JP2007128117A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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JP2007128117A
JP2007128117A JP2007042134A JP2007042134A JP2007128117A JP 2007128117 A JP2007128117 A JP 2007128117A JP 2007042134 A JP2007042134 A JP 2007042134A JP 2007042134 A JP2007042134 A JP 2007042134A JP 2007128117 A JP2007128117 A JP 2007128117A
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Kazunori Inoue
Munehito Kumagai
Keisuke Nakaguchi
Yoshinori Numano
佳祐 中口
和式 井上
良典 沼野
宗人 熊谷
Original Assignee
Advanced Display Inc
株式会社アドバンスト・ディスプレイ
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a reflective liquid crystal display device showing preferable reflection characteristics and high display quality in a high yield by forming an appropriate rugged pattern on a reflective pixel electrode. <P>SOLUTION: An insulating substrate 1 made of a transparent or colored UV-cut glass is used as a substrate to constitute a TFT array. As the insulating substrate is treated to be an opaque state with respect to UV rays, the substrate prevents such phenomenon that upon exposing a photosensitive resin to constitute an interlayer insulating film 11 formed on TFTs and electrode lines to flatten the surface, the UV rays not absorbed in the photosensitive resin transmit the substrate to be reflected from a substrate holder, and the undesirable reflected light exposes the photosensitive resin. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。 This invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

液晶表示装置は、CRTに代わるフラットパネルディスプレイの一つとして活発に研究開発が進められており、特に低消費電力および薄型であるという特徴を生かして、電池駆動の小型TV、ノートブック型コンピュータ、カーナビゲーション等に実用化されている。 The liquid crystal display device is actively research and development is proceeding as one of flat panel displays in place of CRT, taking advantage of the feature that is particularly low power consumption and thin, the battery-driven small TV, notebook computers, It has been put to practical use in car navigation and the like.
液晶表示装置の駆動方法としては、高品質表示の観点から薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型のTFTアレイが主として用いられている。 The method for driving a liquid crystal display device, a thin film transistor in view of high-quality display (TFT) active matrix type TFT array using as switching elements is mainly used.
また、ディスプレイの構成としては、透過型と反射型のものがある。 As the structure of the display, there is a transmission type and reflection type. 反射型のディスプレイは、透過型のディスプレイに用いられるバックライト光源が不要であることから低消費電力が実現でき、携帯端末等の用途として極めて適した構成である。 Reflective display, low power consumption because a backlight light source used for transmissive display is not required can be realized, it is very suitable for construction as applications such as portable terminals.
従来の反射型液晶表示装置は、透明絶縁性基板上にマトリクス状に配列形成された走査電極、信号電極、半導体層等からなるTFTと反射型の画素電極、および画素電極の周りに形成された電極配線を有する第一の基板(TFTアレイ基板)と、他の透明絶縁性基板上にカラーフィルタ、ブラックマトリクス(以下、BMと称する)、対向電極を有する第二の基板(対向基板)を対向させ接着すると共に、第一の基板と第二の基板の間に液晶材料を注入することにより構成されている。 Conventional reflection type liquid crystal display device was formed around the transparent insulating matrix in SEQ formed scan electrodes on a substrate, the signal electrodes, TFT and reflective pixel electrode made of a semiconductor layer or the like, and a pixel electrode facing the first substrate having an electrode wiring (TFT array substrate), the other transparent insulating color filter on a substrate, a black matrix (hereinafter, referred to as BM), a second substrate having an opposing electrode (counter substrate) while adhering to, and is configured by a liquid crystal material is injected between the first substrate and the second substrate.

反射型液晶表示装置の表示特性向上のためには、液晶表示パネルの画素部の有効表示面積を大きくし光の利用効率を高めること、すなわち画素の開口率を向上させることが有効であり、高開口率のTFTアレイを得る方法として、透明絶縁性基板上にTFTおよび電極配線を形成した後、これらを覆うように樹脂からなる層間絶縁膜を形成することにより平坦化し、層間絶縁膜の下層にある走査電極等とオーバーラップさせて層間絶縁膜上に広い面積を有する反射画素電極を形成し、反射画素電極とTFTのドレイン電極との電気的接続は層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して行うTFTアレイの構造が提案されている。 For improving display properties of the reflective liquid crystal display device, it increases the effective display area of ​​the pixel portion of the liquid crystal display panel increase the utilization efficiency of light, i.e. it is effective to improve the aperture ratio of the pixel, high as a method for obtaining an aperture ratio of the TFT array, after forming the TFT and the electrode wiring on a transparent insulating substrate, and flattened by forming an interlayer insulating film made of a resin so as to cover, in the lower layer of the interlayer insulating film by a certain scanning electrode and the like overlap to form a reflective pixel electrode having a large area on the interlayer insulating film, electrically connected to the drain electrode of the reflective pixel electrode and the TFT through a contact hole formed in the interlayer insulating film structure of the TFT array performed has been proposed.
また、光の利用効率を一層高めるための方法として、入射光側に散乱フィルムを施す前方散乱板方式を採用せず、TFTアレイ基板に良好な指向性を有する散乱光を得るための反射膜兼画素電極を具備した反射型液晶表示装置が提案されている。 Further, as a method for increasing the utilization efficiency of light even without employing the forward scattering plate scheme employing a scattering film on the incident light side, the reflective film in order to obtain a scattered light with good directivity in a TFT array substrate and reflection type liquid crystal display device having a pixel electrode has been proposed. このような反射型液晶表示装置では、反射膜兼画素電極の表面に凹凸形状を設けることにより良好な散乱光を得ている。 In such a reflective liquid crystal display, it has gained a good scattered light by providing irregularities on the surface of the reflective film and the pixel electrode.

反射膜兼画素電極を有する反射型液晶表示装置としては、特許文献1および特許文献2に開示されており、感光性樹脂(レジスト等を含む)を用いたフォトリソグラフィ法により緻密な凹凸を層間絶縁膜を構成する樹脂の表面に形成し、その上に高反射特性を有する膜からなる画素電極を形成することにより、画素電極の表面に凹凸を形成している。 The reflective type liquid crystal display device having a reflective film and the pixel electrode are disclosed in Patent Documents 1 and 2, an interlayer insulating dense irregularities by a photolithographic method using a photosensitive resin (including resist, etc.) It is formed on the surface of the resin constituting the film, by forming a pixel electrode made of a film having high reflection characteristics thereon, and forming irregularities on the surface of the pixel electrode.

