JP2007248694A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】異方導電性シール材を介して一対の基板を接合した場合に、ショート等に起因した画像ムラの発生が少ない電気光学装置、及びそのような電気光学装置を含む電子機器を提供する。
【解決手段】異方導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置及びそのような電気光学装置を含む電子機器において、第１の基板は第１の電気配線を備え、第２の基板は第２の電気配線を備え、異方導電性シール材は、電気絶縁性接着剤と、導電性粒子と、を含むとともに、当該導電性粒子の周囲に、不均一に導電部材が形成してあり、かつ、当該導電性粒子の圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、第１の電気配線と、第２の電気配線とを電気的接続させる。
【選択図】図１
【解決手段】異方導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置及びそのような電気光学装置を含む電子機器において、第１の基板は第１の電気配線を備え、第２の基板は第２の電気配線を備え、異方導電性シール材は、電気絶縁性接着剤と、導電性粒子と、を含むとともに、当該導電性粒子の周囲に、不均一に導電部材が形成してあり、かつ、当該導電性粒子の圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、第１の電気配線と、第２の電気配線とを電気的接続させる。
【選択図】図１
Description
本発明は、電気光学装置及び電気光学装置を含む電子機器に関する。特に、異方導電性シール材を介して一対の基板を接合した場合に、ショート等に起因した画像ムラの発生が少ない電気光学装置及びこのような電気光学装置を含む電子機器に関する。
従来、互いに対向配置される一対の基板の一方に形成した走査電極と、他方の基板に形成したデータ電極とを、ドットマトリクス状の複数の点で交差させることによって画素を形成し、それらの画素に印加する電圧を選択的に変化させることによって、当該画素に含まれる液晶物質を通過する光を変調させ、文字等の像を表示する液晶表示装置が多用されている。
かかる液晶表示装置は、通常、第１の電気配線（走査電極）及びそれにつらなる第１の電気配線を有する第１の基板と、第２の電気配線（データ電極）及びそれにつらなる第２の電気配線（外部接続用端子を含む）を有する第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の外周面に沿って配置されるとともに、第１の基板及び第２の基板を、周囲にて貼り合わせるためのシール材と、第１の基板及び第２の基板の間に封入された液晶材料と、から構成されている。
また、このような液晶表示装置に使用されるシール材としては、電気絶縁性接着剤中に、導電性粒子を含んで構成される異方導電性シール材が一般的である。そして、かかる異方導電性シール材によって、第１の基板上の電気配線と、第２の基板上の電気配線とが、接着固定されるとともに、電気的に接続されている。
しかしながら、異方導電性シール材中に含まれる導電性粒子は凝集しやすく、その凝集個数や、隣接する電気配線間の距離によっては、電気配線同士を電気的に接続してしまう場合があった。したがって、ショートが発生し、画像欠陥が見られる場合があった。
かかる液晶表示装置は、通常、第１の電気配線（走査電極）及びそれにつらなる第１の電気配線を有する第１の基板と、第２の電気配線（データ電極）及びそれにつらなる第２の電気配線（外部接続用端子を含む）を有する第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の外周面に沿って配置されるとともに、第１の基板及び第２の基板を、周囲にて貼り合わせるためのシール材と、第１の基板及び第２の基板の間に封入された液晶材料と、から構成されている。
また、このような液晶表示装置に使用されるシール材としては、電気絶縁性接着剤中に、導電性粒子を含んで構成される異方導電性シール材が一般的である。そして、かかる異方導電性シール材によって、第１の基板上の電気配線と、第２の基板上の電気配線とが、接着固定されるとともに、電気的に接続されている。
しかしながら、異方導電性シール材中に含まれる導電性粒子は凝集しやすく、その凝集個数や、隣接する電気配線間の距離によっては、電気配線同士を電気的に接続してしまう場合があった。したがって、ショートが発生し、画像欠陥が見られる場合があった。
そこで、このような問題を解決するために、異方導電性シール材とは異なるものの、表面に凹凸を有する導電性粒子を、電気絶縁性接着剤中に分散させて構成した異方性導電膜が提案されている。
より具体的には、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、電気絶縁性接着剤中に、深さが０．０５〜２μｍであって、凸部の表面密度が１０００〜５０００００個／ｍｍ2の表面凹凸を有する導電性粒子を所定量添加するとともに、当該導電性粒子の圧縮変形率を２０〜８０％の範囲内の値とした異方性導電膜が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、図１１に示すように、電気絶縁性接着剤中に、表面凹凸を有する導電性粒子を、３００〜６５０個／ｍｍ2の分散密度となるとともに添加するとともに、導電性粒子の圧縮変形率が５〜４０％の範囲において、その値が急激に変化する異方性導電膜が提案されている（例えば、特許文献２参照）。すなわち、図１１に示すラインのうち、Ｃ３で示される圧縮特性を示す導電性粒子が好ましいとされている。
特開平１１−７３８１８号公報（特許請求の範囲）
特開平１１−７１５６０号公報（特許請求の範囲）
より具体的には、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、電気絶縁性接着剤中に、深さが０．０５〜２μｍであって、凸部の表面密度が１０００〜５０００００個／ｍｍ2の表面凹凸を有する導電性粒子を所定量添加するとともに、当該導電性粒子の圧縮変形率を２０〜８０％の範囲内の値とした異方性導電膜が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、図１１に示すように、電気絶縁性接着剤中に、表面凹凸を有する導電性粒子を、３００〜６５０個／ｍｍ2の分散密度となるとともに添加するとともに、導電性粒子の圧縮変形率が５〜４０％の範囲において、その値が急激に変化する異方性導電膜が提案されている（例えば、特許文献２参照）。すなわち、図１１に示すラインのうち、Ｃ３で示される圧縮特性を示す導電性粒子が好ましいとされている。
しかしながら、特許文献１に記載された異方性導電膜は、凹凸部の深さの値および導電性粒子の圧縮変形率の値がそれぞれ大きすぎるために、ギャップの小さい液晶装置等において、異方性導電膜を熱圧着した際に、過度に電気絶縁性接着剤が流動して、ショートが発生しやすいという問題が見られた。
また、特許文献２に記載された異方性導電膜は、圧縮変形率が急激に変化する導電性粒子を使用しなければならないという制約が大きい反面、ショートの発生を防止しながら、圧縮変形率の変化曲線を厳密に制御することは困難であるという問題が見られた。また、特許文献２に記載された異方性導電膜においても、図１１中、Ｃ３で示される圧縮特性を示す導電性粒子を使用するとともに、かかる導電性粒子の圧縮変形率については、少なくとも４０％以上が好ましいとしていた。
したがって、特許文献１および特許文献２に記載された異方性導電膜を、ギャップの小さい液晶装置等の異方導電性シール材に適用した場合、導電性粒子を過度に圧縮変形させなければならないことから、隣接する電気配線間でショートが発生しやすいばかりか、電気的接続が不安定になって、画像欠陥が生じやすいという問題が見られた。
また、特許文献２に記載された異方性導電膜は、圧縮変形率が急激に変化する導電性粒子を使用しなければならないという制約が大きい反面、ショートの発生を防止しながら、圧縮変形率の変化曲線を厳密に制御することは困難であるという問題が見られた。また、特許文献２に記載された異方性導電膜においても、図１１中、Ｃ３で示される圧縮特性を示す導電性粒子を使用するとともに、かかる導電性粒子の圧縮変形率については、少なくとも４０％以上が好ましいとしていた。
したがって、特許文献１および特許文献２に記載された異方性導電膜を、ギャップの小さい液晶装置等の異方導電性シール材に適用した場合、導電性粒子を過度に圧縮変形させなければならないことから、隣接する電気配線間でショートが発生しやすいばかりか、電気的接続が不安定になって、画像欠陥が生じやすいという問題が見られた。
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、電気光学装置に使用される異方導電性シール材において、不均一に導電部材が形成してある導電性粒子を使用するともに、当該導電性粒子の圧縮変形率を比較的小さな値に制御することによって、一対の基板における電気配線間の電気的接続が確実にとれるとともに、隣接する電気配線間でのショートの発生を著しく低下させることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、電気光学装置において、所定の異方導電性シール材を用いることによって、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスに優れ、画像ムラの発生が少ない電気光学装置及びこのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、電気光学装置において、所定の異方導電性シール材を用いることによって、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスに優れ、画像ムラの発生が少ない電気光学装置及びこのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
