 Further, the total thickness of the combined absorber film and the buffer layer thinner film can have a thickness, when the pattern transfer using a reflective mask to be produced from the reflective mask blank of the configuration 4, shadowing ( it is possible to prevent occurrence of pattern blur caused by shadowing) effects.
また、上記バッファー層を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止される。 Further, by providing the buffer layer, when the patterning of the absorber film, and by etching for pattern correction damage of the multilayer reflective film is prevented. さらに、上記バッファー層は、高い平滑性が得られ、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られるので、形状精度の良好なパターンが得られる。 Furthermore, the buffer layer, high smoothness can be obtained, since the high smoothness absorber film surface formed on the obtained that a good pattern shape accuracy.

(構成5)前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成4に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 5) The buffer layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) a reflective mask blank according to structure 4.
構成4におけるクロム系材料からなるバッファー層は、構成5にあるように、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、バッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、等をより向上することができる。 The buffer layer made of a chromium-containing material in the structure 4, as in Structure 5, further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in a carbon (C), at least one selected from silicon (Si) by containing the element, amorphous buffer layer, the surface smoothness, adhesion to the film stress, or the multilayer reflective film and the absorber film, or the like can be further improved.

(構成6)前記吸収体膜は、タンタル(Ta)又はタンタル(Ta)を主成分とする材料からなることを特徴とする構成4又は5に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 6) the absorber layer is a reflective mask blank according to Structure 4 or 5, characterized in that tantalum (Ta) or tantalum (Ta) a material mainly.
タンタル(Ta)又はタンタル(Ta)を主成分とする材料からなる吸収体膜は、露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持つため、高コントラストでパターン転写を行なえ、また、かかる吸収体膜と上記クロム系材料からなるバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができる。 Absorber film made of tantalum (Ta) or tantalum (Ta) of a material composed mainly is due to its high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light, performing pattern transfer with high contrast, also an absorbent body it can be the thickness of the entire combined buffer layer made of film and the chrome-based material and thinner thickness.
(構成7)前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されていることを特徴とする構成4乃至6の何れか一に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 7) the between the multilayer reflective film and the buffer layer, a ruthenium (Ru) or a structure 4 to 6, characterized in that the protective layer is formed consisting of the compounds to protect the multilayer reflective film a reflective mask blank as claimed in any one.
多層反射膜とバッファー層との間に、ルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜パターンに従ってバッファー層をパターン形成する時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 Between the multilayer reflective film and the buffer layer, by providing a ruthenium (Ru) or a protective film made of the compound, to prevent the damage of the multilayer reflective film by etching at the time of patterning the buffer layer according to the absorber film pattern be able to.

(構成8)構成1乃至7の何れか一に記載の反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスクである。 (Configuration 8) in the absorber film of the reflective mask blank according to any one of configurations 1 to 7, the reflection type, characterized in that the absorber film pattern serving as a transfer pattern with respect to the transfer member is formed it is a mask.
構成1乃至7の反射型マスクブランクスを用いて得られる反射型マスクによれば、高コントラストのパターン転写を実現することができ、またパターン転写時にシャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止できる。 According reflective mask blank of the first to 7 in a reflective mask obtained by using, it is possible to realize a pattern transfer with high contrast, and prevent the occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects during pattern transfer it can.
(構成9)構成8に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 (Configuration 9) is a manufacturing method of a semiconductor device and forming a fine pattern on a semiconductor substrate by lithography using a reflective mask according to Structure 8.
構成8に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により、半導体基板上に微細パターンが形成された半導体装置を製造することができる。 By lithography using a reflective mask according to Structure 8, it is possible to manufacture a semiconductor device having a fine pattern on a semiconductor substrate is formed.

請求項1の発明によれば、請求項1に規定する特定のクロム系材料を用いて、反射型マスクブランクスから得られる反射型マスクを用いたパターン転写時に、高コントラストでパターン転写を行なうことができる。 According to the present invention, by using a specific chromium-containing material as defined in claim 1, during pattern transfer using a reflective mask obtained from the reflective mask blank, it is possible to pattern transfer with high contrast it can. また、より薄い膜厚で吸収体膜を形成することができ、シャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止することができる。 Further, it is possible to form the absorber film with a thinner film thickness, it is possible to prevent occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects.

請求項2の発明によれば、請求項1の発明における効果に加えて、上記クロム系材料からなる吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜との密着性、等をより向上することができる。 According to the second aspect of the invention, in addition to the effects of the invention of claim 1, amorphous of the absorber film made of the chromium-containing material, surface smoothness, adhesion to the film stress, or a multilayer reflecting film, etc. it can be further improved.
請求項3の発明によれば、請求項1又は2の発明における効果に加えて、保護膜により、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 According to the invention of claim 3, in addition to the effects of the invention of claim 1 or 2, with a protective film, preventing the pattern formation of the absorber film, and by etching for pattern correction damage multilayer reflective film that can.

請求項4の発明によれば、請求項4に規定する特定のクロム系材料で形成されたバッファー層を備えることにより、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体でEUV光の吸収体膜として機能し、高コントラストでパターン転写を行なうことができる。 According to the invention of claim 4, functions as an absorber film of the EUV light in the whole by providing a buffer layer formed on a particular chromium-containing material as defined in claim 4, the combined absorber film and the buffer layer and it can perform pattern transfer with high contrast. また、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができ、パターン転写時にシャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止できる。 Further, it is possible to make the thickness of the whole of the combined absorber film and the buffer layer and the thinner film thickness, it is possible to prevent occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects during pattern transfer. また、上記バッファー層を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができ、さらに、上記バッファー層は、高い平滑性が得られ、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られるので、形状精度の良好なパターンが得られる。 Further, by providing the buffer layer, when the patterning of the absorber film, and it is possible to prevent the damage of the multilayer reflective film by etching for pattern modification, further, the buffer layer, high smoothness can be obtained , since high smoothness absorber film surface formed on the obtained that a good pattern shape accuracy.

請求項5の発明によれば、請求項4の発明における効果に加えて、上記クロム系材料からなるバッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、等をより向上することができる。 According to the invention of claim 5, in addition to the effects of the invention of claim 4, amorphous buffer layer made of the chromium-containing material, surface smoothness, film stress, or adhesion between the multilayer reflective film and the absorber film gender, etc. can be further improved.
請求項6の発明によれば、タンタル(Ta)又はタンタル(Ta)を主成分とする材料からなる吸収体膜とすることにより、高コントラストでパターン転写を行なえ、また、かかる吸収体膜と上記クロム系材料からなるバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができる。 According to the invention of claim 6, by an absorber film made tantalum (Ta) or tantalum (Ta) a material mainly, performing pattern transfer with high contrast, also an absorbent body layer and the it can be the thickness of the entire combined buffer layer made of a chromium-containing material with a thinner film thickness.
請求項7の発明によれば、請求項4乃至6の何れかの発明における効果に加えて、保護膜を備えることにより、吸収体膜パターンに従ってバッファー層をパターン形成する時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 According to the invention of claim 7, in addition to the effects of any one of the claims 4 to 6, by providing the protective film, the multilayer reflective film by etching at the time of patterning the buffer layer according to the absorber film pattern it is possible to prevent the damage.

請求項8の発明によれば、本発明の反射型マスクブランクスを用いて得られる反射型マスクは、高コントラストのパターン転写を実現することができる。 According to the invention of claim 8, the reflective mask obtained by using the reflective mask blank of the present invention, it is possible to realize a pattern transfer with high contrast. また、パターン転写時にシャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止できる。 Further, it is possible to prevent the occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects during pattern transfer.
請求項9の発明によれば、本発明の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により、半導体基板上に微細パターンを形成した半導体装置が得られる。 According to the invention of claim 9, by a lithography technique using a reflective mask of the present invention, a semiconductor device is obtained which formed a fine pattern on a semiconductor substrate.

以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。 It will be described in detail below by the embodiments of the present invention.
(実施の形態1) (Embodiment 1)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態1は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する。 Embodiment 1 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body membrane.
本実施の形態において、前記吸収体膜は、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有するクロム系材料(以下、「本発明のクロム系材料」と呼ぶ。)からなる。 In this embodiment, the absorber layer is mainly composed of chromium (Cr), further silver (Ag), tellurium (Te), osmium (Os), at least selected from rhenium (Re), germanium (Ge) chromium-containing material including one element (hereinafter, referred to as "chromium-containing material of the present invention".) made of.
本発明のクロム系材料は、従来のCrNよりも露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持つため、本実施の形態の反射型マスクブランクスから製造される反射型マスクを用いたパターン転写時に、高コントラストのパターン転写を行なえる。 Chromium-containing material of the present invention, due to its high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light than conventional CrN, during pattern transfer using a reflective mask to be produced from the reflective mask blank in this embodiment , perform a pattern transfer with high contrast. また、これにより薄い膜厚の吸収体膜とすることができるため、パターン転写時にシャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止することができる。 Moreover, since it is possible to thereby thin the thickness of the absorber film, it is possible to prevent occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects during pattern transfer.

本発明では、吸収体膜を形成する材料は、露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持ち、それにより薄い膜厚の吸収体膜とすることができるように、露光光の波長における複素屈折率の虚数部の絶対値、つまり消衰係数がCrNよりも大きい材料であることが望ましい。 In the present invention, the material forming the absorber film has a high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light, as can be thereby thin the thickness of the absorber film, the complex at the wavelength of the exposure light absolute value of the imaginary part of the refractive index, i.e. it is desirable extinction coefficient is larger material than CrN. そのためには、複素屈折率の虚数部が−0.025以下の物質が望ましい。 For this purpose, the imaginary part of the complex index of refraction -0.025 following substances is desirable. 上記本発明のクロム系材料は、複素屈折率の虚数部が−0.025以下の物質である。 The chromium-containing material of the present invention, the imaginary part of the complex refractive index of -0.025 following materials.
ここで、上記複素屈折率について説明する。 Here will be described the complex refractive index.
例えばEUV光を露光光として用いる反射型マスクは光学回折素子であるため、複素屈折率と形状が判れば、光学特性を求めることが可能である。 For example, since the reflective mask using the EUV light as the exposure light is an optical diffraction element, when the complex refractive index and the shape is known, it is possible to determine the optical characteristics.

