JP2007173544A - X ray detector and method of fabricating same - Google Patents

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JP2007173544A JP2005369493A JP2005369493A JP2007173544A JP 2007173544 A JP2007173544 A JP 2007173544A JP 2005369493 A JP2005369493 A JP 2005369493A JP 2005369493 A JP2005369493 A JP 2005369493A JP 2007173544 A JP2007173544 A JP 2007173544A
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弘 堀内
Satoshi Ichikawa
聡 市川
Hiroyuki Aida
博之 會田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X ray detector 1 in which internal stress of an X ray photoconductive layer 4 formed integrally on an active matrix substrate 3 can be reduced. <P>SOLUTION: A crystal growth acceleration layer 31, which is effective for enhancing orientation of crystal nucleus, is formed in the region A1 of a pixel electrode 9 on an active matrix substrate 3, and a crystal growth suppression layer 32, which is effective for impeding orientation of crystal nucleus, is formed in the region A2 other than the pixel electrode 9. An X ray photoconductive layer 4 is formed by vapor deposition on the crystal growth acceleration layer 31 and the crystal growth suppression layer 32. The X ray photoconductive layer 4 has an X ray photoconductive layers 4a and 4b exhibiting different crystal orientation in the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9 integrally. Internal stress of the X ray photoconductive layer 4 is reduced by differentiating crystal orientation of the X ray photoconductive layer 4 in the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9, thereby differentiating filling density. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、Ｘ線を検出するＸ線検出器およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an X-ray detector for detecting X-rays and a method for manufacturing the same.

新世代のＸ線診断用画像検出器として、アクティブマトリックスを用いた平面形のＸ線検出器が注目を集めている。このＸ線検出器では、Ｘ線を照射することにより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。このＸ線検出器は、固体検出器であることから、画質性能や安定性の面においても極めて期待が大きく、多くの研究開発に進められている。   As a new generation X-ray diagnostic image detector, a planar X-ray detector using an active matrix has been attracting attention. In this X-ray detector, an X-ray image or a real-time X-ray image is output as a digital signal by irradiating X-rays. Since this X-ray detector is a solid-state detector, it is extremely promising in terms of image quality performance and stability, and is being researched and developed in many ways.

実用化の最初の用途として、比較的大きな線量で静止画像を収集する胸部あるいは一般撮影用に開発され、近年商品化されている。より高性能で、透視線量下において毎秒３０フレーム以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。この動画用途に対しては、Ｓ／Ｎ比の改善や微小信号のリアルタイム処理技術などが重要な開発項目となっている。   As the first practical application, it has been developed for the chest or general radiography that collects still images with a relatively large dose, and has been commercialized in recent years. Commercialization is expected in the near future for applications in the fields of circulatory organs and digestive organs that require higher performance and real-time moving images of 30 frames per second under fluoroscopic dose. For this moving image application, improvement of S / N ratio and real-time processing technology of minute signals are important development items.

ところで、Ｘ線検出器は、直接方式と間接方式との二方式に大別される。直接方式は、Ｘ線をａ−Ｓｅなどの光導電膜により直接電荷信号に変換し、電荷蓄積用キャパシタに導く方式であり、Ｘ線により発生した光導電電荷を高電界により直接的に電荷蓄積用キャパシタに導くため、略アクティブマトリックスの画素電極のピッチで規定される解像度特性が得られる。一方、間接方式は、シンチレータ層によりＸ線を一旦可視光に変換し、可視光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）フォトダイオードやＣＣＤなどの光電変換素子により信号電荷に変換して電荷蓄積用キャパシタに導く方式であるため、シンチレータ層からの可視光がフォトダイオードやＣＣＤに到達するまでの光学的な拡散および散乱により解像度特性の劣化が生じる。   By the way, X-ray detectors are roughly classified into two methods, a direct method and an indirect method. The direct method is a method in which X-rays are directly converted into charge signals by a photoconductive film such as a-Se and guided to a charge storage capacitor, and the photoconductive charges generated by the X-rays are directly stored by a high electric field. Therefore, the resolution characteristic defined by the pitch of the pixel electrodes of the active matrix is obtained. On the other hand, in the indirect method, X-rays are once converted into visible light by the scintillator layer, and the visible light is converted into signal charges by a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or CCD to form a charge storage capacitor. Since this is a guiding method, resolution characteristics are degraded due to optical diffusion and scattering until visible light from the scintillator layer reaches the photodiode or CCD.

通常、Ｘ線検出器においては、構造上、Ｘ線光導電層もしくはシンチレータ層の特性が重要となり、入射したＸ線に対する出力信号強度を向上させるため、例えば、Ｘ線光導電層にはヨウ化鉛（ＰｂＩ２）やヨウ化水銀（ＨｇＩ２）などの金属沃化物や金属ハロゲン化合物系の高感度光導電材料が用いられることが多く、シンチレータ層にはヨウ化セシウム（ＣｓＩ）などのハロゲン化合物やガドリニウム硫酸化物（ＧＯＳ）の酸化物系化合物などから構成される高輝度蛍光材料が用いられることが多い。 In general, in the X-ray detector, the characteristics of the X-ray photoconductive layer or the scintillator layer are important due to the structure, and in order to improve the output signal intensity with respect to the incident X-ray, for example, the X-ray photoconductive layer is iodinated. Metal iodides such as lead (PbI 2 ) and mercury iodide (HgI 2 ), and metal halide compound-based highly sensitive photoconductive materials are often used, and halogen compounds such as cesium iodide (CsI) are used in the scintillator layer. In many cases, a high-luminance fluorescent material composed of an oxide compound of gadolinium sulfate (GOS) or the like is used.

一般的に、高密度なＸ線光導電層もしくはシンチレータ層は、真空蒸着法およびスパッタリング法などにより、単数もしくは複数の画素電極を有するアクティブマトリックス基板上に一様に形成されている。   In general, a high-density X-ray photoconductive layer or scintillator layer is uniformly formed on an active matrix substrate having one or a plurality of pixel electrodes by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like.

また、シンチレータ層をアクティブマトリックス基板上に一様に形成した後、このシンチレータ層を画素単位に分割する溝をダイシングによる切除やレーザビームによる除去などにより加工し、さらに溝内にシンチレータ層よりも例えば屈折率の高い材質を充填もしくは積層して壁を形成する場合がある。シンチレータ層に溝や壁を形成することにより、シンチレータ層で変換された可視光が周辺の画素方向に散乱するのを抑制し、解像度を高めている（例えば、特許文献１、２参照。）。
特開２００４−３２５１７８号公報（第５−６頁、図２−３） 特開２００４−３１７３００号公報（第８頁、図２−３） Further, after the scintillator layer is uniformly formed on the active matrix substrate, a groove that divides the scintillator layer into pixels is processed by cutting by dicing or removal by a laser beam, and further, for example, in the groove than the scintillator layer. A wall may be formed by filling or laminating a material having a high refractive index. By forming grooves and walls in the scintillator layer, the visible light converted by the scintillator layer is prevented from being scattered in the direction of surrounding pixels, and the resolution is improved (for example, see Patent Documents 1 and 2).
JP 2004-325178 A (page 5-6, FIG. 2-3) JP-A-2004-317300 (8th page, FIG. 2-3)

一般的に、高密度なＸ線光導電層もしくはシンチレータ層は、真空蒸着法やスパッタリング法などにより、アクティブマトリックス基板上に一様に形成されることが多いが、入射したＸ線に対する出力信号強度と十分なＸ線吸収率とを得るためには数百μｍ以上の厚膜に形成する必要がある。このような膜厚に形成することでＸ線光導電層もしくはシンチレータ層に大きな内部応力が発生し、この内部応力によりＸ線光導電層もしくはシンチレータ層の剥れやアクティブマトリックス基板の反りなどが発生し、諸特性および信頼性に影響する問題がある。   In general, a high-density X-ray photoconductive layer or scintillator layer is often uniformly formed on an active matrix substrate by vacuum deposition or sputtering, but the output signal intensity for incident X-rays In order to obtain a sufficient X-ray absorption rate, it is necessary to form a thick film of several hundred μm or more. By forming such a film thickness, a large internal stress is generated in the X-ray photoconductive layer or scintillator layer, and the internal stress causes peeling of the X-ray photoconductive layer or scintillator layer or warping of the active matrix substrate. However, there are problems that affect various properties and reliability.

また、シンチレータ層をアクティブマトリックス基板上に一様に形成した後、解像度を高めることを目的として、シンチレータ層を画素単位に分割する溝を加工し、さらに溝内に壁を形成する場合があるが、シンチレータ層に溝を加工する工程が必要となり、加工によるシンチレータ層の諸特性および信頼性などへの影響もある。   In addition, after the scintillator layer is uniformly formed on the active matrix substrate, a groove for dividing the scintillator layer into pixels may be processed and a wall may be formed in the groove for the purpose of increasing resolution. In addition, a process for machining the groove in the scintillator layer is required, and the machining may affect various characteristics and reliability of the scintillator layer.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、回路基板上で一体に形成されるＸ線光導電層もしくはシンチレータ層の内部応力を低減でき、諸特性および信頼性を向上できるＸ線検出器およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and can detect the internal stress of the X-ray photoconductive layer or the scintillator layer integrally formed on the circuit board, and can improve various characteristics and reliability. It is an object to provide a container and a method for manufacturing the same.

