JP2007073499A - Light-emitting device and its manufacturing method - Google Patents

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Inventor
Yasuo Nakamura
Noriko Shibata
康男 中村
典子 柴田
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device of an active matrix type, which can be used even in case of a highly intensive panel and can prevent unevenness in a luminous characteristics between light emitting elements of each pixel. <P>SOLUTION: In a light-emitting device, a light-emitting element is formed by a layer containing a light-emitting material held by and between a first electrode and a second electrode and one of the electrodes (the second electrode) and an auxiliary wiring are electrically connected not only in a peripheral part but also in a pixel part. The layer containing a light-emitting material is composed at least of a first buffer layer, a light-emitting layer and a second buffer layer. In a connecting part (a first connecting part) which connects the second electrode and the auxiliary wiring (a first auxiliary wiring) and the second electrode in the pixel part, either or both of the first buffer layer and the second buffer layer are held by and between the auxiliary wiring (the first auxiliary wiring) and the second electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子を有する発光装置、およびその作製方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device having a light emitting element, and a manufacturing method thereof.

一対の電極(陽極と陰極)間に発光物質を挟んでなる発光素子は、薄型軽量、高速応答性などの特徴を有し、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。 Light-emitting device formed by interposing a light-emitting substance between a pair of electrodes (anode and cathode) has features such as thin, lightweight, fast response, applied to next-generation flat panel displays is expected. また、発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると言われている。 Further, the light emitting device in which light-emitting elements are arranged in matrix, compared with conventional liquid crystal display device, it is said that there is advantage in that the wide viewing angle and excellent visibility.

なお、発光装置の駆動方式として、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式が挙げられるが、高精細なパネル(例えば、QVGA以上の画素数を有するパネル)の場合には薄膜トランジスタ(TFT)などの能動素子を用いたアクティブマトリクス方式が多く採用されている。 Incidentally, as a driving method of a light emitting device, including but simple matrix system and an active matrix system, an active element such as a thin film transistor in the case of a high-definition panel (e.g., panel having a number of or more pixels QVGA) (TFT) active matrix system using have been employed in many cases.

アクティブマトリクス方式の発光装置の場合には、画素部の各画素に形成されたTFTと発光素子とが電気的に接続されており、発光素子は、TFTと接続された一方の電極(以下、第1の電極という)と、他方の電極(以下、第2の電極という)との間に発光物質を挟んでなる構造を有する。 In the case of the light emitting device of the active matrix system, a TFT and a light emitting element formed in each pixel of the pixel portion is electrically connected, the light emitting device, one electrode (hereinafter, which is connected with the TFT, the having a) of one of the electrodes, the other electrode (hereinafter, a structure formed by interposing a light-emitting substance between a) of the second electrode. なお、発光素子の第2の電極は、同一の導電膜で形成され、画素部の全ての発光素子に共通する導電膜が用いられている。 Note that the second electrode of the light emitting element is formed of the same conductive film, are conductive film is used that is common to all the light-emitting element in the pixel portion.

しかし、パネルが高精細化し、画素数が増えるにつれて、全ての画素に共通する導電膜で形成された第2の電極は、電極の材料抵抗などによる電圧降下が大きくなり、各画素の発光素子間で第2の電極から印加される電圧にばらつきが生じてしまう。 However, the panel has high definition, as the number of pixels is increased, a second electrode formed of a conductive film which is common to all the pixels, the voltage drop due to the material resistance of the electrode increases, between the light emitting element in each pixel in variation occurs in the voltage applied from the second electrode. 発光素子は、輝度が電流量に依存するため、それに伴って発光素子の輝度にもばらつきが生じるという問題を有している。 Light-emitting element has a for brightness depends on the amount of current, a problem that variation in the luminance of the light emitting element is generated accordingly.

これに対して、各画素の発光素子に安定的に駆動電圧あるいは電流を供給するために、配線構造や配線レイアウトを最適化するといった方法がとられている(例えば、特許文献1参照。)。 In contrast, in order to supply a stable drive voltage or current to the light emitting element of each pixel, a method is adopted such to optimize the wiring structure and wiring layout (e.g., see Patent Document 1.).
特開2004−102245号公報 JP 2004-102245 JP

しかし、上述した特許文献1に記載の場合には、第2の電極の配線抵抗による電圧降下を低減させるために、画素部の周辺に第2の電極用の配線を発光用電源配線よりも広い線幅となるように形成する必要がある為、パネルの有効領域外の面積を小さくしたい(いわゆる挟額縁化を図りたい)場合には好ましくない。 However, in the case of Patent Document 1 described above, in order to reduce the voltage drop due to the wiring resistance of the second electrode is wider than the light-emitting power source wiring line for the second electrode in the periphery of the pixel portion it is necessary to form such a line width, desirable to reduce the effective area outside the area of ​​the panel (like achieving a so-called narrow frame) is not preferable in the case.

そこで、本発明では、アクティブマトリクス型のパネルが高精細化した場合にも実現可能であり、各画素の発光素子間で輝度特性にばらつきを生じないような発光装置を提供することを目的とする。 Therefore, in the present invention, it is also feasible in the case where an active matrix panel has high definition, and an object thereof is to provide a light emitting device that does not cause a variation in luminance characteristics among the light emitting element of each pixel .

本発明の発光装置は、第1の電極と第2の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子の一方の電極(第2電極)と補助配線とが、周辺部だけでなく画素部においても電気的に接続されていることを特徴とする。 The light emitting device of the present invention, the one electrode of the light emitting element formed by interposing a layer including a luminescent substance between a first electrode and a second electrode (second electrode) and the auxiliary wiring, only the peripheral portion characterized in that it is electrically connected also in no pixel portion.