特開平6−175126号公報 JP-6-175126 discloses 特開平8−184846号公報 JP-8-184846 discloses

以上のように、反射型液晶表示装置において、光の利用効率を高めるために反射膜兼画素電極の表面に形成する緻密な凹凸をフォトリソグラフィ法により形成する方法が提案されているが、凹凸を形成するために用いる感光性樹脂を露光する際、感光性樹脂部で吸収されなかったUV光は、透明基板を透過して基板ホルダーで吸収されなかった一部が反射し、特に基板ホルダーに設けられた吸着溝等の端部で反射されたUV光は迷光となって吸着溝近傍の感光性樹脂を感光させ、吸着溝形状に対応した領域で得られる凹凸形状に微妙な寸法差をもたらす。 As described above, in the reflection type liquid crystal display device, a method of forming a dense unevenness photolithography to form on the surface of the reflective film and the pixel electrode in order to enhance the utilization efficiency of light is proposed, irregularities in exposing the photosensitive resin used for forming, UV light which is not absorbed by the photosensitive resin portion is transmitted through the transparent substrate reflects a part that is not absorbed by the substrate holder, in particular provided in the substrate holder UV light reflected at the end of such suction grooves which are causes light to a photosensitive resin of suction grooves near as stray light, resulting in subtle size difference to the uneven shape obtained in the area corresponding to the suction groove shape. このような凹凸形成膜上に高反射膜を形成した場合、微妙な寸法差を有している凹凸形状部も高反射膜にそのまま転写され、その部分は反射斑として視認されて表示装置の画質を低下させるという問題があった。 If such irregularities formed and the high-reflection film is formed on the membrane, uneven portions having a subtle size difference also as it is transferred to the high reflection film, the image quality of a display device that portion is recognized as reflected plaques there is a problem that reducing the.

この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、反射画素電極に適性な凹凸が形成されることにより良好な反射特性を有し表示品質の高い液晶表示装置を高歩留りで得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, high yield liquid crystal display device with high display quality having good reflection characteristics by proper irregularities to the reflective pixel electrode is formed and an object thereof is to get in. さらにこの装置に適した製造方法を提供することを目的とする。 Further and to provide a manufacturing method suitable for this device.

この発明に係わる液晶表示装置は、透明もしくは着色されたUVカットガラスで構成された絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成された走査線、走査電極および共通電極配線と、走査線、走査電極および共通電極配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜を介して走査電極上に形成された半導体層と、半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の電極、および第一の電極と接続された信号線と、第一の電極、第二の電極および信号線上に形成され、表面に凹凸を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第二の電極と電気的に接続された反射金属膜からなる反射画素電極を有する第一の基板と、第一の基板と共に液 The liquid crystal display device according to the present invention, transparent or an insulating substrate made of a colored UV-cut glass, scanning lines formed on an insulating substrate, and the scanning electrodes and the common electrode lines, the scanning lines, the scanning electrodes an insulating film formed on the common electrode wiring and a semiconductor layer formed on the scan electrode through the insulating film, the first electrode and the second electrode of the semiconductor element with a semiconductor layer, and the first a signal line connected to the electrodes of the first electrode, are formed on the second electrode and the signal line, an interlayer insulating film having an uneven surface, which is formed in the interlayer insulating film surface on the interlayer insulating film which has irregularities are transferred shape, a first substrate having a reflective pixel electrode made of the second electrode and electrically connected to the reflective metal film via a contact hole formed in the interlayer insulating film, the liquid with one of the board 材料を挟持する第二の基板とを備え、絶縁性基板はUV光に対して不透過な状態に処理されているものである。 And a second substrate that sandwich the material, the insulating substrate is one that is processed into opaque state to UV light.

また、この発明は、少なくともいずれか一方には電極が形成されているUVカットガラスと透明絶縁性基板を対向させて接着すると共に、UVカットガラスと透明絶縁性基板の間には液晶材料が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、UVカットガラス上に走査線、走査電極および共通電極配線を形成する工程と、走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、走査電極上に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形成する工程と、第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を有する樹脂を塗布し、露光、現像処理によりコンタクトホールと表面に凹凸を有する層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上および上記 Further, the invention is to adhere to face the UV cut glass and the transparent insulating substrate is at least either being electrodes formed, the liquid crystal material between the UV cut glass and a transparent insulating substrate sandwiching the method of manufacturing a liquid crystal display device which is a step of forming the scanning lines on a UV cut glass, forming a scan electrode and a common electrode line, the scanning lines, the insulating film on the scanning electrode and the common electrode on the wiring, forming a semiconductor layer via an insulating film on the scanning electrode, and forming the first electrode and the second electrode constituting the semiconductor device, and a signal line together with the semiconductor layer, the first electrode, the first a resin having a photosensitive property on the second electrode and the signal line is applied, exposed, forming an interlayer insulating film having an uneven contact hole and the surface by developing treatment, an interlayer insulating film and the ンタクトホール内に反射金属膜を成膜し、パターニングして層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、第二の電極とコンタクトホールを介して電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含むものである。 Down forming a reflective metal film on the tact hole, which has a patterned unevenness formed in the interlayer insulating film surface is transferred shape, which are electrically connected via the second electrode and the contact hole reflection it is intended to include a step of forming a pixel electrode.

また、この発明は、少なくともいずれか一方には電極が形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極および共通電極配線を形成する工程と、走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、走査電極上に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形成する工程と、第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を有する樹脂を塗布する工程と、感光性を有する樹脂が塗布された透明絶縁性基板の裏面側にUVカットフィルムを貼り付ける工程と、感光性を有する樹脂に露 Further, the invention is to adhere to face the two transparent insulating substrate are formed on at least either one electrode, between two transparent insulating substrate is a liquid crystal material sandwiched the method of manufacturing a liquid crystal display device are, two transparent insulating while the scan line of the substrate to form a step of forming a scan electrode and a common electrode line, the scanning lines, the insulating film on the scanning electrode and the common electrode on the wiring a step, a step of forming a semiconductor layer via an insulating film on the scan electrodes, the first electrode and the second electrode of the semiconductor element with a semiconductor layer, and forming a signal line, a first electrode, a step of applying a resin having photosensitivity on the second electrode and the signal line, and a step of attaching a UV cut film on the back side of the transparent insulating substrate resin is coated with a photosensitive, a photosensitive dew on the resin with 処理を施す工程と、UVカットフィルムを剥離した後、現像処理を施しコンタクトホールと表面に凹凸を有する層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に反射金属膜を成膜し、パターニングして層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、第二の電極とコンタクトホールを介して電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含むものである。 Film formation and the step of performing processing, after peeling the UV-cut films, forming an interlayer insulating film having an uneven contact hole and the surface subjected to the development processing, a reflective metal film on the interlayer insulating film and in the contact holes and, which has a patterned unevenness formed in the interlayer insulating film surface is transferred shape, is intended to include a step of forming an electrically connected reflective pixel electrode through the second electrode and the contact hole.