本発明によれば、異方導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、第１の基板は第１の電気配線を備え、第２の基板は第２の電気配線を備え、異方導電性シール材は、電気絶縁性接着剤と、導電性粒子と、を含むとともに、当該導電性粒子の周囲に、不均一に導電部材が形成してあり、かつ、当該導電性粒子の圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、第１の電気配線と、第２の電気配線と、を電気的接続させる電気光学装置が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、導電性粒子の周囲に、不均一な導電部材を形成した異方導電性シール材を用いることによって、電気絶縁性接着剤を排除しやすくして、電気配線への電気接触を容易かつ確実にすることができる。また、不均一に形成された導電部材によって、押圧された際の導電性粒子の移動が制限されることから、隣接する電気配線間でのショートの発生防止に寄与することができる。さらにまた、導電性粒子の圧縮変形率を比較的低い値に制御することによって、導電性粒子の移動をより制限して、隣接する電気配線間でのショートの発生防止にさらに寄与することができる。
すなわち、導電性粒子の周囲に、不均一な導電部材を形成した異方導電性シール材を用いることによって、電気絶縁性接着剤を排除しやすくして、電気配線への電気接触を容易かつ確実にすることができる。また、不均一に形成された導電部材によって、押圧された際の導電性粒子の移動が制限されることから、隣接する電気配線間でのショートの発生防止に寄与することができる。さらにまた、導電性粒子の圧縮変形率を比較的低い値に制御することによって、導電性粒子の移動をより制限して、隣接する電気配線間でのショートの発生防止にさらに寄与することができる。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の凹凸深さを０．０１〜０．０５μｍ未満の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、電気配線への電気接触の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができる。
このように構成することにより、電気配線への電気接触の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができる。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、導電性粒子が、電気絶縁性粒子と、導電部材と、から構成されているとともに、当該導電部材に開口部があって、電気絶縁性粒子の一部が露出していることが好ましい。
このように構成することにより、電気配線への電気接触の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができる。また、開口部の大きさを考慮することによって、定量的に、これらの特性間のバランスを採ることができる。
このように構成することにより、電気配線への電気接触の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができる。また、開口部の大きさを考慮することによって、定量的に、これらの特性間のバランスを採ることができる。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板及び第２の基板との間の異方導電性シール材の厚さを２〜１０μｍ未満の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、薄型の電気光学装置であっても、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスがさらに良好になって、画像ムラの発生を少なくすることができる。
このように構成することにより、薄型の電気光学装置であっても、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスがさらに良好になって、画像ムラの発生を少なくすることができる。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、異方導電性シール材中に分散性粒子を含むとともに、導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、当該分散性粒子の平均粒径を０．３ｓ〜０．９ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、導電性粒子の凝集防止性と、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、の間のバランスにさらに良好になるためである。
このように構成することにより、導電性粒子の凝集防止性と、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、の間のバランスにさらに良好になるためである。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、異方導電性シール材中に針状スペーサを含むとともに、当該針状スペーサのアスペクト比を１：２〜１：６の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、スペーサのグリップ性と、セルギャップの保持性と、の間のバランスが、さらに良好になるためである。
このように構成することにより、スペーサのグリップ性と、セルギャップの保持性と、の間のバランスが、さらに良好になるためである。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、第１の電気配線又は第２の電気配線における、隣接する電気配線間の距離を２．５ｓ〜５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスが、さらに良好になるためである。
このように構成することにより、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスが、さらに良好になるためである。
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器である。
このように構成することにより、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスが、良好であって、電子機器を薄型化した場合であっても、画像ムラの発生を少なくすることができる。
このように構成することにより、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスが、良好であって、電子機器を薄型化した場合であっても、画像ムラの発生を少なくすることができる。
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。
但し、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
但し、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１に例示されるように、異方導電性シール材２３を介して対向配置される第１の基板３０及び第２の基板６０と、当該第１の基板３０及び第２の基板６０の間に狭持された電気光学物質２１と、を含む電気光学装置１０において、第１の基板（対向基板）３０は、第１の電気配線３３を備え、第２の基板（素子基板）６０は、第２の電気配線２８を備えている電気光学装置１０である。
そして、図２に例示されるように、異方導電性シール材２３は、電気絶縁性接着剤２３ｂと、導電性粒子２３ａと、を含むとともに、当該導電性粒子２３ａの周囲に、不均一に導電部材が形成してあり、かつ、当該導電性粒子２３ａの圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、第１の電気配線３３と、第２の電気配線２８と、を電気的接続させることを特徴としている。
第１実施形態は、図１に例示されるように、異方導電性シール材２３を介して対向配置される第１の基板３０及び第２の基板６０と、当該第１の基板３０及び第２の基板６０の間に狭持された電気光学物質２１と、を含む電気光学装置１０において、第１の基板（対向基板）３０は、第１の電気配線３３を備え、第２の基板（素子基板）６０は、第２の電気配線２８を備えている電気光学装置１０である。
そして、図２に例示されるように、異方導電性シール材２３は、電気絶縁性接着剤２３ｂと、導電性粒子２３ａと、を含むとともに、当該導電性粒子２３ａの周囲に、不均一に導電部材が形成してあり、かつ、当該導電性粒子２３ａの圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、第１の電気配線３３と、第２の電気配線２８と、を電気的接続させることを特徴としている。
以下、第１実施形態の電気光学装置として、所定構造の三端子型非線型素子及び画素電極を有する素子基板と、着色層及び対向電極を有する対向基板（カラーフィルタ基板）と、を備えた液晶装置を例に採って説明する。
但し、かかる実施形態の説明は、本発明の一態様を示すものであって、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。例えば、二端子型非線型素子であるＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス構造の液晶装置であってもよく、さらには、スイッチング素子を備えていないパッシブマトリクス構造の液晶装置であっても良い。
