JP2007183452A - Translucent liquid crystal display device - Google Patents

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Takanari Hirose
Shunichi Nakajima
Kaoru Takeda
俊一 中島
敬也 廣瀬
薫 武田
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Epson Imaging Devices Corp
エプソンイメージングデバイス株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a translucent liquid crystal display device wherein adhesiveness between an organic interlayer film or an insulating layer made of SiN and an ITO layer is improved and electrochemical corrosion is eliminated and which has a transparent conductive layer made of the ITO layer whose end surface has a normal taper shape. <P>SOLUTION: When the transparent conductive layer 31 made of an ITO is formed on the surface of the organic interlayer film 19 or the insulating layer 22 made of a silicon nitride in the translucent liquid crystal display device 10, after a reflection plate is previously formed at a reflection part of the organic interlayer film 19, a modification layer 34 or 35 is formed on the surface of the organic interlayer film 19 or the insulating layer 22 made of the silicon nitride, the transparent conductive layer 31 made of an amorphous ITO is formed on the modification layer 34 or 35 and then etched in a prescribed pattern so that the end part thereof has the normal taper shape, and then the amorphous ITO is converted into a polycrystalline ITO. Plasma treatment with He or a plasma CVD method can be adopted for forming the modification layer 34 or 35. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半透過型液晶表示装置に関し、特に有機層間膜ないし窒化珪素からなる絶縁層とITOからなる透明導電性膜との間の接着強度が強固で剥離し難く、しかも製造工程において電蝕が発生し難い半透過型液晶表示装置に関する。 The present invention relates to transflective liquid crystal display device, it is difficult in particular adhesion strength between the transparent conductive film made of an organic interlayer film or insulating layer and the ITO made of silicon nitride is stripped strong, yet in the manufacturing process electrolytic corrosion There about transflective liquid crystal display device which hardly occurs.

まず、従来例の半透過型表示装置としてアクティブマトリクス型の半透過型液晶表示装置を例にとり、その数画素部分の平面図である図3及び図3のA−A断面図である図4を参照して簡単に説明する。 First, as a semi-transmissive display device in the prior art takes a transflective liquid crystal display device of active matrix type as an example, Figure 4 is an A-A sectional view of FIG. 3 and FIG. 3 is a plan view of several pixels parts thereof It will be briefly described with reference.

従来の半透過型液晶表示装置10は、第1の透光性基板11上にマトリクス状に設けられた走査線 Xn、Xn+1・・・と信号線Ym、Ym+1・・・で囲まれた領域毎に画素電極12が設けられているとともに、この画素電極12の反射部の下部にはアルミニウム又は銀等の金属からなる反射板24が形成されている。 Conventional semi-transmissive liquid crystal display device 10, the scanning lines provided on the first light-transmissive substrate 11 in a matrix Xn, Xn + 1 · · · and the signal line Ym, surrounded by Ym + 1 · · · together with the pixel electrode 12 for each region is provided which, reflector 24 made of metal such as aluminum or silver is formed in a lower portion of the reflective part of the pixel electrode 12. また、画素電極12は駆動用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)TFTからなる画素トランジスタ14に接続されている。 The pixel electrode 12 is connected to the pixel transistor 14 consisting of a thin film transistor for driving (Thin Film Transistor) TFT.

TFTは絶縁ゲート型電界効果トランジスタからからなり、そのソース電極Sは信号線Ym、Ym+1・・・に接続されて画像信号Vsの供給を受け、また、ドレイン電極Dはコンタクトホール17を経て画素電極12に接続されている。 TFT consists of an insulated gate field effect transistor, the source electrode S is signal line Ym, are connected to Ym + 1 · · · supplied with image signals Vs, The drain electrode D is via a contact hole 17 It is connected to the pixel electrode 12. 更に、TFTのゲート電極G Furthermore, the gate electrode G of the TFT
は走査線Xn、Xn+1・・・に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスVgが印加されるようになされている。 Have been made so that the gate pulse Vg of the scan line Xn, and is connected to Xn + 1 · · · having a predetermined voltage is applied.

なお、ここに示した液晶表示装置10においては、図4に示したように、各TFT、走査線Xn、Xn+1・・・及び信号線Ym、Ym+1・・・を覆うように、第1の透光性基板11の表示領域全体に窒化硅素層(以下、SiN層という。)からなる絶縁層22を介して層間膜19が所定の高さとなるように設けられており、それぞれの画素毎に反射部の層間膜19上には反射板24を介して画素電極12が設けられているとともに透過部領域には層間膜19の表面に直接画素電極12が設けられている。 In the liquid crystal display device 10 shown here, as shown in FIG. 4, each TFT, the scanning line Xn, Xn + 1 ··· and the signal line Ym, so as to cover the Ym + 1 · · ·, a silicon nitride layer over the entire display area of ​​the first light-transmitting substrate 11 interlayer film 19 through the insulating layer 22 made of (hereinafter, referred to as SiN layer.) is provided to a predetermined height, each direct pixel electrode 12 on the surface of the interlayer film 19 in the transmissive region with the pixel electrode 12 via the reflecting plate 24 is formed on the interlayer film 19 of the reflective portion in each pixel is provided is provided. なお、反射部の層間膜19の表面は反射光を拡散光とするために表面が僅かに凹凸状態となるようになされているが、 The surface of the interlayer film 19 of the reflective portion is made such that the surface is slightly uneven state to the reflected light and diffused light, but
この凹凸状態は図示省略した。 This irregularity was not shown.

更に、第2の透光性基板15にはカラーフィルタ層CFを介して共通電極16が設けられているとともに、反射部のセルギャップを透過部領域のセルギャップの半分となるようにするためのトップコート層23が設けられている。 Further, the second light-transmitting substrate 15 with common electrode 16 through the color filter layer CF is formed, a cell gap of the reflection portion transmission unit area for such a half of the cell gap the top coat layer 23 is provided. そして、画素電極12と共通電極1 The common and pixel electrode 12 electrode 1
6との間には液晶20が封入されている。 The liquid crystal 20 is sealed between the 6.