本発明のＸ線検出器は、電気信号を検出する画素電極が設けられた回路基板と、前記回路基板上の画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成され、Ｘ線を電気信号に変換するＸ線光導電層と、前記Ｘ線光導電層上に設けられた電極層とを具備しているものである。   The X-ray detector according to the present invention comprises a circuit substrate provided with a pixel electrode for detecting an electric signal, and a crystal orientation, a packing density, and a Young's modulus between a pixel electrode region and a region other than the pixel electrode on the circuit substrate. Are formed integrally so that at least one of them is different, and includes an X-ray photoconductive layer for converting X-rays into an electric signal, and an electrode layer provided on the X-ray photoconductive layer. is there.

本発明のＸ線検出器は、可視光を電気信号に変換する光電変換素子およびこの光電変換素子で変換された電気信号を検出する画素電極が設けられた回路基板と、前記回路基板上の画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成され、Ｘ線を可視光に変換するシンチレータ層とを具備しているものである。   The X-ray detector according to the present invention includes a photoelectric conversion element that converts visible light into an electric signal, a circuit board provided with a pixel electrode that detects an electric signal converted by the photoelectric conversion element, and a pixel on the circuit board. A scintillator layer that is integrally formed so that at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus differs between the electrode region and the region other than the pixel electrode, and converts X-rays into visible light. Is.

また、本発明のＸ線検出器の製造方法は、回路基板上の電気信号を検出する画素電極の領域に結晶成長促進層を形成するとともに画素電極以外の領域に結晶成長抑制層を形成し、前記回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にＸ線光導電層を気相成長法にて積層することにより、このＸ線光導電層を画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成するものである。   In addition, in the method for manufacturing the X-ray detector of the present invention, the crystal growth promoting layer is formed in the region of the pixel electrode for detecting the electrical signal on the circuit board and the crystal growth suppressing layer is formed in the region other than the pixel electrode, By laminating an X-ray photoconductive layer on the crystal growth promoting layer and the crystal growth suppressing layer of the circuit board by a vapor phase growth method, the X-ray photoconductive layer is formed into a region other than the pixel electrode and the region other than the pixel electrode. Are integrally formed so that at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus is different.

本発明のＸ線検出器の製造方法は、可視光を電気信号に変換する光電変換素子およびこの光電変換素子で変換された電気信号を検出する画素電極が設けられた回路基板上であって、画素電極の領域に結晶成長促進層を形成するとともに画素電極以外の領域に結晶成長抑制層を形成し、前記回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にシンチレータ層を気相成長法にて積層することにより、このシンチレータ層を画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成するものである。   The X-ray detector manufacturing method of the present invention is a circuit board provided with a photoelectric conversion element that converts visible light into an electrical signal and a pixel electrode that detects an electrical signal converted by the photoelectric conversion element, A crystal growth promoting layer is formed in a region of the pixel electrode, a crystal growth suppressing layer is formed in a region other than the pixel electrode, and a scintillator layer is formed on the crystal growth promoting layer and the crystal growth suppressing layer of the circuit board by vapor phase growth. The scintillator layer is integrally formed so that at least one of crystal orientation, filling density, and Young's modulus is different between the pixel electrode region and the region other than the pixel electrode.

本発明のＸ線検出器によれば、Ｘ線光導電層もしくはシンチレータ層を回路基板上の画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成したため、回路基板上で一体に形成されるＸ線光導電層もしくはシンチレータ層の内部応力を低減でき、諸特性および信頼性を向上できる。しかも、Ｘ線光導電層もしくはシンチレータ層を一体に形成することで、これらへの加工の必要がなく、加工による諸特性および信頼性への影響もなくすことができる。   According to the X-ray detector of the present invention, the X-ray photoconductive layer or scintillator layer is formed of at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus between the region of the pixel electrode on the circuit board and the region other than the pixel electrode. Since they are integrally formed so as to be different from each other, the internal stress of the X-ray photoconductive layer or scintillator layer integrally formed on the circuit board can be reduced, and various characteristics and reliability can be improved. In addition, by integrally forming the X-ray photoconductive layer or the scintillator layer, it is not necessary to process these, and it is possible to eliminate the influence on various characteristics and reliability due to the processing.

本発明のＸ線検出器の製造方法によれば、回路基板上の画素電極の領域に結晶成長促進層を形成するとともに画素電極以外の領域に結晶成長抑制層を形成し、この回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にＸ線光導電層もしくはシンチレータ層を気相成長法にて積層することにより、このＸ線光導電層もしくはシンチレータ層を画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成することできるため、回路基板上で一体に形成されるＸ線光導電層もしくはシンチレータ層の内部応力を低減でき、諸特性および信頼性を向上できる。しかも、Ｘ線光導電層もしくはシンチレータ層を一体に形成できることで、これらへの加工の必要がなく、加工による諸特性および信頼性などへの影響もなくすことができる。   According to the method of manufacturing the X-ray detector of the present invention, the crystal growth promoting layer is formed in the region of the pixel electrode on the circuit substrate and the crystal growth suppressing layer is formed in the region other than the pixel electrode. By laminating an X-ray photoconductive layer or scintillator layer on the growth promotion layer and the crystal growth suppression layer by a vapor phase growth method, the X-ray photoconductive layer or scintillator layer is formed in a region other than the pixel electrode region and the pixel electrode. Since it can be integrally formed so that at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus differs depending on the region, the internal stress of the X-ray photoconductive layer or scintillator layer integrally formed on the circuit board can be reduced. Can be reduced, and various characteristics and reliability can be improved. In addition, since the X-ray photoconductive layer or the scintillator layer can be formed integrally, there is no need to process them, and it is possible to eliminate the influence on various characteristics and reliability due to the processing.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１ないし図８に第１の実施の形態を示す。   1 to 8 show a first embodiment.

図１ないし図３に示すように、１はＸ線検出器で、このＸ線検出器１は、直接方式のＸ線平面画像検出器であり、マトリクス状に配列された複数の画素２を有する回路基板としてのアクティブマトリクス基板３を備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, reference numeral 1 denotes an X-ray detector. The X-ray detector 1 is a direct X-ray planar image detector and has a plurality of pixels 2 arranged in a matrix. An active matrix substrate 3 as a circuit board is provided.

アクティブマトリクス基板３の表面には、入射する放射線であるＸ線を電気信号に変換するＸ線光導電層４が積層されて一体に形成されている。このＸ線光導電層４は、アクティブマトリクス基板３の表面に接しており、このアクティブマトリクス基板３の表面に直接形成されている。さらに、このＸ線光導電層４の表面には、上部電極である電極層としてのバイアス電極層５が積層されて形成されている。   On the surface of the active matrix substrate 3, an X-ray photoconductive layer 4 that converts X-rays, which are incident radiation, into an electric signal is laminated and formed integrally. The X-ray photoconductive layer 4 is in contact with the surface of the active matrix substrate 3 and is directly formed on the surface of the active matrix substrate 3. Further, a bias electrode layer 5 as an electrode layer which is an upper electrode is laminated on the surface of the X-ray photoconductive layer 4.

アクティブマトリクス基板３は、矩形平板状の透光性を有するガラスなどにて形成された絶縁基板としての支持基板６を備えている。この支持基板６の表面には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)７と、電荷蓄積用キャパシタ８と、画素電極９とが各画素２毎に形成されている。そして、図３に示すように、これら薄膜トランジスタ７、電荷蓄積用キャパシタ８および画素電極９は、これらを１組とした格子状の配列を有しており、各組がＸ線画像の画素２に対応するように構成されている。   The active matrix substrate 3 includes a support substrate 6 as an insulating substrate formed of a rectangular flat plate-shaped glass having translucency. On the surface of the support substrate 6, a thin film transistor (TFT) 7 as a switching element, a charge storage capacitor 8, and a pixel electrode 9 are formed for each pixel 2. As shown in FIG. 3, the thin film transistor 7, the charge storage capacitor 8, and the pixel electrode 9 have a grid-like arrangement in which these are one set, and each set is a pixel 2 of the X-ray image. It is configured to correspond.