但し、かかる実施形態の説明は、本発明の一態様を示すものであって、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。例えば、二端子型非線型素子であるＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス構造の液晶装置であってもよく、さらには、スイッチング素子を備えていないパッシブマトリクス構造の液晶装置であっても良い。
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置の基本構成について説明する。図３（ａ）に液晶装置１０の部分断面図を示し、図３（ｂ）に、図３（ａ）の液晶装置１０における素子基板６０の平面図を示す。また、図４に、図３（ａ）の液晶装置における斜視図を示す。なお、それぞれの図中において、一部の部材を適宜省略してある。
ここで、図４に示すように、液晶装置１０は、対向基板３０と、素子基板６０とが、それらの周辺部において異方導電性シール材２３によって貼り合わせられ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及び異方導電性シール材２３によって囲まれる間隙内に、液晶材料２１を収容して、いわゆるセル構造が形成されている。
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置の基本構成について説明する。図３（ａ）に液晶装置１０の部分断面図を示し、図３（ｂ）に、図３（ａ）の液晶装置１０における素子基板６０の平面図を示す。また、図４に、図３（ａ）の液晶装置における斜視図を示す。なお、それぞれの図中において、一部の部材を適宜省略してある。
ここで、図４に示すように、液晶装置１０は、対向基板３０と、素子基板６０とが、それらの周辺部において異方導電性シール材２３によって貼り合わせられ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及び異方導電性シール材２３によって囲まれる間隙内に、液晶材料２１を収容して、いわゆるセル構造が形成されている。
（２）対向基板
また、対向基板３０は、ガラスやプラスチック等から形成され、当該対向基板３０上には、カラーフィルタすなわち着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、その着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配向膜４５とを備えている。
また、反射領域Ｒにおける、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂは、素子基板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対向しない位置には、ブラックマスク又はブラックマトリクス、すなわち遮光膜３９が設けられている。
また、対向基板３０は、ガラスやプラスチック等から形成され、当該対向基板３０上には、カラーフィルタすなわち着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、その着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配向膜４５とを備えている。
また、反射領域Ｒにおける、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂは、素子基板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対向しない位置には、ブラックマスク又はブラックマトリクス、すなわち遮光膜３９が設けられている。
そして、対向電極３３は、図１、図３（ａ）、あるいは図５（ａ）に示すように、上述した第１の電気配線を一部に含むものの、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料によって、対向基板３０の表面全域に形成された面状電極である。
また、かかる対向電極の厚さを１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、対向電極の厚さが１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなる場合があって、液晶材料の駆動に悪影響を及ぼす場合があるためである。一方、対向電極の厚さが２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ったりすることが困難になる場合があるためである。
したがって、かかる対向電極の厚さを２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
また、かかる対向電極の厚さを１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、対向電極の厚さが１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなる場合があって、液晶材料の駆動に悪影響を及ぼす場合があるためである。一方、対向電極の厚さが２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ったりすることが困難になる場合があるためである。
したがって、かかる対向電極の厚さを２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
（３）素子基板
また、素子基板６０は、ガラスやプラスチック等から形成され、当該素子基板６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３とを備えている。
この画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯ等からなる透明電極６３ｂとして形成される。また、画素電極６３における光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。そして、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
また、素子基板６０は、ガラスやプラスチック等から形成され、当該素子基板６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３とを備えている。
この画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯ等からなる透明電極６３ｂとして形成される。また、画素電極６３における光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。そして、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
また、素子基板６０の電極パターン７５については、図５（ｂ）に示すように、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
そして、隣接する電極パターンの間隔（距離）を２０〜５０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。すなわち、後述するように、通常、シール材に含まれる導電性粒子の粒径が１０μｍ程度であることを考慮して、隣接する電極パターン７５間の距離を定めることが好ましい。
この理由は、かかる隣接する電極パターン間の距離が２０μｍ未満の値となると、隣接する電極パターン間でショートが発生し、画像欠陥等が生じる場合があるためである。一方、かかる隣接する電極パターン間の距離が５０μｍを超えると、画素領域以外の面積が大きくなり、高精細な画像を表示させることが困難となる場合があるためである。
したがって、隣接する電極パターン間距離を２２〜４５μｍの範囲内とすることがより好ましく、２５〜４０μｍの範囲内とすることがさらに好ましい。
そして、隣接する電極パターンの間隔（距離）を２０〜５０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。すなわち、後述するように、通常、シール材に含まれる導電性粒子の粒径が１０μｍ程度であることを考慮して、隣接する電極パターン７５間の距離を定めることが好ましい。
この理由は、かかる隣接する電極パターン間の距離が２０μｍ未満の値となると、隣接する電極パターン間でショートが発生し、画像欠陥等が生じる場合があるためである。一方、かかる隣接する電極パターン間の距離が５０μｍを超えると、画素領域以外の面積が大きくなり、高精細な画像を表示させることが困難となる場合があるためである。
したがって、隣接する電極パターン間距離を２２〜４５μｍの範囲内とすることがより好ましく、２５〜４０μｍの範囲内とすることがさらに好ましい。
また、電極パターン７５の高さ（厚さ）を１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる電極パターンの高さ（厚さ）が１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなってしまう場合があるためである。一方、電極パターンの高さ（厚さ）が２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ることが困難になったりする場合があるためである。
したがって、電極パターン７５の高さ（厚さ）を２〜１８μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３〜１５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる電極パターンの高さ（厚さ）が１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなってしまう場合があるためである。一方、電極パターンの高さ（厚さ）が２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ることが困難になったりする場合があるためである。
