JP2007139451A - Inspection device of solder material, inspection method of solder material, control program of inspection device of solder material and recording medium having control program recorded thereon of inspection device of solder material - Google Patents

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勝己 大橋
Masanobu Horino
昌伸 堀野
Yasuhiro Onishi
康裕 大西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection device of a solder material which suppresses the labor or time of work required for inspecting the deterioration degree of the solder material, is preferable from an aspect of working sanitation and has higher measuring precision, and an inspection method of the solder material. <P>SOLUTION: Only the cream solder 3 printed on a substrate 2 is irradiated with light while scanning the surface of the substrate 2 on the basis of the printing position data acquired by a printing position acquiring means of CAD data or the like before an electronic component is mounted on the substrate 2 and the inspection target intensity of infrared rays with a specific wave number reflected from the cream solder 3 by irradiation with light is detected. The cream solder 3 printed on the substrate 2 is set as an inspection target, and the deterioration parameter showing the relative deterioration degree of the cream solder 3 being an inspection target with respect to the cream solder 3 of a comparative target is calculated on the basis of the relative target intensity of infrared rays with a specific wave number detected as reflected light when the cream solder 3 of the comparative target with respect to the inspection target is irradiated with light and the intensity of the inspection target. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半田材の劣化度を検査する装置および半田材の劣化度を検査する方法に関するものである。   The present invention relates to a device for inspecting the degree of deterioration of a solder material and a method for inspecting the degree of deterioration of a solder material.

プリント基板(以下単に「基板」と言う)の生産ラインにおいては、基板上に半田材を印刷する印刷工程、この印刷された半田材上に電子部品を搭載するマウント工程、基板に電子部品を半田付けするリフロー工程を行うことによって、基板上に電子部品を実装している。   In a printed circuit board (hereinafter simply referred to as “substrate”) production line, a printing process for printing a solder material on the board, a mounting process for mounting an electronic component on the printed solder material, and soldering the electronic component to the board An electronic component is mounted on the substrate by performing a reflow process.

この印刷工程は、例えば次の通りである。まず、基板上にメタルマスクを配置し、半田材であるクリーム半田をメタルマスク表面に供給する。次に、メタルマスク表面上にスキージを当接させて摺動させる。すると、クリーム半田は、メタルマスク表面でスキージにより押圧され回転移動する。メタルマスクには、基板の配線パターンに対応した穴が形成されているので、このスキージの押圧力によって、クリーム半田が穴から押し出されクリーム半田は基板上に印刷される(特許文献2の段落〔0011〕参照)。   This printing process is as follows, for example. First, a metal mask is arranged on the substrate, and cream solder as a solder material is supplied to the surface of the metal mask. Next, a squeegee is brought into contact with the surface of the metal mask and slid. Then, the cream solder is pressed and rotated by the squeegee on the surface of the metal mask. Since a hole corresponding to the wiring pattern of the substrate is formed in the metal mask, the cream solder is pushed out of the hole by the pressing force of the squeegee, and the cream solder is printed on the substrate (paragraph [Patent Document 2] 0011]).

このメタルマスクは、一般的には、同一の半田材を載せたまま大量の基板に対して連続して使用されるので、半田材は、印刷を繰り返す度にスキージによって繰り返し回転移動することとなる。その結果、半田材は、徐々に劣化していくことになるが、この劣化した半田材は、基板において不良をもたらす要因となる。   Since this metal mask is generally used continuously on a large number of substrates with the same solder material placed thereon, the solder material is repeatedly rotated by a squeegee every time printing is repeated. . As a result, the solder material gradually deteriorates, but this deteriorated solder material becomes a factor causing defects in the substrate.

従って、基板における不良発生の防止や印刷工程における印刷品質の維持を図るためには、メタルマスク上の半田材の劣化度を分析し、半田材の劣化度が高くなった場合、メタルマスク上の半田材を交換する作業が非常に重要となる。   Therefore, in order to prevent the occurrence of defects on the substrate and maintain the print quality in the printing process, the deterioration degree of the solder material on the metal mask is analyzed, and when the deterioration degree of the solder material becomes high, The work of replacing the solder material is very important.

この半田材等の半田材は、劣化するに伴い、その粘度が高くなり、かつ、酸化が進行し、還元力が低下することが知られている。例えば、粘度の高い半田材を基板上に印刷すると、印刷工程後の基板において「カケ」「カスレ」等の不良が生じやすく、また、酸化の進行した半田材を基板上に印刷すると、リフロー工程後の基板において「ソルダーボール」「半田未溶」等の不良が生じやすく、更に、還元力の低下した半田材を基板上に印刷すると、リフロー工程後の基板において「ぬれ性劣化」等の不良が生じやすくなることが知られている。   It is known that the solder material such as the solder material has a high viscosity as it deteriorates, and the oxidation proceeds and the reducing power decreases. For example, if a solder material with a high viscosity is printed on the substrate, defects such as “debris” and “scratch” are likely to occur on the substrate after the printing process, and if the solder material that has undergone oxidation is printed on the substrate, the reflow process Defects such as “solder balls” and “solder insoluble” are likely to occur on the substrate afterwards, and if solder material with reduced reducing power is printed on the substrate, defects such as “wetability degradation” on the substrate after the reflow process It is known that this is likely to occur.

このように、半田材の粘度、酸化度および還元力は、基板の不良発生度と相関しているので、この粘度、酸化度および還元力は、半田材の劣化度を評価する重要指標となる。   As described above, since the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material are correlated with the degree of occurrence of defects in the substrate, the viscosity, oxidation degree, and reducing power are important indicators for evaluating the degree of deterioration of the solder material. .

この半田材の劣化度を分析する方法として、例えば、特許文献1に記載されたように、サンプリングした半田材を用いて滴定を行い、半田材(フラックス)の酸値を計測する方法、すなわち基板の製造ライン外で該計測を行うとする、いわゆるオフライン計測による分析方法がある。しかし、この方法では、試薬の調整等が必要であり、計測のために余計な手間や時間がかかるという問題が生じる。   As a method of analyzing the degree of deterioration of the solder material, for example, as described in Patent Document 1, titration is performed using a sampled solder material, and the acid value of the solder material (flux) is measured, that is, a substrate There is an analysis method based on so-called off-line measurement in which the measurement is performed outside the production line. However, this method requires adjustment of reagents and the like, and there is a problem that extra time and effort are required for measurement.

一方、この計測のための余計な手間や時間を削減すべく、この半田材の劣化度の検査のための計測を、製造ライン上で行う、すなわちインライン計測を可能にする、例えば、特許文献2、3記載のような半田材の劣化度を分析する方法もある。   On the other hand, in order to reduce unnecessary labor and time for this measurement, measurement for the inspection of the deterioration degree of the solder material is performed on the production line, that is, in-line measurement is enabled. There is also a method of analyzing the degree of deterioration of the solder material as described in 3.

この特許文献2には、基板への印刷工程において、スキージ表面を流動する半田材に対し、レーザセンサからレーザを照射して半田材の流動速度を測定することにより、この半田材の粘度を測定する方法が開示されている。しかしながら、この特許文献2記載の方法では、スキージの駆動状態による計測バラツキが大きいという問題が生じる。   In this patent document 2, the viscosity of the solder material is measured by irradiating a laser from a laser sensor to measure the flow rate of the solder material in the printing process on the substrate. A method is disclosed. However, the method described in Patent Document 2 has a problem that measurement variation due to the drive state of the squeegee is large.

他方、特許文献3には、実生産工程に近い環境で、紫外線光電子分光法を用いて、半田材の表面酸化率を計測する手法が開示されており、上記特許文献2記載のようにスキージ駆動とは関係なくインライン評価を可能とするものであるが、その一方、この方法は、人体に有害な紫外線を用いているため、作業衛生上好ましくない。   On the other hand, Patent Document 3 discloses a technique for measuring the surface oxidation rate of a solder material using ultraviolet photoelectron spectroscopy in an environment close to an actual production process. As described in Patent Document 2, squeegee driving is disclosed. However, this method is not preferable in terms of work hygiene because it uses ultraviolet rays that are harmful to the human body.

特公平08−20434号公報(公開日:1996年3月04日)Japanese Patent Publication No. 08-20434 (Publication date: March 04, 1996) 特開平05−99831号公報(公開日:1993年4月23日)JP 05-99831 A (publication date: April 23, 1993) 特開平10−82737号公報(公開日:1998年3月31日)Japanese Patent Laid-Open No. 10-82737 (Publication date: March 31, 1998)

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、検査に要する作業上の手間や時間を抑制し、作業衛生上好ましく、より計測精度の高い半田材検査装置および半田材検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the object thereof is to suppress labor and time for the work required for the inspection, which is preferable in terms of work hygiene, and has a higher measurement accuracy. An object is to provide an apparatus and a solder material inspection method.

上記目的を達成するため、本発明の半田材検査装置は、基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得する印刷位置取得手段と、上記印刷位置取得手段で取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射する光源と、上記光源からの光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出する強度検出部と、を有し、上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the solder material inspection apparatus of the present invention includes a print position acquisition unit that acquires print position information of a solder material printed on a substrate, and the print position information acquired by the print position acquisition unit. A light source that emits light only to the solder material printed on the substrate while scanning on the substrate, and an infrared ray of a specific wave number that is reflected from the solder material by irradiation of light from the light source An intensity detector that detects the intensity of the inspection object, and outputs the infrared absorbance of the specific wave number of the solder material to be inspected based on the intensity of the inspection object and the intensity of the inspection object as measurement values. It is characterized by doing.

また、本発明の半田材検査装置は、基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得する印刷位置取得手段と、上記印刷位置取得手段で取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射する光源と、上記光源からの光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出する強度検出部と、上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する半田劣化算出部と、を備えることを特徴とする。   Further, the solder material inspection apparatus according to the present invention includes a print position acquisition unit that acquires print position information of a solder material printed on the substrate, and the substrate based on the print position information acquired by the print position acquisition unit. A light source that irradiates light only to the solder material printed on the substrate while scanning above, and an inspection target intensity of infrared of a specific wave number that is reflected from the solder material by irradiation of light from the light source. Comparison between the detected intensity detector and the infrared light of the specific wave number detected as reflected light when the solder material printed on the substrate is an inspection object and the solder material to be compared with the inspection object is irradiated with light A solder deterioration calculation unit that calculates a deterioration parameter indicating a relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared based on the target strength and the inspection target strength. And features.

半田材は、印刷の繰り返しや保管時の化学反応による粘度の上昇で劣化し、この劣化した半田材は、基板において不良をもたらす要因となるので、半田材の劣化度を精度良く検査することが、基板における不良発生の防止や印刷工程における印刷品質の維持を図るために重要となる。   Solder material deteriorates due to increased viscosity due to repeated printing and chemical reactions during storage, and this deteriorated solder material causes defects in the board. Therefore, it is possible to accurately inspect the degree of deterioration of the solder material. This is important for preventing the occurrence of defects in the substrate and maintaining the printing quality in the printing process.

そこで、本願の発明者は、この半田材の劣化度を検査する時点としてはリフローになるべく近い時点が好適であり、また、検査対象としては、実際に基板にプリントされた半田材を用いるのが好適だと考えた。ここで、基板に実際に印刷された半田材の劣化度を検査するには、半田材に対し光を照射することにより検査するいわゆる非接触式計測法を用いるのが好適だと考えたが、その一方、上記特許文献3のように紫外線を使用する方法では、作業衛生上好ましくない。従って、本願の発明者は、赤外線分光法を用いれば、半田材の粘度、酸化度、還元力を分析することが可能であることに着目し、半田材の劣化度の分析を行うこととした。   Therefore, the inventor of the present application preferably uses the solder material actually printed on the board as the inspection target as the time when the solder material deterioration degree is inspected as close to reflow as possible. I thought it was suitable. Here, in order to inspect the deterioration degree of the solder material actually printed on the board, it was considered preferable to use a so-called non-contact measurement method in which the solder material is inspected by irradiating light. On the other hand, the method using ultraviolet rays as in Patent Document 3 is not preferable in terms of work hygiene. Accordingly, the inventor of the present application pays attention to the fact that the infrared spectroscopy can be used to analyze the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material and decide to analyze the deterioration degree of the solder material. .

しかしながら、基板や搭載された部品の表面は樹脂やレジスト等よりなるため、半田材が印刷された基板に対し、単に光を照射したのでは、これらの赤外スペクトルがノイズとして積算され、その結果、計測精度は低下してしまうといった問題が生ずる。   However, since the surface of the board and mounted components is made of resin, resist, etc., simply irradiating light onto the board on which the solder material is printed, these infrared spectra are integrated as noise, and as a result This causes a problem that the measurement accuracy is lowered.

そこで、当該問題を解決すべく本発明においては、基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得する印刷位置取得手段と、上記印刷位置取得手段で取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射する光源と、を備えることにより、基板に印刷された半田材にのみ光を照射する構成とし、当該ノイズを拾わないようにし、計測精度の向上を図ることとした。   Therefore, in order to solve the problem, in the present invention, based on the print position acquisition unit that acquires the print position information of the solder material printed on the substrate, and the print position information acquired by the print position acquisition unit, A light source that emits light only to the solder material printed on the substrate, and configured to irradiate light only to the solder material printed on the substrate, so that the noise is not picked up and measured. It was decided to improve accuracy.

ここで、印刷位置取得手段とは、半田材の印刷時に使用されるメタルマスクや基板の製作時に使用される作図データであり、CADデータ等である。例えば、印刷位置取得手段として、メタルマスクのCADデータを使用した場合には、メタルマスクの孔(開口部)の配置や開口部の寸法などがデータとして入力されているので、このメタルマスクのCADデータを利用すれば、基板上の半田材の印刷位置が特定可能となる。また、基板とメタルマスクには通常位置合わせのための位置決めマークが設けられているので、印刷位置情報は、この位置決めマークを原点とした座標および開口部の寸法等とするのがよい。   Here, the printing position acquisition means is drawing data used at the time of manufacturing a metal mask or a substrate used at the time of printing a solder material, such as CAD data. For example, when the CAD data of the metal mask is used as the printing position acquisition means, the arrangement of the metal mask holes (openings), the dimensions of the openings, and the like are input as data. If the data is used, the printing position of the solder material on the substrate can be specified. Further, since the positioning mark for normal alignment is provided on the substrate and the metal mask, the printing position information is preferably the coordinates with the positioning mark as the origin, the dimension of the opening, and the like.

また、光源は、光を照射するランプであり、例えば、セラミック光源が使用され、本発明においては、この光源は、基板上を走査しながら光を照射するよう構成されている。ここで、走査とは、光源が光を照射しながら基板上を移動することを意味し、本発明においては、光源は基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射しながら基板上を移動するように構成されている。この半田材に対してのみ光を照射させる構成として、例えば、光源を制御して間欠的に光を発光するように構成したり、また、光源自体は連続的に光を発光するように構成しておき、該光源から発光された光を間欠的に遮る遮光手段を設ければ、結果的には、基板に印刷された半田材にのみ光が照射するように構成することができる。また、この遮光手段としては、開閉シャッターからなり、開状態では光が照射され、閉状態では光は遮光されるような構成が適用可能である。   The light source is a lamp that emits light. For example, a ceramic light source is used. In the present invention, the light source is configured to emit light while scanning on the substrate. Here, scanning means that the light source moves on the substrate while irradiating light. In the present invention, the light source irradiates only the solder material printed on the substrate while irradiating light on the substrate. Configured to move. As a configuration for irradiating light only to the solder material, for example, the light source is controlled to emit light intermittently, or the light source itself is configured to emit light continuously. If a light blocking means for intermittently blocking the light emitted from the light source is provided, as a result, only the solder material printed on the board can be irradiated with light. In addition, the light shielding means may be configured by an open / close shutter, in which light is irradiated in the open state and light is shielded in the closed state.

また、本発明においては、基板に印刷された半田材のうち、光源による走査の範囲である計測対象エリアを指定可能な入力部を有するようにしてもよい。この計測対象エリアは、検査する者において任意に設定可能に構成されている。   Moreover, in this invention, you may make it have an input part which can designate the measurement object area which is the range of the scanning by a light source among the solder materials printed on the board | substrate. This measurement target area is configured to be arbitrarily settable by the person to be inspected.

また、本発明においては、赤外線分光法を用いて、半田材の粘度、酸化度、還元力を分析することにより、半田材の劣化度の分析を行っている。良質な半田材は、低粘度、低酸化度、高還元力であるが、半田材は劣化すると、粘度、酸化度が高くなり、還元力が低くなるので、これらのうち少なくとも1項目を分析すれば、半田材の劣化度が判断できると本願の発明者らは考えたからである。   In the present invention, the degradation degree of the solder material is analyzed by analyzing the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material using infrared spectroscopy. A good solder material has low viscosity, low oxidation degree, and high reducing power. However, when the solder material deteriorates, the viscosity and oxidation degree become high and the reducing power becomes low. Therefore, analyze at least one of these items. This is because the inventors of the present application have considered that the degree of deterioration of the solder material can be determined.

この赤外線分光法により、半田材の粘度、酸化度、還元力を分析できるのは、以下のような理由からである。   The reason why the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material can be analyzed by this infrared spectroscopy is as follows.

半田材は使用し続け、また、外気にさらし続けると、含有金属が酸化し、含有する酸(例えば、カルボン酸)が塩に変化する。すなわち、半田材においては、含有金属酸化物が増加し、酸の含有量が減少し、塩の含有量が増加する。なお、金属酸化物は、酸化金属とも呼ばれる。   When the solder material is continuously used and exposed to the outside air, the contained metal is oxidized and the contained acid (for example, carboxylic acid) is converted into a salt. That is, in the solder material, the contained metal oxide increases, the acid content decreases, and the salt content increases. Note that the metal oxide is also called a metal oxide.

そして、半田材は、この金属酸化物の増加によって酸化度が高くなり、塩の増加によって粘度が高くなり、酸の含有量の減少によって還元力が低下する。   The solder material has a higher degree of oxidation due to the increase in the metal oxide, a higher viscosity due to an increase in the salt, and a reduction power due to a decrease in the acid content.