以上のように、この発明によれば、TFTアレイ基板のTFTや電極配線上に形成され表面を平坦化する感光性樹脂からなる層間絶縁膜の露光時において、少なくとも上層に形成される反射画素電極の反射特性を向上させるために設けられる凹凸が形成される領域をUV光に対して不透過な状態とすることにより、感光性樹脂の露光時に感光性樹脂に吸収されなかったUV光が基板を透過することがなく、感光性樹脂に基板裏面の基板ホルダーからの反射光等の不適当な光による感光が生じないため、層間絶縁膜表面には適性な凹凸が形成され、この適性な凹凸が反射画素電極に転写されて良好な反射特性を有した表示品質の高い液晶表示装置を高歩留りで得ることができる。 As described above, according to the present invention, at the time of exposure of the interlayer insulating film made of the surface is formed on the TFT and the electrode wiring of a TFT array substrate of a photosensitive resin to flatten, reflective pixel electrodes formed on at least the upper layer of by the non-transmission state to UV light a region unevenness is formed which is provided to improve the reflection properties, UV light which is not absorbed by the photosensitive resin during exposure of the photosensitive resin is a substrate without transmitting, since the photosensitive due to improper light such as reflected light from the substrate holder of the substrate back surface in the photosensitive resin does not occur, proper unevenness is formed in the interlayer insulating film surface and the suitability irregularities it is transferred to the reflective pixel electrode of the liquid crystal display device with high display quality having good reflection characteristics can be obtained in high yield.

実施の形態1 Embodiment 1
以下、この発明の一実施の形態である液晶表示装置およびその製造方法を図について説明する。 A description is given of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention. 図1は本発明の実施の形態1によるスイッチング素子としてTFTを搭載した液晶表示装置のTFTアレイ基板を示す概略平面図、図2は図1に示すTFTアレイ基板のA−A線に沿った部分の製造工程の一部を示す断面図である。 Figure 1 is a schematic plan view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display device equipped with a TFT as a switching element according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is section along the line A-A of the TFT array substrate shown in FIG. 1 it is a sectional view showing a part of the manufacturing process of. なお以下の説明では、液晶表示装置として反射型液晶表示装置およびその製造方法について説明する。 In the following description, a reflective type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof as a liquid crystal display device.
図において、1は絶縁性基板で、ガラス基板等の透明絶縁性基板1a上にUV光を透過させないUV吸収膜1bおよび絶縁層1cを形成することにより構成されている。 In the figure, 1 is constituted by forming a an insulating substrate, on a transparent insulating substrate 1a such as a glass substrate does not transmit UV light UV-absorbing film 1b and the insulating layer 1c. 2は絶縁性基板1上に形成された走査線(ゲート電極配線)、2aはゲート電極配線2の一部で形成された走査電極(ゲート電極)、3は絶縁性基板1上に形成された共通電極配線、4はゲート電極配線2、ゲート電極2aおよび共通電極配線3上に形成されたゲート絶縁膜、5はゲート絶縁膜4を介してゲート電極2a上に形成されたアモルファスシリコン膜からなる半導体層、6は半導体層5上に形成された低抵抗アモルファスシリコン膜からなるオーミックコンタクト層、7は信号線(ソース電極配線)、7a、8はオーミックコンタクト層6上に形成された対を成す第一の電極(ソース電極)と第二の電極(ドレイン電極)で、第一の電極(ソース電極)7aは信号線(ソース電極配線)7と接続されている。 2 scanning lines formed on the insulating substrate 1 (gate electrode wiring) 2a is the scanning electrodes formed in part of the gate electrode wiring 2 (gate electrode), 3 were formed on the insulating substrate 1 common electrode line, 4 is a gate electrode wiring 2, the gate electrode 2a and the common electrode wiring 3 on the formed gate insulating film 5 is formed of an amorphous silicon film formed on the gate electrode 2a via a gate insulating film 4 semiconductor layer, 6 is an ohmic contact layer made of a low-resistance amorphous silicon film formed on the semiconductor layer 5, 7 is a signal line (source electrode wirings), 7a, 8 are paired which are formed on the ohmic contact layer 6 in the first electrode (source electrode) and the second electrode (drain electrode), a first electrode (source electrode) 7a is connected to the signal line (source electrode wirings) 7. 9はチャネル部、10はTFTを保護するためのパッシベーション膜、11はパッシベーション膜10上に形成された層間絶縁膜、12はパッシベーション膜10および層間絶縁膜11に形成されたコンタクトホール、13は層間絶縁膜11上に形成された反射画素電極で、コンタクトホール12を介してドレイン電極8と電気的に接続される。 9 channel portion, a passivation film for protecting the TFT 10, 11 denotes an interlayer insulating film formed on the passivation film 10, 12 is a contact hole formed in the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11, 13 is interlayer a reflective pixel electrode formed on the insulating film 11, are electrically connected to the drain electrode 8 through the contact hole 12.

次に、本実施の形態による反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the TFT array substrate of the reflection type liquid crystal display device according to this embodiment.
まず、図2(a)に示すように、ガラス基板等の透明絶縁性基板1aの表面にCVD法等を用いてUV吸収膜1bおよび絶縁層1cを構成するSiN膜(300nm)を基板全面に連続して形成し、UV光に対してフィルタ機能を有する絶縁性基板1を形成する。 First, as shown in FIG. 2 (a), the SiN film constituting the UV absorbing film 1b and the insulating layer 1c by CVD or the like on the surface of the transparent insulating substrate 1a such as a glass substrate (300 nm) on the entire surface of the substrate continuously formed, to form an insulating substrate 1 having a filter function to UV light. なお、UV吸収膜1bとしては、膜厚50nmのアモルファスシリコン膜(a−Si膜)を用いた。 As the UV-absorbing film 1b, using an amorphous silicon film with a thickness of 50 nm (a-Si film).
図3はa−Si膜の膜厚と紫外線透過率の関係(計算値)を示す図で、膜厚50nmのa−Si膜は、UV光(h線露光波長:405nm)に対して97.5%のカットフィルタとなる。 Figure 3 is a graph showing the relationship between the thickness and the ultraviolet transmissivity of the a-Si film (calc), a-Si film having a film thickness of 50nm is, UV light (h-ray exposure wavelength: 405 nm) with respect to 97. of 5% of the cut filter.

