JP2007103797A - Resistor with lead and method of manufacturing same - Google Patents

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克己 高木
Naotoshi Miyazawa
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resistor with a lead which is located in a glass tube of a mercury vapor lamp and whose amount of produced gas is sufficiently little, even when its temperature rises at high temperature of approximate 400°C in lighting of the mercury vapor lamp. <P>SOLUTION: A conductive film 13 is formed on a surface of a ceramic substrate 12, and electrode caps 15 are fitted on the both ends of the ceramic substrate, and the resistor 11 with a lead is constructed in a manner such that a lead wire 16 is welded to an electrode cap. The resistor is heated at 350°C to 500°C, and is kept for 40 minutes to 5 hours. The process of heating the resistor 11 with a lead proceeds in inert atmosphere. The conductive film 13 of the resistor 11 with leads is exposed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、セラミック基体の表面に、炭素皮膜などの導電性皮膜が形成され、上記セラミック基体の両端に電極キャップが嵌め込まれ、上記電極キャップにリード線が溶接されたリード付き抵抗器に係り、特に水銀灯の内部に配置されて用いることができるリード付き抵抗器およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a leaded resistor in which a conductive film such as a carbon film is formed on the surface of a ceramic substrate, electrode caps are fitted to both ends of the ceramic substrate, and lead wires are welded to the electrode caps, In particular, the present invention relates to a leaded resistor that can be used in a mercury lamp and a method for manufacturing the same.

従来から、水銀灯のガラス管内に配置された点灯回路に、リード付き抵抗器が用いられている。水銀灯のガラス管内は、点灯中に約400℃という高温になり、また、抵抗器への通電により、リード付き抵抗器からガスが発生する。このガスの発生量が多いと、ガラス管内に曇りが発生したり、点灯回路へ悪影響を及ぼす等、正常な点灯状態を阻害することとなる。   Conventionally, a leaded resistor is used in a lighting circuit arranged in a glass tube of a mercury lamp. The glass tube of the mercury lamp reaches a high temperature of about 400 ° C. during lighting, and gas is generated from the leaded resistor by energizing the resistor. When the amount of gas generated is large, the normal lighting state is hindered, such as fogging in the glass tube and adverse effects on the lighting circuit.

ところで、高温、高湿の極めて劣悪な環境に用いられるリード付き炭素皮膜抵抗器に、炭素皮膜の一部をカッティングする工程の後に、100℃乃至200℃で10時間以上加熱する熱エージングのステップを付加することが知られている(特許文献1)。この特許文献によれば、上記熱エージングにより、カッティング部において炭素原子の結合力が弱められたことに起因する抵抗値変化を抑制し、抵抗値変化を小さくすることができ、耐候性信頼性が向上することが記載されている。
特開平2−73601号公報
By the way, a heat aging step of heating at 100 ° C. to 200 ° C. for 10 hours or more after a step of cutting a part of the carbon film on a leaded carbon film resistor used in an extremely poor environment of high temperature and high humidity. It is known to add (Patent Document 1). According to this patent document, due to the thermal aging, it is possible to suppress a change in resistance value due to weakening of the bonding force of carbon atoms in the cutting part, and to reduce the change in resistance value, and weather resistance reliability is improved. It is described that it improves.
JP-A-2-73601

しかしながら、上記熱エージングでは、水銀灯のガラス管内に配置されるリード付き抵抗器については、水銀灯の点灯中に約400℃の高温となるため、発生ガスの抑制という点では、必ずしも十分ではない。   However, in the thermal aging described above, the leaded resistor disposed in the glass tube of the mercury lamp reaches a high temperature of about 400 ° C. during the lighting of the mercury lamp, and thus is not necessarily sufficient in terms of suppressing the generated gas.