したがって、検査対象の半田材において、金属酸化物の含有度、酸および塩の含有度を分析できれば、半田材の粘度、酸化度、還元力を検査することができ、これらを指標とすれば、半田材の劣化度を検査できる。すなわち、半田材における、金属酸化物の含有度、酸の含有度、塩の含有度は、半田材の劣化度(粘度、酸化度、還元力)を示すものである。   Therefore, in the solder material to be inspected, if the content of metal oxide, the content of acid and salt can be analyzed, the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material can be inspected. The degree of deterioration of the solder material can be inspected. That is, the content of metal oxide, the content of acid, and the content of salt in the solder material indicate the degree of deterioration (viscosity, oxidation degree, reducing power) of the solder material.

そこで、本願の発明者らは、赤外線分光法によれば、金属酸化物、酸、塩の含有度の少なくとも1項目を分析することが可能であることに着目し、本発明を実現するに至った。   Therefore, the inventors of the present application pay attention to the fact that it is possible to analyze at least one item of the content of metal oxides, acids, and salts according to infrared spectroscopy, leading to the realization of the present invention. It was.

半田材における特定波数の赤外線の吸収量は、半田材における金属酸化物、酸、塩の含有度に応じて変化し、その結果、この半田材を反射する赤外線の特定波数の強度は変化する。これは、半田材に含まれる金属酸化物、酸、塩は、各々において特定されている波数帯域の赤外線を吸収する性質を有しているからである。   The amount of infrared rays absorbed at a specific wave number in the solder material changes according to the content of metal oxide, acid, and salt in the solder material, and as a result, the intensity of the specific wave number of infrared rays reflected from the solder material changes. This is because the metal oxide, acid, and salt contained in the solder material have the property of absorbing infrared rays in the wave number band specified in each.

したがって、例えば、検査対象の半田材の状態(劣化度)とは異なる半田材(例えば、新品の半田材、100回使用の半田材等)を比較対象とし、各々から検出された反射する特定波数の赤外線の強度(検査対象強度、比較対象強度)とに基づけば、比較対象の半田材に対して、検査対象の半田材における金属酸化物、酸、塩の含有度を相対的に分析でき、検査対象の半田材の粘度、酸化度、還元力を相対的に検査することができる。それゆえ、比較対象の半田材に対して、検査対象の半田材の劣化度(粘度、酸化度、還元力)を相対的に検査できる。この含有度は、半田材の劣化度(粘度、酸化度、還元力)を示すものである。なお、上記比較対象強度は、例えば、上記検査対象強度と同様の方法で検出可能であり、この比較対象強度は、上記検査対象強度を検出する際に、同じように検出してもよく、また、予め検出しておき、記憶手段に記憶しておくことも可能である。   Therefore, for example, a solder material (for example, a new solder material, a solder material used 100 times, etc.) different from the state (degradation level) of the solder material to be inspected is compared, and the specific wave number reflected from each detected. Based on the intensity of the infrared rays (inspection strength, comparison strength), the relative content of metal oxides, acids, and salts in the solder material to be tested can be analyzed relative to the solder material to be compared. It is possible to relatively inspect the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material to be inspected. Therefore, the degree of deterioration (viscosity, degree of oxidation, reducing power) of the solder material to be inspected can be relatively inspected with respect to the solder material to be compared. This content indicates the degree of deterioration (viscosity, oxidation degree, reducing power) of the solder material. The comparison target intensity can be detected by, for example, the same method as the inspection target intensity, and this comparison target intensity may be detected in the same manner when detecting the inspection target intensity. It is also possible to detect it in advance and store it in the storage means.

そして、この相対的な含有度を、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータとして出力させる。これにより、この装置の利用者は、出力された劣化パラメータによって、比較対象の半田材に対する検査対象の半田材の上記相対的含有度を分析でき、比較対象の半田材に対する検査対象の半田材の相対的劣化度を検査できる。   The relative content is output as a deterioration parameter indicating the relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared. Accordingly, the user of this apparatus can analyze the relative content of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared based on the output deterioration parameter, and the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared can be analyzed. The relative deterioration degree can be inspected.

なお、半田材に照射される光は、上記特定波数の赤外線そのものであってもよいし、上記特定波数の赤外線を含む光であってもよい。   The light applied to the solder material may be infrared light having the specific wave number or light including infrared light having the specific wave number.

以上示した本発明によれば、特許文献1に開示されているような滴定作業が不要であるため、特許文献1の方法よりも作業上の手間を抑制でき、特許文献2の方法よりも高精度な計測が可能で、また、紫外線を使わないため、特許文献3の方法よりも作業衛生上好ましい。   According to the present invention described above, since the titration work as disclosed in Patent Document 1 is unnecessary, it is possible to suppress the labor of the work compared to the method of Patent Document 1, and higher than the method of Patent Document 2. Since accurate measurement is possible and ultraviolet rays are not used, it is more preferable in terms of work hygiene than the method of Patent Document 3.

また、本発明においては、金属酸化物、酸、塩の含有度の少なくとも1項目を分析できればよいため、上記特定波数は、半田材に含まれる金属酸化物、塩、酸の少なくとも1つが吸収する赤外線の波数帯域に含まれる波数であってもよい。   Further, in the present invention, it is only necessary to analyze at least one item of the content of metal oxide, acid, and salt, and therefore the specific wave number is absorbed by at least one of metal oxide, salt, and acid contained in the solder material. The wave number included in the infrared wave number band may be used.

例えば、この金属酸化物としては、酸化錫、酸化鉛等が例として挙げられる。また、半田材に含まれる酸のうち、含有量の多い酸としてカルボン酸が挙げられるので、上記酸としては、カルボン酸であることが好ましい。更に、劣化した半田材に含まれる塩のうち、含有量の多い塩としてカルボン酸塩が挙げられるので、上記塩としては、カルボン酸塩であることが好ましい。   For example, examples of the metal oxide include tin oxide and lead oxide. Moreover, since the carboxylic acid is mentioned as an acid with much content among the acids contained in a solder material, it is preferable that it is a carboxylic acid as said acid. Further, among the salts contained in the deteriorated solder material, a carboxylate is exemplified as a salt having a high content, and therefore, the salt is preferably a carboxylate.

また、上記特定波数は、520cm−1〜700cm−1、1270cm−1〜1430cm−1、1500cm−1〜1650cm−1、1665cm−1〜1730cm−1の範囲のうち少なくとも1つの範囲に含まれる波数であってもよい。 Also, the wave number the particular wave number is, 520cm -1 ~700cm -1, 1270cm -1 ~1430cm -1, 1500cm -1 ~1650cm -1, is included in at least one range of the range of 1665cm -1 ~1730cm -1 It may be.

上記の酸化錫、酸化鉛は、520cm−1〜700cm−1の赤外線を吸収するよう性質を有しているからであり、カルボン酸は、1665cm−1〜1730cm−1の赤外線を吸収する性質を有しているからである。また、カルボン酸塩は、1270cm−1〜1430cm−1、1500cm−1〜1650cm−1の赤外線を吸収する性質を有しているからである。 Additional tin oxide, lead oxide is because has a property to absorb an infrared ray at 520cm -1 ~700cm -1, carboxylic acid, a property to absorb an infrared ray at 1665cm -1 ~1730cm -1 It is because it has. Further, carboxylate, because has a property to absorb 1270cm -1 ~1430cm -1, the infrared 1500 cm -1 1650 cm -1.

劣化パラメータは、検査対象強度と比較対象強度との差分を求める手順あるいは比を求める手順により出力されるようにしてもよい。   The deterioration parameter may be output by a procedure for obtaining a difference between the inspection object strength and the comparison object strength or a procedure for obtaining a ratio.

上記差分あるいは比は、検査対象の半田材と比較対象の半田材との間における上記特定波数の赤外線吸収度の相違度を示すパラメータである。つまり、この差分あるいは比によれば、比較対象の半田材と検査対象の半田材との間における金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の含有度の相違を分析でき、比較対象の半田材に対する検査対象の半田材の粘度、酸化度、還元力を相対的に検査することができ、検査対象の半田材の劣化度(粘度、酸化度、還元力)を相対的に検査できるからである。   The difference or ratio is a parameter indicating the difference in infrared absorption at the specific wave number between the solder material to be inspected and the solder material to be compared. That is, according to this difference or ratio, it is possible to analyze the difference in the content of metal oxide, carboxylic acid, and carboxylate between the solder material to be compared and the solder material to be inspected. This is because it is possible to relatively inspect the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material to be inspected, and to relatively inspect the deterioration degree (viscosity, oxidation degree, reducing power) of the solder material to be inspected.

なお、比較対象に照射される光に含まれる赤外線の強度と検査対象に照射される光に含まれる赤外線の強度とで若干の相違が生じることがあるが、この場合、この相違分が、検出される検査対象強度と比較対象強度との相違に含まれることとなる。   There may be a slight difference between the intensity of the infrared rays contained in the light irradiated to the comparison target and the intensity of the infrared rays contained in the light irradiated to the inspection target. In this case, this difference is detected. It is included in the difference between the inspection target strength and the comparison target strength.

そこで、上記半田材検査装置は、上記特定波数とは異なる波数である参照波数を設定し、上記強度検出部では、さらに、検査対象の半田材を反射する上記参照波数の赤外線の第3強度を検出し、上記半田劣化算出部は、さらに、上記検査対象の半田材に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記参照波数の赤外線の第4強度と、上記第3強度との相違度に応じて、上記検査対象強度または上記比較対象強度の少なくともいずれかを補正することが好ましい。   Therefore, the solder material inspection device sets a reference wave number that is a wave number different from the specific wave number, and the intensity detection unit further determines the third intensity of the infrared light of the reference wave number that reflects the solder material to be inspected. And the solder deterioration calculating unit further detects the fourth intensity of the infrared wave having the reference wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the solder material to be inspected is irradiated with light. It is preferable to correct at least one of the inspection object strength and the comparison object strength according to the degree of difference from the three strengths.

また、上記劣化パラメータは、上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の第1赤外線吸光度と、上記比較対象強度に基づき求められた上記比較対象の半田材における上記特定波数の第2赤外線吸光度と、の差分あるいは比のいずれか1つにより求められるようにしてもよい。   In addition, the deterioration parameter is the first infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the strength to be inspected, and the solder material in the comparative object obtained based on the strength to be compared. You may make it obtain | require by any one of the difference or ratio with the 2nd infrared rays absorbance of a specific wave number.

上記第1赤外線吸光度と上記第2赤外線吸光度との差分あるいは比は、検査対象の半田材と比較対象の半田材との間における上記特定波数の赤外線吸収度の相違度を示すパラメータである。したがって、この差分あるいは比によれば、比較対象の半田材と検査対象の半田材との間における金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の含有度の相違を分析でき、比較対象の半田材に対する検査対象の半田材の粘度、酸化度、還元力を相対的に検査することができ、検査対象の半田材の劣化度(粘度、酸化度、還元力)を相対的に検査できるからである。   The difference or ratio between the first infrared absorbance and the second infrared absorbance is a parameter indicating the difference in the infrared absorbance at the specific wave number between the solder material to be inspected and the solder material to be compared. Therefore, according to this difference or ratio, the difference in the content of metal oxide, carboxylic acid, and carboxylate between the solder material to be compared and the solder material to be inspected can be analyzed, and This is because it is possible to relatively inspect the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the solder material to be inspected, and to relatively inspect the deterioration degree (viscosity, oxidation degree, reducing power) of the solder material to be inspected.

なお、比較対象に照射される光に含まれる赤外線の強度と検査対象に照射される光に含まれる赤外線の強度と若干の相違が生じることがあるが、この場合、この相違分が検出される検査対象強度と比較対象強度との相違に含まれ、第1赤外線吸光度および第2赤外線吸光度の相違に含まれることとなる。   There may be a slight difference between the intensity of the infrared rays contained in the light irradiated on the comparison target and the intensity of the infrared rays contained in the light irradiated on the inspection target. In this case, this difference is detected. It is included in the difference between the inspection object intensity and the comparison object intensity, and is included in the difference between the first infrared absorbance and the second infrared absorbance.

そこで、上記特定波数とは異なる波数である参照波数を設定し、上記強度検出部では、さらに、検査対象の半田材を反射する上記参照波数の赤外線の第3強度を検出し、上記半田劣化算出部は、さらに、上記第3強度に基づいて、上記検査対象の半田材における上記参照波数の第3赤外線吸光度を求め、上記検査対象の半田材に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記参照波数の赤外線の第4強度に基づいて、上記検査対象の半田材における上記参照波数の第4赤外線吸光度を求め、上記第3赤外線吸光度と上記第4赤外線吸光度との相違度に応じて、上記第1赤外線吸光度または第2赤外線吸光度の少なくともいずれかを補正することが好ましい。   Therefore, a reference wave number that is a wave number different from the specific wave number is set, and the intensity detection unit further detects the third intensity of infrared light of the reference wave number that reflects the solder material to be inspected, and calculates the solder deterioration. The unit further obtains a third infrared absorbance of the reference wave number in the solder material to be inspected based on the third intensity, and irradiates light to the solder material to be compared with the solder material to be inspected. Based on the fourth intensity of the infrared of the reference wave number detected as reflected light, the fourth infrared absorbance of the reference wave number in the solder material to be inspected is obtained, and the third infrared absorbance and the fourth infrared absorbance are calculated. It is preferable to correct at least one of the first infrared absorbance and the second infrared absorbance according to the degree of difference.

また、本発明の半田材検査装置は、リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射する光源と、上記光源からの光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出する強度検出部と、上記強度検出部により検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段と、を有し、上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力することを特徴とする。   Further, in the solder material inspection apparatus of the present invention, before reflow, at least the substrate on which the solder material is printed is irradiated with light, and the solder material is printed by irradiating light from the light source. An intensity detector that detects the intensity of infrared rays of a specific wave number reflected from the substrate, and the specific as reflected light that is detected only from the solder material from the measured intensity detected by the intensity detector An intensity extracting means for extracting the intensity of the infrared inspection object of the wave number, and measuring the infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the intensity of the inspection object and the intensity of the inspection object It is output as a value.

また、本発明の半田材検査装置は、リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射する光源と、上記光源からの光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出する強度検出部と、上記強度検出部により検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段と、上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する半田劣化算出部と、を備えることを特徴とする。   Further, in the solder material inspection apparatus of the present invention, before reflow, at least the substrate on which the solder material is printed is irradiated with light, and the solder material is printed by irradiating light from the light source. An intensity detector that detects the intensity of infrared rays of a specific wave number reflected from the substrate, and the specific as reflected light that is detected only from the solder material from the measured intensity detected by the intensity detector Intensity extraction means for extracting the intensity of the infrared wave inspection object and the solder material printed on the substrate as the inspection object, and detected as reflected light when light is irradiated to the solder material to be compared with the inspection object A degradation parameter indicating a relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared based on the intensity to be compared with infrared light having the specific wave number and the strength to be inspected. Characterized in that it comprises a solder deterioration calculation unit for calculating a motor, a.

本発明も、上記した半田材に対してのみ光を照射することにより半田材の劣化度の検査をする半田材検査装置と同様に、基板に印刷された半田材を検査対象とし、赤外線分光法を用いて半田材の劣化度を検査している。但し、基板に印刷された半田材に対してのみ光を照射するのではなく、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を連続的に照射し、その反射光としての特定波数の赤外線の強度である計測強度から、半田材からのみ検出される反射光としての特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出するように構成されている。   In the present invention, similarly to the solder material inspection apparatus that inspects the deterioration degree of the solder material by irradiating light only to the above-described solder material, the solder material printed on the substrate is an inspection object, and infrared spectroscopy is performed. Is used to inspect the degree of deterioration of the solder material. However, light is not irradiated only to the solder material printed on the substrate, but light is continuously irradiated while scanning at least the substrate on which the solder material is printed, and the specific wave number as the reflected light is From the measured intensity, which is the intensity of infrared rays, the inspection object intensity of infrared rays having a specific wave number as reflected light detected only from the solder material is extracted.

例えば、基板上の或る範囲に対して走査しながら光を照射して、その反射光としての特定波数の赤外線の強度を検出する場合を想定する。この範囲に、電子部品が半田材を介して基板に搭載されていたならば、走査しながら光を照射すると、半田材からの反射光だけではなく、電子部品からの反射光も、基板からの反射光も含まれ、強度検出部は、これらすべての反射光が含まれた特定波数の赤外線の強度を検出することとなる。この検出された強度をそのまま使用して半田材の劣化度を検査するのは困難を極めるが、この検出された強度の中には、半田材からのみ検出される反射光としての特定波数の赤外線の検査対象強度が含まれているので、この検査対象強度を抽出できれば半田材の劣化度の検査は容易に行える。そこで、本発明においては、検出された計測強度から半田材からのみ検出される反射光としての特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段を設けている。また、この強度抽出手段を設けたことにより、電子部品が搭載された基板に印刷された半田材をも検査対象とすることが可能なので、リフロー直前に検査することもでき、その結果、計測精度がより向上する。   For example, a case is assumed where light is irradiated while scanning a certain range on the substrate, and the intensity of infrared light having a specific wave number as the reflected light is detected. In this range, if the electronic component is mounted on the substrate via the solder material, when light is irradiated while scanning, not only the reflected light from the solder material but also the reflected light from the electronic component is emitted from the substrate. Reflected light is also included, and the intensity detection unit detects the intensity of infrared light having a specific wave number including all of the reflected light. It is extremely difficult to inspect the degree of deterioration of the solder material by using the detected intensity as it is, but in this detected intensity, infrared of a specific wave number as reflected light detected only from the solder material is included. Therefore, if the inspection object strength can be extracted, the deterioration degree of the solder material can be easily inspected. Therefore, in the present invention, there is provided intensity extracting means for extracting the inspection target intensity of the infrared of a specific wave number as reflected light detected only from the solder material from the detected measurement intensity. In addition, by providing this strength extraction means, it is possible to inspect the solder material printed on the board on which the electronic component is mounted, so that it can be inspected immediately before reflow, resulting in measurement accuracy. Will be improved.