この画素電極12及び共通電極16は、通常は透明なITO層から形成されている。 The pixel electrode 12 and common electrode 16 is normally formed of a transparent ITO layer. このITO層は、高温雰囲気でスパッタリング方法によって成膜することで多結晶状態の膜とすることができ、得られた多結晶ITO層は、透過率が高くかつ低抵抗であるため、透明電極として優れている。 The ITO layer may be a film of a polycrystalline state by forming a film by a sputtering method at high temperature atmosphere, the resulting polycrystalline ITO layer, since transmittance is high and low resistance, as a transparent electrode Are better. しかしながら、液晶表示装置においては、成膜したITO層を個別の電極形状にエッチングしてパターニングする必要があるが、透明電極として優れた上述の多結晶状態のITO層はエッチングレートが低いためエッチングに時間がかかる。 However, in the liquid crystal display apparatus, a film forming an ITO layer is etched to separate the electrode shape needs to be patterned, ITO layer of polycrystalline state above excellent as a transparent electrode for etching has a low etching rate take time.

一方、アモルファス状態のITO層はエッチングレートが高いため、これを採用することでエッチング時間を短縮することが可能となるが、アモルファスITO層は、高抵抗かつ低透過率であり、電極としての特性が劣るという問題がある。 On the other hand, since ITO layer in the amorphous state has high etching rate, but it is possible to shorten the etching time by employing the same, the amorphous ITO layer is a high resistance and low transmittance characteristics as an electrode there is a problem that it is inferior.

そこで、下記特許文献1には、ITO層を常温かつ水添加雰囲気で成膜し、成膜後、1 Therefore, the following Patent Document 1, was deposited an ITO layer at room temperature and water added atmosphere, after the deposition, 1
80℃程度以上、1時間程度以上の熱処理を施すことにより、アモルファス状態のITO 80 ° C. of about above, by performing the above heat treatment for about 1 hour, the amorphous ITO
層を作製し、この状態で高いエッチングレートにて所望パターンを形成し、その後、18 To produce a layer, to form a desired pattern at a high etching rate in this state, then, 18
0℃程度以上(例えば、220℃程度)の温度で1時間程度以上(例えば1時間程度〜3 0 ℃ about more (e.g., about 220 ° C.) over about 1 hour at a temperature of (for example, about 1 hour to 3
時間程度)の熱処理を施すことで、ITO層を多結晶化し、かつ膜の抵抗を低下させ、透過率を高めるITO層の製造方法の発明が開示されている。 By performing the heat treatment time approximately), an ITO layer was polycrystalline, and reduce the resistance of the membrane, the invention of the method for manufacturing the ITO layer to enhance the transmittance is disclosed.
特開2003−016858号公報 JP 2003-016858 JP 特開2001−255543号公報 JP 2001-255543 JP

しかしながら、一般に層間膜19はポリイミド等の絶縁性の有機樹脂膜から作製されるが、この層間膜19上にアモルファスITO層を設ける場合は、層間膜形成時及びアモルファスITO層形成時に焼成工程があるため、有機樹脂膜からガスが発生するので、アモルファスITO層との密着性が悪くなる。 However, in general the interlayer film 19 is made from an insulating organic resin film such as polyimide, the case where the amorphous ITO layer on the interlayer film 19, there is a firing process at an interlayer film forming time and the amorphous ITO layer formed Therefore, since gas is generated from the organic resin film, adhesiveness with the amorphous ITO layer is deteriorated. また、アモルファスITO層の形成時には基板表面にSiN層からなる絶縁層が露出している部分が存在するが、この部分においてもアモルファスITO層の付着性が良好でない。 Although at the time of forming the amorphous ITO layer is present the portion insulating layer made of SiN layer on the substrate surface is exposed, is not good adhesion of the amorphous ITO layer in this portion. そのため、アモルファスITO層をウェットエッチングする場合、有機層間膜又はSiNからなる絶縁層上のアモルファスITO層が逆テーパ形状にエッチングされてしまうことが確認された。 Therefore, when the wet etching the amorphous ITO layer, it was confirmed that the amorphous ITO layer on an insulating layer made of an organic interlayer film or SiN is etched in a reverse tapered shape.

この状態を図5及び図6を用いて説明する。 This state will be described with reference to FIGS. なお、図5はポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスITO層のエッチング状態を示す断面図であり、図6はSiN Note that FIG. 5 is a sectional view showing the etching state of the amorphous ITO layer provided on the surface of the interlayer film made of polyimide, 6 SiN
からなる絶縁層の表面に設けたアモルファスITO層のエッチング状態を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the etching state of the amorphous ITO layer provided on the surface of the insulating layer made of.

まず、層間膜19の表面に上記特許文献1に開示されている方法と同様の方法でアモルファスITO層31を成膜し、このアモルファスITO層31の表面に所定のパターンとなるようにフォトレジスト膜32を設け、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスITO層31の露出面を湿式エッチングすると、図5に示すように、アモルファスI First, forming an amorphous ITO layer 31 in a manner similar to that disclosed in the surface of the interlayer film 19 in the above Patent Document 1, a photoresist film in a prescribed pattern on the surface of the amorphous ITO layer 31 32 is provided, when wet etching the exposed surface of the amorphous ITO layer 31 by a mixed etchant of hydrochloric acid and nitric acid, as shown in FIG. 5, an amorphous I
TO層31には端面が逆テーパ状となっているサイドエッチング部d1が形成される。 The TO layer 31 side etching part d1 which end face has a reverse tapered shape are formed. 同様にして、SiN層22の表面にアモルファスITO層31を成膜した後にフォトレジスト膜32を設け、湿式エッチングすると、図6に示すように、アモルファスITO層31 Similarly, a photoresist film 32 is provided after forming the amorphous ITO layer 31 on the surface of the SiN layer 22, the wet etching, as shown in FIG. 6, the amorphous ITO layer 31
には端面が逆テーパ状となっているサイドエッチング部d2が形成される。 Side etching portions d2 which end face has a reversely tapered shape is formed in the.

