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JP2007273514A - Reflective mask blanks, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Reflective mask blanks, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

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JP2007273514A
JP2007273514A JP2006093907A JP2006093907A JP2007273514A JP 2007273514 A JP2007273514 A JP 2007273514A JP 2006093907 A JP2006093907 A JP 2006093907A JP 2006093907 A JP2006093907 A JP 2006093907A JP 2007273514 A JP2007273514 A JP 2007273514A
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Morio Hosoya
守男 細谷
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Hoya Corp
Hoya株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflective mask blanks provided with an absorber film etc. having more excellent processing characteristic than that of a conventional Ta-based material and capable of realizing pattern transfer of excellent transfer accuracy, and to provide reflective mask.
SOLUTION: The reflective mask blanks 10 has a substrate 1; and a multilayer reflecting film 2 for reflecting an exposure light, a protection film 6 on the multilayer reflecting film 2, a buffer layer 3, and an absorber film 4 for absorbing the exposure light, which are sequentially formed on the substrate. The absorber film 4 is formed of a material containing tantalum (Ta) as a main component and an element of at least any one of hafnium (Hf) and zirconium (Zr). In the reflective mask 20, a transfer pattern is formed on the absorber film of the reflective mask blanks.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置製造等に使用される露光用反射型マスク、及びその原版である反射型マスクブランクス、並びに反射型マスクを使用して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device exposure reflective mask used in the manufacture or the like, and its precursor the a reflective mask blank, and a method of manufacturing a semiconductor device for manufacturing a semiconductor device using the reflective mask.

近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、極紫外(Extreme Ultra Violet:以下、EUVと呼称する)光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。 Recently, in the semiconductor industry, with miniaturization of semiconductor devices, extreme ultraviolet (Extreme Ultra Violet: hereinafter referred to as EUV) EUV lithography is an exposure technique using light is promising. なお、ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が0.2〜100nm程度の光のことである。 Herein, the EUV light represents light in a wavelength band in a soft X-ray region or a vacuum ultraviolet region, specifically, light having a wavelength of about 0.2 to 100 nm. この、EUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、たとえば特許文献1に記載された露光用反射型マスクが提案されている。 This, as a mask for use in the EUV lithography, for example, exposure reflective mask described in Patent Document 1 has been proposed.
このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。 Such reflective mask, a multilayer reflection film for reflecting exposure light on the substrate is formed, in which absorber film for absorbing the exposure light on the multilayer reflective film is formed in a pattern. 露光機(パターン転写装置)に搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。 The light incident on the reflective mask mounted on the exposure apparatus (pattern transfer apparatus), the absorber layer is absorbed at a portion where the absorber film without light image reflected optical system reflected by the multilayer reflective film in the portion It is transferred to the semiconductor substrate through.

上記多層反射膜としては、例えば13〜14nmのEUV光を反射するものとして、数nmの厚さのMoとSiを交互に40乃至60周期程度積層させたものなどが知られている。 Examples of the multilayer reflective film, for example, as for reflecting EUV light of 13 to 14 nm, such as those alternately are stacked about 40 to 60 cycles the thickness of the Mo and Si several nm are known. そして、反射率を高めるためには、屈折率の大きなMo膜を最上層とする方が望ましいが、Moは大気に触れると酸化されやすく、その結果、反射率が低下してしまう。 Then, in order to increase the reflectance, although the large Mo film having a refractive index better to the uppermost is desired, Mo is easily oxidized when exposed to air, as a result, the reflectance is lowered. そこで、酸化防止のための保護膜として、例えばSi膜を最上層に設けることが行われている。 Therefore, as a protective film for preventing oxidation, e.g. Si film has been carried out by providing the top layer.
また、特許文献2には、吸収体膜の材料として、タンタルとホウ素を含む材料(TaBNなど)を用い、さらに多層反射膜と吸収体膜との間に、吸収体膜パターン形成時に多層反射膜を保護するためのクロム系バッファー層を備えた反射型マスクが記載されている。 Further, Patent Document 2, as the material of the absorber film, using a material (such as TaBN) containing tantalum and boron and further between the multilayer reflective film and the absorber film, the absorber film pattern forming the multilayer reflective film during It describes a reflective mask having a chromium-based buffer layer for protecting.

特公平7−27198号公報 Kokoku 7-27198 Patent Publication No. 特開2004−6798号公報 JP 2004-6798 JP

EUVリソグラフィにおいては、マスク上でEUV光は基板に対して斜め入射及び出射するため、反射領域に対するパターニング層(すなわち吸収体膜、もしくは吸収体膜及びバッファー層)の膜厚が厚いと、入射光及び出射光の光路がパターニング層の影響を受けて、シャドウイング(shadowing)効果と呼ばれるパターンぼけが強く生じてしまうという問題が発生する。 In EUV lithography, since the EUV light on the mask is to be obliquely incident and exit with respect to the substrate, the patterning layer to the reflective area when the thickness of (i.e., the absorber layer or absorber film and the buffer layer) is thick, the incident light and the optical path of the emitted light is affected by the patterning layer, a problem that the pattern blurring called shadowing (shadowing) effects occurs strongly occurs. このパターンぼけの問題は特に近年のパターンの微細化に伴い顕著になってきている。 This pattern blurring problem has become particularly noticeable recent miniaturization of patterns.
したがって、吸収体膜の膜厚は出来る限り薄いことが望まれるが、吸収体膜の材料として、従来の例えばTaBNなどを用いた場合、膜厚をある程度厚くしないとEUV光に対する吸収係数が高くならないため、吸収体膜の膜厚を薄くするといっても自ずと限界がある。 Therefore, it thin as possible the thickness of the absorber film is desired, as the material of the absorber film, when using a conventional example TaBN, not high absorption coefficient for EUV light unless a certain thickness the film thickness Therefore, there is naturally a limit to say that to reduce the thickness of the absorber film. しかも、従来のTa系材料は、加工特性上の問題があり、パターンの形状精度が劣化したり、たとえば膜厚が厚いと断面形状が劣化し、パターンの転写精度に悪影響を与えることがある。 Moreover, the conventional Ta-based material, there are processing characteristics problems, deteriorated the shape accuracy of a pattern, for example, the film thickness is thick and the cross-sectional shape deteriorates, which may adversely affect the transfer accuracy of the pattern.
このような事情から、従来のTa系材料よりも加工特性の良好な材料が要望されていた。 Under such circumstances, a material having good processing properties than conventional Ta-based material has been desired.

そこで本発明の目的は、第一に、従来のTa系材料よりも加工特性の良好な吸収体膜等を備え、転写精度の良好なパターン転写を実現できる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供することであり、第二に、このような反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成する半導体装置の製造方法を提供することである。 It is an object of the present invention, the first, than conventional Ta-based material with good absorber film like processing properties, provides a reflective mask blank and the reflective mask can be realized a good pattern transfer of the transfer accuracy is to, in the second, is to provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a fine pattern on a semiconductor substrate by lithography using such a reflection type mask.

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。 To solve the above problems, the present invention has the following configuration.
(構成1)基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、さらに前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えた反射型マスクブランクスであって、前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクスである。 (Configuration 1) comprising a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, and a absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film, further wherein the multilayer reflective between the absorber film and the film, there the absorber film and the etching property is a reflective mask blank having a different buffer layer, the absorber layer is mainly composed of tantalum (Ta), further hafnium a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one of the elements (Hf) or zirconium (Zr).
(構成2)前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成1に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 2) the absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in a characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) a reflective mask blank according to structure 1.