EUV波長領域の複素屈折率は、単位体積中に存在する原子の種類(散乱因子fq)と数とで決定される。 Complex refractive index of the EUV wavelength region is determined by the number and type of atoms present in a unit volume (scatter factor fq). ここで、散乱因子fqは内核電子の状態で一義的に決定されるため、物質の結合状態には依存しない。 Here, scatter factor fq because that is uniquely determined by the inner core electron state, not on the bonding state of the substance. EUV波長領域のようなフォトンのエネルギーが100eV付近か、吸収端から離れている場合には、内核の電子がフォトンを吸収するため、構造に関与した電子の相関は無視できる。 EUV wavelength photon energy of or near 100eV like area, if you are away from the absorption edge, the electrons of the inner core to absorb photons, the correlation of electrons involved in the structure is negligible. 従って、ある材料で形成された層の複素屈折率n*は以下の(1)式で記述される。 Thus, the complex refractive index of the layer formed of a material n * is described by the following equation (1).
n*=n+ik=1−(r λ /2π)ΣNqfq(0) (1) n * = n + ik = 1- (r 0 λ 2 / 2π) ΣNqfq (0) (1)

ここで、nは複素屈折率の実数部、kは複素屈折率の虚数部である。 Here, n is the real part of the complex index of refraction, k is the imaginary part of the complex index of refraction. r =e /mc =2.82×10 −13 cmで古典的な電子半径である。 In r 0 = e 2 / mc 2 = 2.82 × 10 -13 cm is the classical electron radius. Nqは元素qの1cm 中の原子の数である。 Nq is the number of atoms in the 1cm 3 of the element q. また、fq(0)は元素qの前方散乱断面積であり、以下のように表わせる。 Further, fq (0) is the forward scattering cross section of the element q, expressed as follows.
fq(0)=fq (0)−ifq (0) fq (0) = fq 1 ( 0) -ifq 2 (0)
また、Nqは、密度N(g/cm )、原子量m 、アボガドロ数Naから以下の関係式で得られる。 Further, Nq is the density N (g / cm 3), atomic weight m q, obtained by the following equation from Avogadro's number Na.
Nq=(N×Na)/m Nq = (N × Na) / m q
以上の式を用いて上記の複素屈折率を求めることが可能である。 It is possible to determine the complex refractive index of the above using the above formula. なお、軟X線領域では、f とf は同じオーダーである。 In the soft X-ray region, f 1 and f 2 is of the same order.

従って、複素屈折率の虚数部kの絶対値、つまり消衰係数の大きい物質は露光光の吸収が多い。 Therefore, the absolute value of the imaginary part k of the complex refractive index, that is a material having a high extinction coefficient is large absorption of the exposure light. たとえば、Crのkの値は、−0.03822であり、CrNは、Crに比べてkの値の大きなN元素を含んでいるので、本発明では、Crと、Crよりもkの値の小さな若しくは同程度の元素とが形成する化合物が望ましい。 For example, the value of k for Cr is -0.03822, CrN is because it contains the value of k big N elements in comparison with Cr, in the present invention, and Cr, a small or the value of k than Cr compound with comparable elements are formed is desirable.
たとえば、前記Ag、Te、Os、Re、Geの各元素は、Crと比べてkの値の小さな若しくは同程度の元素である。 For example, each element of the Ag, Te, Os, Re, Ge is small or comparable elements of the value of k in comparison with Cr.
下記表1に、Ag、Te、Os、Re、Geの5つの元素についての散乱因子(f 、f )、EUV光波長(13.5nm)における複素屈折率の実数部n、虚数部kの値を示した。 In Table 1, Ag, Te, Os, Re, scattering factors for the five elements of Ge (f 1, f 2) , of the complex index of refraction at EUV light wavelength (13.5 nm) the real part n, of the imaginary part k It showed the value.

Crとこれらの元素を組み合わせた物質(本発明のクロム系材料)も、CrNよりもkの値が小さくなる。 Cr and material combination of these elements (chromium-containing material of the present invention) also, the value of k is smaller than CrN. すなわち、本発明のクロム系材料は、kの絶対値、つまり消衰係数で言うと、消衰係数の大きい物質であり、露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を有するので吸収体膜を薄膜化する上で好適である。 That is, chromium-containing material of the present invention, the absolute value of k, that is to say in the extinction coefficient, a material having a high extinction coefficient, the absorber film has a high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light it is preferred in terms of thinning. 具体的なデータは後述の実施例で説明するが、本発明のクロム系材料で形成された吸収体膜の場合、従来のCrNで形成された吸収体膜と比べて、ある膜厚以上であればマスクコントラストの要求値を満足する膜厚(t 100 )を薄くすることが可能になる。 While specific data is described in the Examples below, the case of the absorber film formed by the chromium-based material of the present invention, as compared with the absorber film formed by the conventional CrN, there a certain thickness or more if it is possible to reduce the film thickness (t 100) that satisfies the required value of the mask contrast.
本発明のクロム系材料の具体例としては、例えば、Cr Te 、Cr Te 、CrTe、Cr 11 Ge 、Cr Ge 、Cr GeN、Cr GeN 0.5 、Cr Os、Cr Os等の結晶系材料が挙げられる。 Specific examples of the chromium-containing material of the present invention, for example, Cr 3 Te 4, Cr 5 Te 8, CrTe, Cr 11 Ge 8, Cr 5 Ge 3, Cr 3 GeN, Cr 3 GeN 0.5, Cr 3 Os , and crystalline materials such as Cr 2 Os is. また、CrとAgまたはReとは、明確な結晶系ではなく混晶を形成する。 Further, Cr and Ag, or Re, to form a mixed crystal rather than a definite crystal system. とくに、Agは毒性が少なく且つ安定なため、CrとAgとを含有するクロム系材料は本発明に好適である。 In particular, Ag is because less toxicity and stable, chromium-containing material including Cr and Ag are suitable for the present invention.

本発明のクロム系材料は、Crを主成分とするため、その含有量は50原子%以上とする。 Chromium-containing material of the present invention, since a main component Cr, the content is 50 atomic% or more.
また、本発明のクロム系材料は、上記で例示したようなCrを主成分とし、Ag、Te、Os、Re、Geの何れかから選ばれる元素を含有する材料には限定されず、たとえばCrを主成分とし、Ag、Te、Os、Re、Geから選ばれる2種以上の元素を含有する材料であってもよい。 Moreover, the chromium-based material of the present invention is mainly composed of Cr as exemplified above, not limited to materials containing an element selected Ag, Te, Os, Re, from one of Ge, for example Cr was the main component, Ag, Te, Os, Re, may be a material containing two or more elements selected from Ge.

また、本発明のクロム系材料からなる吸収体膜は、さらにB、N、O、C、Siから選ばれる少なくとも1種の元素を含有していてもよい。 Further, the absorber layer made of a chromium-containing material of the present invention, furthermore B, N, O, C, may contain at least one element selected from Si. これにより、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜等との密着性、等をより向上することができる。 Thus, amorphous of the absorber film, surface smoothness, adhesion to the film stress, or the multilayer reflection film or the like, and the like can be further improved. 例えば、CrとGeからなる化合物は結晶構造をとるが、NやSi等の元素を含むことでアモルファス化して、吸収体膜のパターン形状をより良好にすることができる。 For example, a compound consisting of Cr and Ge may take the crystal structure, and amorphous by containing an element such as N or Si, can be a pattern shape of the absorber film better. また、Bを加えることにより、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性をより向上することができる。 Further, by adding B, it is possible to further improve the amorphous property of the absorber film, the surface smoothness. また、Nを加えることにより、吸収体膜の膜応力を低減し、また下層の例えば多層反射膜との密着性が良好となる。 Further, by adding N, to reduce the film stress of the absorber film, also adhesion to the underlying example multilayer reflection film is improved. また、Oを加えることにより、酸化に対する耐性が向上し、経時的な安定性が向上する。 Further, by the addition of O, improved resistance to oxidation, stability over time is improved. また、Cを加えることにより、耐薬品性が向上する。 Also, by adding C, and improved chemical resistance.
なお、下記表2に、Cr Te 、Cr Te 、CrTe、Cr 11 Ge 、Cr Ge 、Cr Os、Cr Os、CrAg(Ag:20原子%)、CrAg(Ag:50原子%)の各物質についてのEUV光波長(13.5nm)における複素屈折率の実数部n、虚数部kの値を示した。 Incidentally, in the following Table 2, Cr 3 Te 4, Cr 5 Te 8, CrTe, Cr 11 Ge 8, Cr 5 Ge 3, Cr 3 Os, Cr 2 Os, CrAg (Ag: 20 atomic%), CrAg (Ag: the real part n of the complex index of refraction at EUV light wavelength (13.5 nm) for each substance of 50 atomic%), showed a value of the imaginary part k. 参考までに、従来のCrNのデータも示した。 For reference, also showed data of a conventional CrN.

このような本発明のクロム系材料からなる吸収体膜は、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。 Absorber film made of chromium-containing material of the present invention as described above is preferably formed by a sputtering method such as magnetron sputtering. スパッタ法で形成した場合には、スパッタターゲットに投入するパワーや投入ガス圧力を変化させることにより内部応力を制御できる。 In the case of forming by sputtering, it can control the internal stress by changing the power or input gas pressure to be introduced into the sputter target. また、室温程度の低温での形成が可能であるので、多層反射膜等への熱の影響を少なくすることができる。 Further, since it is possible to form at a low temperature of about room temperature, it is possible to reduce the influence of heat upon the multilayer reflective film or the like.
本発明のクロム系材料からなる吸収体膜は、必ずしも全体が均一な組成でなくてもよく、例えば膜厚方向で組成が異なるように組成傾斜させてもよい。 Absorber film made of chromium-containing material of the present invention may not necessarily entirely uniform composition, for example, may be a composition in the film thickness direction is graded composition differently. 組成傾斜させる場合、含有する元素の組成が連続的に異なるようにしてもよいし、或いは組成が段階的に異なるようにしてもよい。 Case of composition gradient, to the composition of the elements contained may be continuously or different, or composition may be different in steps.
本発明のクロム系材料で形成された吸収体膜は、エッチングガスとして例えば塩素と酸素との混合ガスを用いたドライエッチングによりパターニングすることができる。 Absorber film formed by the chromium-based material of the present invention can be patterned by dry etching using as an etching gas, for example a mixed gas of chlorine and oxygen.

また、本実施の形態における前記基板としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、0±1.0×10 −7 /℃の範囲内、より好ましくは0±0.3×10 −7 /℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。 Further, as the substrate in the present embodiment, in order to prevent distortion of the pattern due to heat during exposure, 0 ± 1.0 × 10 -7 / ℃ , more preferably within the range of 0 ± 0.3 × 10 preferably it has a low thermal expansion coefficient in a range of -7 / ° C.. この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、アモルファスガラス、セラミック、金属の何れでも使用できる。 As a material having a low thermal expansion coefficient in this range, amorphous glass, ceramic, any metal can be used. 例えばアモルファスガラスであれば、SiO −TiO 系ガラス、石英ガラス、結晶化ガラスであれば、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等を用いることが出来る。 For example, if an amorphous glass, SiO 2 -TiO 2 type glass, quartz glass, if the crystallized glass can be used crystallized glass precipitated with β-quartz solid solution. 金属基板の例としては、インバー合金(Fe−Ni系合金)などが挙げられる。 Examples of the metal substrate, an Invar alloy (Fe-Ni based alloy) and the like. また、単結晶シリコン基板を使用することもできる。 It is also possible to use a single crystal silicon substrate.
また、基板は、高反射率及び高転写精度を得るために、高い平滑性と平坦度を備えた基板が好ましい。 The substrate, in order to obtain a high reflectivity and high transfer accuracy, the substrate having a high smoothness and flatness is preferable. 特に、0.2nmRms以下の平滑な表面(10μm角エリアでの平滑性)と、100nm以下の平坦度(142mm角エリアでの平坦度)を有することが好ましい。 In particular, the 0.2nmRms following smooth surface (10 [mu] m square smoothness in the area), it is preferred to have 100nm or less flatness (the flatness at 142mm square area). また、基板は、その上に形成される膜の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。 The substrate, in order to prevent deformation due to film stress of a film formed thereon, which has a high rigidity is preferred. 特に、65GPa以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。 Particularly preferably it has a high Young's modulus of more than 65 GPa.
なお、平滑性を示す単位Rmsは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。 The unit Rms showing the smoothness is the root mean square roughness and can be measured by an atomic force microscope. また平坦度は、TIR(Total Indicated Reading)で示される表面の反り(変形量)を表す値で、基板表面を基準として最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。 The flatness is a value representing the TIR surface warp represented by (Total Indicated Reading) (amount of deformation), the focal plane of the plane defined by the method of least squares substrate surface as a reference, is above the focal plane and the highest position of the substrate surface is the absolute value of the difference in height between the lowest position of the substrate surface which is below the focal plane.