支持基板６の表面には、この支持基板６の行方向に沿った複数の制御ラインとしての制御電極11が配線されている。各制御電極11は、支持基板６の表面の各画素２間に位置し、この支持基板６の列方向に離間されて設けられている。各制御電極11には、同じ行に位置する各薄膜トランジスタ７のゲ−ト電極12が電気的に接続されている。また、支持基板６の表面には、この支持基板６の列方向に沿った複数の読出電極13が配線されている。各読出電極13は、支持基板６の表面の各画素２間に位置し、この支持基板６の行方向に離間されて設けられている。各読出電極13には、同じ列に位置する各薄膜トランジスタ７のソース電極14が電気的に接続されている。また、各薄膜トランジスタ７のドレイン電極15は、電荷蓄積用キャパシタ８および画素電極９にそれぞれ電気的に接続されている。   On the surface of the support substrate 6, control electrodes 11 are wired as a plurality of control lines along the row direction of the support substrate 6. Each control electrode 11 is located between each pixel 2 on the surface of the support substrate 6 and is provided to be separated in the column direction of the support substrate 6. Each control electrode 11 is electrically connected to the gate electrode 12 of each thin film transistor 7 located in the same row. A plurality of readout electrodes 13 are wired on the surface of the support substrate 6 along the column direction of the support substrate 6. Each readout electrode 13 is located between each pixel 2 on the surface of the support substrate 6 and is provided so as to be separated in the row direction of the support substrate 6. A source electrode 14 of each thin film transistor 7 located in the same column is electrically connected to each readout electrode 13. The drain electrode 15 of each thin film transistor 7 is electrically connected to the charge storage capacitor 8 and the pixel electrode 9, respectively.

図１に示すように、薄膜トランジスタやのゲート電極12は、支持基板６上に島状に形成されている。このゲート電極12を含む支持基板６上には、絶縁膜21が積層されて形成されている。この絶縁膜21は、各ゲート電極12を覆っている。また、この絶縁膜21上には、島状の複数の半絶縁膜22が積層されて形成されている。これら半絶縁膜22は、半導体にて構成されており、薄膜トランジスタ７のチャネル領域として機能する。そして、これら各半絶縁膜22は、各ゲート電極12に対向して配設されており、これら各ゲート電極12を覆っている。すなわち、これら各半絶縁膜22は、各ゲート電極12上に絶縁膜21を介して設けられている。   As shown in FIG. 1, the gate electrode 12 of the thin film transistor or the like is formed on the support substrate 6 in an island shape. On the support substrate 6 including the gate electrode 12, an insulating film 21 is laminated. This insulating film 21 covers each gate electrode 12. On the insulating film 21, a plurality of island-shaped semi-insulating films 22 are laminated. These semi-insulating films 22 are made of a semiconductor and function as a channel region of the thin film transistor 7. Each of these semi-insulating films 22 is disposed to face each gate electrode 12 and covers each gate electrode 12. That is, each of these semi-insulating films 22 is provided on each gate electrode 12 via the insulating film 21.

半絶縁膜22を含む絶縁膜21上には、島状のソース電極14およびドレイン電極15がそれぞれ形成されている。これらソース電極14およびドレイン電極15は、互いに絶縁され電気的に接続されていない。また、これらソース電極14およびドレイン電極15は、ゲート電極12上の両側に設けられており、これらソース電極14およびドレイン電極15の一端部が半絶縁膜22上に積層されている。   On the insulating film 21 including the semi-insulating film 22, island-shaped source electrodes 14 and drain electrodes 15 are formed, respectively. The source electrode 14 and the drain electrode 15 are insulated from each other and are not electrically connected. The source electrode 14 and the drain electrode 15 are provided on both sides of the gate electrode 12, and one end portions of the source electrode 14 and the drain electrode 15 are stacked on the semi-insulating film 22.

各薄膜トランジスタ７のゲート電極12は、図３に示すように、同じ行に位置する他の薄膜トランジスタ７のゲート電極12とともに共通の制御電極11に電気的に接続されている。さらに、これら各薄膜トランジスタ７のソース電極14は、同じ列に位置する他の薄膜トランジスタ７のソース電極14とともに共通の読出電極13に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 3, the gate electrode 12 of each thin film transistor 7 is electrically connected to a common control electrode 11 together with the gate electrodes 12 of other thin film transistors 7 located in the same row. Further, the source electrode 14 of each thin film transistor 7 is electrically connected to the common readout electrode 13 together with the source electrodes 14 of other thin film transistors 7 located in the same column.

電荷蓄積用キャパシタ８は、支持基板６上に形成された島状の下部電極23を備えている。この下部電極23を含む支持基板６上には絶縁膜21が積層されて形成されている。この絶縁膜21は、各薄膜トランジスタ７のゲート電極12上から各下部電極23上まで延長している。さらに、この絶縁膜21上には、島状の上部電極24が積層されて形成されている。この上部電極24は、下部電極23に対向して配設されており、これら各下部電極23を覆っている。すなわち、これら各上部電極24は、各下部電極23上に絶縁膜21を介して設けられている。そして、この上部電極24を含む絶縁膜21上にはドレイン電極15が積層されて形成されている。このドレイン電極15は、他端部が上部電極24上に積層されて、この上部電極24に電気的に接続されている。   The charge storage capacitor 8 includes an island-shaped lower electrode 23 formed on the support substrate 6. An insulating film 21 is laminated on the support substrate 6 including the lower electrode 23. The insulating film 21 extends from the gate electrode 12 of each thin film transistor 7 to the lower electrode 23. Further, an island-shaped upper electrode 24 is laminated on the insulating film 21. The upper electrode 24 is disposed to face the lower electrode 23 and covers each lower electrode 23. That is, each upper electrode 24 is provided on each lower electrode 23 via the insulating film 21. A drain electrode 15 is laminated on the insulating film 21 including the upper electrode 24. The other end of the drain electrode 15 is stacked on the upper electrode 24 and is electrically connected to the upper electrode 24.

各薄膜トランジスタ７の半絶縁膜22、ソース電極14およびドレイン電極15と、各電荷蓄積用キャパシタ８の上部電極24とのそれぞれを含む絶縁膜21上には、絶縁層25が積層されて形成されている。この絶縁層25は、酸化珪素(ＳｉＯ２)などにて形成されており、各画素電極９を取り囲むように形成されている。 On the insulating film 21 including the semi-insulating film 22, the source electrode 14 and the drain electrode 15 of each thin film transistor 7, and the upper electrode 24 of each charge storage capacitor 8, an insulating layer 25 is laminated and formed. Yes. The insulating layer 25 is made of silicon oxide (SiO 2 ) or the like, and is formed so as to surround each pixel electrode 9.

この絶縁層25の一部には、薄膜トランジスタ７のドレイン電極15に連通したコンタクトホールとしてのスルーホール26が開口形成されている。このスルーホール26を含む絶縁層25上には、島状の画素電極９が積層されて形成されている。この画素電極９は、スルーホール26にて薄膜トランジスタ７のドレイン電極15に電気的に接続されている。   A part of the insulating layer 25 is formed with a through hole 26 as a contact hole communicating with the drain electrode 15 of the thin film transistor 7. On the insulating layer 25 including the through hole 26, an island-shaped pixel electrode 9 is laminated. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain electrode 15 of the thin film transistor 7 through the through hole 26.

また、アクティブマトリクス基板３上には、各画素電極９の領域A1に結晶成長促進層31が形成され、画素電極９以外の領域A2に結晶成長抑制層32が形成されている。結晶成長促進層31の形成方法としては、Ｘ線光導電層４を構成する物質と同物質を初期結晶核として薄膜状に形成したり、Ｘ線光導電層４を構成する物質と格子定数が近似もしくは整数倍の物質を初期結晶核として薄膜状に形成するなどが挙げられる。一方、結晶成長抑制層32の形成方法としては、基板表面の凹凸が大きい程、Ｘ線光導電層４の結晶配向性はランダム化することを利用して、プラズマアッシング処理などにより、基板表面の凹凸を拡大さたり、Ｘ線光導電層４を構成する物質と格子定数が大きく異なるか非整数倍の物質を初期結晶核として薄膜状に形成するなどが挙げられる。   On the active matrix substrate 3, a crystal growth promoting layer 31 is formed in the region A1 of each pixel electrode 9, and a crystal growth suppressing layer 32 is formed in the region A2 other than the pixel electrode 9. As a method for forming the crystal growth promoting layer 31, the same material as that constituting the X-ray photoconductive layer 4 is formed into a thin film using the same material as the initial crystal nucleus, or the material and lattice constant constituting the X-ray photoconductive layer 4 are determined. For example, an approximate or integer multiple material is formed in a thin film as an initial crystal nucleus. On the other hand, as a method for forming the crystal growth suppression layer 32, the larger the irregularities on the substrate surface, the more random the crystal orientation of the X-ray photoconductive layer 4 is. For example, the unevenness is enlarged, or the material constituting the X-ray photoconductive layer 4 has a lattice constant that is greatly different from that of the material, or a non-integer multiple material is formed as a thin film as an initial crystal nucleus.

