JP2007165746A - Liquid treatment method, liquid treatment device, control program and computer-readable storage medium - Google Patents

Liquid treatment method, liquid treatment device, control program and computer-readable storage medium Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid treatment method in which the bending or cracking of a substrate to be treated is hardly generated in the case of carrying out liquid treatment by forming a liquid film on the substrate to be treated. <P>SOLUTION: This liquid treatment method comprises a process (step 3) for making a plate adjacent to at least one surface of a substrate to be treated, and for supplying treatment liquid to a gap between the plate and the substrate to be treated for forming a liquid film; a process (step 4) for treating the substrate to be treated in such a status that the liquid film of the treatment liquid is formed; and a process (step 5) for widening the gap where the liquid film of the treatment liquid is formed, for supplying liquid to the gap following up this after the end of treatment, and for breaking down the liquid film. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置(LCD)のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)等の被処理基板に対して洗浄等の液処理を施す液処理方法および液処理装置、ならびに液処理方法を実施するための制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。   The present invention relates to a liquid processing method and a liquid processing apparatus for performing liquid processing such as cleaning on a substrate to be processed such as a flat panel display (FPD) represented by a glass substrate of a semiconductor wafer or a liquid crystal display device (LCD), and The present invention relates to a control program for implementing a liquid processing method and a computer-readable storage medium.

半導体デバイスの製造プロセスにおいては半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)を所定の薬液(洗浄液)によって洗浄し、ウエハに付着したパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーション、エッチング処理後のポリマー等を除去する洗浄処理が行われる。   In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) is washed with a predetermined chemical solution (cleaning solution), contaminated with particles, organic contaminants, metal impurities, etc., and polymer after etching. A cleaning process is performed to remove and the like.

このような洗浄処理を行うウエハ洗浄装置としては、ウエハをスピンチャックに保持し、ウエハを静止させた状態または回転させた状態でウエハの表裏面に薬液を供給して薬液処理を行い、次にウエハを所定の回転数で回転させながらウエハに純水等のリンス液を供給して薬液を洗い流し、その後にウエハを回転させて乾燥処理を行う枚葉式のウエハ洗浄装置が知られている。   As a wafer cleaning apparatus for performing such cleaning processing, a wafer is held on a spin chuck, and a chemical solution is supplied by supplying a chemical solution to the front and back surfaces of the wafer while the wafer is stationary or rotated. 2. Description of the Related Art A single wafer cleaning apparatus is known in which a rinse solution such as pure water is supplied to a wafer while the wafer is rotated at a predetermined number of rotations to wash away a chemical solution, and then the wafer is rotated to perform a drying process.

このような枚様式のウエハ洗浄装置において、経済性の観点から使用する薬液を極力少なくする技術として、ウエハの洗浄面に薬液のパドル(液膜)を形成して洗浄処理を行う技術が提案されている(例えば特許文献1)。具体的には、例えば、ウエハの裏面に薬液のパドルを形成するためにプレートを設け、このプレートをウエハ裏面に近接させた状態でプレートに設けられたノズルからウエハとプレートとの間に薬液を供給することによりパドルを形成する。このプレートは昇降可能に設けられており、薬液洗浄後にプレートを下降させてプレートとウエハとの間のギャップを広げ、ウエハを高速回転しながらリンス処理および乾燥処理を行う。薬液処理の際には1枚当たりの薬液使用量を抑制するためにプレートとウエハとの間のギャップを極力小さくする。   In such a single wafer cleaning apparatus, as a technique for reducing the amount of chemical used as much as possible from the viewpoint of economy, a technique for forming a chemical paddle (liquid film) on the wafer cleaning surface and performing a cleaning process has been proposed. (For example, Patent Document 1). Specifically, for example, a plate is provided to form a paddle of a chemical solution on the back surface of the wafer, and the chemical solution is passed between the wafer and the plate from a nozzle provided on the plate in a state where the plate is close to the back surface of the wafer. The paddle is formed by supplying. This plate is provided so that it can be raised and lowered. After the chemical solution cleaning, the plate is lowered to widen the gap between the plate and the wafer, and the rinse treatment and the drying treatment are performed while rotating the wafer at a high speed. During chemical processing, the gap between the plate and the wafer is made as small as possible in order to suppress the amount of chemical used per sheet.

しかしながら、プレートを下降させてウエハから離間させるとき、またはウエハをそのまま高速回転する際に、ギャップの体積よりギャップ内の液の体積が小さくなることでギャップ内が真空状態となり、ウエハがプレートに吸着されて撓みや割れが発生してしまおそれがある。
特開2003−224100号公報
However, when the plate is lowered and separated from the wafer, or when the wafer is rotated at a high speed as it is, the volume of liquid in the gap becomes smaller than the volume of the gap, so that the inside of the gap is in a vacuum state and the wafer is adsorbed on the plate. May cause bending and cracking.
JP 2003-224100 A

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板にプレートを用いて液膜を形成して液処理する際に、被処理基板の撓みや割れが生じ難い液処理方法および液処理装置を提供することを目的とする。
また、そのような方法を実施するための制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a liquid processing method and a liquid in which bending or cracking of a substrate to be processed is unlikely to occur when a liquid film is formed on a substrate to be processed using a plate. An object is to provide a processing apparatus.
It is another object of the present invention to provide a control program and a computer-readable storage medium for carrying out such a method.

上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、被処理基板の少なくとも一方の面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して液膜を形成する工程と、前記液膜が形成された状態で被処理基板を処理する工程と、前記処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊する工程とを有することを特徴とする液処理方法を提供する。   In order to solve the above problems, in the first aspect of the present invention, a plate is brought close to at least one surface of a substrate to be processed, and a processing liquid is supplied to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film. And a step of processing the substrate to be processed in a state in which the liquid film is formed, and after the processing, the gap in which the liquid film of the processing liquid is formed is widened and followed by the gap. A liquid treatment method comprising: supplying a liquid to the liquid and destroying the liquid film.

上記第1の観点に係る液処理方法において、前記処理液は、前記プレートの中心部に設けられたノズルを介して前記プレートと被処理基板との間に供給することができる。また、前記液膜を形成する前記処理液として薬液を用いることができ、前記液体としてリンス液を用いることができる。さらに、前記液膜を破壊する工程は、被処理基板を相対的に低速の第1の回転数で回転させながら行われ、その後に、被処理基板の回転数を前記第1の回転数よりも高速の第2の回転数に上昇させつつ前記ギャップをさらに拡大する工程をさらに有するようにしてもよい。この場合に、前記第1の回転数を10〜100rpmとし、前記第2の回転数を100〜1000rpmとすることができる。被処理基板を回転させながら被処理基板にリンス液を供給する工程と、被処理基板を回転させて振り切り乾燥を行う工程とをさらに有してもよい。   In the liquid processing method according to the first aspect, the processing liquid can be supplied between the plate and the substrate to be processed through a nozzle provided at the center of the plate. Moreover, a chemical | medical solution can be used as the said process liquid which forms the said liquid film, and a rinse liquid can be used as the said liquid. Further, the step of destroying the liquid film is performed while rotating the substrate to be processed at a relatively low first rotational speed, and thereafter, the rotational speed of the substrate to be processed is made higher than the first rotational speed. You may make it further have the process of expanding the said gap further, making it raise to 2nd high speed. In this case, the first rotation speed can be set to 10 to 100 rpm, and the second rotation speed can be set to 100 to 1000 rpm. You may further have the process of supplying a rinse liquid to a to-be-processed substrate, rotating a to-be-processed substrate, and the process of rotating a to-be-processed substrate and performing shake-off drying.

本発明の第2の観点では、被処理基板の少なくとも一方の面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して液膜を形成する工程と、前記液膜が形成された状態で被処理基板を処理する工程と、前記処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊する工程と、前記ギャップの前記液膜を除去する工程と、被処理基板の前記プレートと対向する面をリンスする工程と、被処理基板を振り切り乾燥させる工程とを有することを特徴とする液処理方法を提供する。   In a second aspect of the present invention, a step of bringing a plate close to at least one surface of a substrate to be processed and supplying a processing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film; A step of processing the substrate in a state where the liquid crystal is formed, and after the processing is completed, the liquid in which the liquid film of the processing liquid is formed is widened and the liquid is supplied to the gap following the gap. A step of breaking the film, a step of removing the liquid film in the gap, a step of rinsing a surface of the substrate to be processed facing the plate, and a step of shaking and drying the substrate to be processed. A liquid processing method is provided.

