JP2007103085A - Heating cooker - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、調理容器の温度を検出する温度検出手段を備えた加熱調理器に関する。 The present invention relates to a cooking device provided with temperature detecting means for detecting the temperature of a cooking container.
従来、誘導加熱調理器では、トッププレートの下方に鍋等の調理容器の温度を検出する
サーミスタなどの接触式温度センサを設けていた。この場合、接触式のため、トッププレ
ートを介した熱伝導により調理容器の温度を検出し、調理容器の急速な温度変化に対して
応答性が悪いため、実際の調理容器の温度と検出温度との間に大きな差が生じ、精度よい
調理容器温度の検出ができないという問題があった。
そこで上記問題を解決するために、トッププレートの下方に赤外線センサを設けて、調
理容器の底から発生する赤外線量を瞬時に検出することにより調理容器底面の急速な温度
変化に応答できる誘導加熱調理器が提供されている。
Conventionally, in an induction heating cooker, a contact type temperature sensor such as a thermistor for detecting the temperature of a cooking container such as a pan is provided below the top plate. In this case, since the temperature of the cooking container is detected by heat conduction through the top plate due to the contact type, and the response to the rapid temperature change of the cooking container is poor, the actual cooking container temperature and the detected temperature There was a problem that a large difference occurred between the two and the temperature of the cooking container could not be detected accurately.
Therefore, in order to solve the above problem, an induction heating cooker that can respond to a rapid temperature change at the bottom of the cooking vessel by providing an infrared sensor below the top plate and instantaneously detecting the amount of infrared rays generated from the bottom of the cooking vessel. A bowl is provided.
ただ、赤外線センサをトッププレートの下方に設けた誘導加熱調理器では、当該赤外線
センサは、トッププレートなど調理容器以外の部品から発せられる赤外線量も検出してし
まうという問題があった。さらには、調理容器は固有の放射率が決まっているため、その
放射率が分からないと赤外線を放射している箇所の温度を正確に計算できないという問題
があった。
However, in the induction heating cooker in which the infrared sensor is provided below the top plate, the infrared sensor has a problem in that it also detects the amount of infrared rays emitted from parts other than the cooking container such as the top plate. Furthermore, since the emissivity specific to the cooking container is determined, there is a problem that the temperature of the portion emitting infrared rays cannot be accurately calculated unless the emissivity is known.
そこでこれら問題を解決するために主々の補正方法が考えられている。
例えば、特許文献1に示されているように、トッププレート下に赤外線センサを2つ備
えて、ひとつは、調理容器の直下に設けて、調理容器とトッププレートとから発せられる
赤外線の合計量を検出し、もう一方を黒体塗料が塗布されたトッププレート下に設けて、
トッププレート単体から発せられる赤外線量を検出し、これら赤外線量の差分を求めるこ
とにより調理容器単体から発せられる赤外線量を補正して求め、調理容器の温度を算出す
る誘導加熱調理器がある。
In order to solve these problems, main correction methods have been considered.
For example, as shown in
There is an induction heating cooker that detects the amount of infrared rays emitted from a single top plate and finds the difference between the amounts of infrared rays to correct the amount of infrared rays emitted from the cooking vessel alone and calculates the temperature of the cooking vessel.
さらに特許文献2に示されている誘導加熱調理器では、予め調理容器の材質に対応する
放射率を与えるデータベースを制御部に記憶させておき、調理容器をトッププレートに載
置し、加熱コイルに電流を流している時に加熱コイルのインピーダンスを測定することに
より当該調理容器の材質を推測判定し、この材質に対応した放射率を当該データベースか
ら求め、この放射率に基いて赤外線センサが受光した赤外線量を補正して調理容器の温度
を算出している。
しかし、特許文献1に示す誘導加熱調理器では、調理容器の放射率を測定しておらず、
この放射率による赤外線量の補正をしていないため、正確な赤外線量を測れていない。そ
のため正確な調理容器の底面温度を計測することができていないという問題を有する。
However, in the induction heating cooker shown in
Since the amount of infrared rays is not corrected by this emissivity, the amount of infrared rays cannot be measured accurately. Therefore, there is a problem that the bottom surface temperature of the cooking container cannot be measured accurately.
また特許文献2に示す誘導加熱調理器では、加熱コイルのインピーダンスによって調理
容器の材質を推測し調理容器の底面温度を求めているが、加熱コイルのインピーダンスは
調理容器の材質と調理容器の径によって決定するため、径を測定する手段を有してない場
合は材質を特定できない場合がある。特に鉄にアルミを挟んだ多層鍋等などは、インピー
ダンスによって材質を特定することは困難である。
In addition, in the induction heating cooker shown in
さらに、インピーダンスを測定し、調理容器の材質を特定した場合では、例えばその調
理容器の底面が焦げ付いているときに、その焦げ付いた調理容器自体のインピーダンスは
予めデータベースに記憶しているその調理容器の材質のものと異なる値であるため、誤っ
た材質を特定してしまい、その材質に対応する放射率は誤ったものとなる。したがって調
理容器の加熱温度を求める際に誤差が生じる場合がありうる。
Further, when the impedance is measured and the material of the cooking container is specified, for example, when the bottom surface of the cooking container is burnt, the impedance of the cooked cooking container itself is the impedance of the cooking container stored in the database in advance. Since the value is different from that of the material, the wrong material is specified, and the emissivity corresponding to the material is wrong. Therefore, an error may occur when obtaining the heating temperature of the cooking container.
すなわち特許文献2に示すように調理容器の温度を測定しても、調理容器の放射率は、
データベースの放射率と異なった値の場合があり、正確に温度が測れない場合がありうる
。
That is, even if the temperature of the cooking container is measured as shown in
The value may be different from the emissivity of the database, and the temperature may not be measured accurately.
また、調理容器の材質として、データベースに記憶されていない材質の調理容器が使用
される場合は、測定したインピーダンス値に該当するデータがデータベースに存在しない
ため、調理容器の放射率を導くことができない。そのため、データベースに記憶されてい
ない材質の調理容器で調理するときは、正確に温度が測れない場合もありうる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は調理容器の温度を正確に算
出することができる加熱調理器を提供することである。
Further, when a cooking container of a material not stored in the database is used as the material of the cooking container, the data corresponding to the measured impedance value does not exist in the database, so that the emissivity of the cooking container cannot be derived. . Therefore, when cooking with a cooking container made of a material not stored in the database, the temperature may not be measured accurately.
This invention is made | formed in view of the said situation, The objective is to provide the heating cooker which can calculate the temperature of a cooking container correctly.