この検査対象強度を抽出する方法としては、例えば、基板に対し光を照射し、該基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度を検出しておき、該強度を基板強度として予め記憶しておく記憶部を有し、強度抽出手段は、上記計測強度から上記記憶部に記憶されている上記基板強度との差分を取ることにより上記検査対象強度を抽出するようにすればよい。この基板は、検査対象の半田材が印刷されている基板でもよいし、また別の基板でもよく、基板からのみ反射してくる特定波数の赤外線の強度を検出できればよい。   As a method for extracting the inspection object intensity, for example, the substrate is irradiated with light, the intensity of infrared of a specific wave number reflected from the substrate is detected, and the intensity is stored in advance as the substrate intensity. The intensity extracting means may extract the inspection object intensity by taking a difference between the measured intensity and the substrate intensity stored in the storage unit. This substrate may be a substrate on which a solder material to be inspected is printed, or may be another substrate, as long as it can detect the intensity of infrared rays having a specific wave number reflected only from the substrate.

更に、半田材に対し光を照射し、該半田材から反射してくる上記特定波数の赤外線の強度を検出しておき、該強度を半田強度として予め記憶しておく記憶部を有し、強度抽出手段は、上記記憶部に記憶されている上記半田強度と上記計測強度の信号の増減パターンを比較することにより上記検査対象強度を抽出するようにしてもよい。この半田材は、半田材に光を照射したときに、反射してくる特定波数の赤外線の強度の信号が、どのような増減パターンとなっているかを見るために用いられるもので、新品の半田材でもよいが、上記比較対象の半田材とすれば、上記比較対象強度を利用することが出来るので好適である。この方法によれば、基板上に電子部品等が存在していても上記検査対象強度の抽出が可能であり、リフロー直前に検査することができるので、より計測精度を向上可能となる。また、基板自身の劣化による影響も受けることなく、上記検査対象強度の抽出が可能である。   Furthermore, it has a storage unit that irradiates light to the solder material, detects the intensity of the infrared of the specific wave number reflected from the solder material, and stores the intensity in advance as the solder strength. The extraction means may extract the inspection object intensity by comparing the increase / decrease pattern of the solder intensity and the measurement intensity signal stored in the storage unit. This soldering material is used to see what pattern the intensity signal of the infrared wave reflected at the specific wave number reflected when the soldering material is irradiated with light. A material may be used, but a solder material for comparison is preferable because the strength for comparison can be used. According to this method, the strength of the inspection object can be extracted even if an electronic component or the like is present on the substrate, and the inspection can be performed immediately before reflow, so that the measurement accuracy can be further improved. Further, the inspection object strength can be extracted without being affected by the deterioration of the substrate itself.

その他にも検査対象強度を抽出する方法として、強度検出部により、光源からの光の照射によって半田材が印刷された基板から反射してくる赤外線の強度である全計測強度を検出し、強度抽出手段により、該強度検出部で検出された上記全計測強度のうち、特定波数以外の波数である参照波数の赤外線の強度と所定の閾値とを比較し、該閾値以下であれば半田強度とするとともに、該半田強度から特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出するようにしても良い。基板反射輝度に比べて半田材反射輝度が極端に低いため、当該方法によっても上記検査対象強度の抽出は可能である。この閾値は、例えば、半田材の参照波数の反射光の強度と、基板の参照波数の反射光の強度とを計測し、該半田材の反射光の強度と該基板の反射光の強度を区別できる値として予め求めておき、予め記憶手段等に設定しておけばよい。   As another method for extracting the intensity of the inspection object, the intensity detector detects the total measured intensity, which is the intensity of infrared rays reflected from the printed circuit board by the irradiation of light from the light source, and extracts the intensity. By means, the intensity of the reference wave number, which is a wave number other than the specific wave number, is compared with a predetermined threshold value out of all the measured intensity values detected by the intensity detection unit. At the same time, the inspection target intensity of infrared rays having a specific wave number may be extracted from the solder intensity. Since the solder material reflection luminance is extremely lower than the substrate reflection luminance, the inspection object intensity can be extracted also by this method. For example, the threshold value is obtained by measuring the intensity of the reflected light of the reference wave number of the solder material and the intensity of the reflected light of the reference wave number of the board, and distinguishing the intensity of the reflected light of the solder material and the intensity of the reflected light of the board. What is necessary is just to obtain | require beforehand as a possible value and to set to a memory | storage means etc. previously.

なお、その他にも、検査対象強度を抽出する方法として、上記参照波数の反射光の強度の代わりに特定波数の反射光の強度の総和にして、同様に閾値を実験等により求めてこの閾値により同様に半田材の反射光の強度を抽出してもよい。また、上記参照波数の反射光の強度の代わりに上記全計測強度の平均値を利用して、上記同様に閾値を実験等により求めてこの閾値により同様に半田材の反射光の強度を抽出してもよい。   In addition, as another method of extracting the inspection object intensity, instead of using the reflected light intensity of the reference wave number, the total of the reflected light intensity of the specific wave number is used, and the threshold value is similarly obtained by experiments and the like. Similarly, the intensity of the reflected light of the solder material may be extracted. In addition, using the average value of all the measured intensities instead of the intensity of the reflected light of the reference wave number, the threshold value is obtained by experiment or the like in the same manner, and the reflected light intensity of the solder material is similarly extracted from the threshold value. May be.

また、上記基板に印刷された半田材のうち、上記光源による走査の範囲である計測対象エリアを指定可能な入力部を有するようにしてもよい。   Moreover, you may make it have an input part which can designate the measurement object area which is the range of the scanning by the said light source among the solder materials printed on the said board | substrate.

なお、上記半田劣化算出部は、コンピュータによって実現してもよく、この場合には、この半田劣化算出部をコンピュータにて実現させる制御プログラム、および、該制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発明の範疇に入る。   The solder deterioration calculation unit may be realized by a computer. In this case, a control program for realizing the solder deterioration calculation unit by a computer, and a computer-readable recording medium storing the control program Falls within the scope of the present invention.

また、本発明の半田材検査方法は、基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得し、上記取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射し、上記光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出し、上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力することを特徴とする。   The solder material inspection method of the present invention acquires print position information of a solder material to be printed on a substrate, and prints on the substrate while scanning the substrate based on the acquired print position information. The inspection object obtained by irradiating light only to the solder material, detecting the intensity of the infrared inspection object reflected at the specific wave number reflected from the solder material by the light irradiation, and obtaining the inspection object intensity The infrared absorbance of the specific wave number in the solder material and the intensity of the inspection object are output as measured values.

また、本発明の半田材検査方法は、基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得し、
上記取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射し、上記光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出し、上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出することを特徴とする。
Further, the solder material inspection method of the present invention acquires the printing position information of the solder material printed on the substrate,
Based on the acquired print position information, the light is irradiated only to the solder material printed on the substrate while scanning on the substrate, and the light reflected from the solder material by the light irradiation is specified. The specific wave number detected as the reflected light when detecting the intensity of the infrared wave inspection object, the solder material printed on the substrate as the inspection object, and irradiating the comparison target solder material with light. A deterioration parameter indicating a relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared is calculated based on the comparison target strength of the infrared rays and the inspection target strength.

本発明の半田材検査方法は、上記した半田材に対してのみ光を照射することにより半田材の劣化度の検査をする半田材検査装置により実現可能であり、詳細は上記したのと同様である。   The solder material inspection method of the present invention can be realized by a solder material inspection apparatus that inspects the degree of deterioration of the solder material by irradiating light only to the above-described solder material, and the details are the same as described above. is there.

また、本発明の半田材検査方法は、リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射し、上記光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出し、上記検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出し、上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力することを特徴とする。   In addition, the solder material inspection method of the present invention irradiates light while scanning at least a substrate on which a solder material is printed before reflowing, and the light is reflected from the substrate on which the solder material is printed. Detecting the measurement intensity which is the intensity of the infrared of the specific wave number, and extracting the intensity of the inspection object of the infrared of the specific wave number as the reflected light detected only from the solder material from the detected measurement intensity, The infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the target strength and the strength to be inspected are output as measured values.

また、本発明の半田材検査方法は、リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射し、上記光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出し、上記検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出し、上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出することを特徴とする。   In addition, the solder material inspection method of the present invention irradiates light while scanning at least a substrate on which a solder material is printed before reflowing, and the light is reflected from the substrate on which the solder material is printed. A measurement intensity which is an intensity of an infrared ray having a specific wave number is detected, and an inspection target intensity of the infrared ray having the specific wave number as reflected light detected only from the solder material is extracted from the detected measurement intensity, and the substrate The solder material printed on the test object is a test object, and the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number detected as reflected light when the target solder material for the test object is irradiated with light, and the test target intensity Based on the above, a deterioration parameter indicating a relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared is calculated.

本発明の半田材検査方法は、上記した基板に対し走査しながら光を連続的に照射し、半田材からのみ検出される反射光としての特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出するように構成された半田材検査装置によって実現可能であり、その詳細は上記したのと同様である。   The solder material inspection method of the present invention is configured to continuously irradiate light while scanning the above-described substrate, and extract an inspection target intensity of infrared having a specific wave number as reflected light detected only from the solder material. This can be realized by the solder material inspection apparatus, and the details thereof are the same as described above.

以上のように、本発明においては、印刷位置情報に基づいて、基板上を走査しながら基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射し、その反射する特定波数の赤外線の検査対象強度を検出するようにした。これにより、インライン計測が可能となるので、検査に要する作業上の手間や時間を抑制することが可能となるとともに、計測時点をよりリフロー工程に近づけることが可能となり、計測精度の向上も図れる。更に、検査対象強度に基づき求められた検査対象の半田材における特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力するようにした、すなわち、赤外線分光法を用いており計測に際し紫外線を使用していないので、作業衛生上好ましい。   As described above, in the present invention, based on the printing position information, light is irradiated only to the solder material printed on the substrate while scanning on the substrate, and the infrared wave to be inspected with a specific wave number reflected therefrom. The intensity was detected. Thereby, since in-line measurement is possible, it is possible to reduce the labor and time required for the inspection, and it is possible to bring the measurement time closer to the reflow process, thereby improving the measurement accuracy. Furthermore, the infrared absorbance at a specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the strength to be inspected and the intensity to be inspected are output as measured values, that is, using infrared spectroscopy and measuring ultraviolet rays. Is not used, which is preferable in terms of work hygiene.

また、本発明においては、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射し、この光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出し、上記検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出するようにした。これにより、電子部品が搭載された基板に印刷された半田材をも検査対象とすることが可能となるので、リフロー直前に検査することもでき、その結果、計測精度がより向上する。   Further, in the present invention, at least the board on which the solder material is printed is irradiated with light while scanning, and the intensity of the infrared ray having a specific wave number reflected from the board on which the solder material is printed by this light irradiation. A certain measurement intensity is detected, and the inspection target intensity of the infrared of the specific wave number as the reflected light detected only from the solder material is extracted from the detected measurement intensity. As a result, the solder material printed on the board on which the electronic component is mounted can also be inspected, so that the inspection can be performed immediately before the reflow, and as a result, the measurement accuracy is further improved.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下において半田材としてクリーム半田を使用しているが、これに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, cream solder is used as the solder material, but the present invention is not limited to this.

[実施例1]
本実施例の半田材検査装置においては、メタルマスクを用いて基板へのクリーム半田の印刷が終了し、該メタルマスクを基板から取り外してから電子部品が搭載されるまでの間に、該基板に対し、間欠的に光を照射し、半田材の劣化度の検査を行っている。以下、図1乃至3を参照して詳細に説明する。
[Example 1]
In the solder material inspection apparatus of the present embodiment, the printing of cream solder on the substrate using the metal mask is completed, and the electronic mask is mounted on the substrate after the metal mask is removed from the substrate. On the other hand, light is intermittently irradiated to inspect the deterioration degree of the solder material. Hereinafter, a detailed description will be given with reference to FIGS.

図1は、本発明の半田材検査装置の構成を説明するための概略構成図、図2は、そのブロック図、図3は、光源の発光パターンを示す概念図である。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining the configuration of a solder material inspection apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a block diagram thereof, and FIG. 3 is a conceptual diagram showing a light emission pattern of a light source.

本発明の半田材検査装置1は、移動部10、赤外分光計測部20、記憶部30、入力部40、制御部50、半田劣化算出部60、出力部70からなる。   The solder material inspection apparatus 1 of the present invention includes a moving unit 10, an infrared spectroscopic measurement unit 20, a storage unit 30, an input unit 40, a control unit 50, a solder deterioration calculation unit 60, and an output unit 70.

移動部10は、Xステージ11と、Yステージ12とからなる。Xステージ11は、図中X軸方向に進退可能に構成されており、クリーム半田3が印刷された基板2が、位置決めマーカ原点(0、0)を基準として位置決め載置されている。Yステージ12は、このXステージ11の上方に配設されるとともに、下記赤外分光計測部20を吊り下げた状態に設けており、該赤外分光計測部20は、図中Y軸方向に進退可能に構成されている。   The moving unit 10 includes an X stage 11 and a Y stage 12. The X stage 11 is configured to be able to advance and retreat in the X-axis direction in the figure, and the substrate 2 on which the cream solder 3 is printed is positioned and placed with reference to the positioning marker origin (0, 0). The Y stage 12 is disposed above the X stage 11 and is provided in a state where the following infrared spectroscopic measurement unit 20 is suspended. The infrared spectroscopic measurement unit 20 extends in the Y-axis direction in the figure. It is configured to be able to advance and retreat.

赤外分光計測部20は、光源21と強度検出部22とからなる。光源21は、基板2に印刷されたクリーム半田3に光を照射するランプであり、例えば、セラミック光源が使用される。本実施例においては、この光源21から発せられた光は、基板2に印刷されたクリーム半田3にのみ照射されるように構成されており、後述するような方法で、制御部50により制御され間欠的に照射されるようになっている。また、光源21を上記クリーム半田3にのみ照射する方法としては他の方法も考えられる。例えば、光源21は連続的に光を照射させ、この光源21の光を遮光可能な図示しない開閉シャッター等からなる遮光手段を設け、この開閉シャッターの開閉を制御部50により制御させ、開のときは光が照射され、閉のときは光が遮光されるようにすれば、結果としてクリーム半田3にのみ光が照射されることとなる。   The infrared spectroscopic measurement unit 20 includes a light source 21 and an intensity detection unit 22. The light source 21 is a lamp that irradiates the cream solder 3 printed on the substrate 2 with light, and for example, a ceramic light source is used. In the present embodiment, the light emitted from the light source 21 is configured to be applied only to the cream solder 3 printed on the substrate 2 and is controlled by the control unit 50 by a method as will be described later. It is designed to be irradiated intermittently. Another method is also conceivable as a method of irradiating only the cream solder 3 with the light source 21. For example, the light source 21 continuously irradiates light, and is provided with light shielding means such as an opening / closing shutter (not shown) that can shield the light from the light source 21, and the opening / closing of the opening / closing shutter is controlled by the control unit 50. If the light is irradiated and the light is blocked when closed, as a result, only the cream solder 3 is irradiated with light.

この光源21の発光パターンについて図3を参照して説明すると、図3(a)は、図1の計測対象エリアA部分を拡大したものであり、(b)は、光源21の発光パターンのON−OFF状態を示した概念図である。図3(a)に示すように、計測対象エリアAに対し、クリーム半田3−1上から順にクリーム半田3−7上まで光源21を走査する。すると、光源21がクリーム半田3−1上に位置するときは、光源21は、(b)に示すように状態L1(ON状態)となりクリーム半田3に光が照射された状態となる。他方、光源21が、クリーム半田3−1上とクリーム半田3−2上との間に位置するときは、光源21は、(b)に示すように状態L2状態(OFF状態)となり、光はクリーム半田3に照射されない。なお、この光源21による光の照射は、基板2に電子部品等が搭載される前に行うのが望ましい。   The light emission pattern of the light source 21 will be described with reference to FIG. 3. FIG. 3A is an enlarged view of the measurement target area A part of FIG. 1, and FIG. It is the conceptual diagram which showed the -OFF state. As shown to Fig.3 (a), the light source 21 is scanned with respect to the measurement object area A from the cream solder 3-1 to the cream solder 3-7 in order. Then, when the light source 21 is positioned on the cream solder 3-1, the light source 21 is in the state L1 (ON state) as shown in (b), and the cream solder 3 is irradiated with light. On the other hand, when the light source 21 is located between the cream solder 3-1 and the cream solder 3-2, the light source 21 is in the state L2 state (OFF state) as shown in FIG. The cream solder 3 is not irradiated. Note that the light irradiation by the light source 21 is preferably performed before the electronic component or the like is mounted on the substrate 2.

他方、強度検出部22は、赤外線センサであり、入射する赤外線の強度を検出するとともに、検出した赤外線の強度を示すアナログ信号(受光信号)を生成し、このアナログ信号を記憶部30に送信するよう構成されている。この強度検出部22の例としては、例えば、焦電素子やサーモパイルなどの熱型素子あるいはMCT(光導電素子、HgCdTe)などの量子型素子による赤外線センサが挙げられる。   On the other hand, the intensity detection unit 22 is an infrared sensor, detects the intensity of incident infrared rays, generates an analog signal (light reception signal) indicating the intensity of the detected infrared rays, and transmits the analog signal to the storage unit 30. It is configured as follows. Examples of the intensity detection unit 22 include an infrared sensor using a thermal element such as a pyroelectric element or a thermopile or a quantum element such as MCT (photoconductive element, HgCdTe).

記憶部30は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Read Acces Memory)等からなり、基板2若しくはメタルマスクのCADデータ、照明発光パターン、計測対象エリアA等を記憶可能に構成されている。このCADデータは、計測対象エリアAの指定および光源21の発光タイミングを特定するのに利用されている。例えば、このCADデータの中には、基板2とメタルマスクの位置合わせの際に利用される位置決めマークP0を基準点として、メタルマスクの開口部の位置座標および寸法等が入力されている。線、点の座標とそれらの寸法とその形状で構成されたCADシステムで利用されるガーバデータなどが記憶されていてもよい。   The storage unit 30 includes a ROM (Read Only Memory), a RAM (Read Access Memory), and the like, and is configured to be able to store the CAD data of the substrate 2 or the metal mask, the illumination light emission pattern, the measurement target area A, and the like. This CAD data is used to specify the measurement target area A and specify the light emission timing of the light source 21. For example, in this CAD data, the position coordinates and dimensions of the opening portion of the metal mask are input with the positioning mark P0 used when aligning the substrate 2 and the metal mask as a reference point. Gerber data used in a CAD system configured with the coordinates of lines and points, their dimensions, and their shapes may be stored.