本発明は上述した事情に鑑みて為されたもので、リード付き抵抗器が水銀灯のガラス管内に配置され、水銀灯の点灯中に約400℃の高温となる場合にも、ガスの発生量が十分に小さいリード付き抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even when a leaded resistor is disposed in a glass tube of a mercury lamp and the temperature of the mercury lamp becomes high at about 400 ° C., a sufficient amount of gas is generated. An object of the present invention is to provide a small leaded resistor and a method of manufacturing the same.

上記課題を解決するため、本発明のリード付き抵抗器の製造方法は、セラミック基体の表面に導電性皮膜を形成し、セラミック基体の両端に電極キャップを嵌め込み、電極キャップにリード線を溶接して抵抗器を構成し、この抵抗器を350℃〜500℃の範囲に加熱し、40分〜5時間保持することを特徴とするものである。抵抗器を加熱する工程は、不活性雰囲気で行われることが好ましい。このリード付き抵抗器は、導電性皮膜が露出していることが好ましい。   In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a resistor with a lead according to the present invention includes forming a conductive film on the surface of a ceramic substrate, fitting electrode caps on both ends of the ceramic substrate, and welding lead wires to the electrode caps. A resistor is constituted, and this resistor is heated in a range of 350 ° C. to 500 ° C. and held for 40 minutes to 5 hours. The step of heating the resistor is preferably performed in an inert atmosphere. In this leaded resistor, the conductive film is preferably exposed.

上記本発明によれば、リード付き抵抗器を水銀灯内部の点灯時の温度と略等しいか、それ以上の温度で熱処理することで、十分な脱ガス処理が行える。このため、熱処理した製品では、400℃の温度に加熱した状態を1時間キープした場合のガスの発生量が、1×10−3hPaL以下となり、ガスの発生量を著しく低減できる。これにより、水銀灯のガラス管内に曇りが発生するなどの問題が生じない又は抑制できるリード付き抵抗器が提供され、水銀灯の信頼性向上に貢献することができる。 According to the present invention, sufficient degassing treatment can be performed by heat-treating the leaded resistor at a temperature substantially equal to or higher than the temperature when the mercury lamp is lit. For this reason, in the heat-treated product, the amount of gas generated when kept at a temperature of 400 ° C. for 1 hour is 1 × 10 −3 hPaL or less, and the amount of gas generated can be significantly reduced. As a result, a leaded resistor that can prevent or suppress problems such as fogging in the glass tube of the mercury lamp can be provided, and can contribute to improving the reliability of the mercury lamp.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明に係るリード付き抵抗器の一実施形態を示す図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a resistor with leads according to the present invention.

リード付き抵抗器11は、円柱状のセラミック基体12の表面に、炭素皮膜からなる導電性皮膜13が形成されている。導電性皮膜13には、トリミングのための切り溝14が設けられている。セラミック基体12の両端には、電極キャップ15が嵌め込まれ、導電性皮膜13と導通している。電極キャップ15には、リード線16が溶接部17により固定されている。ここで、電極キャップ15は、キャップの形状に加工した鉄の表面に、銅のメッキ膜と、ニッケルのメッキ膜を形成したものである。また、リード線16は、鉄線材に銅のメッキ膜を形成したものである。   In the leaded resistor 11, a conductive film 13 made of a carbon film is formed on the surface of a cylindrical ceramic substrate 12. The conductive film 13 is provided with a kerf 14 for trimming. Electrode caps 15 are fitted on both ends of the ceramic substrate 12 and are electrically connected to the conductive film 13. A lead wire 16 is fixed to the electrode cap 15 by a welded portion 17. Here, the electrode cap 15 is formed by forming a copper plating film and a nickel plating film on the iron surface processed into the shape of the cap. The lead wire 16 is formed by forming a copper plating film on an iron wire.