上記目的を達成するために、本発明による加熱調理器は、調理容器が載置されるトップ
プレートと、前記調理容器を加熱する加熱手段と、前記調理容器が載置される部位の前記
トッププレートの温度を測定する第1の温度検知手段と、前記調理容器の赤外線量を検出
する赤外線センサと、前記調理容器に対応する放射率を与えるデータベースを有する制御
部とを具備し、前記制御部は、前記赤外線センサが検出する前記調理容器から放射された
赤外線量と予め前記制御部に記憶させてある所定の定数とにより当該赤外線量検出時にお
ける前記調理容器の第1の仮想温度を算出する第1の仮想温度算出ステップと、前記第1
の仮想温度から所定時間後の前記調理容器の放射する赤外線量を検出し第2の仮想温度を
算出する第2の仮想温度算出ステップと、これら第1の仮想温度と第2の仮想温度と前記
所定時間とにより、前記調理容器の仮想温度上昇速度を算出する仮想温度上昇速度算出ス
テップと、前記第1の温度検知手段により、前記調理容器の赤外線量検出時と同時刻の前
記トッププレートの温度を測定する第1のトッププレート温度測定ステップと、前記第1
の温度検知手段により、前記所定時間後の調理容器の赤外線量検出時と同時刻の前記トッ
ププレートの温度を測定する第2のトッププレート温度測定ステップと、前記第1のトッ
ププレート温度と前記第2のトッププレート温度と前記所定時間とにより前記トッププレ
ートの温度上昇速度を算出する温度上昇速度算出ステップと、前記仮想温度上昇速度と前
記トッププレートの温度上昇速度との割合を算出する温度上昇速度割合算出ステップと、
前記データベースから、前記温度上昇速度割合算出ステップで算出した前記温度上昇速度
割合に対応する放射率を抽出する調理容器放射率推定ステップと、前記赤外線センサで検
出する前記調理容器から放射された赤外線量と前記放射率推定ステップで推定した前記放
射率とにより前記調理容器の温度を算出する温度算出ステップと、この算出した調理容器
の温度に基づいて前記調理容器の加熱制御をするステップと、を有することを主たる特徴
とする。
In order to achieve the above object, a cooking device according to the present invention comprises a top plate on which a cooking container is placed, a heating means for heating the cooking container, and the top plate at a site on which the cooking container is placed. First temperature detecting means for measuring the temperature of the cooking container, an infrared sensor for detecting the amount of infrared rays in the cooking container, and a control unit having a database for providing an emissivity corresponding to the cooking container, The first virtual temperature of the cooking container at the time of detecting the amount of infrared rays is calculated based on the amount of infrared rays radiated from the cooking vessel detected by the infrared sensor and a predetermined constant stored in the control unit in advance. 1 virtual temperature calculation step, and the first
A second virtual temperature calculating step of calculating a second virtual temperature by detecting the amount of infrared rays emitted from the cooking container after a predetermined time from the virtual temperature of the first virtual temperature, the second virtual temperature, The virtual temperature rise rate calculating step for calculating the virtual temperature rise rate of the cooking container according to a predetermined time, and the temperature of the top plate at the same time as when the infrared amount of the cooking container is detected by the first temperature detection means. A first top plate temperature measuring step for measuring the first top plate temperature;
A second top plate temperature measuring step of measuring the temperature of the top plate at the same time as the detection of the infrared amount of the cooking container after the predetermined time, the first top plate temperature and the first A temperature increase rate calculating step for calculating a temperature increase rate of the top plate based on the top plate temperature of 2 and the predetermined time; and a temperature increase rate for calculating a ratio between the virtual temperature increase rate and the temperature increase rate of the top plate A percentage calculation step;
A cooking container emissivity estimation step for extracting an emissivity corresponding to the temperature increase rate ratio calculated in the temperature increase rate ratio calculation step from the database, and an infrared ray amount radiated from the cooking container detected by the infrared sensor And a temperature calculating step of calculating the temperature of the cooking container based on the emissivity estimated in the emissivity estimating step, and a step of controlling heating of the cooking container based on the calculated temperature of the cooking container. This is the main feature.
本発明によれば、赤外線センサで検出された赤外線量と所定の定数とに基づいて算出さ
れた調理容器の仮想温度上昇速度と、第1の温度検出手段で測定したトッププレートの温
度上昇速度との温度上昇速度の割合に対応する放射率が収集されたデータベースに基づい
て、調理容器の放射率を抽出するため、正確な放射率が推定でき、その放射率と赤外線セ
ンサが検出した赤外線量とに基づいて正確な調理容器の温度が算出できる。
According to the present invention, the virtual temperature rise rate of the cooking container calculated based on the amount of infrared rays detected by the infrared sensor and a predetermined constant, and the temperature rise rate of the top plate measured by the first temperature detection means Because the emissivity of the cooking container is extracted based on a database in which the emissivity corresponding to the rate of temperature rise is collected, accurate emissivity can be estimated, and the emissivity and the amount of infrared detected by the infrared sensor The exact temperature of the cooking container can be calculated based on the above.
また、加熱コイルのインピーダンス値を測定し調理容器の材質の判定をしないで、温度
上昇速度割合に対応する放射率を与えるデータベースによって調理容器の放射率を推定し
ているため、その調理容器の誤った放射率を導くことがなく、いかなる調理容器の温度も
算出することができる。
In addition, the emissivity of the cooking container is estimated by a database that provides the emissivity corresponding to the rate of temperature rise without measuring the impedance value of the heating coil and determining the material of the cooking container. The temperature of any cooking vessel can be calculated without introducing any emissivity.
本発明に係る加熱調理器を誘導加熱調理器に適用した一実施例について、図1乃至図9
を参照して説明する。
図2は、誘導加熱調理器の全体の縦断面を概略的に示している。また図3は、誘導加熱
調理器の全体の上面図を概略的に示している。図1は透過部周辺部の拡大図である。
FIG. 1 thru | or FIG. 9 about one Example which applied the heating cooker which concerns on this invention to the induction heating cooker.
Will be described with reference to FIG.
FIG. 2 schematically shows the entire longitudinal section of the induction heating cooker. FIG. 3 schematically shows a top view of the entire induction heating cooker. FIG. 1 is an enlarged view of the periphery of the transmission part.
加熱調理器の本体1は、ケース2と、このケース2の上面を覆うトッププレート3とで
構成されている。
またこのトッププレート3には、加熱手段である加熱コイル11の中心に対応する位置
(加熱部)に、後述する円形状の透過部4が設けられていて、その透過部4を中心として
磁性材の調理容器A(図2のみ図示。)が載置されるようになっている。
またこのトッププレート3は、8〜14μmの波長領域の赤外線が透過しにくいガラス
材質で形成されている。
The
Further, the top plate 3 is provided with a circular transmission part 4 described later at a position (heating part) corresponding to the center of the
The top plate 3 is made of a glass material that hardly transmits infrared light in the wavelength region of 8 to 14 μm.