なお、本発明において発光素子に含まれる発光物質を含む層は、第1のバッファー層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および第2のバッファー層のうち、前記第1のバッファー層、前記発光層、および前記第2のバッファー層を少なくとも有することを特徴とする。 Note that the layer containing a light emitting substance included in the light emitting device in the present invention, the first buffer layer, a hole transport layer, light emitting layer, an electron transport layer, and of the second buffer layer, the first buffer layer , characterized by having at least a light emitting layer, and the second buffer layer. 画素部において第2の電極と補助配線(第1の補助配線)が電気的に接続される接続部(第1の接続部)では、補助配線(第1の補助配線)と前記第2の電極との間に前記第1のバッファー層または前記第2のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれていることを特徴とする。 The second electrode and the auxiliary wiring in a pixel portion connecting portion (first auxiliary wiring) are electrically connected in (first connecting portion), the auxiliary wiring (the first auxiliary wiring) and the second electrode said while the first one of the buffer layer or the second buffer layer, or both is sandwiched between the characterized.

なお、周辺部に形成された第2の電極と補助配線(第2の補助配線)との接続部(第2の接続部)では、補助配線(第2の補助配線)と第2の電極が接して形成される。 The connection portion between the second electrode and the auxiliary wiring formed in the peripheral portion (second auxiliary wiring) In (second connecting portion), the auxiliary wiring (the second auxiliary wiring) and the second electrode It is formed in contact.

また、本発明の別の構成は、発光装置の作製方法であって、第1の電極、第1の補助配線、および第2の補助配線を形成し、前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第1のバッファー層を形成し、前記第1の電極上に発光層を形成し、前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第2のバッファー層を形成し、前記第1の電極、前記第1の補助配線、および前記第2の補助配線上に第2の電極を形成する。 Another configuration of the present invention is a method for manufacturing a light-emitting device, a first electrode, a first auxiliary wiring, and the second to form an auxiliary wiring, the first electrode and the first the first buffer layer is formed on the auxiliary wiring, the light-emitting layer was formed on the first electrode, the second buffer layer is formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring, the the first electrode, forming a second electrode on the first auxiliary wiring, and the second auxiliary wiring. その結果、前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、前記第1の補助配線、前記第1のバッファー層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、前記第2の補助配線および前記第2の電極を含む第2の接続部とが、それぞれ、形成されることを特徴とする。 As a result, the first electrode, the first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and a light emitting device including the second electrode, the first auxiliary wiring, the first buffer layer, the second buffer layer, and a first connection portion including the second electrode, and said second connecting portion including a second auxiliary wiring and the second electrode, respectively, formed is the fact characterized.

なお、上記構成において、第1の補助配線上に第1のバッファー層を形成せず、前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、前記第1の補助配線、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、前記第2の補助配線および前記第2の電極を含む第2の接続部とを形成することを特徴とする別の構成も本発明に含めることとする。 In the above configuration, on the first auxiliary wiring without forming the first buffer layer, the first electrode, the first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and the second a light emitting element including two electrodes, the first auxiliary wiring, the second buffer layer, and the first connection portion including a second electrode, the second auxiliary wiring and the second electrode another configuration and forming a second connection portion including also the inclusion in the present invention.

さらに、第1の補助配線上に第2のバッファー層を形成せず、前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、前記第1の補助配線、前記第1のバッファー層、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、前記第2の補助配線および前記第2の電極を含む第2の接続部とを形成することを特徴とする別の構成も本発明に含めることとする。 Furthermore, on the first auxiliary wiring without forming the second buffer layer, the first electrode, the first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and the second electrode a light-emitting element including the first auxiliary wiring, the first buffer layer, and a first connection portion including the second electrode, the second containing the second auxiliary wiring and the second electrode also to be included in the present invention another configuration, characterized by forming the connecting portion.

上記各構成において、第1のバッファー層は、正孔(ホール)輸送性を示す物質でなる層であることを特徴とする。 In the above structures, the first buffer layer is characterized in that a layer made of a substance having a hole-transport property. また、正孔輸送性を示す物質として、有機化合物と金属化合物を含む物質を用いる。 Further, as a material showing a hole transporting property, a substance including an organic compound and a metal compound. 有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のうちのいずれかである。 Organic compounds, aromatic amine compounds, carbazole derivatives, is any one of aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton). また、金属化合物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物のうちのいずれか一であることを特徴とする。 The metal compound is molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, rhenium oxide, titanium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, silver oxide characterized in that out is one either. これらの有機化合物と金属化合物とでなる複合材料を用いることにより、第1のバッファー層は正孔輸送層として機能する。 By using a composite material formed by these organic compound and a metal compound, the first buffer layer functions as a hole transporting layer.

また、上記各構成において、第2のバッファー層は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質に電子供与性物質を含ませた層である。 In the above structure, the second buffer layer is a layer impregnated with electron donating material to the electron transporting substance or a bipolar substance. また、第2のバッファー層は電子供与性物質でなる層として形成することもできる。 It is also possible to the second buffer layer is formed as a layer made of an electron-donating substance. 電子供与性物質として例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物を用いることができる。 For example, as an electron-donating substance include alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides, alkali metal fluorides, alkaline earth metal fluoride it can be used. 電子輸送性物質またはバイポーラ性物質に電子供与性物質を含ませた物質、および電子供与性物質は、それぞれ、電子輸送性を示す物質であるので、第2のバッファー層は、電子輸送性を示す物質でなる層として形成することができる。 Material impregnated with an electron-donating substance to the electron-transporting material or a bipolar material, and an electron donating substance, respectively, since a material having an electron transporting property, the second buffer layer, showing an electron-transporting property it can be formed as a layer made of a material.

さらに、上記各構成において、第1のバッファー層は、第1の電極または第2の電極の一方と接し、第2のバッファー層は、第1の電極または第2の電極の他方と接することを特徴とする。 Further, in the above-mentioned respective structures, the first buffer layer, one and the contact of the first electrode or the second electrode, the second buffer layer, that contacts the other of the first electrode or the second electrode and features.

本発明を実施することにより、発光素子の近傍に補助配線を形成することができる。 By carrying out the present invention, it is possible to form the auxiliary line in the vicinity of the light emitting element. よって、発光表示パネルの周辺部だけでなく発光素子を有する画素部にも第2の電極と電気的に接続される補助配線が形成することが可能になるため、画素部において第2の電極の電圧降下に起因する発光素子間の輝度のばらつきを低減させることができる。 Therefore, since it is possible to auxiliary wiring also being connected to the second electrode and electrically to the pixel portion having a light emitting element not only the peripheral portion of the light-emitting display panel is formed, the second electrode in the pixel portion it is possible to reduce the variations in luminance between the light emitting element due to voltage drop.