このようにアモルファスITO層31の端面に逆テーパ状態が形成されると、アモルファスITO層31の多結晶ITO層化、フォトレジスト膜32の除去、その他の製造段階を順に経るに従い、製品として出荷される頃には、多結晶ITOからなる透明導電層と有機層間膜ないしはSiNからなる絶縁膜との間の付着強度の低下及び電蝕(上記特許文献2参照)という不都合が発生することが知られている。 With such a reverse tapered state to the end surface of the amorphous ITO layer 31 is formed, a polycrystalline ITO layering the amorphous ITO layer 31, removal of the photoresist film 32, in accordance undergo other manufacturing steps in sequence, it is shipped as a product that the time is disadvantageously lowered and electrolytic corrosion (see Patent Document 2) adhesion strength between the insulating film formed of a transparent conductive layer and the organic interlayer film or SiN of polycrystalline ITO is known to occur ing.

本願の発明者等は、上記のような付着強度低下及び電蝕という問題点は有機層間膜ないしはSiNからなる絶縁膜上に設けられたアモルファスITO層の湿式エッチングの際に生じる端面が順テーパ状にエッチングされれば生じないことから、このような順テーパ状にエッチングできる条件を得るべく種々実験を重ねた結果、有機層間膜ないしはSiNからなる絶縁膜の表面に変性層を形成させると順テーパ状にエッチングできること、及び、 The inventors of the present application, the adhesion strength decreases and a problem that electrical corrosion as described above the end face forward tapered shape occurring during the wet etching of the amorphous ITO layer provided on an insulating film made of an organic interlayer film or SiN since no if it is etched, such forward tapered shape result of various experiments to obtain the etching can condition, when forming a modified layer on the surface of the insulating film made of an organic interlayer film or SiN a forward taper It can be etched into Jo, and,
反射板を層間絶縁膜の変性層上に設けると却って反射板の付着強度が弱くなることから、 The adhesive strength when providing the reflecting plate on the modified layer of the interlayer insulating film rather reflector since weakens,
反射板自体は層間絶縁膜の表面に直接設ければよいことを見出し、本発明を完成するに至ったのである。 Reflector itself found that may be provided directly on the surface of the interlayer insulating film, it was accomplished the present invention.

すなわち、本発明は、有機層間膜と反射板との間の付着強度が高い状態を維持しながら、有機層間膜ないしはSiNからなる絶縁膜とITO層との間の密着性を改善するとともに電蝕が生じないようにした、端面が順テーパ状のITO層からなる透明導電層を有する半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。 That is, the present invention is an electrolytic corrosion as well as improving the adhesion between the adhesion strength while maintaining a high state, the insulating film and the ITO layer made of an organic interlayer film or SiN between the organic interlayer film reflector and to provide said on without causing a transflective liquid crystal display device having a transparent conductive layer end surface is the forward tapered ITO layer.

上記目的を達成するため、請求項1に係る半透過型液晶表示装置の発明は、それぞれの画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、前記有機層間膜及び反射板の表面にITO(Indium Tin Oxide)からなる透明導電層が設けられている半透過型液晶表示装置において、前記有機層間膜とITOからなる透明導電層との間には前記有機層間膜の変性層が設けられ、前記変性層上のITOからなる透明導電層の端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする。 To achieve the above object, the present invention is a transflective liquid crystal display device according to claim 1, together with directly on a part of the surface of the organic interlayer film reflective plate is provided for each pixel, the organic interlayer film and the transflective liquid crystal display device having a transparent conductive layer made of ITO (Indium Tin Oxide) is provided on the surface of the reflector, the organic interlayer film between the transparent conductive layer made of the organic interlayer film and ITO modified layer is provided in an end portion of the transparent conductive layer made of ITO on the modified layer is characterized in that has a forward tapered state.

また、請求項2の発明は、請求項1に記載の半透過型液晶表示装置において、前記変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜表面を不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたものであることを特徴とする。 The invention of claim 2 is the transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the modified layer, after forming the reflective plate on the organic interlayer film, the organic interlayer film surface passivating characterized in that it is one that is formed by plasma treatment with a gas.

また、請求項3の発明は、請求項1に記載の半透過型液晶表示装置において、前記変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマCVD法により前記有機層間膜上に形成されたものであることを特徴とする。 The invention of claim 3 is the transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the modified layer, after forming the reflection plate, wherein the organic by a plasma CVD method a carrier gas an inert gas and characterized in that formed on the interlayer film.

また、請求項4の発明は、請求項1に記載の半透過型液晶表示装置において、前記IT Further, the invention of claim 4, in the transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the IT
Oからなる透明導電層は、アモルファスITOからなる透明導電層を形成した後に所定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ITO化されたものであることを特徴とする。 Transparent conductive layer made of O is etched into a predetermined pattern after forming the transparent conductive layer made of an amorphous ITO, it is characterized in that which is subsequently polycrystalline ITO reduction.

また、請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置において、前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする。 The invention of claim 5 is the transflective liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, the surface of the organic interlayer film of the lower portion of the reflector is characterized by having an irregular shape .

更に、請求項6に係る半透過型液晶表示装置の発明は、それぞれの画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、前記有機層間膜及び反射板の表面にITOからなる透明導電層が設けられており、更に窒化硅素からなる絶縁層の表面にもITOからなる透明導電層が設けられている半透過型液晶表示装置において、前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層とITOからなる透明導電層との間にはそれぞれ前記有機層間膜又は窒化珪素の変性層が設けられ、前記変性層上のITOからなる透明導電層の端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする。 Further, the invention of the transflective liquid crystal display device according to claim 6, in conjunction with direct a portion of the surface of the organic interlayer film reflective plate is provided for each pixel, a surface of the organic interlayer film and the reflector in the transflective liquid crystal display device a transparent conductive layer made of ITO is provided with, the transparent conductive layer further composed of ITO on the surface of the insulating layer made of silicon nitride is provided on the organic interlayer film and silicon nitride modified layer of each of the organic interlayer film or silicon nitride between the insulating layer and the transparent conductive layer of ITO consisting of are provided, the ends of the transparent conductive layer made of ITO on the modified layer is the forward tapered state It is characterized in that is.