したがって、電極パターン７５の高さ（厚さ）を２〜１８μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３〜１５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、素子基板６０において、図２あるいは図５（ａ）に示すように、第２の電気配線２８を備えている。かかる電気配線２８は、複数の電極パターン７５に対応しており、ストライプ状の複数の透明電極や金属膜から構成されている。かかる電気配線２８において、通常、隣接間距離は２０〜５０μｍの範囲内の値であって、その高さは、１〜２０μｍの範囲内の値である。
また、かかる電気配線２８は、図１に示すように、第２の基板６０における基板張出し部６０Ｔまで延設され、一端側が外部接続用端子６７として構成されており、その外部接続用端子６７には、駆動用素子９１やフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９３が実装されている。
なお、第２の電気配線２８における隣接する電気配線間の距離に関して、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の平均粒径（ｓ）を考慮して、その距離を定めることが好ましい。すなわち、より具体的には、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、第２の電気配線における隣接する電気配線間の距離を２．５ｓ〜５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスが、さらに良好になるためである。
したがって、導電性粒子の平均粒径（ｓ）を考慮して、第２の電気配線における隣接する電気配線間の距離を３ｓ〜４．５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、かかる電気配線２８は、図１に示すように、第２の基板６０における基板張出し部６０Ｔまで延設され、一端側が外部接続用端子６７として構成されており、その外部接続用端子６７には、駆動用素子９１やフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９３が実装されている。
なお、第２の電気配線２８における隣接する電気配線間の距離に関して、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の平均粒径（ｓ）を考慮して、その距離を定めることが好ましい。すなわち、より具体的には、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、第２の電気配線における隣接する電気配線間の距離を２．５ｓ〜５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスが、さらに良好になるためである。
したがって、導電性粒子の平均粒径（ｓ）を考慮して、第２の電気配線における隣接する電気配線間の距離を３ｓ〜４．５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
（４）位相差板及び偏光板
また、図３（ａ）に示すように、対向基板３０の外側表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。また、素子基板６０の下方には、光源としてのバックライトユニット等（図示せず）が配置される。
また、図３（ａ）に示すように、対向基板３０の外側表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。また、素子基板６０の下方には、光源としてのバックライトユニット等（図示せず）が配置される。
（５）スイッチング素子
また、図３（ａ）に示すように、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９は、ゲート電極７１と、ゲート絶縁膜７２と、半導体層７０と、ソース電極７３と、ドレイン電極６６と、を備えている。
すなわち、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６と、を備えている。
また、図３（ａ）に示すように、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９は、ゲート電極７１と、ゲート絶縁膜７２と、半導体層７０と、ソース電極７３と、ドレイン電極６６と、を備えている。
すなわち、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６と、を備えている。
また、ゲート電極７１は、ゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３は、ソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は、素子基板６０の横方向に延びていて、縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線についても、ゲート絶縁膜７２を挟んで、ゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて、横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
したがって、かかるゲートバス配線は、液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に電気的に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に電気的に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線と、ソースバス配線と、によって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
したがって、かかるゲートバス配線は、液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に電気的に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に電気的に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線と、ソースバス配線と、によって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
また、ゲートバス配線及びゲート電極の構成に関して、例えば、クロムやタンタル等によって形成することができる。また、ゲート絶縁膜は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成することができる。また、半導体層は、例えばドープトａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によって形成することができる。さらに、コンタクト電極は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等によって形成することができるとともに、ソース電極及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形成することができる。
（６）有機絶縁膜
また、有機絶縁膜８１が、ゲートバス配線（図示せず）、ソースバス配線（図示せず）及びＴＦＴ素子６９を覆って、素子基板６０上の全域に形成されている。
但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分には、コンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３によって、画素電極６３と、ＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との間で、電気的接続がなされている。
また、有機絶縁膜８１が、ゲートバス配線（図示せず）、ソースバス配線（図示せず）及びＴＦＴ素子６９を覆って、素子基板６０上の全域に形成されている。
但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分には、コンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３によって、画素電極６３と、ＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との間で、電気的接続がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、光散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光量が低下することから、透過領域Ｔには形成されていない。
すなわち、液晶装置の素子基板上には、樹脂膜として、有機絶縁膜や配向膜等が設けられているとともに、導電膜として、画素電極やゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等が設けられている。一方、対向するカラーフィルタ基板上には、樹脂膜として、着色層や遮光膜、絶縁膜、配向膜等が設けられているとともに、導電膜として、対向電極が設けられている。
すなわち、液晶装置の素子基板上には、樹脂膜として、有機絶縁膜や配向膜等が設けられているとともに、導電膜として、画素電極やゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等が設けられている。一方、対向するカラーフィルタ基板上には、樹脂膜として、着色層や遮光膜、絶縁膜、配向膜等が設けられているとともに、導電膜として、対向電極が設けられている。
（７）動作