そしてケース2の内部には、トッププレート3の下方近くに加熱コイルユニット10が
左右に並設されている。各加熱コイルユニット10は、誘導加熱をする加熱コイル11と
、加熱コイル11を支持するコイルベース12とで主に構成されている。
Inside the
またさらにケース2の内部には、加熱コイル11を駆動する駆動部35(図4のみ図示
。)や、記憶部37や、マイクロコンピュータを有する制御部36(図4のみ図示。)等
が設けられている。
そしてケース2の前方側面には、操作パネル39が設けられており、前記加熱コイル1
1の出力スイッチが設けられていると共に、加熱コイル11の出力調節ダイヤル、温度設
定キー等(いずれも図示せず。)が設けられている。
Further, inside the
An
1 is provided with an output adjustment dial for the
さらにトッププレート3上にはこれら操作パネル39で設定した加熱条件の情報がトッ
ププレート3の下方に位置するLED等で報知されるよう表示部40が構成されている。
Furthermore, a
ここで、上記加熱コイルユニット10の具体的構成について、図1、図2および図3を
参照して説明する。
まず、加熱コイル11は、環状の内周側加熱コイル13と同心円状で環状の外周側加熱
コイル14とで構成されている。内周側加熱コイル13の中央には、所定の中央中間部1
5があり、また内周側加熱コイル13と外周側加熱コイル14の間は乖離しており、環状
に隙間部16が形成されている。
またこれら加熱コイル11は、円板状のコイルベース12に載置支持されており、この
コイルベース12には赤外線センサ20等の温度検出手段が設けられている。
Here, a specific configuration of the
First, the
5, and the inner
The
コイルベース12の中央であって、加熱コイル11の中央中間部15内には、例えばサ
ーモパイル式の赤外線センサ20が、上面が透過部4に対向するように設けられている。
この赤外線センサ20は、上面に受光部が設けられており、この受光部で、赤外線を受光
し赤外線量を測定できるように構成されている。
A thermopile
The
また赤外線センサ20の受光部21は、透過部4に比べて面積が小さい円形状をしてお
り、透過部4から当該受光部21の間の空間が筒状部材である円筒状の金属筒22で囲繞
されるようにして設けられている。
この金属筒22は透過部4以外からの赤外線が受光部21に入射することを遮断するた
めのもので、例えば放射率が低いアルミで形成されている。
また、金属筒22と赤外線センサ20の間には光学レンズのフィルタ23が設けられて
おり、トッププレート3で透過しにくい8〜14μmの波長領域の赤外線のみ通過できる
ような材質で形成されている。
The
The
An
また前記透過部4の近傍であって、金属筒22の外側には第1の温度検知手段である第
1の接触式温度センサ30(例えばサーミスタ)が、トッププレート3に接触するように
配設されている。
そして、内周側加熱コイル13と外周側加熱コイル14との間の隙間部16には、トッ
ププレート3に接触して、トッププレート3の温度が測定できるように第2の温度検知手
段である第2の接触式温度センサ31(例えばサーミスタ)が配設されている(図2参照
)。
A first contact temperature sensor 30 (for example, a thermistor), which is a first temperature detecting means, is disposed in the vicinity of the transmission portion 4 and outside the
The
ここで、前述した透過部4について説明する。
この透過部4の材質は、シリコンで形成されており、この透過部4の放射率のデータが
記憶部37(図4のみ図示)に予め記憶されている。そして材質がシリコンであるため8
〜14μmの波長領域の赤外線を60%透過する特徴を有している。すなわちこのシリコ
ンは、調理容器Aの底面から放出された赤外線の内、透過部4を透過した赤外線の波長領
域の中で、8〜14μmの波長領域の赤外線は、60%だけ透過部4を透過できるもので
ある。
そして透過部4を通過した赤外線のうち、8〜14μmの波長領域の赤外線だけが、赤
外線センサ20の受光部21直上に設けたフィルタ23のフィルタリングによって入射で
き、結局赤外線センサ20が受光する赤外線は、調理容器A底面から放出された赤外線の
うち、8〜14μmの波長領域の赤外線量のうち60%の量となる。
Here, the transmission part 4 mentioned above is demonstrated.
The material of the transmission part 4 is made of silicon, and the emissivity data of the transmission part 4 is stored in advance in the storage unit 37 (only FIG. 4 is shown). And since the material is silicon, 8
It has a feature of transmitting 60% of infrared light in a wavelength region of ˜14 μm. In other words, among the infrared rays emitted from the bottom surface of the cooking container A, the silicon in the infrared wavelength range of 8 to 14 μm is transmitted through the transmission portion 4 by 60%. It can be done.
Of the infrared rays that have passed through the transmission unit 4, only infrared rays having a wavelength region of 8 to 14 μm can be incident by filtering of the
つづいて、本実施例に係る誘導加熱調理器の電気的構成を示す。
図4は本実施例の電気的構成を示すブロック図で、主に制御部36と駆動部35、操作
パネル39、および表示部40で構成されている。
この制御部36は、赤外線センサ20や第1及び第2の接触式温度センサ等のデータを
演算し温度算出等を行うとともに、操作パネル39から入力された調理条件に基いたコイ
ルの加熱制御、また表示部40に調理容器底面温度Tmを報知するなど加熱調理器全体の
制御等を行い、マイクロコンピュータや、データベース38と透過部4の放射率ehのデ
ータなどを記憶する記憶部37等で構成されている。
また駆動部35は、この制御部36の命令により加熱コイル11に入力する電圧を制御
して、加熱量を調整する機能をしている。
It continues and shows the electrical constitution of the induction heating cooking appliance which concerns on a present Example.
FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the present embodiment, which mainly includes a
The
The
ここで制御部36に記憶されたデータベース38について図5を参照して説明する。
図5に示すデータベース38は、このデータベース38を基に調理容器底面の温度を正
確に計測するためのものであって、温度上昇速度割合Uと、温度上昇速度割合Uに対応す
る放射率enとを実験で収集したデータを基に作成したものである。
この温度上昇速度割合Uとは、トッププレート3の温度上昇速度と、放射率を1(所定
の定数に該当)と仮定した場合に赤外線センサ20で検知した調理容器仮想温度の上昇速
度との割合をしめす数値である。
これらデータベース38のデータ収集方法は、すべて実験により測定した温度データお
よび赤外線量に基づいて作成されたものであり、具体的には、調理容器Aをトッププレー
ト3の上に載置して、調理容器A直下のトッププレート3の温度上昇速度を測定しデータ
を収集する。
その時に調理容器の底面から放出される赤外線量を赤外線センサ等で受光し、この受光
した赤外線量に基づき、この段階では実際の放射率が不明のためこの調理容器底面を黒体
と仮定して(放射率を1とし)調理容器仮想温度を算出する。またこれを参照して調理容
器仮想温度の温度上昇速度を収集する。
Here, the
The
This temperature increase rate ratio U is the ratio between the temperature increase rate of the top plate 3 and the increase rate of the cooking container virtual temperature detected by the
The data collection methods of these
At that time, the amount of infrared rays emitted from the bottom surface of the cooking container is received by an infrared sensor or the like. Based on the amount of received infrared light, the actual emissivity is unknown at this stage, so the bottom surface of the cooking container is assumed to be a black body. (Emissivity is 1) The cooking container virtual temperature is calculated. Moreover, the temperature rise rate of cooking container virtual temperature is collected with reference to this.
そしてこれらトッププレート3の温度上昇速度と調理容器仮想温度の温度上昇速度との
割合を求めた数値を温度上昇速度割合Uとして収集する。
さらにこのときの実際の調理容器Aの底面温度を測定して、その調理容器底面温度と前
記赤外線センサ20が受光した赤外線量に基づいて、放射率enを計算して求める。
このようにして収集した温度上昇速度割合Uに対応する放射率enをデータベース38
として記憶部37に記憶させている。なお、このときの温度上昇速度割合Uと、対応する
調理容器底面の放射率enには、1対1の相関性がある。
And the numerical value which calculated | required the ratio of the temperature rise rate of these top plates 3 and the temperature rise rate of cooking container virtual temperature is collected as the temperature rise rate ratio U.