また、請求項7に係る発明は、請求項6に記載の半透過型液晶表示装置において、前記変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層を不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたものであることを特徴とする。 The invention according to claim 7 is the transflective liquid crystal display device according to claim 6, wherein the modified layer, after forming the reflective plate on the organic interlayer film, the organic interlayer film and silicon nitride characterized in that the insulating layer made of those formed by plasma treatment with inert gas.

また、請求項8に係る発明は、請求項6に記載の半透過型液晶表示装置において、前記変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマCVD The invention according to claim 8, in the transflective liquid crystal display device according to claim 6, wherein the modified layer, after forming the reflection plate, a plasma CVD which the inert gas as a carrier gas
法により前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層上に形成されたものであることを特徴とする。 And characterized in that formed in the insulating layer made of the organic interlayer film and silicon nitride by law.

また、請求項9に係る発明は、請求項6に記載の半透過型液晶表示装置において、前記ITOからなる透明導電層は、アモルファスITOからなる透明導電層を形成した後に所定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ITO化されたものであることを特徴とする。 The invention according to claim 9, in the transflective liquid crystal display device according to claim 6, a transparent conductive layer made of the ITO is etched into a predetermined pattern after forming the transparent conductive layer made of an amorphous ITO , characterized in that it is one that is subsequently polycrystalline ITO reduction.

また、請求項10に係る発明は、請求項6〜9のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置において、前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする。 The invention according to claim 10, in the transflective liquid crystal display device according to any one of claims 6-9, the surface of the organic interlayer film at the bottom of the reflector and characterized in that it has an irregular shape to.

本発明は上記の構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。 The present invention is by having the configuration described above, excellent effects as described below. すなわち、請求項1に係る発明によれば、ITOからなる透明電極は有機層間膜の表面に設けられた変性層上に設けられているとともに端部が順テーパ状態となっているから、IT That is, according to the invention according to claim 1, since the end portion with a transparent electrode made of ITO is provided on the modified layer formed on the surface of the organic interlayer film is a forward tapered state, IT
Oからなる透明電極と有機層間膜との間の付着強度が大きく、電蝕が生じない半透過型液晶表示装置が得られる。 Adhesion strength between the transparent electrode and an organic layer film consisting of O is large, the electrolytic corrosion transflective liquid crystal display device is obtained which does not cause. 加えて、反射板は、有機層間膜の表面に直接設けられているので、付着強度が低下することがない。 In addition, reflector, since provided directly on the surface of the organic interlayer film, adhesion strength is not lowered. なお、請求項1に係る発明における透明導電層は、それぞれの画素毎に設けられる画素電極以外に、透明な導電性配線として設けられている部分も含む。 The transparent conductive layer in the invention according to claim 1, in addition to a pixel electrode provided for each pixel, including the portion which is provided as a transparent conductive wire.

また、請求項2及び3に係る発明によれば、反射板と有機層間膜との間の付着強度が大きい状態を維持することができるとともに、有機層間膜の表面を変性させること(請求項2)、ないしは、有機層間膜の表面に変性層を積層することができ(請求項3)るため、 Further, the invention according to claims 2 and 3, it is possible to maintain the state adhesive strength is large between the reflector and the organic interlayer film, thereby modifying the surface of the organic interlayer film (claim 2 ), or can be laminated modified layer on the surface of the organic interlayer film (claim 3) because,
熱的に安定しているとともにITOとの付着強度の強い変性層が得られる。 Strong modified layer of adhesion strength between the ITO with thermally stable can be obtained.

また、請求項4の発明によれば、アモルファスITO層は多結晶ITOよりもエッチングレートが高いため、エッチング時間を短縮することが可能となり、また、多結晶ITO Further, according to the invention of claim 4, the amorphous ITO layer has high etch rate than the polycrystalline ITO, it is possible to shorten the etching time, also, the polycrystalline ITO
層はアモルファスITO層よりも低抵抗でかつ高透過率であるため、製造時間を短縮でき、しかも、光学特性及び電気特性に優れた半透過型液晶表示装置が得られる。 Since the layer is, high transmittance and low resistivity than the amorphous ITO layer, can reduce the manufacturing time, moreover, the transflective liquid crystal display device having excellent optical properties and electrical properties.

また、請求項5の発明によれば、反射板で反射される光が凹凸によって拡散されるため、反射部の視野角が広く、明るい表示の半透過型液晶表示装置が得られる。 Further, according to the invention of claim 5, since the light reflected by the reflecting plate is diffused by the irregularities, wide viewing angle of the reflecting portion, a bright display of the transflective liquid crystal display device is obtained.

更に、請求項6に係る発明によれば、ITOからなる透明電極は有機層間膜もしくは窒化珪素からなる絶縁層の表面に設けられた変性層上に設けられているとともに端部が順テーパ状態となっているから、ITOからなる透明電極と有機層間膜又は窒化珪素からなる絶縁層との間の付着強度が大きく、電蝕が生じない表示装置が得られる。 Furthermore, according to the invention of claim 6, the end portion together with the transparent electrode made of ITO is provided on the organic interlayer film or modified layer provided on the surface of the insulating layer made of silicon nitride and the forward tapered state because going on, adhesion strength between the transparent electrode and the organic interlayer film or made of silicon nitride insulating layer made of ITO is large, electrolytic corrosion will not occur display device can be obtained. 加えて、反射板は、有機層間膜の表面に直接設けられているので、付着強度が低下することがない。 In addition, reflector, since provided directly on the surface of the organic interlayer film, adhesion strength is not lowered. なお、請求項6に係る発明における透明導電層は、それぞれの画素毎に設けられる画素電極以外に、透明な導電性配線として設けられている部分も含む。 The transparent conductive layer in the invention according to claim 6, in addition to a pixel electrode provided for each pixel, including the portion which is provided as a transparent conductive wire.

また、請求項7及び8に係る発明によれば、反射板と有機層間膜との間の付着強度が大きい状態を維持することができるとともに、有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層の表面を変性させること(請求項7)、ないしは、有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層の表面に変性層を積層することができ(請求項8)るため、熱的に安定しているとともにI Further, the invention according to claim 7 and 8, it is possible to maintain the state adhesive strength is large between the reflector and the organic interlayer film, the surface of the insulating layer made of an organic interlayer film and silicon nitride denaturing (claim 7), or on the surface of the insulating layer made of an organic interlayer film and silicon nitride modified layer can be laminated (claim 8) because, with thermally stable I
TOとの付着強度の強い変性層が得られる。 Strong modified layer of adhesion strength between the TO is obtained.