以上のような構造を有する液晶装置１０において、反射表示の際には、太陽光や室内照明光などの外光が、対向基板３０側から液晶装置１０に入射するとともに、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂや液晶材料２１等を通過して、光反射膜７９に至る。そして、外光は反射され、再度液晶材料２１や着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂなどを通過して、液晶装置１０から外部へ出ることにより、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際には、光源としてのバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バックライトユニットから出射された光が、透光性の透明電極６３ｂ部分を通過する。したがって、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ、液晶材料２１などを通過して、液晶装置１０の外部に導出されることにより、透過表示が行われることになる。
以上のような構造を有する液晶装置１０において、反射表示の際には、太陽光や室内照明光などの外光が、対向基板３０側から液晶装置１０に入射するとともに、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂや液晶材料２１等を通過して、光反射膜７９に至る。そして、外光は反射され、再度液晶材料２１や着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂなどを通過して、液晶装置１０から外部へ出ることにより、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際には、光源としてのバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バックライトユニットから出射された光が、透光性の透明電極６３ｂ部分を通過する。したがって、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ、液晶材料２１などを通過して、液晶装置１０の外部に導出されることにより、透過表示が行われることになる。
２．異方導電性シール材
図２に示すように、異方導電性シール材２３は、所定方向のみに電気的接続する導電性接着剤であって、第１の基板（対向基板）３０と、第２の基板（素子基板）６０とを、それらの周囲において接着して、貼り合わせるとともに、第１の基板３０上の電気配線である第１の電気配線３３と、素子基板６０上の電気配線である第２の電気配線２８と、を電気的接続させるための部材である。
そして、第１実施形態の電気光学装置１０に使用される異方導電性シール材２３は、図２に例示するように、電気絶縁性接着剤２３ｂと、導電性粒子２３ａと、当該導電性粒子２３ａを分散させるための分散性粒子２３ｄと、セルギャップを調整するためのスペーサ２３ｃと、を含んでいる。すなわち、異方導電性シール材２３において、分散性粒子２３ｄと、スペーサ２３ｃとを併用することにより、導電性粒子２３ａの凝集を防止して、当該導電性粒子２３ａの分散性を制御することができる。したがって、第１の電気配線３３と、第２の電気配線２８との間で、安定的な電気的接続がとられる一方、電気配線間でのショートの発生を有効に防止することができる。
図２に示すように、異方導電性シール材２３は、所定方向のみに電気的接続する導電性接着剤であって、第１の基板（対向基板）３０と、第２の基板（素子基板）６０とを、それらの周囲において接着して、貼り合わせるとともに、第１の基板３０上の電気配線である第１の電気配線３３と、素子基板６０上の電気配線である第２の電気配線２８と、を電気的接続させるための部材である。
そして、第１実施形態の電気光学装置１０に使用される異方導電性シール材２３は、図２に例示するように、電気絶縁性接着剤２３ｂと、導電性粒子２３ａと、当該導電性粒子２３ａを分散させるための分散性粒子２３ｄと、セルギャップを調整するためのスペーサ２３ｃと、を含んでいる。すなわち、異方導電性シール材２３において、分散性粒子２３ｄと、スペーサ２３ｃとを併用することにより、導電性粒子２３ａの凝集を防止して、当該導電性粒子２３ａの分散性を制御することができる。したがって、第１の電気配線３３と、第２の電気配線２８との間で、安定的な電気的接続がとられる一方、電気配線間でのショートの発生を有効に防止することができる。
（１）導電性粒子
まず、導電性粒子２３ａは、基材としての電気絶縁性接着剤２３ｂ中に含まれ、当該電気絶縁性接着剤２３ｂを排除して、素子基板６０上の第１の電気配線２８と、対向基板３０上の第２の電気配線２８と、の双方に電気的接触することにより、それらの間の電気的接続を取るための材料である。
より具体的には、かかる導電性粒子の種類として、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等の金属粒子、又はプラスチック粒子の表面にＡｕやＮｉ等の金属メッキを施したものが一種単独、二種以上の組み合わせとして挙げることができる。
まず、導電性粒子２３ａは、基材としての電気絶縁性接着剤２３ｂ中に含まれ、当該電気絶縁性接着剤２３ｂを排除して、素子基板６０上の第１の電気配線２８と、対向基板３０上の第２の電気配線２８と、の双方に電気的接触することにより、それらの間の電気的接続を取るための材料である。
より具体的には、かかる導電性粒子の種類として、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等の金属粒子、又はプラスチック粒子の表面にＡｕやＮｉ等の金属メッキを施したものが一種単独、二種以上の組み合わせとして挙げることができる。
そして、図６（ａ）および（ｂ）に示されるように、導電性粒子２３ａの周囲に、不均一に導電部材２３ａ´が形成してあることが好ましい。
この理由は、このように異方導電性シール材に含まれるコア粒子２３ａ´´´の周囲に、不均一な導電部材２３ａ´を形成することによって、電気絶縁性接着剤２３ｂを排除しやすくして、電気配線への電気的接触を容易かつ確実にすることができるためである。また、不均一に導電部材２３ａ´が形成してあることにより、導電性粒子２３ａの表面摩擦力を向上させ、押圧された際の導電性粒子２３ａの移動を制限して、隣接する電気配線間でのショートの発生防止に寄与することができるためである。
なお、不均一に導電部材２３ａ´が形成してあるといった場合、導電部材２３ａ´の厚さが場所によって変わっていたり、異種金属が付着してあったり、所定の凹凸が形成されていたり、あるいは、後述するように、導電部材２３ａ´の一部に開口部やクラックが設けてある状態を意味する。
この理由は、このように異方導電性シール材に含まれるコア粒子２３ａ´´´の周囲に、不均一な導電部材２３ａ´を形成することによって、電気絶縁性接着剤２３ｂを排除しやすくして、電気配線への電気的接触を容易かつ確実にすることができるためである。また、不均一に導電部材２３ａ´が形成してあることにより、導電性粒子２３ａの表面摩擦力を向上させ、押圧された際の導電性粒子２３ａの移動を制限して、隣接する電気配線間でのショートの発生防止に寄与することができるためである。
なお、不均一に導電部材２３ａ´が形成してあるといった場合、導電部材２３ａ´の厚さが場所によって変わっていたり、異種金属が付着してあったり、所定の凹凸が形成されていたり、あるいは、後述するように、導電部材２３ａ´の一部に開口部やクラックが設けてある状態を意味する。
また、導電性粒子２３ａに関して、その圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、素子基板６０上の第１の電気配線２８と、対向基板３０上の第２の電気配線２８と、の間で電気的接続させる構成であることが好ましい。
すなわち、図７（ａ）に示すように、押圧前は、直径（高さ）Ｘ0を有する導電性粒子２３ａが、力（Ｆ）が矢印方向に加わって、高さＸで表される導電性粒子２３ａに変形された場合、その圧縮変形率は、（Ｘ0−Ｘ）／Ｘ0×１００で表され、その数字を所定範囲内の値に制御することになる。
この理由は、導電性粒子２３ａの圧縮変形率を、このように比較的低い値に制御することによって、押圧された際の導電性粒子２３ａの移動を制限して、隣接する電気配線間でのショートの発生防止にさらに寄与することができるためである。
逆に、圧縮変形率が２０％以上の値になると、押圧された際に導電性粒子２３ａが移動しやすくなって、隣接する電気配線間でのショートの発生がおこりやすくなるとともに、所定箇所に存在する導電性粒子２３ａの数は減少して、電気的接続が不安定となるためである。
すなわち、図７（ａ）に示すように、押圧前は、直径（高さ）Ｘ0を有する導電性粒子２３ａが、力（Ｆ）が矢印方向に加わって、高さＸで表される導電性粒子２３ａに変形された場合、その圧縮変形率は、（Ｘ0−Ｘ）／Ｘ0×１００で表され、その数字を所定範囲内の値に制御することになる。
この理由は、導電性粒子２３ａの圧縮変形率を、このように比較的低い値に制御することによって、押圧された際の導電性粒子２３ａの移動を制限して、隣接する電気配線間でのショートの発生防止にさらに寄与することができるためである。
逆に、圧縮変形率が２０％以上の値になると、押圧された際に導電性粒子２３ａが移動しやすくなって、隣接する電気配線間でのショートの発生がおこりやすくなるとともに、所定箇所に存在する導電性粒子２３ａの数は減少して、電気的接続が不安定となるためである。
なお、従来は、導電性粒子２３ａの圧縮変形率を少なくとも２０％とし、例えば、２０〜８０％の範囲内の値とする必要があると考えられていた。しかしながら、これは、導電性粒子２３ａの周囲に、均一に導電部材を形成した場合のことであって、不均一に導電部材を形成した場合には、あてはまらないことが判明した。
そこで、導電性粒子２３ａの圧縮変形率をむしろ低い値とすることが有効であることを見出し、５〜２０％未満の範囲内の値と制限するものである。但し、圧縮変形率の値を過度に小さくすると、電気的接続性が再び不安定になる傾向がある。