(構成3)基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えており、該バッファー層は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクスである。 (Configuration 3) and the substrate, a reflection type mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate Te, between the multilayer reflective film and the absorber film comprises a buffer layer to which the absorber film and the etching characteristics are different, the buffer layer is mainly composed of tantalum (Ta), further hafnium (Hf ) or a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one of the elements of zirconium (Zr).
(構成4)前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成3に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 4) The buffer layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) a reflective mask blank according to structure 3.

(構成5)前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されていることを特徴とする構成1乃至4の何れか一に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 5) between the multilayer reflective film and the buffer layer, or structure 1, characterized in that the ruthenium (Ru) or a protective film made of the compounds for protecting multilayer reflection film is formed a reflective mask blank according to any one of the 4.

(構成6)基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されており、前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクスである。 (Configuration 6) and the substrate, a reflection type mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate Te, wherein between the multilayer reflective film and the absorber film, a ruthenium (Ru) or a protective film made of the compounds for protecting multilayer reflection film is formed, the absorber film, tantalum ( the ta) as the main component, a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one element of the further hafnium (Hf) or zirconium (Zr).
(構成7)前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする構成6に記載の反射型マスクブランクスである。 (Configuration 7) The absorbent layer may further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in a characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) a reflective mask blank according to structure 6.

(構成8)構成1乃至7の何れか一に記載の反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスクである。 (Configuration 8) in the absorber film of the reflective mask blank according to any one of configurations 1 to 7, the reflection type, characterized in that the absorber film pattern serving as a transfer pattern with respect to the transfer member is formed it is a mask.
(構成9)構成8に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 (Configuration 9) is a manufacturing method of a semiconductor device and forming a fine pattern on a semiconductor substrate by lithography using a reflective mask according to Structure 8.

請求項1の発明によれば、吸収体膜として、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料を用いたので、従来のTaBNなどのTa系材料よりも加工特性が良好であるため、パターニング形成によるパターンの形状精度や断面形状の良好な吸収体膜パターンを形成することができる。 According to the present invention, as an absorber film, tantalum (Ta) as the main component, since further a material containing at least one of the elements hafnium (Hf) or zirconium (Zr), conventional for processing properties than Ta-based material such as TaBN is good, it is possible to form a good absorber film pattern shape accuracy and the sectional shape of the pattern by patterning.
請求項2の発明によれば、前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、請求項1の発明における効果に加えて、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜との密着性、等をより向上することができる。 According to the invention of claim 2, wherein the absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) by, in addition to the effects of the invention of claim 1, amorphous of the absorber film, surface smoothness, film stress, or adhesion between the multilayer reflective film, or the like can be further improved.

請求項3の発明によれば、多層反射膜と吸収体膜との間に設けたバッファー層として、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料を用いたので、バッファー層を吸収体膜パターンにしたがってパターニング形成する場合の加工特性が良好である。 According to the invention of claim 3, as a buffer layer disposed between the multilayer reflective film and the absorber film, tantalum (Ta) as the main component, further at least one of hafnium (Hf) or zirconium (Zr) on the other hand since a material containing elements, processing characteristics in the case of patterning the buffer layer according to the absorber film pattern is good. また、上記バッファー層を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができ、さらに、上記バッファー層は、高い平滑性が得られ、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られるので、形状精度の良好なパターンが得られる。 Further, by providing the buffer layer, when the patterning of the absorber film, and it is possible to prevent the damage of the multilayer reflective film by etching for pattern modification, further, the buffer layer, high smoothness can be obtained , since high smoothness absorber film surface formed on the obtained that a good pattern shape accuracy.
請求項4の発明によれば、前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、請求項3の発明における効果に加えて、上記バッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、等をより向上することができる。 According to the invention of claim 4, wherein the buffer layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in which at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) it, in addition to the effects of the invention of claim 3, amorphous of the buffer layer, the surface smoothness, adhesion to the film stress, or the multilayer reflective film and the absorber film, or the like can be further improved.

請求項5の発明によれば、請求項1乃至4の何れかの発明における効果に加えて、多層反射膜とバッファー層との間に、ルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されていることにより、吸収体膜パターンに従ってバッファー層をパターン形成する時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 According to the invention of claim 5, in addition to the effects of any one of the claims 1 to 4, between the multilayer reflective film and the buffer layer, a ruthenium (Ru) or a protective film made of the compound is formed by that, it is possible to prevent the damage of the multilayer reflective film by etching at the time of patterning the buffer layer according to the absorber film pattern.

請求項6の発明によれば、吸収体膜として、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料を用いたので、従来のTaBNなどのTa系材料よりも加工特性が良好であるため、パターニング形成によるパターンの形状精度や断面形状の良好な吸収体膜パターンを形成することができる。 According to the invention of claim 6, as an absorber film, tantalum (Ta) as the main component, since further a material containing at least one of the elements hafnium (Hf) or zirconium (Zr), conventional for processing properties than Ta-based material such as TaBN is good, it is possible to form a good absorber film pattern shape accuracy and the sectional shape of the pattern by patterning. さらに、多層反射膜と吸収体膜との間に、ルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されているため、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 Furthermore, between the multilayer reflective film and the absorber film, since ruthenium (Ru) or a protective film made of the compound is formed during patterning of the absorber film, and the multilayer reflective film by etching for pattern modification it is possible to prevent the damage.
請求項7の発明によれば、前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、請求項6の発明における効果に加えて、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜との密着性、等をより向上することができる。 According to the invention of claim 7, wherein the absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) by, in addition to the effects of the invention of claim 6, amorphous of the absorber film, surface smoothness, film stress, or adhesion between the multilayer reflective film, or the like can be further improved.

請求項8の発明によれば、本発明の反射型マスクブランクスを用いて得られる反射型マスクは、パターンの形状精度や断面形状の良好な吸収体膜パターンが形成されているので、転写精度の良好なパターン転写を実現することができる。 According to the invention of claim 8, the reflective mask obtained by using the reflective mask blank of the present invention, since a good absorber film pattern shape accuracy and the sectional shape of the pattern is formed, the transfer precision it is possible to realize good pattern transfer.
請求項9の発明によれば、本発明の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により、半導体基板上に高精度な微細パターンを形成した半導体装置が得られる。 According to the invention of claim 9, by a lithography technique using a reflective mask of the present invention, a semiconductor device is obtained to form a highly precise fine pattern on a semiconductor substrate.

以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。 It will be described in detail below by the embodiments of the present invention.
(実施の形態1) (Embodiment 1)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態1は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えている。 Embodiment 1 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, between the multilayer reflective film and the absorber film, the absorber film and the etching characteristics and a different buffer layer.
本実施の形態において、前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料(以下、「本発明のタンタル系材料」と呼ぶ。)からなる。 In this embodiment, the absorber film, tantalum (Ta) as the main component, further hafnium (Hf) or a material containing at least one of the elements of zirconium (Zr) (hereinafter, "tantalum present invention consisting referred to as a system material ".).
本発明のタンタル系材料は、露光光である例えばEUV光に対する高い吸収係数を持ち、しかも従来のTaBNなどのTa系材料よりも加工特性が良好であるため、パターニング形成によるパターンの形状精度や断面形状の良好な吸収体膜パターンを形成することができる。 Tantalum-based material of the present invention has a high absorption coefficient for the exposure light for example EUV light, and since the processing properties than Ta-based material, such as a conventional TaBN is good, the shape accuracy and the cross section of the pattern by patterning it is possible to form a good absorber film pattern shape.