Further, the bottom temperature of the actual cooking container A at this time is measured, and the emissivity en is calculated and obtained based on the bottom temperature of the cooking container and the amount of infrared light received by the
The emissivity en corresponding to the temperature increase rate ratio U collected in this way is obtained as a
Is stored in the
ここで、このデータベース38を使用して、加熱時の調理容器底面温度を測定する方法
について、図6と図7を基に説明する。
図6は、調理容器底面温度を測定する制御フローチャートである。図7は制御フローチ
ャートに基づく温度グラフである。
まず調理物Bが収納された状態の調理容器Aが、トッププレート3の加熱コイル11上
方の位置(加熱部)に載置される。
つづいて操作パネル39の加熱スイッチを押して、加熱コイル11に高周波電流を供給
して磁界を発生させると、この磁界により調理容器Aに渦電流が流れ、この渦電流と調理
容器A自体の電気抵抗とで調理容器Aは温度上昇し、調理物Bに効率よい加熱が行える(
S1)。
Here, a method for measuring the bottom temperature of the cooking container during heating using the
FIG. 6 is a control flowchart for measuring the cooking container bottom surface temperature. FIG. 7 is a temperature graph based on the control flowchart.
First, the cooking container A in a state where the food B is stored is placed at a position (heating unit) above the
Subsequently, when a heating switch of the
S1).
そして調理容器Aが加熱されて熱をもつと、この調理容器Aの底面からトッププレート
3下方向に赤外線が放射される。
また調理容器Aの温度上昇に伴い調理容器Aが載置されているトッププレート3に調理
容器Aの熱が伝導していく。さらにこれとほぼ同時に調理容器Aの直下にある透過部4に
も熱が伝導し、この透過部4からも赤外線が放射されるようになる。
When the cooking container A is heated and heated, infrared rays are emitted from the bottom surface of the cooking container A downward to the top plate 3.
Further, as the temperature of the cooking container A rises, the heat of the cooking container A is conducted to the top plate 3 on which the cooking container A is placed. Furthermore, almost simultaneously with this, heat is conducted also to the transmission part 4 immediately below the cooking container A, and infrared rays are emitted from the transmission part 4.
そして加熱コイル11に高周波電流を供給してから、予め設定してある所定時間t1が
過ぎると(例えば加熱開始後40秒経過時)、赤外線センサ20に赤外線を検出させ、赤
外線量E1を計測する(S2)。なお透過部4から受光部21までは金属筒22に囲繞さ
れているため、この赤外線センサ20が検出する赤外線は、調理容器Aの底面から放射さ
れて透過部4を透過した赤外線と、その透過部4から放射される赤外線のみとなる。すな
わち赤外線センサ20が検出する赤外線量は、調理容器Aの底面から放射されて透過部4
を透過した赤外線と、その透過部4から下方に放射される赤外線との合計量E1となる。
When a predetermined time t1 passes after the high frequency current is supplied to the heating coil 11 (for example, when 40 seconds have elapsed after the start of heating), the
The total amount E1 of the infrared rays transmitted through the infrared ray and the infrared rays emitted downward from the transmission portion 4.
次に、この赤外線センサ20に赤外線を検出させると同時に、第1の接触式温度センサ
30によりトッププレート3と第1の接触式温度センサ30との接触部分の温度Thを測
定する。この接触部分の温度測定部位は透過部4に近い位置にあるため、この接触部分の
温度を透過部4の温度に代用して用いる(S3)。そして予め記憶部37に記憶させてい
る透過部4の放射率ehを抽出する(S4)。
Next, at the same time that the
そこで、制御部36は、ステファンボルツマンの式に当該透過部4の温度Thと透過部
4の放射率ehを代入することで、透過部4だけから放射される赤外線量E2を計算によ
り求める(透過部赤外線量算出ステップ)(S5)。
そして、赤外線センサ20が受光した調理容器Aの底面および透過部4から放出された
赤外線合計量E1と、計算して求めた透過部4だけから放射される赤外線量E2の差分を
とることにより、調理容器Aの底面だけから放出されて透過部4を透過した赤外線量E3
を算出する(第1の赤外線量補正ステップ)(S6)。
Therefore, the
And by taking the difference of the infrared rays amount E2 radiated | emitted only from the permeation | transmission part 4 calculated | required by the infrared rays total amount E1 emitted from the bottom face of the cooking vessel A and the permeation | transmission part 4 which the
Is calculated (first infrared ray amount correcting step) (S6).
またこの赤外線量E3は、透過率が60%であるシリコン性の透過部4を通過している
ため、その透過率で除することで補正をし、調理容器Aの底面から放出される赤外線量E
4を得る(第2の赤外線量補正ステップ)(S7)。
つづいて、上記のようにして得た調理容器Aの底面から放出される正確な赤外線量E4
に基づいて、放射率を1と仮定した場合の調理容器A底面の仮想温度(以後、調理容器仮
想温度とも称す。)を求める。
Moreover, since this infrared ray amount E3 passes through the silicon transmission portion 4 having a transmittance of 60%, it is corrected by dividing by the transmittance, and the infrared ray amount emitted from the bottom surface of the cooking container A. E
4 is obtained (second infrared ray amount correcting step) (S7).
Subsequently, an accurate infrared ray amount E4 emitted from the bottom surface of the cooking container A obtained as described above.
Based on the above, a virtual temperature of the bottom surface of the cooking container A when the emissivity is assumed to be 1 (hereinafter also referred to as a cooking container virtual temperature) is obtained.
そこで、ステファンボルツマンの式に所定の定数を1仮定して記憶部に記憶させた放射
率と赤外線量E4とを代入して、放射率を1と仮定した場合の第1の仮想温度である調理
容器仮想温度Ti1を求める(第1の仮想温度算出ステップ)(図6、図7参照)。
すなわちこれは、調理容器Aの底面が黒体であると仮定した場合に、調理容器底面から
放出される赤外線量E4に基づき、調理容器底面の温度は何度であるか算出したものであ
る。
Therefore, by substituting the emissivity stored in the storage unit and the amount of infrared rays E4 by assuming a predetermined constant in the Stefan Boltzmann equation, cooking is the first virtual temperature when the emissivity is assumed to be 1. The container virtual temperature Ti1 is obtained (first virtual temperature calculation step) (see FIGS. 6 and 7).
That is, this is a calculation of how many times the temperature of the bottom surface of the cooking container is based on the amount of infrared rays E4 emitted from the bottom surface of the cooking container, assuming that the bottom surface of the cooking container A is a black body.