次に、絶縁性基板1の表面にスパッタ法等を用いてCrを成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてパターニングし、ゲート電極配線2、ゲート電極2aおよび共通電極配線3を形成する。 Then, after forming a Cr by sputtering or the like on the surface of the insulating substrate 1, and patterned by using a resist formed by photolithography, the gate electrode wiring 2, a gate electrode 2a and the common electrode wiring 3 Form.
次に、プラズマCVD法等を用いてゲート絶縁膜4となるシリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜、不純物がドープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順次成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてアモルファスシリコン膜および低抵抗アモルファスシリコン膜をパターニングし、半導体層5およびオーミックコンタクト層6を形成する。 Then, after the silicon nitride film serving as a gate insulating film 4 by a plasma CVD method or the like, an amorphous silicon film, impurities are sequentially formed doped low-resistance amorphous silicon film, using a resist formed by photolithography the amorphous silicon film and low-resistance amorphous silicon film is patterned Te, to form the semiconductor layer 5 and the ohmic contact layer 6.
次に、スパッタ法による成膜およびフォトリソグラフィ法によるパターニングを行い、オーミックコンタクト層6上にソース電極配線7、ソース電極7aおよびドレイン電極8を形成すると共に、ソース電極7aとドレイン電極8に覆われていない部分の低抵抗アモルファスシリコン膜(オーミックコンタクト層6)をエッチングし、チャネル部9を形成してTFTを構成する。 Then, patterning is performed by deposition and a photolithography method by sputtering, a source electrode wiring 7 on the ohmic contact layer 6, thereby forming a source electrode 7a and the drain electrode 8 is covered with the source electrode 7a and the drain electrode 8 not part of the low-resistance amorphous silicon film (ohmic contact layer 6) is etched to form a TFT by forming a channel portion 9.
なお、ドレイン電極8の一端は、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜4を挟み低抵抗金属からなる共通電極配線3と対向し、反射画素電極13の形成領域内で容量(コンデンサ)を形成している。 One end of the drain electrode 8, sandwiching the gate insulating film 4 made of an inorganic insulating film opposed to the common electrode wiring 3 formed of low resistance metal, to form a capacitor (condenser) in the formation area of ​​the reflective pixel electrodes 13 there.
次に、TFTを保護するためのパッシベーション膜10をCVD法等により成膜する(図2(b))。 Next, a passivation film 10 for protecting the TFT is formed by CVD method or the like (Figure 2 (b)).

次に、誘電率が4以下の感光性を有するアクリル系樹脂をTFTおよび電極配線(ゲート電極配線2、共通電極配線3、ソース電極配線7等)による段差を吸収して表面が平坦化されるように塗布し、露光および現像処理によりゲート電極配線2上、ソース電極配線7上および上記容量形成部の一部を除く画素領域内では表面に凹凸形状、ドレイン電極8がゲート絶縁膜4を介して共通電極配線3と対向し容量を形成している部分上にはコンタクトホール、および端子コンタクト用の開口部(図示せず)を形成した後、焼成を行い層間絶縁膜11を形成する。 Next, it is planarized surface permittivity TFT and the electrode wiring acrylic resin having 4 or less of photosensitive (gate electrode wiring 2, the common electrode wiring 3, the source electrode wiring 7 and the like) to absorb the step by It was applied to the exposure and development treatment by on the gate electrode wiring 2, surface irregularities, the drain electrode 8 through the gate insulating film 4 in the pixel area except a portion of the upper source electrode wiring 7 and the capacitance forming part the common electrode wiring 3 opposite to the portion forming the capacitor Te after forming contact holes, and openings of the terminal contacts (not shown), an interlayer insulating film 11 and fired.
本実施の形態では、層間絶縁膜11としてポジ型のアクリル樹脂(JSR製PC−355:i線、h線感光品)を約4μm塗布し、h線のステッパー露光機を用い、コンタクトホール部は400mj/cm2 、画素領域内の凹凸形成部は160mj/cm2 で露光処理を施し、感光剤の分解率を変えて溶解速度に差を持たせる分割露光のフォトリソグラフィ法を用いた。 In this embodiment, a positive type acrylic resin as the interlayer insulating film 11 (JSR manufactured by PC-355: i ray, h-ray sensitive products) to about 4μm is applied, using the h-ray stepper exposure machine, the contact hole portion 400 mj / cm @ 2, uneven formation of the pixel area is subjected to exposure treatment with 160 mJ / cm @ 2, using a photolithography method divided exposure to have a difference in dissolution rate by changing the decomposition ratio of a photosensitive agent. 現像液は弱アルカリ現像液(TMAH0.4wt%)を用い、コンタクトホール部および端子コンタクト部では下層のパッシベーション膜10を露出させ、凹凸形状は表面層にのみ形成した後、200〜230゜Cで約1時間焼成を行い層間絶縁膜11を形成した。 Developer using weakly alkaline developer (TMAH0.4wt%), the contact hole portions and the terminal contact portion to expose the underlying passivation film 10, uneven shape after forming only the surface layer, at 200 to 230 ° C about baked to form an interlayer insulating film 11 for one hour.
なお、層間絶縁膜11を構成する感光性樹脂の露光時、感光性樹脂等が形成されている絶縁性基板1はUV光に対して不透過な状態に処理されているため、絶縁性基板1裏面の基板ホルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等の不適当な光による感光が生じない。 Incidentally, during the exposure of the photosensitive resin constituting the interlayer insulating film 11, since the photosensitive insulating substrate 1 a resin or the like is formed is processed into opaque state to UV light, the insulating substrate 1 reflected light is suppressed from the back surface of the substrate holder, the photosensitive does not occur due to improper light such as reflection light to the photosensitive resin.

次に、層間絶縁膜11をマスクとして層間絶縁膜11に設けられたコンタクトホールにより露出したパッシベーション膜10をエッチングし、コンタクトホール12を形成してドレイン電極8を露出させる。 Next, a passivation film 10 exposed by the contact hole formed in the interlayer insulating film 11 interlayer insulating film 11 as a mask is etched to expose the drain electrode 8 to form a contact hole 12. 同時に端子コンタクト部(図示せず)のパッシベーション膜も除去する。 At the same time passivation film terminal contact portions (not shown) is also removed.
次に、図2(c)に示すように、層間絶縁膜11上およびコンタクトホール12内にAl等の高反射金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてパターニングし、各画素部に対応した反射画素電極13を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (c), after forming a highly reflective metal film such as Al in the interlayer insulating film 11 and the contact hole 12, and patterned by using a resist formed by photolithography, forming a reflective pixel electrode 13 corresponding to each pixel unit. このとき、反射画素電極13はコンタクトホール12を介してドレイン電極8と電気的に接続される。 At this time, the reflective pixel electrode 13 is electrically connected to the drain electrode 8 through the contact hole 12. なお、反射画素電極13はゲート電極配線2やソース電極配線7とオーバーラップさせて形成することにより高開口率化が図られる。 The reflective pixel electrode 13 is high aperture ratio is achieved by forming by overlapped with the gate electrode wiring 2 and the source electrode wiring 7.