したがって、導電性粒子２３ａの圧縮変形率を６〜１８％の範囲内の値になるように押圧することがより好ましく、６．５〜１０％の範囲内の値になるように押圧することがさらに好ましいと言える。
そこで、導電性粒子２３ａの圧縮変形率をむしろ低い値とすることが有効であることを見出し、５〜２０％未満の範囲内の値と制限するものである。但し、圧縮変形率の値を過度に小さくすると、電気的接続性が再び不安定になる傾向がある。
したがって、導電性粒子２３ａの圧縮変形率を６〜１８％の範囲内の値になるように押圧することがより好ましく、６．５〜１０％の範囲内の値になるように押圧することがさらに好ましいと言える。
また、導電性粒子の平均粒径を１〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。すなわち、図７（ａ）に示す導電性粒子２３ａにおける直径（高さ）Ｘ0を１〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる導電性粒子の平均粒径が１μｍ未満の値となると、素子基板６０上の第１の電気配線２８と、対向基板３０上の第２の電気配線２８と、の間で、安定的に電気的接続を確保することが困難になる場合があるためである。一方、導電性粒子の平均粒径が１０μｍを超えると、セルギャップが大きくなってしまい、液晶パネルの薄型化を図ることが困難になったり、隣接する電気配線間で、ショートが発生しやすくなったりする場合があるためである。
したがって、かかる導電性粒子の平均粒径を２〜９μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３〜８μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる導電性粒子の平均粒径が１μｍ未満の値となると、素子基板６０上の第１の電気配線２８と、対向基板３０上の第２の電気配線２８と、の間で、安定的に電気的接続を確保することが困難になる場合があるためである。一方、導電性粒子の平均粒径が１０μｍを超えると、セルギャップが大きくなってしまい、液晶パネルの薄型化を図ることが困難になったり、隣接する電気配線間で、ショートが発生しやすくなったりする場合があるためである。
したがって、かかる導電性粒子の平均粒径を２〜９μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３〜８μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、導電性粒子の添加量に関し、異方導電性シール材の全体量を１００重量％としたときに、導電性粒子の添加量を１〜５０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる添加量が１重量％未満の値となると、素子基板上の第１の電気配線と、対向基板上の第２の電気配線との間の電気的接続性が低下する場合があるためである。一方、かかる導電性粒子の添加量が５０重量％を超えると、異方導電性シール材の接着性が低下する場合があるためである。
したがって、異方導電性シール材の全体量を１００重量％としたときに、導電性粒子の添加量を５〜４５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜４０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる添加量が１重量％未満の値となると、素子基板上の第１の電気配線と、対向基板上の第２の電気配線との間の電気的接続性が低下する場合があるためである。一方、かかる導電性粒子の添加量が５０重量％を超えると、異方導電性シール材の接着性が低下する場合があるためである。
したがって、異方導電性シール材の全体量を１００重量％としたときに、導電性粒子の添加量を５〜４５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜４０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、図６（ａ）および（ｂ）に示される導電性粒子２３ａに関して、その凹凸深さを０．０１〜０．０５μｍ未満の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１および第２の電気配線に対する電気的接続の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができるためである。
すなわち、導電性粒子の凹凸深さが、０．０１μｍ未満の値になると、導電性粒子のグリップ性が低下して、隣接する電気配線間で、ショートが発生しやすくなる場合があるためである。一方、導電性粒子の凹凸深さが、０．０５μｍ以上の値になると、安定的に製造することが困難となったり、隣接する導電性粒子における表面凹凸同士が勘合して、逆に、ショートが発生しやすくなったりする場合があるためである。
したがって、導電性粒子の凹凸深さを０．０２〜０．０４μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１および第２の電気配線に対する電気的接続の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができるためである。
すなわち、導電性粒子の凹凸深さが、０．０１μｍ未満の値になると、導電性粒子のグリップ性が低下して、隣接する電気配線間で、ショートが発生しやすくなる場合があるためである。一方、導電性粒子の凹凸深さが、０．０５μｍ以上の値になると、安定的に製造することが困難となったり、隣接する導電性粒子における表面凹凸同士が勘合して、逆に、ショートが発生しやすくなったりする場合があるためである。
したがって、導電性粒子の凹凸深さを０．０２〜０．０４μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
また、図６（ｂ）に示すように、導電性粒子２３ａが、コア材としての電気絶縁性粒子２３ａ´´´と、導電部材２３ａ´とから構成されているとともに、当該導電部材２３ａ´に開口部２３ａ´´があって、コア材としての電気絶縁性粒子２３ａ´´´の一部が露出していることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、電気配線への電気的接続の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができるためである。すなわち、導電部材２３ａ´に開口部２３ａ´´と、導電性粒子の表面凹凸とが相俟って、電気配線に対する電気的接続の確実性が向上するとともに、導電性粒子の移動性については低下させることができるためである。
また、このように構成することにより、開口部の大きさを考慮することによって、定量的に、これらの特性間のバランスを採ることができるためである。
この理由は、このように構成することにより、電気配線への電気的接続の確実性等と、導電性粒子の移動性等と、のバランスをさらに良好なものとすることができるためである。すなわち、導電部材２３ａ´に開口部２３ａ´´と、導電性粒子の表面凹凸とが相俟って、電気配線に対する電気的接続の確実性が向上するとともに、導電性粒子の移動性については低下させることができるためである。
また、このように構成することにより、開口部の大きさを考慮することによって、定量的に、これらの特性間のバランスを採ることができるためである。
（２）電気絶縁性接着剤
図２に示すように、異方導電性シール材２３の一部を構成する電気絶縁性接着剤２３ｂとしては、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が使用できるが、より具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。ただし、耐熱性や耐湿性、さらには透明性に優れることからエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
特に、エポキシ樹脂を用いる場合には、主剤として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、あるいは脂環族エポキシ樹脂等を用いることが好ましい。そして、硬化剤として、アミン化合物、カルボン酸化合物、イミダゾール化合物、アミド化合物等を、例えば、主剤１００重量部に対して、１０〜５０重量部の範囲で使用することが好ましい。
図２に示すように、異方導電性シール材２３の一部を構成する電気絶縁性接着剤２３ｂとしては、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が使用できるが、より具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。ただし、耐熱性や耐湿性、さらには透明性に優れることからエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
特に、エポキシ樹脂を用いる場合には、主剤として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、あるいは脂環族エポキシ樹脂等を用いることが好ましい。そして、硬化剤として、アミン化合物、カルボン酸化合物、イミダゾール化合物、アミド化合物等を、例えば、主剤１００重量部に対して、１０〜５０重量部の範囲で使用することが好ましい。
また、異方導電性シール材を硬化させる際の粘度調整や硬化速度の調整のために、ジオール化合物、トリオール化合物、可塑剤、硬化触媒等を、例えば、主剤１００重量部に対して、０．１〜３０重量部の範囲で使用することが好ましい。
さらに、異方導電性シール材のガラス基板等への密着性等が良好となる一方、硬化収縮の値が調整できることから、各種フィラー、カップリング剤、ゴム成分等を、例えば、主剤１００重量部に対して、０．１〜５０重量部の範囲で使用することが好ましい。