アクティブマトリクス基板３上の結晶成長促進層31および結晶成長抑制層32上に、光導電材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの気相成長法により、Ｘ線光導電層４が積層されて一体に形成されている。気相成長法によるＸ線光導電層４の結晶成長は、主にアクティブマトリクス基板３上に形成された結晶核を起点とすることから、Ｘ線光導電層４の結晶状態はアクティブマトリクス基板３上に形成された結晶核の状態に大きく影響されることとなる。そのため、画素電極９の領域A1に結晶核の配向性を高める効果のある結晶成長促進層31を形成し、画素電極９以外の領域A2に結晶核の配向性を阻害する効果のある結晶成長抑制層32を形成しているので、図４に示すように、画素電極９の領域A1と画素電極９以外の領域A2とで、結晶配向性が異なるＸ線光導電層部4aとＸ線光導電層部4bとが一体に形成される。   An X-ray photoconductive layer 4 is formed on the crystal growth promoting layer 31 and the crystal growth suppressing layer 32 on the active matrix substrate 3 by using a photoconductive material by a vapor phase growth method such as vacuum deposition, sputtering, or CVD. Are integrally formed. Since the crystal growth of the X-ray photoconductive layer 4 by the vapor phase growth method starts mainly from the crystal nucleus formed on the active matrix substrate 3, the crystal state of the X-ray photoconductive layer 4 is the active matrix substrate 3 It will be greatly influenced by the state of the crystal nucleus formed above. Therefore, the crystal growth promoting layer 31 having an effect of increasing the orientation of crystal nuclei is formed in the region A1 of the pixel electrode 9, and the crystal growth suppression having an effect of inhibiting the orientation of crystal nuclei is inhibited in the region A2 other than the pixel electrode 9. Since the layer 32 is formed, as shown in FIG. 4, the X-ray photoconductive layer portion 4a and the X-ray photoconductive layer have different crystal orientations in the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9. The layer portion 4b is integrally formed.

画素電極９の領域A1のＸ線光導電層部4aは、結晶が一様に成長することから結晶配向性が高く、この結晶配向性が高いことで光導電材料の充填密度も高くなり、一方、画素電極９以外の領域A2のＸ線光導電層部4bは、結晶がランダムに成長することから結晶配向性が低く、この結晶配向性が低いことで光導電材料の充填密度も低くなる。そのため、結晶配向性および充填密度は、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係となる。また、ヤング率（縦弾性係数）についても、物質の充填密度の影響を受け、物質の結晶性と相関があるため、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係となる。   The X-ray photoconductive layer portion 4a in the region A1 of the pixel electrode 9 has high crystal orientation because the crystals grow uniformly, and this high crystal orientation also increases the packing density of the photoconductive material. The X-ray photoconductive layer portion 4b in the region A2 other than the pixel electrode 9 has a low crystal orientation because the crystals grow randomly, and the low crystal orientation also reduces the packing density of the photoconductive material. Therefore, the crystal orientation and packing density are in the relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b. The Young's modulus (longitudinal elastic modulus) is also affected by the packing density of the substance and has a correlation with the crystallinity of the substance, so that the relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b is established. .

そして、図４に示すように、Ｘ線光導電層４の結晶配向性は、気相成長法により形成される結晶の配向の規則性を示し、結晶が規則正しく一様なほど結晶配向性が高く、結晶がランダム化するほど結晶配向性が低い。充填密度は、単位体積あたりに充填された光導電材料の密度を示す。ヤング率は、引張応力と引張方向に平行な方向のひずみとの比を示すものであって、Ｘ線光導電層４の強度や弾性などの物質性を示すものであり、充填密度が高いほどヤング率が高く、充填密度が低いほどヤング率が低い相関がある。よって、これら結晶配向性と充填密度とヤング率とには互いに相関がある。   As shown in FIG. 4, the crystal orientation of the X-ray photoconductive layer 4 indicates the regularity of the orientation of the crystal formed by the vapor phase growth method, and the higher the crystal orientation, the higher the crystal orientation. The crystal orientation is lower as the crystal is randomized. The packing density indicates the density of the photoconductive material filled per unit volume. The Young's modulus indicates the ratio between the tensile stress and the strain in the direction parallel to the tensile direction, and indicates the material properties such as the strength and elasticity of the X-ray photoconductive layer 4. There is a correlation that the Young's modulus is lower as the Young's modulus is higher and the packing density is lower. Therefore, these crystal orientation, packing density, and Young's modulus are mutually correlated.

したがって、Ｘ線光導電層４は、画素電極９の領域A1のＸ線光導電層部4aにおける結晶配向性、充填密度、ヤング率が、画素電極９以外の領域A2のＸ線光導電層部4bより高く、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係を有するように一体に形成されている。この関係は、Ｘ線光導電層４の内部応力を低減するうえで、充填密度において１０％以上異なることが好ましい。   Therefore, the X-ray photoconductive layer 4 has an X-ray photoconductive layer portion in the region A2 other than the pixel electrode 9 in terms of crystal orientation, packing density, and Young's modulus in the X-ray photoconductive layer portion 4a in the region A1 of the pixel electrode 9. It is integrally formed so as to have a relationship of higher than 4b and X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b. In order to reduce the internal stress of the X-ray photoconductive layer 4, this relationship is preferably different by 10% or more in the packing density.

Ｘ線光導電層４は、ＢｉＣｌ３、ＢｉＢｒ３、ＢｉＩ３、ＣｕＩ、ＧａＢｒ２、ＧａＩ２、ＧｅＩ４、ＨｆＢｒ４、ＨｆＩ４、ＨｇＢｒ２、ＨｇＩ２、ＩｎＩ、ＰｂＢｒ２、ＰｂＩ２、ＳｂＢｒ３、ＳｂＩ３、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＴａＣｌ５、ＴａＢｒ５、ＴｅＣｌ４、ＴｌＢｒ、ＴｌＩ、ＺｒＢｒ４、ＺｒＩ４、ＰｂＯ、ＨｇＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｓ３、ＴｌＰｂＩ３、ＢｉＯＩ、ＣｄＴｅＺｎ、ＣｄＴｅＳｅ、Ｇｅ、ＧａＡｓの少なくともいずれか１つを含む光導電材料にて形成されている。 X-ray photoconductive layer 4, BiCl 3, BiBr 3, BiI 3, CuI, GaBr 2, GaI 2, GeI 4, HfBr 4, HfI 4, HgBr 2, HgI 2, InI, PbBr 2, PbI 2, SbBr 3 , SbI 3, SnBr 2, SnI 2, TaCl 5, TaBr 5, TeCl 4, TlBr, TlI, ZrBr 4, ZrI 4, PbO, HgO, Bi 2 O 3, Sb 2 S 3, TlPbI 3, biOI, CdTeZn, It is made of a photoconductive material containing at least one of CdTeSe, Ge, and GaAs.

また、Ｘ線光導電層４上には、バイアス電極層５が積層されて形成されている。このバイアス電極層５は、各画素電極９に対向して設けられており、Ｘ線光導電層４上の全面に面一に形成されている。そして、このバイアス電極層５には、このバイアス電極層５に電圧を印加させて、このバイアス電極層５に印加電界を生じさせる電源部41の正極側が電気的に接続されている。また、この電源部41の負極側は接地されている。   A bias electrode layer 5 is laminated on the X-ray photoconductive layer 4. The bias electrode layer 5 is provided to face each pixel electrode 9 and is formed flush with the entire surface of the X-ray photoconductive layer 4. The bias electrode layer 5 is electrically connected to the positive electrode side of a power supply unit 41 that applies a voltage to the bias electrode layer 5 and generates an applied electric field in the bias electrode layer 5. Further, the negative electrode side of the power supply unit 41 is grounded.

このバイアス電極層５上には、絶縁層42が積層されて形成されている。さらに、この絶縁層42上には、画素２間を遮蔽する格子状のＸ線グリッド43が形成されている。このＸ線グリッド43は、Ｘ線光導電層４へと入射して散乱したＸ線による解像度特性の劣化を防止する。   On this bias electrode layer 5, an insulating layer 42 is laminated. Further, a lattice-like X-ray grid 43 that shields between the pixels 2 is formed on the insulating layer 42. The X-ray grid 43 prevents resolution characteristics from being deteriorated due to X-rays that are incident on the X-ray photoconductive layer 4 and scattered.

次に、第１の実施の形態の作用について説明する。   Next, the operation of the first embodiment will be described.

まず、Ｘ線検出器１のＸ線光導電層４へと入射したＸ線Ｌは、このＸ線光導電層４にて励起されて光導電電荷ｈとなる。   First, the X-ray L incident on the X-ray photoconductive layer 4 of the X-ray detector 1 is excited by the X-ray photoconductive layer 4 to become a photoconductive charge h.

光導電電荷ｈは、バイアス電極層５による印加電界によって画素電極９へと移動する。   The photoconductive charge h moves to the pixel electrode 9 by the electric field applied by the bias electrode layer 5.