本発明の第3の観点では、被処理基板の裏面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して液膜を形成する工程と、前記液膜が形成された状態で被処理基板を処理する工程と、前記処理が終了後、被処理基板を相対的に低速の第1の回転数で回転させ、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊する工程と、被処理基板の回転数を相対的に高速の第2の回転数に上昇させて前記ギャップの前記液膜を除去する工程と、被処理基板を回転させながら被処理基板の裏面にリンス液を供給してリンスする工程と、被処理基板の裏面の処理を進行させている間に被処理基板の表面に処理液を供給して表面の処理を行う工程と、被処理基板の表面の処理の後、その表面にリンス液を供給してリンスする工程と、前記第1の回転数から前記第2の回転数に上昇するタイミングで、被処理体の表面に供給されているリンス液を、噴霧化された純水とガスとの2流体スプレーに切り替える工程とを有することを特徴とする液処理方法を提供する。   In a third aspect of the present invention, a step of bringing a plate close to the back surface of the substrate to be processed and supplying a processing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film; and the liquid film is formed. And processing the substrate to be processed in a state where the substrate is processed, and after the processing is completed, the substrate to be processed is rotated at a relatively low first rotational speed, and the gap in which the liquid film of the processing liquid is formed is formed. The step of supplying the liquid to the gap following the expansion while spreading it and breaking the liquid film, and increasing the rotational speed of the substrate to be processed to a relatively high second rotational speed A process of removing, a process of supplying a rinsing liquid to the back surface of the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed, and a process on the surface of the substrate to be processed while processing the back surface of the substrate to be processed A process of supplying a liquid to treat the surface, and a substrate to be processed After the surface treatment, a rinsing liquid is supplied to the surface of the object to be treated at the time of supplying the rinsing liquid to the surface and rinsing, and at a timing when the rotation speed increases from the first rotation speed to the second rotation speed. And a step of switching the liquid to a two-fluid spray of nebulized pure water and gas.

上記第3の観点に係る液処理方法において、前記第1の回転数を10〜100rpmとし、前記第2の回転数を100〜1000rpmとすることができる。また、被処理基板を高速で回転させて振り切り乾燥させる工程をさらに有するものとしてもよい。   In the liquid processing method according to the third aspect, the first rotation speed can be set to 10 to 100 rpm, and the second rotation speed can be set to 100 to 1000 rpm. Moreover, it is good also as what has further the process of rotating a to-be-processed substrate at high speed, and carrying out the shake-off drying.

本発明の第4の観点では、被処理基板の少なくとも一方の面に対向して第1の間隔でプレートを位置させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに第1の液体を供給して液処理する工程と、前記処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを第2の間隔まで広げつつそれに追従して前記ギャップに第2の液体を供給し、液膜を破壊する工程と、前記ギャップをさらに第3の間隔まで広げ、前記液膜を除去する工程とを有することを特徴とする液処理方法を提供する。   In the fourth aspect of the present invention, the plate is positioned at a first interval so as to face at least one surface of the substrate to be processed, and the first liquid is supplied to the gap between the plate and the substrate to be processed. And after the process is completed, the gap in which the liquid film of the processing liquid is formed is expanded to a second interval, and the second liquid is supplied to the gap following the gap. There is provided a liquid processing method comprising a step of breaking and a step of further expanding the gap to a third interval and removing the liquid film.

上記第4の観点に係る液処理方法において、前記液膜を破壊する工程は、第1の回転数で被処理基板を回転させて行われ、前記液膜を除去する工程は、第1の回転数よりも高速の第2の回転数に上昇させて行われるようにすることができる。また、前記液膜を除去する工程の後、プレートと被処理基板とのギャップにリンス液を供給する工程をさらに有してもよい。さらに、前記第1の液体として薬液を用い、前記第2の液体としてリンス液を用いることができる。   In the liquid processing method according to the fourth aspect, the step of destroying the liquid film is performed by rotating the substrate to be processed at a first rotational speed, and the step of removing the liquid film is performed by the first rotation. The second rotation speed higher than the number can be increased to be performed. Moreover, you may further have the process of supplying a rinse liquid to the gap of a plate and a to-be-processed substrate after the process of removing the said liquid film. Furthermore, a chemical liquid can be used as the first liquid, and a rinse liquid can be used as the second liquid.

本発明の第5の観点では、被処理基板を水平に保持する基板保持部と、被処理基板の少なくとも一方の面に対して接離可能に設けられた少なくとも1枚のプレートと、前記プレートと前記被処理基板とのギャップに処理液を供給するための処理液供給手段と、前記ギャップに液体を供給するための液体供給手段と、前記液膜による処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊するように制御する制御機構とを具備することを特徴とする液処理装置を提供する。   In a fifth aspect of the present invention, a substrate holding unit that horizontally holds a substrate to be processed, at least one plate provided so as to be able to contact with and separate from at least one surface of the substrate to be processed, and the plate A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the gap with the substrate to be processed; a liquid supply means for supplying a liquid to the gap; and a liquid film of the processing liquid after the processing by the liquid film is completed A liquid processing apparatus is provided, comprising: a control mechanism for controlling the liquid film so as to break the liquid film by expanding the gap in which the liquid crystal is formed and supplying the liquid to the gap.

本発明の第6の観点では、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記方法が行なわれるように、コンピュータに液処理装置を制御させることを特徴とする制御プログラムを提供する。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a control program characterized by operating on a computer and causing the computer to control the liquid processing apparatus so that the above method is performed at the time of execution.

本発明の第7の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記方法が行われるように、コンピュータに液処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a computer-readable storage medium storing a control program that operates on a computer, and the control program performs liquid processing on the computer so that the above method is performed at the time of execution. A computer-readable storage medium characterized by controlling an apparatus is provided.

本発明によれば、被処理基板の少なくとも一方の面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して処理液の液膜を形成し、液膜が形成された状態で被処理基板を処理し、処理が終了後、前記処理液の液膜が供給されている前記ギャップに液体を供給しつつそのギャップを広げ、液膜を破壊するので、被処理基板とプレートとのギャップを広げる際に、その間が真空状態にならず、被処理基板の撓みや割れが発生し難い。また、一度液膜が破壊されると、このギャップでは液膜を形成しないため、次の工程のために基板の回転数を上昇させることができる。   According to the present invention, a plate is brought close to at least one surface of a substrate to be processed, a processing liquid is supplied to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film of the processing liquid, and the liquid film is formed. The substrate to be processed is processed, and after the processing is completed, the gap is widened while supplying the liquid to the gap to which the liquid film of the processing liquid is supplied, and the liquid film is destroyed. When the gap with the plate is widened, the space between the plates is not in a vacuum state, and the substrate to be processed is unlikely to be bent or cracked. Further, once the liquid film is broken, no liquid film is formed in this gap, so that the number of rotations of the substrate can be increased for the next step.

以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。ここでは、本発明をウエハの表裏面を同時に洗浄処理することができる洗浄処理装置に適用した場合について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case will be described in which the present invention is applied to a cleaning processing apparatus capable of simultaneously cleaning the front and back surfaces of a wafer.

図1は本発明の一実施形態に係る方法の実施に用いられるウエハ洗浄装置の一例を示す概略平面図であり、図2はその概略断面図である。ウエハ洗浄装置100は、ハウジング1を有しており、ハウジング1の内部に、洗浄処理を行うウエハを収容するアウターチャンバ2と、液吐出ノズル用の液吐出ノズルアーム31を格納する液吐出ノズルアーム格納部3と、2流体スプレーノズル用の2流体スプレーノズルアーム32を格納する2流体スプレーノズルアーム格納部4とを有している。   FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a wafer cleaning apparatus used for carrying out a method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view thereof. The wafer cleaning apparatus 100 includes a housing 1, and an outer chamber 2 that houses a wafer to be cleaned and a liquid discharge nozzle arm 31 that stores a liquid discharge nozzle arm 31 for a liquid discharge nozzle inside the housing 1. It has the storage part 3 and the 2 fluid spray nozzle arm storage part 4 which stores the 2 fluid spray nozzle arm 32 for 2 fluid spray nozzles.

また、ウエハ洗浄装置100は、アウターチャンバ2の内部に、インナーカップ11(図2)と、インナーカップ11内においてウエハWを保持するスピンチャック12と、スピンチャック12に保持されたウエハWの裏面側にウエハWに対向するようにかつ上下動可能に設けられたアンダープレート13とを有している。   The wafer cleaning apparatus 100 includes an inner cup 11 (FIG. 2), a spin chuck 12 that holds the wafer W in the inner cup 11, and a back surface of the wafer W held by the spin chuck 12 in the outer chamber 2. And an under plate 13 provided so as to face the wafer W and to be movable up and down.