また、基板上に形成される多層反射膜は、前述したように、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に40〜60周期程度積層された多層膜が用いられる。 Further, a multilayer reflective film formed on the substrate, as described above, a multilayer film having different element refractive index are periodically laminated, in general, a thin film of a heavy element or its compound, light elements or multilayer film and the thin film of the compound are stacked about 40 to 60 cycles alternately used.
例えば、波長13〜14nmのEUV光に対する多層反射膜としては、前述のMo膜とSi膜を交互に40〜60周期程度積層したMo/Si周期積層膜が好ましく用いられる。 For example, as a multilayer reflective film for EUV light of wavelength 13 to 14 nm, Mo / Si periodic laminate film obtained by laminating 40 to 60 cycles alternately Mo film and the Si film described above is preferably used. その他に、EUV光の領域で使用される多層反射膜として、Ru/Si周期多層膜、Mo/Be周期多層膜、Mo化合物/Si化合物周期多層膜、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などがある。 Other examples of the multilayer reflective film used in the region of EUV light, Ru / Si periodic multilayer film, Mo / Be periodic multilayer film, Mo compound / Si compound periodic multilayer film, Si / Nb periodic multilayer film, Si / Mo / Ru periodic multilayer film, Si / Mo / Ru / Mo periodic multilayer film, there is a Si / Ru / Mo / Ru periodic multilayer film. 要は、露光波長により、材質を適宜選択すればよい。 In short, the exposure wavelength, may be appropriately selected material.
多層反射膜は、DCマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。 Multilayer reflection film, and DC magnetron sputtering method, or an ion beam sputtering method, can be formed by depositing each layer. 上述したMo/Si周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタ法により、まずSiターゲットを用いて厚さ数nm程度のSi膜を成膜し、その後Moターゲットを用いて厚さ数nm程度のMo膜を成膜し、これを一周期として、40〜60周期積層した後、最後に、酸化防止のための保護膜(キャッピング層とも呼んでいる)として、厚さ数nm程度のSi膜を最上層に設けることが行われている。 If the above-described Mo / Si periodic multilayer film, for example, ion by beam sputtering method, first Si target to deposit a Si film of about several nm thickness using a subsequent Mo of about several nm thickness using a target Mo film is formed, this as one cycle, after 40-60 cycles laminated, finally, as a protective film for preventing oxidation (is also called capping layer), a Si film of about several thicknesses nm top be provided in the upper layer have been made.

なお、本実施の形態の上記反射型マスクブランクスは、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。 Incidentally, the reflective mask blank in this embodiment, may be in a state where the resist film is formed for forming a predetermined transfer pattern in the absorber film.
上記反射型マスクブランクスを使用して得られる反射型マスクの態様としては、基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスクが挙げられる。 As a mode of a reflective mask obtained by using the above reflective mask blank, on the multilayer reflection film formed on a substrate, include reflective mask absorber film pattern is formed having a predetermined transfer pattern It is.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態2は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するルテニウム(Ru)化合物からなる保護膜が形成されている。 Embodiment 2 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, between the multilayer reflective film and the absorber film, the protective film made of ruthenium (Ru) compound to protect the multilayer reflective film is formed. そして、前記吸収体膜は、実施の形態1と同様、本発明のクロム系材料で形成されている。 Then, the absorber film, as in the first embodiment, is formed of a chromium base material of the present invention.
本実施の形態においては、多層反射膜と吸収体膜との間に、ルテニウム化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 In the present embodiment, between the multilayer reflective film and the absorber film, by providing a protective film made of a ruthenium compound, the pattern formation of the absorber film, and the damage of the multilayer reflective film by etching for pattern modification it is possible to prevent.

保護膜を形成するルテニウム化合物としては、Ruを含有する化合物であれば特に限定されないが、たとえば、Ruと、Mo、Nb、Zr、Y、B、Ti、Laから選ばれる少なくとも1種とを含有するルテニウム化合物が好ましく挙げられる。 The ruthenium compound which forms a protective film is not particularly limited as long as it is a compound containing Ru, for example, containing the the Ru, Mo, Nb, Zr, Y, B, Ti, and at least one selected from La ruthenium compounds which may preferably be mentioned. 具体的には、Mo 63 Ru 37 、NbRu、ZrRu、Ru Y、RuB、TiRu、LaRu 等が例示される。 Specifically, Mo 63 Ru 37, NbRu, ZrRu, Ru 2 Y, RuB, TiRu, LaRu 2 and the like.
上記ルテニウム化合物のRu含有量は、上記効果を引き出すためには10〜95原子%とすることが好ましい。 Ru content of the ruthenium compound in order to bring out the above effect is preferable to be 10 to 95 atomic%.
また、上記保護膜の膜厚は、0.5〜5nmの範囲で選定することが好ましい。 The thickness of the protective film is preferably selected in the range of 0.5 to 5 nm. さらに好ましくは、多層反射膜上で反射される光の反射率が最大となる膜厚にすることが望ましい。 More preferably, it is desirable that the film thickness at which the reflectance of light reflected on the multilayer reflective film is maximized.

上記保護膜は、基板上に前記多層反射膜を形成後、その上にDCマグネトロンスパッタ法やイオンビームスパッタ法などにより形成すればよい。 The protective film is, after forming the multilayer reflective film on the substrate, may be formed by a DC magnetron sputtering method or an ion beam sputtering thereon. たとえば多層反射膜がMo/Si周期多層膜である場合、その最上層(キャッピング層)であるSi膜の上にルテニウム化合物からなる保護膜が形成される。 For example, when the multilayer reflective film is a Mo / Si periodic multilayer film, a protective film made of a ruthenium compound on the Si film that is the uppermost layer (capping layer) is formed.
本実施の形態の反射型マスクブランクスにおける基板、多層反射膜、本発明のクロム系材料からなる吸収体膜などについては、前述の実施の形態1と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。 Substrate in the reflective mask blank in this embodiment, the multilayer reflective film, for such absorber film made of chromium-containing material of the present invention is similar to that of the first embodiment, and redundant description will be omitted .

(実施の形態3) (Embodiment 3)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態3は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えている。 Embodiment 3 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, between the multilayer reflective film and the absorber film, the absorber film and the etching characteristics and a different buffer layer. そして、本実施の形態では、該バッファー層を本発明のクロム系材料で形成している。 In the present embodiment, to form the buffer layer of chromium-based material of the present invention.
本実施の形態では、本発明のクロム系材料で形成したバッファー層を備えることにより、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体でEUV光の高い吸収係数を持った吸収体膜として機能するため、本実施の形態の反射型マスクブランクスから製造される反射型マスクを用いたパターン転写時に、高コントラストでパターン転写を行なえる。 In the present embodiment, which by providing a buffer layer formed by chromium-containing material of the present invention, serves as an absorber film having a high absorption coefficient of EUV light across the combined absorber film and the buffer layer, during pattern transfer using a reflective mask to be produced from the reflective mask blank in this embodiment, it can perform a pattern transfer with high contrast. また、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができ、パターン転写時にシャドウイング(shadowing)効果によるパターンぼけの発生を防止することができる。 Further, it is possible to make the thickness of the whole of the combined absorber film and the buffer layer and the thinner the film thickness, it is possible to prevent occurrence of pattern blur shadowing (shadowing) effects during pattern transfer. また、上記バッファー層を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止され、さらに、上記バッファー層は、高い平滑性が得られ、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られるので、形状精度の良好なパターンが得られる。 Further, by providing the buffer layer, when the patterning of the absorber film, and by etching for pattern correction damage of the multilayer reflective film is prevented, further, the buffer layer, high smoothness can be obtained, on which since the absorber film surface formed is high smoothness can be obtained, good pattern shape accuracy.

本実施の形態の反射型マスクブランクスにおける上記バッファー層を形成する本発明のクロム系材料や、基板、多層反射膜などについては、前述の実施の形態1と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。 Chromium-containing material and of the present invention for forming the buffer layer in the reflective mask blank in this embodiment, the substrate for such a multilayer reflective film is similar to that of the first embodiment, wherein the redundant description omitted.
なお、本発明のクロム系材料からなるバッファー層は、さらにB、N、O、C、Siから選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、バッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、等をより向上することができる。 Incidentally, the buffer layer made of a chromium-containing material of the present invention, furthermore B, N, O, C, by containing at least one element selected from Si, amorphous buffer layer, surface smoothness, film stress or adhesion between the multilayer reflective film and the absorber film, or the like can be further improved.
また、本発明のクロム系材料からなるバッファー層は、実施の形態1のように吸収体膜として用いた場合と同様、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。 Further, a buffer layer made of a chromium-containing material of the present invention, similarly to the case of using as the absorber film as in the first embodiment, preferably formed by a sputtering method such as magnetron sputtering.

また、本実施の形態では、上記吸収体膜は、タンタル(Ta)単体又はタンタル(Ta)を主成分とする材料で形成されることが好ましい。 Further, in this embodiment, the absorber layer is preferably formed tantalum (Ta) alone or tantalum (Ta) with a material whose main component. タンタル単体又はタンタルを主成分とする材料からなる吸収体膜は、露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持つため、高コントラストでパターン転写を行なえ、またかかる吸収体膜と本発明のクロム系材料からなるバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができるからである。 Absorber film made of tantalum alone or a tantalum a material mainly is due to its high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light, performing pattern transfer with high contrast, or an absorbent body layer and a chromium present invention This is because it is possible to make the total thickness of the combined buffer layer made of the system material as thinner thickness.
Taを主成分とする材料は、通常、Taの合金である。 Material composed mainly of Ta is usually an alloy of Ta. このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。 Crystalline state of such absorber films, smoothness, in terms of flatness, which has a structure of amorphous or microcrystalline are preferred.
Taを主成分とする材料としては、TaとBを含む材料、TaとNを含む材料、TaとBを含み、更にOとNの少なくとも何れかを含む材料、TaとSiを含む材料、TaとSiとNを含む材料、TaとGeを含む材料、TaとGeとNを含む材料、等を用いることが出来る。 The material composed mainly of Ta, includes a material containing Ta and B, the material containing Ta and N, Ta and B, a material containing at least one further O and N, a material containing Ta, Si, Ta a material containing Si and N, a material containing Ta and Ge, a material containing Ta, Ge and N, or the like can be used. TaにBやSi、Ge等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。 Ta and B and Si, by the addition of Ge or the like, amorphous material can be easily obtained, it is possible to improve the smoothness. また、TaにNやOを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることが出来るという効果が得られる。 Further, by adding N or O to Ta, to improve resistance to oxidation, the effect is obtained that it is possible to improve the stability over time.