画素電極９へと移動して流入した光導電電荷ｈは、画素電極９に接続された薄膜トランジスタ７のゲート電極12が駆動状態となるまで、画素電極９に接続された電荷蓄積用キャパシタ８へと移動して保持されて蓄積される。   The photoconductive charge h that has flowed into and flowed into the pixel electrode 9 is transferred to the charge storage capacitor 8 connected to the pixel electrode 9 until the gate electrode 12 of the thin film transistor 7 connected to the pixel electrode 9 is driven. Move and hold and accumulate.

このとき、制御電極11の１つを駆動状態にすると、この駆動状態となった制御電極11に接続された１行の薄膜トランジスタ７が駆動状態となる。   At this time, when one of the control electrodes 11 is in a driving state, the thin film transistors 7 in one row connected to the control electrode 11 in the driving state are in a driving state.

そして、この駆動状態となったそれぞれの薄膜トランジスタ７に接続された電荷蓄積用キャパシタ８に蓄積された光導電電荷ｈが読出電極13へと出力される。   Then, the photoconductive charges h stored in the charge storage capacitors 8 connected to the respective thin film transistors 7 in this driving state are output to the readout electrode 13.

この結果、Ｘ線画像の特定の行の画素２に対応する信号が出力されるため、制御電極11の駆動制御によって、全てのＸ線画像の画素２に対応する信号を出力でき、この出力信号をデジタル画像信号に変換する。   As a result, since a signal corresponding to the pixels 2 in a specific row of the X-ray image is output, signals corresponding to the pixels 2 of all X-ray images can be output by the drive control of the control electrode 11, and this output signal Is converted into a digital image signal.

次に、Ｘ線光導電層４の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the X-ray photoconductive layer 4 will be described.

図５に示すように、アクティブマトリクス基板３の表面には、絶縁層25および複数の画素電極９が配置されている。   As shown in FIG. 5, an insulating layer 25 and a plurality of pixel electrodes 9 are disposed on the surface of the active matrix substrate 3.

図６に示すように、アクティブマトリクス基板３の表面における画素電極９以外の領域A2に、マスキングなどを用いたプラズマアッシング処理により、結晶成長抑制層32を形成する。   As shown in FIG. 6, a crystal growth suppression layer 32 is formed in a region A2 other than the pixel electrode 9 on the surface of the active matrix substrate 3 by plasma ashing using masking or the like.

続いて、図７に示すように、アクティブマトリクス基板３の表面における画素電極９の領域A1に、マスキングなどを用いた気相成長法により、Ｘ線光導電層４を構成する物質と同物質の結晶成長促進層31を初期結晶核として薄膜状に形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 7, the region A1 of the pixel electrode 9 on the surface of the active matrix substrate 3 is made of the same material as that constituting the X-ray photoconductive layer 4 by vapor phase growth using masking or the like. The crystal growth promoting layer 31 is formed in a thin film shape as an initial crystal nucleus.

続いて、図８に示すように、アクティブマトリクス基板３上の結晶成長促進層31および結晶成長抑制層32上に、気相成長法により、Ｘ線光導電層４を積層して一体に形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 8, the X-ray photoconductive layer 4 is laminated and formed integrally on the crystal growth promoting layer 31 and the crystal growth suppressing layer 32 on the active matrix substrate 3 by vapor phase growth. .

このとき、上述したように、気相成長法によるＸ線光導電層４の結晶成長では、主にアクティブマトリクス基板３上に形成された結晶核を起点とすることから、Ｘ線光導電層４の結晶状態はアクティブマトリクス基板３上に形成された結晶核の状態に大きく影響されることとなる。そのため、画素電極９の領域A1に結晶核の配向性を高める効果のある結晶成長促進層31を形成し、画素電極９以外の領域A2に結晶核の配向性を阻害する効果のある結晶成長抑制層32を形成しているので、画素電極９の領域A1と画素電極９以外の領域A2とで、結晶配向性が異なるＸ線光導電層部4aとＸ線光導電層部4bとが一体に形成される。   At this time, as described above, in the crystal growth of the X-ray photoconductive layer 4 by the vapor phase growth method, since the crystal nucleus formed on the active matrix substrate 3 is mainly used as the starting point, the X-ray photoconductive layer 4 is used. This crystal state is greatly influenced by the state of crystal nuclei formed on the active matrix substrate 3. Therefore, the crystal growth promoting layer 31 having an effect of increasing the orientation of crystal nuclei is formed in the region A1 of the pixel electrode 9, and the crystal growth suppression having an effect of inhibiting the orientation of crystal nuclei is inhibited in the region A2 other than the pixel electrode 9. Since the layer 32 is formed, the X-ray photoconductive layer portion 4a and the X-ray photoconductive layer portion 4b having different crystal orientations are integrally formed in the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9. It is formed.

画素電極９の領域A1のＸ線光導電層部4aは、結晶が一様に成長することから結晶配向性が高く、この結晶配向性が高いことで光導電材料の充填密度も高くなり、一方、画素電極９以外の領域A2のＸ線光導電層部4bは、結晶がランダムに成長することから結晶配向性が低く、この結晶配向性が低いことで光導電材料の充填密度も低くなる。そのため、結晶配向性および充填密度は、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係となる。また、ヤング率についても、物質の充填密度の影響を受け、物質の結晶性と相関があるため、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係となる。   The X-ray photoconductive layer portion 4a in the region A1 of the pixel electrode 9 has high crystal orientation because the crystals grow uniformly, and this high crystal orientation also increases the packing density of the photoconductive material. The X-ray photoconductive layer portion 4b in the region A2 other than the pixel electrode 9 has a low crystal orientation because the crystals grow randomly, and the low crystal orientation also reduces the packing density of the photoconductive material. Therefore, the crystal orientation and packing density are in the relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b. The Young's modulus is also affected by the packing density of the substance and has a correlation with the crystallinity of the substance, so that the relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b is established.

したがって、Ｘ線光導電層４は、画素電極９の領域A1のＸ線光導電層部4aにおける結晶配向性、充填密度、ヤング率が、画素電極９以外の領域A2のＸ線光導電層部4bより高く、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係を有する。   Therefore, the X-ray photoconductive layer 4 has an X-ray photoconductive layer portion in the region A2 other than the pixel electrode 9 in terms of crystal orientation, packing density, and Young's modulus in the X-ray photoconductive layer portion 4a in the region A1 of the pixel electrode 9. It is higher than 4b and has a relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b.

このように構成されたＸ線検出器１では、画素電極９の領域A1のＸ線光導電層部4aにおける結晶配向性、充填密度、ヤング率が、画素電極９以外の領域A2のＸ線光導電層部4bより高く、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係を有するように一体に形成しているため、アクティブマトリクス基板３上に一体に形成されるＸ線光導電層４の内部応力を低減でき、Ｘ線光導電層４の剥れやアクティブマトリックス基板３の反りなどが発生するのを防止でき、諸特性および信頼性を向上できる。   In the X-ray detector 1 configured as described above, the crystal orientation, the packing density, and the Young's modulus in the X-ray photoconductive layer portion 4a in the region A1 of the pixel electrode 9 have the X-ray light in the region A2 other than the pixel electrode 9. The X-ray light is integrally formed on the active matrix substrate 3 because it is formed so as to be higher than the conductive layer portion 4b and to have a relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b. The internal stress of the conductive layer 4 can be reduced, the peeling of the X-ray photoconductive layer 4 and the warp of the active matrix substrate 3 can be prevented, and various characteristics and reliability can be improved.

アクティブマトリクス基板３上の画素電極９の領域A1に結晶成長促進層31を形成するとともに画素電極９以外の領域A2に結晶成長抑制層32を形成し、このアクティブマトリクス基板３の結晶成長促進層31上および結晶成長抑制層32上にＸ線光導電層４を気相成長法にて積層することにより、画素電極９の領域A1と画素電極９以外の領域A2とで、結晶配向性、充填密度、ヤング率が異なるＸ線光導電層部4aとＸ線光導電層部4bとを一体に形成できる。Ｘ線光導電層４のＸ線光導電層部4aとＸ線光導電層部4bとを一体に形成できることで、Ｘ線光導電層４への加工の必要がなく、加工による諸特性および信頼性などへの影響もなくすことができる。   A crystal growth promotion layer 31 is formed in a region A1 of the pixel electrode 9 on the active matrix substrate 3 and a crystal growth suppression layer 32 is formed in a region A2 other than the pixel electrode 9, and the crystal growth promotion layer 31 of the active matrix substrate 3 is formed. By laminating the X-ray photoconductive layer 4 on the top and the crystal growth suppressing layer 32 by the vapor phase growth method, the crystal orientation and packing density in the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9 are increased. The X-ray photoconductive layer portion 4a and the X-ray photoconductive layer portion 4b having different Young's moduli can be integrally formed. Since the X-ray photoconductive layer portion 4a and the X-ray photoconductive layer portion 4b of the X-ray photoconductive layer 4 can be integrally formed, there is no need to process the X-ray photoconductive layer 4, and various characteristics and reliability due to the processing. The effect on sex etc. can be eliminated.