ハウジング1には、ウエハ搬入出口として機能する窓部14が形成されており、この窓部14は第1シャッタ15により開閉自在となっている。窓部14は、ウエハWの搬入出時には開かれた状態となり、それ以外は第1シャッタ15によって閉塞された状態に保持される。第1シャッタ15はハウジング1の内部から窓部14を開閉するようになっており、ハウジング1の内部が陽圧になった場合でもハウジング11内の雰囲気の漏洩を有効に防止可能となっている。   The housing 1 is formed with a window portion 14 that functions as a wafer loading / unloading port. The window portion 14 can be opened and closed by a first shutter 15. The window portion 14 is opened when the wafer W is loaded / unloaded, and the window portion 14 is held closed by the first shutter 15 otherwise. The first shutter 15 opens and closes the window portion 14 from the inside of the housing 1 and can effectively prevent leakage of the atmosphere in the housing 11 even when the inside of the housing 1 becomes positive pressure. .

アウターチャンバ2の側部の上記窓部14に対応する位置には、ウエハWの搬入出口となる窓部16が形成されており、この窓部16は第2シャッタ17により開閉自在となっている。窓部16は、ウエハWの搬入出時には開かれた状態となり、それ以外は第2シャッタ17によって閉塞された状態に保持される。ウエハWの洗浄処理はアウターチャンバ2内で行われるようになっており、ウエハWの搬入出時には、窓部14および16の両方が開いた状態となり、外部から図示しない搬送アームがアウターチャンバ2内に挿入され、スピンチャック12に対するウエハWの受け取りおよび受け渡しが行われる。   A window 16 serving as a loading / unloading port for the wafer W is formed at a position corresponding to the window 14 on the side of the outer chamber 2. The window 16 can be opened and closed by a second shutter 17. . The window portion 16 is opened when the wafer W is loaded / unloaded, and the window portion 16 is held closed by the second shutter 17 otherwise. The cleaning process of the wafer W is performed in the outer chamber 2. When the wafer W is loaded / unloaded, both the windows 14 and 16 are opened, and a transfer arm (not shown) is externally provided in the outer chamber 2. The wafer W is received and delivered to the spin chuck 12.

第2シャッタ17もアウターチャンバ2の内部から窓部16を開閉するようになっており、アウターチャンバ2内が陽圧になった場合でもその内部の雰囲気の漏洩を有効に防止可能となっている。   The second shutter 17 also opens and closes the window portion 16 from the inside of the outer chamber 2, and even when the inside of the outer chamber 2 becomes a positive pressure, it is possible to effectively prevent leakage of the atmosphere inside. .

アウターチャンバ2の上壁には、アウターチャンバ2内にNガス等の不活性ガスを供給するガス供給口18が設けられている。このガス供給口18は、アウターチャンバ2内にダウンフローを形成し、スピンチャック12に保持されたウエハWに吐出された薬液の蒸気がアウターチャンバ2内に充満することを防止する。またこのようなダウンフローを形成することによって、ウエハWの表面にウォーターマークが生じ難くなるという効果も得られる。アウターチャンバ2の底部にはドレイン部19が設けられ、ドレイン部19から排気および排液を行うことができるようになっている。 A gas supply port 18 that supplies an inert gas such as N 2 gas into the outer chamber 2 is provided on the upper wall of the outer chamber 2. The gas supply port 18 forms a down flow in the outer chamber 2 and prevents the outer chamber 2 from being filled with the vapor of the chemical solution discharged to the wafer W held by the spin chuck 12. Further, by forming such a downflow, an effect that a watermark is hardly generated on the surface of the wafer W can be obtained. A drain portion 19 is provided at the bottom of the outer chamber 2, and exhaust and drainage can be performed from the drain portion 19.

インナーカップ11は、ウエハWに吐出された薬液や純水の周囲への飛散を防止するためのものであり、アウターチャンバ2の内側にスピンチャック12を囲繞するように設けられている。このインナーカップ11は、上部がテーパー部11aとなっており、底壁にはドレイン部20が形成されている。また、インナーカップ11は、その上端がスピンチャック12に保持されたウエハWよりも上方で、テーパー部がウエハWを囲繞する処理位置(図2において実線で示される位置)と、その上端がスピンチャック12に保持されたウエハWよりも下側の退避位置(図2において点線で示される位置)との間で昇降自在となっている。   The inner cup 11 is for preventing the chemical solution or pure water discharged on the wafer W from being scattered around, and is provided inside the outer chamber 2 so as to surround the spin chuck 12. The inner cup 11 has a tapered portion 11a at the top, and a drain portion 20 is formed on the bottom wall. The inner cup 11 has a processing position (a position indicated by a solid line in FIG. 2) where the upper end of the inner cup 11 is above the wafer W held by the spin chuck 12 and the taper portion surrounds the wafer W. It can be moved up and down between a retracted position below the wafer W held by the chuck 12 (a position indicated by a dotted line in FIG. 2).

インナーカップ11は、ウエハWの搬入出時には搬送アーム(図示せず)の進入/退出を妨げないように退避位置に保持される。一方、スピンチャック12に保持されたウエハWに洗浄処理が施される際には処理位置に保持される。またウエハWの洗浄処理に用いられた薬液はドレイン部20へと導かれる。ドレイン部20には図示しない薬液回収ラインと排気ダクトが接続されており、これによりインナーカップ11内で発生するミスト等がアウターチャンバ2内へ拡散することが防止される。   The inner cup 11 is held at the retracted position so as not to prevent entry / exit of a transfer arm (not shown) when the wafer W is loaded / unloaded. On the other hand, the wafer W held on the spin chuck 12 is held at the processing position when the cleaning process is performed. Further, the chemical solution used for the cleaning process of the wafer W is guided to the drain unit 20. A chemical solution recovery line (not shown) and an exhaust duct (not shown) are connected to the drain portion 20, thereby preventing mist generated in the inner cup 11 from diffusing into the outer chamber 2.

スピンチャック12は、回転プレート41と、回転プレート41の中央部に接続され回転プレート41の下方に延びる回転筒体42とを有し、ウエハWを支持する支持ピン44aとウエハWを保持する保持ピン44bが回転プレート41の周縁部に取り付けられている。搬送アーム(図示せず)とスピンチャック12との間のウエハWの受け渡しは、この支持ピン44aを利用して行われる。支持ピン44aは、ウエハWを確実に支持する観点から、少なくとも3箇所に設けることが好ましい。保持ピン44bは、搬送アーム(図示せず)とスピンチャック12との間でのウエハWの受け渡しを妨げないように、図示しない押圧機構によって回転プレート41の下部に位置する部分を回転プレート41側に押し当てることにより、保持ピン44bの上先端が回転プレート41の外側へ移動するように傾斜させることができるようになっている。保持ピン44bもウエハWを確実に保持する観点から、少なくとも3箇所に設けることが好ましい。   The spin chuck 12 includes a rotating plate 41 and a rotating cylinder 42 that is connected to the central portion of the rotating plate 41 and extends below the rotating plate 41. The spin chuck 12 holds the wafer W and the support pins 44 a that support the wafer W. A pin 44b is attached to the peripheral edge of the rotating plate 41. The transfer of the wafer W between the transfer arm (not shown) and the spin chuck 12 is performed using the support pins 44a. The support pins 44a are preferably provided in at least three places from the viewpoint of reliably supporting the wafer W. The holding pin 44b has a portion located below the rotating plate 41 by a pressing mechanism (not shown) so as not to hinder delivery of the wafer W between the transfer arm (not shown) and the spin chuck 12. By being pressed, the upper end of the holding pin 44b can be inclined so as to move to the outside of the rotating plate 41. The holding pins 44b are also preferably provided at at least three locations from the viewpoint of securely holding the wafer W.

回転筒体42の下端部の外周面にはベルト45が捲回されており、ベルト45をモータ46によって駆動させることにより、回転筒体42および回転プレート41を回転させて、保持ピン44bに保持されたウエハWを回転させることができるようになっている。   A belt 45 is wound around the outer peripheral surface of the lower end portion of the rotating cylinder 42. When the belt 45 is driven by a motor 46, the rotating cylinder 42 and the rotating plate 41 are rotated and held by the holding pin 44b. The formed wafer W can be rotated.

アンダープレート13は回転プレート41の中央部および回転筒体42内を貫挿して設けられたシャフト(支持柱)47に接続されている。シャフト47はその下端部において、水平板48に固定されており、この水平板48はシャフト47と一体的にエアシリンダ等の昇降機構49により昇降可能となっている。そして、アンダープレート13は、この昇降機構49により、スピンチャック12と搬送アーム(図示せず)との間でウエハWの受け渡しが行われる際には、搬送アームと衝突しないように回転プレート41に近接する位置に降下され、ウエハWの裏面に対して洗浄処理を行うためにパドル(液膜)を形成する際には、ウエハWの裏面に近接する位置へ上昇される。また、パドルによる洗浄処理が終了した後は適宜の位置に下降される。なお、アンダープレート13の高さ位置を固定し、回転筒体42を昇降させることによって、スピンチャック12に保持されたウエハWとアンダープレート13との相対位置を調整してもよい。   The under plate 13 is connected to a shaft (support column) 47 provided so as to penetrate the central portion of the rotary plate 41 and the inside of the rotary cylinder 42. The lower end of the shaft 47 is fixed to a horizontal plate 48, and the horizontal plate 48 can be moved up and down integrally with the shaft 47 by an elevating mechanism 49 such as an air cylinder. Then, when the wafer W is transferred between the spin chuck 12 and the transfer arm (not shown) by the lifting mechanism 49, the under plate 13 is attached to the rotating plate 41 so as not to collide with the transfer arm. When the paddle (liquid film) is formed to perform the cleaning process on the back surface of the wafer W, it is moved to a position close to the back surface of the wafer W. In addition, after the cleaning process by the paddle is completed, it is lowered to an appropriate position. The relative position between the wafer W held by the spin chuck 12 and the under plate 13 may be adjusted by fixing the height position of the under plate 13 and moving the rotary cylinder 42 up and down.