また、本発明において、画素部には発光物質を含む層(第1のバッファー層、正孔(ホール)輸送層、発光層、電子輸送層、第2のバッファー層等を含む)が形成されるが、本発明における発光素子の構造の場合には、第1のバッファー層、または第2のバッファー層のいずれか一方、または両方が間に挟まれる構造の場合でも、第2の電極と補助配線は電気的に接続されるため、発光物質を含む層のうち、正孔(ホール)輸送層、発光層、および電子輸送層のみ接続部にかからないように形成すればよい。 Further, in the present invention, a layer containing a light-emitting substance in a pixel portion (first buffer layer, hole-transporting layer, light emitting layer, electron transporting layer, including a second buffer layer) is formed but in the case of the structure of the light-emitting element in the present invention, either the first buffer layer, or the second buffer layer, or if the structure both is sandwiched between the auxiliary wiring and the second electrode since being electrically connected, among the layers including the luminescent material, hole-transporting layer, light emitting layer, and may be formed so as not only to the connection unit electron transport layer. よって、発光物質を含む層を構成する全ての層を微細な形状に加工する必要がないため、発光物質を含む層の全てを接続部にかからないように形成する場合に比べて、作製工程の削減が可能となる。 Therefore, it is not necessary to process the fine shape all the layers constituting the layer containing a light emitting substance, as compared with the case of forming so as not all of the layer containing the luminescent substance to the connection portion, reduction of the manufacturing steps it is possible.

以下に、本発明の一態様について図面等を用いながら詳細に説明する。 It will be described below in detail with reference to the drawings An embodiment of the present invention. 但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。 However, the present invention can be implemented in many different modes, it may be various changes and modifications without departing from the spirit and scope of the present invention is easily understood by those skilled in the art It is. 従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Accordingly, the invention is not construed as being limited to the description of the present embodiment.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
本実施の形態1では、本発明の発光装置に用いることができるアクティブマトリクス型の発光表示パネルであって、薄膜トランジスタ(TFT)と電気的に接続された発光素子に含まれる一対の電極のうち、TFTと直接電気的に接続されない電極(第2の電極)が周辺部に形成された補助配線だけでなく、画素部に形成された補助配線とも電気的に接続される場合について図1を用いて説明する。 In the first embodiment, a light-emitting display panel of active matrix type that can be used for the light-emitting device of the present invention, a pair of electrodes included a thin film transistor (TFT) and electrically connected to the light emitting element, TFT directly electrically unconnected electrode (second electrode) is not only an auxiliary wiring formed in the peripheral portion, a case of electrically connected with the auxiliary wiring formed in the pixel portion with reference to FIG. 1 explain.

図1において、基板101上の画素部120には、薄膜トランジスタ(TFT)が形成されている。 In Figure 1, the pixel portion 120 on the substrate 101, a thin film transistor (TFT) is formed. なお、ここでは、画素部120に形成され、かつ発光素子119と電気的に接続されるTFTを電流制御用TFT102とよぶ。 Here, it is formed in the pixel portion 120, and a TFT which is electrically connected to the light emitting element 119 is referred to as a current controlling TFT 102.

図1において、電流制御用TFT102は、トップゲート型であり、ソース領域103、ドレイン領域104、およびチャネル形成領域105上にゲート絶縁膜106を介してゲート電極107が形成され、ソース領域103と電気的に接続されたソース電極109、ドレイン領域104と電気的に接続されたドレイン電極110とで構成されている。 In Figure 1, the current control TFT102 is a top-gate type, the source region 103, drain region 104 gate electrode 107 through the gate insulating film 106 and over the channel formation region 105, is formed, a source region 103 and electrically the source electrode 109 is connected, and a drain region 104 and electrically connected to the drain electrode 110.

なお、基板101には、ガラス基板、石英基板、アルミナなどのセラミック等絶縁物質で形成される基板、プラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。 Note that the substrate 101 may be a glass substrate, a quartz substrate, a substrate formed of a ceramic or the like insulating material such as alumina, a plastic substrate, a silicon wafer, a metal plate or the like.

また、ソース領域103、ドレイン領域104、およびチャネル形成領域105は、半導体層で形成され、ソース領域103およびドレイン領域104には、n導電型またはp導電型の不純物(例えば、リン、ヒ素、ボロン等)が添加されている(なお、場合によっては、チャネル形成領域105にも微量の上記不純物が添加される。)。 The source region 103, drain region 104 and a channel forming region 105, it is formed in the semiconductor layer, the source region 103 and drain region 104, n conductivity type or p conductivity type impurity (e.g., phosphorus, arsenic, boron etc.) is added (in some cases, also in the channel forming region 105 above trace impurities are added.). また、半導体層は、結晶性の半導体であっても、非結晶性の半導体であってもよい。 The semiconductor layer may be a crystalline semiconductor may be a non-crystalline semiconductor. さらには、セミアモルファス半導体等でも良い。 In addition, it may be a semi-amorphous semiconductor, or the like. また、半導体層の膜厚は、10〜150nmとし、さらに30〜70nmとするのが好ましい。 The thickness of the semiconductor layer, and 10 to 150 nm, preferably in a further 30 to 70 nm.

結晶性の半導体としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。 The crystallinity of the semiconductor, single crystal or polycrystalline silicon, or the like made of silicon germanium, or the like. これらはレーザ結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。 These may be those formed by laser crystallization or may be one formed by crystallization through a solid phase growth method using nickel or the like. また、非晶質の半導体としては、例えばアモルファスシリコンが挙げられる。 As the amorphous semiconductor, and for example, amorphous silicon.