この中でも特に好ましい材料として、例えば、TaとBを含む材料(組成比Ta/Bが8.5/1.5〜7.5/2.5の範囲である)、TaとBとNを含む材料(Nが5〜30原子%であり、残りの成分を100とした時、Bが10〜30原子%)が挙げられる。 Particularly preferred materials Among these, for example, a material containing Ta, B (composition ratio Ta / B is in the range of 8.5 / 1.5 to 7.5 / 2.5), containing Ta, B, and N material (N is a 5 to 30 atomic%, when the remaining ingredients and 100, B is 10 to 30 atomic%), and the. これらの材料の場合、容易に微結晶或いはアモルファス構造を得ることが出来、良好な平滑性と平坦性が得られる。 For these materials, it is possible to easily obtain a microcrystalline or amorphous structure, good smoothness and flatness can be obtained.
このようなTa単体又はTaを主成分とする吸収体膜は、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。 Absorber film composed mainly of such Ta alone or Ta is preferably formed by a sputtering method such as magnetron sputtering. 例えば、TaBN膜の場合、タンタルとホウ素を含むターゲットを用い、窒素を添加したアルゴンガスを用いたスパッタリング法で成膜することができる。 For example, in the case of TaBN film, using a target containing tantalum and boron may be deposited by sputtering using argon gas added with nitrogen. スパッタ法で形成した場合には、スパッタターゲットに投入するパワーや投入ガス圧力を変化させることにより内部応力を制御できる。 In the case of forming by sputtering, it can control the internal stress by changing the power or input gas pressure to be introduced into the sputter target. また、室温程度の低温での形成が可能であるので、多層反射膜等への熱の影響を少なくすることが出来る。 Further, since it is possible to form at a low temperature of about room temperature, it is possible to reduce the influence of heat upon the multilayer reflective film or the like.

実施の形態1と同様、本実施の形態の反射型マスクブランクスは、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。 As in the first embodiment, the reflective mask blank in this embodiment, may be in a state where the resist film is formed for forming a predetermined transfer pattern in the absorber film.
本実施の形態の反射型マスクブランクスを使用して得られる反射型マスクの態様としては、基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有するバッファー層と吸収体膜のパターンが形成された反射型マスクが挙げられる。 As a mode of a reflective mask obtained by using the reflective mask blank in this embodiment, on the multilayer reflection film formed on the substrate, the pattern of the buffer layer and the absorber layer having a predetermined transfer pattern It formed the reflective mask and the like.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態4は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えるとともに、前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するルテニウム(Ru)単体又はその化合物からなる保護膜が形成されている。 Embodiment 4 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, between the multilayer reflective film and the absorber film, together with the absorber film and the etching characteristics with different buffer layer, between the multilayer reflective film and the buffer layer, the ruthenium (Ru) alone or a protective film made of the compound is formed to protect the multilayer reflective film. そして、本実施の形態においても、上記バッファー層は本発明のクロム系材料で形成している。 Then, also in the present embodiment, the buffer layer is formed of a chromium-containing material of the present invention.
本実施の形態では、多層反射膜とバッファー層との間に、ルテニウム単体又はその化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜パターンに従ってバッファー層をパターン形成する時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 In this embodiment, between the multilayer reflective film and the buffer layer, by providing a protective film made of ruthenium alone or a compound thereof, the multilayer reflective film by etching at the time of patterning the buffer layer according to the absorber film pattern it is possible to prevent the damage.

保護膜を形成するルテニウム化合物については、前述の実施の形態2の場合と同様である。 The ruthenium compound which forms a protective film, the same as in the second embodiment described above. また、ルテニウムからなる保護膜は、実質的にルテニウムからなるもの、例えばルテニウム中に微量に不純物が含まれているものも含むものとする。 The protective film made of ruthenium, substantially made of ruthenium, is also included those that contain impurities in minor amounts, for example, in ruthenium.
また、上記ルテニウム化合物のRu含有量、保護膜の膜厚、保護膜の形成方法などについても、前述の実施の形態2の場合と同様である。 Also, Ru content of the ruthenium compound, the thickness of the protective film, for such method of forming the protective film is the same as in the second embodiment described above.
本実施の形態の反射型マスクブランクスにおけるバッファー層を形成する本発明のクロム系材料や、基板、多層反射膜、吸収体膜などについては、前述の実施の形態3と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。 Chromium-containing material and of the present invention for forming a buffer layer in the reflective mask blank in this embodiment, the substrate, the multilayer reflective film, for such absorber films are the same as the third embodiment described above, wherein the description will not be repeated.

次に、本発明の反射型マスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を説明する。 Next, a process of manufacturing a reflective mask using the reflective mask blank in this invention.
図1は本発明の反射型マスクブランクスの一実施の形態及びこのマスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を示す概略断面図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view showing a step of manufacturing a reflective mask using the form and the mask blank of an embodiment of the reflective mask blank in this invention.
図1に示す反射型マスクブランクスの一実施の形態としては、前述の実施の形態4の場合を例として挙げる。 An embodiment of the reflective mask blank shown in FIG. 1, given as an example the case of the fourth embodiment described above. 図1(a)に示すように、反射型マスクブランクス10は、基板1上に多層反射膜2が形成され、その上に保護膜6を設け、更にその上に、バッファー層3及び吸収体膜4の各層が形成された構造をしている。 As shown in FIG. 1 (a), the reflective mask blank 10 is formed a multilayer reflective film 2 on the substrate 1, the protective film 6 thereon is provided, further thereon, a buffer layer 3 and the absorber film 4 of each layer is the formed structure.

反射型マスクブランクス10(図1(a)参照)の各層の材料及び形成方法については上述した通りである。 Are as described above for each layer of the material and the formation method of the reflective mask blank 10 (see Figure 1 (a)).
そして、この反射型マスクブランクス10の吸収体膜4に所定の転写パターンを形成する。 Then, a predetermined transfer pattern in the absorber film 4 of the reflective mask blank 10. まず、吸収体膜4上に電子線用レジストを塗布し、ベーキングを行う。 First, by applying a resist for electron beam on the absorber film 4, performing the baking. 次に、電子線描画機を用いて描画し、これを現像して、所定のレジストパターン5aを形成する。 Then, using an electron beam writing machine, and developed, to form a predetermined resist pattern 5a.

形成されたレジストパターン5aをマスクとして、吸収体膜4をドライエッチングして、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターン4aを形成する(同図(b)参照)。 The formed resist pattern 5a as a mask, the absorber film 4 is dry-etched to form an absorber film pattern 4a having a predetermined transfer pattern (see FIG. (B)). 吸収体膜4がTaを主成分とする材料からなる場合、塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることが出来る。 If the absorber film 4 is made of a material mainly composed of Ta, it can be used dry etching using a chlorine gas.
なお、熱濃硫酸を用いて、吸収体膜パターン4a上に残ったレジストパターン5aを除去して、マスク11(同図(c)参照)を作製する。 Incidentally, by using a hot concentrated sulfuric acid, to remove the remaining resist pattern 5a on the absorber film pattern 4a, producing the mask 11 (see FIG. (C)).

通常はここで、吸収体膜パターン4aが設計通りに形成されているかどうかの検査を行う。 Usually here, it inspects whether the absorber film pattern 4a is formed as designed. 吸収体膜パターン4aの検査には、例えば波長190nm〜260nm程度のDUV(Deep UV:深紫外)光が用いられ、この検査光が吸収体膜パターン4aが形成されたマスク11上に入射される。 The inspection of the absorber film pattern 4a, for example, a wavelength 190nm~260nm about DUV (Deep UV: deep ultraviolet) light is used, the inspection light is incident on the mask 11 where the absorber film pattern 4a is formed . ここでは、吸収体膜パターン4a上で反射される検査光と、吸収体膜4が除去されて露出したバッファー層3で反射される検査光とを検出し、そのコントラストを観察することによって、検査を行う。 Here, the inspection light reflected on the absorber film pattern 4a, by detecting the inspection light, observing the contrast absorber film 4 is reflected by the buffer layer 3 which is exposed by removing the inspection I do.
このようにして、例えば、除去されるべきでない吸収体膜が除去されたピンホール欠陥(白欠陥)や、エッチング不足により一部が除去されずに残っているエッチング不足欠陥(黒欠陥)を検出する。 Thus, for example, a pinhole defect (white defect) where the absorber film is removed not to be removed and, detecting the underetching defect part remains without being removed (black defect) by insufficient etching to. このようなピンホール欠陥や、エッチング不足による欠陥が検出された場合には、これを修正する。 Such pinhole defects or such, if defects due to insufficient etching is detected, to fix this. エッチング不足による欠陥の修正には、例えば、集束イオンビーム(Focussed Ion Beam:FIB)照射による不要部分の除去を行うなどの方法がある。 The correction of defects due to insufficient etching, for example, focused ion beam (Focussed Ion Beam: FIB) a method such as to remove the unnecessary portions by irradiation. また、ピンホール欠陥の修正には、FIBアシストデポジション法により炭素膜等をピンホールに堆積させるなどの方法がある。 Further, the correction of pinhole defects, a method such as depositing a carbon film such as a pinhole by FIB assisted deposition. また、このとき、バッファー層3は、FIB照射に対して、多層反射膜2を保護する保護膜となる。 At this time, the buffer layer 3, to the FIB irradiation, the protective film for protecting the multilayer reflective film 2.

こうして、パターン検査及び修正が終えた後、露出したバッファー層3を吸収体膜パターン4aに従って除去し、バッファー層にパターン3aを形成して、反射型マスク20を作製する(同図(d)参照)。 Thus, after completing the pattern inspection and correction, the buffer layer 3 which is exposed is removed according to the absorber film pattern 4a, to form a pattern 3a on the buffer layer to produce a reflective mask 20 (FIG see (d) ). ここで、本発明のクロム系材料からなるバッファー層の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることができる。 In the case of the buffer layer made of a chromium-containing material of the present invention may be dry etching with a mixed gas containing chlorine and oxygen. バッファー層を除去した部分では、露光光の反射領域である多層反射膜2が露出する。 The removed portion of the buffer layer, the multilayer reflective film 2 is exposed is the reflection area of ​​the exposure light. 露出した多層反射膜2上には例えばルテニウム化合物によりなる保護膜6が形成されている。 Exposed on the multilayer reflective film 2 is formed a protective film 6 made by, for example ruthenium compound. このとき、保護膜6は、バッファー層3のドライエッチングに対して多層反射膜2を保護する。 At this time, the protective film 6 protects the multilayer reflective film 2 to dry etching of the buffer layer 3.

最後に、仕様通りの寸法精度で吸収体膜パターン4aが形成されているかどうかの最終的な確認の検査を行う。 Finally, whether the inspection of the final confirmation absorber film pattern 4a in dimensional accuracy of the specifications are formed. この最終確認検査の場合も、前述のDUV光が用いられる。 In the case of this final confirmation test, the above-mentioned DUV light is used.
また、本発明により製造される反射型マスクは、EUV 光(波長0.2〜100nm程度)を露光光として用いた場合に特に好適であるが、他の波長の光に対しても適宜用いることができる。 The reflection type mask to be produced by the present invention is particularly suitable in the case of using EUV light (wavelength of about 0.2 to 100 nm) as the exposure light, it may be used as appropriate with respect to light of other wavelengths can.