図示するように、リード付き抵抗器11は、通常の抵抗器が備える導電性皮膜13を被覆する外装絶縁樹脂層を備えず、導電性皮膜が露出している。これは、水銀灯のガラス管内は窒素ガスが密封された窒素雰囲気であるので、本来的に外装絶縁樹脂層の必要が無く、また、外装絶縁樹脂層からのガス発生を防止するためである。   As shown in the figure, the leaded resistor 11 does not include an exterior insulating resin layer that covers the conductive film 13 included in a normal resistor, and the conductive film is exposed. This is because the interior of the glass tube of the mercury lamp has a nitrogen atmosphere in which nitrogen gas is sealed, so that the exterior insulating resin layer is essentially unnecessary and gas generation from the exterior insulating resin layer is prevented.

リード付き抵抗器11は、セラミック基体12の表面に導電性皮膜13を形成し、セラミック基体の両端に電極キャップ15を嵌め込み、電極キャップにリード線16を溶接して抵抗器を構成した後、抵抗器を窒素ガス雰囲気中で、350℃〜500℃の範囲に加熱し、40分〜5時間保持して、脱ガス処理(熱処理)することにより形成されている。この高温の脱ガス処理により、400℃の温度に加熱した状態を1時間キープした場合のガス発生量が、1×10−3hPaL以下である、高温環境下でのガス発生量の極めて低いリード付き抵抗器が得られる。 The leaded resistor 11 is formed by forming a conductive film 13 on the surface of the ceramic substrate 12, fitting electrode caps 15 on both ends of the ceramic substrate, welding lead wires 16 to the electrode caps, and forming a resistor. The vessel is formed by heating in a nitrogen gas atmosphere to a range of 350 ° C. to 500 ° C., holding for 40 minutes to 5 hours, and degassing (heat treatment). By this high-temperature degassing treatment, the amount of gas generated when kept at a temperature of 400 ° C. for 1 hour is 1 × 10 −3 hPaL or less, and the amount of gas generated in a high-temperature environment is extremely low. An attached resistor is obtained.

上記熱処理の加熱温度は、一例として、図2に示すパターンを用いることが好ましい。まず約30分間、約50℃で加熱し、その後約1時間20分かけて50℃から約400℃まで加熱し、この状態で1時間キープする。その後、約3時間かけて温度が50℃まで低下するのを待ち、熱処理工程が完了する。   As an example of the heating temperature of the heat treatment, the pattern shown in FIG. 2 is preferably used. First, it is heated at about 50 ° C. for about 30 minutes, and then heated from 50 ° C. to about 400 ° C. over about 1 hour and 20 minutes, and kept in this state for 1 hour. Then, it waits for temperature to fall to 50 degreeC over about 3 hours, and a heat processing process is completed.

最高加熱温度は、実際に使用される条件(水銀灯では約400℃になる)に合わせて、又はこれよりも過酷な条件となるように加熱することが好ましい。あまりに低い温度では含有ガスの除去ができない。また、500℃以上の加熱は製品特性への影響を考慮すると適当でない。このことから含有ガスの除去は350℃〜500℃の範囲で加熱することが適当と考えられる。   It is preferable to heat the maximum heating temperature so as to match the conditions actually used (about 400 ° C. with a mercury lamp) or to be harsher conditions. The contained gas cannot be removed at too low a temperature. Further, heating at 500 ° C. or higher is not appropriate considering the influence on the product characteristics. Therefore, it is considered appropriate to remove the contained gas within the range of 350 ° C to 500 ° C.

キープする時間は、あまりに短時間では抵抗器に内包するガスの除去が十分にできないので、ガスの除去の進行状況をみて時間を設定することが好ましい。本実施例では約1時間としたが、長くても5時間程度であれば十分に内包するガスの除去が可能であると考えられる。このことからキープする時間は40分〜5時間の範囲にすることが適当と考えられる。   Since the gas contained in the resistor cannot be removed sufficiently in a short time, it is preferable to set the time in view of the progress of the gas removal. In this embodiment, the time is about 1 hour. However, if it is about 5 hours at the longest, it is considered that the gas contained therein can be sufficiently removed. Therefore, it is considered appropriate to keep the time in the range of 40 minutes to 5 hours.