以上の工程により形成されたTFTアレイ基板(第一の基板)と、他の透明絶縁性基板上に対向電極が形成された対向基板(第二の基板)の表面に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示素子を構成する。 Or more of the TFT array substrate formed by the process (a first substrate), is opposed after forming the alignment film on the surface of the counter substrate on which a counter electrode is formed on the other transparent insulating substrate (second substrate) constitute a reflection type liquid crystal display device by injecting a liquid crystal material therebetween.

なお、層間絶縁膜11を構成する感光性樹脂としては、ネガ型を用いてもよい。 As the photosensitive resin constituting the interlayer insulating film 11 may be used negative.
また、反射画素電極13は、銀膜等の他の高反射膜を用いて形成してもよい。 The reflective pixel electrode 13, the other high-reflection film of the silver film or the like may be formed by using.
また、本実施の形態では、絶縁性基板1として、通常透過型液晶表示素子に用いられる透明絶縁性基板の表面にUV吸収膜1bおよび絶縁層1cを形成したが、透明もしくは着色されたUVカットガラスを用いて絶縁性基板としてもよい。 Further, in this embodiment, as the insulating substrate 1, UV-cut was formed a UV absorbing film 1b and an insulating layer 1c on the transparent insulating surface of the substrate usually used for the transmission type liquid crystal display device, which is transparent or colored glass may be an insulating substrate used. また、図4(a)に示すように、UV吸収膜1bおよび絶縁層1cを透明絶縁性基板1aの裏面側(TFT等が形成されない面側)に形成、または図4(b)に示すように、UV吸収膜1bおよび絶縁層1cを透明絶縁性基板1aの両面に形成、または図4(c)に示すように、UV吸収膜1bを二枚の透明絶縁性基板1aに挟む形で形成することにより絶縁性基板1を構成してもよい。 Further, as shown in FIG. 4 (a), forming a UV absorbing film 1b and an insulating layer 1c on the back side of the transparent insulating substrate 1a (TFT, etc. is not formed side), or as shown in FIG. 4 (b) to, formed on both sides of UV-absorbing film 1b and the insulating layer 1c of the transparent insulating substrate 1a, or as shown in FIG. 4 (c), formed so as to sandwich the UV-absorbing film 1b on two transparent insulating substrate 1a it may constitute the insulating substrate 1 by. さらにまた、UV吸収膜の代わりに金属膜等のUV光不透過膜を用いて絶縁性基板を構成してもよい。 Furthermore, the UV light-opaque layer of metal film or the like may constitute the insulating substrate used in place of the UV absorbing film.
また、絶縁層1cとして、SiOx等の無機絶縁材料や耐熱性の硬質有機膜を用いてもよい。 Further, as the insulating layer 1c, it may be an inorganic insulating material and heat resistance of the hard organic film SiOx, or the like.
また、本実施の形態ではパッシベーション膜10を設けたが、パッシベーション膜10を有しない構造の液晶表示装置においても同様の効果が得られる。 Further, in the present embodiment is provided with the passivation film 10, the same effect can be obtained also in the liquid crystal display device of the structure having no passivation film 10.

本実施の形態によれば、TFTアレイが形成される絶縁性基板1をUV光に対して不透過な基板により構成することにより、層間絶縁膜11を構成する感光性樹脂の露光時、絶縁性基板1裏面の基板ホルダー等からの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等の不適当な光による感光が生じないため、層間絶縁膜11表面には適性な凹凸が形成され、この適性な凹凸が反射画素電極13に転写されることにより、良好な反射特性を有した表示品質の高い液晶表示装置を構成できる。 According to this embodiment, by forming a non-transparent substrate an insulating substrate 1, a TFT array is formed to UV light, during the exposure of the photosensitive resin constituting the interlayer insulating film 11, insulating reflected light is suppressed from the substrate 1 the rear surface of the substrate holder or the like, since the photosensitive due to improper light such as reflection light to the photosensitive resin does not occur, proper unevenness is formed in the interlayer insulating film 11 surface, the suitability by such irregularities are transferred to the reflective pixel electrode 13 can be a liquid crystal display device with high display quality having good reflection characteristics.
また、レジストパターンで非感光性の樹脂をエッチングし凹凸形成の場合、及びレジストパターンそのものを残し凹凸形成する場合においても、露光工程を使用する限り有効である。 Further, when etching the non-photosensitive resin with the resist pattern of the unevenness formed, and the resist pattern even in the case of the remaining uneven formation itself, it is effective as long as using the exposure step.

実施の形態2. The second embodiment.
図5はこの発明の実施の形態2による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造方法を説明するための平面図である。 Figure 5 is a plan view for explaining a manufacturing method of the TFT array substrate of the liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. なお以下の説明では、液晶表示装置として反射型液晶表示装置およびその製造方法について説明する。 In the following description, a reflective type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof as a liquid crystal display device.
図において、1aはガラス基板等の透明絶縁性基板、1bはUV吸収膜、1cは絶縁層、14は液晶パネルにおける表示部、15は表示部の周縁に設けられた端子部である。 In the figure, a transparent insulating substrate 1a is such as glass substrate, 1b are UV-absorbing film, 1c is an insulating layer, 14 is a display unit of the liquid crystal panel, 15 is a terminal portion provided on the periphery of the display unit. なお、一個の液晶パネルを構成するTFTアレイは、図5に示すように、一枚の透明絶縁性基板1aに一個または複数個取りで形成される。 Incidentally, TFT array constituting a single liquid crystal panel, as shown in FIG. 5, is formed by one or more up to one of the transparent insulating substrate 1a.

次に、本実施の形態による反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the TFT array substrate of the reflection type liquid crystal display device according to this embodiment.
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板1aの表面にUV吸収膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により液晶パネルの表示部14にのみUV吸収膜1bを形成する。 First, forming a UV absorbing film on the surface of the transparent insulating substrate 1a such as a glass substrate, forming a UV absorbing film 1b only in the display unit 14 of the liquid crystal panel by photolithography. 次に絶縁層1cを基板全面に形成して絶縁性基板を構成する。 Then the insulating layer 1c is formed on the entire surface of the substrate constituting the insulating substrate.
その後、実施の形態1と同様の方法によりTFTアレイ基板および反射型液晶表示素子を形成する。 Thereafter, in the same manner as in the first embodiment to form a TFT array substrate and the reflective liquid crystal display device.