以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。 The following examples further illustrate the embodiments of the present invention.
本発明の実施例を説明するにあたって、まずコントラストについて説明する。 In describing the embodiments of the present invention, it is described first contrast.
例えばEUV光を露光光とする反射型マスクのコントラスト(マスクコントラスト)は、 For example a reflective mask for the EUV light as the exposure light contrast (mask contrast) is
コントラスト=反射率比(多層反射膜からの反射率/吸収体膜からの反射率) Contrast = reflectance ratio (reflectance from the reflectance / absorber film from the multilayer reflective film)
で定義される(図3参照)。 In defined (see FIG. 3). EUV光用の反射型マスクは光学多層膜であるため、反射光は複雑な経路の合成波であり、干渉の効果で反射光は吸収体膜の膜厚に対して複雑な挙動を示す。 For the reflective mask for EUV light is an optical multilayer film, the reflected light is a synthetic wave of complex pathways, is light reflected by the interference effect shows a complex behavior with respect to the film thickness of the absorber film. また、前述の実施の形態3,4のようにバッファー層を備える場合、バッファー層も吸収体としての効果を有するため、本発明においてコントラストを考えるときの吸収体膜とは、吸収体膜とバッファー層とを合わせた層を意味するものとする。 Also, if provided with a buffer layer as in the third and fourth embodiments described above, since it has an effect as a buffer layer is also the absorber, the absorber film when considering the contrast in the present invention, the absorber layer and the buffer It is intended to mean a layer combination of the layer.

上述のように干渉の効果で反射光は吸収体膜の膜厚に対して複雑な挙動を示すため、図4に示すように、吸収体膜の膜厚に対するコントラストも複雑な挙動を示し、膜厚変動でコントラストが大きく変動する。 Since light reflected by the interference effect as described above which indicates a complex behavior with respect to the film thickness of the absorber film, as shown in FIG. 4, the contrast also shows complex behavior with respect to the thickness of the absorber film, membrane the thickness contrast in the change varies greatly. 成膜装置の繰り返し再現性、面内分布などを考慮すると、多少の膜厚変動があってもコントラストが要求値(製品として最低限保証されるマスクコントラストの要求値)を上回る必要がある。 Repeatability of the film-forming apparatus, when considering the plane distribution, it is necessary to exceed some thickness contrast even in the event of a change request value (required value of the mask contrast are guaranteed minimum as a product). そこで、図4にも一例を示したように、EUV用反射型マスクに要求されるマスクコントラストを100と仮定し、ある膜厚以上であればコントラストの要求値を常に満足する膜厚を「t 100 」と定義して、以下の実施例ではt 100の値を用いて本発明による効果を説明する。 Therefore, as shown in an example in FIG. 4, the mask contrast required for EUV reflective mask for assuming 100, "t the thickness to always satisfy the required value of the contrast if particular thickness It is defined as 100 ", describing the effect of the present invention with reference to the value of t 100 in the following examples.
以下に示す実施例1は、前述の実施の形態1に係る実施例である。 Examples below 1 is an example according to the aforementioned first embodiment.

(実施例1) (Example 1)
使用する基板は、SiO 2 -TiO 2系のガラス基板(6インチ角、厚さが6.3mm)である。 Substrate used is a glass substrate of SiO 2 -TiO 2 system is a (6 inch square and a thickness of 6.3 mm). この基板の熱膨張係数は0.2×10 −7 /℃、ヤング率は67GPaである。 Thermal expansion coefficient of the substrate is 0.2 × 10 -7 / ℃, a Young's modulus of 67 GPa. そして、このガラス基板は機械研磨により、0.2nmRms以下の平滑な表面と、100nm以下の平坦度に形成した。 Then, this glass substrate is mechanically polished, and less smooth surface 0.2 nmRms, was formed in the following flatness 100 nm.
基板上に形成される多層反射膜は、13〜14nmの露光光波長帯域に適した多層反射膜とするために、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を採用した。 Multilayer reflective film formed on the substrate, to a multilayer reflective film suitable for an exposure light wavelength band of 13 to 14 nm, was employed Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、多層反射膜は、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。 That is, the multilayer reflective film, using a Mo target and Si target was formed by alternately laminating on a substrate by ion beam sputtering. Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、最後にキャッピング層としてSi膜を11nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 Si film 4.2 nm, Mo film 2.8 nm, as one cycle of this, after 40 cycles stacked to obtain a multilayer reflective film coated substrate to 11nm deposited Si film as finally capping layer. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.8%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.8%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.
次に、この多層反射膜上に、吸収体膜として、Cr Te ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、Cr Te 膜を所定の厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例1−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Then, the multilayer reflective film, the absorber film, using Cr 3 Te 4 target by DC magnetron sputtering method, forming a Cr 3 Te 4 film in a predetermined thickness, a reflective mask blank obtained (. of a reflective mask blank of example 1-1).

次に、実施例1−1の反射型マスクブランクスにおける上記吸収体膜の材料をそれぞれ、Cr Te (実施例1−2)、CrTe(実施例1−3)、Cr 11 Ge (実施例1−4)、Cr Ge (実施例1−5)とした以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−2〜1−5の反射型マスクブランクスを作製した。 Then, each material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 1-1, Cr 5 Te 8 (Example 1-2), CrTe (Example 1-3), Cr 11 Ge 8 (Embodiment example 1-4), except that the Cr 5 Ge 3 (examples 1-5) in the same manner as in example 1-1 to prepare a reflective mask blank of example 1-2~1-5.
次に、これら実施例1−1〜1−5の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Examples 1-1 to 1-5, it was prepared as follows reflective mask for EUV exposure having a predetermined transfer pattern.

まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素と酸素の混合ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask, the absorber film with a mixed gas of chlorine and oxygen dry etching to form a transfer pattern in the absorber film.
こうして、実施例1−1〜1−5の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask in Example 1-1 to 1-5.
ここで、吸収体膜の材料として、Cr Te (実施例1−1)、Cr Te (実施例1−2)、Cr 11 Ge (実施例1−4)、Cr Ge (実施例1−5)を使用したときの、コントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を図5に示した。 Here, as the material of the absorber film, Cr 3 Te 4 (Example 1-1), Cr 5 Te 8 (Example 1-2), Cr 11 Ge 8 (Example 1-4), Cr 5 Ge 3 when using (example 1-5), seek absorber film thickness dependence of the contrast, and the results are shown in Figure 5. 吸収体膜の膜厚に対してコントラストの値が複雑な挙動を示していることがわかる。 It can be seen that the value of contrast indicates a complex behavior with respect to the film thickness of the absorber film. コントラストは前述の定義に従った。 Contrast pursuant to the foregoing definitions. また、実施例1−3についても同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求めた。 Further, to determine the absorber film thickness dependence of similarly contrast for Examples 1-3.

このコントラストの吸収体膜厚依存性の関係から、前述のある膜厚以上であればコントラストの要求値を常に満足する膜厚「t 100 」を求めた。 From absorber film thickness dependence of the relationship between the contrast was determined thickness "t 100" to always satisfy the required value of the contrast if more thickness with above. その結果、t 100の値は、それぞれ38.0nm(実施例1−1),38.2nm(実施例1−2),38.3nm(実施例1−3),66.1nm(実施例1−4),66.5nm(実施例1−5)であった。 As a result, the value of t 100, respectively 38.0Nm (Example 1-1), 38.2 nm (Example 1-2), 38.3nm (Example 1-3), 66.1nm (Example 1 -4), it was 66.5 nm (example 1-5).
なお、比較例として、上記吸収体膜の材料として窒化クロム(CrN)を使用したこと以外は上記実施例1と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図5参照)、さらにt 100を求めたところ、t 100の値は76.3nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。 As a comparative example, for the reflective mask was produced in the same manner as in Example 1 except for using a chromium nitride (CrN) as the material of the absorber film, as well as the absorber film thickness dependence of the contrast the calculated (see FIG. 5), was further sought t 100, the value of t 100 is 76.3Nm, was large value as compared with the above embodiment.
以上の結果から、吸収体膜として本発明のクロム系材料を用いることにより、例えば従来のCrN材料を用いた場合と比べて、より薄い膜厚で高コントラストを実現でき、EUV露光用反射型マスクに要求されるコントラストを保証することができ信頼性が高い。 The use of chromium-based material of the present invention as the above results, the absorber film, for example, as compared with the case of using a conventional CrN material, can realize high contrast in a thinner film thickness, EUV exposure reflective mask reliable can guarantee the required contrast.

次に、得られた実施例1−1〜1−5の反射型マスク(但し、各実施例の吸収体膜の膜厚は各々の上記t 100の値に設定した)を用いて、図2に示す半導体基板上へのEUV光によるパターン転写装置による露光転写を行った。 Next, using the reflective mask in Examples 1-1 to 1-5 obtained (however, the thickness of the absorber film of each example was set to a value of each of the above t 100), 2 It was exposed transferred by the pattern transfer apparatus according to EUV light to the semiconductor substrate shown in.
反射型マスクを搭載したパターン転写装置50は、レーザープラズマX線源31、縮小光学系32等から概略構成される。 Pattern transfer apparatus 50 equipped with a reflective mask is a schematic constituted from the laser plasma X-ray source 31, a reduction optical system 32 and the like. 縮小光学系32は、X線反射ミラーを用いている。 Reduction optical system 32 uses a X-ray reflection mirror. 縮小光学系32により、反射型マスク20で反射されたパターンは通常1/4程度に縮小される。 The reduction optical system 32, the pattern reflected by the reflective mask 20 is reduced to usually about 1/4. 尚、露光波長として13〜14nmの波長帯を使用するので、光路が真空中になるように予め設定した。 Since the wavelength band of 13~14nm as the exposure wavelength, an optical path is set in advance so that the vacuum.
このような状態で、レーザープラズマX線源31から得られたEUV光を反射型マスク20に入射し、ここで反射された光を縮小光学系32を通してシリコンウエハ(レジスト層付き半導体基板)33上に転写した。 In this state, a laser plasma X-ray source 31 EUV light obtained from entering the reflective mask 20, wherein a silicon wafer (semiconductor substrate with the resist layer) through an optical reduction optical system 32 that is reflected by the 33 above It was transferred to.

反射型マスク20に入射した光は、吸収体パターン4a(図1参照)のある部分では、吸収体膜に吸収されて反射されず、一方、吸収体パターン4aのない部分に入射した光は多層反射膜により反射される。 The light incident on the reflective mask 20, in one portion where the absorber pattern 4a (see FIG. 1) is not reflected is absorbed by the absorber film, whereas light incident on the portion having no absorber pattern 4a multilayer It is reflected by the reflective film. このようにして、反射型マスク20から反射される光により形成される像が縮小光学系32に入射する。 In this way, an image formed by the light reflected from the reflective mask 20 is incident on the reduction optical system 32. 縮小光学系32を経由した露光光は、シリコンウエハ33上のレジスト層に転写パターンを露光する。 Exposure light that has passed through the reducing optical system 32 exposed a transfer pattern to the resist layer on the silicon wafer 33. そして、この露光済レジスト層を現像することによってシリコンウエハ33上にレジストパターンを形成した。 Then, a resist pattern was formed on the silicon wafer 33 by developing the exposed resist layer.
以上のようにして半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例1−1〜1−5の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現することができることが確認できた。 Was carried out pattern transfer onto a semiconductor substrate as described above, both the reflective mask in Example 1-1 to 1-5, no occurrence of pattern blur during pattern transfer, the pattern transfer of high contrast it was confirmed that it is possible to realize.

以下に示す実施例2は、前述の実施の形態2に係る実施例である。 Examples below 2 are examples according to the second embodiment described above.
(実施例2) (Example 2)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。 On the same glass substrate as in Example 1, using the Mo target and Si target, alternately stacked on the substrate by ion beam sputtering to form a Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、キャッピング層としてSi膜を4nm成膜し、更にその上に保護膜としてRuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 That, 4.2 nm and Si films, 2.8 nm of Mo film, as one cycle of this, after 40-period stacking, the Si film is 4nm deposited as a capping layer, using RuNb target as a protective film thereon to obtain a multilayer reflective film coated substrate RuNb film is 2.5nm deposition Te. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.2%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.2%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.
次に、この多層反射膜上に、吸収体膜として、Cr Te ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、Cr Te 膜を所定の厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例2−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Then, the multilayer reflective film, the absorber film, using Cr 3 Te 4 target by DC magnetron sputtering method, forming a Cr 3 Te 4 film in a predetermined thickness, a reflective mask blank obtained (. of a reflective mask blank of example 2-1).