また、ここでいうセミアモルファス半導体とは、非晶質と結晶構造(単結晶、多結晶を含む)の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。 Further, a semi-amorphous semiconductor as referred to herein, amorphous and crystalline structure having an intermediate structure (including single crystal and polycrystal), a semiconductor having a free energy stable third state Te are those containing a crystalline region having short-range order and lattice distortion. また少なくとも膜中の一部の領域には、0.5〜20nmの結晶粒を含んでいる。 Also part of a region of at least the film contains a crystal grain of 0.5 to 20 nm. ラマンスペクトルが520cm −1よりも低波数側にシフトしている。 Raman spectrum is shifted to a lower wavenumber side than 520 cm -1. X線回折ではSi結晶格子に由来するとされる(111)、(220)の回折ピークが観測される。 The X-ray diffraction are derived from a Si crystal lattice (111) is observed diffraction peaks of (220). また、未結合手(ダングリングボンド)を終端するために水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませている。 The semiconductor includes at least 1 atom% or more of hydrogen or halogen to terminate dangling bonds. また、セミアモルファス半導体は、微結晶半導体(マイクロクリスタル半導体)とも言われている。 In addition, a semi-amorphous semiconductor is also referred to as a microcrystalline semiconductor (micro-crystal semiconductor).

また、ゲート絶縁膜106は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、及び窒化酸化珪素膜、その他の珪素を含む絶縁膜等により、単層または積層構造で形成され、その膜厚は、10〜150nmとするのが好ましく、さらに30〜70nmとするのが好ましい。 Further, the gate insulating film 106, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, and silicon nitride oxide film, an insulating film or the like, including other silicon, is formed with a single layer or a laminated structure, the thickness thereof , it is preferable to be 10 to 150 nm, preferably in a further 30 to 70 nm.

また、ゲート電極107には、Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba、Nd等の金属元素からなる膜、または前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、Mo膜、Al膜、Mo膜を順次積層した積層膜、Ti膜、Al膜、Ti膜を順次積層した積層膜、MoN膜、Ndを添加したAl膜、MoN膜を順次積層した積層膜、Mo膜、Ndを添加したAl膜、Mo膜を順次積層した積層膜、Al膜と、Al膜上にCr膜を積層した積層膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物(ITO:indium tin oxide)、酸化インジウムに2〜20[wt%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合した Further, the gate electrode 107, Ag, Au, Cu, Ni, Pt, Pd, Ir, Rh, W, Al, Ta, Mo, Cd, Zn, Fe, Ti, Si, Ge, Zr, Ba, Nd, etc. film made of a metal element or the element made of an alloy material mainly containing film,, Mo film, Al film, sequentially laminated multilayer film of Mo film, a Ti film, Al film, laminated film obtained by sequentially stacking a Ti film , MoN film, Al film added with Nd, laminated film were sequentially laminated MoN film, Mo film, an Al film obtained by adding Nd, laminated film obtained by sequentially laminating a Mo film, an Al film, a Cr film on the Al film laminated multilayer film, or a film made of a compound material of metal nitrides such as indium tin oxide used as a transparent conductive film (ITO: indium tin oxide), zinc oxide 2 to 20 [wt%] indium oxide (ZnO ) was mixed with ZO(indium zinc oxide)膜、酸化ケイ素を組成物として有するITO等の膜を用いることができる。 ZO (indium zinc oxide) film, can be used a film of ITO or the like having a silicon oxide as a composition. また、ゲート電極107の膜厚は、200nm以上とするのが好ましく、さらに300〜500nmとするのが好ましい。 The thickness of the gate electrode 107 may preferably be 200nm or more, preferably a further 300 to 500 nm.

さらに、ゲート電極107上に形成される層間絶縁膜108は、単層で形成されていても多層で形成されていてもよい。 Further, the interlayer insulating film 108 formed over the gate electrode 107 may be formed by multi-layer be formed of a single layer. なお、層間絶縁膜108には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、または窒化酸化珪素等のような無機物からなる膜や、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、またはシロキサン(シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される。)等の有機物からなる膜を用いることができる。 Note that the interlayer insulating film 108, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or film and made of an inorganic substance such as silicon nitride oxide, acrylic, polyimide, polyamide, or siloxane (siloxane comprises a silicon (Si) skeleton structure by the bond of oxygen (O) is formed.) it can be used a film made of organic material or the like.

また、層間絶縁膜108の一部に形成された開口部を介して、ソース領域103およびドレイン領域104と電気的に接続するように形成されたソース電極109、ドレイン電極110には、Si、GeまたはSiとGeの化合物にドーパントを添加して導電性を高めた半導体、Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba等の金属元素からなる膜、または前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物(ITO:indium tin oxide)、酸化インジウムに2〜20[wt%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)、酸化ケ Further, through an opening formed in a part of the interlayer insulating film 108, source region 103 and drain region 104 and electrically source electrode 109 formed so as to be connected to the drain electrode 110, Si, Ge or Si and semiconductor with increased by adding a dopant conductive compound of Ge, Ag, Au, Cu, Ni, Pt, Pd, Ir, Rh, W, Al, Ta, Mo, Cd, Zn, Fe, Ti , Zr, film made of a metal element such as Ba or the element made of an alloy material mainly containing film, or a film made of a compound material of metal nitrides such as indium tin oxide used as a transparent conductive film, (ITO : indium tin oxide), IZO obtained by mixing zinc oxide of 2 to 20 [wt%] indium oxide (ZnO) (indium zinc oxide), oxide Ke イ素を組成物として有するITO等の膜を用いることができる。 It can be used a film of ITO or the like having a Lee-containing as a composition. また、ソース電極109、およびドレイン電極110の膜厚は、200nm以上とするのが好ましく、さらに300nm以上500nm以下の範囲とするのが好ましい。 The thickness of the source electrode 109, and the drain electrode 110 may preferably be 200nm or more, more preferably set to 500nm or less in the range of 300 nm.

また、ソース電極109およびドレイン電極110と同時に補助配線(第1の補助配線112および第2の補助配線113)が形成される。 The source electrode 109 and drain electrode 110 simultaneously auxiliary wiring (the first auxiliary wiring 112 and the second auxiliary wiring 113) are formed. すなわち、補助配線(第1の補助配線112および第2の補助配線113)は、ソース電極109およびドレイン電極110と同一の材料で形成される。 That is, the auxiliary wiring (the first auxiliary wiring 112 and the second auxiliary wiring 113) are formed of the same material as the source electrode 109 and drain electrode 110.

