JP2007201395A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007201395A JP2007201395A JP2006143052A JP2006143052A JP2007201395A JP 2007201395 A JP2007201395 A JP 2007201395A JP 2006143052 A JP2006143052 A JP 2006143052A JP 2006143052 A JP2006143052 A JP 2006143052A JP 2007201395 A JP2007201395 A JP 2007201395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- manufacturing
- semiconductor device
- forming
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/482—Bit lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/05—Making the transistor
- H10B12/053—Making the transistor the transistor being at least partially in a trench in the substrate
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B5/00—Compression machines, plants or systems, with several evaporator circuits, e.g. for varying refrigerating capacity
- F25B5/02—Compression machines, plants or systems, with several evaporator circuits, e.g. for varying refrigerating capacity arranged in parallel
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B39/00—Evaporators; Condensers
- F25B39/02—Evaporators
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B43/00—Arrangements for separating or purifying gases or liquids; Arrangements for vaporising the residuum of liquid refrigerant, e.g. by heat
- F25B43/003—Filters
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B43/00—Arrangements for separating or purifying gases or liquids; Arrangements for vaporising the residuum of liquid refrigerant, e.g. by heat
- F25B43/02—Arrangements for separating or purifying gases or liquids; Arrangements for vaporising the residuum of liquid refrigerant, e.g. by heat for separating lubricants from the refrigerant
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B2400/00—General features or devices for refrigeration machines, plants or systems, combined heating and refrigeration systems or heat-pump systems, i.e. not limited to a particular subgroup of F25B
- F25B2400/01—Heaters
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B2600/00—Control issues
- F25B2600/25—Control of valves
- F25B2600/2521—On-off valves controlled by pulse signals
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B2700/00—Sensing or detecting of parameters; Sensors therefor
- F25B2700/21—Temperatures
- F25B2700/2115—Temperatures of a compressor or the drive means therefor
- F25B2700/21151—Temperatures of a compressor or the drive means therefor at the suction side of the compressor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にデザインルールの減少に伴うチャンネル長の縮小にもパンチスルー、電界及びボディ効果を効果的に改良するためゲート下部に絶縁膜を埋め込み、SOIチャンネル領域を形成するよう半導体素子を設計することにより、ショートチャンネル効果と接合漏洩電流を減少させ素子の性能を改良することができる技術である。
【選択図】図2
Description
図1(a)に示されているように、半導体基板10の上部にパッド酸化膜13とパッド窒化膜15を形成した後、素子分離マスク(図示省略)でパッド窒化膜15、パッド酸化膜13及び所定厚さの半導体基板10を食刻してトレンチ20を形成する。
(a)パッド絶縁膜が備えられた半導体基板に格納電極コンタクト領域を画成する素子分離構造を形成し、素子分離構造は第1の酸化膜/窒化膜/第2の酸化膜の積層構造でなる段階と、(b)ビットラインコンタクト領域の素子分離構造を除去して半導体基板を露出する段階と、(c)ビットラインコンタクト領域で露出した窒化膜を除去してビットラインコンタクト領域に隣接した素子分離構造の間にチャンネル空間を形成する段階と、(d)露出した半導体基板をシード層にしてビットラインコンタクト領域とチャンネル空間を埋め込むSEG(Selective Epitaxial Growth)層を形成する段階と、(e)ゲート領域で第2の酸化膜を除去してリセスを画成する段階と、(f)リセスの表面にゲート絶縁膜を形成する段階と、(g)前記ゲート絶縁膜の上部にリセスを埋め込む平坦化されたゲート導電層を形成した後、ゲート導電層の上部にハードマスク層を形成する段階と、(h)ゲートマスクにハードマスク層及びゲート導電層をパターニングしてゲート構造物を形成する段階とを含むことを特徴とする。
(a-1)格納電極コンタクトマスクを利用して前記パッド絶縁膜を備えた前記半導体基板の所定厚さを食刻して格納電極コンタクト領域を画成し、前記半導体基板から第1の深さを有するトレンチを形成する段階と、
(a-2)前記トレンチ側壁と上部に前記第1の酸化膜を形成する段階と、
(a-3)前記第1の酸化膜を食刻し、前記第1の酸化膜の上部表面が前記半導体基板の上部表面から前記第1の深さより小さい第2の深さまで整合される段階と、
(a-4)前記第1の酸化膜上部と前記トレンチ内部に前記窒化膜を形成する段階と、
(a-5)前記窒化膜を食刻し、前記窒化膜の上部表面が前記半導体基板の上部表面から前記第2の深さより小さい第3の深さまで整合される段階と、
(a-6)前記窒化膜の上部に少なくとも前記トレンチを埋め込む前記第2の酸化膜を形成する段階と、
(a-7)前記トレンチ外部に残存する前記第2の酸化膜を除去して前記素子分離構造を形成する段階と
をさらに含むことが好ましい。
また、前記ビットラインコンタクト領域内の前記素子分離構造に対する食刻工程は乾式食刻方法で行われることが好ましい。
また、前記第2の酸化膜に対する除去工程は湿式食刻方法で行われることが好ましい。
図2(a)〜図2(h)は、本発明の一つの実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示す断面図である。
以後の工程はゲート側壁絶縁膜の形成、S/D領域の形成、コンタクトプラグの形成、ビットラインコンタクト及びビットラインの形成、キャパシタコンタクト及びキャパシタの形成、金属配線コンタクト及び金属配線の形成のような一般的なトランジスタの製造工程を行って半導体素子を完成する。
113 パッド酸化膜
115 パッド窒化膜
120 トレンチ
123 第1の酸化膜
125 窒化膜
127 第2の酸化膜
130 素子分離構造
135 ビットラインコンタクト領域
140、153 感光膜パターン
