JP2007221149A - プラズマ処理方法および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このプラズマ処理方法は、下部電極2上に搭載されたウェハー23の表面の付近の空間に容量結合型プラズマを生成し、ウェハーを処理するプラズマ処理方法であって、下部電極に対向する上部電極1の外側面上または内部に配置されたポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネット6を、その周縁領域に広がる方向に、同じマグネット配列によって延長して配列し、上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界7を作り、このポイントカスプ磁界7に基づき容量結合型プラズマを生成してウェハーを処理する。
【選択図】図1
Description
2 下部電極
3 絶縁部材
4 絶縁部材
6 マグネット
7 磁束
23 ウェハー
51 ウェハーホルダ
61 上部電極
62 絶縁部材
Claims (4)
- 下部電極上に搭載されたウェハーの表面の付近の空間に容量結合型プラズマを生成し、前記ウェハーを処理するプラズマ処理方法であって、
前記下部電極に対向する上部電極の外側面上または内部に配置されたポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネットを、その周縁領域に、同じマグネット配列によって延長して配列し、前記上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界を作り、このポイントカスプ磁界に基づき前記容量結合型プラズマを生成して前記ウェハーを処理することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記上部電極の前記周縁領域には前記上部電極を支持する絶縁部材を配置し、
前記絶縁部材の外側面上または内部にポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネットとを備え、
前記絶縁部材に配置された前記複数のマグネットのマグネット配列は前記上部電極に配置された複数のマグネットのマグネット配列と同じであり、前記絶縁部材に配置された前記複数のマグネットは前記上部電極に配置された複数のマグネットを延長して配列され、少なくとも前記上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界を作ることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。 - プラズマ処理工程を含む半導体デバイスの製造方法であり、
前記プラズマ処理工程では、
下部電極上に搭載されたウェハーの表面の付近の空間に容量結合型プラズマを生成し、前記ウェハーをプラズマ処理する方法であって、
前記下部電極に対向する上部電極の外側面上または内部に配置されたポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネットを、その周縁領域に、同じマグネット配列によって延長して配列し、前記上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界を作り、このポイントカスプ磁界に基づき前記容量結合型プラズマを生成して前記ウェハーをプラズマ処理する方法が実施される、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記上部電極の前記周縁領域には前記上部電極を支持する絶縁部材を配置し、
前記絶縁部材の外側面上または内部にポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネットとを備え、
前記絶縁部材に配置された前記複数のマグネットのマグネット配列は前記上部電極に配置された複数のマグネットのマグネット配列と同じであり、前記絶縁部材に配置された前記複数のマグネットは前記上部電極に配置された複数のマグネットを延長して配列され、少なくとも前記上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界を作ることを特徴とする請求項3記載の半導体デバイスの製造方法。
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