電流制御用TFT102のドレイン電極110と電気的に接続されるように発光素子119の第1の電極111が形成されている。 The first electrode 111 of the light emitting element 119 is formed so as to be electrically connected to the drain electrode 110 of the current controlling TFT 102. なお、第1の電極111は、第1のバッファー層115と接して形成されていることから、第1の電極114に印加される電圧が第2の電極118に印加される電圧よりも大きい場合(すなわち、第1の電極114が陽極として機能する場合)であっても、仕事関数の値に関係なく電極材料を選択することができる。 Note that the first electrode 111, since it is formed in contact with the first buffer layer 115, if the voltage applied to the first electrode 114 is higher than the voltage applied to the second electrode 118 (i.e., if the first electrode 114 serves as an anode) be, it is possible to select an electrode material regardless of the value of the work function.

従って、第1の電極114の材料として、インジウム錫酸化物(ITO:indium tin oxide)、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化インジウムに2〜20[wt%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、金属材料の窒化物(例えば、TiN等)、LiやCs等のアルカリ金属、およびMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)や化合物(LiF、CsF、CaF )の他、希 Therefore, as the material of the first electrode 114, indium tin oxide: a mixed (ITO indium tin oxide), indium tin oxide containing silicon oxide, zinc oxide 2 to 20 [wt%] in indium oxide (ZnO) the IZO (indium zinc oxide), gold (Au), platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt ( Co), copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), magnesium (Mg), nitride of a metal material (eg, TiN, etc.), an alkali metal such as Li or Cs, Mg, Ca, Sr, etc. alkaline earth metals, and alloys containing these (Mg: Ag, Al: Li ) and compounds (LiF, CsF, CaF 2) other, dilute 類金属を含む遷移金属等を用いることができる。 It can be used a transition metal or the like including a metalloid.

本発明において、第1の電極114は、陽極として機能する電極であっても、陰極として機能する電極でも良いが、陽極として機能する電極である場合には、電流制御用TFT102は、Pチャネル型TFTであることが好ましく、陰極として機能する電極である場合には、電流制御用TFT102は、nチャネル型TFTであることが好ましい。 In the present invention, the first electrode 114 be an electrode functioning as an anode, may be an electrode serving as a cathode, when an electrode functioning as an anode, the current control TFT102 is P-channel type is preferably TFT, when an electrode functioning as a cathode, the current control TFT102 is preferably an n-channel TFT.

また、第1の電極114および補助配線(第1の補助配線112および第2の補助配線113)の端部を覆って絶縁体122が形成されている。 The first electrode 114 and the insulator 122 covers the end portion of the auxiliary wiring (the first auxiliary wiring 112 and the second auxiliary wiring 113) are formed. なお、絶縁体122は、アクリル、シロキサン、レジスト等の有機膜や、酸化珪素等の無機膜を用いて形成される。 The insulating material 122 is acrylic, siloxane, an organic film and the resist or the like, is formed using an inorganic film such as silicon oxide. なお、これらの無機膜と有機膜のいずれか一方を用いて単層で形成されていてもよいし、両方を用いて多層で形成してもよい。 Incidentally, it may be formed of a single layer using any one of these inorganic film and an organic film may be formed in multilayer by using both.

画素部120において、第1の電極114上に第1のバッファー層115が形成されている。 In the pixel portion 120, the first buffer layer 115 is formed over the first electrode 114. なお、第1のバッファー層115は、画素部120において、画素ごとに分割されることなく1つの膜(連続するベタ膜)で形成されることから、第1の補助配線112上にも第1のバッファー層115が形成されている。 The first buffer layer 115, the pixel portion 120, from being formed by the (solid film consecutive) one membrane without being divided for each pixel, on the first auxiliary wiring 112 first of the buffer layer 115 is formed. なお、図1に示す第1のバッファー層115は、微細な形状の加工がされていないベタ膜で形成される場合について示したが、後述する発光層116と同様に、発光素子119が形成される部分に選択的に形成される構成とすることもできる。 The first buffer layer 115 shown in FIG. 1, but shows the case that is formed of a solid film that is not to be modified fine shape, similarly to the light-emitting layer 116 to be described later, the light emitting element 119 is formed It may be configured to be selectively formed in portions that.

第1のバッファー層115には、正孔(ホール)輸送層として機能する機能層を用いることができる。 The first buffer layer 115, it is possible to use a functional layer which functions as a hole-transporting layer. 正孔輸送層を形成するには、有機化合物と金属化合物でなる発光素子用の第1の複合材料を用いることができる。 To form the hole transport layer may be used first composite material for a light emitting element formed of an organic compound and a metal compound. 本発明における発光素子用の第1の複合材料において、有機化合物には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、または芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)を用いることができる。 In the first composite material for a light-emitting element in the present invention, the organic compounds, aromatic amine compounds, carbazole derivatives, or the use of the aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton), can. なお、本実施の形態1における発光素子用の第1の複合材料の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 As a specific example of the first composite material for a light emitting element in the first embodiment, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, omitted to.

また、第1のバッファー層115上であって、第1の電極114と重なる位置に発光層116が形成される。 Further, even on the first buffer layer 115, the light emitting layer 116 is formed at a position overlapping with the first electrode 114. 第1のバッファー層115と異なり、発光層116はベタ膜で形成せず、画素ごとに分割され、画素の所定の領域に形成される。 Unlike the first buffer layer 115, the light emitting layer 116 is not formed in the solid film is divided for each pixel, it is formed in a predetermined area of ​​the pixel. 本発明において、発光層116を画素ごとに分割して、所望の形状に形成することにより、第1の接続部123において、第1の補助配線112と第2の電極118は、発光層116を挟まずに、第1のバッファー層115および第2のバッファー層117を間に挟んで電気的に接続される。 In the present invention, the light-emitting layer 116 is divided for each pixel, by forming into a desired shape, the first connecting portion 123, a first auxiliary wiring 112 and the second electrode 118, a light-emitting layer 116 without interposing, it is electrically connected in between the first buffer layer 115 and the second buffer layer 117.