入力部40は、キーボードやマウスあるいはタッチパネル等からなる。基板2に印刷されたクリーム半田3をすべて検査するのではなく、クリーム半田3の劣化度を検査する者において、計測対象エリアAを任意に選択して計測する場合に、計測対象エリアAを入力可能に構成されている。
この入力の仕方としては、例えば、ディスプレイ等の表示手段に基板2におけるクリーム半田3の印刷箇所を表示させ、当該箇所のうちからマウスのドラッグ操作により計測対象箇所を範囲選択すると当該箇所が計測対象エリアAとして指定されるように構成する方法が考えられる。その他にも、計測対象エリアAの選択の仕方としては、キーボード等により座標を入力することにより行うなど、種々の方法が考えられる。
The input unit 40 includes a keyboard, a mouse, a touch panel, or the like. Rather than inspecting all of the cream solder 3 printed on the substrate 2, the person who inspects the degree of deterioration of the cream solder 3 inputs the measurement target area A when the measurement target area A is arbitrarily selected and measured. It is configured to be possible.
As an input method, for example, when a printing part of the cream solder 3 on the substrate 2 is displayed on a display means such as a display and a range of the measurement target part is selected by dragging the mouse from the part, the part is the measurement target. A method of configuring the area A to be designated is conceivable. In addition, as a method of selecting the measurement target area A, various methods are conceivable, for example, by inputting coordinates using a keyboard or the like.

制御部50は、移動部10の移動の制御、記憶部30からの情報の読み出し、光源21の発光制御等、全体を統括制御するよう構成されており、例えば、プログラムブルコントローラ等のハード構成や制御プログラム等のソフト構成のいずれで構成されていてもよい。   The control unit 50 is configured to perform overall control, such as control of movement of the moving unit 10, reading of information from the storage unit 30, and light emission control of the light source 21, such as a hardware configuration such as a programmable controller, It may be configured by any software configuration such as a control program.

半田劣化算出部60は、赤外分光計測部20の強度検出部22から送られてくるアナログ信号を処理し、検査対象のクリーム半田の劣化度を算出し、その算出結果を記憶部30に送信するように構成されている。例えば、このアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D(Analog to Digital)コンバータと、該デジタル信号に基づいてデータ処理を行うコンピュータによって構成されている。   The solder deterioration calculation unit 60 processes the analog signal sent from the intensity detection unit 22 of the infrared spectroscopic measurement unit 20, calculates the deterioration degree of the cream solder to be inspected, and transmits the calculation result to the storage unit 30. Is configured to do. For example, an analog / digital (A / D) converter that converts the analog signal into a digital signal and a computer that performs data processing based on the digital signal are included.

出力部70は、制御部50から送られてくる画像データに基づいて画像を表示する表示パネルあるいは計測結果を外部に出力する通信装置である。   The output unit 70 is a display panel that displays an image based on image data sent from the control unit 50 or a communication device that outputs measurement results to the outside.

次に、本実施例の半田材検査装置の動作について、図4および図5を参照しながら説明する。図4は、本発明の半田材検査装置における光源の発光パターンおよび計測対象エリアAの設定時のシーケンス図であり、図5は、本発明の半田材検査装置の稼働時のシーケンス図である。   Next, the operation of the solder material inspection apparatus of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a sequence diagram when the light emission pattern of the light source and the measurement target area A are set in the solder material inspection apparatus of the present invention, and FIG. 5 is a sequence diagram when the solder material inspection apparatus of the present invention is in operation.

始めに、図4を参照しながら、光源の照明発光パターンおよび計測対象エリアの設定時の動作について説明する。   First, the operation at the time of setting the illumination light emission pattern of the light source and the measurement target area will be described with reference to FIG.

まず、検査する者が入力部10により計測対象エリアAを入力すると(S400)、この入力された計測対象エリアAに関する情報(以下「エリア情報」と言う)が制御部50に送信されるとともに(S401)、制御部50は、記憶部30に記憶されたメタルマスクのCADデータを読み込む(S401)。次に、制御部50は、この読み込んだCADデータと入力されたエリア情報から照明発光パターンを計算するとともに(S402)、この計算により算出された照明発光パターンとエリア情報を記憶部30に書き込み(S403)、照明発光パターンおよび計測対象エリアAの設定が終了する。例えば、この発光パターンは次のようにして算出可能である。移動部10のXステージ11、Yステージ12の移動速度を一定にしておけば、計測対象エリアA内のクリーム半田3の位置および寸法はエリア情報に予め記憶されているので、このエリア情報から移動部10の移動距離は認識可能である。よって、上記移動速度および該移動距離より、移動部10が図3中の各クリーム半田3−1、3−2、・・・上を移動するのに要する時間は容易に算出可能なので、この移動に要する時間を、間欠的に照射する光源21の1回の照射時間とすればよい。   First, when the person to be inspected inputs the measurement target area A by the input unit 10 (S400), information related to the input measurement target area A (hereinafter referred to as “area information”) is transmitted to the control unit 50 ( The control unit 50 reads the metal mask CAD data stored in the storage unit 30 (S401). Next, the control unit 50 calculates an illumination light emission pattern from the read CAD data and the input area information (S402), and writes the illumination light emission pattern and area information calculated by this calculation in the storage unit 30 ( S403), the setting of the illumination light emission pattern and the measurement target area A is completed. For example, this light emission pattern can be calculated as follows. If the moving speed of the X stage 11 and Y stage 12 of the moving unit 10 is kept constant, the position and dimensions of the cream solder 3 in the measurement target area A are stored in advance in the area information. The moving distance of the unit 10 can be recognized. Therefore, the time required for the moving unit 10 to move on each cream solder 3-1, 3-2,... In FIG. 3 can be easily calculated from the moving speed and the moving distance. What is necessary is just to let the time required for 1 time of the irradiation of the light source 21 irradiated intermittently.

次に、図5を参照しながら、上記設定後の本発明の半田材検査装置の稼働時の動作について説明する。   Next, the operation at the time of operation of the solder material inspection apparatus of the present invention after the above setting will be described with reference to FIG.

まず、制御部50は上記設定動作により記憶部30に書き込まれた照明発光パターンとエリア情報とを読み出す(S500)。この読み出し処理は、例えば、図示しない検査開始ボタンを設け、検査する者において、該検査開始ボタンを操作することにより開始されるようにしておく構成が考えられる。その他にも、設定時の処理が開始されると、この処理と連続して該稼働時の処理が行われるようにすることも可能である。   First, the control unit 50 reads the illumination light emission pattern and the area information written in the storage unit 30 by the setting operation (S500). For example, a configuration in which an inspection start button (not shown) is provided and the person who performs the inspection starts the reading process by operating the inspection start button can be considered. In addition, when the process at the time of setting is started, the process at the time of operation can be performed continuously with this process.

次に、制御部50は移動部10に対し計測開始位置P1(X0、Y0)への移動指示信号を出し(S501)、該移動指示信号を受けた移動部10は、赤外分光計測部20が計測開始位置P1(X0、Y0)上に位置するようXステージ11、Yステージ12を移動させる(S502)。この移動部10の移動処理としては、例えば、移動部10のXステージ11の移動原点およびYステージ12の移動原点を赤外分光計測部20が位置決めマーカP0(0、0)上に配置される位置と予め設定しておき、赤外分光計測部20が位置決めマーカP0(0、0)上に位置するようXステージ11、Yステージ12を移動させ移動原点の位置決めを行う。エリア情報には、この位置決めマーカP0(0、0)を原点とした位置および寸法、形状等が入っているので、このエリア情報に基づき、移動部10は移動する。なお、この移動原点の位置決めの際に、図示しないカメラ等をYステージ12に設けておき、該カメラにより基板2上の位置決めマーカP0を認識可能としておけば、Xステージ11上の基板2のずれを補正するようにするとよい。   Next, the control unit 50 issues a movement instruction signal to the measurement start position P1 (X0, Y0) to the movement unit 10 (S501), and the movement unit 10 that has received the movement instruction signal receives the infrared spectroscopy measurement unit 20. The X stage 11 and the Y stage 12 are moved so as to be positioned on the measurement start position P1 (X0, Y0) (S502). As the moving process of the moving unit 10, for example, the infrared spectroscopic measuring unit 20 places the moving origin of the X stage 11 and the moving stage of the Y stage 12 on the positioning marker P 0 (0, 0). The position is set in advance, and the X stage 11 and the Y stage 12 are moved so that the infrared spectroscopic measurement unit 20 is positioned on the positioning marker P0 (0, 0), thereby positioning the moving origin. Since the area information includes the position, size, shape and the like with the positioning marker P0 (0, 0) as the origin, the moving unit 10 moves based on this area information. When positioning the moving origin, if a camera (not shown) or the like is provided on the Y stage 12 so that the positioning marker P0 on the substrate 2 can be recognized by the camera, the substrate 2 on the X stage 11 is displaced. It is recommended to correct this.

次に、制御部50は、光源21に記憶部30から読み出した照明発光パターンに基づいて光源21に対し発光指示を出すとともに、移動部10に対し、赤外分光計測部20が計測対象エリアA上を走査するよう移動指示を出す(S503)。すると、該移動指示を受けて移動部10は、計測対象エリアA上を移動開始するとともに(S504)、光源21は上記照明発光パターンに基づき、上記走査の間、間欠的に発光することになり、その結果、基板2に印刷されたクリーム半田3にのみ光が照射されることとなる(S505)。他方、光源21によりクリーム半田3に光が照射されると、該クリーム半田3からは反射光としての赤外線が発せられるが、該赤外線の強度(検査対象強度)は強度検出部22により検出されるとともに(S505)、該検出されたデータは、記憶部30に送信され、計測データとして連続的に記憶部30に書き込まれる(S506)。   Next, the control unit 50 issues a light emission instruction to the light source 21 based on the illumination light emission pattern read from the storage unit 30 to the light source 21, and the infrared spectroscopic measurement unit 20 causes the measurement unit area A to be moved to the moving unit 10. A movement instruction is issued to scan the top (S503). Then, upon receiving the movement instruction, the moving unit 10 starts moving on the measurement target area A (S504), and the light source 21 emits light intermittently during the scanning based on the illumination light emission pattern. As a result, only the cream solder 3 printed on the substrate 2 is irradiated with light (S505). On the other hand, when the cream solder 3 is irradiated with light from the light source 21, infrared light is emitted as reflected light from the cream solder 3, and the intensity (inspection target intensity) of the infrared light is detected by the intensity detector 22. At the same time (S505), the detected data is transmitted to the storage unit 30 and continuously written into the storage unit 30 as measurement data (S506).

赤外分光計測部20による上記走査が終了すると(S507)、制御部50は、記憶部30に書き込まれた上記計測データ(検査対象強度)と、予め記憶されていた比較対象の比較対象強度とを記憶部30から読み出し、該読み出したデータを半田劣化算出部60に送信する(S508、S509)。   When the scanning by the infrared spectroscopic measurement unit 20 is completed (S507), the control unit 50 reads the measurement data (inspection target intensity) written in the storage unit 30 and the comparison target intensity stored in advance and the comparison target intensity. Is read from the storage unit 30, and the read data is transmitted to the solder deterioration calculating unit 60 (S508, S509).

半田劣化算出部60では、これらデータに基づいて後述するような方法で、計測対象エリアA内のクリーム半田3の劣化度の算出を行い(S510)、その算出されたクリーム半田3の劣化度を示す劣化度データを記憶部30に送信する。該送信された劣化度データは記憶部30に書き込まれるとともに(S511)、制御部50により読み出され、該読み出された劣化度データは加工され出力部70により出力される(S512)。   Based on these data, the solder deterioration calculating unit 60 calculates the deterioration degree of the cream solder 3 in the measurement target area A by a method described later (S510), and the calculated deterioration degree of the cream solder 3 is calculated. The degradation degree data shown is transmitted to the storage unit 30. The transmitted deterioration degree data is written in the storage unit 30 (S511), read by the control unit 50, and the read deterioration degree data is processed and output by the output unit 70 (S512).

本発明においては、赤外線分光法を用いて以下のような方法により、クリーム半田の劣化度の分析を行っている。以下種々の実施例を交えて説明する。   In the present invention, the degradation degree of cream solder is analyzed by the following method using infrared spectroscopy. Hereinafter, various examples will be described.

クリーム半田を使用し続け、また、クリーム半田を外気にさらし続けると、クリーム半田においては、含有金属が酸化し、含有カルボン酸がカルボン酸塩に変化する。つまり、クリーム半田を使用し、または、外気にさらし続けると、該クリーム半田においては、含有金属酸化物が増加し、含有カルボン酸が減少し、含有カルボン酸塩が増加することとなる。   When the cream solder is continuously used and the cream solder is continuously exposed to the outside air, the contained metal is oxidized in the cream solder, and the contained carboxylic acid is converted into a carboxylate. That is, when cream solder is used or kept exposed to the outside air, the content of the metal oxide increases, the content of carboxylic acid decreases, and the content of carboxylate increases in the cream solder.

この金属酸化物の増加によって、クリーム半田の酸化度が高くなり、このカルボン酸塩の増加によってクリーム半田の粘度が高くなり、カルボン酸の含有量の減少によってクリーム半田の還元力が低下するという現象が生じる。このような現象をクリーム半田の劣化という。   The increase in the metal oxide increases the degree of oxidation of the cream solder, the increase in the carboxylate increases the viscosity of the cream solder, and the reduction of the carboxylic acid content decreases the reducing power of the cream solder. Occurs. This phenomenon is called cream solder deterioration.

したがって、検査対象のクリーム半田において、金属酸化物の含有度、カルボン酸の含有度、カルボン酸塩の含有度の少なくとも一つを分析できれば、該クリーム半田の粘度、酸化度、還元力の少なくとも1つを検査することができ、ひいてはクリーム半田の劣化度を検査できる。   Therefore, if at least one of the content of the metal oxide, the content of the carboxylic acid, and the content of the carboxylate can be analyzed in the cream solder to be inspected, at least one of the viscosity, the degree of oxidation, and the reducing power of the cream solder. Can be inspected, and thus the degree of deterioration of the cream solder can be inspected.

一方、金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の各々は、各々において特定されている特定波数帯域の赤外線を吸収することが知られている。   On the other hand, each of the metal oxide, carboxylic acid, and carboxylate is known to absorb infrared rays of a specific wave number band specified in each.

そこで、以下の工程の組み合わせを実施することにより、クリーム半田の劣化度の分析を実現することとする。まず、検査対象のクリーム半田に光を照射することによって該検査対象のクリーム半田から反射する特定波数の赤外線の検査対象強度を検出する。次に、比較対象のクリーム半田に上記光を照射することによって該比較対象のクリーム半田を反射する上記特定波数の赤外線の比較対象強度を検出する。そして、上記検出された各強度に基づき、上記比較対象に対する上記検査対象のクリーム半田の劣化度を相対的に検査する。なお、検査対象強度の検出と比較対象強度の検出とは、実施順序が逆になってもよいし、同時に行ってもよい。また、比較対象強度は予め検出しておき、図示しない記憶手段に記憶しておくことも可能である。   Therefore, the analysis of the degree of deterioration of the cream solder is realized by combining the following steps. First, by irradiating light to the cream solder to be inspected, the intensity of the infrared inspection object having a specific wave number reflected from the cream solder to be inspected is detected. Next, the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number that reflects the comparison target cream solder is detected by irradiating the comparison target cream solder with the light. And based on each detected intensity | strength, the deterioration degree of the cream solder of the said test object with respect to the said comparison object is test | inspected relatively. Note that the detection order strength detection and the comparison target strength detection may be performed in reverse order or simultaneously. Also, the comparison target intensity can be detected in advance and stored in a storage means (not shown).

以上のようにすれば、検査対象のクリーム半田から反射する赤外線の特定波数の検査対象強度と、比較対象のクリーム半田から反射する赤外線の特定波数の比較対象強度とを検出できる。   If it carries out as mentioned above, the test object intensity | strength of the specific wave number of the infrared rays reflected from the cream solder of a test object and the comparison object intensity | strength of the specific wave number of the infrared rays reflected from the cream solder of a comparison object can be detected.

ここで、上述したように、金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の各々は、各々において特定されている特定波数帯域の赤外線を吸収する。したがって、クリーム半田における金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の含有度に応じて、クリーム半田における特定波数の赤外線の吸収量は変化し、クリーム半田を反射する特定波数の赤外線の強度は変化する。   Here, as described above, each of the metal oxide, the carboxylic acid, and the carboxylate salt absorbs infrared rays in a specific wave number band specified in each. Therefore, depending on the content of the metal oxide, carboxylic acid, and carboxylate in the cream solder, the amount of infrared absorption at a specific wave number in the cream solder changes, and the intensity of the specific wave number infrared that reflects the cream solder changes. .

したがって、上記方法により検出した検査対象強度および比較対象強度に基づけば、比較対象のクリーム半田に対して、検査対象のクリーム半田における金属酸化物の含有度、カルボン酸の含有度、カルボン酸塩の含有度の少なくとも1つを相対的に分析できる。それゆえ、比較対象のクリーム半田に対して、検査対象のクリーム半田の劣化度を相対的に検査できる。   Therefore, based on the strength of the test object and the strength of the comparison object detected by the above method, the content of the metal oxide, the content of carboxylic acid, At least one of the contents can be relatively analyzed. Therefore, the degradation degree of the cream solder to be inspected can be relatively inspected with respect to the cream solder to be compared.

なお、この検査の仕方として、(a)上記検査対象強度と上記比較対象強度との差分を求める手順、(b)上記検査対象強度と上記比較対象強度との比を求める手順、(c)上記検査対象強度から、検査対象のクリーム半田における上記特定波数の第1赤外線吸光度を求め、上記比較対象強度から、比較対象のクリーム半田における上記特定波数の第2赤外線吸光度とを求め、上記第1赤外線吸光度と上記第2赤外線吸光度との差分を求める手順、(d)上記第1赤外線吸光度と上記第2赤外線吸光度との比を求める手順、が挙げられる。   In addition, as a method of this inspection, (a) a procedure for obtaining a difference between the inspection object intensity and the comparison object intensity, (b) a procedure for obtaining a ratio between the inspection object intensity and the comparison object intensity, (c) the above The first infrared absorbance of the specific wave number in the cream solder to be inspected is obtained from the strength of the test object, the second infrared absorbance of the specific wave number in the cream solder of the comparison object is obtained from the intensity of the comparative object, and the first infrared ray is obtained. A procedure for obtaining a difference between the absorbance and the second infrared absorbance, and (d) a procedure for obtaining a ratio between the first infrared absorbance and the second infrared absorbance.