アンダープレート13およびシャフト47には、その内部を貫通するように、洗浄液である薬液やリンス液である純水をウエハWの裏面に向けて供給する裏面洗浄用ノズル50が設けられている。また、アンダープレート13には、ヒーター33が埋設されており、図示しない電源から給電されることによりアンダープレート13を介してウエハWの温度制御が可能となっている。   The under plate 13 and the shaft 47 are provided with a back surface cleaning nozzle 50 that supplies a chemical liquid as a cleaning liquid and pure water as a rinsing liquid toward the back surface of the wafer W so as to penetrate the inside of the under plate 13 and the shaft 47. A heater 33 is embedded in the under plate 13, and the temperature of the wafer W can be controlled through the under plate 13 by being supplied with power from a power source (not shown).

液吐出ノズルアーム格納部3のアウターチャンバ2と隣接する部分には、窓部21が形成されており、この窓部21は第3シャッタ22により開閉自在となっている。そして、液吐出ノズルアーム格納部3とアウターチャンバ2の雰囲気を離隔するときは、この第3シャッタ22が閉じられる。また、2流体スプレーノズルアーム格納部4のアウターチャンバ2と隣接する部分には、窓部23が形成されており、この窓部23は第4シャッタ24により開閉自在となっている。そして、2流体スプレーノズルアーム格納部4とアウターチャンバ2の雰囲気を離隔するときは、この第4シャッタ24が閉じられる。   A window portion 21 is formed in a portion adjacent to the outer chamber 2 of the liquid discharge nozzle arm storage portion 3, and the window portion 21 can be opened and closed by a third shutter 22. The third shutter 22 is closed when the atmosphere of the liquid discharge nozzle arm housing 3 and the outer chamber 2 is separated. Further, a window portion 23 is formed in a portion adjacent to the outer chamber 2 of the two-fluid spray nozzle arm storage portion 4, and this window portion 23 can be opened and closed by a fourth shutter 24. When the atmosphere of the two-fluid spray nozzle arm housing 4 and the outer chamber 2 is separated, the fourth shutter 24 is closed.

液吐出ノズルアーム格納部3に格納されている液吐出ノズルアーム31は、その基端部に設けられた駆動機構52により液吐出ノズルアーム格納部3とアウターチャンバ2内のウエハW中心部の上方位置との間で回動可能および上下動可能となっており、その先端には洗浄液としての薬液およびリンス液としての純水を吐出する液吐出ノズル51が設けられている。   The liquid discharge nozzle arm 31 stored in the liquid discharge nozzle arm storage unit 3 is placed above the liquid discharge nozzle arm storage unit 3 and the central portion of the wafer W in the outer chamber 2 by a drive mechanism 52 provided at the base end thereof. A liquid discharge nozzle 51 that discharges a chemical liquid as a cleaning liquid and pure water as a rinse liquid is provided at the tip thereof.

一方、2流体スプレーノズルアーム格納部4に格納されている2流体スプレーノズルアーム32は、その基端部に設けられた駆動機構54により2流体スプレーノズルアーム格納部4とアウターチャンバ2内のウエハW中心部の上方位置との間で回動可能および上下動可能となっており、その先端にはNガスとNガスにより噴霧化された純水を噴出させるための2流体スプレーノズル53が設けられている。 On the other hand, the two-fluid spray nozzle arm 32 stored in the two-fluid spray nozzle arm storage unit 4 is moved by the driving mechanism 54 provided at the base end of the two-fluid spray nozzle arm storage unit 4 and the wafer in the outer chamber 2. A two-fluid spray nozzle 53 for ejecting N 2 gas and pure water atomized by N 2 gas at its tip is rotatable and vertically movable with respect to an upper position of the center of W. Is provided.

図3は、ウエハ洗浄装置100の流体供給系を示す概略図である。図3に示すように、裏面洗浄用ノズル50には、流体供給ライン61が接続されている。流体供給ライン61にはそれぞれバルブ64および65を介して薬液供給ライン62および純水供給ライン63が接続されており、ウエハWの裏面に洗浄液としての薬液およびリンス液としての純水を供給可能となっている。なお、乾燥ガスとしてのNガスラインが設けられていてもよい。 FIG. 3 is a schematic view showing a fluid supply system of the wafer cleaning apparatus 100. As shown in FIG. 3, a fluid supply line 61 is connected to the back surface cleaning nozzle 50. A chemical solution supply line 62 and a pure water supply line 63 are connected to the fluid supply line 61 via valves 64 and 65, respectively, and a chemical solution as a cleaning solution and a pure water as a rinse solution can be supplied to the back surface of the wafer W. It has become. Note that an N 2 gas line as a dry gas may be provided.

一方、ウエハの表面側に設けられている液吐出ノズル51には液供給ライン72が接続されている。液供給ライン72にはそれぞれバルブ75および76を介して薬液供給ライン73および純水供給ライン74が接続されており、ウエハWの表面に洗浄液としての薬液およびリンス液としての純水を供給可能となっている。また、2流体スプレーノズル53には、Nガスライン77および純水ライン78が接続されており、純水をNガスで噴霧化し、2流体スプレーノズル53から噴霧化された純水がNガスをともなって噴出するようになっている。 On the other hand, a liquid supply line 72 is connected to the liquid discharge nozzle 51 provided on the front surface side of the wafer. A chemical liquid supply line 73 and a pure water supply line 74 are connected to the liquid supply line 72 via valves 75 and 76, respectively, so that a chemical liquid as a cleaning liquid and a pure water as a rinse liquid can be supplied to the surface of the wafer W. It has become. Further, an N 2 gas line 77 and a pure water line 78 are connected to the two-fluid spray nozzle 53, and pure water is sprayed with N 2 gas, and the pure water atomized from the two-fluid spray nozzle 53 is N It is designed to spout with two gases.

ウエハ洗浄装置100の各構成部は、CPUを備えたプロセスコントローラ90に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ90には、工程管理者がウエハ洗浄装置100の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、ウエハ洗浄装置100の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース91、ウエハ洗浄装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ90の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部92とが接続されている。   Each component of the wafer cleaning apparatus 100 is connected to and controlled by a process controller 90 having a CPU. On the process controller 90, the process manager visualizes and displays the operation status of each component of the wafer cleaning apparatus 100, and a keyboard on which a command input operation is performed in order to manage each component of the wafer cleaning apparatus 100. A user interface 91 including a display, a storage unit 92 storing a recipe in which a control program for realizing various processes executed by the wafer cleaning apparatus 100 under the control of the process controller 90, processing condition data, and the like are stored; Is connected.

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース91からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部92から呼び出してプロセスコントローラ90に実行させることで、プロセスコントローラ90の制御下で、ウエハ洗浄装置100において所望の各種処理が行われる。レシピは、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリなどの読み出し可能な記憶媒体に格納された状態のものであってもよく、さらに、適宜の装置から例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。   Then, if necessary, in response to an instruction from the user interface 91, an arbitrary recipe is called from the storage unit 92 and is executed by the process controller 90, so that the wafer cleaning apparatus 100 controls the process controller 90. Various desired processes are performed. For example, the recipe may be stored in a readable storage medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, or a nonvolatile memory. It can also be transmitted and used online.

次に、以上のように構成されるウエハ洗浄装置における洗浄処理について説明する。まず、ハウジング1に設けられた第1シャッタ15とアウターチャンバ2に設けられた第2シャッタ17を開き、インナーカップ11を退避位置に保持し、アンダープレート13を回転プレート41に近い位置で待機させ、液吐出ノズルアーム31および2流体スプレーノズルアーム32をそれぞれ液吐出ノズルアーム格納部3および2流体スプレーノズルアーム収納部4に収納させた状態とする。   Next, the cleaning process in the wafer cleaning apparatus configured as described above will be described. First, the first shutter 15 provided in the housing 1 and the second shutter 17 provided in the outer chamber 2 are opened, the inner cup 11 is held in the retracted position, and the under plate 13 is made to stand by at a position close to the rotating plate 41. The liquid discharge nozzle arm 31 and the two-fluid spray nozzle arm 32 are stored in the liquid discharge nozzle arm storage unit 3 and the two-fluid spray nozzle arm storage unit 4, respectively.