本発明のタンタル系材料の具体例としては、例えば、TaHf、TaZr、TaHfN、TaZrN等の材料が挙げられる。 Specific examples of the tantalum-based material of the present invention, for example, TaHf, TaZr, TaHfN, include materials such as TaZrN is. とくに、Hfは13.5nmでの吸収係数が大きいため、TaとHfとを含有する材料は本発明に好適である。 In particular, Hf due to the large absorption coefficient at 13.5 nm, the material containing the Ta and Hf is suitable for the present invention.

本発明のタンタル系材料は、Taを主成分とするため、その含有量は50原子%以上とする。 Tantalum-based material according to the present invention, composed mainly of Ta, the content is 50 atomic% or more.
また、本発明のタンタル系材料は、上記で例示したようなTaを主成分とし、Hf、Zrの何れかから選ばれる元素を含有する材料には限定されず、たとえばTaを主成分とし、Hf、Zrの両方の元素を含有する材料であってもよい。 Further, a tantalum-based material of the present invention is mainly composed of Ta as exemplified above, and Hf, not limited to materials containing an element selected from any one of Zr, for example, mainly composed of Ta, Hf it may be a material containing an element of both Zr.

また、本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜は、さらにB、N、O、C、Siから選ばれる少なくとも1種の元素を含有していてもよい。 Further, the absorber layer made of a tantalum-based material of the present invention, furthermore B, N, O, C, may contain at least one element selected from Si. これにより、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜等との密着性、等をより向上することができる。 Thus, amorphous of the absorber film, surface smoothness, adhesion to the film stress, or the multilayer reflection film or the like, and the like can be further improved. 例えば、NやSi等の元素を含むことでアモルファス性を高めて、吸収体膜のパターン形状をより良好にすることができる。 For example, it is possible to increase the amorphous nature by containing an element such as N or Si, the pattern shape of the absorber film better. また、Bを加えることにより、吸収体膜のアモルファス性、表面平滑性をより向上することができる。 Further, by adding B, it is possible to further improve the amorphous property of the absorber film, the surface smoothness. また、Nを加えることにより、吸収体膜の膜応力を低減し、また下層の例えば多層反射膜との密着性が良好となる。 Further, by adding N, to reduce the film stress of the absorber film, also adhesion to the underlying example multilayer reflection film is improved. また、Oを加えることにより、酸化に対する耐性が向上し、経時的な安定性が向上する。 Further, by the addition of O, improved resistance to oxidation, stability over time is improved. また、Cを加えることにより、耐薬品性が向上する。 Also, by adding C, and improved chemical resistance.

このような本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜は、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。 Absorber film of tantalum based materials of the present invention as described above, preferably formed by a sputtering method such as magnetron sputtering. スパッタ法で形成した場合には、スパッタターゲットに投入するパワーや投入ガス圧力を変化させることにより内部応力を制御できる。 In the case of forming by sputtering, it can control the internal stress by changing the power or input gas pressure to be introduced into the sputter target. また、室温程度の低温での形成が可能であるので、多層反射膜等への熱の影響を少なくすることができる。 Further, since it is possible to form at a low temperature of about room temperature, it is possible to reduce the influence of heat upon the multilayer reflective film or the like.
本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜の膜厚は、特に制約されないが、例えば30〜100nmの範囲とすることが適当である。 The film thickness of the absorber film of tantalum based materials of the present invention is not particularly limited, for example, it is suitably in the range of 30 to 100 nm.
本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜は、必ずしも全体が均一な組成でなくてもよく、例えば膜厚方向で組成が異なるように組成傾斜させてもよい。 Absorber film of tantalum based materials of the present invention may not necessarily entirely uniform composition, for example, may be a composition in the film thickness direction is graded composition differently. 組成傾斜させる場合、含有する元素の組成が連続的に異なるようにしてもよいし、或いは組成が段階的に異なるようにしてもよい。 Case of composition gradient, to the composition of the elements contained may be continuously or different, or composition may be different in steps.
本発明のタンタル系材料で形成された吸収体膜は、エッチングガスとして例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングによりパターニングすることができる。 Absorber film formed of a tantalum-based material of the present invention can be patterned by dry etching using as an etching gas such as chlorine gas.

また、本実施の形態における前記基板としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、0±1.0×10 −7 /℃の範囲内、より好ましくは0±0.3×10 −7 /℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。 Further, as the substrate in the present embodiment, in order to prevent distortion of the pattern due to heat during exposure, 0 ± 1.0 × 10 -7 / ℃ , more preferably within the range of 0 ± 0.3 × 10 preferably it has a low thermal expansion coefficient in a range of -7 / ° C.. この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、アモルファスガラス、セラミック、金属の何れでも使用できる。 As a material having a low thermal expansion coefficient in this range, amorphous glass, ceramic, any metal can be used. 例えばアモルファスガラスであれば、SiO −TiO 系ガラス、石英ガラス、結晶化ガラスであれば、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等を用いることが出来る。 For example, if an amorphous glass, SiO 2 -TiO 2 type glass, quartz glass, if the crystallized glass can be used crystallized glass precipitated with β-quartz solid solution. 金属基板の例としては、インバー合金(Fe−Ni系合金)などが挙げられる。 Examples of the metal substrate, an Invar alloy (Fe-Ni based alloy) and the like. また、単結晶シリコン基板を使用することもできる。 It is also possible to use a single crystal silicon substrate.
また、基板は、高反射率及び高転写精度を得るために、高い平滑性と平坦度を備えた基板が好ましい。 The substrate, in order to obtain a high reflectivity and high transfer accuracy, the substrate having a high smoothness and flatness is preferable. 特に、0.2nmRms以下の平滑な表面(10μm角エリアでの平滑性)と、100nm以下の平坦度(142mm角エリアでの平坦度)を有することが好ましい。 In particular, the 0.2nmRms following smooth surface (10 [mu] m square smoothness in the area), it is preferred to have 100nm or less flatness (the flatness at 142mm square area). また、基板は、その上に形成される膜の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。 The substrate, in order to prevent deformation due to film stress of a film formed thereon, which has a high rigidity is preferred. 特に、65GPa以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。 Particularly preferably it has a high Young's modulus of more than 65 GPa.
なお、平滑性を示す単位Rmsは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。 The unit Rms showing the smoothness is the root mean square roughness and can be measured by an atomic force microscope. また平坦度は、TIR(Total Indicated Reading)で示される表面の反り(変形量)を表す値で、基板表面を基準として最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。 The flatness is a value representing the TIR surface warp represented by (Total Indicated Reading) (amount of deformation), the focal plane of the plane defined by the method of least squares substrate surface as a reference, is above the focal plane and the highest position of the substrate surface is the absolute value of the difference in height between the lowest position of the substrate surface which is below the focal plane.