そして所定時間Δtが経過し、経過時間t2となったときに再びステップS3からステ
ップS7を繰り返して経過時間t2時の第2の仮想温度である調理容器仮想温度Ti2を
求める(第2の仮想温度算出ステップ)。
ここで調理容器仮想温度のTi2とTi1の差分を所定時間Δtで除することにより、
放射率を1と仮定したときの調理容器の仮想温度上昇速度ΔTiが求まる(仮想温度上昇
速度算出ステップ)(S8)。なおこの所定時間Δtは、予め実験により適当な時間を決
定する。
When the predetermined time Δt has elapsed and the elapsed time t2 is reached, steps S3 to S7 are repeated again to obtain the cooking container virtual temperature Ti2 that is the second virtual temperature at the elapsed time t2 (second virtual temperature). Calculation step).
Here, by dividing the difference between Ti2 and Ti1 of the cooking container virtual temperature by a predetermined time Δt,
A virtual temperature increase rate ΔTi of the cooking container when the emissivity is assumed to be 1 is obtained (virtual temperature increase rate calculation step) (S8). The predetermined time Δt is determined in advance by an experiment.
つづいて、第1の接触式温度センサ30および第2の接触式温度センサ31が接触して
いる部位のトッププレート3の温度上昇速度ΔTj、ΔTkを測定し算出する。
例えば温度上昇速度ΔTkの計算方法は、第2の接触式温度センサ31で経過時間t1
に、第1のトッププレート温度であるトッププレート温度Tk1を測定し(第1のトップ
プレート温度測定ステップ)、経過時間t2に、第2のトッププレート温度であるトップ
プレート温度Tk2を測定し(第2のトッププレート温度測定ステップ)、これら温度の
差分を所定時間Δtで除すことで、温度上昇速度ΔTkが求まる(温度上昇速度算出ステ
ップ)。
Subsequently, the temperature increase rates ΔTj and ΔTk of the top plate 3 at the portion where the first
For example, the calculation method of the temperature rise rate ΔTk is performed by using the second
Next, the top plate temperature Tk1 that is the first top plate temperature is measured (first top plate temperature measurement step), and the top plate temperature Tk2 that is the second top plate temperature is measured at the elapsed time t2 (the first top plate temperature measuring step). 2), the temperature rise rate ΔTk is obtained by dividing the difference between these temperatures by a predetermined time Δt (temperature rise rate calculating step).
そしてこれら温度上昇速度ΔTj、ΔTkのうち値が高いデータをトッププレート3の
温度上昇速度のデータとして選択して採用する(トッププレート温度データ選択ステップ
)(S9)。ここでは第2の接触式温度センサ31が計測した温度上昇速度ΔTkの値の
ほうが高いものとし、後述する信頼性から温度上昇速度ΔTkを採用することとする。
Then, data having a higher value among the temperature rise rates ΔTj and ΔTk is selected and adopted as the temperature rise rate data of the top plate 3 (top plate temperature data selection step) (S9). Here, it is assumed that the value of the temperature increase rate ΔTk measured by the second
さらにここで調理容器仮想温度上昇速度ΔTiと温度上昇速度ΔTkとの割合を計算し
、温度上昇速度割合Uを求める(温度上昇速度割合算出ステップ)(S10)。
そしてこの温度上昇速度割合Uを求め、この値と対応する放射率を前述したデータベー
ス38から抽出し導きだす(調理容器放射率推定ステップ)。この放射率を導き出すこと
で、調理容器A底面の放射率enを推定算出することができる(S11)。
Further, here, the ratio between the cooking container virtual temperature rise rate ΔTi and the temperature rise rate ΔTk is calculated to obtain the temperature rise rate rate U (temperature rise rate rate calculating step) (S10).
And this temperature rise rate ratio U is calculated | required, and the emissivity corresponding to this value is extracted and derived from the
そして経過時間t2以降は、制御部36は、赤外線センサ20が受光する赤外線量をス
テップS3からステップS7と同じ動作を繰り返すことにより補正して、調理容器Aの底
面だけから放出される赤外線量E5を導き出す。
この導き出した調理容器Aの底面だけから放出される赤外線量E5と、温度上昇速度割
合Uで推定した放射率enとをステファンボルツマンの式に代入することにより経過時間
t2以降の調理容器A底面の温度Tmを推定して求めることができる(温度算出ステップ
)。そして経過時間t2以降は、図7に示すように実際の調理容器底面の温度とほぼ同じ
値の温度データTmを算出することができる。
After the elapsed time t2, the
By substituting into the Stefan Boltzmann equation the infrared amount E5 emitted from only the derived bottom surface of the cooking container A and the emissivity en estimated by the temperature rise rate ratio U, the bottom surface of the cooking container A after the elapsed time t2 is calculated. The temperature Tm can be estimated and obtained (temperature calculation step). After the elapsed time t2, as shown in FIG. 7, it is possible to calculate temperature data Tm having substantially the same value as the actual temperature of the bottom surface of the cooking container.
このように推定した調理容器の底面温度Tmは、例えば、加熱調理中で経過時間t2以
降に調理容器A内の調理物Bを増やしたり、水を加えたりなどして、急に調理容器Aの温
度が冷えた場合でも、赤外線センサ20の応答性が良いため、正確な赤外線量が得られ、
算出した放射率enで除することにより正確な調理容器底面温度Tmが求めることができ
る。
The bottom surface temperature Tm of the cooking container estimated in this way is, for example, suddenly increased by increasing the amount of food B in the cooking container A or adding water after the elapsed time t2 during cooking. Even when the temperature is low, since the responsiveness of the
By dividing by the calculated emissivity en, an accurate cooking container bottom surface temperature Tm can be obtained.
そのため、この求められた調理容器底面温度Tmに基づいて加熱コイル11への入力電
力を制御することが可能である。
例えば、卵料理、煮物、肉料理などは加熱温度を一定にして調理することが好ましい。
そこで使用者が希望する調理温度を予め操作パネル39で設定しておき、その使用者が設
定した調理温度に、調理容器底面温度Tmが一定になるように、図8に示すように入力電
力をPID制御する。このように制御部36の命令に基づき駆動部35でPID制御する
ことにより調理温度が正確な調理容器底面温度Tmに基づいて制御されるため、より正確
な調理温度で調理することができる。
Therefore, it is possible to control the input power to the
For example, egg dishes, boiled dishes, meat dishes, etc. are preferably cooked at a constant heating temperature.
Therefore, the cooking temperature desired by the user is set in advance on the
なおこの場合、調理時間を予め指定しておき、調理容器底面温度Tmが設定調理温度に
到達した後、調理指定時間が経過して自動に加熱が停止するような制御をする。
In this case, the cooking time is specified in advance, and after the cooking container bottom surface temperature Tm reaches the set cooking temperature, the cooking is automatically controlled after the cooking specified time has elapsed.
また同様に、本実施例によれば、煮物などの調理時に沸騰を検知する場合は、より正確
な沸騰検知をすることができる。ここでこの沸騰検知の方法の一例を図9を参照にして示
す。
図9は、調理容器底面温度Tmと、調理容器底面温度Tmの温度上昇速度との時間経過
を示すグラフである。正確に計測されている調理容器底面温度Tmは、100度に近づく
につれて徐々に温度上昇速度が下がってくる。そこで調理容器底面温度Tmの温度上昇速
度に所定の閾値を設け、この温度上昇速度が当該閾値以下になったときに、沸騰したと判
断するような制御をしている。これにより、より正確に沸騰を検知できることができる。
また沸騰を検知した後は、所定の調理制御に移行させる等の制御構成にしてもよい。
Similarly, according to the present embodiment, when boiling is detected during cooking such as boiled food, more accurate boiling detection can be performed. Here, an example of this boiling detection method is shown with reference to FIG.