この状態からウエハWを搬入してウエハWの表裏面を同時に洗浄するが、便宜上、まずウエハWの裏面洗浄について説明する。図4はウエハWの裏面を洗浄する際のシーケンスを説明するためのフローチャートであり、図5はその際の主要なステップの処理状態を説明するための模式図である。   From this state, the wafer W is loaded and the front and back surfaces of the wafer W are simultaneously cleaned. For convenience, the back surface cleaning of the wafer W will be described first. FIG. 4 is a flowchart for explaining a sequence for cleaning the back surface of the wafer W, and FIG. 5 is a schematic diagram for explaining processing states of main steps at that time.

まず、図示しない搬送アームにより、スピンチャック12に設けられた支持ピン44aにウエハWを受け渡す(ステップ1)。この場合に、ウエハWが支持ピン44aに支持されたら、搬送アームをアウターチャンバ2から退出させ、第1シャッタ15および第2シャッタ17を閉じ、インナーカップ11を処理位置に上昇させる。この際には、アンダープレート13がウエハWの搬入の妨げにならないように、ウエハWとアンダープレート13とのギャップは4mm以上、例えば10mm以上とされる。   First, the wafer W is delivered to the support pins 44a provided on the spin chuck 12 by a transfer arm (not shown) (step 1). In this case, when the wafer W is supported by the support pins 44a, the transfer arm is withdrawn from the outer chamber 2, the first shutter 15 and the second shutter 17 are closed, and the inner cup 11 is raised to the processing position. At this time, the gap between the wafer W and the under plate 13 is set to 4 mm or more, for example, 10 mm or more so that the under plate 13 does not hinder the loading of the wafer W.

次いで、図5の(a)に示すようにアンダープレート13をスピンチャック12に保持されたウエハWの裏面に近接した位置まで上昇させる(ステップ2)。このときのウエハWとアンダープレート13との間のギャップは0.5〜3mm、例えば0.8mmに設定される。この際のギャップは省薬液の観点からは極力小さいほうが好ましい。また、このときウエハWの温度コントロールのためにヒーター33により加熱するが、この際の制御性の観点からも小さいほうが好ましい。   Next, as shown in FIG. 5A, the under plate 13 is raised to a position close to the back surface of the wafer W held by the spin chuck 12 (step 2). At this time, the gap between the wafer W and the under plate 13 is set to 0.5 to 3 mm, for example, 0.8 mm. In this case, the gap is preferably as small as possible from the viewpoint of a chemical-saving solution. At this time, the wafer 33 is heated by the heater 33 in order to control the temperature of the wafer W. From the viewpoint of controllability at this time, a smaller one is preferable.

次いで、薬液供給ライン62、流体供給ライン61および、裏面洗浄用ノズル50を介して洗浄液として所定の薬液をウエハWとアンダープレート13とのギャップに供給し、図5の(b)に示すようにウエハWの裏面側に薬液からなるパドル(液膜)を形成する(ステップ3)。このとき、ウエハWは静止状態であってもよいし、速やかに薬液を広げるために100rpm以下の低速で回転させてもよい。このようにして、数秒程度、例えば3秒で薬液からなるパドル101が形成される。次いで、薬液のパドル101によるウエハ裏面の洗浄が進行する(ステップ4)。このときウエハWを静止させても、薬液の攪拌等の観点からウエハWを極低速で回転させてもよい。この薬液による洗浄処理は、洗浄の度合いに応じて任意の時間に設定される。   Next, a predetermined chemical liquid is supplied as a cleaning liquid to the gap between the wafer W and the under plate 13 through the chemical liquid supply line 62, the fluid supply line 61, and the back surface cleaning nozzle 50, as shown in FIG. A paddle (liquid film) made of a chemical solution is formed on the back side of the wafer W (step 3). At this time, the wafer W may be stationary or may be rotated at a low speed of 100 rpm or less in order to spread the chemical liquid quickly. In this way, the paddle 101 made of a chemical solution is formed in several seconds, for example, 3 seconds. Next, the cleaning of the wafer back surface with the chemical paddle 101 proceeds (step 4). At this time, the wafer W may be stationary, or the wafer W may be rotated at an extremely low speed from the viewpoint of stirring the chemical solution. The cleaning process using the chemical solution is set at an arbitrary time depending on the degree of cleaning.

薬液による洗浄処理が終了後、アンダープレート13を下降させてウエハWとアンダープレート13とのギャップを広げつつ、それに追従するように、すなわちギャップの体積の増加分と同等か、それ以上になるように、純水供給ライン63、流体供給ライン61および裏面洗浄用ノズル50を介してウエハWとアンダープレート13とのギャップにリンス液としての純水を供給し、液膜を破壊する(ステップ5)。この場合に、ウエハWとアンダープレート13とのギャップが3mm以上、例えば4mmに広がった際に液膜が破壊される。このステップにおいては、ウエハWを10〜100rpm、例えば50rpmの低速で回転させながら行われる。   After the cleaning process with the chemical solution is finished, the under plate 13 is lowered to widen the gap between the wafer W and the under plate 13 and follow it, that is, equal to or larger than the increase in the gap volume. Then, pure water as a rinsing liquid is supplied to the gap between the wafer W and the under plate 13 through the pure water supply line 63, the fluid supply line 61, and the back surface cleaning nozzle 50 to break the liquid film (step 5). . In this case, the liquid film is destroyed when the gap between the wafer W and the under plate 13 increases to 3 mm or more, for example, 4 mm. This step is performed while rotating the wafer W at a low speed of 10 to 100 rpm, for example, 50 rpm.

このステップにおいては、図5の(c)に示すように、ウエハWとアンダープレート13とのギャップを広げてもそれに追従してそのギャップに純水が供給され、ギャップ内は薬液純水混合パドル101aで満たされた状態であるので、そのギャップが真空にならず、ウエハWがアンダープレート13に吸着されることはなく、ウエハWの撓みや割れが発生することが防止される。そして、ギャップが上記の間隔になると、図5の(d)に示すように、次第に外周側からギャップ内に空気が入り、液体にガス102が混入した状態となってパドル(液膜)が破壊される。一度パドル(液膜)が破壊されると、このギャップでは再度パドルを形成することができないため、次のステップである高速回転に移ることができる。このステップ5の時間は5〜15秒程度、例えば10秒行われる。   In this step, as shown in FIG. 5 (c), even if the gap between the wafer W and the under plate 13 is widened, pure water is supplied to the gap following the gap and the chemical pure water mixing paddle is filled in the gap. Since the gap is filled with 101a, the gap does not become a vacuum, the wafer W is not attracted to the under plate 13, and the wafer W is prevented from being bent or cracked. When the gap becomes the above interval, as shown in FIG. 5D, air gradually enters the gap from the outer peripheral side, and the gas 102 is mixed into the liquid, and the paddle (liquid film) is destroyed. Is done. Once the paddle (liquid film) is destroyed, the paddle cannot be formed again in this gap, so that the next step, high speed rotation, can be started. The time of step 5 is about 5 to 15 seconds, for example, 10 seconds.

続いて、ウエハWの回転数を300rpm以上、例えば1000rpmに上昇させつつさらにウエハWとアンダープレート13とのギャップを広げ、4mm以上、例えば10mmとし、図5の(e)に示すように、ウエハWとアンダープレート13のギャップから液膜を除去する。(ステップ6)。ステップ6は数秒程度の短時間でよく、例えば3秒である。   Subsequently, while increasing the rotation speed of the wafer W to 300 rpm or more, for example, 1000 rpm, the gap between the wafer W and the under plate 13 is further widened to 4 mm or more, for example, 10 mm, as shown in FIG. The liquid film is removed from the gap between W and the under plate 13. (Step 6). Step 6 may be as short as several seconds, for example, 3 seconds.

その後、ウエハWとアンダープレート13とのギャップおよびウエハWの回転数を300rpm以上、例えば1000rpmに維持したまま、ウエハWとアンダープレート13との間にリンス液として純水を供給し、ウエハ裏面のリンス処理を行う(ステップ7)。このとき、純水は、ウエハWの裏面に当たって広がるように供給され、そのため、ウエハWとアンダープレート13の間に純水がたまることはない。   Thereafter, pure water is supplied as a rinsing liquid between the wafer W and the under plate 13 while maintaining the gap between the wafer W and the under plate 13 and the rotation speed of the wafer W at 300 rpm or more, for example, 1000 rpm. A rinse process is performed (step 7). At this time, the pure water is supplied so as to spread on the back surface of the wafer W, so that the pure water does not accumulate between the wafer W and the under plate 13.