上記差分または上記比は、比較対象のクリーム半田と検査対象のクリーム半田との間における上記特定波数の赤外線吸収量の相違度を示すパラメータである。それゆえ、これらパラメータを求めることにより、比較対象のクリーム半田と検査対象のクリーム半田との間における金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の含有度の相違を分析でき、比較対象のクリーム半田に対して、検査対象のクリーム半田の粘度、酸化度、還元力を相対的に検査することができ、検査対象のクリーム半田の劣化度(粘度、酸化度、還元力)を相対的に検査できるのである。   The difference or the ratio is a parameter indicating the difference in the infrared absorption amount of the specific wave number between the cream solder to be compared and the cream solder to be inspected. Therefore, by determining these parameters, it is possible to analyze the difference in the content of metal oxide, carboxylic acid, and carboxylate between the cream solder to be compared and the cream solder to be inspected. On the other hand, the viscosity, oxidation degree, and reducing power of the cream solder to be inspected can be relatively inspected, and the deterioration degree (viscosity, oxidation degree, reducing power) of the inspected cream solder can be relatively inspected. is there.

なお、上記検査工程において、このような差分や比を求めるのではなく、本実施形態に係る本発明の実施者が、上記検出された各強度や吸光度を単に対比するだけでも、上記比較対象に対する上記検査対象のクリーム半田の劣化度を相対的に判定することが可能である。   Note that, in the inspection process, instead of obtaining such differences and ratios, the practitioner of the present invention according to the present embodiment simply compares the detected intensities and absorbances with respect to the comparison target. It is possible to relatively determine the degree of deterioration of the cream solder to be inspected.

また、上記検査対象および上記比較対象として、各々異なるクリーム半田を使用してもよいし、各々同一のクリーム半田を使用してもよい。   Further, different cream solders may be used as the inspection object and the comparison object, or the same cream solder may be used.

なお、上記「各々同一のクリーム半田を使用」とは、例えば、新品状態のクリーム半田aを比較対象とし、使用後(基板の印刷工程における使用後)の状態の当該クリーム半田aを検査対象とするような場合である。また、基板の印刷工程における印刷回数が100回のクリーム半田bを比較対象とし、上記印刷回数が200回の当該クリーム半田bを検査対象としてもよい。   Note that “use the same cream solder each” means, for example, a cream solder a in a new state as a comparison target, and the cream solder a in a state after use (after use in a substrate printing process) as an inspection target. This is the case. Further, the cream solder b having a printing count of 100 in the substrate printing process may be set as a comparison target, and the cream solder b having the printing count of 200 may be set as an inspection target.

次に、以上示したクリーム半田の劣化度の分析法の一実施例を説明する。   Next, an embodiment of a method for analyzing the degree of deterioration of the cream solder described above will be described.

まず、本実施例において検査対象となるクリーム半田について説明する。本実施例では、図7に示す各物質を含有成分とするクリーム半田を検査に用いた。同図に示すように、本実施例のクリーム半田は、80〜90%の錫と、1〜3%の銀と、1%未満の銅と、2〜4%のジエチレングリコールモノヘキシルエーテルと、1%未満の2−エチレンー1、3−ヘキサンジオールと、4〜6%のロジンと、を含んでいる。   First, cream solder to be inspected in the present embodiment will be described. In this example, cream solder containing each substance shown in FIG. 7 as a component was used for the inspection. As shown in the figure, the cream solder of this example has 80 to 90% tin, 1 to 3% silver, less than 1% copper, 2 to 4% diethylene glycol monohexyl ether, 1 % 2-ethylene-1,3-hexanediol and 4-6% rosin.

なお、クリーム半田の主成分は錫(Sn)または鉛(Pb)等の金属であるが、本実施例のクリーム半田では、図7に示すように、この金属として錫が用いられている。また、クリーム半田において還元力をもたらす主成分であるカルボン酸として、本実施例のクリーム半田では、図7に示すように、ロジン(C19H29COOH)が用いられている。 The main component of the cream solder is a metal such as tin (Sn) or lead (Pb), but in the cream solder of this embodiment, tin is used as the metal as shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 7, rosin (C 19 H 29 COOH) is used in the cream solder of this example as the carboxylic acid that is the main component that provides the reducing power in the cream solder.

本実施例では、図7に示すクリーム半田であって、新品の状態の当該クリーム半田を比較対象とし、基板の印刷工程において使用された後の当該クリーム半田を検査対象とした。なお、以下では、比較対象のクリーム半田を単に「比較対象」とし、検査対象のクリーム半田を単に「検査対象」とよぶことがある。   In this example, the cream solder shown in FIG. 7 was used as a comparison target, and the cream solder after being used in the substrate printing process was used as an inspection target. Hereinafter, the cream solder to be compared may be simply referred to as “comparison object”, and the cream solder to be inspected may be simply referred to as “inspection object”.

ここで、この比較対象および検査対象に対して、各々同一強度の赤外線を照射し、比較対象を反射する赤外線における500cm−1〜3000cm−1の帯域の強度(比較対象強度)を検出し、検査対象を反射する赤外線における500cm−1〜3000cm−1の帯域の強度(検査対象強度)を検出した。 Here, with respect to the comparative and test object, respectively irradiated with infrared same intensity, it detects the intensity of the band of the 500cm -1 ~3000cm -1 in infrared ray reflected the comparative (comparative strength) test was detected band intensity of 500cm -1 ~3000cm -1 in the infrared ray reflected the target (inspection object intensity).

さらに、本実施例では、各波数について、比較対象の赤外線の吸光度(第2赤外線吸光度)と、検査対象の赤外線の吸光度(第1赤外線吸光度)とを算出した。なお、上記吸光度は、波数hに対応するブランク値(照射した赤外線の波数hにおける強度)をBLとし、比較対象から反射する赤外線の波数hにおける強度をAとし、検査対象から反射する赤外線の波数hにおける強度をBとして、
比較対象の赤外線の吸光度(波数hに対応する吸光度)A′=―log(A/BL)・・・(1)
検査対象の赤外線の吸光度(波数hに対応する吸光度)B′=―log(B/BL)・・・(2)
を、波数毎に演算することによって求めることができる。
Furthermore, in this example, for each wave number, the infrared absorbance of the comparison target (second infrared absorbance) and the infrared absorbance of the test subject (first infrared absorbance) were calculated. In addition, as for the said light absorbency, the blank value (intensity in wave number h of irradiated infrared rays) corresponding to wave number h is set to BL, the intensity in wave number h of infrared rays reflected from a comparison object is set to A, and the wave number of infrared rays reflected from a test object The intensity at h is B,
Absorbance of infrared rays to be compared (absorbance corresponding to wave number h) A ′ = − log (A / BL) (1)
Absorbance of infrared ray to be inspected (absorbance corresponding to wave number h) B ′ = − log (B / BL) (2)
Can be calculated for each wave number.

図6は、算出した吸光度を示すスペクトルチャートである。なお、同図における横軸は赤外線の波数(Wave Number)を示し、縦軸は赤外線の吸光度を示す。   FIG. 6 is a spectrum chart showing the calculated absorbance. In the figure, the horizontal axis indicates the wave number of infrared rays (Wave Number), and the vertical axis indicates the absorbance of infrared rays.

同図に示すように、比較対象の赤外線の吸光度と、検査対象の赤外線の吸光度とでは、相違があることが観測される。   As shown in the figure, it is observed that there is a difference between the absorbance of the infrared ray to be compared and the absorbance of the infrared ray to be inspected.

次に、この相違について検討した。具体的には、上記(1)、(2)で求めた、各波数に対応するA′とB′とについて、(11)式のようにして差分を演算した。なお、この差分を、以下では「吸光度差」とする。
吸光度差=B′−A′・・・(11)
つまり、ここでの吸光度差とは、検査対象の赤外線吸光度から比較対象の赤外線吸光度を差し引いて得られるものであり、検査対象の赤外線吸光度と比較対象の赤外線吸光度との差分を示したものである。
Next, this difference was examined. Specifically, the difference was calculated for A ′ and B ′ corresponding to each wave number obtained in the above (1) and (2) as shown in equation (11). This difference is hereinafter referred to as “absorbance difference”.
Absorbance difference = B′−A ′ (11)
In other words, the absorbance difference here is obtained by subtracting the infrared absorbance of the comparison object from the infrared absorbance of the examination object, and indicates the difference between the infrared absorbance of the examination object and the comparison object. .

図8は、赤外線の波数と、該波数に対応する吸光度差との関係を示したチャートである。つまり、図8のチャートは、図6のチャートに示される検査対象の吸光度から比較対象の吸光度を差し引いた吸光度差を示したものである。   FIG. 8 is a chart showing the relationship between the wave number of infrared rays and the absorbance difference corresponding to the wave number. That is, the chart of FIG. 8 shows an absorbance difference obtained by subtracting the absorbance of the comparison object from the absorbance of the examination object shown in the chart of FIG.

図8から、比較対象と検査対象とでは、600cm−1付近、1300cm−1付近、1600cm−1付近、1700cm−1付近の吸光度において、大きな差があることがわかる。 8, in the test object and the comparison object, 600 cm around -1, 1300 cm around -1, 1600 cm around -1, the absorbance around 1700 cm -1, it can be seen that a large difference is.

具体的には、600cm−1付近、1300cm−1付近、1600cm−1において、検査対象の赤外線吸光度は、比較対象の赤外線吸光度よりも高くなっていることがわかる。また、1700cm−1付近において、検査対象の赤外線吸光度は、比較対象の赤外線吸光度よりも低くなっていることがわかる。 Specifically, 600 cm around -1, 1300 cm around -1, at 1600 cm -1, infrared absorbance of the test object is found to be higher than the infrared absorbance of the comparison object. It can also be seen that the infrared absorbance of the test object is lower than that of the comparison object in the vicinity of 1700 cm −1 .

ここで、赤外線スペクトルチャートにおいて、600cm−1付近で観測される吸収は、金属酸化物における酸素―金属結合の振動によるものであることが知られている。また、1300cm−1付近で観測される吸収は、カルボン酸塩の対称伸縮振動によるものであり、1600cm−1付近で観測される吸収は、カルボン酸塩における逆対称伸縮振動によるものであることが知られている。さらに、1700cm−1付近で観測される吸収は、カルボン酸における二重結合の伸縮振動による吸収を示すものであることが知られている。 Here, in the infrared spectrum chart, it is known that the absorption observed near 600 cm −1 is due to the vibration of the oxygen-metal bond in the metal oxide. Furthermore, the absorption observed at around 1300 cm -1 is due to the symmetric stretching vibration of carboxylic acid salt, the absorption observed at around 1600 cm -1 is to be due to the antisymmetric stretching vibration of carboxylate Are known. Furthermore, it is known that the absorption observed in the vicinity of 1700 cm −1 indicates absorption due to stretching vibration of a double bond in carboxylic acid.

したがって、600cm−1付近において、検査対象の方が、比較対象よりも、赤外線吸光度が高くなっていることから、検査対象においては、比較対象よりも金属酸化物が多量に含まれており、比較対象よりも酸化度が高いことがわかる。 Therefore, in the vicinity of 600 cm −1 , the infrared light absorbance of the inspection object is higher than that of the comparison object. Therefore, the inspection object contains a larger amount of metal oxide than the comparison object. It can be seen that the degree of oxidation is higher than the target.

また、1300cm−1付近および1600cm−1付近において、検査対象の方が、比較対象よりも、赤外線吸光度が高くなっていることから、検査対象においては、比較対象よりもカルボン酸塩が多量に含まれており、比較対象よりも粘度が高いことがわかる。 Further, in the vicinity of 1300 cm -1 and near 1600 cm -1, who inspected, than compared, since the infrared-ray absorbance is high, in the test object, contains a large amount carboxylates than comparison It can be seen that the viscosity is higher than the comparison target.

さらに、1700cm−1付近において、検査対象の方が、比較対象よりも、赤外線吸光度が低くなっていることから、検査対象においては、比較対象よりもカルボン酸が少なく、比較対象よりも還元力が低いことがわかる。 Further, in the vicinity of 1700 cm −1 , since the infrared light absorbance of the inspection object is lower than that of the comparison object, the inspection object has less carboxylic acid than the comparison object, and the reducing power is lower than that of the comparison object. It turns out that it is low.

このように、本実施例では、赤外線スペクトルの各波数について、検査対象のクリーム半田を反射する赤外線の強度(検査対象強度)と、比較対象のクリーム半田を反射する赤外線の強度(比較対象強度)とから、検査対象のクリーム半田における赤外線の吸光度(第1赤外線吸光度)と、比較対象のクリーム半田における赤外線の吸光度(第2赤外線吸光度)とを求めている。   Thus, in this embodiment, for each wave number of the infrared spectrum, the intensity of infrared rays that reflect the cream solder to be inspected (inspection intensity) and the intensity of infrared rays that reflect the cream solder to be compared (intensity to be compared) Thus, the infrared absorbance (first infrared absorbance) of the cream solder to be inspected and the infrared absorbance (second infrared absorbance) of the cream solder to be compared are obtained.

そして、赤外線スペクトルの各波数について、検査対象のクリーム半田の吸光度から比較対象のクリーム半田の吸光度を差し引いた吸光度差を求めている。ここで、600cm−1付近、1300cm−1、1600cm−1、1700cm−1付近における上記吸光度差を参照すれば、比較対象に対する、検査対象のクリーム半田に含まれる金属酸化物の含有度、カルボン酸の含有度、カルボン酸塩の含有度を相対的に把握することができる。 For each wave number of the infrared spectrum, an absorbance difference is obtained by subtracting the absorbance of the cream solder to be compared from the absorbance of the cream solder to be examined. Here, 600 cm around -1, 1300 cm -1, 1600 cm -1, referring to the absorbance difference at around 1700 cm -1, for comparison, containing of the metal oxide contained in the cream solder of the inspection object, carboxylic acid Content and carboxylate content can be relatively grasped.

そして、この金属酸化物の含有度から、検査対象のクリーム半田の酸化度を相対的に把握でき、カルボン酸の含有度から、検査対象のクリーム半田の還元力を相対的に把握でき、カルボン酸塩の含有度から、検査対象のクリーム半田の粘度を相対的に把握できる。   And, from the content of this metal oxide, it is possible to relatively grasp the degree of oxidation of the cream solder to be inspected, and from the content of carboxylic acid, it is possible to relatively grasp the reducing power of the cream solder to be inspected. From the salt content, the viscosity of the cream solder to be inspected can be relatively grasped.

次に、新品の状態のクリーム半田を比較対象とし、基板の印刷工程における印刷回数が200回、400回、600回、800回、1000回、1200回の各クリーム半田を検査対象として、本実施例で示した方法によって分析した結果を図9(a)に示す。   Next, a new solder cream solder is used as a comparison target, and each solder paste with 200, 400, 600, 800, 1000, and 1200 printings in the substrate printing process is used as an inspection target. The result analyzed by the method shown in the example is shown in FIG.

図9(a)は、赤外線の波数と、各波数に対応する検査対象のクリーム半田の吸光度から比較対象のクリーム半田の吸光度を差し引いて得られる吸光度差との関係を、検査対象毎に示したチャートである。なお、横軸は赤外線の波数を示し、縦軸は、比較対象のクリーム半田の吸光度と検査対象のクリーム半田の吸光度との差である吸光度差を示す。   FIG. 9A shows the relationship between the wave number of infrared rays and the difference in absorbance obtained by subtracting the absorbance of the cream solder to be compared from the absorbance of the cream solder to be tested corresponding to each wave number for each test object. It is a chart. The horizontal axis indicates the wave number of infrared rays, and the vertical axis indicates the difference in absorbance, which is the difference between the absorbance of the cream solder to be compared and the absorbance of the cream solder to be inspected.

図9(a)から、クリーム半田の印刷回数が増加する程、1300cm−1付近および1600cm−1付近の吸光度は高くなり、1700cm−1付近の吸光度は減少していることがわかる。これにより、印刷回数が増加する程、クリーム半田においてカルボン酸が減少し、カルボン酸塩が増加していることがわかる。そして、このカルボン酸塩の増加という結果から、印刷回数が増加する程、クリーム半田の粘度が上昇することを分析できる。 From FIG. 9 (a), the higher the number of times of printing of the cream solder increases, 1300 cm -1 and around 1600 cm -1 absorbance around is high, absorbance around 1700 cm -1 is seen to be decreased. Thus, it can be seen that as the number of times of printing increases, the carboxylic acid in the cream solder decreases and the carboxylate salt increases. And it can be analyzed from the result of this increase in carboxylate that the viscosity of cream solder increases as the number of times of printing increases.

実際、各検査対象について粘度を測定したところ、図9(b)に示すように、クリーム半田の印刷回数とクリーム半田の粘度とは正の相関関係があることが確認された。また、クリーム半田の1600cm−1付近の赤外線の吸光度とクリーム半田の粘度とは正の相関関係があり、クリーム半田の1700cm−1付近の赤外線の吸光度とクリーム半田の粘度とは負の相関関係があることも確認された。このような関係が成立するのは、クリーム半田の印刷回数が増加するほど、クリーム半田に含有されるカルボン酸が減少して1700cm−1付近の赤外線の吸収が少なくなり、クリーム半田に含有されるカルボン酸塩が増加して1600cm−1付近の赤外線の吸収が大きくなり、さらにカルボン酸塩の増加に応じて粘度が高くなるからである。 Actually, when the viscosity was measured for each inspection object, as shown in FIG. 9B, it was confirmed that the number of times the cream solder was printed and the viscosity of the cream solder had a positive correlation. Further, the infrared absorbance of cream solder near 1600 cm −1 and the viscosity of cream solder have a positive correlation, and the infrared absorbance of cream solder near 1700 cm −1 and the viscosity of cream solder have a negative correlation. It was also confirmed. This relationship is established because the carboxylic acid contained in the cream solder decreases as the number of times the cream solder is printed, and the absorption of infrared rays in the vicinity of 1700 cm −1 is reduced. This is because the amount of carboxylate increases and the absorption of infrared rays in the vicinity of 1600 cm −1 increases, and the viscosity increases as the carboxylate increases.