本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の効果が得られると共に、UV吸収膜1bを金属等の不透明膜により構成した場合においても、アライメントマーク等が形成されるエリアは透明な状態とすることができるため、アライメントを必要とする工程における使用装置や、UV不透過膜に対する制約がなくなる。 According to this embodiment, the same effects are obtained when the first embodiment, in a case where a UV absorbing film 1b is constituted by an opaque film such as metal is also the area where the alignment mark or the like is formed a transparent state it is possible to, or used device in the step of requiring alignment, restrictions on the UV-opaque film disappears.

実施の形態3. Embodiment 3.
図6はこの発明の実施の形態3による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程の一部を示す断面図である。 6 is a cross-sectional view showing a part of a TFT array substrate manufacturing process of the liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention. なお以下の説明では、液晶表示装置として反射型液晶表示装置およびその製造方法について説明する。 In the following description, a reflective type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof as a liquid crystal display device.
図において、16は層間絶縁膜11を構成する感光性樹脂を露光する際に用いられるマスク、17はUVカットフィルムである。 In the figure, 16 is a mask used when exposing the photosensitive resin constituting the interlayer insulating film 11, 17 is a UV-cut film. なお、図2と同一部分には同符号を付し説明を省略する。 Incidentally, in FIG. 2 and identical parts will not be described by the same symbol.

次に、本実施の形態による反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the TFT array substrate of the reflection type liquid crystal display device according to this embodiment.
まず、透明絶縁性基板1a上に実施の形態1と同様の方法によりゲート電極配線2、ゲート電極2a、共通電極配線3、ゲート絶縁膜4、半導体層5、オーミックコンタクト層6、ソース電極配線7、ソース電極7a、ドレイン電極8、チャネル部9およびパッシベーション膜10を形成する(図6(a))。 First, a transparent insulating gate electrode wiring 2 in the same manner as in the first embodiment on the substrate 1a, the gate electrode 2a, the common electrode wiring 3, the gate insulating film 4, the semiconductor layer 5, the ohmic contact layer 6, the source electrode wiring 7 , a source electrode 7a, the drain electrode 8 to form a channel portion 9 and the passivation film 10 (FIG. 6 (a)).

次に、図6(b)に示すように、誘電率が4以下の感光性を有するアクリル系樹脂をTFTおよび電極配線(ゲート電極配線2、共通電極配線3、ソース電極配線7等)による段差を吸収して表面が平坦化されるように塗布した後、透明絶縁性基板1aの裏面側(電極配線およびTFTが形成されていない面側)にUVカットフィルム17を貼り付けた状態で、マスク14を介して感光剤の分解率を変えて溶解速度に差を持たせる分割露光のフォトリソグラフィ法により露光処理する。 Next, as shown in FIG. 6 (b), the step of acrylic resin having a dielectric constant with a 4 less sensitive due to TFT and the electrode wiring (gate electrode wiring 2, the common electrode wiring 3, the source electrode wiring 7 and the like) absorbed by after the surface was coated as flattened, with the pasted UV cut film 17 on the back side (the surface side that is not the electrode wires and TFT are formed) of the transparent insulating substrate 1a, a mask 14 exposure by photolithography divided exposure to have a difference in dissolution rate by changing the decomposition ratio of a photosensitive agent via. 続いてUVカットフィルム17を剥した後に弱アルカリ現像液を用いて現像処理を施し、ゲート電極配線2上、ソース電極配線7上および上記容量形成部の一部を除く画素領域内では表面に凹凸形状、ドレイン電極8がゲート絶縁膜4を介して共通電極3と対向し容量を形成している部分上にはコンタクトホール、および端子コンタクト用の開口部(図示せず)を形成し、焼成を行い層間絶縁膜11を形成する。 Subsequently subjected to development processing using weakly alkaline developer after peeled off UV cut film 17, on the gate electrode wiring 2, irregularities on the surface in the pixel area except a portion of the upper source electrode wiring 7 and the capacitance forming part shape, the contact hole on the portion where the drain electrode 8 forms an opposing capacitance and the common electrode 3 via the gate insulating film 4, and the opening of the terminal contacts (not shown) is formed, the firing forming a perform interlayer insulating film 11.
なお、層間絶縁膜11を構成する感光性樹脂の露光時、感光性樹脂等が形成されている透明絶縁性基板1aの裏面側にはUVカットフィルムが貼り付けられUV光に対して不透過な状態に処理されているため、基板裏面側の基板ホルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等の不適当な光による感光が生じない。 Incidentally, during the exposure of the photosensitive resin constituting the interlayer insulating film 11, impermeable it to UV light is stuck UV cut film on the back side of the transparent insulating substrate 1a of photosensitive resin or the like is formed because it is processed in the state, reflected light is suppressed from the substrate rear surface side of the substrate holder, the photosensitive does not occur due to improper light such as reflection light to the photosensitive resin.

その後、実施の形態1と同様の方法により、コンタクトホール12および反射画素電極13を形成してTFTアレイ基板を構成し、このTFTアレイ基板と対向基板の表面に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示素子を構成する。 Thereafter, in the same manner as the first embodiment, to configure the TFT array substrate to form a contact hole 12 and the reflective pixel electrode 13, is formed after facing the alignment film on the surface of the TFT array substrate and the counter substrate, during which constituting a reflective liquid crystal display device by injecting a liquid crystal material.
本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の効果が得られる。 According to the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

実施の形態4. Embodiment 4.
図7は本発明の実施の形態4によるスイッチング素子としてTFTを搭載した液晶表示装置のTFTアレイ基板を示す概略平面図、図8は図7のB−B線に沿った断面図である。 Figure 7 is a schematic plan view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention mounted with a TFT as a switching element, FIG 8 is a sectional view taken along line B-B of FIG. なお以下の説明では、液晶表示装置として反射型液晶表示装置およびその製造方法について説明する。 In the following description, a reflective type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof as a liquid crystal display device.
図において、5aは半導体層5形成と同時に形成された島状の半導体膜(アモルファスシリコン膜)、6aはオーミックコンタクト層6形成と同時に形成された島状の低抵抗アモルファスシリコン膜である。 In Fig, 5a is a semiconductor layer 5 formed at the same time formed island-like semiconductor film (amorphous silicon film), 6a is an island-shaped low-resistance amorphous silicon film formed simultaneously with the ohmic contact layer 6 is formed. なお、図1および図2と同一部分には同符号を付し説明を省略する。 Incidentally, the same parts as in FIG. 1 and FIG. 2 will not be described by the same symbol.