FIG. 9 is a graph showing the passage of time between the cooking container bottom surface temperature Tm and the temperature rise rate of the cooking container bottom surface temperature Tm. The cooking vessel bottom surface temperature Tm, which is accurately measured, gradually decreases as the temperature approaches 100 degrees. Therefore, a predetermined threshold is provided for the temperature rise rate of the cooking container bottom surface temperature Tm, and control is performed so as to determine that the boiling has occurred when the temperature rise rate becomes equal to or less than the threshold. Thereby, boiling can be detected more accurately.
Moreover, after detecting boiling, you may make it the control structure of shifting to predetermined | prescribed cooking control.
さらには沸騰検知を表示部40に表示したり、アラームを鳴らすことにより使用者に報
知させてよい。報知することにより使用者は、その後、火力出力を弱めたり、調理時間を
指定する等自ら自由に調理制御をすることができる。
Furthermore, you may notify a user by displaying a boiling detection on the
以上のように本実施形態によれば、次のような効果を有する。
まず、調理容器底面温度Tmを、赤外線センサ20で受光した赤外線量と、温度上昇速
度割合Uに対応する放射率enに基づいて推定したため、実際の調理容器温度の急な変化
にもすばやく応答することができるため正確に調理容器底面温度を計測することができる
。
なお、通常、調理容器内の調理物の量や、重さ等の熱的負荷が異なる場合では、トップ
プレート3の温度上昇速度や調理容器仮想温度上昇速度は変化するが、放射率に対応させ
るデータとしてトッププレート3の温度上昇速度と調理容器仮想温度上昇速度との割合を
用いているため、熱的負荷が異なる場合でも温度上昇速度割合は変わらず、正確な放射率
を導くことができる。
As described above, the present embodiment has the following effects.
First, since the cooking container bottom surface temperature Tm is estimated based on the amount of infrared light received by the
Normally, when the amount of food in the cooking container and the thermal load such as the weight are different, the temperature rise rate of the top plate 3 and the virtual temperature rise rate of the cooking container change, but the emissivity is made to correspond. Since the ratio between the temperature rise rate of the top plate 3 and the cooking container virtual temperature rise rate is used as data, the temperature rise rate ratio does not change even when the thermal load is different, and an accurate emissivity can be derived.
また、1対1の対応関係にある温度上昇速度割合Uと放射率enをデータベース38に
しているため、あらゆる調理容器の放射率を温度上昇速度割合に基づいて導くことができ
る。
特に、特許文献2のように調理容器Aの材質を加熱コイル11のインピーダンスにより
判定し、この材質に対応する放射率をデータベース38として使用するものでは、例えば
、調理容器底面に焦げや、塗装がされている調理容器を用いるときには、それぞれ焦げが
ついていない元の材質や、塗装されていない材質の放射率と異なる場合があって、正確な
材質を特定することができないことがあるため、それによって放射率も誤った値を導いて
しまう恐れがあり、正確に調理容器の温度を測定することができないことがある。しかし
、本実施形態の温度測定データに基づいたデータベース38を使用することにより、材質
を特定することなく、実際に測定した温度の情報だけから放射率を推定することができる
ため、誤った放射率を導くことがない。
Further, since the temperature rise rate ratio U and the emissivity en having a one-to-one correspondence are stored in the
In particular, when the material of the cooking container A is determined by the impedance of the
さらに調理容器の材質を特定することなく、その調理容器の放射率を推定することがで
きるため、例えば特許文献2のようにその材質のインピーダンス値と放射率を調べてデー
タベースに記憶させる必要がなく、温度上昇速度割合とそれに1対1に対応する放射率さ
えデータベースに記憶させていればどのような材質(新しく開発された新材料でさえも)
で形成された調理容器の放射率も推定することができる。
Furthermore, since the emissivity of the cooking container can be estimated without specifying the material of the cooking container, it is not necessary to check the impedance value and emissivity of the material and store it in the database as in
It is also possible to estimate the emissivity of the cooking container formed in (1).
なお、ここではデータベースとして記憶部に記憶させているが、1対1に関係であるた
め、予め実験により収集したデータに基づいて相関関数を導き、この相関関数をデータベ
ースに記憶させても良い。
Here, the data is stored in the storage unit as a database. However, since there is a one-to-one relationship, a correlation function may be derived based on data collected by experiments in advance, and the correlation function may be stored in the database.
また、第1の接触式温度センサ30を透過部4の近傍に設けることにより、第1の接触
式温度センサ30のトッププレート3との接触部位の温度を透過部温度として代用するこ
とができる。さらに記憶部37に予め透過部4の放射率のデータを記憶させておくことに
より、透過部4単独で放射している赤外線量を計算することができ、この透過部4単独の
赤外線量と赤外線センサ20が受光する赤外線量の差分を求めることによって、調理容器
底面が単独で放出する赤外線量を算出することができる。
Further, by providing the first contact
また、透過部4をシリコンで形成することにより、トッププレート3を透過しにくい8
〜14μmの波長領域の赤外線をトッププレート3下方に透過させることができるため、
特定の波長領域(8〜14μm)の赤外線についてだけ各種補正計算をすればよく、正確
に特定の波長領域の赤外線量を算出することができる。
Further, by forming the transmission part 4 of silicon, it is difficult to transmit the top plate 3 8
Since infrared rays in a wavelength region of ˜14 μm can be transmitted below the top plate 3,
Various correction calculations need only be performed for infrared rays in a specific wavelength region (8 to 14 μm), and the amount of infrared rays in the specific wavelength region can be accurately calculated.
またフィルタ23を、透過部4と赤外線センサ20の赤外線受光部21との間に設け、
8〜14μmの波長領域の赤外線だけ通過するように構成し、透過部をフィルタ23が通
過する8〜14μmの波長領域の赤外線を透過させるシリコンを材質にすることにより、
透過部4で、調理容器Aの底面から放出された赤外線の内で、ガラス製のトッププレート
3を透過しづらい8〜14μmの波長領域の赤外線を透過し、さらにフィルタ23で8〜
14μmの波長領域の赤外線をフィルタリングするため、赤外線センサ20は特定の赤外
線波長領域だけ測定することができる。したがって、受光部21は、ガラストッププレー
ト3を通過しやすい赤外線を受光することがなく、制御部には、赤外線センサ20から特
定の情報だけが入力され、外乱を少なくすることができる。さらに記憶部にはその特定の
波長領域に関する透過率のデータだけを記憶させておけばよく、不要なデータを記憶させ
る必要がない。
Further, the
By making only infrared rays in the wavelength region of 8 to 14 μm pass, and by using silicon that transmits infrared rays in the wavelength region of 8 to 14 μm through which the
In the infrared rays emitted from the bottom surface of the cooking container A, the transmission unit 4 transmits infrared rays having a wavelength region of 8 to 14 μm which is difficult to transmit through the glass top plate 3.