なお、以上示した実施例によれば、検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度と比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度とを算出しているが、吸光度を算出しなくても、検査対象のクリーム半田に含まれる金属酸化物の含有度、カルボン酸の含有度、カルボン酸塩の含有度を相対的に把握できる。具体的には、500cm〜3000cm−1の各波数について、検査対象のクリーム半田を反射する赤外線の強度と、比較対象のクリーム半田を反射する赤外線の強度とを検出する。そして、各波数において、検出した各強度に対して(21)式の演算を行う。
強度差=B−A・・・(21)
A:比較対象から反射する赤外線の強度
B:検査対象から反射する赤外線の強度
ここで、「強度差」とは、検査対象において検出された赤外線の強度から比較対象において検出された赤外線の強度を差し引いたものであり、検査対象において検出された赤外線の強度と比較対象において検出された赤外線の強度との差分である。
In addition, according to the embodiment shown above, the infrared absorbance of the cream solder to be inspected and the infrared absorbance of the cream solder to be compared are calculated, but the cream solder to be inspected can be calculated without calculating the absorbance. The content of the metal oxide, the content of the carboxylic acid, and the content of the carboxylate can be relatively grasped. Specifically, for each wave number of 500 cm to 3000 cm −1 , the intensity of infrared light that reflects the cream solder to be inspected and the intensity of infrared light that reflects the cream solder to be compared are detected. Then, at each wave number, the calculation of equation (21) is performed for each detected intensity.
Intensity difference = B−A (21)
A: Infrared intensity reflected from the comparison object B: Infrared intensity reflected from the inspection object Here, “intensity difference” refers to the intensity of the infrared light detected in the comparison object from the intensity of the infrared light detected in the inspection object. This is a difference between the intensity of the infrared ray detected in the inspection object and the intensity of the infrared ray detected in the comparison object.

ここで、600cm−1、1300cm−1、1600cm−1、1700cm−1についての上記強度差を参照すれば、比較対象に対する検査対象の金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の赤外線吸収量の差異を把握できる。それゆえ、比較対象に対して、検査対象のクリーム半田に含まれる金属酸化物の含有度、カルボン酸の含有度、カルボン酸塩の含有度を相対的に把握することができる。 Here, 600cm -1, 1300cm -1, 1600cm -1, referring to the intensity difference of about 1700 cm -1, metal oxides inspected for comparison, carboxylic acid, infrared absorption differences carboxylate Can be grasped. Therefore, it is possible to relatively grasp the content of the metal oxide, the content of the carboxylic acid, and the content of the carboxylate contained in the cream solder to be inspected with respect to the comparison target.

また、上記の吸光度差や強度差ではなく、各吸光度の比や各強度の比によっても、比較対象と検査対象とにおける赤外線吸光度の相違を把握でき、検査対象のクリーム半田に含まれる金属酸化物の含有度、カルボン酸の含有度、カルボン酸塩の相対的含有度を把握できる。   In addition, the difference in infrared absorbance between the comparison object and the inspection object can be grasped not by the above-described absorbance difference or intensity difference but also by the ratio of each absorbance or each intensity, and the metal oxide contained in the cream solder to be inspected Content, carboxylic acid content, and relative carboxylate content.

例えば、各波数毎に、検査対象において検出された赤外線の強度と比較対象において検出された赤外線の強度との比である強度比を、以下の演算により求めてもよい。
強度比=B/A・・・(31)
また、例えば、各波数毎に、検査対象における赤外線の吸光度と比較対象における赤外線の吸光度との比である吸光度比を、以下の演算により求めてもよい。なお、吸光度の算出方法については、(1)、(2)式と同様である。
吸光度比=B′/A・・・(41)
A′:比較対象の赤外線の吸光度
B′:検査対象の赤外線の吸光度
なお、以上示した実施例によれば、比較対象および検査対象のクリーム半田について、500〜3000cm−1に渡って、各波数毎に、赤外線の強度を検出し、赤外線の吸光度および上記吸光度差、上記吸光度比、上記強度差、または上記強度比を算出することとなるが、特定波数の赤外線のみについて上記強度を検出し、該特定波数の吸光度、吸光度差、強度比または上記強度差、強度比を算出する手順であってもよい。ここで、特定波数とは、金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩のうち少なくとも1つの赤外線吸収が認められる波数であり、本実施例では、600cm−1、1300cm−1、1600cm−1、1700cm−1のうちの少なくとも1つである。
For example, for each wave number, an intensity ratio that is a ratio between the intensity of the infrared ray detected in the inspection object and the intensity of the infrared ray detected in the comparison object may be obtained by the following calculation.
Intensity ratio = B / A (31)
In addition, for example, for each wave number, an absorbance ratio that is a ratio of the absorbance of infrared rays in the inspection object to the absorbance of infrared rays in the comparison object may be obtained by the following calculation. In addition, about the calculation method of a light absorbency, it is the same as that of (1), (2) Formula.
Absorbance ratio = B ′ / A (41)
A ′: Absorbance of infrared rays to be compared B ′: Absorbance of infrared rays to be inspected In addition, according to the embodiment described above, each wave number of cream solders to be compared and inspected over 500 to 3000 cm −1. Each time, the intensity of infrared rays is detected, and the absorbance of the infrared rays and the absorbance difference, the absorbance ratio, the intensity difference, or the intensity ratio are calculated, but the intensity is detected only for infrared rays of a specific wave number, A procedure for calculating the absorbance, absorbance difference, and intensity ratio of the specific wave number or the intensity difference and intensity ratio may be used. Here, the particular wave number, metal oxide, carboxylic acid, at least one wave number infrared absorption is observed among the carboxylate, in the present embodiment, 600cm -1, 1300cm -1, 1600cm -1, 1700cm At least one of -1 .

また、投光部15から照射される光の強度にはムラがあり、比較対象と検査対象とについて、各々同一投光部15を用いて赤外線を照射したとしても、各々異なるタイミングで赤外線を照射すれば、比較対象に照射される赤外線の強度と検査対象に照射される赤外線の強度とで若干の相違が生じる。そして、この相違が、検出される、クリーム半田を反射する赤外線の強度に悪影響を及ぼすことがある。   Further, the intensity of the light emitted from the light projecting unit 15 is uneven, and even if the comparison target and the inspection target are each irradiated with infrared rays using the same light projecting unit 15, the infrared rays are irradiated at different timings. In this case, there is a slight difference between the intensity of infrared light irradiated on the comparison target and the intensity of infrared light irradiated on the inspection target. This difference may adversely affect the intensity of the detected infrared light reflected from the cream solder.

そこで、特定波数における上記の強度差、強度比、吸光度差、吸光度比を求めるにあたって補正を行うことが好ましい。以下、上記強度差を補正した補正強度差、上記強度比を補正した補正強度比、上記吸光度差を補正した補正吸光度差、上記吸光度比を補正した補正吸光度比を求める手順について説明する。   Therefore, it is preferable to perform correction when obtaining the above intensity difference, intensity ratio, absorbance difference, and absorbance ratio at a specific wave number. The procedure for obtaining the corrected intensity difference obtained by correcting the intensity difference, the corrected intensity ratio obtained by correcting the intensity ratio, the corrected absorbance difference obtained by correcting the absorbance difference, and the corrected absorbance ratio obtained by correcting the absorbance ratio will be described below.

まず、金属酸化物、カルボン酸、カルボン酸塩の赤外線吸収が観測される波数帯域以外であって、比較対象と検査対象とで反射赤外線の強度が相違する波数を参照波数とし(例えば、2929cm−1)、クリーム半田検査装置1において設定しておく。 First, a wave number other than the wave number band in which infrared absorption of a metal oxide, carboxylic acid, or carboxylate salt is observed and the intensity of reflected infrared light is different between a comparison object and an inspection object is set as a reference wave number (for example, 2929 cm − 1 ) It is set in the cream solder inspection apparatus 1.

そして、比較対象を反射した赤外線における上記参照波数の強度と、検査対象を反射した赤外線における上記参照波数の強度とを検出する。さらに、比較対象を反射した赤外線における上記特定波数の強度と、検査対象を反射した赤外線における上記特定波数の強度とを検出する。   And the intensity | strength of the said reference wave number in the infrared rays which reflected the comparison object and the intensity | strength of the said reference wave number in the infrared rays which reflected the test object are detected. Furthermore, the intensity | strength of the said specific wave number in the infrared rays which reflected the comparison object and the intensity | strength of the said specific wave number in the infrared rays which reflected the test object are detected.

ここで、比較対象から反射する赤外線における上記参照波数の強度(第4強度)をAref、検査対象から反射する赤外線における上記参照波数の強度(第3強度)をBref、比較対象から反射する赤外線における上記特定波数の強度(比較対象強度)をAtar、検査対象から反射する赤外線における上記特定波数の強度(検査対象強度)をBtarとする。 Here, the intensity of the reference wave number (fourth intensity) in the infrared ray reflected from the comparison object is A ref , the intensity of the reference wave number (third intensity) in the infrared ray reflected from the inspection object is reflected from B ref , and the reflection object is reflected from the comparison object. The intensity of the specific wave number in infrared (comparative intensity) is A tar , and the intensity of the specific wave in infrared reflected from the inspection object (inspection intensity) is B tar .

また、比較対象における上記参照波数の赤外線吸光度(第4赤外線吸光度)をA′ref、検査対象における上記参照波数の赤外線吸光度(第3赤外線吸光度)をB′ref、比較対象における上記特定波数の赤外線吸光度(第2赤外線吸光度)をA′tar、検査対象における上記特定波数の赤外線吸光度(第1赤外線吸光度)をB′tarとする。 In addition, the infrared absorbance (fourth infrared absorbance) of the reference wave number in the comparison target is A ′ ref , the infrared absorbance of the reference wave number (third infrared absorbance) in the test subject is B ′ ref , and the infrared of the specific wave number in the comparison subject. The absorbance (second infrared absorbance) is A ′ tar , and the infrared absorbance (first infrared absorbance) of the specific wave number in the test object is B ′ tar .

なお、各吸光度は、(1)、(2)式と同様の手法によって算出する。つまり、比較対象に照射する赤外線における参照波数に対応する参照波数に対応する強度をBLrefとし、検査対象に照射する赤外線における特定波数に対応する強度をBLtarとし、
A′ref=−log(Aref/BLref)・・・(61)
B′ref=−log(Bref/BLref)・・・(62)
A′tar=−log(Atar/BLtar)・・・(63)
B′tar=−log(Btar/BLtar)・・・(64)
で求めることができる。
Each absorbance is calculated by the same method as in equations (1) and (2). That is, the intensity corresponding to the reference wave number corresponding to the reference wave number in the infrared ray irradiated to the comparison target is BL ref , the intensity corresponding to the specific wave number in the infrared ray irradiated to the inspection object is BL tar ,
A ′ ref = −log (A ref / BL ref ) (61)
B ′ ref = −log (B ref / BL ref ) (62)
A ′ tar = −log (A tar / BL tar ) (63)
B ′ tar = −log (B tar / BL tar ) (64)
Can be obtained.

以下、補正強度差、補正強度比、補正吸光度差、補正吸光度比は、
補正強度差=(Btar―Bref)―(Atar―Aref)・・・(71)
補正強度比=(Btar―Bref)/(Atar―Aref)・・・(72)
補正吸光度差=(B′tar―B′ref)―(A′tar―A′ref)・・・(73)
補正吸光度比=(B′tar―B′ref)/(A′tar―A′ref)・・・(74)
で求めることができる。
Hereinafter, the corrected intensity difference, the corrected intensity ratio, the corrected absorbance difference, and the corrected absorbance ratio are
Correction intensity difference = (B tar −B ref ) − (A tar −A ref ) (71)
Correction intensity ratio = (B tar −B ref ) / (A tar −A ref ) (72)
Corrected absorbance difference = (B ′ tar −B ′ ref ) − (A ′ tar −A ′ ref ) (73)
Corrected absorbance ratio = (B ′ tar −B ′ ref ) / (A ′ tar −A ′ ref ) (74)
Can be obtained.

これにより、比較対象に照射される赤外線の強度と検査対象に照射される赤外線の強度とで若干の相違が生じていたとしても、各強度、各吸光度について、上記相違分に対応する参照波数の強度が差し引かれているため、この相違をほぼ解消した補正強度差、補正強度比、補正吸光度差、補正吸光度比を求めることができる。   As a result, even if there is a slight difference between the intensity of the infrared rays irradiated to the comparison object and the intensity of the infrared rays irradiated to the inspection object, the reference wave number corresponding to the above difference is obtained for each intensity and each absorbance. Since the intensity is subtracted, a corrected intensity difference, a corrected intensity ratio, a corrected absorbance difference, and a corrected absorbance ratio that almost eliminate this difference can be obtained.

また、補正強度差、補正強度比、補正吸光度差、補正吸光度比は、
補正強度差=(Btar×Aref/Bref)−Atar・・・(75)
補正強度比=(Btar×Aref/Bref)/Atar・・・(76)
補正吸光度差=(B′tar×A′ref/B′ref)−A′tar・・・(77)
補正吸光度比=(B′tar×A′ref/B′ref)/A′tar・・・(78)
で求めることができる。この方法は、Aref/Bref、またはA′ref/B′refを上記相違分の補正用係数としたものである。
Moreover, the corrected intensity difference, corrected intensity ratio, corrected absorbance difference, corrected absorbance ratio are
Correction intensity difference = (B tar × A ref / B ref ) −A tar (75)
Correction intensity ratio = (B tar × A ref / B ref ) / A tar (76)
Corrected absorbance difference = (B ′ tar × A ′ ref / B ′ ref ) −A ′ tar (77)
Corrected absorbance ratio = (B ′ tar × A ′ ref / B ′ ref ) / A ′ tar (78)
Can be obtained. In this method, A ref / B ref or A ′ ref / B ′ ref is used as a correction coefficient corresponding to the difference.

また、上記した各々の特定波数(600cm−1、1300cm−1、1600cm−1、1700cm−1)は、数値変更が可能である。つまり、特定波数は、600cm−1、1300cm−1、1600cm−1、1700cm−1に限定されるものではなく、特定波数としての有効範囲を設定することが可能である。この点について、具体的に説明する。 Furthermore, the particular wave number of each the above (600cm -1, 1300cm -1, 1600cm -1, 1700cm -1) is capable of numerical changes. That is, a particular wave number, 600cm -1, 1300cm -1, 1600cm -1, is not limited to 1700 cm -1, it is possible to set the scope of the particular wave number. This point will be specifically described.

まず、図9における分析と同様、新品の状態のクリーム半田を比較対象とし、基板の印刷工程における印刷回数が200回、400回、600回、800回、1000回、1200回の各クリーム半田を検査対象として、本実施例で示した方法によって各検査対象に対して上記吸光度差を求めた。この結果を図5〜図8に示す。なお、図10では、520cm−1〜700cm−1の波数帯域についての上記吸光度差を示し、図11では、1270cm−1〜1430cm−1の波数帯域についての上記吸光度差を示し、図12では、1500cm−1〜1650cm−1の波数帯域についての上記吸光度差を示し、図13では、1665cm−1〜1730cm−1の波数帯域についての上記吸光度差を示す。 First, as in the analysis in FIG. 9, cream solder in a new state is used as a comparison target, and each solder paste having a printing frequency of 200, 400, 600, 800, 1000, and 1200 in the substrate printing process is compared. As the test object, the absorbance difference was determined for each test object by the method shown in this example. The results are shown in FIGS. In FIG 10, illustrates the absorbance differences at a wave number band of 520cm -1 ~700cm -1, 11, shows the absorbance differences at a wave number band of 1270cm -1 ~1430cm -1, 12, shows the absorbance differences at a wave number band of 1500 cm -1 1650 cm -1, FIG. 13 shows the absorbance differences at a wave number band of 1665cm -1 ~1730cm -1.

クリーム半田に含まれる金属酸化物(二酸化錫)の吸収ピークは600cm−1付近で検出されるが、図10に示すように、520cm−1〜700cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違を区別でき、557cm−1〜613cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違をさらに顕著に観測ができる。したがって、520cm−1〜700cm−1の間の少なくともいずれかの波数を上記特定波数とすれば、各検査対象の金属酸化物の含有度を分析することが可能となる。 Metal oxide contained in the solder paste While the absorption peak of the (tin dioxide) can be detected at around 600 cm -1, as shown in FIG. 10, when focusing on 520cm -1 ~700cm -1, the absorbance of each inspection object The difference in difference can be distinguished, and if attention is paid to 557 cm −1 to 613 cm −1 , the difference in absorbance difference for each inspection object can be observed more remarkably. Therefore, if the specific wave number at least one of wave numbers between 520cm -1 ~700cm -1, it is possible to analyze the content of the metal oxide of each inspection object.

また、カルボン酸塩の対称伸縮振動の吸収ピークは1300cm−1付近(厳密には、1323cm−1)で検出されるが、図11に示すように、1270cm−1〜1430cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違を区別でき、1282cm−1〜1382cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違をさらに顕著に観測することができる。したがって、1270cm−1〜1430cm−1の間の少なくともいずれかの波数を上記注目波数とすれば、各検査対象のカルボン酸塩の含有度を分析することが可能となる。 Moreover, although the absorption peak of the symmetrical stretching vibration of carboxylate is detected in the vicinity of 1300 cm −1 (strictly, 1323 cm −1 ), as shown in FIG. 11, if attention is paid to 1270 cm −1 to 1430 cm −1. , it can be distinguished difference in absorbance difference for each inspection object, if attention to 1282cm -1 ~1382cm -1, can be observed more conspicuously in difference in absorbance difference for each inspection object. Therefore, if at least one of wave numbers between 1270cm -1 ~1430cm -1 and the noticed wave number, it is possible to analyze the content of the carboxylate of each inspection object.