熱処理する場合の雰囲気は、不活性雰囲気としている。これは、リード線の酸化防止のためであり、本実施例では窒素雰囲気で熱処理しているが、酸化が防止できれば、窒素雰囲気以外の不活性雰囲気で熱処理することも可能である。もう一つの理由としては、リード付き抵抗器が水銀灯のガラス管内で使用される条件とほぼ同じ状態(窒素雰囲気で使用される)で熱処理することが望ましいと考えられる。   The atmosphere for the heat treatment is an inert atmosphere. This is to prevent oxidation of the lead wire. In this embodiment, the heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere. However, if oxidation can be prevented, the heat treatment can be performed in an inert atmosphere other than the nitrogen atmosphere. As another reason, it may be desirable to heat-treat the leaded resistor in the same state as that used in the glass tube of the mercury lamp (used in a nitrogen atmosphere).

上記熱処理をした抵抗器と、しなかった抵抗器とに関して、ガスの発生に関する分析を行った。その結果、表1の結果が得られた。表1の「熱処理なし」は、炭素皮膜を形成したセラミック基体に、電極キャップを嵌め込み、リード線を溶接した抵抗器を、上記熱処理をすることなく、窒素雰囲気において400℃に加熱し、この状態で1時間キープした場合に発生したガスの成分と発生量である。表1の「熱処理あり」は、炭素皮膜を形成したセラミック基体に、電極キャップを嵌め込み、リード線を溶接した抵抗器を、上記図2のパターンにより熱処理(脱ガス処理)をして、その後、窒素雰囲気において400℃に加熱し、この状態で1時間キープした場合に発生したガスの成分と発生量である。   With respect to the resistor subjected to the heat treatment and the resistor not subjected to the heat treatment, an analysis relating to gas generation was performed. As a result, the results shown in Table 1 were obtained. “No heat treatment” in Table 1 means that a resistor in which an electrode cap is fitted on a ceramic substrate on which a carbon film is formed and a lead wire is welded is heated to 400 ° C. in a nitrogen atmosphere without performing the heat treatment. It is the component and the amount of gas generated when kept for 1 hour. “With heat treatment” in Table 1 shows that the resistor in which the electrode cap is fitted and the lead wire is welded to the ceramic substrate on which the carbon film is formed is heat-treated (degassed) according to the pattern shown in FIG. This is the component and amount of gas generated when heated to 400 ° C. in a nitrogen atmosphere and kept in this state for 1 hour.

Figure 2007103797
Figure 2007103797

ガスの発生量は可能な限り0に近いことが好ましいが、熱処理(脱ガス処理)により、400℃に加熱し、この状態で1時間キープした場合のガスの発生量が1×10−3hPaL以下とすることを目標においた。上記条件におけるガスの発生量を確認したところ、以上の結果であった。
熱処理しないもの=3.10×10−3hPaL
熱処理したもの =0.66×10−3hPaL
以上の通り、熱処理することでガスの発生量が約1/5に低下し、上記目標を達成したことが分かる。
The amount of gas generated is preferably as close to 0 as possible, but the amount of gas generated when heated to 400 ° C. by heat treatment (degassing treatment) and kept in this state for 1 hour is 1 × 10 −3 hPaL. The goal was to: When the amount of gas generated under the above conditions was confirmed, the above results were obtained.
Not heat-treated = 3.10 × 10 −3 hPaL
Heat treated = 0.66 × 10 −3 hPaL
As described above, it can be seen that the amount of gas generated is reduced to about 1/5 by the heat treatment, and the above target is achieved.

表2は、抵抗器の部分別、すなわち、炭素皮膜を形成したセラミック基体と、リード線と、電極キャップと、のそれぞれに対して、上記熱処理をすることなく、表1での分析と同じ条件で、ガスの成分と発生量を調べたものである。   Table 2 shows the same conditions as the analysis in Table 1 for each part of the resistor, that is, without performing the above heat treatment on each of the ceramic substrate on which the carbon film is formed, the lead wire, and the electrode cap. Then, the components of the gas and the generation amount are examined.

Figure 2007103797
Figure 2007103797

なお、以上の分析は、400℃で加熱したが、100℃程度で加熱した場合には、特にガスの発生は認められなかった。すなわち、例えば上記特許文献1の従来の熱処理方法では、水銀灯のガラス管内に配置する抵抗器には、脱ガス処理として、十分でないことが分かる。   In addition, although the above analysis heated at 400 degreeC, when heated at about 100 degreeC, generation | occurrence | production of gas was not recognized especially. That is, for example, in the conventional heat treatment method of Patent Document 1, it is understood that the resistor disposed in the glass tube of the mercury lamp is not sufficient as a degassing process.

各表から、発生するガスの主成分が判明した。また、表1からはCOの発生が多いことが判明した。表2からは電極キャップからのガス発生が多いことが判明した。これらのガス成分は、電極キャップのプレス加工の工程や、電極キャップおよびリード線へのメッキ工程によって、メッキ層に含まれてしまう、避けることのできない成分であると考えられる。また、表1と表2とで成分毎の発生量が異なる(例えば、Hは完成品では減少している。COは完成品では増加している。)ことから、リード線の溶接などの加熱を伴う工程がガスの付着に大きく影響を与えているものと考えられる。 From each table, the main components of the generated gas were found. Further, it was found from Table 1 that a large amount of CO 2 was generated. Table 2 shows that gas generation from the electrode cap is large. These gas components are considered to be unavoidable components that are contained in the plating layer by the electrode cap pressing process and the electrode cap and lead wire plating process. Moreover, since the amount of generation for each component is different between Table 1 and Table 2 (for example, H 2 is reduced in the finished product and CO 2 is increased in the finished product), lead wire welding, etc. It is considered that the process involving the heating of the gas greatly affects the adhesion of the gas.

導電性皮膜を形成したセラミック基体、リード線、電極キャップのそれぞれにガスの発生が認められることから、これらを組み立てて完成品とする前に、各部品の段階でそれぞれ又はまとめて熱処理しておくことも効果がある。また、表2から、特に電極キャップからのガス発生量が、2.10×10−3hPaLと高いことから、電極キャップのみを熱処理しても効果がある。更に、セラミック基体、リード線、電極キャップの全て又はいずれかを予め熱処理した後に、それぞれを組立てて完成品とし、この完成品を更に熱処理することにより、完成品としてのリード付き抵抗器全体からのガス発生量を減少させることに寄与する。ここで述べた熱処理の条件については、既に述べた条件と同様の条件が適用できる。 Since the generation of gas is recognized in each of the ceramic substrate, lead wire, and electrode cap on which the conductive film is formed, heat treatment is performed individually or collectively at the stage of each component before assembling them into a finished product. It is also effective. Further, from Table 2, since the amount of gas generated from the electrode cap is particularly high as 2.10 × 10 −3 hPaL, it is effective to heat treat only the electrode cap. Furthermore, after heat-treating all or any of the ceramic substrate, lead wire, and electrode cap in advance, each is assembled into a finished product, and the finished product is further heat treated to remove the entire leaded resistor from the finished product. Contributes to reducing gas generation. As the heat treatment conditions described here, the same conditions as those already described can be applied.