その後、純水の供給を停止し、ウエハWとアンダープレート13とのギャップを保ったまま、ウエハWの回転数を300rpm以上、例えば1000rpmとして振り切り乾燥を行う(ステップ8)。このとき、乾燥を促進するため、Nガスを供給するようにしてもよい。 Thereafter, the supply of pure water is stopped, and while the gap between the wafer W and the under plate 13 is maintained, the wafer W is spun off at a rotational speed of 300 rpm or more, for example, 1000 rpm (step 8). At this time, N 2 gas may be supplied to promote drying.

その後、ウエハWとアンダープレート13とのギャップを4mm以上、例えば10mmに維持した状態で、図示しない搬送アームをウエハWの下方に挿入し、ウエハWを搬送アームに受け渡す(ステップ9)。   Thereafter, with the gap between the wafer W and the under plate 13 maintained at 4 mm or more, for example, 10 mm, a transfer arm (not shown) is inserted below the wafer W, and the wafer W is transferred to the transfer arm (step 9).

これにより、裏面洗浄処理が終了するが、以上のような裏面洗浄処理のシーケンスの典型例を表1にまとめて示す。   As a result, the back surface cleaning process is completed, but Table 1 shows a typical example of the back surface cleaning process sequence as described above.

Figure 2007165746
Figure 2007165746

以上のウエハWの裏面洗浄を行っている間、同時にウエハWの表面洗浄が行われる。図6はウエハWの表面洗浄処理を裏面洗浄処理に対応させて示すフローチャートである。この図に示すように、まず、液吐出ノズルアーム31をアウターチャンバ2内に進入させ、液吐出ノズル51をウエハWの表面の中心上に位置させる(ステップ11)。   While performing the back surface cleaning of the wafer W, the front surface of the wafer W is simultaneously cleaned. FIG. 6 is a flowchart showing the front surface cleaning process of the wafer W in correspondence with the back surface cleaning process. As shown in this figure, first, the liquid discharge nozzle arm 31 is moved into the outer chamber 2 and the liquid discharge nozzle 51 is positioned on the center of the surface of the wafer W (step 11).

次いで、ステップ2のウエハWの裏面への薬液パドル形成、およびステップ3の薬液による裏面洗浄処理の洗浄の際に、薬液供給ライン73、液供給ライン72および液吐出ノズル51を介してウエハWの表面に薬液を供給し洗浄処理を行う(ステップ12)。この際に、所定量の薬液をウエハWの表面に供給してパドル(液膜)を形成して洗浄処理を進行させてもよいし、裏面洗浄の際にウエハWを低速で回転させている場合には、薬液を流しながら洗浄を行ってもよい。   Next, during the formation of the chemical liquid paddle on the back surface of the wafer W in step 2 and the cleaning of the back surface cleaning process using the chemical liquid in step 3, the wafer W is passed through the chemical liquid supply line 73, the liquid supply line 72, and the liquid discharge nozzle 51. A chemical solution is supplied to the surface to perform a cleaning process (step 12). At this time, a predetermined amount of chemical solution may be supplied to the surface of the wafer W to form a paddle (liquid film) and the cleaning process may proceed, or the wafer W is rotated at a low speed during the back surface cleaning. In some cases, cleaning may be performed while flowing a chemical solution.

薬液による洗浄処理後、裏面洗浄におけるステップ4〜5のタイミングで純水供給ライン73、液供給ライン72および液吐出ノズル51を介して純水をウエハWの表面に供給してリンス処理を行う(ステップ13)。   After the cleaning process using the chemical solution, pure water is supplied to the surface of the wafer W through the pure water supply line 73, the liquid supply line 72, and the liquid discharge nozzle 51 at the timing of steps 4 to 5 in the back surface cleaning to perform the rinsing process ( Step 13).

ステップ13を進行させている際に、2流体スプレーノズルアーム32をアウターチャンバ2内に浸入させ、2流体スプレーノズル52を液吐出ノズル51の上方に待機させておく(ステップ14)。   While the step 13 is proceeding, the two-fluid spray nozzle arm 32 enters the outer chamber 2 and the two-fluid spray nozzle 52 is kept waiting above the liquid discharge nozzle 51 (step 14).

次いで、ステップ6のウエハ高速回転開始のタイミングで、液吐出ノズル51を退避させ、2流体スプレーノズル52を下降させて、ウエハWの表面の2流体スプレー洗浄を行う(ステップ15)。この2流体スプレー洗浄では、2流体スプレーノズル52から2流体スプレー、すなわち噴霧状の純水とNガスとをウエハWの表面に供給することにより、表面に存在するパーティクル等を極めて効率よく除去することができる。 Next, at the timing of starting high-speed rotation of the wafer in step 6, the liquid discharge nozzle 51 is retracted and the two-fluid spray nozzle 52 is lowered to perform two-fluid spray cleaning on the surface of the wafer W (step 15). In this two-fluid spray cleaning, two-fluid spray, that is, atomized pure water and N 2 gas are supplied to the surface of the wafer W from the two-fluid spray nozzle 52, thereby removing particles and the like existing on the surface very efficiently. can do.

その後、裏面洗浄におけるステップ8の振り切り乾燥開始のタイミングで2流体スプレーの供給を停止し、振り切り乾燥を行う(ステップ16)。   Thereafter, the supply of the two-fluid spray is stopped at the timing of starting the swing-off drying in Step 8 in the back surface cleaning, and the swing-off drying is performed (Step 16).

以上のように、裏面洗浄における薬液洗浄後のギャップ拡大の際のウエハを低速で回転させている処理の際には、ウエハW表面に純水を供給してリンスするとともに乾燥することを防止し、その後の高速回転のタイミングに合わせてウエハ表面を2流体スプレーで洗浄するので、裏面洗浄の工程に合わせつつ適切な条件で表面洗浄を行うことができる。   As described above, in the process of rotating the wafer at a low speed when the gap is expanded after the chemical cleaning in the back surface cleaning, pure water is supplied to the surface of the wafer W to prevent rinsing and drying. Since the wafer surface is cleaned with a two-fluid spray in accordance with the subsequent high-speed rotation timing, the surface cleaning can be performed under appropriate conditions in accordance with the back surface cleaning process.

上記実施形態では、ウエハWの裏面にアンダープレート13を設け、ウエハWの裏面とアンダープレート13との間にパドルを形成するようにしたが、図7に示すように、ウエハWの上方にトッププレート103を設けてウエハWの表面とトッププレート103との間に薬液のパドルを形成するようにしてもよい。   In the above embodiment, the under plate 13 is provided on the back surface of the wafer W, and the paddle is formed between the back surface of the wafer W and the under plate 13. However, as shown in FIG. A plate 103 may be provided to form a chemical paddle between the surface of the wafer W and the top plate 103.

図7を参照してより詳細に説明すると、トッププレート103はアウターチャンバ2の上方からアウターチャンバ2内に延びる枢軸104の下端に接続されている。枢軸104の上端は水平板105に回転自在に支持されており、水平板105はアウターチャンバ2上に固定されたシリンダ等からなる昇降機構106により昇降されるようになっており、トッププレート103は、昇降機構106により水平板105および枢軸104を介して昇降可能となっている。また、枢軸104にはベルト107が巻き掛けられており、このベルト107はモータ108により駆動されるようになっていて、モータ108によりベルト107を駆動することにより枢軸104を介してトッププレート103が回転可能となっている。トッププレート103は必ずしも回転する必要はないが、裏面洗浄の際にウエハWの静止が必要で、表面洗浄においてはウエハWとトッププレートとの間の相対移動が必要な場合等に有効である。   Describing in more detail with reference to FIG. 7, the top plate 103 is connected to the lower end of a pivot 104 extending into the outer chamber 2 from above the outer chamber 2. The upper end of the pivot 104 is rotatably supported by a horizontal plate 105. The horizontal plate 105 is moved up and down by a lifting mechanism 106 made of a cylinder or the like fixed on the outer chamber 2, and the top plate 103 is The elevating mechanism 106 can be moved up and down via the horizontal plate 105 and the pivot 104. Further, a belt 107 is wound around the pivot 104, and this belt 107 is driven by a motor 108. When the belt 107 is driven by the motor 108, the top plate 103 is moved via the pivot 104. It can be rotated. The top plate 103 does not necessarily need to rotate, but is effective when the wafer W needs to be stationary during the back surface cleaning, and the relative movement between the wafer W and the top plate is necessary for the front surface cleaning.