また、カルボン酸塩の逆対称伸縮振動の吸収ピークは1600cm−1付近(厳密には、1590cm−1)で検出されるが、図12に示すように、1500cm−1〜1650cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違を区別でき、1562cm−1〜1624cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違をさらに顕著に観測することができる。したがって、1500cm−1〜1650cm−1の間の少なくともいずれかの波数を上記注目波数とすれば、各検査対象のカルボン酸塩の含有度を分析することが可能となる。 Further, the absorption peak of the antisymmetric stretching vibration of the carboxylate (strictly, 1590 cm -1) 1600 cm near -1 are detected, as shown in FIG. 12, by focusing on the 1500 cm -1 1650 cm -1 For example, the difference in absorbance difference for each inspection object can be distinguished. If attention is paid to 1562 cm −1 to 1624 cm −1 , the difference in absorbance difference for each inspection object can be observed more remarkably. Therefore, if at least one of wave numbers between 1500 cm -1 1650 cm -1 and the noticed wave number, it is possible to analyze the content of the carboxylate of each inspection object.

さらに、カルボン酸の炭素―酸素2重結合の吸収ピークは、1700cm−1付近で検出されるが、図13に示すように、1665cm−1〜1730cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違を区別でき、1683cm−1〜1710cm−1に注目すれば、検査対象毎の吸光度差の相違をさらに顕著に観測することができる。したがって、1665cm−1〜1730cm−1の間の少なくともいずれかの波数を上記注目波数とすれば、各検査対象のカルボン酸の含有度を分析することが可能となる。 Furthermore, although the absorption peak of the carbon-oxygen double bond of carboxylic acid is detected in the vicinity of 1700 cm −1 , as shown in FIG. 13, if attention is paid to 1665 cm −1 to 1730 cm −1 , the absorbance for each test object is detected. If the difference in the difference can be distinguished and attention is paid to 1683 cm −1 to 1710 cm −1 , the difference in absorbance difference for each inspection object can be observed more remarkably. Therefore, if the noticed wave number at least one of wave numbers between 1665cm -1 ~1730cm -1, it is possible to analyze the content of the carboxylic acid of each inspection target.

[実施例2]
実施例2における半田材検査装置においても、印刷が終了しメタルマスクを外した後からリフロー前までの間にクリーム半田の劣化度の検査を行う点、赤外線分光法を使用している点においては、上記実施例1と同様である。しかしながら、本実施例2は、概略すると、上記実施例1のように基板に印刷されたクリーム半田にのみ光を照射するのではなく、基板にもクリーム半田にも、場合によっては基板に搭載された電子部品にも光を照射してその反射光としての赤外線の強度を検出しておき、該強度の中から、クリーム半田のもの(検査対象強度)だけを抽出するように構成されている点で、上記実施例1とは異なる。以下、実施例1と異なる部分のみ詳細に説明し、同様の部分の説明は省略する。
[Example 2]
Also in the solder material inspection apparatus in Example 2, after the printing is completed and the metal mask is removed and before reflowing, the degree of deterioration of the cream solder is inspected, and the infrared spectroscopy is used. The same as in the first embodiment. However, in summary, the second embodiment does not irradiate light only on the cream solder printed on the substrate as in the first embodiment, but is mounted on the substrate or the cream solder depending on the case. It is configured to detect the intensity of infrared rays as reflected light by irradiating the electronic component with light, and extract only the cream solder (inspection intensity) from the intensity. Therefore, it is different from the first embodiment. Hereinafter, only portions different from the first embodiment will be described in detail, and description of similar portions will be omitted.

始めに、本実施例の半田材検査装置の構成について図1、図14を参照して説明する。図14は、本発明の半田材検査装置の第2実施例を示す機能ブロック図である。   First, the configuration of the solder material inspection apparatus of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 14 is a functional block diagram showing a second embodiment of the solder material inspection apparatus of the present invention.

本実施例の半田材検査装置1の概略構成は、上記実施例1と同様、図1に示す通りであるが、図14に示すように、強度抽出手段である信号抽出部80を更に備えている点において上記実施例1とは異なる。   The schematic configuration of the solder material inspection apparatus 1 according to the present embodiment is as shown in FIG. 1 as in the first embodiment. However, as shown in FIG. 14, the solder material inspection apparatus 1 further includes a signal extraction unit 80 as strength extraction means. This is different from the first embodiment.

信号抽出部80は、クリーム半田3が印刷された基板2に対し走査しながら光を連続的に照射し、その反射光としての特定波数の赤外線の強度である計測強度から、クリーム半田3からのみ検出される反射光としての特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出するように構成されている。例えば、CPUなどの演算手段が、ROMやRAMなどの記憶手段に記憶されたプログラムを実行し、キーボードなどの入力手段、ディスプレイなどの出力手段、あるいは、インターフェース回路などの通信手段を制御することにより実現することができる。具体的な抽出処理については後述する。   The signal extraction unit 80 continuously irradiates light while scanning the substrate 2 on which the cream solder 3 is printed, and from the measured intensity which is the intensity of infrared of a specific wave number as the reflected light, only from the cream solder 3. It is configured to extract the intensity of an inspection object of infrared light having a specific wave number as reflected light to be detected. For example, an arithmetic unit such as a CPU executes a program stored in a storage unit such as a ROM or RAM, and controls an input unit such as a keyboard, an output unit such as a display, or a communication unit such as an interface circuit. Can be realized. Specific extraction processing will be described later.

次に、図15を参照して本実施例の半田材検査装置の稼働時における動作について説明する。図15は、該稼働時のシーケンス図である。   Next, the operation during operation of the solder material inspection apparatus of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a sequence diagram during the operation.

まず、検査する者において、入力部40により計測対象エリアAを入力すると、記憶部30にエリア情報が書き込まれる点は上記実施例1と同様である。次に制御部50が記憶部30からエリア情報を読み出し、移動部10に対し移動指示信号を送信し、該移動指示信号を受信した移動部10は、Xステージ11、Yステージ12を移動させ、赤外分光計測部20を計測開始位置P1(X0、Y0)に移動させる(S600〜S603)。これらの動作は、上記実施例1と同様の方法が適用可能である。   First, when the person to be inspected inputs the measurement target area A by the input unit 40, the point that the area information is written in the storage unit 30 is the same as in the first embodiment. Next, the control unit 50 reads the area information from the storage unit 30, transmits a movement instruction signal to the movement unit 10, and the movement unit 10 that has received the movement instruction signal moves the X stage 11 and the Y stage 12, The infrared spectroscopic measurement unit 20 is moved to the measurement start position P1 (X0, Y0) (S600 to S603). For these operations, the same method as in the first embodiment can be applied.

次に、制御部50は、光源21に対し発光指示を出すとともに、移動部10に対し、赤外分光計測部20が計測対象エリアA上を走査するよう移動指示を出す(S603)。すると、赤外分光計測部20は、光を連続的に発光しながら、計測対象エリアAを走査する(S604)。他方、光源21により計測対象エリアAに対し光が照射されると、その反射光としての赤外線の強度が強度検出部22により検出されるとともに(S605)、該検出されたデータは、記憶部30に送信され、計測データとして連続的に記憶部30に書き込まれ(S606)、計測対象エリアA内の走査が終了すると、移動部10は移動を終了する(S607)。なお、本実施例では、上記実施例1とは異なり、光源21は連続的に発光しており、計測対象エリアA内のクリーム半田3だけでなく、基板2に対しても光が照射されることとなる。なお、後述する信号抽出処理によっては、該計測対象エリアA内に電子部品が搭載されていても、クリーム半田3からの反射光としての特定波数の赤外線の強度(検査対象強度)のみを抽出することが可能である。   Next, the control unit 50 issues a light emission instruction to the light source 21, and also issues a movement instruction to the moving unit 10 so that the infrared spectroscopic measurement unit 20 scans the measurement target area A (S603). Then, the infrared spectroscopic measurement unit 20 scans the measurement target area A while continuously emitting light (S604). On the other hand, when the light source 21 emits light to the measurement target area A, the intensity of the infrared rays as the reflected light is detected by the intensity detection unit 22 (S605), and the detected data is stored in the storage unit 30. And is continuously written in the storage unit 30 as measurement data (S606), and when the scanning in the measurement target area A is completed, the moving unit 10 ends the movement (S607). In this embodiment, unlike the first embodiment, the light source 21 emits light continuously, and light is applied not only to the cream solder 3 in the measurement target area A but also to the substrate 2. It will be. Note that, depending on the signal extraction process described later, even if an electronic component is mounted in the measurement target area A, only the intensity (inspection target intensity) of infrared light having a specific wave number as reflected light from the cream solder 3 is extracted. It is possible.

次に、制御部50は、上記検査対象強度を抽出する強度検出手段として機能し、信号抽出処理を開始するが、この信号抽出処理としては、以下のようなものがある。   Next, the control unit 50 functions as intensity detection means for extracting the inspection object intensity and starts signal extraction processing. The signal extraction processing includes the following.

[信号抽出処理の第1実施例]
基板に対し光を照射し、該基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度を検出しておき、該強度を基板強度として記憶部30に予め記憶しておく。基板に対して光を照射したときに、その反射してくる特定波数の赤外線の強度がどのようなパターンとなるのかを示す基準データを取るためである。そして、上記計測強度から記憶部30に記憶されている上記基板強度との差分を取ることにより上記検査対象強度を抽出する。
[First embodiment of signal extraction processing]
The substrate is irradiated with light, the intensity of infrared light having a specific wave number reflected from the substrate is detected, and the intensity is stored in advance in the storage unit 30 as the substrate intensity. This is to obtain reference data indicating what pattern the intensity of the reflected infrared light having a specific wave number becomes when the substrate is irradiated with light. And the said test object intensity | strength is extracted by taking the difference with the said board | substrate intensity | strength memorize | stored in the memory | storage part 30 from the said measurement intensity | strength.

[信号抽出処理の第2実施例]
クリーム半田に対し光を照射し、該クリーム半田から反射してくる特定波数の赤外線の強度を検出しておき、該強度を半田強度として記憶部30に予め記憶しておく。クリーム半田に対して光を照射したときに、その反射してくる特定波数の赤外線の強度がどのようなパターンとなるのかを示す基準データを取るためである。そして、記憶部30に記憶されている上記半田強度と上記計測強度の信号の増減パターンを比較することにより上記検査対象強度を抽出する。この抽出法を概念的に示したのが図16である。D1は、この基準データとなる半田強度を示し、D2は、上記計測強度のうちのクリーム半田に相当する部分、D3は、計測強度のうち基板あるいは部品に相当する部分である。この棒グラフの1要素は、上記特定波数の光強度、あるいは上記参照波数の光強度で正規化された値である。ここでは、特定波数の光強度、1665cm−1〜1730cm−1(a1)、1500cm−1〜1650cm−1(a2)、1270cm−1〜1430cm−1(a3)、520cm−1〜700cm−1(a4)を、参照波数の光強度1100cm−1〜1200cm−1(b)で除算して正規化しており、図中左からa1/b、a2/b、a3/b、a4/bという値である。図中D1にあるように基準半田データでは、信号の増減パターンが−+−で変移しており、計測データ中のD2も信号の増減パターンが−+−で変移している。従って、D2は、半田強度を示す信号だと認識される。なお、基準データをとるためのクリーム半田は、新品のクリーム半田でもよいが、上記比較対象のクリーム半田とすれば、上記比較対象強度を利用することが出来るので好適である。この方法によれば、基板2上に電子部品等が存在していても上記検査対象強度の抽出が可能であり、リフロー直前に検査することができるので、より計測精度を向上可能となる。また、基板自身の劣化による影響も受けることなく、上記検査対象強度の抽出が可能である。
[Second Embodiment of Signal Extraction Processing]
The cream solder is irradiated with light, the intensity of infrared light having a specific wave number reflected from the cream solder is detected, and the intensity is stored in advance in the storage unit 30 as the solder strength. This is because, when the cream solder is irradiated with light, the reference data indicating the pattern of the intensity of the reflected infrared light having a specific wave number is obtained. And the said test object intensity | strength is extracted by comparing the increase / decrease pattern of the said solder intensity | strength memorize | stored in the memory | storage part 30, and the said measurement intensity | strength signal. FIG. 16 conceptually shows this extraction method. D1 indicates the solder strength as the reference data, D2 is a portion corresponding to cream solder in the measured strength, and D3 is a portion corresponding to the substrate or component in the measured strength. One element of the bar graph is a value normalized by the light intensity of the specific wave number or the light intensity of the reference wave number. Here, the light intensity at a particular wave number, 1665cm -1 ~1730cm -1 (a1) , 1500cm -1 ~1650cm -1 (a2), 1270cm -1 ~1430cm -1 (a3), 520cm -1 ~700cm -1 ( the a4), divided by the light intensity of the reference wave number 1100cm -1 ~1200cm -1 (b) are normalized, with a value of from the left in the drawing a1 / b, a2 / b, a3 / b, a4 / b is there. As indicated by D1 in the figure, in the reference solder data, the signal increase / decrease pattern is changed by-++, and D2 in the measurement data is also changed by the signal increase / decrease pattern-++. Therefore, D2 is recognized as a signal indicating the solder strength. The cream solder for obtaining the reference data may be a new cream solder. However, if the cream solder is used for comparison, the strength of the comparison target can be used. According to this method, even if an electronic component or the like is present on the substrate 2, the inspection object strength can be extracted and the inspection can be performed immediately before the reflow, so that the measurement accuracy can be further improved. Further, the inspection object strength can be extracted without being affected by the deterioration of the substrate itself.

[信号抽出処理の第3実施例]
まず、強度検出部22により、光源21からの光の照射によってクリーム半田3が印刷された基板2から反射してくる赤外線の強度である全計測強度を検出する。この全計測強度には、クリーム半田3からのものだけでなく、基板2からのものも含まれている。次に、信号抽出部80により、該強度検出部22で検出された上記全計測強度のうち、特定波数以外の波数である参照波数の赤外線の強度と所定の閾値とを比較し、該閾値以下であれば半田強度とするとともに、該半田強度から特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する。基板反射輝度に比べて半田材反射輝度が極端に低いため、当該方法によっても上記検査対象強度の抽出は可能である。この閾値は、例えば、クリーム半田の参照波数の反射光の強度と、基板の参照波数の反射光の強度とを計測し、該クリーム半田の反射光の強度と該基板の反射光の強度を区別できる値として予め求めておき、予め記憶部30に設定しておけばよい。
[Third embodiment of signal extraction processing]
First, the intensity detection unit 22 detects the total measurement intensity, which is the intensity of infrared rays reflected from the substrate 2 on which the cream solder 3 is printed by irradiation of light from the light source 21. The total measured intensity includes not only the cream solder 3 but also the substrate 2. Next, the signal extraction unit 80 compares the infrared intensity of the reference wave number, which is a wave number other than the specific wave number, among the total measured intensities detected by the intensity detection unit 22 with a predetermined threshold value, and is equal to or less than the threshold value. If so, the solder strength is determined, and the infrared inspection target strength of a specific wave number is extracted from the solder strength. Since the solder material reflection luminance is extremely lower than the substrate reflection luminance, the inspection object intensity can be extracted also by this method. For example, the threshold value is obtained by measuring the intensity of the reflected light of the reference wave number of the cream solder and the intensity of the reflected light of the reference wave number of the substrate, and distinguishing the intensity of the reflected light of the cream solder and the intensity of the reflected light of the substrate. What is necessary is just to obtain | require beforehand as a possible value and to set to the memory | storage part 30 beforehand.

なお、その他にも、検査対象強度を抽出する方法として、上記参照波数の反射光の強度の代わりに特定波数の反射光の強度の総和にして、同様に閾値を実験等により求めてこの閾値により同様にクリーム半田の反射光の強度を抽出してもよい。また、上記参照波数の反射光の強度の代わりに上記全計測強度の平均値を利用して、上記同様に閾値を実験等により求めてこの閾値により同様にクリーム半田の反射光の強度を抽出してもよい。   In addition, as another method of extracting the inspection object intensity, instead of using the reflected light intensity of the reference wave number, the total of the reflected light intensity of the specific wave number is used, and the threshold value is similarly obtained by experiments and the like. Similarly, the intensity of the reflected light of the cream solder may be extracted. In addition, using the average value of all the measured intensities instead of the intensity of the reflected light of the reference wave number, the threshold value is obtained by an experiment or the like in the same manner, and the reflected light intensity of the cream solder is similarly extracted from the threshold value. May be.

上記信号抽出処理が終了すると、該抽出された抽出データ(検査対象強度)が記憶部30に送信され、記憶部30は該抽出データを書き込む(S611)。これ以降の処理(S612〜S616)は、図5に示すS508〜S512の処理と同様である。   When the signal extraction process ends, the extracted extracted data (inspection intensity) is transmitted to the storage unit 30, and the storage unit 30 writes the extracted data (S611). The subsequent processing (S612 to S616) is the same as the processing of S508 to S512 shown in FIG.

なお、半田劣化算出処理の際には、図17のようにして行ってもよい。図17は、比較対象のクリーム半田の上記検査対象強度(D11)と、検査対象のクリーム半田の上記比較対象強度(D2)との差分(D31)から半田劣化度を求める際の概念図を示したものであり、D11―D2から差分D31を求め、その求められた差分D3を各信号差の絶対値総和として示している。なお、それぞれの棒グラフの要素は、上記したようにして正規化された値となっている。このように絶対値総和として示せば、クリーム半田の劣化度の程度が一見して分かる。   Note that the solder deterioration calculation process may be performed as shown in FIG. FIG. 17 is a conceptual diagram when the solder deterioration degree is obtained from the difference (D31) between the inspection target strength (D11) of the comparison target cream solder and the comparison target strength (D2) of the inspection target cream solder. The difference D31 is obtained from D11-D2, and the obtained difference D3 is shown as the sum of absolute values of the signal differences. Each bar graph element has a value normalized as described above. Thus, if it shows as an absolute value sum total, the grade of the deterioration degree of cream solder can be understood at a glance.