また、請求項9の発明によれば、アモルファスITO層は多結晶ITOよりもエッチングレートが高いため、エッチング時間を短縮することが可能となるので、また、多結晶I Further, according to the invention of claim 9, for the amorphous ITO layer has high etch rate than the polycrystalline ITO, since it is possible to shorten the etching time, also, the polycrystalline I
TO層はアモルファスITO層よりも低抵抗でかつ高透過率であるため、製造時間を短縮でき、しかも、光学特性及び電気特性に優れた半透過型液晶表示装置が得られる。 Since TO layer is, high transmittance and low resistivity than the amorphous ITO layer, can reduce the manufacturing time, moreover, the transflective liquid crystal display device having excellent optical properties and electrical properties.

また、請求項10の発明によれば、反射板で反射される光が凹凸によって拡散されるため、反射部の視野角が広く、明るい表示の半透過型の表示装置が得られる。 Further, according to the invention of claim 10, since the light reflected by the reflecting plate is diffused by the irregularities, wide viewing angle of the reflecting portion, a bright display of the transflective type display device is obtained.

以下、本発明に係る半透過型液晶表示装置の実施例を図1及び図2を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of a transflective liquid crystal display device according to the present invention with reference to FIGS. 1 and 2 will be described in detail. ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための有機層間膜又は窒化珪素からなる絶縁層へのITOからなる透明電極を形成した例を液晶表示装置を例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定することを意図するものではなく、 However, embodiments described below, an example of forming a transparent electrode made of ITO of the technical idea to the organic interlayer film or made of silicon nitride insulating layer for embodying the present invention will be described taking a liquid crystal display device as an example It is those, not intended to identify present invention thereto,
本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。 The present invention can be equally applied to those made various changes without departing from the technical spirit described in the claims.

なお、図1は実施例におけるポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスI Incidentally, the amorphous I 1 provided on the surface of the interlayer film made of polyimide in Example
TOのエッチング状態を示す断面図であり、図2は実施例におけるSiNからなる絶縁膜の表面に設けたアモルファスITOのエッチング状態を示す断面図であり、図5及び図6 Is a sectional view showing the etching state of TO, Fig. 2 is a sectional view showing the etching state of the amorphous ITO provided on the surface of the insulating film made of SiN in Examples 5 and 6
における構成部分と同一の構成には同じ参照符号を付与して説明する。 The same configuration as the components in described with provided with the same reference numerals. また、この層間膜上へのITOからなる透明電極を形成した液晶表示装置の基本的構成及び動作原理は、図3及び図4に示した従来例の半透過型液晶表示装置50と同様であるので、必要に応じて図3及び図4を引用して説明することとする。 Also, the basic structure and operation principle of the liquid crystal display device having a transparent electrode made of ITO to the interlayer film is the same as the transflective liquid crystal display device 50 of the prior art shown in FIGS. 3 and 4 since there will be described with reference to FIGS. 3 and 4 as necessary.

本実施例にかかる液晶表示装置10は、以下の工程により製造される。 The liquid crystal display device 10 according to this embodiment is manufactured by the following steps. まず、図3及び図4に示すように、第1の透光性基板11の表面に直接ないしは絶縁膜(図示せず)を介して、所定パターンに走査線X 、・・・、Xnを形成する。 First, as shown in FIGS. 3 and 4, directly on the surface of the first light-transmitting substrate 11 or via an insulating film (not shown), scan lines X 1 to a predetermined pattern, ..., and Xn Form. このとき、ゲート電極Gが走査線X 、・・・、Xnと同時に形成されると共に、補助容量電極13もこの走査線X At this time, the scan lines X 1 gate electrode G, ..., while being Xn formed simultaneously, the auxiliary capacitance electrode 13 also in this scan line X
、・・・、Xnと同時に形成される。 1, ..., Xn are formed at the same time. この走査線X 、・・・、Xn、ゲート電極G及び補助容量電極13はMo/Al又はアルミニウム合金等の遮光性導電性部材からなる。 The scanning lines X 1, ···, Xn, the gate electrode G and the auxiliary capacitance electrode 13 is made of a light-shielding conductive member such as Mo / Al or an aluminum alloy.

次にこの第1の透光性基板11表面をSiNからなるゲート絶縁膜18により被覆し、 Then covered with a gate insulating film 18 of the first light-transmitting substrate 11 surface from SiN,
このゲート絶縁膜18を介してゲート電極Gと対向するようにアモルファス−Si層21 Amorphous -Si layer 21 so as to be opposed to the gate electrode G via the gate insulating film 18
を形成し、次いで、Mo/Al/Moからなる金属層を表示領域全面に設けた後にエッチングすることにより、信号線Y 、・・・、Ymを前記走査線X 、・・・、Xnに直交する方向に形成するとともに、アモルファス−Si層21上に部分的に重なるように信号線Y 、・・・、Ymから延設されたソース電極Sと、ドレイン電極Dを設ける。 Form, followed by etching after providing the metal layer made of Mo / Al / Mo in the entire display area, the signal lines Y 1, · · ·, a Ym the scan lines X 1, · · ·, Xn and forming in a direction perpendicular to the signal lines Y 1 to overlap partially on the amorphous -Si layer 21, ..., and the source electrode S extending from Ym, provided the drain electrode D. これによりTFT構造の画素トランジスタ14が形成される。 Thus the pixel transistor 14 of the TFT structure is formed.