水平板105、枢軸104およびトッププレート103には、これらの内部を貫通するように、表面洗浄用ノズル110が設けられている。表面洗浄用ノズル110には、流体供給ライン111が接続されている。流体供給ライン111にはそれぞれバルブ114および115を介して薬液供給ライン112および純水供給ライン113が接続されており、ウエハWの表面に洗浄液としての薬液およびリンス液としての純水を供給可能となっている。なお、乾燥等のためにNガス供給ラインが接続されていてもよい。 The horizontal plate 105, the pivot 104, and the top plate 103 are provided with a surface cleaning nozzle 110 so as to penetrate the inside thereof. A fluid supply line 111 is connected to the surface cleaning nozzle 110. A chemical solution supply line 112 and a pure water supply line 113 are connected to the fluid supply line 111 via valves 114 and 115, respectively, so that a chemical solution as a cleaning solution and a pure water as a rinse solution can be supplied to the surface of the wafer W. It has become. An N 2 gas supply line may be connected for drying or the like.

このような構成により、トッププレート103をウエハWの表面に近接させた状態でウエハWの表面とトッププレート103との間に薬液を供給し、薬液のパドル(液膜)を形成して洗浄処理を進行させることができ、ウエハWの裏面洗浄と同様のシーケンスで薬液パドル形成→薬液による洗浄処理→薬液のパドル破壊→液膜除去→リンス処理→乾燥処理という一連の処理を行うことができる。ただし、ウエハ表面は高い清浄度が要求されるため、リンス処理の後、上述したような2流体スプレー洗浄を行うことが好ましい。この場合には、リンス処理後、トッププレートを上方に退避させ、2流体スプレーノズルアーム32をアウターチャンバ2内に進入させて、2流体スプレーノズル52から噴霧化された純水とNガスを供給すればよい。 With such a configuration, a chemical solution is supplied between the surface of the wafer W and the top plate 103 in a state where the top plate 103 is close to the surface of the wafer W, and a chemical solution paddle (liquid film) is formed to perform a cleaning process. In the same sequence as the backside cleaning of the wafer W, a series of processes of chemical liquid paddle formation → chemical cleaning process → chemical liquid paddle destruction → liquid film removal → rinsing process → drying process can be performed. However, since the wafer surface requires high cleanliness, it is preferable to perform the two-fluid spray cleaning as described above after the rinsing process. In this case, after the rinsing process, the top plate is retracted upward, the two-fluid spray nozzle arm 32 is moved into the outer chamber 2, and pure water and N 2 gas atomized from the two-fluid spray nozzle 52 are supplied. What is necessary is just to supply.

以上のような処理により、ウエハWの表面処理にプレートを用いてパドル(液膜)を形成して洗浄処理を行う場合でも、薬液による洗浄処理が終了後、プレートをウエハWから離間させる際にプレートへウエハが吸着することを回避することができ、ウエハWの撓みや破壊を防止することができる。   Even when a cleaning process is performed by forming a paddle (liquid film) using a plate for the surface processing of the wafer W by the above processing, when the plate is separated from the wafer W after the cleaning processing by the chemical solution is completed. The wafer can be prevented from adsorbing to the plate, and the wafer W can be prevented from being bent or broken.

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、被処理基板としてのウエハの裏面、または裏面および表面の洗浄に本発明の方法を用いた例を示したが、表面の洗浄のみに本発明の方法を適用してもよい。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above embodiment, the example of using the method of the present invention for cleaning the back surface of a wafer as a substrate to be processed, or the back surface and the front surface has been shown. Good.

また、上記実施形態では、液膜を破壊するための液体としてリンス液としての純水を用いたが、基板の処理に悪影響を与えない限り他の液体であってもよい。   In the above embodiment, pure water as the rinse liquid is used as the liquid for breaking the liquid film. However, other liquid may be used as long as it does not adversely affect the processing of the substrate.

さらに、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置(LCD)用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。   Furthermore, although the case where a semiconductor wafer is used as the substrate to be processed has been described in the above embodiment, it may be applied to another substrate such as a flat panel display (FPD) substrate represented by a glass substrate for a liquid crystal display (LCD). Needless to say, it is applicable.

さらにまた、上記実施形態では、本発明を洗浄処理に適用した場合について示したが、これに限らず、他の液処理にも適用することができる。   Furthermore, although the case where the present invention is applied to the cleaning process has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this and can be applied to other liquid processes.

本発明の一実施形態に係る方法の実施に用いられる洗浄処理装置の一例を示す概略平面図。The schematic plan view which shows an example of the washing | cleaning processing apparatus used for implementation of the method which concerns on one Embodiment of this invention. 図1の洗浄処理装置の概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the cleaning processing apparatus of FIG. 1. 図1の洗浄処理装置の液およびガスの供給系を示す図。The figure which shows the supply system of the liquid and gas of the washing | cleaning processing apparatus of FIG. 図1の洗浄処理装置によるウエハの裏面洗浄処理のシーケンスの一例を説明するためのフローチャート。3 is a flowchart for explaining an example of a sequence of wafer back surface cleaning processing by the cleaning processing apparatus of FIG. 1. 図4のシーケンスを実施する際の装置内の状態を工程毎に説明する模式図。The schematic diagram explaining the state in the apparatus at the time of implementing the sequence of FIG. 4 for every process. 図1の洗浄処理装置によるウエハの表面洗浄処理のシーケンスの一例を裏面洗浄処理に対応させて示すフローチャート。FIG. 3 is a flowchart showing an example of a wafer front surface cleaning process sequence performed by the cleaning apparatus of FIG. 本発明の実施に用いられる洗浄処理装置の他の例の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the other example of the washing | cleaning processing apparatus used for implementation of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1;ハウジング
2;アウターチャンバ
11;インナーチャンバ
12;スピンチャック
13;アンダープレート
31;液吐出ノズルアーム
32;2流体スプレーノズルアーム
50;裏面洗浄用ノズル
51;液吐出ノズル
52;2流体スプレーノズル
61,111;流体供給ライン
62,112;薬液供給ライン
63,113;純水供給ライン
100;洗浄処理装置
101;薬液のパドル(液膜)
101a;薬液純水混合パドル(液膜)
103;トッププレート
110;表面洗浄用ノズル
W;半導体ウエハ(被処理基板)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Housing 2; Outer chamber 11; Inner chamber 12; Spin chuck 13; Underplate 31; Liquid discharge nozzle arm 32; Two fluid spray nozzle arm 50; Back surface cleaning nozzle 51; Liquid discharge nozzle 52; Two fluid spray nozzle 61 111; Fluid supply line 62, 112; Chemical liquid supply line 63, 113; Pure water supply line 100; Cleaning treatment apparatus 101; Chemical liquid paddle (liquid film)
101a; paddle (liquid film) with pure water
103; Top plate 110; Nozzle for surface cleaning W; Semiconductor wafer (substrate to be processed)

Claims (18)