また、基板上に形成される多層反射膜は、前述したように、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に40〜60周期程度積層された多層膜が用いられる。 Further, a multilayer reflective film formed on the substrate, as described above, a multilayer film having different element refractive index are periodically laminated, in general, a thin film of a heavy element or its compound, light elements or multilayer film and the thin film of the compound are stacked about 40 to 60 cycles alternately used.
例えば、波長13〜14nmのEUV光に対する多層反射膜としては、前述のMo膜とSi膜を交互に40〜60周期程度積層したMo/Si周期積層膜が好ましく用いられる。 For example, as a multilayer reflective film for EUV light of wavelength 13 to 14 nm, Mo / Si periodic laminate film obtained by laminating 40 to 60 cycles alternately Mo film and the Si film described above is preferably used. その他に、EUV光の領域で使用される多層反射膜として、Ru/Si周期多層膜、Mo/Be周期多層膜、Mo化合物/Si化合物周期多層膜、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などがある。 Other examples of the multilayer reflective film used in the region of EUV light, Ru / Si periodic multilayer film, Mo / Be periodic multilayer film, Mo compound / Si compound periodic multilayer film, Si / Nb periodic multilayer film, Si / Mo / Ru periodic multilayer film, Si / Mo / Ru / Mo periodic multilayer film, there is a Si / Ru / Mo / Ru periodic multilayer film. 要は、露光波長により、材質を適宜選択すればよい。 In short, the exposure wavelength, may be appropriately selected material.
多層反射膜は、DCマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。 Multilayer reflection film, and DC magnetron sputtering method, or an ion beam sputtering method, can be formed by depositing each layer. 上述したMo/Si周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタ法により、まずSiターゲットを用いて厚さ数nm程度のSi膜を成膜し、その後Moターゲットを用いて厚さ数nm程度のMo膜を成膜し、これを一周期として、40〜60周期積層した後、最後に、酸化防止のための保護膜(キャッピング層とも呼んでいる)として、厚さ数nm程度のSi膜を最上層に設けることが行われている。 If the above-described Mo / Si periodic multilayer film, for example, ion by beam sputtering method, first Si target to deposit a Si film of about several nm thickness using a subsequent Mo of about several nm thickness using a target Mo film is formed, this as one cycle, after 40-60 cycles laminated, finally, as a protective film for preventing oxidation (is also called capping layer), a Si film of about several thicknesses nm top be provided in the upper layer have been made.

なお、本実施の形態の上記反射型マスクブランクスは、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。 Incidentally, the reflective mask blank in this embodiment, may be in a state where the resist film is formed for forming a predetermined transfer pattern in the absorber film.
上記反射型マスクブランクスを使用して得られる反射型マスクの態様としては、基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有するバッファー層と吸収体膜のパターンが形成された反射型マスクが挙げられる。 Reflected as an embodiment of a reflective mask obtained by using the above reflective mask blank, which on a multilayer reflective film formed on a substrate, the pattern of the buffer layer and the absorber layer having a predetermined transfer pattern is formed type mask, and the like.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態2は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えている。 Embodiment 2 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, between the multilayer reflective film and the absorber film, the absorber film and the etching characteristics and a different buffer layer. そして、本実施の形態では、該バッファー層を本発明のタンタル系材料で形成している。 In the present embodiment, to form the buffer layer of a tantalum-based material of the present invention.

本実施の形態では、本発明のタンタル系材料で形成したバッファー層を備えることにより、バッファー層を吸収体膜パターンにしたがってパターニング形成する場合の加工特性が良好である。 In this embodiment, by providing the buffer layer formed of a tantalum-based material of the present invention, processing characteristics in the case of patterning the buffer layer according to the absorber film pattern is good. また、上記バッファー層もEUV光の良好な吸収性能を有するため、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体でEUV光の吸収体膜として機能させることができ、吸収体膜とバッファー層を合わせた全体の膜厚をより薄い膜厚とすることができ、本実施の形態の反射型マスクブランクスから製造される反射型マスクを用いたパターン転写時に、ターンぼけの発生を防止して、高コントラストでパターン転写を行なえる。 Further, since the buffer layer also has good absorption performance of the EUV light, the whole of the combined absorber film and the buffer layer can function as an absorber film of the EUV light, the combined absorber film and the buffer layer can the thickness of the whole with thinner film thickness, during pattern transfer using a reflective mask to be produced from the reflective mask blank in this embodiment, to prevent the occurrence of turn blur, high contrast perform the pattern transfer. また、上記バッファー層を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージが防止され、さらに、上記バッファー層は、高い平滑性が得られ、その上に形成される吸収体膜表面も高い平滑性が得られるので、形状精度の良好なパターンが得られる。 Further, by providing the buffer layer, when the patterning of the absorber film, and by etching for pattern correction damage of the multilayer reflective film is prevented, further, the buffer layer, high smoothness can be obtained, on which since the absorber film surface formed is high smoothness can be obtained, good pattern shape accuracy.

本実施の形態の反射型マスクブランクスにおける上記バッファー層を形成する本発明のタンタル系材料や、基板、多層反射膜などについては、前述の実施の形態1と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。 Tantalum-based materials and the present invention for forming the buffer layer in the reflective mask blank in this embodiment, the substrate for such a multilayer reflective film is similar to that of the first embodiment, wherein the redundant description omitted.
なお、本発明のタンタル系材料からなるバッファー層は、さらにB、N、O、C、Siから選ばれる少なくとも1種の元素を含有することにより、バッファー層のアモルファス性、表面平滑性、膜応力、或いは多層反射膜や吸収体膜との密着性、等をより向上することができる。 Incidentally, the buffer layer made of a tantalum-based material of the present invention, furthermore B, N, O, C, by containing at least one element selected from Si, amorphous buffer layer, surface smoothness, film stress or adhesion between the multilayer reflective film and the absorber film, or the like can be further improved.
また、本発明のタンタル系材料からなるバッファー層は、実施の形態1のように吸収体膜として用いた場合と同様、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。 Further, a buffer layer made of a tantalum-based material of the present invention, similarly to the case of using as the absorber film as in the first embodiment, preferably formed by a sputtering method such as magnetron sputtering.
本発明のタンタル系材料からなるバッファー層の膜厚は、特に制約されないが、例えば30〜100nmの範囲とすることが適当である。 The film thickness of the buffer layer made of a tantalum-based material of the present invention is not particularly limited, for example, it is suitably in the range of 30 to 100 nm.

また、本実施の形態では、上記吸収体膜は、本発明のタンタル系材料とエッチング特性が異なる、例えば、クロムを主成分とするクロム系材料で形成されることが好ましい。 Further, in this embodiment, the absorber film is a tantalum based material and the etching characteristics of the present invention are different, for example, it is preferably formed of a chromium base material composed mainly of chromium. この場合のクロム系材料としては、例えばCrN、CrAg、CrNO等を用いることができる。 The chromium-based material in this case can for example CrN, Crag, be used CrNO like.

実施の形態1と同様、本実施の形態の反射型マスクブランクスは、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。 As in the first embodiment, the reflective mask blank in this embodiment, may be in a state where the resist film is formed for forming a predetermined transfer pattern in the absorber film.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態3は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えるとともに、前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されている。 Embodiment 3 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, between the multilayer reflective film and the absorber film, together with the absorber film and the etching characteristics with different buffer layer, between the multilayer reflective film and the buffer layer, the protective film made of the multilayer reflective film of ruthenium for protecting (Ru) or a compound is formed. そして、前記吸収体膜あるいはバッファー層は、実施の形態1と同様、本発明のタンタル系材料で形成されている。 Then, the absorber layer or the buffer layer, as in the first embodiment, is formed of a tantalum-based material of the present invention.
本実施の形態においては、前述の実施の形態1あるいは実施の形態2における多層反射膜とバッファー層との間に、ルテニウム単体又はその化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜パターンに従ってバッファー層をパターン形成する時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 In the present embodiment, the buffer between the multilayer reflective film and the buffer layer in the first or second embodiment described above, by providing a protective film made of ruthenium alone or a compound thereof, according to the absorber film pattern it is possible to prevent the damage of the multilayer reflective film by etching at the time of patterning the layer.