本発明の半田材検査装置の構成を説明するための概略構成図。The schematic block diagram for demonstrating the structure of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 本発明の半田材検査装置の第1実施例を示す機能ブロック図。The functional block diagram which shows 1st Example of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 本発明の半田材検査装置の第1実施例を示す概念図。The conceptual diagram which shows 1st Example of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 本発明の半田材検査装置の第1実施例を示す設定時のシーケンス図。The sequence diagram at the time of the setting which shows 1st Example of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 本発明の半田材検査装置の第1実施例を示す稼働時のシーケンス図。The sequence diagram at the time of the operation | movement which shows 1st Example of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度と比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度とを示すスペクトルチャート。The spectrum chart which shows the infrared light absorbency of the cream solder of a test object, and the infrared light absorbency of the cream solder of a comparison object. 検査対象のクリーム半田の含有成分および含有割合(重量%)を示す表。The table | surface which shows the content component and content rate (weight%) of the cream solder to be examined. 図6に示す検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度から比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度を差し引いて得られた吸光度差を示すチャート。The chart which shows the light absorbency difference obtained by subtracting the infrared light absorbency of the cream solder of a comparison object from the infrared light absorbency of the cream solder of a test object shown in FIG. 複数の検査対象について、(a)は、各検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度から比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度を差し引いて得られた吸光度差を検査対象毎に示したチャート、(b)は、印刷回数、粘度、所定回数の赤外線の吸光度を示した表。For a plurality of inspection objects, (a) is a chart showing the difference in absorbance obtained for each inspection object by subtracting the infrared absorbance of the cream solder for comparison from the infrared absorbance of the cream solder for each inspection object, (b) Table showing the number of times of printing, viscosity, and infrared absorbance of a predetermined number of times. 複数の検査対象について、各検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度から比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度を差し引いて得られた吸光度差を検査対象毎に示したチャートであり、520cm−1〜700cm−1の波数帯域についてのチャート。The plurality of inspection object, a chart showing the absorbance difference obtained by subtracting the infrared absorbance of the cream solder to be compared from the cream solder of the infrared absorbance of each test object for each inspection target, 520cm -1 ~700cm -1 Chart for wave number band of. 複数の検査対象について、各検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度から比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度を差し引いて得られた吸光度差を検査対象毎に示したチャートであり、1270cm−1〜1420cm−1の波数帯域についてのチャート。The plurality of inspection object, a chart showing the absorbance difference obtained by subtracting the infrared absorbance of the cream solder to be compared from the cream solder of the infrared absorbance of each test object for each inspection target, 1270cm -1 ~1420cm -1 Chart for wave number band of. 複数の検査対象について、各検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度から比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度を差し引いて得られた吸光度差を検査対象毎に示したチャートであり、1500cm−1〜1650cm−1の波数帯域についてのチャート。The plurality of inspection object, a chart showing the absorbance difference obtained by subtracting the infrared absorbance of the cream solder to be compared from the cream solder of the infrared absorbance of each test object for each inspection target, 1500 cm -1 1650 cm -1 Chart for wave number band of. 複数の検査対象について、各検査対象のクリーム半田の赤外線吸光度から比較対象のクリーム半田の赤外線吸光度を差し引いて得られた吸光度差を検査対象毎に示したチャートであり、1665cm−1〜1725cm−1の波数帯域についてのチャート。The plurality of inspection object, a chart showing the absorbance difference obtained by subtracting the infrared absorbance of the cream solder to be compared from the cream solder of the infrared absorbance of each test object for each inspection target, 1665cm -1 ~1725cm -1 Chart for wave number band of. 本発明の半田材検査装置の第2実施例を示す機能ブロック図。The functional block diagram which shows 2nd Example of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 本発明の半田材検査装置の第2実施例を示す稼働時のシーケンス図。The sequence diagram at the time of the operation | movement which shows 2nd Example of the solder material test | inspection apparatus of this invention. 信号抽出処理の概念図。The conceptual diagram of a signal extraction process. 半田劣化算出処理の概念図。The conceptual diagram of a solder deterioration calculation process.

符号の説明Explanation of symbols

1 半田材検査装置
2 基板
3 クリーム半田
10 移動部
11 Xステージ
12 Yステージ
20 赤外分光計測部
21 光源
22 強度検出部
30 記憶部
40 入力部
50 制御部
60 半田劣化算出部
70 出力部
80 信号抽出部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solder material inspection apparatus 2 Board | substrate 3 Cream solder 10 Moving part 11 X stage 12 Y stage 20 Infrared spectroscopy measurement part 21 Light source 22 Intensity detection part 30 Storage part 40 Input part 50 Control part 60 Solder deterioration calculation part 70 Output part 80 Signal Extraction unit

Claims (21)

基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得する印刷位置取得手段と、
上記印刷位置取得手段で取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射する光源と、
上記光源からの光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出する強度検出部と、を有し、
上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力する
ことを特徴とする半田材検査装置。
Print position acquisition means for acquiring print position information of the solder material printed on the substrate;
Based on the print position information acquired by the print position acquisition means, a light source that emits light only to the solder material printed on the substrate while scanning on the substrate;
An intensity detector that detects the intensity of an inspection target of infrared rays of a specific wave number reflected from the solder material by irradiation of light from the light source;
A solder material inspection apparatus that outputs the infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the strength to be inspected and the strength to be inspected as measured values.
基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得する印刷位置取得手段と、
上記印刷位置取得手段で取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射する光源と、
上記光源からの光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出する強度検出部と、
上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する半田劣化算出部と、
を備えることを特徴とする半田材検査装置。
Print position acquisition means for acquiring print position information of the solder material printed on the substrate;
Based on the print position information acquired by the print position acquisition means, a light source that emits light only to the solder material printed on the substrate while scanning on the substrate;
An intensity detector that detects the intensity of an inspection object of infrared of a specific wave number reflected from the solder material by irradiation of light from the light source;
The solder material printed on the substrate is an inspection object, and the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the inspection object is irradiated with light, and the inspection object A solder deterioration calculation unit that calculates a deterioration parameter indicating the relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared based on the strength;
A solder material inspection apparatus comprising:
上記光源は間欠的に光を発光すること
を特徴とする請求項1あるいは2いずれか1項に記載の半田材検査装置。
The solder material inspection apparatus according to claim 1, wherein the light source emits light intermittently.
上記光源から発光された光を間欠的に遮光する遮光手段を有すること
を特徴とする請求項1あるいは2いずれか1項に記載の半田材検査装置。
The solder material inspection apparatus according to claim 1, further comprising a light shielding unit that intermittently shields light emitted from the light source.
リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射する光源と、
上記光源からの光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出する強度検出部と、
上記強度検出部により検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段と、を有し、
上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力する
ことを特徴とする半田材検査装置。
Before reflow, a light source that emits light while scanning at least a substrate printed with a solder material;
An intensity detector that detects a measurement intensity that is the intensity of infrared of a specific wave number reflected from the substrate on which the solder material is printed by irradiation of light from the light source;
Intensity extracting means for extracting the intensity of the inspection object of the specific wave number as reflected light detected only from the solder material from the measured intensity detected by the intensity detector;
A solder material inspection apparatus that outputs the infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the strength to be inspected and the strength to be inspected as measured values.
リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射する光源と、
上記光源からの光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出する強度検出部と、
上記強度検出部により検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段と、
上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する半田劣化算出部と、
を備えることを特徴とする半田材検査装置。
Before reflow, a light source that emits light while scanning at least a substrate printed with a solder material;
An intensity detector that detects a measurement intensity that is the intensity of infrared of a specific wave number reflected from the substrate on which the solder material is printed by irradiation of light from the light source;
Intensity extracting means for extracting the intensity of the inspection object of the infrared of the specific wave number as reflected light detected only from the solder material from the measured intensity detected by the intensity detector;
The solder material printed on the substrate is an inspection object, and the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the inspection object is irradiated with light, and the inspection object A solder deterioration calculation unit that calculates a deterioration parameter indicating the relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared based on the strength;
A solder material inspection apparatus comprising:
基板に対し光を照射し、該基板から反射してくる上記特定波数の赤外線の強度を検出しておき、該強度を基板強度として予め記憶しておく記憶部を有し、
上記強度抽出手段は、
上記計測強度から上記記憶部に記憶されている上記基板強度との差分を取ることにより上記検査対象強度を抽出すること
を特徴とする請求項5あるいは6いずれか1項に記載の半田材検査装置。
Irradiating the substrate with light, detecting the intensity of the infrared of the specific wave number reflected from the substrate, and having a storage unit for storing the intensity in advance as the substrate intensity;
The intensity extraction means is
7. The solder material inspection apparatus according to claim 5, wherein the inspection object strength is extracted by taking a difference between the measured strength and the substrate strength stored in the storage unit. 8. .
半田材に対し光を照射し、該半田材から反射してくる上記特定波数の赤外線の強度を検出しておき、該強度を半田強度として予め記憶しておく記憶部を有し、
上記強度抽出手段は、
上記記憶部に記憶されている上記半田強度と上記計測強度の信号の増減パターンを比較することにより上記検査対象強度を抽出すること
を特徴とする請求項5あるいは6いずれか1項に記載の半田材検査装置。
Irradiating the solder material with light, detecting the intensity of the infrared of the specific wave number reflected from the solder material, and having a storage unit for storing the intensity in advance as the solder strength;
The intensity extraction means is
7. The solder according to claim 5, wherein the inspection object strength is extracted by comparing the solder strength stored in the storage unit with the increase / decrease pattern of the signal of the measured strength. Material inspection equipment.
リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射する光源と、
上記光源からの光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる赤外線の強度である全計測強度を検出する強度検出部と、
上記強度検出部で検出された上記全計測強度のうち、特定波数以外の波数である参照波数の赤外線の強度と所定の閾値とを比較し、該閾値以下であれば半田強度とするとともに、該半田強度から特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段と、を有し、
上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力する
ことを特徴とする半田材検査装置。
Before reflow, a light source that emits light while scanning at least a substrate printed with a solder material;
An intensity detector that detects the total measured intensity, which is the intensity of infrared rays reflected from the substrate on which the solder material is printed by irradiation of light from the light source;
Of all the measured intensities detected by the intensity detector, the infrared intensity of a reference wave number that is a wave number other than a specific wave number is compared with a predetermined threshold value. An intensity extracting means for extracting the intensity of the infrared inspection object of a specific wave number from the solder intensity,
A solder material inspection apparatus that outputs the infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the strength to be inspected and the strength to be inspected as measured values.
リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射する光源と、
上記光源からの光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる赤外線の強度である全計測強度を検出する強度検出部と、
上記強度検出部で検出された上記全計測強度のうち、特定波数以外の波数である参照波数の赤外線の強度と所定の閾値とを比較し、該閾値以下であれば半田強度とするとともに、該半田強度から特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出する強度抽出手段と、
上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する半田劣化算出部と、
を備えることを特徴とする半田材検査装置。
Before reflow, a light source that emits light while scanning at least a substrate printed with a solder material;
An intensity detector that detects the total measured intensity, which is the intensity of infrared rays reflected from the substrate on which the solder material is printed by irradiation of light from the light source;
Of all the measured intensities detected by the intensity detector, the infrared intensity of a reference wave number that is a wave number other than a specific wave number is compared with a predetermined threshold value. Intensity extraction means for extracting the intensity of the infrared inspection object of a specific wave number from the solder intensity,
The solder material printed on the substrate is an inspection object, and the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the inspection object is irradiated with light, and the inspection object A solder deterioration calculation unit that calculates a deterioration parameter indicating the relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared based on the strength;
A solder material inspection apparatus comprising:
上記基板に印刷された半田材のうち、上記光源による走査の範囲である計測対象エリアを指定可能な入力部を有する
ことを特徴とする請求項1乃至10いずれか1項に記載の半田材検査装置。
11. The solder material inspection according to claim 1, further comprising: an input unit capable of designating a measurement target area that is a range of scanning by the light source among the solder materials printed on the substrate. apparatus.
上記劣化パラメータは、上記検査対象強度と上記比較対象強度との差分あるいは比により求められることを特徴とする請求項2、6、10のいずれか1項に記載の半田材検査装置。   The solder material inspection apparatus according to claim 2, wherein the deterioration parameter is obtained by a difference or a ratio between the inspection target strength and the comparison target strength. 上記劣化パラメータは、
上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の第1赤外線吸光度と、上記比較対象強度に基づき求められた上記比較対象の半田材における上記特定波数の第2赤外線吸光度と、の差分あるいは比のいずれか1つにより求められることを特徴とする請求項2、6、10のいずれか1項に記載の半田材検査装置。
The deterioration parameter is
The first infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be inspected obtained based on the strength of the inspection object, and the second infrared absorbance of the specific wave number in the solder material to be compared obtained in accordance with the intensity of the comparative object. The solder material inspection device according to claim 2, wherein the solder material inspection device is obtained from any one of a difference or a ratio of
上記半田材検査装置は、
上記特定波数とは異なる波数である参照波数を設定し、
上記強度検出部では、
さらに、検査対象の半田材を反射する上記参照波数の赤外線の第3強度を検出し、
上記半田劣化算出部は、
さらに、上記検査対象の半田材に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記参照波数の赤外線の第4強度と、上記第3強度との相違度に応じて、上記検査対象強度または上記比較対象強度の少なくともいずれかを補正することを特徴とする請求項12に記載の半田材検査装置。
The solder material inspection device
Set a reference wave number that is different from the specific wave number,
In the intensity detector,
Further, the third intensity of the infrared of the reference wave number that reflects the solder material to be inspected is detected,
The solder deterioration calculation unit
Furthermore, according to the degree of difference between the fourth intensity of the infrared of the reference wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the solder material to be inspected is irradiated with light, and the third intensity, The solder material inspection apparatus according to claim 12, wherein at least one of the inspection object strength and the comparison object strength is corrected.
上記半田材検査装置は、
上記特定波数とは異なる波数である参照波数を設定し、
上記強度検出部では、
さらに、検査対象の半田材を反射する上記参照波数の赤外線の第3強度を検出し、
上記半田劣化算出部は、
さらに、上記第3強度に基づいて、上記検査対象の半田材における上記参照波数の第3赤外線吸光度を求め、上記検査対象の半田材に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記参照波数の赤外線の第4強度に基づいて、上記検査対象の半田材における上記参照波数の第4赤外線吸光度を求め、上記第3赤外線吸光度と上記第4赤外線吸光度との相違度に応じて、上記第1赤外線吸光度または第2赤外線吸光度の少なくともいずれかを補正することを特徴とする請求項13に記載の半田材検査装置。
The solder material inspection device
Set a reference wave number that is different from the specific wave number,
In the intensity detector,
Further, the third intensity of the infrared of the reference wave number that reflects the solder material to be inspected is detected,
The solder deterioration calculation unit
Further, based on the third intensity, the third infrared absorbance of the reference wave number in the solder material to be inspected is obtained, and as reflected light when light is applied to the solder material to be compared with the solder material to be inspected Based on the detected fourth infrared intensity of the reference wave number, the fourth infrared absorbance of the reference wave number in the solder material to be inspected is obtained, and the difference between the third infrared absorbance and the fourth infrared absorbance is obtained. The solder material inspection apparatus according to claim 13, wherein at least one of the first infrared absorbance and the second infrared absorbance is corrected accordingly.
基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得し、
上記取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射し、
上記光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出し、
上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力する
ことを特徴とする半田材検査方法。
Get the print position information of the solder material printed on the board,
Based on the acquired printing position information, irradiate only the solder material printed on the substrate while scanning the substrate,
Detecting the intensity of an inspection object of infrared of a specific wave number reflected from the solder material by the light irradiation,
A solder material inspection method comprising: outputting the infrared absorbance of the specific wave number of the solder material to be inspected obtained based on the inspection object strength and the inspection object strength as measurement values.
基板上に印刷される半田材の印刷位置情報を取得し、
上記取得した上記印刷位置情報に基づいて、上記基板上を走査しながら上記基板上に印刷された半田材に対してのみ光を照射し、
上記光の照射によって上記半田材から反射してくる特定波数の赤外線の検査対象強度を検出し、
上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する
ことを特徴とする半田材検査方法。
Get the print position information of the solder material printed on the board,
Based on the acquired printing position information, irradiate only the solder material printed on the substrate while scanning the substrate,
Detecting the intensity of an inspection object of infrared of a specific wave number reflected from the solder material by the light irradiation,
The solder material printed on the substrate is an inspection object, and the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the inspection object is irradiated with light, and the inspection object A solder material inspection method, wherein a deterioration parameter indicating a relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared is calculated based on strength.
リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射し、
上記光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出し、
上記検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出し、
上記検査対象強度に基づき求められた上記検査対象の半田材における上記特定波数の赤外線吸光度と、上記検査対象強度とを計測値として出力する
ことを特徴とする半田材検査方法。
Before reflow, irradiate light while scanning at least the board on which the solder material is printed,
Detecting the measurement intensity, which is the intensity of infrared of a specific wave number reflected from the substrate on which the solder material is printed by the light irradiation,
Extracting the inspected intensity of the infrared of the specific wave number as reflected light detected only from the solder material from the measured intensity detected,
A solder material inspection method comprising: outputting the infrared absorbance of the specific wave number of the solder material to be inspected obtained based on the inspection object strength and the inspection object strength as measurement values.
リフロー前に、少なくとも半田材が印刷された基板に対し走査しながら光を照射し、
上記光の照射によって上記半田材が印刷された基板から反射してくる特定波数の赤外線の強度である計測強度を検出し、
上記検出された上記計測強度から上記半田材からのみ検出される反射光としての上記特定波数の赤外線の検査対象強度を抽出し、
上記基板上に印刷された半田材を検査対象とし、この検査対象に対する比較対象の半田材に光を照射したときの反射光として検出される上記特定波数の赤外線の比較対象強度と、上記検査対象強度とに基づいて、上記比較対象の半田材に対する上記検査対象の半田材の相対的劣化度を示した劣化パラメータを算出する
ことを特徴とする半田材検査方法。
Before reflow, irradiate light while scanning at least the board on which the solder material is printed,
Detecting the measurement intensity, which is the intensity of infrared of a specific wave number reflected from the substrate on which the solder material is printed by the light irradiation,
Extracting the inspected intensity of the infrared of the specific wave number as reflected light detected only from the solder material from the measured intensity detected,
The solder material printed on the substrate is an inspection object, and the comparison target intensity of the infrared of the specific wave number detected as reflected light when the solder material to be compared with the inspection object is irradiated with light, and the inspection object A solder material inspection method, wherein a deterioration parameter indicating a relative deterioration degree of the solder material to be inspected with respect to the solder material to be compared is calculated based on strength.
半田材検査装置の制御プログラムであって、請求項2、6、10のいずれか1項に記載の処理部における機能をコンピュータで実現する制御プログラム。   A control program for a solder material inspection apparatus, wherein the function of the processing unit according to any one of claims 2, 6, and 10 is realized by a computer. 請求項20に記載の制御プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。   A computer-readable recording medium storing the control program according to claim 20.
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