被処理基板の少なくとも一方の面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して液膜を形成する工程と、
前記液膜が形成された状態で被処理基板を処理する工程と、
前記処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊する工程と
を有することを特徴とする液処理方法。
A step of bringing a plate close to at least one surface of the substrate to be processed and supplying a processing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film;
Processing the substrate to be processed in a state in which the liquid film is formed;
After the treatment is completed, the method includes a step of expanding the gap where the liquid film of the treatment liquid is formed, supplying the liquid to the gap following the gap, and breaking the liquid film. Method.
前記処理液は、前記プレートの中心部に設けられたノズルを介して前記プレートと被処理基板との間に供給されることを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein the processing liquid is supplied between the plate and the substrate to be processed through a nozzle provided in a central portion of the plate. 前記液膜を形成する前記処理液が薬液であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein the processing liquid that forms the liquid film is a chemical liquid. 前記液体はリンス液であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 1, wherein the liquid is a rinsing liquid. 前記液膜を破壊する工程は、被処理基板を相対的に低速の第1の回転数で回転させながら行われ、
その後に、被処理基板の回転数を前記第1の回転数よりも高速の第2の回転数に上昇させつつ前記ギャップをさらに拡大する工程をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の液処理方法。
The step of breaking the liquid film is performed while rotating the substrate to be processed at a relatively low first rotational speed,
The method further comprises the step of further expanding the gap while increasing the number of rotations of the substrate to be processed to a second number of rotations higher than the first number of rotations. 5. The liquid treatment method according to any one of 4 above.
前記第1の回転数は10〜100rpmであり、前記第2の回転数は100〜1000rpmであることを特徴とする請求項5に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 5, wherein the first rotation speed is 10 to 100 rpm, and the second rotation speed is 100 to 1000 rpm. 被処理基板を回転させながら被処理基板にリンス液を供給する工程と、
被処理基板を回転させて振り切り乾燥を行う工程と
をさらに有することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の液処理方法。
Supplying a rinsing liquid to the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed;
The liquid processing method according to claim 5, further comprising a step of rotating the substrate to be processed and performing dry drying.
被処理基板の少なくとも一方の面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して液膜を形成する工程と、
前記液膜が形成された状態で被処理基板を処理する工程と、
前記処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊する工程と、
前記ギャップの前記液膜を除去する工程と、
被処理基板の前記プレートと対向する面をリンスする工程と、
被処理基板を振り切り乾燥させる工程と
を有することを特徴とする液処理方法。
A step of bringing a plate close to at least one surface of the substrate to be processed and supplying a processing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film;
Processing the substrate to be processed in a state in which the liquid film is formed;
After the treatment is completed, supplying the liquid to the gap following the gap where the liquid film of the treatment liquid is formed and breaking the liquid film; and
Removing the liquid film in the gap;
Rinsing a surface of the substrate to be processed facing the plate;
And a step of shaking and drying the substrate to be processed.
被処理基板の裏面にプレートを近接させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに処理液を供給して液膜を形成する工程と、
前記液膜が形成された状態で被処理基板を処理する工程と、
前記処理が終了後、被処理基板を相対的に低速の第1の回転数で回転させ、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊する工程と、
被処理基板の回転数を相対的に高速の第2の回転数に上昇させて前記ギャップの前記液膜を除去する工程と、
被処理基板を回転させながら被処理基板の裏面にリンス液を供給してリンスする工程と、
被処理基板の裏面の処理を進行させている間に被処理基板の表面に処理液を供給して表面の処理を行う工程と、
被処理基板の表面の処理の後、その表面にリンス液を供給してリンスする工程と、
前記第1の回転数から前記第2の回転数に上昇するタイミングで、被処理体の表面に供給されているリンス液を、噴霧化された純水とガスとの2流体スプレーに切り替える工程と
を有することを特徴とする液処理方法。
A step of bringing a plate close to the back surface of the substrate to be processed and supplying a processing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed to form a liquid film;
Processing the substrate to be processed in a state in which the liquid film is formed;
After the processing is completed, the substrate to be processed is rotated at a relatively low first rotational speed, and the gap in which the liquid film of the processing liquid is formed is expanded and the liquid is supplied to the gap following the gap. And a step of breaking the liquid film,
Removing the liquid film in the gap by increasing the rotational speed of the substrate to be processed to a relatively high second rotational speed;
Supplying a rinsing liquid to the back surface of the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed; and
A process of supplying a processing liquid to the surface of the substrate to be processed while processing the back surface of the substrate to be processed,
After processing the surface of the substrate to be processed, supplying a rinsing liquid to the surface and rinsing,
A step of switching the rinsing liquid supplied to the surface of the object to be processed to a two-fluid spray of nebulized pure water and gas at a timing when the rotation speed increases from the first rotation speed to the second rotation speed; The liquid processing method characterized by having.
前記第1の回転数は10〜100rpmであり、前記第2の回転数は100〜1000rpmであることを特徴とする請求項9に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 9, wherein the first rotation speed is 10 to 100 rpm and the second rotation speed is 100 to 1000 rpm. 被処理基板を高速で回転させて振り切り乾燥させる工程をさらに有することを特徴とする請求項9または請求項10に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 9, further comprising a step of rotating the substrate to be processed at high speed to dry it off. 被処理基板の少なくとも一方の面に対向して第1の間隔でプレートを位置させ、当該プレートと被処理基板とのギャップに第1の液体を供給して液処理する工程と、
前記処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを第2の間隔まで広げつつそれに追従して前記ギャップに第2の液体を供給し、液膜を破壊する工程と、
前記ギャップをさらに第3の間隔まで広げ、前記液膜を除去する工程と
を有することを特徴とする液処理方法。
A step of opposing the at least one surface of the substrate to be processed to position the plate at a first interval, supplying a first liquid to the gap between the plate and the substrate to be processed, and liquid processing;
After the treatment is completed, expanding the gap in which the liquid film of the treatment liquid is formed to a second interval while following the gap, supplying the second liquid to the gap, and breaking the liquid film;
And a step of further widening the gap to a third interval and removing the liquid film.
前記液膜を破壊する工程は、第1の回転数で被処理基板を回転させて行われ、前記液膜を除去する工程は、第1の回転数よりも高速の第2の回転数に上昇させて行われることを特徴とする請求項12に記載の液処理方法。   The step of destroying the liquid film is performed by rotating the substrate to be processed at a first rotational speed, and the step of removing the liquid film is increased to a second rotational speed that is higher than the first rotational speed. The liquid processing method according to claim 12, wherein the liquid processing method is performed. 前記液膜を除去する工程の後、プレートと被処理基板とのギャップにリンス液を供給する工程をさらに有することを特徴とする請求項13に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 13, further comprising a step of supplying a rinsing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed after the step of removing the liquid film. 前記第1の液体は薬液であり、前記第2の液体はリンス液であることを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 12, wherein the first liquid is a chemical liquid and the second liquid is a rinse liquid. 被処理基板を水平に保持する基板保持部と、
被処理基板の少なくとも一方の面に対して接離可能に設けられた少なくとも1枚のプレートと、
前記プレートと前記被処理基板とのギャップに処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記ギャップに液体を供給するための液体供給手段と、
前記液膜による処理が終了後、前記処理液の液膜が形成されている前記ギャップを広げつつそれに追従して前記ギャップに液体を供給し、液膜を破壊するように制御する制御機構と
を具備することを特徴とする液処理装置。
A substrate holder for horizontally holding the substrate to be processed;
At least one plate provided so as to be able to contact with and separate from at least one surface of the substrate to be processed;
A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a gap between the plate and the substrate to be processed;
Liquid supply means for supplying liquid to the gap;
A control mechanism for controlling to supply the liquid to the gap following the expansion of the gap in which the liquid film of the treatment liquid is formed and to break the liquid film after the treatment with the liquid film is completed. A liquid processing apparatus comprising:
コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の方法が行なわれるように、コンピュータに液処理装置を制御させることを特徴とする制御プログラム。   A control program that operates on a computer and causes the computer to control the liquid processing apparatus so that, when executed, the method according to any one of claims 1 to 15 is performed. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータに液処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
A computer-readable storage medium storing a control program that runs on a computer,
A computer-readable storage medium, wherein when executed, the control program causes a computer to control a liquid processing apparatus so that the method according to any one of claims 1 to 15 is performed.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094521A (en) * 2007-10-11 2009-04-30 Semes Co Ltd Chemical liquid supply device
JP2013211377A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2015025889A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate treatment method and substrate treatment device
KR20150101951A (en) * 2014-02-27 2015-09-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20150109260A (en) * 2014-03-19 2015-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018019103A (en) * 2017-10-18 2018-02-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206544A (en) * 1990-11-30 1992-07-28 Shibayama Kikai Kk Transfer method for semiconductor wafer
JP2003282425A (en) * 2002-03-27 2003-10-03 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Resist separation device
JP2003282514A (en) * 2002-03-25 2003-10-03 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment equipment and substrate treatment method
JP2003309102A (en) * 2002-04-16 2003-10-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for liquid treatment
JP2003332284A (en) * 2002-05-13 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment apparatus and liquid treatment method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206544A (en) * 1990-11-30 1992-07-28 Shibayama Kikai Kk Transfer method for semiconductor wafer
JP2003282514A (en) * 2002-03-25 2003-10-03 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment equipment and substrate treatment method
JP2003282425A (en) * 2002-03-27 2003-10-03 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Resist separation device
JP2003309102A (en) * 2002-04-16 2003-10-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for liquid treatment
JP2003332284A (en) * 2002-05-13 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment apparatus and liquid treatment method

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7900853B2 (en) 2007-10-11 2011-03-08 Semes Co., Ltd. Apparatus for supplying chemical liquid
JP2009094521A (en) * 2007-10-11 2009-04-30 Semes Co Ltd Chemical liquid supply device
JP2013211377A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20150001739A (en) * 2012-03-30 2015-01-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
KR101931847B1 (en) * 2012-03-30 2018-12-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing device and substrate processing method
US9601357B2 (en) 2012-03-30 2017-03-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
US9991137B2 (en) 2013-08-20 2018-06-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment device
WO2015025889A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate treatment method and substrate treatment device
JP2015041641A (en) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20160043000A (en) * 2013-08-20 2016-04-20 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate treatment method and substrate treatment device
KR101868710B1 (en) * 2013-08-20 2018-06-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate treatment method and substrate treatment device
KR20210075939A (en) * 2014-02-27 2021-06-23 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102267508B1 (en) 2014-02-27 2021-06-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20150101951A (en) * 2014-02-27 2015-09-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210075940A (en) * 2014-02-27 2021-06-23 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102384737B1 (en) * 2014-02-27 2022-04-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102384735B1 (en) * 2014-02-27 2022-04-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20150109260A (en) * 2014-03-19 2015-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102308587B1 (en) * 2014-03-19 2021-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11139180B2 (en) 2014-03-19 2021-10-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210120950A (en) * 2014-03-19 2021-10-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102390749B1 (en) 2014-03-19 2022-04-25 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018019103A (en) * 2017-10-18 2018-02-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus

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