この画素トランジスタ14のドレイン電極Dはゲート絶縁膜18を介して補助容量電極13に対向配置され、これにより補助容量Csが形成される。 The drain electrode D of the pixel transistor 14 is arranged to face the auxiliary capacitance electrode 13 via the gate insulating film 18, the auxiliary capacitance Cs is formed by this. その後、各画素トランジスタ14、走査線Xn、Xn+1・・・及び信号線Ym、Ym+1・・・を覆うようにSiNからなる絶縁層22を形成し、次いで第1の透光性基板11の表示領域全体を被覆するように例えばポリイミドからなる層間膜19を所定高さとなるように設け、反射部の層間膜1 Thereafter, the pixel transistors 14, the scanning line Xn, Xn + 1 · · · and the signal line Ym, an insulating layer 22 made of SiN to cover the Ym + 1 · · · formed, and then the first light-transmissive substrate 11 arranged so that the interlayer film 19 made of polyimide, for example so as to cover the entire display area with a predetermined height, between layers of the reflective portion film 1
9の表面に常法により微細な凹凸を設ける。 Usual manner providing fine irregularities on the surface of 9. この微細な凹凸は、この後に設けられる反射板24の表面が凹凸状になるようにし、反射板24により反射された反射光を拡散させることにより反射部での視野角を広くするとともに反射部の表示が明るくなるようにするためのものである。 The fine irregularities, the surface of the reflection plate 24 provided after this to be uneven, the reflective portion with a wider viewing angle in the reflective portion by diffusing the light reflected by the reflecting plate 24 it is intended to prevent the display becomes brighter. なお、図面においては微小な凹凸は省略されている。 Note that minute irregularities are omitted in the drawings.

その後、層間膜19の表面全体に例えばアルミニウム金属を被覆し、フォトリソグラフィー法により所定パターンにフォトレジストを設けた後、エッチングすることによりそれぞれの画素毎に所定のパターンの反射板24を形成する。 Thereafter, whole coated, for example aluminum metal surface of the interlayer film 19, after providing the photoresist in a predetermined pattern by a photolithography method to form the reflecting plate 24 having a predetermined pattern for each pixel by etching. そして、露出している層間膜1 An interlayer exposed film 1
9の表面を変性化する。 Modifying the surface of 9.

次いで、反射板24及び層間膜19にコンタクトホール17を形成した後、表示領域全体にわたってアモルファスITOからなる透明導電性材料で被覆する。 Then, after forming the contact holes 17 in the reflector 24 and the interlayer film 19 is coated with a transparent conductive material formed of amorphous ITO over the entire display area. このとき、アモルファスITOからなる画素電極12部分とドレイン電極Dはコンタクトホール17の部分で電気的に接続される。 At this time, the pixel electrode 12 portion and the drain electrode D made of amorphous ITO is electrically connected at a portion of the contact hole 17. 次いで、フォトリソグラフィー法により所定パターンにフォトレジストを設けた後、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスITO層の露出面を湿式エッチングし、それぞれの画素毎に反射板24の表面及び層間膜19の表面にアモルファスITOからなる画素電極12を形成する。 Then, after providing a photoresist in a predetermined pattern by a photolithography method, a mixed etching solution of hydrochloric acid and nitric acid an exposed surface of the amorphous ITO layer was wet etched, the surface and the interlayer film 19 of the reflector 24 for each pixel forming a pixel electrode 12 made of amorphous ITO on the surface. その後、熱処理を施して、アモルファスITO層を多結晶化し、かつ膜の抵抗を低下させて多結晶ITOからなる画素電極12 Thereafter, heat treatment is performed pixel electrode 12 an amorphous ITO layer was polycrystalline, and a polycrystalline ITO reduce the resistance of the film
を得る。 Obtained. なお、この変性化工程及び画素電極12の具体的な製造工程については後述する。 The specific manufacturing process of the denaturing step and the pixel electrode 12 will be described later.

そして、別途第2の透光性基板15の表面にカラーフィルタ層CF、ITOからなる透明な共通電極16、及び反射部に対応する位置にのみトップコート層23を形成したカラーフィルタ基板を第1の透光性基板11と対向させ、この間に液晶20を封入することにより本実施例の半透過型液晶表示装置10が完成される。 The separate second surface on the color filter layer CF of the translucent substrate 15, a transparent common electrode 16 made of ITO, and a color filter substrate with the top coat layer 23 only at positions corresponding to the reflective portion first translucent substrate 11 and is opposed to, transflective liquid crystal display device 10 of the present embodiment is completed by filling liquid crystal 20 therebetween. なお、トップコート層23は、 It should be noted that the top coat layer 23,
反射部のセルギャップが透過部のセルギャップの1/2となるようにするために設けられるものである。 The cell gap of the reflective portion is provided in order to be a half of the cell gap of the transmissive portion.

ここで、この実施例における層間膜19の表面の変性化工程及び画素電極12の具体的な製造工程を、図1を参照しながら説明する。 Here, a specific manufacturing process of the denaturing step and the pixel electrode 12 of the surface of the interlayer film 19 in this embodiment will be described with reference to FIG. なお、図1は実施例におけるポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスITOのエッチング状態を示す断面図である。 FIG. 1 is a sectional view showing the etching state of the amorphous ITO provided on the surface of the interlayer film made of polyimide in the examples.

まず、層間膜19及び反射板24を形成した第1の透光性基板11の表面に常法によりHeガスのプラズマ処理を行う。 First, the plasma treatment of the He gas by a conventional method on the surface of the first light-transmitting substrate 11 formed with the interlayer film 19 and the reflection plate 24. このとき、Heガスのプラズマはポリイミドからなる層間膜19の表面に接触し、これによりポリイミドの一部が熱分解及びスパッタリングされ、変性されて変性層34が形成される。 At this time, the plasma of He gas contacts the surface of the interlayer film 19 made of polyimide, thereby a portion of the polyimide is thermally decomposed and sputtering, modified layer 34 is formed by denaturation.

その後、上述の特許文献1に開示されている方法と同様にして、変性層34上にアモルファスITO層を常温かつ水添加雰囲気でプラズマCVD法により成膜し、成膜後に18 Thereafter, in the same manner as the method disclosed in Patent Document 1 described above, the amorphous ITO layer on the modified layer 34 is formed by a plasma CVD method at normal temperature and water added atmosphere, after the deposition 18
0℃程度以上、1時間程度以上の熱処理を施すことにより、アモルファスITO層31に変換する。 0 ℃ about above, by performing the above heat treatment for about 1 hour, to convert the amorphous ITO layer 31.