145 チャンネル空間
150 SEG層
155 ゲート領域
160 ゲート絶縁膜
170 ゲート電極
180 ハードマスク層パターン
190 ゲート構造物
Claims (12)
- (a)パッド絶縁膜が備えられた半導体基板に格納電極コンタクト領域を画成する素子分離構造を形成し、前記素子分離構造は第1の酸化膜/窒化膜/第2の酸化膜の積層構造でなる段階と、
(b)ビットラインコンタクト領域の前記素子分離構造を除去して前記半導体基板を露出する段階と、
(c)前記ビットラインコンタクト領域で露出した窒化膜を除去し、前記ビットラインコンタクト領域に隣接した前記素子分離構造の間にチャンネル空間を形成する段階と、
(d)前記露出した半導体基板をシード層にして前記ビットラインコンタクト領域と前記チャンネル空間を埋め込むSEG層を形成する段階と、
(e)ゲート領域で前記第2の酸化膜を除去してリセスを画成する段階と、
(f)前記リセスの表面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
(g)前記ゲート絶縁膜の上部に前記リセスを埋め込む平坦化されたゲート導電層を形成した後、前記ゲート導電層の上部にハードマスク層を形成する段階と、
(h)ゲートマスクに前記ハードマスク層及び前記ゲート導電層をパターニングしてゲート構造物を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記(a)段階は
(a-1)格納電極コンタクトマスクを利用して前記パッド絶縁膜を備えた前記半導体基板の所定厚さを食刻して格納電極コンタクト領域を画成し、前記半導体基板から第1の深さを有するトレンチを形成する段階と、
(a-2)前記トレンチ側壁と上部に前記第1の酸化膜を形成する段階と、
(a-3)前記第1の酸化膜を食刻し、前記第1の酸化膜の上部表面が前記半導体基板の上部表面から前記第1の深さより小さい第2の深さまで整合される段階と、
(a-4)前記第1の酸化膜上部と前記トレンチ内部に前記窒化膜を形成する段階と、
(a-5)前記窒化膜を食刻し、前記窒化膜の上部表面が前記半導体基板の上部表面から前記第2の深さより小さい第3の深さまで整合される段階と、
(a-6)前記窒化膜の上部に少なくとも前記トレンチを埋め込む前記第2の酸化膜を形成する段階と、
(a-7)前記トレンチ外部に残存する前記第2の酸化膜を除去して前記素子分離構造を形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記トレンチの深さは2500〜3500Åであることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の酸化膜に対する食刻工程は等方性乾式または湿式方法で行われることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記窒化膜に対する食刻工程は等方性食刻方法またはエッチバック方法で行われることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜の厚さは各々1000〜2000Åであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記窒化膜はPE-nitrideであり、その厚さは50〜150Åであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ビットラインコンタクト領域内の前記素子分離構造に対する食刻工程は乾式食刻方法で行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記パッド絶縁膜及び前記窒化膜に対する食刻工程は燐酸(H3PO4)を利用した湿式食刻方法で行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- フッ酸(HF)を利用して前記チャンネル空間を洗浄する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記素子分離構造の上部を露出するまで前記SEG層を平坦化食刻する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の酸化膜に対する除去工程は湿式食刻方法で行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060006969A KR100745917B1 (ko) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 반도체 소자의 제조 방법 |
KR10-2006-0006969 | 2006-01-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007201395A true JP2007201395A (ja) | 2007-08-09 |
JP5113347B2 JP5113347B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=38286064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006143052A Expired - Fee Related JP5113347B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-05-23 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7358144B2 (ja) |
JP (1) | JP5113347B2 (ja) |
KR (1) | KR100745917B1 (ja) |
CN (1) | CN100517647C (ja) |
TW (1) | TWI301655B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100605500B1 (ko) * | 2005-03-03 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 라인형 활성영역을 갖는 반도체소자들 및 그 제조방법들 |
EP1927633A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Seiko Epson Corporation | Ink composition, two-pack curing ink composition set, and recording method and recorded matter using these |
KR100894101B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2009-04-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
KR101035393B1 (ko) * | 2008-11-06 | 2011-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
US7767526B1 (en) * | 2009-01-29 | 2010-08-03 | Alpha & Omega Semiconductor Incorporated | High density trench MOSFET with single mask pre-defined gate and contact trenches |
KR101061264B1 (ko) | 2009-02-27 | 2011-08-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8232179B2 (en) | 2009-10-01 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Method to improve wet etch budget in FEOL integration |
KR101827549B1 (ko) * | 2011-01-03 | 2018-03-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
US8877582B2 (en) | 2013-02-20 | 2014-11-04 | Globalfoundries Inc. | Methods of inducing a desired stress in the channel region of a transistor by performing ion implantation/anneal processes on the gate electrode |
KR102270361B1 (ko) | 2014-08-04 | 2021-06-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US10056461B2 (en) | 2016-09-30 | 2018-08-21 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Composite masking self-aligned trench MOSFET |