保護膜を形成するルテニウム化合物としては、Ruを含有する化合物であれば特に限定されないが、たとえば、Ruと、Mo、Nb、Zr、Y、B、Ti、Laから選ばれる少なくとも1種とを含有するルテニウム化合物が好ましく挙げられる。 The ruthenium compound which forms a protective film is not particularly limited as long as it is a compound containing Ru, for example, containing the the Ru, Mo, Nb, Zr, Y, B, Ti, and at least one selected from La ruthenium compounds which may preferably be mentioned. 具体的には、Mo 63 Ru 37 、NbRu、ZrRu、Ru Y、RuB、TiRu、LaRu 等が例示される。 Specifically, Mo 63 Ru 37, NbRu, ZrRu, Ru 2 Y, RuB, TiRu, LaRu 2 and the like. また、ルテニウムからなる保護膜は、実質的にルテニウムからなるもの、例えばルテニウム中に微量に不純物が含まれているものも含むものとする。 The protective film made of ruthenium, substantially made of ruthenium, is also included those that contain impurities in minor amounts, for example, in ruthenium.
上記ルテニウム化合物のRu含有量は、上記効果を引き出すためには10〜95原子%とすることが好ましい。 Ru content of the ruthenium compound in order to bring out the above effect is preferable to be 10 to 95 atomic%.
また、上記保護膜の膜厚は、0.5〜5nmの範囲で選定することが好ましい。 The thickness of the protective film is preferably selected in the range of 0.5 to 5 nm. さらに好ましくは、多層反射膜上で反射される光の反射率が最大となる膜厚にすることが望ましい。 More preferably, it is desirable that the film thickness at which the reflectance of light reflected on the multilayer reflective film is maximized.

上記保護膜は、基板上に前記多層反射膜を形成後、その上にDCマグネトロンスパッタ法やイオンビームスパッタ法などにより形成すればよい。 The protective film is, after forming the multilayer reflective film on the substrate, may be formed by a DC magnetron sputtering method or an ion beam sputtering thereon. たとえば多層反射膜がMo/Si周期多層膜である場合、その最上層(キャッピング層)であるSi膜の上にルテニウム又はルテニウム化合物からなる保護膜が形成される。 For example, when the multilayer reflective film is a Mo / Si periodic multilayer film, a protective film made of ruthenium or ruthenium compound on the Si film that is the uppermost layer (capping layer) is formed.
本実施の形態の反射型マスクブランクスにおける基板、多層反射膜、本発明のタンタル系材料からなる吸収体膜あるいはバッファー層などについては、前述の実施の形態1、実施の形態2と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。 Substrate in the reflective mask blank in this embodiment, the multilayer reflective film, for such absorber film or a buffer layer made of a tantalum-based material of the present invention, the above-described first embodiment are the same as the second embodiment , duplicate description is omitted here.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
本発明に係る反射型マスクブランクスの実施の形態4は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜を備え、前記吸収体膜は、本発明のタンタル系材料で形成している。 Embodiment 4 of the reflective mask blank according to the present invention absorbs a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, the exposure light formed on the multilayer reflective film absorption and a body layer, wherein between the multilayer reflective film and the absorber film, comprising a ruthenium (Ru) or a protective film made of the compounds for protecting multilayer reflective film, the absorber film, It is formed of a tantalum-based material of the present invention.
本実施の形態では、多層反射膜と吸収体膜との間に、ルテニウム単体又はその化合物からなる保護膜を備えることにより、吸収体膜のパターン形成時、及びパターン修正時のエッチングによる多層反射膜のダメージを防止することができる。 In this embodiment, between the multilayer reflective film and the absorber film, ruthenium alone or by providing a protective film made of the compound, upon patterning of the absorber film, and the multilayer reflective film by etching for pattern modification it is possible to prevent the damage. 保護膜を形成するルテニウム又はルテニウム化合物については、前述の実施の形態3の場合と同様である。 The ruthenium or ruthenium compound to form a protective film, the same as in the third embodiment described above. また、上記ルテニウム化合物のRu含有量、保護膜の膜厚、保護膜の形成方法などについても、前述の実施の形態3の場合と同様である。 Also, Ru content of the ruthenium compound, the thickness of the protective film, for such method of forming the protective film, the same as in the third embodiment described above.

本実施の形態の反射型マスクブランクスにおける吸収体膜を形成する本発明のタンタル系材料や、基板、多層反射膜などについては、前述の実施の形態1と同様であるので、ここでは重複説明は省略する。 Tantalum-based materials and the present invention for forming an absorber film of the reflective mask blank of this embodiment, the substrate for such a multilayer reflective film is similar to that of the first embodiment, wherein the redundant description omitted.
なお、本実施の形態の上記反射型マスクブランクスにおいても、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。 Also in the reflective mask blank in this embodiment, it may be in a state where the resist film is formed for forming a predetermined transfer pattern in the absorber film.
上記反射型マスクブランクスを使用して得られる反射型マスクの態様としては、基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスクが挙げられる。 As a mode of a reflective mask obtained by using the above reflective mask blank, on the multilayer reflection film formed on a substrate, include reflective mask absorber film pattern is formed having a predetermined transfer pattern It is.

次に、本発明の反射型マスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を説明する。 Next, a process of manufacturing a reflective mask using the reflective mask blank in this invention.
図1は本発明の反射型マスクブランクスの一実施の形態及びこのマスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を示す概略断面図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view showing a step of manufacturing a reflective mask using the form and the mask blank of an embodiment of the reflective mask blank in this invention.
図1に示す反射型マスクブランクスの一実施の形態としては、前述の実施の形態3の場合を例として挙げる。 An embodiment of the reflective mask blank shown in FIG. 1, given as an example the case of the third embodiment described above. 図1(a)に示すように、反射型マスクブランクス10は、基板1上に多層反射膜2が形成され、その上に保護膜6を設け、更にその上に、バッファー層3及び吸収体膜4の各層が形成された構造をしている。 As shown in FIG. 1 (a), the reflective mask blank 10 is formed a multilayer reflective film 2 on the substrate 1, the protective film 6 thereon is provided, further thereon, a buffer layer 3 and the absorber film 4 of each layer is a formed structure.

反射型マスクブランクス10(図1(a)参照)の各層の材料及び形成方法については上述した通りである。 Are as described above for each layer of the material and the formation method of the reflective mask blank 10 (see Figure 1 (a)).
そして、この反射型マスクブランクス10の吸収体膜4に所定の転写パターンを形成する。 Then, a predetermined transfer pattern in the absorber film 4 of the reflective mask blank 10. まず、吸収体膜4上に電子線用レジストを塗布し、ベーキングを行う。 First, by applying a resist for electron beam on the absorber film 4, performing the baking. 次に、電子線描画機を用いて描画し、これを現像して、所定のレジストパターン5aを形成する。 Then drawn using an electron beam writing apparatus, and developed, to form a prescribed resist pattern 5a.

形成されたレジストパターン5aをマスクとして、吸収体膜4をドライエッチングして、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターン4aを形成する(同図(b)参照)。 The formed resist pattern 5a as a mask, the absorber film 4 is dry-etched to form an absorber film pattern 4a having a predetermined transfer pattern (see FIG. (B)). 吸収体膜4が本発明のタンタル系材料からなる場合、塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることが出来る。 If the absorber film 4 is made of a tantalum-based material of the present invention, it can be used dry etching using a chlorine gas.
なお、熱濃硫酸を用いて、吸収体膜パターン4a上に残ったレジストパターン5aを除去して、マスク11(同図(c)参照)を作製する。 Incidentally, by using a hot concentrated sulfuric acid, to remove the remaining resist pattern 5a on the absorber film pattern 4a, producing the mask 11 (see FIG. (C)).