次いで、アモルファスITO層31の表面に所定のパターンとなるようにフォトレジスト膜32を設け、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスITO層31の露出面を湿式エッチングする。 Then, the photoresist film 32 in a prescribed pattern on the surface of the amorphous ITO layer 31 is provided, wet etching the exposed surface of the amorphous ITO layer 31 by a mixed etchant of hydrochloric acid and nitric acid. そうすると、層間膜19の変性層34上のアモルファスITO Then, an amorphous ITO on modified layer 34 of the interlayer film 19
層31は、図1に示したように、端面が順テーパ状となったサイドエッチング部D1が形成された状態となる。 Layer 31, as shown in FIG. 1, a state in which side etching portions D1 of the end face becomes forward tapered shape is formed.

したがって、この工程後のアモルファスITO層31の多結晶ITO層化、フォトレジスト膜32の除去、その他の製造段階を順に経ても、製品として出荷される多結晶ITO Therefore, polycrystalline ITO layering the amorphous ITO layer 31 after this step, the removal of the photoresist film 32, even after the other manufacturing steps in order, polycrystalline ITO to be shipped as a product
からなる画素電極12を含む透明導電層と有機層間膜19との間の付着強度の低下及び電蝕が生じることがなくなり、安定な品質の半透過型液晶表示装置が得られる。 Reduction in adhesion strength between the transparent conductive layer and the organic interlayer film 19 including the pixel electrode 12 made of, and electrolytic corrosion prevents to occur, transflective liquid crystal display device of stable quality can be obtained.

このような有機層間膜19上に変性層34を設けることによって上述のような作用・効果が生じることの理由は次のような理由によるものと推測される。 The reason that the action and effect as described above caused by the provision of the modified layer 34 on the organic interlayer film 19 is presumed to be due to the following reasons. すなわち、Heガスのプラズマは、超高温であるため、ポリイミドからなる層間膜19の表面に接触した際にポリイミドの一部を熱分解及びスパッタリングさせるが、同時にポリイミドの表面の一部を溶融する。 That is, the plasma of He gas are the ultra-high temperature, but a part of the polyimide is thermally decomposed and sputtering upon contact with the surface of the interlayer film 19 made of polyimide, simultaneously to melt the part of the surface of the polyimide. この溶融したポリイミドはその後に固まって硬化した変性層34が得られる。 The molten polyimide modified layer 34 and cured subsequently solidified to obtain.
この硬化した変性層34は、表面が熱的に安定しているとともに、以降の高温処理工程でたとえ層間膜19からガスが発生することがあってもこのガスの透過を抑制し、変性層3 Modified layer 34 which is the curing surface with thermally stable, even if the gas is generated even if the interlayer film 19 in the subsequent high temperature treatment process to suppress permeation of the gas, modified layer 3
4の表面から上部へのガスの流出が抑えられるため、ITO層と変性層34との間の密着性が改善されるものと推測される。 Since the fourth surface discharge of the gas to the upper is suppressed, it is presumed that adhesion between the ITO layer and the modified layer 34 is improved.

なお、本実施例における半透過型液晶表示装置10においては、一般的にSiNからなる絶縁層22が露出することはなく、したがってSiNからなる絶縁層22の表面にIT Incidentally, in the transflective liquid crystal display device 10 in this embodiment is generally not the insulating layer 22 made of SiN is exposed, thus IT on the surface of the insulating layer 22 made of SiN
Oを設けることはない。 O to not be provided. しかしながら、半透過型液晶表示装置の額縁部での各種接続配線を複層構造とする場合あるいは検査用端子を設ける場合などにおいては、SiNからなる絶縁層22の表面にITO層を設ける場合がある。 However, in a case the various connection wiring with a frame part of the transflective liquid crystal display device provided with a case or test terminals to multilayer structure may be provided an ITO layer on the surface of the insulating layer 22 made of SiN . このような場合においても、SiNからなる絶縁層22の表面に変性層35を設けることは有効である。 In such a case, it is effective to provide the modified layer 35 on the surface of the insulating layer 22 made of SiN.

すなわち、図2に示すように、SiNからなる絶縁膜22の表面に上述の場合と同様にしてHeガスのプラズマにより変性層35を形成し、この変性層35上にアモルファスI That is, as shown in FIG. 2, the modified layer 35 is formed by a plasma of He gas on the surface of the insulating film 22 made of SiN in the same manner as described above, amorphous I on the modified layer 35
TO層を常温かつ水添加雰囲気でプラズマCVD法により成膜し、成膜後に180℃程度以上、1時間程度以上の熱処理を施すことにより、アモルファスITO層31に変換する。 The TO layer was formed by room temperature and the plasma CVD method with water added atmosphere, to 180 ° C. of about or higher after the film formation, by applying the above heat treatment for about 1 hour, to convert the amorphous ITO layer 31.

次いで、アモルファスITO層31の表面に所定のパターンとなるようにフォトレジスト膜32を設け、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスITO層31の露出面を湿式エッチングする。 Then, the photoresist film 32 in a prescribed pattern on the surface of the amorphous ITO layer 31 is provided, wet etching the exposed surface of the amorphous ITO layer 31 by a mixed etchant of hydrochloric acid and nitric acid. そうすると、SiNからなる絶縁膜22の変性層35上のアモルファスITO層31は、図2に示したように、端面が順テーパ状となったサイドエッチング部D2が形成された状態となる。 Then, an amorphous ITO layer 31 on the modified layer 35 of insulating film 22 made of SiN, as shown in FIG. 2, a state in which side etching portions D2 of the end face becomes forward tapered shape is formed.

したがって、この場合においても、その他の製造段階を順に経ても、製品として出荷される多結晶ITOとSiNからなる絶縁膜22との間の付着強度の低下及び電蝕が生じることがなくなり、安定な品質の半透過型液晶表示装置が得られる。 Therefore, in this case, even after the other manufacturing steps in order, it prevents the reduction and electrolytic corrosion of the adhesion strength between the insulating film 22 made of polycrystalline ITO and SiN to be shipped as a product occurs, stable transflective liquid crystal display device of the quality.