CN107068683B (zh) * | 2017-03-07 | 2018-07-20 | 睿力集成电路有限公司 | 存储器及其制备方法 |
KR102552464B1 (ko) | 2018-11-19 | 2023-07-06 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252268A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Samsung Electronics Co Ltd | ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0834242B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1996-03-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6150219A (en) * | 1998-11-19 | 2000-11-21 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating a high bias device |
KR100379612B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2003-04-08 | 삼성전자주식회사 | 도전층을 채운 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 및 그형성 방법 |
KR100428806B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자분리 구조체 및 그 형성 방법 |
US7081398B2 (en) * | 2001-10-12 | 2006-07-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a conductive line |
US6696349B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-02-24 | Infineon Technologies Richmond Lp | STI leakage reduction |
KR100539276B1 (ko) * | 2003-04-02 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 게이트 라인을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
KR100577562B1 (ko) * | 2004-02-05 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 핀 트랜지스터 형성방법 및 그에 따른 구조 |
KR100673104B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 트랜지스터 형성방법 |
-
2006
- 2006-01-23 KR KR1020060006969A patent/KR100745917B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-04 TW TW095111906A patent/TWI301655B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-04-10 US US11/279,164 patent/US7358144B2/en active Active
- 2006-04-26 CN CNB2006100770492A patent/CN100517647C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 JP JP2006143052A patent/JP5113347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252268A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Samsung Electronics Co Ltd | ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5113347B2 (ja) | 2013-01-09 |
TW200729409A (en) | 2007-08-01 |
CN100517647C (zh) | 2009-07-22 |
US7358144B2 (en) | 2008-04-15 |
KR100745917B1 (ko) | 2007-08-02 |
KR20070077386A (ko) | 2007-07-26 |
US20070173015A1 (en) | 2007-07-26 |
TWI301655B (en) | 2008-10-01 |
CN101009242A (zh) | 2007-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5113347B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
US7141456B2 (en) | Methods of fabricating Fin-field effect transistors (Fin-FETs) having protection layers | |
KR100673133B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100610421B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100701701B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
KR100702315B1 (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
KR100541054B1 (ko) | 하드마스크 스페이서를 채택하여 3차원 모오스 전계효과트랜지스터를 제조하는 방법 | |
KR100680429B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP2008294392A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
KR101024771B1 (ko) | 매립 워드라인을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP4634877B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR20080089016A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100900237B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조방법 | |
KR100586553B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 및 이의 형성 방법 | |
KR100745882B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 | |
KR100670748B1 (ko) | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 | |
KR101088818B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR100626908B1 (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR100744654B1 (ko) | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 | |
JP4726612B2 (ja) | チャネル長の長い半導体素子の製造方法 | |
KR20070003068A (ko) | 리세스채널을 갖는 반도체소자의 제조방법 | |
KR100876833B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 형성 방법 | |
KR20080090815A (ko) | 반도체소자의 핀형 게이트 및 그 형성방법 | |
KR101024754B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 형성 방법 | |
KR100649836B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121012 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |