JP2007164196A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の駆動部を代えることなしに、画質劣化なく表現可能な色相の個数を増加させて表示装置の色再現性を向上させることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２副画素各々からなる複数の画素を有する液晶表示板組立体と、第１ビット数を有する第１予備信号を前記第１ビット数より少ない第２ビット数の第１出力画像信号に変換し、前記第１ビット数を有する第２予備信号を前記第１ビット数より少ない前記第２ビット数の第２出力画像信号に変換する画像信号変換部と、前記第１及び第２出力画像信号に相当するデータ電圧を前記画素に各々印加するデータ駆動部とを有する。
【選択図】 図８

Description

本発明は液晶表示装置に関し、特に、表示装置の駆動部を代えることなしに、表現可能な色相の個数を増加させて表示装置の色再現性を向上することのできる液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの１つであって、画素電極と共通電極など、電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層で構成され、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決め、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
液晶表示装置はまた、各画素電極に接続されるスイッチング素子及びスイッチング素子を制御して、画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線など複数の信号線を有する。

このような液晶表示装置では外部のグラフィックソースから赤色、緑色、青色などのような基本色の画像信号が入力される。液晶表示装置の信号制御部は、この画像信号を適切に処理した後、ＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）などからなるデータ駆動部に提供する。データ駆動部は印加された画像信号に相当するアナログ階調電圧を選択して液晶表示板組立体に印加する。
一般に信号制御部に入力される画像信号のビット数とデータ駆動部で処理できるビット数が同一であるのが理想的であるが、液晶表示装置の製造原価を下げるために処理能力の低いデータ駆動部を利用することもできる。例えば、信号制御部に印加される画像信号が１０ビットである場合、１０ビットの画像信号を処理するデータ駆動部は非常に高価であるため、１０ビットより低い処理能力、例えば、８ビットの画像信号を処理するデータ駆動部を利用すると製品の単価が低くなる。

したがって、少ないビット数で表現するデータ駆動部でさらに多くのビット数の色を表現するために、多様な画素を空間的に合わせて解像度を諦める代わりに、表現できる場合の数を増やす方法、または時間的にいくつのフレーム単位を合わせて解像度を中間に表現する方法が用いられている。しかし、このような方法は解像度が低下し、フリッカー（ｆｌｉｃｋｅｒ）が発生するなどの画質劣化現象が生じるという問題がある。

そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、表示装置の駆動部を代えることなしに、画質劣化なく表現可能な色相の個数を増加させて表示装置の色再現性を向上させることのできる液晶表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、第１及び第２副画素各々からなる複数の画素を有する液晶表示板組立体と、第１ビット数を有する第１予備信号を前記第１ビット数より少ない第２ビット数の第１出力画像信号に変換し、前記第１ビット数を有する第２予備信号を前記第１ビット数より少ない前記第２ビット数の第２出力画像信号に変換する画像信号変換部と、前記第１及び第２出力画像信号に相当するデータ電圧を前記画素に各々印加するデータ駆動部とを有することを特徴とする。

前記第１出力画像信号は前記第１副画素に印加されるデータ電圧に相応し、前記第２出力画像信号は前記第２副画素に印加されるデータ電圧に相応することが好ましい。
前記第１出力画像信号は前記第１予備信号に第１補正変数を足した値であり、前記第２出力画像信号は前記第２予備信号に第２補正変数を足した値であることが好ましい。
前記画像信号変換部は、前記第１及び第２予備信号を各々記憶する第１及び第２ルックアップテーブルと、前記第１及び第２補正変数を各々記憶する第３及び第４ルックアップテーブルとを有することが好ましい。
前記画像信号変換部は、各々第１及び第２出力画像信号を記憶する第１及び第２ルックアップテーブルを有することが好ましい。
前記第１副画素に印加されるデータ電圧と前記第２副画素に印加されるデータ電圧は互いに異なることが好ましい。
前記第１副画素の面積と前記第２副画素の面積は互いに異なることが好ましい。
前記第１副画素の面積は前記第２副画素の面積より小さく、前記第１副画素に印加されるデータ電圧は前記第２副画素に印加されるデータ電圧より高いことが好ましい。
前記第１副画素の面積と前記第２副画素の面積比は１：１．８〜１：２であることが好ましい。
前記第１副画素と前記第２副画素は１つの画像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることが好ましい。
前記第１副画素は第１副画素電極を含み、前記第２副画素は第２副画素電極を含み、前記第１副画素電極と接続される第１薄膜トランジスタと、前記第２副画素電極と接続される第２薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタに接続される第１信号線と、前記第２薄膜トランジスタに接続される第２信号線と、前記第１及び第２薄膜トランジスタと接続され、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線をさらに有することが好ましい。
前記第１及び第２薄膜トランジスタは各々前記第１及び第２信号線からの信号によって導通して、前記第３信号線からの信号を伝達することが好ましい。
前記第１及び第２薄膜トランジスタは各々前記第３信号線からの信号によって導通して、前記第１及び前記第２信号線からの信号を伝達することが好ましい。

本発明に係る液晶表示装置によれば、表示装置の駆動部を代えることなしに、表現可能な色相の個数を増加させて表示装置の色再現性を向上することができるという効果がある。

次に、本発明に係る液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面において多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。

まず、図１及び図２を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は液晶表示板組立体３００及び、これと接続されるゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００、データ駆動部５００に接続される階調電圧生成部８００、そしてこれらを制御する信号制御部６００を有する。
液晶表示板組立体３００は等価回路で見る時、複数の信号線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ）と、これに接続され、ほぼ行列形態に配列される複数の画素ＰＸを有する。反面、図２に示す構造で見る時、液晶表示板組立体３００は互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に介在する液晶層３を有する。

信号線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ）はゲート信号（“走査信号”とも言う）を伝達する複数のゲート線Ｇ_１−Ｇ_ｎとデータ信号を伝達する複数のデータ線Ｄ_１−Ｄ_ｍを有する。ゲート線Ｇ_１−Ｇ_ｎはほぼ行方向に伸びて互いにがほとんど平行しており、データ線Ｄ_１−Ｄ_ｍはほぼ列方向に伸びて互いにほとんど平行している。
各画素ＰＸは一対の副画素を有し、各副画素は液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂを有する。２つの副画素のうちの少なくとも１つは、ゲート線、データ線及び液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂと接続されるスイッチング素子（図示せず）を有する。

液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）は下部表示板１００の副画素電極（ＰＥａ、ＰＥｂ）と上部表示板２００の共通電極ＣＥを２つの端子とし、副画素電極（ＰＥａ、ＰＥｂ）と共通電極ＣＥとの間の液晶層３は誘電体として機能する。一対の副画素電極（ＰＥａ、ＰＥｂ）は互いに分離されており、１つの画素電極ＰＥを構成する。共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されて共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場のない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されることができる。

一方、色表示を実現するためには各画素ＰＸが基本色のうちの１つを固有に表示したり（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示したりするように（時間分割）して、これら基本色の空間的、時間的合計で望む色相を認識させる。基本色の例としては、赤色、緑色、青色など三原色がある。

図２は、空間分割の一例で、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色のうちの１つを示す色フィルタＣＦを備えることを示している。図２とは異なって、色フィルタＣＦは下部表示板１００の副画素電極（ＰＥａ、ＰＥｂ）の上または下に形成してもよい。

表示板（１００、２００）の外側には偏光子（図示せず）が備えられるが、２つの偏光子の偏光軸は直交することができる。反射型液晶表示装置の場合には、２つの偏光子のうちの１つを省略できる。直交偏光子である場合には、電場のない液晶層３に入った入射光を遮断する。

再び図１を参照して説明すると、階調電圧生成部８００は画素ＰＸの透過率と関する２対の階調電圧集合（または基準階調電圧集合）を生成する。２対のうちの１対は共通電圧Ｖｃｏｍに対して正の値を有し、他の１対は負の値を有する。
ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線Ｇ_１−Ｇ_ｎと接続されて、ゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号をゲート線Ｇ_１−Ｇ_ｎに印加する。

データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線Ｄ_１−Ｄ_ｍに接続されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択して、これをデータ信号としてデータ線Ｄ_１−Ｄ_ｍに印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全ての階調に対する電圧を全て提供することとは異なり、決められた数の基準階調電圧のみを提供し、データ駆動部５００が基準階調電圧を分圧して全階調に対する階調電圧を生成し、この中でデータ信号を選択することもできる。
信号制御部６００は画像信号変換部６１０を有し、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。画像信号変換部６１０は一定のビット数を有する画像信号を他のビット数の画像信号に変換させる。

このような駆動装置（４００、５００、６００、８００）の各々は、少なくとも１つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着することができ、可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着することもでき、別途の印刷回路基板（図示せず）上に装着することもできる。これとは異なり、これら駆動装置（４００、５００、６００、８００）を信号線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ）及び薄膜トランジスタスイッチング素子Ｑなどと共に液晶表示板組立体３００に直接集積することもできる。また、駆動装置（４００、５００、６００、８００）は単一チップで集積することもでき、この場合、これらのうちの少なくとも１つまたはこれらを構成する少なくとも１つの回路素子が単一チップの外側にあってもよい。

次に、このような液晶表示板組立体構造の一例について図３〜図６及び、上述した図１及び図２を参照して詳細に説明する。
図３は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。

図３を参照すると、本実施形態による液晶表示板組立体は複数対のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ、複数のデータ線ＤＬ及び、複数の維持電極線ＳＬを有する信号線と、これに接続される複数の画素ＰＸを有する。
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを有し、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂは各々当該ゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ及びデータ線ＤＬに接続されるスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂと、これに接続される液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ、そしてスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに接続されるストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂを有する。

各スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂは下部表示板１００に備えられる薄膜トランジスタなどの三端子素子で、その制御端子はゲート線ＧＬａ、ＧＬｂと接続され、入力端子はデータ線ＤＬと接続され、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ及びストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂと接続される。
液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは、下部表示板１００に備えられる維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥが絶縁体を介在して重なって形成され、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂが絶縁体を媒介として直上の前段ゲート線と重なって成ることもできる。
液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂなどについては上述したので、詳細な説明は省略する。

このような液晶表示板組立体を有する液晶表示装置では、信号制御部６００が１つの画素ＰＸに対する入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを受信し、これを所望のビット数を有して２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対応する出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴに変換してデータ駆動部５００に伝送することができる。但し、この時、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂの合成ガンマ曲線が正面における基準ガンマ曲線に近くなるように、画像信号を補正したり階調電圧集合を形成したりすることが好ましい。例えば、正面からの合成ガンマ曲線は、この液晶表示板組立体に最も適するように決められた正面からの基準ガンマ曲線と一致させ、側面からの合成ガンマ曲線は正面からの基準ガンマ曲線と最も近くする。

図３に示した液晶表示板組立体の一例について図４〜図６、そして上述した図３を参照して詳細に説明する。
図４は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図５及び図６は各々図４に示した液晶表示板組立体をＶ−Ｖ線及びＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。

図４〜図６を参照すると、本実施形態による液晶表示板組立体は互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００及び、これら２つの表示板（１００、２００）の間に入っている液晶層３を有する。

まず、下部表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと複数の維持電極線１３１を有する複数のゲート導電体が形成される。
第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に伸びて、各々上側及び下側に位置する。

第１ゲート線１２１ａは上に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ａを有する。第２ゲート線１２１ｂは上に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ｂを有する。ゲート駆動部４００が絶縁基板１１０上に集積されている場合、ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）が延長されてこれと直接接続できる。
維持電極線１３１は共通電圧Ｖｃｏｍなど、所定の電圧の印加を受け、主に横方向に伸びている。各維持電極線１３１は第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂとの間に位置する。各維持電極線１３１は上下に延長され、再び拡張された維持電極１３７を有する。しかし、維持電極１３７をはじめとする維持電極線１３１の模様及び配置は多様な形態に変更することができる。

ゲート導電体（１２１ａ、１２１ｂ、１３１）はアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質の異なる２つの導電膜（図示せず）を有する多重膜構造であってもよい。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なり、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）及びＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体（１２１ａ、１２１ｂ、１３１）はその他にも多様な金属または導電体からなることができる。

ゲート導電体（１２１ａ、１２１ｂ、１３１）の側面は絶縁基板１１０面に対して約３０゜〜約８０゜程度の傾斜角で傾くことが好ましい。
ゲート導電体（１２１ａ、１２１ｂ、１３１）上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜１４０が形成される。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略してａ−Ｓｉともいう）または多結晶シリコンなどで作られた複数の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂが形成される。第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂは各々第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。
各々の第１島型半導体１５４ａ上には一対の島状オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａが形成され、各々の第２島型半導体１５４ｂ上にも一対の島状オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成される。島状オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａはリンなどのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質やシリサイドによって形成されることができる。
第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂと島状オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａの側面もまた、絶縁基板１１０面に対して傾いて、傾斜角は３０゜〜８０゜程度である。

島状オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａ及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを有するデータ導電体が形成される。
データ線１７１はデータ信号を伝達して、主に縦方向に伸びて第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって各々伸びて複数対の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積が広い端部１７９を有する。データ駆動部５００が絶縁基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が伸びてこれと直接接続されてもよい。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに絶縁され、データ線１７１とも絶縁される。第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを中心に第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと対向し、広い一側端部１７７ａ、１７７ｂと棒状の他側端部を有する。第１ドレイン電極１７５ａの広い一側端部１７７ａの面積が第２ドレイン電極１７５ｂの広い一側端部１７７ｂよりさらに大きい。広い一側端部１７７ａ、１７７ｂは維持電極１３７ａ、１３７ｂと各々重なり、棒状端部は屈曲した第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂで一部囲まれる。

第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１及び第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑａ、Ｑｂを構成し、第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂのチャンネルは第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂは全てデータ線１７１の右側に位置する。

データ導電体（１７１、１７５ａ、１７５ｂ）はモリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属またはこれらの合金から形成されるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を有する多重膜構造であってもよい。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体（１７１、１７５ａ、１７５ｂ）はその他にも多様な金属または導電体からなることができる。
データ導電体（１７１、１７５ａ、１７５ｂ）もまた、その側面が絶縁基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾いくことが好ましい。

島状オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａは、その下の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体（１７１、１７５ａ、１７５ｂ）の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂには第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間をはじめとして、データ導電体（１７１、１７５ａ、１７５ｂ）で覆わないで露出した部分を有する。

データ導電体（１７１ａ、１７１ｂ、１７５ａ、１７５ｂ）及び露出した第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などで作られ、表面が平坦であってもよい。有機絶縁物は４．０以下の誘電定数を有するのが好ましく、感光性を有してもよい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出した第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂ部分に悪影響を与えないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９と第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの広い端部１７７ａ、１７７ｂを各々露出させる複数の接触孔１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成され、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを各々露出させる複数の接触孔１８１ａ、１８１ｂが形成される。
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることができる。

画素電極１９１は互いに絶縁されている第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを有する。第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なる。第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比は１：１．８〜１：２とするのが好ましい。
第１副画素電極１９１ａはデータ線１７１とほぼ平行な縦辺及びゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）と斜角をなす一対の屈曲辺を有してほぼＶ字型である。一対の屈曲辺はゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）と鋭角をなして接する凹んだ左側辺と、横辺と鈍角をなして接する膨らんだ右側辺を有する。第１副画素電極１９１ａの屈曲辺はゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）に対して約４５゜の角度をなす。一対の屈曲辺の角部は面取られる。第１副画素電極１９１ａは画素電極１９１の中央部を横切って二等分する維持電極線１３１を軸としてほぼ対称をなす。

第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａと行方向に隣接し、ゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）またはデータ線１７１とほぼ平行な４つの主辺を有して、右側角が面取られている。画素電極１９１の面取られた斜辺はゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）に対して約４５゜の角度をなす。また、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａと隣接する辺に第１副画素電極１９１ａの屈曲部とほぼ平行に形成される屈曲部を有する。

第２副画素電極１９１ｂには画素電極第１上部切開部９１ａ、画素電極第１下部切開部９１ｂ、画素電極第２上部切開部９２ａ及び画素電極第２下部切開部９２ｂが形成され、第２副画素電極１９１ｂはこれら画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）によって複数の領域に分割される。画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）は画素電極１９１を二等分する維持電極線１３１を軸としてほぼ対称をなす。

画素電極第１上部及び下部切開部９１ａ、９１ｂはほぼ画素電極１９１の左側辺から右側辺に傾斜して伸び、維持電極線１３１に対して下半部と上半部に各々位置する。画素電極第２上部及び下部切開部９２ａ、９２ｂはゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）に対して約４５゜の角度をなして互いに垂直に伸びる。
したがって、第２副画素電極１９１ｂの下半部は画素電極第１上部及び第２下部切開部９１ｂ、９２ｂによって３つの領域に分割され、上半部もまた画素電極第１上部及び第２上部切開部９１ａ、９２ａによって３つの領域に分割される。この時、領域の数または切開部の数は画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素に応じて変わり得る。

第１副画素電極１９１ａは接触孔１８５ａを通じて第１ドレイン電極１７５ａと接続され、第２副画素電極１９１ｂは接触孔１８５ｂを通じて第２ドレイン電極１７５ｂと接続されており、各ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって２つの電極（１９１、２７０）の間の液晶層３の液晶分子の方向を決める。このように決められた液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタを構成して薄膜トランジスタが遮断した後にも印加された電圧を維持する。

第２副画素電極１９１ｂ及び、これと接続された第２ドレイン電極１７５ｂはゲート絶縁膜１４０を介在して維持電極１３７と重なってストレージキャパシタＣｓｔを構成し、ストレージキャパシタＣｓｔは液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの電圧維持能力を強化する。
接触補助部材８１、８２は各々接触孔１８１ａ、１８１ｂ、１８２を通じてゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）の端部（１２９ａ、１２９ｂ）及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２はゲート線（１２１ａ、１２１ｂ）及びデータ線１７１の端部（１２９ａ、１２９ｂ）、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、上部表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成される。遮光部材２２０は画素電極１９１の屈曲辺に対応する屈曲部（図示せず）と薄膜トランジスタに対応する四角形部分（図示せず）を有することができ、画素電極１９１の間の光漏れを防止して画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。

絶縁基板２１０及び遮光部材２２０上にはまた、複数の色フィルタ２３０が形成される。色フィルタ２３０は遮光部材２２０に囲まれた領域内にほぼ存在し、画素電極１９１列に沿って長く伸びることができる。各色フィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など、基本色のうちの１つを表示することができる。
色フィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜２５０が形成される。蓋膜２５０は有機絶縁物で作られてもよく、色フィルタ２３０が露出することを防止して平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略してもよい。

蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで作られ、複数の共通電極切開部（７１〜７３ｂ）を有する。
共通電極切開部（７１、７２ａ、７２ｂ、７３ａ、７３ｂ）の集合は１つの画素電極１９１と対向し、共通電極第１切開部７１、共通電極第１上部切開部７２ａ、共通電極第１下部切開部７２ｂ、共通電極第２上部切開部７３ａ及び共通電極第２下部切開部７３ｂを有する。共通電極切開部（７１〜７３ｂ）の各々は画素電極１９１の画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）の間、または画素電極１９１の画素電極第１上部、下部切開部（９１ａ、９１ｂ）と第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの境界部の間に配置される。また、各共通電極切開部（７１〜７３ｂ）は画素電極１９１の画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）とほぼ平行に伸びた少なくとも１つの斜線部を有し、各斜線部にはへこんだ少なくとも１つの切欠（ｎｏｔｃｈ）がある。共通電極切開部（７１〜７３ｂ）は維持電極線１３１を軸としてほぼ対称をなす。

共通電極切開部（７１〜７３ｂ）の数もまた、設計要素によって変わることがあり、遮光部材２２０が共通電極切開部（７１〜７３ｂ）と重なって共通電極切開部（７１〜７３ｂ）付近の光漏れを遮断することができる。
表示板（１００、２００）の内側には配向膜１１、２１が形成され、これらは垂直配向膜であってもよい。
表示板（１００、２００）の外側には偏光子１２、２２が備えられるが、２つの偏光子の偏光軸は直交し、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの斜辺とほぼ４５゜の角度をなすのが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、２つの偏光子のうちの１つを省略してもよい。

液晶表示装置は偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板（１００、２００）及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を有することができる。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場のない状態で、その長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向される。
共通電極切開部（７１〜７３ｂ）は突起（図示せず）や陥没部（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物で作られてもよく、電場生成電極（１９１、２７０）の上または下に配置されてもよい。

次に、図１〜図６に示した液晶表示装置の動作について詳細に説明する。
信号制御部６００は外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及び、その表示を制御する入力制御信号を受信する。入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂは各画素ＰＸの輝度情報を有し、輝度は決められた数、例えば、１０２４（＝２^１０）、２５６（＝２^８）または６４（＝２^６）個の階調を有する。入力制御信号の例としては、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどがある。

信号制御部６００は入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合わせて適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に出力して、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴをデータ駆動部５００に出力する。出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴはデジタル信号として決められた数の値（または階調）を有する。

信号制御部６００の信号処理には画像信号変換部６１０で一定のビット数を有する入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを、これと異なるビット数を有する出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴに変換する過程が含まれる。例えば、１０ビットの入力画像信号は画像信号変換部６１０で８ビットの出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴに変換されて出力される。
このような画像信号変換部６１０の信号変換については後述にて詳細に説明する。

ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶとゲートオン電圧Ｖｏｎの出力周期を制御する少なくとも１つのクロック信号を有する。ゲート制御信号ＣＯＮＴ１はまた、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥをさらに有することができる。
データ制御信号ＣＯＮＴ２は１つの束の画素ＰＸに対する画像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨと、液晶表示板組立体３００にデータ信号Ｖｄを印加することを命令するロード信号ＬＯＡＤ及びデータクロック信号ＨＣＬＫを有する。データ制御信号ＣＯＮＴ２はまた、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ信号Ｖｄの電圧極性（以下、“共通電圧に対するデータ信号の電圧極性”略して“データ信号の極性”という）を反転させる反転信号ＲＶＳをさらに有することができる。

信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によってデータ駆動部５００は１つの束の画素に対する出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴを受信し、各出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって出力画像信号（デジタル画像信号）ＤＡＴをアナログデータ信号Ｖｄに変換した後、これを当該データ線１７１に印加する。
ゲート駆動部４００は信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１によってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線（１２１ａ（ＧＬａ）、１２１ｂ（ＧＬｂ））に印加し、このゲート線（１２１ａ（ＧＬａ）、１２１ｂ（ＧＬｂ））に接続されたスイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）を導通させる。その結果、データ線１７１に印加されたデータ信号Ｖｄが導通したスイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）を通じて当該副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）に印加される（図３参照）。

このように液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端に電位差が生じると、表示板（１００、２００）の表面にほぼ垂直の主電場（電界）が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９１及び共通電極２７０をともに“電場生成電極”という）。その結果、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射した偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率変化で現れ、これを通じて液晶表示装置は画像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、２つの液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの電圧が互いに異なるので、液晶分子の傾く角度が異なり、そのために２つの副画素の輝度が異なる。したがって、第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧を適切に合せると、側面から見る画像を正面から見る画像に最大限近くすることができ、つまり、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限に近くすることができ、このようにすることで側面視認性を向上することができる。

また、高い電圧の印加を受ける第１副画素電極１９１ａの面積を第２副画素電極１９１ｂの面積より小さくすると、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線にさらに近くすることができる。特に、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極、１９１ｂの面積比がほぼ１：２〜１：３である場合には、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線によりさらに近くなるので、側面視認性がさらに良くなる。

液晶分子が傾く方向は一次的に電場生成電極（１９１、２７０）の共通電極切開部（７１〜７３ｂ）、画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）と副画素電極１９１ａ、１９１ｂの辺が主電場を歪曲して作りだす水平成分によって決められる。このような主電場の水平成分は共通電極切開部（７１〜７３ｂ）、画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）の辺と副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の辺にほぼ垂直である。
副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）は共通電極切開部（７１〜７３ｂ）、画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）によって複数の副領域に分けられ、各副領域は共通電極切開部（７１〜７３ｂ）、画素電極切開部（９１ａ〜９２ｂ）の屈曲部及び副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の屈曲辺によって定義される２つの主辺を有する。各副領域上の液晶分子はほぼ主辺に対して垂直方向に傾くので、傾く方向を整理するとほぼ４つの方向である。このように液晶分子が傾く方向を多様にすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

一方、副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の間の電圧差によって副次的に生成する副電場の方向は副領域の主辺と垂直である。したがって、副電場の方向と主電場の水平成分の方向と一致する。結局、副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の間の副電場は液晶分子の傾斜方向の決定を強化する側に作用する。

１水平周期（“１Ｈ”とも言い、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同一）を単位として、このような過程を繰り返すことによって、全ての画素ＰＸにデータ信号を印加して１つのフレームの画像を表示する。
１つのフレームが終わると、次のフレームが始まり、各画素ＰＸに印加されるデータ信号の極性が直前フレームにおける極性と反対になるようにデータ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（“フレーム反転”）。この時、１つのフレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性によって１つのデータ線を通じて流れるデータ信号の極性が変ることができ（例えば、行反転、点反転）、１つの束の画素に印加されるデータ信号の極性も互いに異なることができる（例えば、列反転、点反転）。

次に、図７〜図１０を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置の信号処理についてより詳細に説明する。
まず、図７及び図８を参照して、本発明の画像信号変換方法について概略的に説明する。
図７は液晶表示装置の第１、第２副画素の階調に対する輝度を表すグラフであり、図８は本発明の一実施形態による液晶表示装置の画像信号変換を表すグラフである。

まず、図７を参照すると、目標ガンマ曲線（Ｇ Ｇａｍｍａ）、第１ガンマ曲線（Ａ Ｇａｍｍａ）及び第２ガンマ曲線（Ｂ Ｇａｍｍａ）が示されている。これらガンマ曲線（Ｇ Ｇａｍｍａ、Ａ Ｇａｍｍａ、Ｂ Ｇａｍｍａ）を参照すると、階調と輝度は一対一で比例する関係である。第１ガンマ曲線（Ａ Ｇａｍｍａ）は第１副画素電極の階調及び輝度の関係を示し、第２ガンマ曲線（Ｂ Ｇａｍｍａ）は第２副画素電極の階調及び輝度の関係を示す。第１及び第２ガンマ曲線（Ａ Ｇａｍｍａ、Ｂ Ｇａｍｍａ）は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂに印加される電圧の平均が画素電極１９１全体の目標電圧になるように決められる。

図８を参照すると、８ビットの階調のうちの２４、２５及び２６階調付近での目標ガンマ曲線（Ｇ Ｇａｍｍａ）、第１ガンマ曲線（Ａ Ｇａｍｍａ）及び第２ガンマ曲線（Ｂ Ｇａｍｍａ）が示されている。この時、８ビット階調と１０ビット階調を比較してみると、８ビットの２４、２５及び２６階調は１０ビットの９６、１００及び１０４階調に対応する。８ビットの各階調の間には８ビットでは表現できないが、１０ビットでは表現される３個の階調が存在する。つまり、８ビットの２４及び２５階調の間には１０ビットの９７、９８及び９９階調の３つが存在する。このように８ビットでは表現できない９７、９８、９９階調は、第１ガンマ曲線（Ａ Ｇａｍｍａ）値と第２ガンマ曲線（Ｂ Ｇａｍｍａ）値を適当に混合して示すことができる。つまり、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの電圧を適切に混合すると、同一の駆動装置でさらに多くの数の色相を表現することができる。

次に、図９〜図１０を参照して、図８に示したように第１及び第２副画素を利用してさらに多くの数の色相を表現する方法について詳細に説明する。
図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態による液晶表示装置の画像信号変換部の多様な例を示すブロック図であり、図１０は本発明の一実施形態による液晶表示装置の画像信号変換で使用される補正変数を記憶するルックアップテーブルの一例を示す表である。

図９（ａ）を参照すると、信号制御部６００に含まれた画像信号変換部６１０Ａは第１及び第２予備信号を記憶する第１及び第２ルックアップテーブル６１１ａ、６１１ｂ、第１及び第２補正変数を記憶する第３及び第４ルックアップテーブル６１４ａ、６１４ｂ、第１予備信号に第１補正変数を足す第１加算器６１２ａ及び第２予備信号に第２補正変数を足す第２加算器６１２ｂを有する。

信号制御部６００に、例えば、１０ビット数の入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂが入力されると、画像信号変換部６１０は入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを、例えば、８ビット数の第１及び第２予備信号に分ける。分かれた第１及び第２予備信号は、第１及び第２ルックアップテーブル６１１ａ、６１１ｂに各々保存された後、各々第１及び第２加算器６１２ａ、６１２ｂに出力される。一方、入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと同一の１０ビット数を基準に適切な値に基づいて選択して第１及び第２補正変数を定めた後、これらを各々第１及び第２加算器６１２ａ、６１２ｂに出力する。その結果、第１加算器６１２ａで第１予備信号と第１補正変数が加えられて第１出力画像信号ＤＡＴａとなり、これはデータ駆動部５００に印加される。また、第２加算器６１２ｂで第２予備信号と第２補正変数が加えられて第２出力画像信号ＤＡＴｂとなり、これはデータ駆動部５００に印加される。

図９（ｂ）に示した画像信号変換部６１０Ｂは、図９（ａ）に示した画像信号変換部６１０ａとは異なって第１及び第２補償変数を別に加えるわけでなく、１０ビットの入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを補償変数値を同時に考慮して８ビット数を有する２つの画像信号で直ちに割って、第１及び第２出力画像信号を作る。このような第１及び第２出力画像信号は各々ルックアップテーブル６１５ａ、６１５ｂに保存された後、データ駆動部５００に各々印加される。

次に、図１０を参照して、図９（ａ）及び（ｂ）に示した画像信号変換部６１０Ａ、６１０Ｂで第１及び第２補正変数を決める方法の一例について説明する。
図１０を参照すると、２つのビット数の場合による第１及び第２補正変数（Ａ Ｇａｍｍａ、Ｂ Ｇａｍｍａ）がルックアップテーブルで示されている。信号制御部６００に１０ビット数を有する任意の階調の入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂが入力されると、入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを２ビット数小さい８ビット数の階調で表現する。その後、下位２つのビットを除いた残りビットに図１０のルックアップテーブルによる第１及び第２補正変数を各々加える。

例えば、入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂが“００００００１００１”である場合には、下位２つのビット“０１”の代りに図１０のルックアップテーブルによる補正変数を入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに加える。図１０を参照すると、下位２つのビット数が０１である場合に第１補正変数（Ａ Ｇａｍｍａ）は１であり、第２補正変数（Ｂ Ｇａｍｍａ）は０である。この各々の補正変数を入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂに加えると、第１出力画像信号ＤＡＴａは“００００００１１［＝（００００００１０＋１）］”になり、第２出力画像信号ＤＡＴｂは“００００００１０［＝（００００００１０＋０）］”になる。このように１０ビットの入力画像信号Ｒ、Ｇ、Ｂが８ビットの第１及び第２出力画像信号ＤＡＴａ、ＤＡＴｂに変換され、これはデータ駆動部５００に印加される。

本発明のように１つの画素が第１及び第２副画素に分けられる場合、２つの副画素に印加されるデータ電圧を調節することによって、データ駆動部が処理できるビット数より高いビット数の入力画像信号を表示することができる。
一方、図１０のルックアップテーブルはこれに限られるわけではなく、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積と１階調当り面積変化を考慮して多様な他の例を採択することもできる。
また、いままで１０ビット数の入力画像信号を８ビットの出力画像信号に変換することを説明したが、これに限定されず、他の多様なビット数の信号を多様なビット数の信号に変換することもできる。

次に、図１１と図１及び図２を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図１１は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。

図１１を参照すると、本実施形態による液晶表示板組立体は複数のゲート線ＧＬ、複数対のデータ線ＤＬａ、ＤＬｂ及び複数の維持電極線ＳＬを有する信号線と、これに接続される複数の画素ＰＸを有する。
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを有し、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂは各々当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬａ、ＤＬｂに接続されるスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂと、これに接続される液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ、そしてスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに接続されるストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂを有する。
各スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂは下部表示板１００に備えられる薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと接続され、入力端子はデータ線ＤＬａ、ＤＬｂと接続され、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ及びストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂと接続される。

液晶キャパシタＣｌｃａ、ＣｌｃｂとストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂ及び、このような液晶表示板組立体を有する液晶表示装置の動作などについては上述した実施形態と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。但し、図８に示した液晶表示装置では１つの画素ＰＸを構成する２つの副画素ＰＸａ、ＰＸａが時差をおいてデータ電圧の印加を受ける反面、本実施形態では２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂが同一の時間にデータ電圧の印加を受ける。
本発明によれば、表示装置の駆動部を交代せず、表現可能な色相の個数を増加させて表示装置の色再現性を向上することができる。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図４に示した液晶表示板組立体をＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。 図４に示した液晶表示板組立体をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。 液晶表示装置の第１及び第２副画素で階調による輝度を示すグラフである。 本発明による液晶表示装置における画像信号の変換を表すグラフである。 （ａ）は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の画像信号変換部の一例を示すブロック図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の画像信号変換部の他の例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の補正変数を記憶するルックアップテーブルの一例を示す図面である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。

符号の説明

１２、２２ 偏光板
１１、２１ 配向膜
８１、８１ａ、８１ｂ、８２ 接触補助部材
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１ａ、１２１ｂ （第１及び第２）ゲート線
１２４ａ、１２４ｂ （第１及び第２）ゲート電極
１３１ 維持電極線
１３７ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ａ、１５４ｂ （第１及び第２島型）半導体
１６３ａ、１６５ａ 島状オーミックコンタクト部材
１７１ データ線
１７３ａ、１７３ｂ （第１及び第２）ソース電極
１７５ａ、１７５ｂ （第１及び第２）ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８５ａ、１８５ｂ 接触孔
１９１ 画素電極
１９１ａ、１９１ｂ （第１及び第２）副画素電極
２２０ 遮光部材
２３０ 色フィルタ
２５０ 蓋膜
２７０ 共通電極
３００ 液晶表示板組立体
４００ ゲート駆動部
５００ データ駆動部
６００ 信号制御部
６１０、６１０Ａ、６１０Ｂ 画像信号変換部
６１１ａ、６１１ｂ、６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ ルックアップテーブル
６１２ａ、６１２ｂ 加算器
８００ 階調電圧生成部

Claims (13)

1. 第１及び第２副画素各々からなる複数の画素を有する液晶表示板組立体と、
   第１ビット数を有する第１予備信号を前記第１ビット数より少ない第２ビット数の第１出力画像信号に変換し、前記第１ビット数を有する第２予備信号を前記第１ビット数より少ない前記第２ビット数の第２出力画像信号に変換する画像信号変換部と、
   前記第１及び第２出力画像信号に相当するデータ電圧を前記画素に各々印加するデータ駆動部とを有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１出力画像信号は前記第１副画素に印加されるデータ電圧に相応し、前記第２出力画像信号は前記第２副画素に印加されるデータ電圧に相応することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１出力画像信号は前記第１予備信号に第１補正変数を足した値であり、前記第２出力画像信号は前記第２予備信号に第２補正変数を足した値であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記画像信号変換部は、前記第１及び第２予備信号を各々記憶する第１及び第２ルックアップテーブルと、前記第１及び第２補正変数を各々記憶する第３及び第４ルックアップテーブルとを有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記画像信号変換部は、第１及び第２出力画像信号を各々記憶する第１及び第２ルックアップテーブルを有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１副画素に印加されるデータ電圧と前記第２副画素に印加されるデータ電圧は互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１副画素の面積と前記第２副画素の面積は互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 前記第１副画素の面積は前記第２副画素の面積より小さく、前記第１副画素に印加されるデータ電圧は前記第２副画素に印加されるデータ電圧より高いことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記第１副画素の面積と前記第２副画素の面積比は１：１．８〜１：２であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記第１副画素と前記第２副画素は１つの画像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記第１副画素は第１副画素電極を含み、前記第２副画素は第２副画素電極を含み、
    前記第１副画素電極と接続される第１薄膜トランジスタと、
    前記第２副画素電極と接続される第２薄膜トランジスタと、
    前記第１薄膜トランジスタに接続される第１信号線と、
    前記第２薄膜トランジスタに接続される第２信号線と、
    前記第１及び第２薄膜トランジスタと接続され、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、各々前記第１及び第２信号線からの信号によって導通して前記第３信号線からの信号を伝達することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、各々前記第３信号線からの信号によって導通して前記第１及び前記第２信号線からの信号を伝達することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
    

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