実施例におけるポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスITOのエッチング状態を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing the etching state of the amorphous ITO provided on the surface of the interlayer film made of polyimide in the examples. 実施例におけるSiNからなる絶縁膜の表面に設けたアモルファスITOのエッチング状態を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing the etching state of the amorphous ITO provided on the surface of the insulating film made of SiN in Example. 従来例の液晶表示装置の数画素分の平面図である。 It is a plan view of several pixels of the conventional liquid crystal display device. 図3のA−A断面図である。 It is an A-A sectional view of FIG. ポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスITOのエッチング状態を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing the etching state of the amorphous ITO provided on the surface of the interlayer film made of polyimide. SiNからなる絶縁膜の表面に設けたアモルファスITOのエッチング状態を示す断面図である Is a sectional view showing the etching state of the amorphous ITO provided on the surface of the insulating film made of SiN

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10、50 液晶表示装置11 第1の透光性基板12 画素電極13 補助容量電極14 画素トランジスタ15 透光性基板16 共通電極17 コンタクトホール18 ゲート絶縁膜19 層間膜20 液晶21 アモルファス−Si層22 SiNからなる絶縁層23 トップコート層24 反射板31 アモルファスITO層32 フォトレジスト膜34、35 変性層CF カラーフィルタ層d1、d2 逆テーパ状のサイドエッチング部D1、D2 順テーパ状のサイドエッチング部 10,50 liquid crystal display device 11 first light-transmitting substrate 12 pixel electrode 13 auxiliary capacitance electrode 14 pixel transistor 15 translucent substrate 16 common electrode 17 contact hole 18 gate insulating film 19 interlayer film 20 liquid crystal 21 amorphous -Si layer 22 insulating layer 23 a top coat layer 24 reflecting plate 31 amorphous ITO layer 32 made of SiN photoresist films 34 and 35 modified layer CF color filter layer d1, d2 inversely tapered side etching portions D1, D2 forward tapered side etching portions

Claims (10)

  1. それぞれの画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、 Directly with a part of the surface of the organic interlayer film reflective plate is provided for each pixel,
    前記有機層間膜及び反射板の表面にITO(Indium Tin Oxide)からなる透明導電層が設けられている半透過型液晶表示装置において、前記有機層間膜とITOからなる透明導電層との間には前記有機層間膜の変性層が設けられ、前記変性層上のITOからなる透明導電層の端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。 In the transflective liquid crystal display device having a transparent conductive layer made of ITO (Indium Tin Oxide) is provided on a surface of the organic interlayer film and the reflection plate, between the transparent conductive layer made of the organic interlayer film and ITO is the modified layer of the organic interlayer film is provided, the semi-transmissive liquid crystal display device ends of the transparent conductive layer made of ITO on the modified layer is characterized in that has a forward tapered state.
  2. 前記変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜表面を不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 The modified layer, after forming the reflective plate on the organic interlayer film, according to claim 1, characterized in that the organic interlayer film surface and is formed by plasma treatment with inert gas transflective liquid crystal display device.
  3. 前記変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマCVD法により前記有機層間膜上に形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 The modified layer, after forming the reflective plate, a transflective according to claim 1, characterized in that formed on the organic interlayer film by the plasma CVD method an inert gas as a carrier gas type liquid crystal display device.
  4. 前記ITOからなる透明導電層は、アモルファスITOからなる透明導電層を形成した後に所定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ITO化されたものであることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 Transparent conductive layer made of the ITO is etched into a predetermined pattern after forming the transparent conductive layer made of an amorphous ITO, followed transflective according to claim 1, characterized in that one which is polycrystalline ITO of type liquid crystal display device.
  5. 前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。 Transflective liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4 the surface of the organic interlayer film of the lower portion of the reflector is characterized by having an irregular shape.
  6. それぞれの画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、 Directly with a part of the surface of the organic interlayer film reflective plate is provided for each pixel,
    前記有機層間膜及び反射板の表面にITOからなる透明導電層が設けられており、更に窒化硅素からなる絶縁層の表面にもITOからなる透明導電層が設けられている半透過型液晶表示装置において、前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層とITOからなる透明導電層との間にはそれぞれ前記有機層間膜又は窒化珪素の変性層が設けられ、前記変性層上のITOからなる透明導電層の端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。 The organic interlayer film and the reflection plate transparent conductive layer made of ITO is provided on the surface of the further transflective liquid crystal display device having a transparent conductive layer made of ITO is provided on the surface of the insulating layer made of silicon nitride in the modified layer of each of the organic interlayer film or silicon nitride between the organic interlayer film and the transparent conductive layer made of an insulating layer and the ITO made of silicon nitride is provided, the transparent conductive made of ITO on the modified layer transflective liquid crystal display device, characterized in that the end portion of the layer is in the forward tapered state.
  7. 前記変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層を不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたものであることを特徴とする請求項6に記載の半透過型液晶表示装置。 The modified layer comprises wherein after forming said reflective plate organic interlayer film, an insulating layer made of the organic interlayer film and silicon nitride and is formed by plasma treatment with inert gas transflective liquid crystal display device according to claim 6.
  8. 前記変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマCVD法により前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層上に形成されたものであることを特徴とする請求項6に記載の半透過型液晶表示装置。 Wherein the modified layer is the after forming the reflector, characterized in that by plasma CVD inert gas as a carrier gas in which the formed organic interlayer film and made of a silicon nitride insulating layer transflective liquid crystal display device according to claim 6.
  9. 前記ITOからなる透明導電層は、アモルファスITOからなる透明導電層を形成した後に所定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ITO化されたものであることを特徴とする請求項6に記載の半透過型液晶表示装置。 Transparent conductive layer made of the ITO is etched into a predetermined pattern after forming the transparent conductive layer made of an amorphous ITO, followed transflective according to claim 6, characterized in that which is polycrystalline ITO of type liquid crystal display device.
  10. 前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。 Transflective liquid crystal display device according to any one of claims 6-9 surface of the organic interlayer film of the lower portion of the reflector is characterized by having an irregular shape.
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