JP2007189096A - 半導体装置及びその検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板110に形成された複数の絶縁分離トレンチ120(121〜124)により、素子領域130が多重に囲繞された半導体装置100であって、基板110は、隣接する絶縁分離トレンチ間に構成されるトレンチ間領域140を少なくとも1つ有しており、素子領域130、トレンチ間領域140(141〜143)、フィールド領域150の各領域は、絶縁分離トレンチ120の欠陥検査前の状態で、間に絶縁分離トレンチ120を2つ挟む位置関係にある領域同士が同一の電極パッドに電気的に接続されるように、各領域が2つの電極パッド160,161のいずれか一方に電気的に接続されており、絶縁分離トレンチ120の欠陥検査後の状態で、各領域がそれぞれ電気的に分離されている。
【選択図】図1
Description
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の平面レイアウトの要部が模式的に示された図である。図2は、半導体装置の要部の断面構造が模式的に示された図である。
110・・・半導体層(基板)
111・・・絶縁層
120(121〜124)・・・絶縁分離トレンチ
130・・・素子領域
140(141〜143)・・・トレンチ間領域
150・・・フィールド領域(絶縁分離トレンチの外側領域)
160,161・・・電極
170〜174・・・配線
180・・・分離領域
181〜185・・・薄膜抵抗
Claims (10)
- 基板に形成された絶縁分離トレンチにより、素子領域が囲繞された半導体装置であって、
前記絶縁分離トレンチは、前記素子領域を多重に取り囲むように複数形成され、前記基板は、隣接する前記絶縁分離トレンチ間に構成される領域を少なくとも1つ有しており、
前記素子領域、前記絶縁分離トレンチ間の領域、前記絶縁分離トレンチの外側領域の各領域は、前記絶縁分離トレンチの欠陥検査前の状態で、間に前記絶縁分離トレンチを2つ挟む位置関係にある前記領域同士が同一の電極に電気的に接続され、前記各領域が前記電極を含む2つの電極のいずれか一方に配線を介して電気的に接続されており、前記絶縁分離トレンチの欠陥検査後の状態で、前記各領域がそれぞれ電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板は、絶縁層を介して支持基板上に配置された半導体層であり、
前記絶縁分離トレンチは、前記絶縁層に接続される態様で延設されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電極と接続される配線の少なくとも1つには、前記絶縁分離トレンチの欠陥検査前の状態で、前記配線の他の領域よりも切断されやすい態様の分離領域が設けられており、
前記絶縁分離トレンチの欠陥検査後の状態で、前記配線は前記分離領域にて分離されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記配線の分離領域は、前記配線間に薄膜抵抗が接続されてなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記絶縁分離トレンチの外側領域は、前記絶縁分離トレンチの欠陥検査後においても、前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載の半導体装置。
- 基板に形成された絶縁分離トレンチにより、素子領域が囲繞された半導体装置において、前記絶縁分離トレンチの欠陥を検査する半導体装置の検査方法であって、
前記絶縁分離トレンチは、前記素子領域を多重に取り囲むように複数形成され、前記基板は、隣接する前記絶縁分離トレンチ間に構成される領域を少なくとも1つ有しており、
前記素子領域、前記絶縁分離トレンチ間の領域、前記絶縁分離トレンチの外側領域の各領域を、間に前記絶縁分離トレンチを2つ挟む位置関係にある前記領域同士が1つの電極に電気的に接続されるように、前記電極を含む2つの電極のいずれか一方に配線を介して電気的に接続し、2つの前記電極に所定電圧を印加して前記絶縁分離トレンチの欠陥を検査するとともに、
前記絶縁分離トレンチの欠陥検査後に、前記各領域をそれぞれ電気的に分離することを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 前記基板は、絶縁層を介して支持基板上に配置された半導体層であり、
前記絶縁分離トレンチは、前記絶縁層に接続される態様で延設されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の検査方法。 - 前記電極と接続される配線の少なくとも1つには、前記絶縁分離トレンチの欠陥検査前の状態で、前記配線の他の領域よりも切断されやすい態様の分離領域が設けられており、
前記絶縁分離トレンチの欠陥検査後、前記配線が前記分離領域にて分離されることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体装置の検査方法。 - 前記配線の分離領域は、前記配線間に薄膜抵抗が接続されてなることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の検査方法。
- 前記絶縁分離トレンチの外側領域は、前記絶縁分離トレンチの欠陥検査後においても、前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項6〜9いずれか1項に記載の半導体装置の検査方法。
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