次に、本発明の一実施形態に係るリード付き抵抗器の製造方法について、図3を参照して説明する。
(工程1)導電性皮膜形成
セラミック基体を入れた真空高温炉の中で、炭化水素を熱分解させ、セラミック基体の表面に炭素皮膜を析出させる。
(工程2)組立て
セラミック基体の両端に電極キャップを圧入する。電極キャップは洗浄しておく。
(工程3)抵抗値による選別
この段階では、個々の製品の抵抗値が大きくばらついているため、次の抵抗値調整工程の効率化を図るため、抵抗値に応じて製品を数種に分類する。
(工程4)抵抗値調整
抵抗値を測定しつつ、カッターを用いて、セラミック基体の表面にらせん状の切込みを入れて炭素皮膜を除去し、抵抗値調整をする。レーザトリマーにより切込みを入れてもよい。
Next, a method for manufacturing a resistor with leads according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
(Step 1) Conductive film formation In a vacuum high-temperature furnace containing a ceramic substrate, hydrocarbons are pyrolyzed to deposit a carbon film on the surface of the ceramic substrate.
(Step 2) Assembling An electrode cap is pressed into both ends of the ceramic substrate. Wash the electrode cap.
(Process 3) Selection by resistance value At this stage, the resistance values of individual products vary widely, and therefore, in order to improve the efficiency of the next resistance value adjustment process, products are classified into several types according to the resistance value. .
(Step 4) Resistance Value Adjustment While measuring the resistance value, a spiral cut is made on the surface of the ceramic substrate using a cutter to remove the carbon film, and the resistance value is adjusted. A cut may be made by a laser trimmer.

(工程5)洗浄
電極キャップを圧入して、抵抗値調整を終了したセラミック基体を洗浄し、前工程で抵抗器表面に付着した残渣等を落とす。
(工程6)リード線溶接
溶接により、電極キャップにリード線を溶接する。いわゆる抵抗溶接(溶接継手部に大電流を流し、ここに発生する抵抗熱によって加熱し、圧力を加えて接合する)が適当である。
(工程7)熱処理(脱ガス処理)
窒素炉の中で加熱する。熱処理は、窒素雰囲気で、350℃〜500℃の範囲に加熱し、40分〜5時間キープする。この工程により抵抗器全体に内包したガスを除去する。
(工程8)電圧処理
定格電圧の5倍程度の電圧パルスを印加して、抵抗値の安定化を図る。
(工程9)検査、テーピング、包装
(Step 5) Cleaning An electrode cap is press-fitted to clean the ceramic substrate whose resistance value has been adjusted, and the residue and the like attached to the resistor surface in the previous step is removed.
(Step 6) Lead wire welding The lead wire is welded to the electrode cap by welding. So-called resistance welding (a large current is applied to the welded joint, heated by resistance heat generated here, and joined by applying pressure) is suitable.
(Step 7) Heat treatment (degassing treatment)
Heat in a nitrogen furnace. The heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere and heated in the range of 350 ° C. to 500 ° C. and kept for 40 minutes to 5 hours. By this step, the gas contained in the entire resistor is removed.
(Step 8) Voltage treatment A voltage pulse of about 5 times the rated voltage is applied to stabilize the resistance value.
(Process 9) Inspection, taping, packaging

上記の工程により、脱ガス処理されたリード付き抵抗器が完成する。この抵抗器は、水銀灯のガラス管内に配置され、約400℃の高温に曝されても、殆どガスを発生しないので、水銀灯の信頼性向上に貢献することは、上述したとおりである。   Through the above steps, the degassed leaded resistor is completed. As described above, this resistor contributes to the improvement of the reliability of the mercury lamp because it is disposed in the glass tube of the mercury lamp and hardly generates gas even when exposed to a high temperature of about 400 ° C.

なお、以上の説明は、炭素皮膜抵抗器の例について説明したが、金属皮膜抵抗器や酸化金属皮膜抵抗器等の他の導電性皮膜を備えたリード付き抵抗器についても、同様に適用が可能である。   In addition, although the above description demonstrated the example of the carbon film resistor, it can apply similarly also to the resistor with a lead provided with other conductive films, such as a metal film resistor and a metal oxide film resistor. It is.

これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。   Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.