さらに、異方導電性シール材のガラス基板等への密着性等が良好となる一方、硬化収縮の値が調整できることから、各種フィラー、カップリング剤、ゴム成分等を、例えば、主剤１００重量部に対して、０．１〜５０重量部の範囲で使用することが好ましい。
（３）分散性粒子
図２に示すように、異方導電性シール材２３の一部を構成する分散性粒子２３ｄとしては、上述した導電性粒子２３ａの間に介在して、隣接する導電性粒子２３ａが相互接触して、結合することを有効に防止するとともに、異方導電性シール材２３中における導電性粒子２３ａの分散性を制御するための材料である。
すなわち、逆に、分散性粒子を添加しない場合、例えば、複数の導電性粒子が結合して、凝集することにより、素子基板上の隣接する走査電極同士が電気的に接続され、ショートが発生しやすくなるためである。
ここで、かかる分散性粒子の構成材料としては、シリカ、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、及びその水素化物（ＳＥＢＳ）、エチレン−アクリル酸エステル共重合体等を好適に使用することができる。中でも、硬度や圧縮特性が高く、さらには優れた透明性を有することから、シリカを使用することが好ましい。
図２に示すように、異方導電性シール材２３の一部を構成する分散性粒子２３ｄとしては、上述した導電性粒子２３ａの間に介在して、隣接する導電性粒子２３ａが相互接触して、結合することを有効に防止するとともに、異方導電性シール材２３中における導電性粒子２３ａの分散性を制御するための材料である。
すなわち、逆に、分散性粒子を添加しない場合、例えば、複数の導電性粒子が結合して、凝集することにより、素子基板上の隣接する走査電極同士が電気的に接続され、ショートが発生しやすくなるためである。
ここで、かかる分散性粒子の構成材料としては、シリカ、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、及びその水素化物（ＳＥＢＳ）、エチレン−アクリル酸エステル共重合体等を好適に使用することができる。中でも、硬度や圧縮特性が高く、さらには優れた透明性を有することから、シリカを使用することが好ましい。
また、分散性粒子の平均粒径に関し、上述した導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、分散性粒子の平均粒径を０．３ｓ〜０．９ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる分散性粒子の平均粒径が０．３ｓ（μｍ）未満の値となると、導電性粒子を均一に分散させることが困難となり、導電性粒子が凝集してしまう場合があるためである。一方、かかる分散性粒子の平均粒径が０．９ｓ（μｍ）を超えると、導電性粒子を、素子基板上の第１の電気配線及び対向基板上の第２の電気配線の双方に対して電気的接触させることが困難となる場合があるためである。
したがって、導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、分散性粒子の平均粒径を０．４ｓ〜０．８５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましく、０．５ｓ〜０．８ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、より具体的には、分散性粒子の平均粒径を１〜７μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる分散性粒子の平均粒径が０．３ｓ（μｍ）未満の値となると、導電性粒子を均一に分散させることが困難となり、導電性粒子が凝集してしまう場合があるためである。一方、かかる分散性粒子の平均粒径が０．９ｓ（μｍ）を超えると、導電性粒子を、素子基板上の第１の電気配線及び対向基板上の第２の電気配線の双方に対して電気的接触させることが困難となる場合があるためである。
したがって、導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、分散性粒子の平均粒径を０．４ｓ〜０．８５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましく、０．５ｓ〜０．８ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、より具体的には、分散性粒子の平均粒径を１〜７μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、分散性粒子の添加量に関し、上述した導電性粒子の添加量を１００重量％としたときに、分散性粒子の添加量を５０〜３００重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる分散性粒子の添加量が５０重量％未満の値となると、導電性粒子を均一に分散させることが困難となり、導電性粒子が凝集してしまう場合があるためである。一方、かかる分散性粒子の添加量が３００重量％を超えると、導電性粒子の分散性にバラつきが生じ、電気的接続が低下する場合があるためである。
したがって、導電性粒子の添加量を１００重量％としたときに、分散性粒子の添加量を６０〜２５０重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、７０〜２００重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる分散性粒子の添加量が５０重量％未満の値となると、導電性粒子を均一に分散させることが困難となり、導電性粒子が凝集してしまう場合があるためである。一方、かかる分散性粒子の添加量が３００重量％を超えると、導電性粒子の分散性にバラつきが生じ、電気的接続が低下する場合があるためである。
したがって、導電性粒子の添加量を１００重量％としたときに、分散性粒子の添加量を６０〜２５０重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、７０〜２００重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（４）スペーサ
図２に示すように、異方導電性シール材２３の一部を構成するスペーサ２３ｃは、セルギャップを調整するための部材である。すなわち、かかるスペーサを含むことにより、異方導電性シール材の接着領域全体におけるセルギャップを、均一に保持することができる。
かかるスペーサの材料としては、プラスチックファイバー、グラスファイバー、シリカ粒子等を好適に使用することができるが、比較的軽量で分散させやすく、かつ、優れた圧縮特性を有することから、プラスチックファイバーを使用することが好ましい。
図２に示すように、異方導電性シール材２３の一部を構成するスペーサ２３ｃは、セルギャップを調整するための部材である。すなわち、かかるスペーサを含むことにより、異方導電性シール材の接着領域全体におけるセルギャップを、均一に保持することができる。
かかるスペーサの材料としては、プラスチックファイバー、グラスファイバー、シリカ粒子等を好適に使用することができるが、比較的軽量で分散させやすく、かつ、優れた圧縮特性を有することから、プラスチックファイバーを使用することが好ましい。
また、スペーサとしては、粒子状物を使用することもできるが、長径および短径を有する棒状物を使用することも好ましい。その場合、スペーサにおけるアスペクト比（長径：短径）を１：２〜１：６の範囲内とすることが好ましい。
この理由は、かかるアスペクト比が１：２未満となると、グリップ力が低下して、移動しやすくなり、均一に分散させることが困難になる場合があるためであり、一方、かかるアスペクト比が１：６を超えると、スペーサの長軸方向からの圧力に対する強度が低下して、セルギャップを均一に保持することが困難になる場合があるためである。
したがって、スペーサのアスペクト比を１：２〜１：５の範囲内の値とすることがより好ましく、１：２〜１：３の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、スペーサとして粒子状物を使用する場合には、上述した分散性粒子との相違点として、分散性粒子の平均粒径を１００％としたときに、当該スペーサの平均粒径を１０５〜２００％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるアスペクト比が１：２未満となると、グリップ力が低下して、移動しやすくなり、均一に分散させることが困難になる場合があるためであり、一方、かかるアスペクト比が１：６を超えると、スペーサの長軸方向からの圧力に対する強度が低下して、セルギャップを均一に保持することが困難になる場合があるためである。
したがって、スペーサのアスペクト比を１：２〜１：５の範囲内の値とすることがより好ましく、１：２〜１：３の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、スペーサとして粒子状物を使用する場合には、上述した分散性粒子との相違点として、分散性粒子の平均粒径を１００％としたときに、当該スペーサの平均粒径を１０５〜２００％の範囲内の値とすることが好ましい。
また、スペーサの添加量に関し、異方導電性シール材の全体量を１００重量％としたときに、スペーサの添加量を１〜３０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるスペーサの添加量が３重量％未満の値となると、セルギャップにバラつきが生じる場合があるためである。一方、かかるスペーサの添加量が３０重量％を超えると、異方導電性シール材の接着性が低下する場合があるためである。
したがって、異方導電性シール材の全体量を１００重量％としたときに、スペーサの添加量を１．５〜２５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、２．５〜２０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかるスペーサの添加量が３重量％未満の値となると、セルギャップにバラつきが生じる場合があるためである。一方、かかるスペーサの添加量が３０重量％を超えると、異方導電性シール材の接着性が低下する場合があるためである。