なお、発光層116は、少なくとも一種の発光物質を含んでおり、ここでいう発光物質とは、発光効率が良好で、所望の波長の発光をし得る物質である。 The light-emitting layer 116 includes at least one luminescent substance, the luminescent substance here, the luminous efficiency is good, is a substance which can emit light with a desired wavelength. 発光層は、発光物質のみから形成された層であってもよいが、発光物質の有するエネルギーギャップ(LUMO準位とHOMO準位との間のエネルギーギャップをいう)よりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、発光物質が分散するように混合された層(いわゆる、ホストとゲストの関係にある物質をそれぞれ含む層)であっても良い。 Material emitting layer may be a layer formed from only the light emitting material, but having a larger energy gap than the (energy refers to the gap between a LUMO level and a HOMO level) energy gap having a light-emitting substance a layer of a layer of luminescent material is mixed so as to disperse (so-called, the host and guest materials having a relationship layer containing respectively). なお、本実施の形態1における発光層116に用いることができる発光物質の具体例としては、実施の形態7に挙げる発光物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 As a specific example of a luminescent material which can be used for the light-emitting layer 116 in the first embodiment, it is possible to use a light-emitting substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, description omitted.

発光層116上に第2のバッファー層117が形成されている。 The second buffer layer 117 is formed on the light-emitting layer 116. 第2のバッファー層117は、画素部120において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されることから、第1のバッファー層115上にも形成されている。 The second buffer layer 117 in the pixel portion 120, without the processing of the fine shape, from being formed in the solid film is also formed on the first buffer layer 115. なお、図1に示す第2のバッファー層117は、ベタ膜で形成される場合について示したが、発光層116と同様に、発光素子119が形成される部分に形成される構成とすることもできる。 The second buffer layer 117 shown in FIG. 1, but shows the case that is formed of a solid film, similarly to the light-emitting layer 116, be configured to be formed in a portion where the light emitting element 119 is formed it can.

第2のバッファー層117には、発光素子用の第2の複合材料を用いることができる。 The second buffer layer 117, it is possible to use a second composite material for a light emitting element. 本発明における発光素子用の第2の複合材料とは、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質から選ばれるいずれかの物質と、これらの物質に対し電子供与性を示す物質(ドナー)とを組み合わせた材料である。 The second composite material for a light emitting element in the present invention, and any material selected from electron transporting substance or a bipolar substance, a combination of a substance (donor) which for these materials an electron donating property it is a material. なお、本実施の形態1における発光素子用の第2の複合材料の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 As a specific example of the second composite material for a light emitting element in the first embodiment, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, omitted to.

さらに、第2のバッファー層117上に第2の電極118が形成されている。 Further, the second electrode 118 is formed on the second buffer layer 117. なお、第2の電極118は、微細な形状の加工をすることなく、画素部120および周辺部121に1つのベタ膜で形成されることから、画素部120の第2のバッファー層117上だけでなく、周辺部121の第2の補助配線113上にも形成され、第2の補助配線113と第2の電極118とが電気的に接続された第2の接続部124が形成される。 Note that the second electrode 118, without processing of fine shape, from being formed in one solid film in the pixel portion 120 and the peripheral portion 121, only on the second buffer layer 117 of pixel unit 120 It not also formed on the second auxiliary wiring 113 surrounding portion 121, second connecting portion 124 and the second auxiliary wiring 113 and the second electrode 118 are electrically connected is formed.

また、第2の電極118は、第2のバッファー層117と接して形成されていることから、発光素子119において、第2の電極118に印加される電圧が第1の電極114に印加される電圧よりも大きい場合(すなわち、第2の電極118が陰極として機能する場合)であっても、仕事関数の値に関係なく電極材料を選択することができる。 The second electrode 118, since it is formed in contact with the second buffer layer 117, the light emitting element 119, the voltage applied to the second electrode 118 is applied to the first electrode 114 If greater than the voltage (i.e., if the second electrode 118 serves as a cathode) be, it is possible to select an electrode material regardless of the value of the work function. 従って、第1の電極114に挙げたものと同様の材料を用いて第2の電極118を形成することができる。 Therefore, it is possible to form the second electrode 118 by using the same materials as those listed first electrode 114.

以上により、本発明では、周辺部121に形成される第2の接続部124だけでなく、画素部120に形成される第1の接続部123により、第2の電極と補助配線と電気的に接続することができる。 Thus, in the present invention, not only the second connecting portion 124 formed in the peripheral portion 121, first the first connecting portion 123, and the auxiliary wiring and the electrically second electrode formed in the pixel portion 120 it can be connected. すなわちこのような構造とすることにより、発光表示パネルの大型化に伴い画素部の面積が大きくなったり、高精細化により画素数が多くなったりした場合に、第2の電極118が全画素共通で形成されていても、別の言い方をすると、画素部で1つの導電層として形成されていても、第2の補助配線113から離れた位置にある画素の第2の電極118と、近い位置にある画素の第2の電極118との間で遅延を生じることなく電圧を印加することができる。 That is, by adopting such a structure, may become an area of ​​the pixel portion with the size of the light-emitting display panel is large, when may become the number of pixels with a high resolution, the second electrode 118 is common to all the pixels in be formed, in other words, be formed as a single conductive layer in the pixel portion, and the second electrode 118 of a pixel in a position away from the second auxiliary wiring 113, close voltage without causing a delay between the second electrode 118 of a pixel in the can be applied to.

また、画素部120に形成される第1の接続部123は、画素ごとに形成しても良いが、複数の画素ごとに形成しても良い。 The first connection portion 123 formed in the pixel portion 120 may be formed for each pixel, but may be formed for each of a plurality of pixels.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
本実施の形態では、発光表示パネルの画素部200における発光素子、および接続部の構造の一例について、図2の断面図を用いて説明する。 In the present embodiment, an example of a structure of a light emitting element, and the connection portion in a pixel portion 200 of the light emitting display panel will be described with reference to the sectional view of FIG. なお、ここでは、各画素に形成される発光素子と接続部の構造についての説明を容易にするため、図1で説明したような基板上の画素部に形成されるTFT(電流制御用TFT、スイッチング用TFT等)、層間絶縁膜、絶縁体等についての説明は省略することとする。 Here, in order to facilitate the description of the structure of the connecting portion and the light-emitting element formed in each pixel, TFT formed in the pixel portion on the substrate as described in FIG. 1 (a current control TFT, and switching TFT or the like), an interlayer insulating film, a description of the insulators, etc. will be omitted.