通常はここで、吸収体膜パターン4aが設計通りに形成されているかどうかの検査を行う。 Usually here, it inspects whether the absorber film pattern 4a is formed as designed. 吸収体膜パターン4aの検査には、例えば波長190nm〜260nm程度のDUV(Deep UV:深紫外)光が用いられ、この検査光が吸収体膜パターン4aが形成されたマスク11上に入射される。 The inspection of the absorber film pattern 4a, for example, a wavelength 190nm~260nm about DUV (Deep UV: deep ultraviolet) light is used, the inspection light is incident on the mask 11 where the absorber film pattern 4a is formed . ここでは、吸収体膜パターン4a上で反射される検査光と、吸収体膜4が除去されて露出したバッファー層3で反射される検査光とを検出し、そのコントラストを観察することによって、検査を行う。 Here, the inspection light reflected on the absorber film pattern 4a, by detecting the inspection light, observing the contrast absorber film 4 is reflected by the buffer layer 3 which is exposed by removing the inspection I do.
このようにして、例えば、除去されるべきでない吸収体膜が除去されたピンホール欠陥(白欠陥)や、エッチング不足により一部が除去されずに残っているエッチング不足欠陥(黒欠陥)を検出する。 Thus, for example, a pinhole defect (white defect) where the absorber film is removed not to be removed and, detecting the underetching defect part remains without being removed (black defect) by insufficient etching to. このようなピンホール欠陥や、エッチング不足による欠陥が検出された場合には、これを修正する。 Such pinhole defects or such, if defects due to insufficient etching is detected, to fix this. エッチング不足による欠陥の修正には、例えば、集束イオンビーム(Focussed Ion Beam:FIB)照射による不要部分の除去を行うなどの方法がある。 The correction of defects due to insufficient etching, for example, focused ion beam (Focussed Ion Beam: FIB) a method such as to remove the unnecessary portions by irradiation. また、ピンホール欠陥の修正には、FIBアシストデポジション法により炭素膜等をピンホールに堆積させるなどの方法がある。 Further, the correction of pinhole defects, a method such as depositing a carbon film such as a pinhole by FIB assisted deposition. また、このとき、バッファー層3は、FIB照射に対して、多層反射膜2を保護する保護膜となる。 At this time, the buffer layer 3, to the FIB irradiation, the protective film for protecting the multilayer reflective film 2.

こうして、パターン検査及び修正が終えた後、露出したバッファー層3を吸収体膜パターン4aに従って除去し、バッファー層にパターン3aを形成して、反射型マスク20を作製する(同図(d)参照)。 Thus, after completing the pattern inspection and correction, the buffer layer 3 which is exposed is removed according to the absorber film pattern 4a, to form a pattern 3a on the buffer layer to produce a reflective mask 20 (FIG see (d) ). ここで、クロム系材料からなるバッファー層の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることができる。 Here, in the case of the buffer layer made of a chromium-based material, it can be dry etching in a mixed gas containing chlorine and oxygen. バッファー層を除去した部分では、露光光の反射領域である多層反射膜2が露出する。 The removed portion of the buffer layer, the multilayer reflective film 2 is exposed is the reflection area of ​​the exposure light. 露出した多層反射膜2上には例えばルテニウム化合物によりなる保護膜6が形成されている。 Exposed on the multilayer reflective film 2 is formed a protective film 6 made by, for example ruthenium compound. このとき、保護膜6は、バッファー層3のドライエッチングに対して多層反射膜2を保護する。 At this time, the protective film 6 protects the multilayer reflective film 2 to dry etching of the buffer layer 3.

最後に、仕様通りの寸法精度で吸収体膜パターン4aが形成されているかどうかの最終的な確認の検査を行う。 Finally, whether the inspection of the final confirmation absorber film pattern 4a in dimensional accuracy of the specifications are formed. この最終確認検査の場合も、前述のDUV光が用いられる。 In the case of this final confirmation test, the above-mentioned DUV light is used.
また、本発明により製造される反射型マスクは、EUV 光(波長0.2〜100nm程度)を露光光として用いた場合に特に好適であるが、他の波長の光に対しても適宜用いることができる。 The reflection type mask to be produced by the present invention is particularly suitable in the case of using EUV light (wavelength of about 0.2 to 100 nm) as the exposure light, it may be used as appropriate with respect to light of other wavelengths can.

以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。 The following examples further illustrate the embodiments of the present invention.
以下の実施例においてコントラストとは、例えばEUV光を露光光とする反射型マスクのコントラスト(マスクコントラスト)、すなわち、 Contrast is in the following examples, for example, of the reflective mask for the EUV light as the exposure light contrast (mask contrast), i.e.,
コントラスト=反射率比(多層反射膜からの反射率/吸収体膜からの反射率) Contrast = reflectance ratio (reflectance from the reflectance / absorber film from the multilayer reflective film)
で定義される値を意味するものとする。 In is intended to mean a defined values.
以下に示す実施例1は、前述の実施の形態1に係る実施例である。 Examples below 1 is an example according to the aforementioned first embodiment.

(実施例1) (Example 1)
使用する基板は、SiO 2 -TiO 2系のガラス基板(6インチ角、厚さが6.3mm)である。 Substrate used is a glass substrate of SiO 2 -TiO 2 system is a (6 inch square and a thickness of 6.3 mm). この基板の熱膨張係数は0.2×10 −7 /℃、ヤング率は67GPaである。 Thermal expansion coefficient of the substrate is 0.2 × 10 -7 / ℃, a Young's modulus of 67 GPa. そして、このガラス基板は機械研磨により、0.2nmRms以下の平滑な表面と、100nm以下の平坦度に形成した。 Then, this glass substrate is mechanically polished, and less smooth surface 0.2 nmRms, was formed in the following flatness 100 nm.
基板上に形成される多層反射膜は、13〜14nmの露光光波長帯域に適した多層反射膜とするために、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を採用した。 Multilayer reflective film formed on the substrate, to a multilayer reflective film suitable for an exposure light wavelength band of 13 to 14 nm, was employed Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、多層反射膜は、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。 That is, the multilayer reflective film, using a Mo target and Si target was formed by alternately laminating on a substrate by ion beam sputtering. Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、最後にキャッピング層としてSi膜を11nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 Si film 4.2 nm, Mo film 2.8 nm, as one cycle of this, after 40 cycles stacked to obtain a multilayer reflective film coated substrate to 11nm deposited Si film as finally capping layer. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.8%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.8%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.

次に、この多層反射膜上に、バッファー層としてCrN膜を25nmの厚さに成膜した。 Then, the multilayer reflective film was formed CrN film having a thickness of 25nm as a buffer layer. 即ち、Crターゲットを用いて、アルゴンに窒素ガスを10%添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。 That is, using a Cr target, argon-nitrogen gas to the added 10% was deposited by DC magnetron sputtering.
次に、このバッファー層上に、吸収体膜として、TaHfターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、TaHf膜を50nmの厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例1−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Then, the buffer layer, as an absorber film, using a TaHf target by DC magnetron sputtering method, forming a TaHf film to a thickness of 50 nm, to obtain a reflective mask blank (Example 1 a first reflective mask blank.). なお、成膜したTaHf膜の組成比は、Taが80原子%、Hfが20原子%であった。 The composition ratio of the formed TaHf film, Ta is 80 atomic%, Hf was 20 atomic%.

次に、実施例1−1の反射型マスクブランクスにおける上記吸収体膜の材料をTaZr(Ta:80原子%、Zr:20原子%)とした以外は実施例1−1と同様にして、実施例1−2の反射型マスクブランクスを作製した。 Next, the material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 1-1 TaZr (Ta: 80 atomic%, Zr: 20 at%) except for using in the same manner as in Example 1-1, implementation the reflective mask blank of example 1-2 was produced.
次に、これら実施例1−1、1−2の反射型マスクブランクスを用いて、所定の転写パターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Examples 1-1 and 1-2 were prepared as follows reflective mask for EUV exposure having a predetermined transfer pattern. ここではデザインルールが70nmの16Gbit−DRAM用のパターンを有するEUVマスクを作製した。 In this design rule is to prepare a EUV mask having a pattern for a 16Gbit-DRAM of 70nm.

まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask to dry etch the absorber film with chlorine gas to form a transfer pattern in the absorber film.
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上(吸収体膜のパターンのない部分)に残存しているバッファー層を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。 Furthermore, using a mixed gas of chlorine and oxygen, the buffer layer remaining on the reflection region (portion with no pattern of the absorber film) is dry-etched to remove according to the pattern of the absorber film, the multilayer reflective film exposed, to obtain a reflective mask.
こうして、実施例1−1、1−2の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask of Example 1-1 and 1-2.

次に、得られた実施例1−1、1−2の反射型マスクを用いて、図2に示す半導体基板上へのEUV光によるパターン転写装置による露光転写を行った。 Next, using the reflective mask in Examples 1-1 and 1-2 obtained were subjected to exposure transfer by pattern transfer apparatus according to EUV light onto a semiconductor substrate shown in FIG.
反射型マスクを搭載したパターン転写装置50は、レーザープラズマX線源31、縮小光学系32等から概略構成される。 Pattern transfer apparatus 50 equipped with a reflective mask is a schematic constituted from the laser plasma X-ray source 31, a reduction optical system 32 and the like. 縮小光学系32は、X線反射ミラーを用いている。 Reduction optical system 32 uses a X-ray reflection mirror. 縮小光学系32により、反射型マスク20で反射されたパターンは通常1/4程度に縮小される。 The reduction optical system 32, the pattern reflected by the reflective mask 20 is reduced to usually about 1/4. 尚、露光波長として13〜14nmの波長帯を使用するので、光路が真空中になるように予め設定した。 Since the wavelength band of 13~14nm as the exposure wavelength, an optical path is set in advance so that the vacuum.
このような状態で、レーザープラズマX線源31から得られたEUV光を反射型マスク20に入射し、ここで反射された光を縮小光学系32を通してシリコンウエハ(レジスト層付き半導体基板)33上に転写した。 In this state, a laser plasma X-ray source 31 EUV light obtained from entering the reflective mask 20, wherein a silicon wafer (semiconductor substrate with the resist layer) through an optical reduction optical system 32 that is reflected by the 33 above It was transferred to.

反射型マスク20に入射した光は、吸収体パターン4a(図1参照)のある部分では、吸収体膜に吸収されて反射されず、一方、吸収体パターン4aのない部分に入射した光は多層反射膜により反射される。 The light incident on the reflective mask 20, in one portion where the absorber pattern 4a (see FIG. 1) is not reflected is absorbed by the absorber film, whereas light incident on the portion having no absorber pattern 4a multilayer It is reflected by the reflective film. このようにして、反射型マスク20から反射される光により形成される像が縮小光学系32に入射する。 In this way, an image formed by the light reflected from the reflective mask 20 is incident on the reduction optical system 32. 縮小光学系32を経由した露光光は、シリコンウエハ33上のレジスト層に転写パターンを露光する。 Exposure light that has passed through the reducing optical system 32 exposed a transfer pattern to the resist layer on the silicon wafer 33. そして、この露光済レジスト層を現像することによってシリコンウエハ33上にレジストパターンを形成した。 Then, a resist pattern was formed on the silicon wafer 33 by developing the exposed resist layer.
以上のようにして半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例1−1、1−2の反射型マスクの精度は何れも、70nmデザインルールの要求精度である16nm以下であることが確認でき、高いコントラストで転写精度の良好なパターン転写を実現することができることが確認できた。 Was carried out pattern transfer onto a semiconductor substrate as described above, both the accuracy of the reflective mask in Examples 1-1 and 1-2, it is 16nm or less is a required accuracy of 70nm design rule confirmation can, it was confirmed that it is possible to realize a good pattern transfer of the transfer accuracy with high contrast.

以下に示す実施例2は、前述の実施の形態3に係る実施例である。 Examples below 2 are examples according to the third embodiment described above.
(実施例2) (Example 2)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。 On the same glass substrate as in Example 1, using the Mo target and Si target, alternately stacked on the substrate by ion beam sputtering to form a Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、最後にキャッピング層としてSi膜を4nm成膜し、更にその上に保護膜としてRuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 That, 4.2 nm and Si films, 2.8 nm of Mo film, as one cycle of this, after 40-period stacking, the Si film is 4nm deposited as last capping layer, further RuNb target as a protective film thereon to obtain a multilayer reflective film coated substrate was 2.5nm deposited RuNb film used. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.2%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.2%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.

次に、この多層反射膜上に、バッファー層としてCrN膜を25nmの厚さに成膜した。 Then, the multilayer reflective film was formed CrN film having a thickness of 25nm as a buffer layer. 即ち、Crターゲットを用いて、アルゴンに窒素ガスを10%添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。 That is, using a Cr target, argon-nitrogen gas to the added 10% was deposited by DC magnetron sputtering.
次に、このバッファー層上に、吸収体膜として、TaHfターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、TaHf膜を50nmの厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例2−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Then, the buffer layer, as an absorber film, using a TaHf target by DC magnetron sputtering method, forming a TaHf film to a thickness of 50 nm, to obtain a reflective mask blank (Example 2- a first reflective mask blank.). なお、成膜したTaHf膜の組成比は、Taが80原子%、Hfが20原子%であった。 The composition ratio of the formed TaHf film, Ta is 80 atomic%, Hf was 20 atomic%.

次に、実施例2−1の反射型マスクブランクスにおける上記吸収体膜の材料をTaZr(Ta:80原子%、Zr:20原子%)とした以外は実施例2−1と同様にして、実施例2−2の反射型マスクブランクスを作製した。 Next, the material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 2-1 TaZr (Ta: 80 atomic%, Zr: 20 at%) except for using in the same manner as in Example 2-1, implementation the reflective mask blank of example 2-2 was produced.
次に、これら実施例2−1、2−2の反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様デザインルールが70nmの16Gbit−DRAM用のパターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Example 2-1, Example 1 and as follows reflective mask for EUV exposure with a pattern for 16 Gbit-DRAM similar design rule is 70nm It was prepared to.

まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask to dry etch the absorber film with chlorine gas to form a transfer pattern in the absorber film.
さらに、塩素と酸素の混合ガスを用いて、反射領域上(吸収体膜のパターンのない部分)に残存しているバッファー層を吸収体膜のパターンに従ってドライエッチングして除去し、多層反射膜を露出させ、反射型マスクを得た。 Furthermore, using a mixed gas of chlorine and oxygen, the buffer layer remaining on the reflection region (portion with no pattern of the absorber film) is dry-etched to remove according to the pattern of the absorber film, the multilayer reflective film exposed, to obtain a reflective mask. 露出した多層反射膜表面にはRuNb保護膜を有する。 The exposed multilayer reflective film surface has a RuNb protective film.
こうして、実施例2−1、2−2の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask of Example 2-1 and 2-2.

次に、得られた実施例2−1、2−2の反射型マスクを用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例2−1、2−2の反射型マスクの精度は何れも、70nmデザインルールの要求精度である16nm以下であることが確認でき、高いコントラストで転写精度の良好なパターン転写を実現することができることが確認できた。 Next, when using a reflective mask in Examples 2-1 and 2-2 obtained was subjected to pattern transfer onto a semiconductor substrate using the pattern transfer apparatus of FIG. 2 in the same manner as in Example 1, both the accuracy of the reflective mask in examples 2-1 and 2-2, confirmed that the 16nm or less is a required accuracy of 70nm design rule, possible to achieve a good pattern transfer of the transfer accuracy with high contrast it was confirmed that it is.