そして、例えば、Ｘ線光導電層４の高感度光導電材料：ＰｂＩ２、Ｘ線光導電層４の形成方法：真空蒸着法、Ｘ線光導電層４の積層膜厚：４００μｍ、結晶成長促進層31の材料：ＰｂＩ２、結晶成長促進層31の形成方法：真空蒸着法、結晶成長促進層31の積層膜厚：５０００Å、結晶成長抑制層32の形成方法：プラズマアッシング処理（アッシング：２０００Å）としたＸ線検出器１について、充填密度を測定した。その結果、画素電極９の領域A1と画素電極９以外の領域A2との充填密度は、画素電極９の領域A1：約９０％以上、画素電極９以外の領域A2：約７０％以下となった。したがって、Ｘ線光導電層４は、画素電極９の領域A1のＸ線光導電層部4aにおける結晶配向性、充填密度、ヤング率が、画素電極９以外の領域A2のＸ線光導電層部4bより高く、Ｘ線光導電層部4a＞Ｘ線光導電層部4bの関係を有している。 And, for example, high-sensitivity photoconductive material of the X-ray photoconductive layer 4: PbI 2 , formation method of the X-ray photoconductive layer 4: vacuum deposition method, stacked film thickness of the X-ray photoconductive layer 4: 400 μm, promotion of crystal growth Material of layer 31: PbI 2 , formation method of crystal growth promotion layer 31: vacuum deposition method, stacking film thickness of crystal growth promotion layer 31: 5000 mm, formation method of crystal growth suppression layer 32: plasma ashing treatment (ashing: 2000 mm) The X-ray detector 1 was measured for the packing density. As a result, the filling density of the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9 is about 90% or more in the region A1 of the pixel electrode 9 and about 70% or less in the region A2 other than the pixel electrode 9. . Therefore, the X-ray photoconductive layer 4 has an X-ray photoconductive layer portion in the region A2 other than the pixel electrode 9 in terms of crystal orientation, packing density, and Young's modulus in the X-ray photoconductive layer portion 4a in the region A1 of the pixel electrode 9. It is higher than 4b and has a relationship of X-ray photoconductive layer portion 4a> X-ray photoconductive layer portion 4b.

また、直接方式のＸ線検出器１においては、結晶成長促進層31と結晶成長抑制層32との体積抵抗率の関係を結晶成長促進層31＜結晶成長抑制層32とした場合、隣接する画素電極９からの光導電電荷ｈの流入などの影響に防止することもでき、解像度特性の改善もできる。   In the direct X-ray detector 1, if the relationship between the volume resistivity of the crystal growth promoting layer 31 and the crystal growth inhibiting layer 32 is crystal growth promoting layer 31 <crystal growth inhibiting layer 32, adjacent pixels The influence of the inflow of the photoconductive charge h from the electrode 9 can be prevented, and the resolution characteristics can be improved.

次に、図９および図１０に第２の実施の形態を示す。なお、第１の実施の形態と同一構成については同一符号を用いてその説明を省略する。   Next, FIGS. 9 and 10 show a second embodiment. In addition, about the same structure as 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted using the same code | symbol.

Ｘ線検出器１としては、間接方式のＸ線平面画像検出器である。このＸ線検出器１のアクティブマトリクス基板３の表面には各画素電極９上に可視光ｖを電気信号に変換するフォトダイオードなどの光電変換素子51が形成されている。   The X-ray detector 1 is an indirect X-ray planar image detector. On the surface of the active matrix substrate 3 of the X-ray detector 1, a photoelectric conversion element 51 such as a photodiode for converting visible light v into an electric signal is formed on each pixel electrode 9.

アクティブマトリクス基板３上には、各画素電極９の領域A1であって光電変換素子51上に結晶成長促進層31が形成され、画素電極９以外の領域A2に結晶成長抑制層32が形成されている。   On the active matrix substrate 3, a crystal growth promoting layer 31 is formed on the photoelectric conversion element 51 in the region A 1 of each pixel electrode 9, and a crystal growth suppressing layer 32 is formed on the region A 2 other than the pixel electrode 9. Yes.

アクティブマトリクス基板３上の結晶成長促進層31および結晶成長抑制層32上に、蛍光材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの気相成長法により、Ｘ線Ｌを可視光ｖに変換する柱状結晶構造のシンチレータ層52が積層されて一体に形成されている。気相成長法によるシンチレータ層52の結晶成長は、主にアクティブマトリクス基板３上に形成された結晶核を起点とすることから、シンチレータ層52の結晶状態はアクティブマトリクス基板３上に形成された結晶核の状態に大きく影響されることとなる。そのため、画素電極９の領域A1であって光電変換素子51上に結晶核の配向性を高める効果のある結晶成長促進層31を形成し、画素電極９以外の領域A2に結晶核の配向性を阻害する効果のある結晶成長抑制層32を形成しているので、画素電極９の領域A1と画素電極９以外の領域A2とで、結晶配向性が異なるシンチレータ層部52aとシンチレータ層部52bとが一体に形成されている。   On the crystal growth promoting layer 31 and the crystal growth suppressing layer 32 on the active matrix substrate 3, X-ray L is converted into visible light v by a vapor phase growth method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or a CVD method using a fluorescent material. A scintillator layer 52 having a columnar crystal structure to be converted into is integrally formed. Since the crystal growth of the scintillator layer 52 by the vapor phase growth method starts mainly from the crystal nucleus formed on the active matrix substrate 3, the crystal state of the scintillator layer 52 is the crystal formed on the active matrix substrate 3. It will be greatly influenced by the state of the nucleus. For this reason, the crystal growth promoting layer 31 having the effect of enhancing the orientation of crystal nuclei is formed on the photoelectric conversion element 51 in the region A1 of the pixel electrode 9, and the orientation of crystal nuclei is imparted to the region A2 other than the pixel electrode 9. Since the crystal growth suppressing layer 32 having an inhibiting effect is formed, the scintillator layer portion 52a and the scintillator layer portion 52b having different crystal orientations in the region A1 of the pixel electrode 9 and the region A2 other than the pixel electrode 9 are formed. It is integrally formed.

画素電極９の領域A1であって光電変換素子51上のシンチレータ層部52aは、結晶が規則正しく一様に成長することから結晶配向性が高くなり、この結晶配向性が高くなることで蛍光材料の充填密度も高くなり、一方、画素電極９以外の領域A2のシンチレータ層部52bは、結晶がランダムに成長することから結晶配向性が低くなり、この結晶配向性が低くなることで蛍光材料の充填密度も低くなる。そのため、結晶配向性および充填密度は、シンチレータ層部52a＞シンチレータ層部52bの関係となる。また、ヤング率についても、物質の充填密度の影響を受け、物質の結晶性と相関があるため、シンチレータ層部52a＞シンチレータ層部52bの関係となる。   The scintillator layer 52a on the photoelectric conversion element 51 in the region A1 of the pixel electrode 9 has a high crystal orientation because the crystals grow regularly and uniformly. On the other hand, the scintillator layer portion 52b in the region A2 other than the pixel electrode 9 has a low crystal orientation because the crystal grows at random, and this crystal orientation becomes low, so that the phosphor material is filled. Density also decreases. Therefore, the crystal orientation and the packing density have a relationship of scintillator layer part 52a> scintillator layer part 52b. Further, the Young's modulus is also affected by the filling density of the substance and has a correlation with the crystallinity of the substance, so that the relationship of scintillator layer part 52a> scintillator layer part 52b is established.

したがって、シンチレータ層52は、画素電極９の領域A1であって光電変換素子51上のシンチレータ層部52aにおける結晶配向性、充填密度、ヤング率が、画素電極９以外の領域A2のシンチレータ層部52bより高く、シンチレータ層部52a＞シンチレータ層部52bの関係を有するように一体に形成されている。   Therefore, the scintillator layer 52 is the region A1 of the pixel electrode 9, and the scintillator layer portion 52b of the region A2 other than the pixel electrode 9 has crystal orientation, packing density, and Young's modulus in the scintillator layer portion 52a on the photoelectric conversion element 51. The scintillator layer portion 52a> the scintillator layer portion 52b are integrally formed so as to have a higher relationship.