本発明に係るリード付き抵抗器の一実施形態を示す正面図であり、セラミック基体の左端部分は、縦断面を示す断面図である。It is a front view showing one embodiment of a resistor with a lead concerning the present invention, and the left end part of a ceramic base is a sectional view showing a longitudinal section. 熱処理(脱ガス処理)の加熱温度のパターンを示す図であり、横軸は時間の経過を示し、縦軸は加熱温度を示す。It is a figure which shows the pattern of the heating temperature of heat processing (degassing process), a horizontal axis shows progress of time, and a vertical axis | shaft shows heating temperature. 本発明に係るリード付き抵抗器の製造工程の一実施形態を示すフロー図である。It is a flowchart which shows one Embodiment of the manufacturing process of the resistor with a lead concerning this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 リード付き抵抗器
12 セラミック基体
13 導電性皮膜
14 溝
15 電極キャップ
16 リード線
17 溶接部
11 Resistor with Lead 12 Ceramic Substrate 13 Conductive Film 14 Groove 15 Electrode Cap 16 Lead Wire 17 Welded Portion

Claims (8)

セラミック基体の表面に導電性皮膜を形成し、
前記セラミック基体の両端に電極キャップを嵌め込み、
前記電極キャップにリード線を溶接して抵抗器を構成し、
前記抵抗器を350℃〜500℃の範囲に加熱し、40分〜5時間保持することを特徴とするリード付き抵抗器の製造方法。
Form a conductive film on the surface of the ceramic substrate,
Fit electrode caps at both ends of the ceramic substrate,
A resistor is constructed by welding a lead wire to the electrode cap,
A method for manufacturing a leaded resistor, wherein the resistor is heated to a range of 350 ° C. to 500 ° C. and held for 40 minutes to 5 hours.
前記抵抗器を加熱する工程は、不活性雰囲気で行われることを特徴とする請求項1に記載のリード付き抵抗器の製造方法。   The method for manufacturing a resistor with leads according to claim 1, wherein the step of heating the resistor is performed in an inert atmosphere. 前記リード付き抵抗器は、導電性皮膜が露出していることを特徴とする請求項1に記載のリード付き抵抗器の製造方法。   The method for manufacturing a resistor with leads according to claim 1, wherein the conductive resistor film is exposed in the resistor with leads. 前記導電性皮膜は、炭素皮膜であることを特徴とする請求項1に記載のリード付き抵抗器の製造方法。   The method for manufacturing a resistor with a lead according to claim 1, wherein the conductive film is a carbon film. 前記電極キャップは、キャップの形状に加工した鉄の表面に、銅のメッキ膜と、ニッケルのメッキ膜を形成したものであることを特徴とする請求項1に記載のリード付き抵抗器の製造方法。   2. The method of manufacturing a resistor with a lead according to claim 1, wherein the electrode cap is formed by forming a copper plating film and a nickel plating film on an iron surface processed into a cap shape. . 前記リード線は、鉄からなる線材に、銅のメッキ膜を形成したものであることを特徴とする請求項1に記載のリード付き抵抗器の製造方法。   2. The method for manufacturing a leaded resistor according to claim 1, wherein the lead wire is formed by forming a copper plating film on a wire made of iron. 表面に導電性皮膜が形成されたセラミック基体と、前記セラミック基体の両端に嵌め込まれた電極キャップと、前記電極キャップの両端に溶接されたリード線と、を備えたリード付き抵抗器であって、
400℃の温度に加熱した状態を1時間キープした場合のガス発生量が、1×10−3hPaL以下であることを特徴とするリード付き抵抗器。
A leaded resistor comprising: a ceramic substrate having a conductive film formed on a surface thereof; an electrode cap fitted to both ends of the ceramic substrate; and a lead wire welded to both ends of the electrode cap;
A resistor with leads, wherein the amount of gas generated when kept in a state heated to 400 ° C. for 1 hour is 1 × 10 −3 hPaL or less.
前記リード付き抵抗器は、導電性皮膜が露出していることを特徴とする請求項7に記載のリード付き抵抗器。   The resistor with leads according to claim 7, wherein the conductive film is exposed in the resistor with leads.
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