In order to filter infrared rays in the wavelength region of 14 μm, the
また、透過部4と赤外線センサ20の受光部21の周りに筒状部材としてアルミ製の金
属筒22を囲繞させることにより、その放射率の低さから、透過部4を通過する赤外線以
外の赤外線を遮断することができ、赤外線センサ20に調理容器A底面からの正確な赤外
線量を入射させることができる。またケース2内のほこり等が受光部21に接触すること
を防ぐことができるため、赤外線センサ20は正確に赤外線量を測定することができる。
Further, by surrounding an
なお、本実施形態では、トッププレート3の温度上昇速度を測定する接触式温度センサ
を異なる位置に二つ設け、温度上昇速度が高いほうのデータを選択して、温度上昇速度割
合のデータとして採用している。これによれば、例えば調理容器A底面が変形していて、
トッププレート3との調理容器A底面の距離が異なっている場合には、トッププレート3
と調理容器Aの底面との距離が近い場所のほうが温度上昇速度が高くなるため、最もトッ
ププレート3と調理容器A底面の距離が近い場所にある接触式温度センサのデータを採用
することができ、より正確で信頼性ある温度上昇速度割合を計測することがけできる。よ
って調理容器Aの形状、大きさ、載置場所に影響されることなく正確な調理容器底面温度
を推定できる。この場合、接触式温度センサを2箇所に設けたが、3箇所以上設けても構
わない。
In this embodiment, two contact-type temperature sensors for measuring the temperature rise rate of the top plate 3 are provided at different positions, and the data with the higher temperature rise rate is selected and used as the temperature rise rate ratio data. is doing. According to this, for example, the bottom surface of the cooking container A is deformed,
When the distance between the bottom surface of the cooking container A and the top plate 3 is different, the top plate 3
Since the temperature rise rate is higher in the place where the distance between the cooking container A and the bottom surface of the cooking container A is closer, the data of the contact-type temperature sensor in the place where the distance between the top plate 3 and the bottom surface of the cooking container A is closest can be adopted. It is possible to measure a more accurate and reliable temperature rise rate ratio. Therefore, accurate cooking container bottom surface temperature can be estimated without being influenced by the shape, size, and placement location of cooking container A. In this case, although the contact-type temperature sensor is provided in two places, you may provide three or more places.
なお、トッププレートの温度上昇速度と仮想温度上昇速度の測定開始時間を所定時間t
1とし、加熱開始から所定時間が経過してから放射率を計測したため、例えば、調理容器
Aの底面温度とトッププレート3の温度とが著しく異なっているときに、測定開始をして
接触式温度センサが測定するトッププレート3の温度上昇速度と実際の調理容器底面温度
上昇速度との値にずれが生じることを防ぐことができる。
Note that the measurement start time of the temperature rise rate and the virtual temperature rise rate of the top plate is a predetermined time t.
Since the emissivity was measured after a predetermined time had elapsed since the start of heating, for example, when the bottom surface temperature of the cooking container A and the temperature of the top plate 3 are significantly different, the measurement is started and the contact temperature It is possible to prevent a deviation from occurring between the temperature increase rate of the top plate 3 measured by the sensor and the actual cooking container bottom surface temperature increase rate.
なお、本実施形態では、調理容器Aの直下に赤外線センサ20を設けたが、調理容器A
の赤外線が届く位置であれば、調理容器Aの直下でなく例えばケース2内の加熱コイル1
1外の位置に設けてもよい。
In the present embodiment, the
If it is a position where the infrared rays reach, it is not directly under the cooking vessel A, for example, the
You may provide in the position outside 1.
なお調理容器の放射率を1と仮定して、調理容器の仮想温度上昇速度を算出したが、こ
の放射率は、0より大きく、1以下であればどの値で仮定してもよい。さらには、放射率
の範囲内で仮定しなくても、ある定数(1以上でも可)を定めて放射率の代わりに使用し
て調理容器の仮想温度上昇速度を算出してもよい。
In addition, although the emissivity of the cooking vessel was assumed to be 1, the virtual temperature rise rate of the cooking vessel was calculated, but this emissivity may be assumed to be any value as long as it is greater than 0 and less than or equal to 1. Furthermore, even if it is not assumed within the range of the emissivity, a certain constant (1 or more is acceptable) may be determined and used instead of the emissivity to calculate the virtual temperature rise rate of the cooking container.
また、透過部4はシリコンにしたが、赤外線が透過する材質ならば別の材質でも構わな
い。さらに透過部4の位置に孔を設けて、直接調理容器Aの底面の赤外線を赤外線センサ
に受光させても良い。このように透過部に孔を設ける場合や、透過部の材質が透過率が優
れて良く、熱が伝わりにくい材質である場合は、調理容器Aの底面から透過部を通過して
直接赤外線が受光部21に入射すると仮定して調理容器の温度を算出してもよい。この場
合は、透過部4から放射される赤外線量との差分の算出や、透過部4の透過率等の補正を
する必要がない。
Further, although the transmission part 4 is made of silicon, another material may be used as long as the material transmits infrared rays. Further, a hole may be provided at the position of the transmission part 4 so that the infrared ray of the bottom surface of the cooking container A is directly received by the infrared sensor. When the hole is provided in the transmission part in this way, or when the material of the transmission part is a material with good transmittance and heat is not easily transmitted, the infrared ray is directly received from the bottom of the cooking container A through the transmission part. The temperature of the cooking container may be calculated on the assumption that the light enters the
図面中、1は本体、2はケース、3はトッププレート、4は透過部、10は加熱コイル
ユニット、11は加熱コイル、12はコイルベース、13は内周側加熱コイル、14は外
周側加熱コイル、15は中央中間部、16は隙間部、20は赤外線センサ、21は受光部
、22は金属筒、23はフィルタ、30は接触式温度センサ、31は接触式温度センサ、
35は駆動部、36は制御部、37は記憶部、38はデータベース、39は操作パネル、
40は表示部を示す。
In the drawings, 1 is a main body, 2 is a case, 3 is a top plate, 4 is a transmission part, 10 is a heating coil unit, 11 is a heating coil, 12 is a coil base, 13 is an inner peripheral heating coil, and 14 is outer peripheral heating. Coil, 15 is a central intermediate part, 16 is a gap part, 20 is an infrared sensor, 21 is a light receiving part, 22 is a metal tube, 23 is a filter, 30 is a contact temperature sensor, 31 is a contact temperature sensor,
35 is a drive unit, 36 is a control unit, 37 is a storage unit, 38 is a database, 39 is an operation panel,
Claims (7)
前記調理容器を加熱する加熱手段と、
前記調理容器が載置される部位の前記トッププレートの温度を測定する第1の温度検知
手段と、
前記調理容器の赤外線量を検出する赤外線センサと、
前記調理容器に対応する放射率を与えるデータベースを有する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記赤外線センサが検出する前記調理容器から放射された赤外線量と予め前記制御部に
記憶させてある所定の定数とにより当該赤外線量検出時における前記調理容器の第1の仮
想温度を算出する第1の仮想温度算出ステップと、
前記第1の仮想温度から所定時間後の前記調理容器の放射する赤外線量を検出し第2の
仮想温度を算出する第2の仮想温度算出ステップと、
これら第1の仮想温度と第2の仮想温度と前記所定時間とにより、前記調理容器の仮想
温度上昇速度を算出する仮想温度上昇速度算出ステップと、
前記第1の温度検知手段により、前記調理容器の赤外線量検出時と同時刻の前記トップ
プレートの温度を測定する第1のトッププレート温度測定ステップと、
前記第1の温度検知手段により、前記所定時間後の調理容器の赤外線量検出時と同時刻
の前記トッププレートの温度を測定する第2のトッププレート温度測定ステップと、
前記第1のトッププレート温度と前記第2のトッププレート温度と前記所定時間とによ
り前記トッププレートの温度上昇速度を算出する温度上昇速度算出ステップと、
前記仮想温度上昇速度と前記トッププレートの温度上昇速度との割合を算出する温度上
昇速度割合算出ステップと、
前記データベースから、前記温度上昇速度割合算出ステップで算出した前記温度上昇速
度割合に対応する放射率を抽出する調理容器放射率推定ステップと、
前記赤外線センサで検出する前記調理容器から放射された赤外線量と前記放射率推定ス
テップで推定した前記放射率とにより前記調理容器の温度を算出する温度算出ステップと
、
この算出した調理容器の温度に基づいて前記調理容器の加熱制御をするステップと、