シンチレータ層52は、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｃａ（１−Ｘ）ＭｇＸＳｉＯ３、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＢＧＯ（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０）、ＧＳＯ（Ｇｄ２ＳｉＯ５）、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）、ＹＡＰ（ＹＡｌＯ３）、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＹＳＯ（Ｙ２ＳｉＯ５）、ＬｕＡＰ（ＬｕＡｌＯ３）、ＬＳＯ（Ｌｕ２ＳｉＯ５）、ＬＳＰ（Ｌｕ２Ｓｉ２Ｏ７）、ＬｕＹＡＰ｛Ｌｕ（１−Ｘ）ＹＸＡｌＯ３｝、ＬＧＳＯ｛Ｌｕ（１−Ｘ）ＧｄＸＳｉＯ５｝、ＬａＣｌ３、ＣｅＣｌ３、ＲｂＧｄ２Ｂｒ７、Ｋ２ＬａＣｌ５、ＬｉＢａＦ３の少なくとも１つを含む蛍光材料にて形成されている。 The scintillator layer 52 is composed of LiI, NaI, CsI, ZnS, ZnSe, Ca 2 MgSi 2 O 7 , Ca (1-X) Mg X SiO 3 , CaF 2 , BaF 2 , BGO (Bi 4 Ge 3 O 12 , Bi 12 GeO 20 ), GSO (Gd 2 SiO 5 ), GOS (Gd 2 O 2 S), YAP (YAlO 3 ), YAG (Y 3 Al 5 O 12 ), YSO (Y 2 SiO 5 ), LuAP (LuAlO 3 ) , LSO (Lu 2 SiO 5 ), LSP (Lu 2 Si 2 O 7 ), LuYAP {Lu (1-X) Y X AlO 3 }, LGSO {Lu (1-X) Gd X SiO 5 }, LaCl 3 , It is made of a fluorescent material containing at least one of CeCl 3 , RbGd 2 Br 7 , K 2 LaCl 5 , and LiBaF 3 .

また、シンチレータ層52上には、シンチレータ層52で変換された可視光ｖの利用効率を高めるための反射層53が積層されて形成され、この反射層53上には絶縁層42が積層されて形成され、この絶縁層42上には画素２間を遮蔽する格子状のＸ線グリッド43が形成されている。   Further, a reflection layer 53 is formed on the scintillator layer 52 to increase the utilization efficiency of the visible light v converted by the scintillator layer 52, and an insulating layer 42 is stacked on the reflection layer 53. A lattice-shaped X-ray grid 43 that shields between the pixels 2 is formed on the insulating layer 42.

そして、シンチレータ層52を形成するプロセスについては、基本的に第１の実施の形態のＸ線光導電層４を形成するプロセスと同様である。   The process for forming the scintillator layer 52 is basically the same as the process for forming the X-ray photoconductive layer 4 of the first embodiment.

このように構成されたＸ線検出器１では、画素電極９の領域A1であって光電変換素子51上のシンチレータ層部52aにおける結晶配向性、充填密度、ヤング率が、画素電極９以外の領域A2のシンチレータ層部52bより高く、シンチレータ層部52a＞シンチレータ層部52bの関係を有するように一体に形成しているため、アクティブマトリクス基板３上に一体に形成されるシンチレータ層52の内部応力を低減でき、シンチレータ層52の剥れやアクティブマトリックス基板３の反りなどが発生するのを防止でき、諸特性および信頼性を向上できる。   In the X-ray detector 1 configured as described above, the region A1 of the pixel electrode 9 and the crystal orientation, packing density, and Young's modulus in the scintillator layer 52a on the photoelectric conversion element 51 are regions other than the pixel electrode 9. Since the scintillator layer 52b is higher than the scintillator layer 52b of A2 and is integrally formed so as to have a relationship of the scintillator layer 52a> scintillator layer 52b, the internal stress of the scintillator layer 52 integrally formed on the active matrix substrate 3 is reduced. Thus, the scintillator layer 52 can be prevented from peeling off, the active matrix substrate 3 can be prevented from warping, and various characteristics and reliability can be improved.

アクティブマトリクス基板３上の画素電極９の領域A1に結晶成長促進層31を形成するとともに画素電極９以外の領域A2に結晶成長抑制層32を形成し、このアクティブマトリクス基板３の結晶成長促進層31上および結晶成長抑制層32上にシンチレータ層52を気相成長法にて積層することにより、画素電極９の領域A1であって光電変換素子51上と画素電極９以外の領域A2とで、結晶配向性、充填密度、ヤング率が異なるシンチレータ層部52aとシンチレータ層部52bとを一体に形成できる。シンチレータ層52のシンチレータ層部52aとシンチレータ層部52bとを一体に形成できることで、シンチレータ層52への加工の必要がなく、加工による諸特性および信頼性などへの影響もなくすことができる。   A crystal growth promotion layer 31 is formed in a region A1 of the pixel electrode 9 on the active matrix substrate 3 and a crystal growth suppression layer 32 is formed in a region A2 other than the pixel electrode 9, and the crystal growth promotion layer 31 of the active matrix substrate 3 is formed. By laminating the scintillator layer 52 on the top and the crystal growth suppressing layer 32 by the vapor phase growth method, a crystal is formed in the region A1 of the pixel electrode 9 on the photoelectric conversion element 51 and the region A2 other than the pixel electrode 9. The scintillator layer portion 52a and the scintillator layer portion 52b having different orientation, packing density, and Young's modulus can be integrally formed. Since the scintillator layer portion 52a and the scintillator layer portion 52b of the scintillator layer 52 can be integrally formed, it is not necessary to process the scintillator layer 52, and it is possible to eliminate the influence on various characteristics and reliability due to processing.

また、間接方式のＸ線検出器１においては、結晶成長促進層31と結晶成長抑制層32の蛍光の透過率の関係を結晶成長促進層31＞結晶成長抑制層32とした場合、解像度特性を改善できる。   In the indirect X-ray detector 1, when the relationship between the fluorescence transmittances of the crystal growth promoting layer 31 and the crystal growth inhibiting layer 32 is crystal growth promoting layer 31> crystal growth inhibiting layer 32, the resolution characteristics are Can improve.

なお、アクティブマトリクス基板３上には、画素２を二次元的でマトリクス状に形成したが、一次元的に形成してもよい。   Note that the pixels 2 are two-dimensionally formed in a matrix on the active matrix substrate 3, but may be formed one-dimensionally.

本発明の第１の実施の形態を示すＸ線検出器の断面図である。It is sectional drawing of the X-ray detector which shows the 1st Embodiment of this invention. 同上Ｘ線検出器のＸ線光導電層の正面図である。It is a front view of the X-ray photoconductive layer of an X-ray detector same as the above. 同上Ｘ線検出器を模式的に示す正面図である。It is a front view showing an X-ray detector typically. 同上Ｘ線検出器のＸ線光導電層の各領域毎の結晶状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the crystal state for every area | region of the X-ray photoconductive layer of an X-ray detector same as the above. 同上Ｘ線検出器の製造方法を示し、(a)は断面図、(b)は正面図である。The manufacturing method of an X-ray detector same as the above is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a front view. 同上Ｘ線検出器の図５に続く製造方法を示し、(a)は断面図、(b)は正面図である。The manufacturing method following FIG. 5 of an X-ray detector same as the above is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a front view. 同上Ｘ線検出器の図６に続く製造方法を示し、(a)は断面図、(b)は正面図である。The manufacturing method following FIG. 6 of an X-ray detector same as the above is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a front view. 同上Ｘ線検出器の図７に続く製造方法を示し、(a)は断面図、(b)は正面図である。The manufacturing method following FIG. 7 of an X-ray detector same as the above is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a front view. 本発明の第２の実施の形態を示すＸ線検出器の断面図である。It is sectional drawing of the X-ray detector which shows the 2nd Embodiment of this invention. 同上Ｘ線検出器のシンチレータ層の正面図である。It is a front view of the scintillator layer of an X-ray detector same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

１ Ｘ線検出器
３ 回路基板としてのアクティブマトリクス基板
４ Ｘ線光導電層
５ 電極層としてのバイアス電極層
９ 画素電極
31 結晶成長促進層
32 結晶成長抑制層
51 光電変換素子
52 シンチレータ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 X-ray detector 3 Active matrix board | substrate as a circuit board 4 X-ray photoconductive layer 5 Bias electrode layer as an electrode layer 9 Pixel electrode
31 Crystal growth promotion layer
32 Crystal growth suppression layer
51 Photoelectric conversion element
52 Scintillator layer

Claims (12)