次に、実施例2−1の反射型マスクブランクスにおける上記吸収体膜の材料をそれぞれ、Cr Te (実施例2−2)、CrTe(実施例2−3)、Cr 11 Ge (実施例2−4)、Cr Ge (実施例2−5)、Cr GeN(実施例2−6)とした以外は実施例2−1と同様にして、実施例2−2〜2−6の反射型マスクブランクスを作製した。 Then, each material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 2-1, Cr 5 Te 8 (Example 2-2), CrTe (Example 2-3), Cr 11 Ge 8 (Embodiment example 2-4), Cr 5 Ge 3 (example 2-5), except that the Cr 3 GeN (example 2-6) in the same manner as in example 2-1, example 2-2~2- the reflective mask blank of 6 was prepared.
次に、これら実施例2−1〜2−6の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Examples 2-1 to 2-6, it was prepared as follows reflective mask for EUV exposure having a predetermined transfer pattern.

まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素と酸素の混合ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask, the absorber film with a mixed gas of chlorine and oxygen dry etching to form a transfer pattern in the absorber film.
こうして、実施例2−1〜2−6の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask in Example 2-1 to 2-6.
ここで、吸収体膜の材料として、Cr Te (実施例2−1)、Cr Te (実施例2−2)、Cr 11 Ge (実施例2−4)、Cr Ge (実施例2−5)を使用したときの、コントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を図6に示した。 Here, as the material of the absorber film, Cr 3 Te 4 (Example 2-1), Cr 5 Te 8 (Example 2-2), Cr 11 Ge 8 (Example 2-4), Cr 5 Ge 3 when using (example 2-5), seek absorber film thickness dependence of the contrast, and the results are shown in Figure 6. また、実施例2−3、2−6についても同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求めた。 Further, to determine the absorber film thickness dependence of similarly contrast for Examples 2-3,2-6.

このコントラストの吸収体膜厚依存性の関係から、前述のある膜厚以上であればコントラストの要求値を常に満足する膜厚「t 100 」を求めた。 From absorber film thickness dependence of the relationship between the contrast was determined thickness "t 100" to always satisfy the required value of the contrast if more thickness with above. その結果、t 100の値は、それぞれ36.8nm(実施例2−1),37.0nm(実施例2−2),37.1nm(実施例2−3),64.9nm(実施例2−4),65.2nm(実施例2−5)、73.4nm(実施例2−6)であった。 As a result, the value of t 100, respectively 36.8Nm (Example 2-1), 37.0nm (Example 2-2), 37.1nm (Example 2-3), 64.9nm (Example 2 -4), 65.2nm (example 2-5), was 73.4Nm (example 2-6).
なお、前述の実施例1の結果と比べると、吸収体膜の材料が同じでも本実施例2の方が実施例1よりもt 100が小さくなっている。 Incidentally, when compared with the results of Example 1 above, t 100 than it is Example 1 of the second embodiment the material of the absorber film is even the same is small. この理由は次のように推測される。 The reason for this is presumed to be as follows. 即ち、図7の(a)(実施例1のマスク構成)と(b)(実施例2のマスク構成)には模式的に示したが、吸収体膜パターンのあるところ(吸収体領域)では、Ru系保護膜を有する(b)における吸収体膜と保護膜の界面からの反射光量の方が、(a)における吸収体膜とSiキャッピング層の界面からの反射光量よりも少なく、結果的に(b)における吸収体領域からの反射光b1の方が、(a)における吸収体領域からの反射光a1よりも光量が小さい。 That is, although shown schematically in the FIG. 7 (a) (the mask construction Example 1) and (b) (the mask construction of Embodiment 2) In place of the absorber film pattern (absorber region) Trip amount of light reflected from the interface of the absorber film and the protective film in having a Ru-based protective film (b) is less than the amount of light reflected from the interface of the absorber film and the Si capping layer in (a), resulting towards the reflected light b1 from the absorber region in the (b) is, the light amount is smaller than the reflection light a1 from the absorber region in (a). 逆に、吸収体膜パターンのないところ(反射領域)では、Ru系保護膜を有する(b)における反射領域からの反射光b2の方が、(a)における反射領域からの反射光a2よりも光量が大きい。 Conversely, in the place (reflective region) with no absorber film pattern, towards the reflected light b2 from the reflective region in having a Ru-based protective film (b) is than reflected light a2 from the reflecting region in (a) the amount of light is large. このため、Ru系保護膜を備えた本実施例2のマスクの方が実施例1のマスクよりもマスクコントラストが強調され、その結果本実施例2の方がt 100が小さくなると考えられる。 Therefore, towards the mask of the second embodiment provided with a Ru-based protective film is enhanced mask contrast than the mask of Example 1, as a result towards the second embodiment is considered to t 100 is reduced.

なお、比較例として、上記吸収体膜の材料として窒化クロム(CrN)を使用したこと以外は上記実施例2と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの吸収体膜厚依存性を求め(図6参照)、さらにt 100を求めたところ、t 100の値は75.0nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。 As a comparative example, for the reflective mask was produced in the same manner as in Example 2 except for using a chromium nitride (CrN) as the material of the absorber film, as well as the absorber film thickness dependence of the contrast the calculated (see FIG. 6), was further sought t 100, the value of t 100 is 75.0Nm, was large value as compared with the above embodiment.
以上の結果から、本実施例においても、吸収体膜として本発明のクロム系材料を用いることにより、例えば従来のCrN材料を用いた場合と比べて、より薄い膜厚で高コントラストを実現でき、EUV露光用反射型マスクに要求されるコントラストを保証することができ信頼性が高い。 These results, also in this embodiment, by using a chromium-based material of the present invention as an absorber film, for example, as compared with the case of using a conventional CrN material, can realize high contrast in a thinner film thickness, It can be reliable to ensure the contrast required for EUV exposure reflective mask.

次に、得られた実施例2−1〜2−6の反射型マスク(但し、各実施例の吸収体膜の膜厚は各々の上記t 100の値に設定した)を用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例2−1〜2−6の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現することができることが確認できた。 Next, using the reflective mask in Example 2-1 to 2-6 obtained (however, the thickness of the absorber film of each example was set to a value of each of the above t 100), Example 1 and was subjected to pattern transfer onto a semiconductor substrate by using the pattern transfer apparatus of FIG. 2 as well, both the reflective mask in example 2-1 to 2-6, the occurrence of pattern blur during pattern transfer no, it was confirmed that it is possible to realize a pattern transfer with high contrast.

以下に示す実施例3は、前述の実施の形態3に係る実施例である。 Examples below 3 are examples according to the third embodiment described above.
(実施例3) (Example 3)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。 On the same glass substrate as in Example 1, using the Mo target and Si target, alternately stacked on the substrate by ion beam sputtering to form a Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、最後にキャッピング層としてSi膜を11nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 That, 4.2 nm and Si films, 2.8 nm of Mo film, as one cycle of this, after 40 cycles stacked to obtain a multilayer reflective film coated substrate to 11nm deposited Si film as finally capping layer. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.8%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.8%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.
次に、この多層反射膜上に、バッファー層として、Cr Te ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、Cr Te 膜を25nmの厚さに成膜した。 Then, the multilayer reflective film, as a buffer layer, with Cr 3 Te 4 target by DC magnetron sputtering to deposit a Cr 3 Te 4 film with a thickness of 25 nm.
次に、このバッファー層上に、吸収体膜として、TaとBとNを含む材料を所定の厚さで形成した。 Then, the buffer layer, as an absorber film, to form a material containing Ta, B, and N in a predetermined thickness. 即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン(Ar)に窒素(N 2 )を10%添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。 That is, using a target containing Ta and B, the argon (Ar) nitrogen (N 2) was added 10% was deposited by DC magnetron sputtering. 成膜したTaBN膜の組成比は、Taが0.8原子%、Bが0.1原子%、Nが0.1原子%であった。 The composition ratio of the formed TaBN film, Ta is 0.8 atomic%, B is 0.1 atomic%, N was 0.1 atomic%.
こうして本実施例の反射型マスクブランクスを得た(実施例3−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Was thus obtained reflective mask blank in this example (. Of a reflective mask blank of Example 3-1).

次に、実施例3−1の反射型マスクブランクスにおける上記バッファー層の材料をそれぞれ、Cr Te (実施例3−2)、CrTe(実施例3−3)、Cr 11 Ge (実施例3−4)、Cr Ge (実施例3−5)とした以外は実施例3−1と同様にして、実施例3−2〜3−5の反射型マスクブランクスを作製した。 Then, each material of the buffer layer in the reflective mask blank of Example 3-1, Cr 5 Te 8 (Example 3-2), CrTe (Example 3-3), Cr 11 Ge 8 (Example 3-4), except that the Cr 5 Ge 3 (example 3-5) in the same manner as in example 3-1 to prepare a reflective mask blank of example 3-2~3-5.
次に、これら実施例3−1〜3−5の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Examples 3-1 to 3-5, it was prepared as follows reflective mask for EUV exposure having a predetermined transfer pattern.

まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いてTaBN吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask to dry etch the TaBN absorber layer using a chlorine gas to form a transfer pattern in the absorber film.
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上(吸収体膜のパターンのない部分)に残存しているバッファー層を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。 Furthermore, using a mixed gas of chlorine and oxygen, the buffer layer remaining on the reflection region (portion with no pattern of the absorber film) is dry-etched to remove according to the pattern of the absorber film, the multilayer reflective film exposed, to obtain a reflective mask.
こうして、実施例3−1〜3−5の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask in Example 3-1 to 3-5.
ここで、バッファー層の材料として、Cr Te (実施例3−1)、Cr Te (実施例3−2)、Cr 11 Ge (実施例3−4)、Cr Ge (実施例3−5)を使用したときの、コントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を図8に示した。 Here, as a material of the buffer layer, Cr 3 Te 4 (Example 3-1), Cr 5 Te 8 (Example 3-2), Cr 11 Ge 8 (Example 3-4), Cr 5 Ge 3 ( when using example 3-5) to obtain the absorber film thickness dependence of the contrast, and the results are shown in Figure 8. 但し、この場合の吸収体膜厚とは、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体の膜厚のことであり、以下「全吸収体膜厚」と呼ぶことにする。 However, the absorber film thickness when a is that of the total thickness of the combined absorber film and the buffer layer, will be hereinafter referred to as "total absorber thickness". また、実施例3−3についても同様にコントラストの全吸収体膜厚依存性を求めた。 Also, determine the total absorption film thickness dependence of similarly contrast for Examples 3-3.