次に、本実施の形態による反射型液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the TFT array substrate of the reflection type liquid crystal display device according to this embodiment.
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板1aの表面に実施の形態1と同様の方法によりゲート電極配線2、ゲート電極2aおよび共通電極配線3を形成する。 First, the gate electrode wiring 2 in the same manner as in the first embodiment on the surface of the transparent insulating substrate 1a such as a glass substrate, forming a gate electrode 2a and the common electrode wiring 3.
次に、プラズマCVD法等を用いてゲート絶縁膜4となるシリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜、不純物がドープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順次成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてアモルファスシリコン膜および低抵抗アモルファスシリコン膜をパターニングし、半導体層5およびオーミックコンタクト層6を形成する。 Then, after the silicon nitride film serving as a gate insulating film 4 by a plasma CVD method or the like, an amorphous silicon film, impurities are sequentially formed doped low-resistance amorphous silicon film, using a resist formed by photolithography the amorphous silicon film and low-resistance amorphous silicon film is patterned Te, to form the semiconductor layer 5 and the ohmic contact layer 6. このとき、コンタクトホール12およびゲート電極配線2、ソース電極配線7の形成領域以外の画素領域内にもアモルファスシリコン膜5aおよび低抵抗アモルファスシリコン膜6aが島状に残される。 At this time, the contact hole 12 and the gate electrode wiring 2, the amorphous silicon film 5a and the low-resistance amorphous silicon film 6a to the pixel area other than the formation region of the source electrode wiring 7 is left in an island shape.
なお、島状に形成されるアモルファスシリコン膜5aおよび低抵抗アモルファスシリコン膜6aは、図9に示すように、ドレイン電極8等不透明な金属膜が形成されていない透明な領域のみに形成してもよい。 Incidentally, the amorphous silicon film 5a and the low-resistance amorphous silicon film 6a is formed in an island shape, as shown in FIG. 9, be formed only on the transparent regions like the drain electrode 8 opaque metal film is not formed good.

次に、スパッタ法による成膜およびフォトリソグラフィ法によるパターニングを行い、オーミックコンタクト層6上にソース電極配線7、ソース電極7aおよびドレイン電極8を形成すると共に、ソース電極7aとドレイン電極8に覆われていない部分の低抵抗アモルファスシリコン膜6aをエッチングし、チャネル部9を形成してTFTを構成する。 Then, patterning is performed by deposition and a photolithography method by sputtering, a source electrode wiring 7 on the ohmic contact layer 6, thereby forming a source electrode 7a and the drain electrode 8 is covered with the source electrode 7a and the drain electrode 8 the low-resistance amorphous silicon film 6a of portions not etched, constitute the TFT by forming a channel portion 9. このとき、ドレイン電極8形成領域以外の低抵抗アモルファスシリコン膜6aはエッチングされるため、ドレイン電極8の下層にはアモルファスシリコン膜5aと低抵抗アモルファスシリコン膜6aが存在するが、その他の画素領域内にはアモルファスシリコン膜5aのみが残される。 At this time, since the low-resistance amorphous silicon film 6a other than the drain electrode 8 forming region is etched, but the lower layer of the drain electrode 8 there is an amorphous silicon film 5a and the low-resistance amorphous silicon film 6a, the other pixel region only the amorphous silicon film 5a is left in.

その後、実施の形態1と同様の方法により、パッシベーション膜10、層間絶縁膜11、コンタクトホール12および反射画素電極13を形成してTFTアレイ基板を構成し、このTFTアレイ基板と対向基板に配向膜を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入することにより反射型液晶表示素子を構成する。 Thereafter, in the same manner as in the first embodiment, the passivation film 10, the interlayer insulating film 11 constitutes the TFT array substrate to form a contact hole 12 and the reflective pixel electrode 13, the alignment film in this TFT array substrate and the counter substrate It was formed after opposing constitute a reflection type liquid crystal display device by injecting a liquid crystal material therebetween.
なお、層間絶縁膜11を構成する感光性樹脂の露光時、感光性樹脂の表面に凹凸形状を形成する画素領域内には、前工程においてアモルファスシリコン膜5aが形成されてUV光に対して不透過となっているため、基板裏面の基板ホルダーからの反射光が抑制され、感光性樹脂に反射光等の不適当な光による感光が生じない。 Incidentally, during the exposure of the photosensitive resin constituting the interlayer insulating film 11, the pixel region to form the irregularities on the surface of the photosensitive resin, an amorphous silicon film 5a is formed to UV light in a previous step not since that is the transmission, the reflected light suppression from the substrate back surface of the substrate holder, the photosensitive does not occur due to improper light such as reflection light to the photosensitive resin.
本実施の形態によっても、従来プロセスを変更することなく実施の形態1と同様の効果が得られる。 Also according to this embodiment, the same effect as in the first embodiment without changing the conventional process is obtained.

この発明の実施の形態1による液晶表示装置のTFTアレイ基板を示す概略平面図である。 According to the first embodiment of the present invention is a schematic plan view showing a TFT array substrate of the liquid crystal display device. この発明の実施の形態1による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。 According to Embodiment 1 of the present invention is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display device. アモルファスシリコン膜の膜厚と紫外線透過率の関係を示す図である。 Is a diagram showing the relationship between the thickness and the ultraviolet transmissivity of the amorphous silicon film. この発明の実施の形態1による他の液晶表示装置のTFTアレイ基板の一部を示す断面図である。 It is a cross-sectional view of a portion of a TFT array substrate of another liquid crystal display device according to a first embodiment of the invention. この発明の実施の形態2による液晶表示装置のTFTアレイ基板を説明するための平面図である。 According to the second embodiment of the invention is a plan view for a TFT array substrate illustrating the liquid crystal display device. この発明の実施の形態3による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。 According to a third embodiment of the present invention is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display device. この発明の実施の形態4による液晶表示装置のTFTアレイ基板を示す概略平面図である。 According to a fourth embodiment of the present invention is a schematic plan view showing a TFT array substrate of the liquid crystal display device. この発明の実施の形態4による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。 According to a fourth embodiment of the present invention is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display device. この発明の実施の形態4による他の液晶表示装置のTFTアレイ基板を示す概略平面図である。 It is a schematic plan view showing a TFT array substrate of another liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 絶縁性基板、1a 透明絶縁性基板、1b UV吸収膜、 1 insulating substrate, 1a transparent insulating substrate, 1b UV absorbing film,
1c 絶縁層、2 ゲート電極配線、2a ゲート電極、3 共通電極配線、 1c insulating layer, 2 a gate electrode wiring, 2a gate electrode, 3 the common electrode line,
4 ゲート絶縁膜、5 半導体層、5a アモルファスシリコン膜、 4 gate insulating film, 5 the semiconductor layer, 5a amorphous silicon film,
6 オーミックコンタクト層、6a 低抵抗アモルファスシリコン膜、 6 ohmic contact layer, 6a low-resistance amorphous silicon film,
7 ソース電極配線、7a ソース電極、8 ドレイン電極、 7 a source electrode wiring, 7a source electrode, 8 a drain electrode,
9 チャネル部、10 パッシベーション膜、11 層間絶縁膜、 9 channel unit, 10 passivation film, 11 an interlayer insulating film,
12 コンタクトホール、13 反射画素電極、14 表示部、 12 a contact hole, 13 the reflective pixel electrode, 14 a display unit,
15 端子部、17 マスク、18 UVカットフィルム。 15 terminal portion 17 masks, 18 UV cut film.