したがって、異方導電性シール材の全体量を１００重量％としたときに、スペーサの添加量を１．５〜２５重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、２．５〜２０重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（５）使用方法
異方導電性シール材２３の使用方法は、特に制限されるものではないが、一例であるが、図８（ａ）〜（ｃ）に示すような態様で使用することができる。
すなわち、図８（ａ）に示すように、素子基板６０上の第１の電気配線２８に対して、所定場所に載置する。この状態では、異方導電性シール材２３における導電性粒子２３ａは、電気絶縁性接着剤２３ｂに包囲されているため、第１の電気配線２８に対して、電気的接触状態にはない。
異方導電性シール材２３の使用方法は、特に制限されるものではないが、一例であるが、図８（ａ）〜（ｃ）に示すような態様で使用することができる。
すなわち、図８（ａ）に示すように、素子基板６０上の第１の電気配線２８に対して、所定場所に載置する。この状態では、異方導電性シール材２３における導電性粒子２３ａは、電気絶縁性接着剤２３ｂに包囲されているため、第１の電気配線２８に対して、電気的接触状態にはない。
次いで、図８（ｂ）に示すように、素子基板６０に対して、対向基板３０の位置あわせを行なう。すなわち、異方導電性シール材２３によって、両者が接着されるとともに、電気的接続がとれるように、電気配線の位置関係を調整する。
なお、電気接続後における第１の基板及び第２の基板との間の異方導電性シール材の厚さを２〜１０μｍ未満の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように圧着後の異方導電性シール材の厚さを制御することにより、薄型の電気光学装置であっても、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスがさらに良好になって、画像ムラの発生を少なくすることができるためである。
すなわち、かかる異方導電性シール材の厚さが２μｍ未満の値になると、隣接する電気配線間でのショートが発生しやすくなる場合があるためである。一方、かかる異方導電性シール材の厚さが１０μｍ以上の値になると、一対の基板における電気配線間の電気的接続が、不安定になる場合があるためである。
したがって、電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのさらなるバランスを考慮して、圧着後の異方導電性シール材の厚さを３〜８μｍ未満の範囲内の値とすることがより好ましいと言える。
なお、電気接続後における第１の基板及び第２の基板との間の異方導電性シール材の厚さを２〜１０μｍ未満の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように圧着後の異方導電性シール材の厚さを制御することにより、薄型の電気光学装置であっても、一対の基板における電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのバランスがさらに良好になって、画像ムラの発生を少なくすることができるためである。
すなわち、かかる異方導電性シール材の厚さが２μｍ未満の値になると、隣接する電気配線間でのショートが発生しやすくなる場合があるためである。一方、かかる異方導電性シール材の厚さが１０μｍ以上の値になると、一対の基板における電気配線間の電気的接続が、不安定になる場合があるためである。
したがって、電気配線間の電気的接続と、隣接する電気配線間でのショートの発生防止とのさらなるバランスを考慮して、圧着後の異方導電性シール材の厚さを３〜８μｍ未満の範囲内の値とすることがより好ましいと言える。
最後に、図８（ｃ）に示すように、所定の熱圧着装置（図示せず。）におけるヘッド２３ｅを用いて、対向基板３０側から、例えば、加熱圧着することにより、素子基板６０上の第１の電気配線２８と、対向基板３０上の第２の電気配線２８と、の間で、安定的に電気的接続を確保することができる。すなわち、ヘッド２３ｅによる加熱圧着によって、異方導電性シール材２３における導電性粒子２３ａが、所定方向に存在する電気絶縁性接着剤２３ｂを排除し、横方向の電気絶縁性を保持したまま、第１の電気配線２８と、第２の電気配線２８との間で、安定的に電気的接続を確保することができる。
［第２実施形態］
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図９は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図９中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図９は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図９中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路および検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子が、過度に凝集しないで、適度に分散して存在している液晶表示装置を使用している。そのために、電気配線の断線やショートの発生がなく、信頼性に優れた電子機器とすることができる。
そして、本実施形態の電子機器であれば、異方導電性シール材に含まれる導電性粒子が、過度に凝集しないで、適度に分散して存在している液晶表示装置を使用している。そのために、電気配線の断線やショートの発生がなく、信頼性に優れた電子機器とすることができる。
本発明によれば、電気光学装置に使用される異方導電性シール材において、不均一に導電部材が形成してある導電性粒子を使用するともに、当該導電性粒子の圧縮変形率を比較的小さな値に制御することによって、一対の基板における電気配線間の電気的接続が安定するとともに、隣接する電気配線間でのショートの発生を著しく低下させることができるようになった。
したがって、本発明の電気光学装置は、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を用いた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、無機エレクトロルミネッセンス装置又は有機エレクトロルミネッセンス装置等に、好適に使用することができる。
したがって、本発明の電気光学装置は、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を用いた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、無機エレクトロルミネッセンス装置又は有機エレクトロルミネッセンス装置等に、好適に使用することができる。
１０：電気光学装置、２１：液晶材料、２３：異方導電性シール材、２３ａ：導電性粒子、２３ｂ：電気絶縁性樹脂、２３ｃ：スペーサ、２３ｄ：分散性粒子、２８：第１の電気配線、３０：対向基板（カラーフィルタ基板）、３３：第１の電気配線（対向電極）、４１：カラーフィルタ、４６:位置調整部材、４７：偏光子、６０：素子基板、６９：ＴＦＴ素子、７５：電極パターン、２００：液晶パネル、１２００：制御手段
Claims (8)
- 異方導電性シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、
前記第１の基板は第１の電気配線を備え、
前記第２の基板は第２の電気配線を備え、
前記異方導電性シール材は、電気絶縁性接着剤と、導電性粒子と、を含むとともに、当該導電性粒子の周囲に、不均一に導電部材が形成してあり、かつ、当該導電性粒子の圧縮変形率が５〜２０％未満の範囲内の値になるように押圧することによって、前記第１の電気配線と、第２の電気配線とを電気的接続させることを特徴とする電気光学装置。 - 前記導電性粒子の凹凸深さを０．０１〜０．０５μｍ未満の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
- 前記導電性粒子が、電気絶縁性粒子と、導電部材とから構成されているとともに、当該導電部材に開口部があって、前記電気絶縁性粒子の一部が露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
- 前記第１の基板及び第２の基板との間の異方導電性シール材の厚さを２〜１０μｍ未満の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記異方導電性シール材中に分散性粒子を含むとともに、前記導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、当該分散性粒子の平均粒径を０．３ｓ〜０．９ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記異方導電性シール材中に針状スペーサを含むとともに、当該針状スペーサのアスペクト比を１：２〜１：６の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記異方導電性シール材に含まれる導電性粒子の平均粒径をｓ（μｍ）としたときに、前記第１の電気配線又は第２の電気配線における、隣接する電気配線間の距離を２．５ｓ〜５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項１〜７のいずれかに記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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