このコントラストの全吸収体膜厚依存性の関係から、前述のある膜厚以上であればコントラストの要求値を常に満足する膜厚「t 100 」を求めた。 From whole absorber film thickness dependence of the relationship between the contrast was determined thickness "t 100" to always satisfy the required value of the contrast if more thickness with above. その結果、t 100の値は、それぞれ45.6nm(実施例3−1),51.3nm(実施例3−2),46.1nm(実施例3−3),74.4nm(実施例3−4),74.5nm(実施例3−5)であった。 As a result, the value of t 100, respectively 45.6Nm (Example 3-1), 51.3nm (Example 3-2), 46.1nm (Example 3-3), 74.4nm (Example 3 -4), it was 74.5 nm (example 3-5).
なお、前述の実施例1の結果と比べると、材料が同じでも本実施例3と実施例1とではt 100の値の序列が一部異なっている。 Incidentally, when compared with the results of Example 1 described above are different part sequence of values of t 100 is a material with the third embodiment, even the same as in Example 1. たとえば、実施例3のバッファー層の材料として、Cr Te (実施例3−2)、CrTe(実施例3−3)をそれぞれ使用した場合の両者のt 100の大小の序列と、実施例1の吸収体膜の材料として、Cr Te (実施例1−2)、CrTe(実施例1−3)をそれぞれ使用した場合の両者のt 100の大小の序列とは異なっている。 For example, as the material of the buffer layer of Example 3, Cr 5 Te 8 (Example 3-2), the order of magnitude of both t 100 when using CrTe (Example 3-3), respectively, Example as the material of one of the absorber film, Cr 5 Te 8 (example 1-2), it is different from the order of magnitude of both t 100 when using CrTe (example 1-3), respectively. この理由は次のように推測される。 The reason for this is presumed to be as follows. 即ち、図9の(a)(実施例3のマスク構成)と(b)(実施例1のマスク構成)には模式的に示したが、(a)に示す実施例3のマスク構成では、TaBN吸収体膜とCr系バッファー層との界面で屈折率差による反射光(図中のa3で示す反射光)が存在し、その反射光がCr系バッファー層の材料に依存するため、(b)に示すCr系吸収体膜のみを備える実施例1のマスク構成におけるt 100の大小の序列とは異なっているものと推測される。 That is, although shown schematically in the FIG. 9 (a) (Example 3 of the mask structure) and (b) (the mask construction of Embodiment 1), the mask construction of Embodiment 3 shown in (a), TaBN absorber film and the Cr-based surface in reflected light due to a refractive index difference between the buffer layer is present (reflected light shown by a3 in the figure), because the reflected light depends on the material of the Cr-based buffer layer, (b ) the order of magnitude of t 100 in the mask construction of embodiment 1 includes only Cr-based absorber films shown in it is presumed that are different. また、TaBN吸収体膜表面で反射される反射光の強度がCr系吸収体膜表面で反射される反射光の強度とは異なることも理由の一つと考えられる。 Further, it is considered one of the reason different from the intensity of the reflected light intensity of the light reflected by the TaBN absorber layer surface is reflected by the Cr-based absorber film surface.

なお、比較例として、上記バッファー層の材料として窒化クロム(CrN)を使用したこと以外は上記実施例3と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの全吸収体膜厚依存性を求め(図8参照)、さらにt 100を求めたところ、t 100の値は75.7nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。 As a comparative example, the reflective mask as except for using chromium nitride (CrN) material was prepared in the same manner as in Example 3 above buffer layer is similarly entire absorber film thickness dependence of the contrast the calculated (see FIG. 8), was further sought t 100, the value of t 100 is 75.7Nm, was large value as compared with the above embodiment.
以上の結果から、バッファー層として本発明のクロム系材料を用いることにより、例えば従来のCrN材料を用いた場合と比べて、より薄い全吸収体膜厚で高コントラストを実現でき、EUV露光用反射型マスクに要求されるコントラストを保証することができ信頼性が高い。 From the above results, by using a chromium-based material of the present invention as a buffer layer, for example as compared with the case of using a conventional CrN material, it can realize high contrast in thinner total absorber thickness, reflecting EUV exposure It can be reliable to ensure the contrast required to mold the mask.

次に、得られた実施例3−1〜3−5の反射型マスク(但し、各実施例の全吸収体膜厚は各々の上記t 100の値に設定した)を用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例3−1〜3−5の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現することができることが確認できた。 Next, using the reflective mask in Example 3-1 to 3-5 obtained (however, the total absorber thickness of each example was set to a value of each of the above t 100), Example 1 Similarly was carried out pattern transfer onto a semiconductor substrate using the pattern transfer apparatus of FIG. 2, both the reflective mask in example 3-1 to 3-5, no occurrence of pattern blur during pattern transfer with , it was confirmed that it is possible to realize a pattern transfer with high contrast.
なお、本実施例では、本発明のクロム系材料で形成するバッファー層の膜厚を一応25nmとしたが、これに限定される必要はない。 In the present embodiment, the thickness of the buffer layer formed by chromium-containing material of the present invention was tentatively set to 25 nm, no need of being restricted thereto. たとえば、全吸収体膜厚を仮にt 100の値に設定するとすれば、その場合のバッファー層の膜厚を25nmに限定する必要はなく、吸収体膜とバッファー層との膜厚の比率は適宜設定することができる。 For example, the total if the absorber film thickness provisionally and to set the value of t 100, it is not necessary to limit the thickness of the buffer layer in this case to 25 nm, the ratio of the thickness of the absorber film and the buffer layer is suitably it can be set.

以下に示す実施例4は、前述の実施の形態4に係る実施例である。 Examples below 4 are examples according to the fourth embodiment described above.
(実施例4) (Example 4)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。 On the same glass substrate as in Example 1, using the Mo target and Si target, alternately stacked on the substrate by ion beam sputtering to form a Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、キャッピング層としてSi膜を4nm成膜し、更にその上に保護膜としてRuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 That, 4.2 nm and Si films, 2.8 nm of Mo film, as one cycle of this, after 40-period stacking, the Si film is 4nm deposited as a capping layer, using RuNb target as a protective film thereon to obtain a multilayer reflective film coated substrate RuNb film is 2.5nm deposition Te. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.2%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.2%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.
次に、この多層反射膜上に、バッファー層として、Cr Te ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、Cr Te 膜を25nmの厚さに成膜した。 Then, the multilayer reflective film, as a buffer layer, with Cr 3 Te 4 target by DC magnetron sputtering to deposit a Cr 3 Te 4 film with a thickness of 25 nm.
次に、このバッファー層上に、吸収体膜として、実施例3と同様にしてTaBN膜を所定の厚さで形成した。 Then, the buffer layer, as an absorber film was formed TaBN film with a predetermined thickness in the same manner as in Example 3.
こうして本実施例の反射型マスクブランクスを得た(実施例4−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Was thus obtained reflective mask blank in this example (. Of a reflective mask blank of Example 4-1).

次に、実施例4−1の反射型マスクブランクスにおける上記バッファー層の材料をそれぞれ、Cr Te (実施例4−2)、CrTe(実施例4−3)、Cr 11 Ge (実施例4−4)、Cr Ge (実施例4−5)とした以外は実施例4−1と同様にして、実施例4−2〜4−5の反射型マスクブランクスを作製した。 Then, each material of the buffer layer in the reflective mask blank of Example 4-1, Cr 5 Te 8 (Example 4-2), CrTe (Example 4-3), Cr 11 Ge 8 (Example 4-4), except that the Cr 5 Ge 3 (example 4-5) in the same manner as in example 4-1 to prepare a reflective mask blank of example 4-2 to 4-5.
次に、これら実施例4−1〜4−5の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Examples 4-1 to 4-5, it was prepared as follows reflective mask for EUV exposure having a predetermined transfer pattern.

まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いてTaBN吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask to dry etch the TaBN absorber layer using a chlorine gas to form a transfer pattern in the absorber film.
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上(吸収体膜のパターンのない部分)に残存しているバッファー層を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。 Furthermore, using a mixed gas of chlorine and oxygen, the buffer layer remaining on the reflection region (portion with no pattern of the absorber film) is dry-etched to remove according to the pattern of the absorber film, the multilayer reflective film exposed, to obtain a reflective mask.
こうして、実施例4−1〜4−5の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask in Example 4-1 to 4-5.
ここで、バッファー層の材料として、Cr Te (実施例4−1)、Cr Te (実施例4−2)、Cr 11 Ge (実施例4−4)、Cr Ge (実施例4−5)を使用したときの、コントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を図10に示した。 Here, as a material of the buffer layer, Cr 3 Te 4 (Example 4-1), Cr 5 Te 8 (Example 4-2), Cr 11 Ge 8 (Example 4-4), Cr 5 Ge 3 ( when using example 4-5) to obtain the absorber film thickness dependence of the contrast, and the results are shown in Figure 10. 但し、本実施例においてもこの場合の吸収体膜厚とは、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体の膜厚のことであり、以下「全吸収体膜厚」と呼ぶ。 However, also in this embodiment the absorber layer thickness in this case is that the total thickness of the combined absorber film and the buffer layer, hereinafter referred to as "total absorber thickness". また、実施例4−3についても同様にコントラストの全吸収体膜厚依存性を求めた。 Also, determine the total absorption film thickness dependence of similarly contrast for Examples 4-3.

このコントラストの全吸収体膜厚依存性の関係から、前述のある膜厚以上であればコントラストの要求値を常に満足する膜厚「t 100 」を求めた。 From whole absorber film thickness dependence of the relationship between the contrast was determined thickness "t 100" to always satisfy the required value of the contrast if more thickness with above. その結果、t 100の値は、それぞれ44.2nm(実施例4−1),51.3nm(実施例4−2),44.6nm(実施例4−3),73.2nm(実施例4−4),73.3nm(実施例4−5)であった。 As a result, the value of t 100, respectively 44.2Nm (Example 4-1), 51.3nm (Example 4-2), 44.6nm (Example 4-3), 73.2nm (Example 4 -4), was 73.3Nm (example 4-5).
なお、前述の実施例2の結果と比べると、材料が同じでも本実施例4と実施例2とではt 100の値の序列が一部異なっているが、その理由は前述の実施例3で説明した理由と同様であると考えられる。 Incidentally, when compared with the results of Example 2 above, the material but are different part sequence of values of t 100 in the fourth embodiment be the same as in Example 2, because in example 3 above it is considered to be the same as the reason described.

比較例として、上記バッファー層の材料として窒化クロム(CrN)を使用したこと以外は上記実施例4と同様にして作製した反射型マスクについても、同様にコントラストの全吸収体膜厚依存性を求め(図10参照)、さらにt 100を求めたところ、t 100の値は74.3nmであり、上記実施例と比べると大きい値であった。 As a comparative example, the reflective mask except for using produced in the same manner as in Example 4 a chromium nitride (CrN) as the material of the buffer layer is also obtained in the same manner all the absorber film thickness dependency of the contrast (see FIG. 10), was further sought t 100, the value of t 100 is 74.3Nm, was large value as compared with the above embodiment.
以上の結果から、本実施例においてもバッファー層として本発明のクロム系材料を用いることにより、例えば従来のCrN材料を用いた場合と比べて、より薄い全吸収体膜厚で高コントラストを実現でき、EUV露光用反射型マスクに要求されるコントラストを保証することができ信頼性が高い。 From the above results, by using a chromium-based material of the present invention as a buffer layer in the present embodiment, for example, as compared with the case of using a conventional CrN material, it can achieve thinner entire absorber film high contrast thickness , high reliability can be assured contrast required for EUV exposure reflective mask.