Claims (3)

  1. 透明もしくは着色されたUVカットガラスで構成された絶縁性基板と、 An insulating substrate made of a transparent or colored UV-cut glass,
    上記絶縁性基板上に形成された走査線、走査電極および共通電極配線と、 The insulating formed scanning lines on a substrate, a scan electrode and a common electrode line,
    上記走査線、走査電極および共通電極配線上に形成された絶縁膜と、 The scanning lines, an insulating film formed on the scanning electrode and the common electrode on the wiring,
    上記絶縁膜を介して上記走査電極上に形成された半導体層と、 A semiconductor layer formed on the scanning electrodes through the insulating film,
    上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の電極、および第一の電極と接続された信号線と、 A first electrode and a second electrode, and the first electrode and the signal line connected to the semiconductor element with the semiconductor layer,
    上記第一の電極、第二の電極および信号線上に形成され、表面に凹凸を有する層間絶縁膜と、 The first electrode is formed on the second electrode and the signal line, an interlayer insulating film having an uneven surface,
    上記層間絶縁膜上にこの層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、上記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記第二の電極と電気的に接続された反射金属膜からなる反射画素電極を有する第一の基板と、 Which has a shape in which the interlayer is formed on the insulating film in the interlayer insulating film surface unevenness has been transferred, it is electrically connected to the second electrode via a contact hole provided in the interlayer insulating film a first substrate having a reflective pixel electrode made of a reflective metal film,
    上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板とを備え、 And a second substrate sandwiching a liquid crystal material together with the first substrate,
    上記絶縁性基板はUV光に対して不透過な状態に処理されていることを特徴とする液晶表示装置。 The insulating substrate is a liquid crystal display apparatus characterized by being processed in an opaque state to UV light.
  2. 少なくともいずれか一方には電極が形成されているUVカットガラスと透明絶縁性基板を対向させて接着すると共に、上記UVカットガラスと透明絶縁性基板の間には液晶材料が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 While adhering to face the UV cut glass and a transparent insulating substrate electrode on at least one is formed, a liquid crystal display in which liquid crystal material is sandwiched between the UV cut glass and a transparent insulating substrate the method of manufacturing a device,
    上記UVカットガラス上に走査線、走査電極および共通電極配線を形成する工程と、 Forming a scanning line, the scanning electrodes and the common electrode wiring on the UV-cut on the glass,
    上記走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、 Forming an insulating film above the scanning line, the scanning electrode and the common electrode on the wiring,
    上記走査電極上に上記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、 Forming a semiconductor layer through the insulating film on the scanning electrodes,
    上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形成する工程と、 Forming a first electrode and a second electrode, and the signal lines of the semiconductor device with the semiconductor layer,
    上記第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を有する樹脂を塗布し、露光、現像処理によりコンタクトホールと表面に凹凸を有する層間絶縁膜を形成する工程と、 The first electrode, a step of a resin having photosensitivity on the second electrode and the signal line is applied, exposed to form an interlayer insulating film having an uneven contact hole and the surface by developing treatment,
    上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に反射金属膜を成膜し、パターニングして上記層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、上記第二の電極と上記コンタクトホールを介して電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 Forming a reflective metal film on the interlayer insulating film and the contact hole, which has a patterned unevenness formed in the interlayer insulating film surface is transferred shape, the second electrode and the contact hole method of manufacturing a liquid crystal display device which comprises a step of forming an electrically connected reflective pixel electrodes through.
  3. 少なくともいずれか一方には電極が形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着すると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 While adhering to face the two transparent insulating substrate to at least either one is the electrode is formed, between the two transparent insulating substrate of the liquid crystal display device in which liquid crystal material is held between in the manufacturing method,
    上記二枚の透明絶縁性基板の一方に走査線、走査電極および共通電極配線を形成する工程と、 Forming a scanning line, the scanning electrodes and the common electrode wiring on one of said two transparent insulative substrate,
    上記走査線、走査電極および共通電極配線上に絶縁膜を形成する工程と、 Forming an insulating film above the scanning line, the scanning electrode and the common electrode on the wiring,
    上記走査電極上に上記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、 Forming a semiconductor layer through the insulating film on the scanning electrodes,
    上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極と第二の電極、および信号線を形成する工程と、 Forming a first electrode and a second electrode, and the signal lines of the semiconductor device with the semiconductor layer,
    上記第一の電極、第二の電極および信号線上に感光性を有する樹脂を塗布する工程と、 A step of applying said first electrode, a resin having photosensitivity on the second electrode and the signal line,
    上記感光性を有する樹脂が塗布された透明絶縁性基板の裏面側にUVカットフィルムを貼り付ける工程と、 A step of attaching a UV cut film on the back side of the transparent insulating substrate resin is coated with the photosensitive,
    上記感光性を有する樹脂に露光処理を施す工程と、 A step of performing exposure processing on the resin having a photosensitive property,
    上記UVカットフィルムを剥離した後、現像処理を施しコンタクトホールと表面に凹凸を有する層間絶縁膜を形成する工程と、 After removing the UV-cut films, forming an interlayer insulating film having an uneven contact hole and the surface subjected to the development process,
    上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に反射金属膜を成膜し、パターニングして上記層間絶縁膜表面に形成された凹凸が転写された形状を有すると共に、上記第二の電極と上記コンタクトホールを介して電気的に接続された反射画素電極を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 Forming a reflective metal film on the interlayer insulating film and the contact hole, which has a patterned unevenness formed in the interlayer insulating film surface is transferred shape, the second electrode and the contact hole method of manufacturing a liquid crystal display device which comprises a step of forming an electrically connected reflective pixel electrodes through.
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