図2(A)に示すように、基板201上には、複数の画素(赤色で発光する画素R(210a)、緑色で発光する画素G(210b)、青色で発光する画素B(210c))と、接続部211が形成されている。 As shown in FIG. 2 (A), on the substrate 201, a plurality of pixels (pixel emitting red R (210a), the pixel emits light in green G (210 b), the pixel B which emits blue light (210c)) When the connection portion 211 is formed.

なお、画素R(210a)は、第1の電極202、第1のバッファー層204、発光層R(205a)、第2のバッファー層206、および第2の電極207を順次積層してなる発光素子R(208a)を有し、画素G(210b)は、第1の電極202、第1のバッファー層204、発光層G(205b)、第2のバッファー層206、および第2の電極207を順次積層してなる発光素子G(208b)を有し、画素B(210c)は、第1の電極202、第1のバッファー層204、発光層B(205c)、第2のバッファー層206、および第2の電極207を順次積層してなる発光素子B(208c)を有している。 The pixel R (210a), the first electrode 202, a first buffer layer 204, the light emitting layer R (205a), the second buffer layer 206, and the second formed by sequentially laminating the electrode 207 light-emitting element has R (208a), the pixel G (210 b), the first electrode 202, a first buffer layer 204, the light emitting layer G (205b), the second buffer layer 206, and the second electrode 207 sequentially has a laminated formed by light-emitting element G (208b), the pixel B (210c), the first electrode 202, a first buffer layer 204, the light emitting layer B (205c), the second buffer layer 206, and the composed by sequentially laminating the second electrode 207 has a light-emitting element B (208c).

また、接続部211では、補助配線203上に第1のバッファー層204、第2のバッファー層206、および第2の電極207が順次積層されており、補助配線203と第2の電極207が、第1のバッファー層204および第2のバッファー層206を介して電気的に接続される構造を有している。 Further, the connection portion 211, the first buffer layer 204 on the auxiliary wiring 203, the second buffer layer 206, and has a second is the electrode 207 are sequentially stacked, and the auxiliary wiring 203 and the second electrode 207, It has a structure that is electrically connected via the first buffer layer 204 and the second buffer layer 206.

ここで、第1のバッファー層204、第2のバッファー層206、および第2の電極207は、画素部において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されている為、複数の画素(画素R(210a)、画素G(210b)、画素B(210c))と、接続部211において、連続する膜として形成されている。 Here, the first buffer layer 204, the second buffer layer 206 and the second electrode 207, is in the pixel portion, without the processing of the fine shape, since it is formed in a solid film, a plurality of pixels (the pixel R (210a), the pixel G (210 b), the pixel B (210c)), the connecting portion 211 is formed as a film for continuous.

なお、図2(A)の場合には、各画素の発光素子は、一対の電極間に第1のバッファー層204、発光層205、第2のバッファー層206で構成される発光物質を含む層を挟んでなる場合について示したが、図2(B)に示すように一対の電極(第1の電極202、第2の電極207)間に形成される発光物質を含む層219は、第1のバッファー層204、発光層205、および第2のバッファー層206に加えて、正孔(ホール)輸送層214および電子輸送層216を含む構造とすることもできる。 The layer in the case of FIG. 2 (A), the light emitting element of each pixel, which includes a light-emitting substance consists of the first buffer layer 204, the light emitting layer 205, the second buffer layer 206 between a pair of electrodes It has been shown the case where formed by interposing a layer 219 containing a light emitting material formed between a pair of electrodes (a first electrode 202, second electrode 207) as shown in FIG. 2 (B), first the buffer layer 204, in addition to the light-emitting layer 205 and the second buffer layer 206, may be a structure including a hole-transporting layer 214 and the electron-transporting layer 216. なお、発光層205が画素ごとに分割されて、所望の微細な形状に加工される場合において、ここでは、それぞれの発光層(発光層R(205a)、発光層G(205b)、発光層B(205c))に対して異なる材料を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、同一の材料を用いて形成することもできる。 The light-emitting layer 205 is divided for each pixel, when being processed into a desired fine shape, wherein each of the light-emitting layer (the light emitting layer R (205a), the light emitting layer G (205b), the light emitting layer B (205c)) relative to the case has been described where the use of different materials, it is not limited thereto, can be formed using the same material.

また、図2(C)には、図2(A)で示した発光素子のそれぞれが、図2(B)で示した発光物質を含む層の構成を有する場合について示す。 Further, in FIG. 2 (C) shows the case where each of the light emitting element shown in FIG. 2 (A) has a structure of a layer containing a light emitting material shown in FIG. 2 (B). なお、図2(C)において、図2(A)、(B)と共通の部分については共通の符号を用いることとする。 Incidentally, in FIG. 2 (C), the FIG. 2 (A), and the use of common reference numerals common parts and (B).

すなわち、複数の画素(画素R(220a)、画素G(220b)、画素B(220c))は、第1の電極202と第2の電極207との間に発光物質を含む層219を有しており、発光物質を含む層219のうち、第1のバッファー層204および第2のバッファー層206は、図2(A)の場合と同様に画素部において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されている。 That is, a plurality of pixels (pixel R (220a), the pixel G (220b), the pixel B (220c)) has a first electrode 202 a layer 219 containing a light emitting substance between the second electrode 207 and, among the layers 219 containing a light-emitting substance, the first buffer layer 204 and the second buffer layer 206, in the case as well as the pixel portion of FIG. 2 (a), without the processing of the fine shape It is formed in a solid film. また、正孔(ホール)輸送層214、発光層205(発光層R(205a)、発光層G(205b)、発光層B(205c))、電子輸送層216については、各画素(画素R(220a)、画素G(220b)、画素B(220c))の発光素子(発光素子R(221a)、発光素子G(221b)、発光素子B(221c))ごとに分割され、所望の微細な形状に形成される。 The hole (holes) transport layer 214, light emitting layer 205 (light emitting layer R (205a), the light emitting layer G (205b), the light emitting layer B (205c)), for the electron-transporting layer 216, each pixel (pixel R ( 220a), the pixel G (220b), is divided into the light-emitting element of a pixel B (220c)) (the light-emitting element R (221a), the light-emitting element G (221b), the light-emitting element B (221c)), a desired fine shape It is formed on.