電気信号を検出する画素電極が設けられた回路基板と、
前記回路基板上の画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成され、Ｘ線を電気信号に変換するＸ線光導電層と、
前記Ｘ線光導電層上に設けられた電極層と
を具備していることを特徴とするＸ線検出器。 A circuit board provided with a pixel electrode for detecting an electrical signal;
X-rays that are integrally formed so that at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus is different between a region of the pixel electrode on the circuit board and a region other than the pixel electrode, and converts the X-rays into electrical signals. A photoconductive layer;
An X-ray detector comprising: an electrode layer provided on the X-ray photoconductive layer. Ｘ線光導電層は、画素電極の領域における結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが、画素電極以外の領域より高い関係を有している
ことを特徴とする請求項１記載のＸ線検出器。 The X-ray photoconductive layer has a relationship in which at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus in a region of a pixel electrode is higher than that of a region other than the pixel electrode. X-ray detector. 回路基板上の画素電極の領域に結晶成長促進層が形成され、画素電極以外の領域に結晶成長抑制層が形成され、
Ｘ線光導電層は、前記回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上に気相成長法により積層されて形成されている
ことを特徴とする請求項１または２記載のＸ線検出器。 A crystal growth promoting layer is formed in the region of the pixel electrode on the circuit board, and a crystal growth suppressing layer is formed in the region other than the pixel electrode,
3. The X-ray detection according to claim 1, wherein the X-ray photoconductive layer is formed by being deposited on the crystal growth promotion layer and the crystal growth suppression layer of the circuit board by a vapor deposition method. vessel. Ｘ線光導電層は、ＢｉＣｌ３、ＢｉＢｒ３、ＢｉＩ３、ＣｕＩ、ＧａＢｒ２、ＧａＩ２、ＧｅＩ４、ＨｆＢｒ４、ＨｆＩ４、ＨｇＢｒ２、ＨｇＩ２、ＩｎＩ、ＰｂＢｒ２、ＰｂＩ２、ＳｂＢｒ３、ＳｂＩ３、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＴａＣｌ５、ＴａＢｒ５、ＴｅＣｌ４、ＴｌＢｒ、ＴｌＩ、ＺｒＢｒ４、ＺｒＩ４、ＰｂＯ、ＨｇＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｓ３、ＴｌＰｂＩ３、ＢｉＯＩ、ＣｄＴｅＺｎ、ＣｄＴｅＳｅ、Ｇｅ、ＧａＡｓの少なくともいずれか１つを含む光導電材料にて形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載のＸ線検出器。 X-ray photoconductive layer, BiCl 3, BiBr 3, BiI 3, CuI, GaBr 2, GaI 2, GeI 4, HfBr 4, HfI 4, HgBr 2, HgI 2, InI, PbBr 2, PbI 2, SbBr 3, SbI 3, SnBr 2, SnI 2 , TaCl 5, TaBr 5, TeCl 4, TlBr, TlI, ZrBr 4, ZrI 4, PbO, HgO, Bi 2 O 3, Sb 2 S 3, TlPbI 3, biOI, CdTeZn, CdTeSe The X-ray detector according to claim 1, wherein the X-ray detector is formed of a photoconductive material containing at least one of Ge, GaAs. 可視光を電気信号に変換する光電変換素子およびこの光電変換素子で変換された電気信号を検出する画素電極が設けられた回路基板と、
前記回路基板上の画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成され、Ｘ線を可視光に変換するシンチレータ層と
を具備していることを特徴とするＸ線検出器。 A circuit board provided with a photoelectric conversion element that converts visible light into an electrical signal and a pixel electrode that detects an electrical signal converted by the photoelectric conversion element;
A scintillator layer that is integrally formed so that at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus is different between a region of the pixel electrode on the circuit board and a region other than the pixel electrode, and converts X-rays into visible light. An X-ray detector comprising: シンチレータ層は、画素電極の領域における結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが画素電極以外の領域より高い関係を有している
ことを特徴とする請求項５記載のＸ線検出器。 6. The X-ray detection according to claim 5, wherein the scintillator layer has a relationship in which at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus in the pixel electrode region is higher than that in the region other than the pixel electrode. vessel. 回路基板上の画素電極の領域に結晶成長促進層が形成され、画素電極以外の領域に結晶成長抑制層が形成され、
シンチレータ層は、前記回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上に気相成長法により積層されて形成されている
ことを特徴とする請求項５または６記載のＸ線検出器。 A crystal growth promoting layer is formed in the region of the pixel electrode on the circuit board, and a crystal growth suppressing layer is formed in the region other than the pixel electrode,
The X-ray detector according to claim 5, wherein the scintillator layer is formed by being deposited on the crystal growth promotion layer and the crystal growth suppression layer of the circuit board by a vapor phase growth method. シンチレータ層は、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７、Ｃａ（１−Ｘ）ＭｇＸＳｉＯ３、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＢＧＯ（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０）、ＧＳＯ（Ｇｄ２ＳｉＯ５）、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）、ＹＡＰ（ＹＡｌＯ３）、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＹＳＯ（Ｙ２ＳｉＯ５）、ＬｕＡＰ（ＬｕＡｌＯ３）、ＬＳＯ（Ｌｕ２ＳｉＯ５）、ＬＳＰ（Ｌｕ２Ｓｉ２Ｏ７）、ＬｕＹＡＰ｛Ｌｕ（１−Ｘ）ＹＸＡｌＯ３｝、ＬＧＳＯ｛Ｌｕ（１−Ｘ）ＧｄＸＳｉＯ５｝、ＬａＣｌ３、ＣｅＣｌ３、ＲｂＧｄ２Ｂｒ７、Ｋ２ＬａＣｌ５、ＬｉＢａＦ３の少なくとも１つを含む蛍光材料にて形成されている
ことを特徴とする請求項５ないし７いずれか記載のＸ線検出器。 The scintillator layer is composed of LiI, NaI, CsI, ZnS, ZnSe, Ca 2 MgSi 2 O 7 , Ca (1-X) Mg X SiO 3 , CaF 2 , BaF 2 , BGO (Bi 4 Ge 3 O 12 , Bi 12 GeO 20), GSO (Gd 2 SiO 5), GOS (Gd 2 O 2 S), YAP (YAlO 3), YAG (Y 3 Al 5 O 12), YSO (Y 2 SiO 5), LuAP (LuAlO 3), LSO (Lu 2 SiO 5 ), LSP (Lu 2 Si 2 O 7 ), LuYAP {Lu (1-X) Y X AlO 3 }, LGSO {Lu (1-X) Gd X SiO 5 }, LaCl 3 , CeCl 3, RbGd 2 Br 7, K 2 LaCl 5, claims, characterized in that it is formed with a fluorescent material comprising at least one of LiBaF 3 To 7 X-ray detector according to any one. 回路基板上の電気信号を検出する画素電極の領域に結晶成長促進層を形成するとともに画素電極以外の領域に結晶成長抑制層を形成し、
前記回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にＸ線光導電層を気相成長法にて積層することにより、このＸ線光導電層を画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成する
ことを特徴とするＸ線検出器の製造方法。 Forming a crystal growth promoting layer in a region of the pixel electrode for detecting an electrical signal on the circuit board and forming a crystal growth suppressing layer in a region other than the pixel electrode;
By laminating an X-ray photoconductive layer on the crystal growth promoting layer and the crystal growth suppressing layer of the circuit board by a vapor phase growth method, the X-ray photoconductive layer is formed into a region other than the pixel electrode and the region other than the pixel electrode. And an integral unit so that at least one of crystal orientation, packing density, and Young's modulus is different. 回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にＸ線光導電層を気相成長法にて積層することにより、このＸ線光導電層の画素電極の領域における結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが画素電極以外の領域より高い関係に一体に形成する
ことを特徴とする請求項９記載のＸ線検出器の製造方法。 By laminating an X-ray photoconductive layer on the crystal growth promoting layer and the crystal growth suppressing layer of the circuit board by a vapor phase growth method, the crystal orientation in the region of the pixel electrode of this X-ray photoconductive layer, the packing density The method for manufacturing an X-ray detector according to claim 9, wherein at least one of the Young's moduli is integrally formed in a relationship higher than that of the region other than the pixel electrode. 可視光を電気信号に変換する光電変換素子およびこの光電変換素子で変換された電気信号を検出する画素電極が設けられた回路基板上であって、画素電極の領域に結晶成長促進層を形成するとともに画素電極以外の領域に結晶成長抑制層を形成し、
前記回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にシンチレータ層を気相成長法にて積層することにより、このシンチレータ層を画素電極の領域と画素電極以外の領域とで結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが異なるように一体に形成する
ことを特徴とするＸ線検出器の製造方法。 A crystal growth promoting layer is formed on a circuit board provided with a photoelectric conversion element that converts visible light into an electric signal and a pixel electrode that detects an electric signal converted by the photoelectric conversion element. And forming a crystal growth suppression layer in a region other than the pixel electrode,
By laminating a scintillator layer on the crystal growth promotion layer and the crystal growth suppression layer of the circuit board by a vapor phase growth method, the scintillator layer has a crystal orientation in a region of the pixel electrode and a region other than the pixel electrode, A method of manufacturing an X-ray detector, wherein the X-ray detector is integrally formed so that at least one of a packing density and a Young's modulus is different. 回路基板の結晶成長促進層上および結晶成長抑制層上にシンチレータ層を気相成長法にて積層することにより、このシンチレータ層の画素電極の領域における結晶配向性、充填密度、ヤング率のうちの少なくとも１つが画素電極以外の領域より高い関係に一体に形成する
ことを特徴とする請求項１１記載のＸ線検出器の製造方法。 By laminating a scintillator layer on the crystal growth promotion layer and the crystal growth suppression layer of the circuit board by the vapor phase growth method, the crystal orientation, the packing density, and the Young's modulus in the pixel electrode region of the scintillator layer The method for manufacturing an X-ray detector according to claim 11, wherein at least one is integrally formed in a relationship higher than a region other than the pixel electrode.
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