以下に示す実施例3は、前述の実施の形態4に係る実施例である。 Examples below 3 are examples according to the fourth embodiment described above.
(実施例3) (Example 3)
実施例1と同じガラス基板上に、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して、Mo膜/Si膜周期多層反射膜を形成した。 On the same glass substrate as in Example 1, using the Mo target and Si target, alternately stacked on the substrate by ion beam sputtering to form a Mo film / Si film periodic multilayer reflective film. 即ち、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm、これを一周期として、40周期積層した後、キャッピング層としてSi膜を4nm成膜し、更にその上に保護膜としてRuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜して多層反射膜付き基板を得た。 That, 4.2 nm and Si films, 2.8 nm of Mo film, as one cycle of this, after 40-period stacking, the Si film is 4nm deposited as a capping layer, using RuNb target as a protective film thereon to obtain a multilayer reflective film coated substrate RuNb film is 2.5nm deposition Te. この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は64.2%であった。 The contrast multilayer reflective film was measured for reflectance at an incident angle of 6.0 degrees EUV light of 13.5 nm, the reflectivity was 64.2%. また、この多層反射膜表面の表面粗さは0.13nmRmsであった。 The surface roughness of the multilayer reflective film surface was 0.13NmRms.

次に、この多層反射膜上に、吸収体膜として、TaHfターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、TaHf膜を50nmの厚さに成膜し、反射型マスクブランクスを得た(実施例3−1の反射型マスクブランクスとする。)。 Then, the multilayer reflective film, the absorber film, using a TaHf target by DC magnetron sputtering method, forming a TaHf film to a thickness of 50 nm, to obtain a reflective mask blank (Example 3 the reflective mask blank of -1.). なお、成膜したTaHf膜の組成比は、Taが80原子%、Hfが20原子%であった。 The composition ratio of the formed TaHf film, Ta is 80 atomic%, Hf was 20 atomic%.
次に、実施例3−1の反射型マスクブランクスにおける上記吸収体膜の材料をTaZr(Ta:80原子%、Zr:20原子%)とした以外は実施例3−1と同様にして、実施例3−2の反射型マスクブランクスを作製した。 Next, the material of the absorber film of the reflective mask blank of Example 3-1 TaZr (Ta: 80 atomic%, Zr: 20 at%) except for using in the same manner as in Example 3-1, implementation the reflective mask blank of example 3-2 was produced.

次に、これら実施例3−1、3−2の反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様デザインルールが70nmの16Gbit−DRAM用のパターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。 Next, using the reflective mask blank of Example 3-1, Example 1 and as follows reflective mask for EUV exposure with a pattern for 16 Gbit-DRAM similar design rule is 70nm It was prepared to.
まず、上記反射型マスクブランクス上に電子線描画用レジストを形成し、電子線描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。 First, to form the electron beam drawing resist onto the reflective mask blank to form a predetermined resist pattern by developing the electron beam lithography.
このレジストパターンをマスクとして、塩素ガスを用いて吸収体膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。 The resist pattern as a mask to dry etch the absorber film with chlorine gas to form a transfer pattern in the absorber film.
こうして、実施例3−1、3−2の反射型マスクを得た。 Thus, to obtain a reflective mask of Example 3-1 and 3-2.

次に、得られた実施例3−1、3−2の反射型マスクを用いて、実施例1と同様に図2のパターン転写装置を用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、実施例3−1、3−2の反射型マスクの精度は何れも、70nmデザインルールの要求精度である16nm以下であることが確認でき、高いコントラストで転写精度の良好なパターン転写を実現することができることが確認できた。 Next, when using a reflective mask of Example 3-1 and 3-2 obtained was subjected to pattern transfer onto a semiconductor substrate using the pattern transfer apparatus of FIG. 2 in the same manner as in Example 1, both the accuracy of the reflective mask in example 3-1 and 3-2, confirmed that the 16nm or less is a required accuracy of 70nm design rule, possible to achieve a good pattern transfer of the transfer accuracy with high contrast it was confirmed that it is.

反射型マスクブランクスの一実施の形態の構成及びこのマスクブランクスを用いて反射型マスクを製造する工程を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a reflective mask using the configuration and the mask blank of an embodiment of a reflective mask blank. 反射型マスクを搭載したパターン転写装置の概略構成を示す図である。 It is a diagram showing a schematic configuration of a pattern transfer apparatus equipped with a reflective mask.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板2 多層反射膜3 バッファー層4 吸収体膜5a レジストパターン6 保護膜10 反射型マスクブランクス20 反射型マスク50 パターン転写装置 1 substrate 2 multilayer reflective film 3 buffer layer 4 absorber film 5a resist pattern 6 the protective layer 10 reflective mask blank 20 reflective mask 50 pattern transfer apparatus

Claims (9)

  1. 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、さらに前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えた反射型マスクブランクスであって、 Comprising: a substrate, a multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate, and a absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film, further the absorption and the multilayer reflective film between the body layer, the absorber film and the etching characteristics is a reflective mask blank having a different buffer layer,
    前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。 The absorber film, tantalum (Ta) as the main component, further hafnium (Hf) or a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one of the elements of zirconium (Zr).
  2. 前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランクス。 The absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in claim 1, characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) reflective mask blank as claimed in.
  3. 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、 A substrate, a reflective mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate,
    前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えており、該バッファー層は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。 Between the absorber layer and the multilayer reflective film, the absorber film and the etching characteristics which are different buffer layer, the buffer layer, tantalum (Ta) as the main component, further hafnium (Hf) or reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one of the elements of zirconium (Zr).
  4. 前記バッファー層は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランクス。 The buffer layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in the claim 3, characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) reflective mask blank as claimed.
  5. 前記多層反射膜と前記バッファー層との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載の反射型マスクブランクス。 Between the multilayer reflective film and the buffer layer, any of claims 1 to 4, characterized in that the ruthenium (Ru) or a protective film made of the compounds for protecting multilayer reflection film is formed the reflective mask blank according to one or.
  6. 基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、 A substrate, a reflective mask blank having a multilayer reflective film, the absorber film for absorbing the exposure light formed on the multilayer reflective film for reflecting exposure light formed on the substrate,
    前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該多層反射膜を保護するためのルテニウム(Ru)又はその化合物からなる保護膜が形成されており、 Wherein between the multilayer reflective film and the absorber film, a ruthenium (Ru) or a protective film made of the compounds for protecting multilayer reflection film is formed,
    前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。 The absorber film, tantalum (Ta) as the main component, further hafnium (Hf) or a reflective mask blank, characterized in that it consists of a material containing at least one of the elements of zirconium (Zr).
  7. 前記吸収体膜は、さらにホウ素(B)、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、珪素(Si)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項6に記載の反射型マスクブランクス。 The absorber layer further boron (B), nitrogen (N), oxygen (O), in claim 6, characterized in that it contains at least one element selected from carbon (C), silicon (Si) reflective mask blank as claimed in.
  8. 請求項1乃至7の何れか一に記載の反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。 The absorber film of the reflective mask blank according to any one of claims 1 to 7, a reflective mask, wherein the absorber film pattern serving as a transfer pattern with respect to the transfer member is formed.
  9. 請求項8に記載の反射型マスクを使用したリソグラフィ技術により半導体基板上に微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Method of manufacturing a semiconductor device and forming a fine pattern on a semiconductor substrate by lithography using a reflective mask according to claim 8.
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