次に、得られた実施例4−1〜4−5の反射型マスク(但し、各実施例の全吸収体膜厚は各々の上記t 100の値に設定した)を用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例4−1〜4−5の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現することができることが確認できた。 Next, using the reflective mask in Example 4-1 to 4-5 obtained (however, the total absorber thickness of each example was set to a value of each of the above t 100), Example 1 Similarly was carried out pattern transfer onto a semiconductor substrate using the pattern transfer apparatus of FIG. 2, both the reflective mask in example 4-1 to 4-5, no occurrence of pattern blur during pattern transfer with , it was confirmed that it is possible to realize a pattern transfer with high contrast.
なお、本実施例においても、本発明のクロム系材料で形成するバッファー層の膜厚を一応25nmとしたが、これに限定される必要はなく、たとえば、全吸収体膜厚をt 100の値に設定する場合のバッファー層の膜厚を25nmに限定する必要はない。 Also in this embodiment, the thickness of the buffer layer formed by chromium-containing material of the present invention was tentatively set to 25 nm, need not be limited to, for example, the total absorber thickness of t 100 values You need not be limited to 25nm film thickness of the buffer layer for setting the. 吸収体膜とバッファー層との膜厚の比率は適宜設定することができる。 The ratio of the thickness of the absorber film and the buffer layer can be set as appropriate.

(実施例5) (Example 5)
実施例1−1の反射型マスクブランクスにおける吸収体膜の材料をそれぞれ、CrAg(Ag:20at%)(実施例5−1)、CrAg(Ag:50at%)(実施例5−2)とした以外は実施例1−1と同様にして、実施例5−1、5−2の反射型マスクブランクスを作製した。 Each material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 1-1, CrAg (Ag: 20at%) (Example 5-1), Crag: was (Ag 50at%) (Example 5-2) otherwise in the same manner as in example 1-1 to prepare a reflective mask blank of example 5-1 and 5-2.
実施例2−1の反射型マスクブランクスにおける吸収体膜の材料をそれぞれ、CrAg(Ag:20at%)(実施例5−3)、CrAg(Ag:50at%)(実施例5−4)とした以外は実施例2−1と同様にして、実施例5−3、5−4の反射型マスクブランクスを作製した。 Each material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 2-1, CrAg (Ag: 20at%) (Example 5-3), Crag: was (Ag 50at%) (Example 5-4) otherwise in the same manner as in example 2-1 to prepare a reflective mask blank of example 5-3 and 5-4.
実施例3−1の反射型マスクブランクスにおけるバッファー層の材料をそれぞれ、CrAg(Ag:20at%)(実施例5−5)、CrAg(Ag:50at%)(実施例5−6)とした以外は実施例3−1と同様にして、実施例5−5、5−6の反射型マスクブランクスを作製した。 Each material of the buffer layer in the reflective mask blank of Example 3-1, CrAg (Ag: 20at%) (Example 5-5), CrAg (Ag: 50at%) except for using (Example 5-6) in the same manner as in example 3-1 to prepare a reflective mask blank of example 5-5, 5-6.
実施例4−1の反射型マスクブランクスにおけるバッファー層の材料をそれぞれ、CrAg(Ag:20at%)(実施例5−7)、CrAg(Ag:50at%)(実施例5−8)とした以外は実施例4−1と同様にして、実施例5−7、5−8の反射型マスクブランクスを作製した。 Each material of the buffer layer in the reflective mask blank of Example 4-1, CrAg (Ag: 20at%) (Example 5-7), CrAg (Ag: 50at%) except for using (Example 5-8) in the same manner as in example 4-1 to prepare a reflective mask blank of example 5-7,5-8.

次に、これら実施例5−1〜5−8の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを作製し、実施例5−1〜5−8の反射型マスクを得た。 Next, using the reflective mask blank of Examples 5-1 to 5-8, to produce a reflective mask for EUV exposure having a predetermined transfer pattern, reflective Example 5-1 to 5-8 to obtain a mask.
ここで、コントラストの吸収体膜厚依存性を求め、その結果を、実施例5−1、5−2については図11、実施例5−3、5−4については図12、実施例5−5、5−6については図13、実施例5−7、5−8については図14にそれぞれ示した。 Here, determine the absorber film thickness dependence of the contrast, the results for Examples 5-1 and 5-2 11 Example 5-3 and 5-4 Figure 12 for Example 5 for 5,5-6 Figure 13, for examples 5-7,5-8 are shown in FIG. 14. 但し、実施例5−5〜5−8においては、吸収体膜厚とは、吸収体膜とバッファー層を合わせた「全吸収体膜厚」である。 However, in the embodiment 5-5~5-8, the absorber thickness, the combined absorber layer and the buffer layer is a "total absorber thickness". また、比較例として、上記吸収体膜又はバッファー層として窒化クロム(CrN)を使用した反射型マスクのコントラストの吸収体膜厚依存性についても併せて各図に示した。 As a comparative example, it is shown in the figures together also absorber film thickness dependence of the contrast of the reflective mask using the chromium nitride (CrN) as the absorber film or a buffer layer.

このコントラストの吸収体膜厚依存性の関係から、前述のある膜厚以上であればコントラストの要求値を常に満足する膜厚「t 100 」を求めた。 From absorber film thickness dependence of the relationship between the contrast was determined thickness "t 100" to always satisfy the required value of the contrast if more thickness with above. その結果、t 100の値は、それぞれ62.3nm(実施例5−1),55.2nm(実施例5−2),61.0nm(実施例5−3),54.1nm(実施例5−4),74.8nm(実施例5−5)、61.9nm(実施例5−6)、67.4nm(実施例5−7)、60.4nm(実施例5−8)であった。 As a result, the value of t 100, respectively 62.3Nm (Example 5-1), 55.2nm (Example 5-2), 61.0nm (Example 5-3), 54.1nm (Example 5 -4), 74.8nm (example 5-5), 61.9nm (example 5-6), 67.4nm (example 5-7), was 60.4Nm (example 5-8) .

以上の結果から、本実施例においても吸収体膜又はバッファー層として本発明のクロム系材料(CrAg)を用いることにより、例えば従来のCrN材料を用いた場合と比べて、より薄い吸収体膜厚で高コントラストを実現でき、EUV露光用反射型マスクに要求されるコントラストを保証することができ信頼性が高い。 From the above results, by using a chromium-based material (Crag) of the present invention as an absorber film or a buffer layer in the present embodiment, for example, as compared with the case of using a conventional CrN material, thinner absorber film thickness in can be realized a high contrast, high reliability can be assured contrast required for EUV exposure reflective mask.
次に、得られた実施例5−1〜5−8の反射型マスク(但し、各実施例の全吸収体膜厚は各々の上記t 100の値に設定した)を用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例5−1〜5−8の反射型マスクは何れも、パターン転写時にパターンぼけの発生がなく、高コントラストのパターン転写を実現することができることが確認できた。 Next, using the reflective mask in Example 5-1 to 5-8 obtained (however, the total absorber thickness of each example was set to a value of each of the above t 100), Example 1 Similarly was carried out pattern transfer onto a semiconductor substrate using the pattern transfer apparatus of FIG. 2, both the reflective mask in example 5-1 to 5-8, no occurrence of pattern blur during pattern transfer with , it was confirmed that it is possible to realize a pattern transfer with high contrast.

反射型マスクブランクスの一実施の形態の構成及びこのマスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a reflective mask using the configuration and the mask blank of an embodiment of a reflective mask blank. 反射型マスクを搭載したパターン転写装置の概略構成を示す図である。 It is a diagram showing a schematic configuration of a pattern transfer apparatus equipped with a reflective mask. コントラストの定義を説明するためのマスク構成の模式的断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a mask structure for describing the definition of contrast. 膜厚t 100の定義を説明するためのコントラストの膜厚依存性を示す図である。 Is a diagram showing the film thickness dependency of the contrast for explaining the definition of the thickness t 100. 実施例1の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 It is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 1. 実施例2の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 It is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 2. Ru系保護膜を備えることによるコントラストへの影響を説明するための(a)実施例1のマスク構成と(b)実施例2のマスク構成を模式的に示した断面図である。 For explaining the effect of the contrast by providing the Ru-based protective film (a) and the mask construction of Embodiment 1 (b) mask construction of Embodiment 2 is a cross-sectional view schematically showing. 実施例3の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 It is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 3. 本発明のCr系バッファー層上にTa系吸収体膜を有する場合の反射光への影響を説明するための(a)実施例3のマスク構成と(b)実施例1のマスク構成を模式的に示した断面図である。 Schematically: (a) a mask construction of Embodiment 3 (b) and the mask construction of Embodiment 1 for describing the effect of the reflected light in the case having a Ta-based absorber layer in Cr-based buffer layer of the present invention is a cross-sectional view illustrating the. 実施例4の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 It is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 4. 実施例5−1,5−2の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 Is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 5-1 and 5-2. 実施例5−3,5−4の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 Is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 5-3 and 5-4. 実施例5−5,5−6の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 It is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 5-5, 5-6. 実施例5−7,5−8の場合のコントラストの吸収体膜厚依存性を示す図である。 It is a diagram showing an absorber film thickness dependence of the contrast in the case of Example 5-7,5-8.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板2 多層反射膜3 バッファー層4 吸収体膜5a レジストパターン6 保護膜10 反射型マスクブランクス20 反射型マスク50 パターン転写装置 1 substrate 2 multilayer reflective film 3 buffer layer 4 absorber film 5a resist pattern 6 the protective layer 10 reflective mask blank 20 reflective mask 50 pattern transfer apparatus

Claims (9)

  1. 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、 A substrate, a reflective mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate,
    前記吸収体膜は、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。 The absorber layer is mainly composed of chromium (Cr), further silver (Ag), containing at least one element selected from tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), germanium (Ge) reflective mask blank characterized by comprising a material that.
  2. 前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランクス。 The absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in claim 1, characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) reflective mask blank as claimed in.
  3. 前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するルテニウム(Ru)化合物からなる保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型マスクブランクス。 Between the multilayer reflective film and the absorber film, the reflection type according to claim 1 or 2, wherein a protective film made of ruthenium (Ru) compound to protect the multilayer reflective film is formed mask blanks.
  4. 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、 A substrate, a reflective mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate,
    前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えており、該バッファー層は、クロム(Cr)を主成分とし、さらに銀(Ag)、テルル(Te)、オスミウム(Os)、レニウム(Re)、ゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。 Between the absorber layer and the multilayer reflective film, the absorber film and the etching characteristics which are different buffer layer, the buffer layer, chromium (Cr) as a main component, further silver (Ag), tellurium (Te), osmium (Os), rhenium (Re), a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one element selected from germanium (Ge).
  5. 前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項4に記載の反射型マスクブランクス。 The buffer layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in the claim 4, characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) reflective mask blank as claimed.
  6. 前記吸収体膜は、タンタル(Ta)又はタンタル(Ta)を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項4又は5に記載の反射型マスクブランクス。 The absorber layer is reflective mask blank according to claim 4 or 5, characterized in that tantalum (Ta) or tantalum (Ta) a material mainly.
  7. 前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されていることを特徴とする請求項4乃至6の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。 Between the multilayer reflective film and the buffer layer, a ruthenium (Ru) or any one of claims 4 to 6, characterized in that the protective layer is formed consisting of the compounds to protect the multilayer reflective film reflective mask blank as claimed in.
  8. 請求項1乃至7の何れか一に記載の反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。 The absorber film of the reflective mask blank according to any one of claims 1 to 7, a reflective mask, wherein the absorber film pattern serving as a transfer pattern with respect to the transfer member is formed.
  9. 請求項8に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Method of manufacturing a semiconductor device and forming a fine pattern on a semiconductor substrate by lithography using a reflective mask according to claim 8.
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