を有することを特徴とする加熱調理器。 A top plate on which the cooking container is placed;
Heating means for heating the cooking vessel;
First temperature detection means for measuring the temperature of the top plate of the part on which the cooking container is placed;
An infrared sensor for detecting the amount of infrared in the cooking container;
A controller having a database for providing emissivity corresponding to the cooking container;
Comprising
The controller is
First calculating the first virtual temperature of the cooking container at the time of detecting the amount of infrared radiation based on the amount of infrared radiation radiated from the cooking container detected by the infrared sensor and a predetermined constant stored in the control unit in advance. Virtual temperature calculation step of
A second virtual temperature calculating step of detecting a quantity of infrared rays emitted from the cooking container after a predetermined time from the first virtual temperature and calculating a second virtual temperature;
A virtual temperature rise rate calculating step of calculating a virtual temperature rise rate of the cooking container based on the first virtual temperature, the second virtual temperature, and the predetermined time;
A first top plate temperature measuring step of measuring the temperature of the top plate at the same time as the detection of the infrared amount of the cooking container by the first temperature detecting means;
A second top plate temperature measuring step of measuring the temperature of the top plate at the same time as the detection of the infrared amount of the cooking container after the predetermined time by the first temperature detection means;
A temperature rise rate calculating step of calculating a temperature rise rate of the top plate based on the first top plate temperature, the second top plate temperature, and the predetermined time;
A temperature increase rate ratio calculating step for calculating a ratio between the virtual temperature increase rate and the temperature increase rate of the top plate;
From the database, a cooking container emissivity estimation step for extracting an emissivity corresponding to the temperature increase rate ratio calculated in the temperature increase rate ratio calculation step;
A temperature calculating step of calculating a temperature of the cooking container based on the amount of infrared rays radiated from the cooking container detected by the infrared sensor and the emissivity estimated in the emissivity estimating step;
Controlling heating of the cooking container based on the calculated temperature of the cooking container;
A cooking device characterized by comprising:
とを特徴とする請求項1記載の加熱調理器。 The cooking device according to claim 1, wherein the first virtual temperature calculation step is started after a predetermined time has elapsed from the start of heating by the heating means.
赤外線センサは、前記透過部の下方に位置し、前記調理容器から放射され前記透過部を
透過した赤外線量を検出し、
第1の温度検知手段は、前記透過部に近接して前記透過部の温度を測定するように設け
られ、
制御部は、
予め前記制御部に記憶した前記透過部の放射率と前記第1の温度検知手段により測定さ
れた温度とに基づいて、前記透過部から放射される赤外線量を算出する透過部赤外線量算
出ステップと、
前記赤外線センサが検出する前記調理容器から放射された赤外線量と前記透過部から放
射される赤外線量との差分を算出する第1の赤外線量補正ステップと、
を有することを特徴とする請求項1記載の加熱調理器。 The top plate is provided with a transmission part that transmits infrared rays at a portion where the cooking container is placed,
An infrared sensor is located below the transmission part, detects the amount of infrared radiation emitted from the cooking container and transmitted through the transmission part,
The first temperature detection means is provided so as to measure the temperature of the transmission part in proximity to the transmission part,
The control unit
A transmissive part infrared ray amount calculating step for calculating an infrared ray amount radiated from the transmissive part based on the emissivity of the transmissive part previously stored in the control part and the temperature measured by the first temperature detection unit; ,
A first infrared ray amount correcting step for calculating a difference between an infrared ray amount radiated from the cooking container detected by the infrared sensor and an infrared ray amount radiated from the transmission part;
The cooking device according to claim 1, comprising:
予め記憶された透過部の透過率と第1の赤外線量補正ステップで算出された差分の赤外
線量とにより調理容器から放射される赤外線量を算出する第2の赤外線量補正ステップを
有することを特徴とする請求項3記載の加熱調理器。 The control unit
It has the 2nd infrared ray amount correction step which calculates the infrared ray amount radiated | emitted from a cooking container by the transmittance | permeability of the transmission part memorize | stored previously and the infrared ray amount of the difference calculated at the 1st infrared ray amount correction step. The cooking device according to claim 3.
フィルタを備え、
このフィルタは、
特定の波長領域の赤外線だけを通過させ、
前記透過部は前記フィルタが通過する波長領域の赤外線を透過させる材質であることを
特徴とする請求項3または請求項4記載の加熱調理器。 Between the transmission part and the infrared light receiving part of the infrared sensor,
With a filter,
This filter
Pass only infrared light in a specific wavelength range,
The cooking device according to claim 3 or 4, wherein the transmission part is made of a material that transmits infrared rays in a wavelength region that the filter passes through.
状部材を設けることを特徴とする請求項2乃至請求項5記載の加熱調理器。 6. The cooking device according to claim 2, wherein a cylindrical member is provided between the lower surface of the transmission part and the infrared light receiving part of the infrared sensor so as to surround the light receiving part.
トの温度上昇速度を測定する第2の温度検知手段とを具備し、
制御部は、
前記第1の温度検知手段の測定するトッププレートの温度上昇速度と前記第2の温度検
知手段の測定するトッププレートの温度上昇速度とのうちで、値が大きいデータを選択し
て、温度上昇速度割合を算出するトッププレート温度データ選択ステップを有することを
特徴とする請求項1乃至請求項4記載の加熱調理器。 A second temperature detection means for measuring the temperature rise rate of the top plate of the portion on which the cooking container is placed at a position different from the first temperature detection means,
The control unit
Of the temperature rise rate of the top plate measured by the first temperature detection means and the temperature rise rate of the top plate measured by the second temperature detection means, data having a large value is selected, and the temperature rise rate 5. The cooking device according to claim 1, further comprising a top plate temperature data selection step for calculating a ratio.
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