なお、図2(C)の場合にも、接続部211には、補助配線203上に第1のバッファー層204、第2のバッファー層206、および第2の電極207のみが順次積層される構造となるため、補助配線203と第2の電極207は、第1のバッファー層204および第2のバッファー層206を介して電気的に接続されている。 Incidentally, in the case of FIG. 2 (C), the the connection portion 211, only the first buffer layer 204, the second buffer layer 206 and the second electrode 207, are sequentially stacked on the auxiliary wiring 203 structure since the auxiliary wiring 203 and the second electrode 207 are electrically connected via the first buffer layer 204 and the second buffer layer 206. つまり、図2(A)、(C)に示す画素部の接続部において、第1のバッファー層から、補助配線にホールが流れると、第1のバッファー層と第2のバッファー層の界面で電荷が発生し、第2のバッファー層から第2の電極に電子が流れる。 That is, FIG. 2 (A), the in the connection portion of the pixel portion (C), the the first buffer layer, the hole flows to the auxiliary wiring, the charge at the interface of the first buffer layer and second buffer layer There occurs, electrons flow from the second buffer layer to the second electrode. 第2の電極を流れた電子は、各画素の発光素子にある第2のバッファー層から発光層に流れ込む。 Electrons flow through the second electrode flows into the light emitting layer from the second buffer layer on the light emitting element of each pixel.

なお、本実施の形態2で説明した発光物質を含む層(第1のバッファー層204、発光層205、第2のバッファー層206、正孔(ホール)輸送層214、電子輸送層216)に用いる物質の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 Incidentally, used for the layer containing a light emitting substance described in Embodiment 2 (first buffer layer 204, the light emitting layer 205, the second buffer layer 206, hole-transporting layer 214, the electron transporting layer 216) specific examples of the material, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, the description thereof is omitted.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
本実施の形態では、実施の形態2とは異なる発光表示パネルの画素部300における発光素子、および接続部の構造の一例について、図3の断面図を用いて説明する。 In the present embodiment, an example of a structure of a light emitting element, and the connection portion in a pixel portion 300 having different light-emitting display panel in the second embodiment will be described with reference to the sectional view of FIG. なお、ここでは、各画素に形成される発光素子と接続部の構造についての説明を容易にするため、図1で説明したような基板上の画素部に形成されるTFT(電流制御用TFT、スイッチング用TFT等)、層間絶縁膜、絶縁体等についての説明は省略することとする。 Here, in order to facilitate the description of the structure of the connecting portion and the light-emitting element formed in each pixel, TFT formed in the pixel portion on the substrate as described in FIG. 1 (a current control TFT, and switching TFT or the like), an interlayer insulating film, a description of the insulators, etc. will be omitted.

図3(A)に示すように、基板301上には、複数の画素(赤色に発光する画素R(310a)、緑色に発光する画素G(310b)、青色に発光する画素B(310c))と、接続部311が形成されている。 As shown in FIG. 3 (A), on a substrate 301, a plurality of pixels (pixels emitting red light R (310a), the pixel emitting green light G (310b), the pixel B that emits blue light (310c)) When the connection portion 311 is formed.

なお、画素R(310a)は、第1の電極302、第1のバッファー層304、発光層R(305a)、第2のバッファー層306、および第2の電極307を順次積層してなる発光素子R(308a)を有し、画素G(310b)は、第1の電極302、第1のバッファー層304、発光層R(305a)、第2のバッファー層306、および第2の電極307を順次積層してなる発光素子G(308b)を有し、画素B(310c)は、第1の電極302、第1のバッファー層304、発光層B(305c)、第2のバッファー層306、および第2の電極307を順次積層してなる発光素子B(308c)を有している。 The pixel R (310a), the first electrode 302, a first buffer layer 304, the light emitting layer R (305a), the second buffer layer 306, and the second formed by sequentially laminating the electrode 307 light-emitting element has R (308a), the pixel G (310b), the first electrode 302, a first buffer layer 304, the light emitting layer R (305a), the second buffer layer 306, and the second electrode 307 sequentially has a laminated formed by light-emitting element G (308b), the pixel B (310c), the first electrode 302, a first buffer layer 304, the light emitting layer B (305c), the second buffer layer 306, and the composed by sequentially laminating the second electrode 307 has a light-emitting element B (308c).

また、接続部311では、補助配線303上に第2のバッファー層306および第2の電極307が順次積層されており、補助配線303と第2の電極307が、第2のバッファー層306を介して電気的に接続される構造を有している。 Further, the connecting portion 311, on the auxiliary wiring 303 and the second buffer layer 306 and the second electrode 307 are sequentially stacked, and the auxiliary wiring 303 and the second electrode 307, via the second buffer layer 306 It has a structure that is electrically connected Te.

ここで、第2のバッファー層306および第2の電極307は、画素部において、微細な形状の加工をすることなく、ベタ膜で形成されている為、複数の画素(画素R(310a)、画素G(310b)、画素B(310c))と、接続部311において、連続する膜として形成されている。 Here, the second buffer layer 306 and the second electrode 307 in the pixel portion, without the processing of the fine shape, since it is formed in a solid film, a plurality of pixels (pixel R (310a), a pixel G (310b), the pixel B (310c)), the connecting portion 311 is formed as a film for continuous.

なお、図3(A)には、各画素の発光素子は、一対の電極間に第1のバッファー層304、発光層305、第2のバッファー層306で構成される発光物質を含む層を挟んでなり、第1のバッファー層304および発光層(発光層R(305a)、発光層G(305b)、発光層B(305c))のみが画素ごとに分割されて、所望の形状に形成される場合について示したが、発光素子を図3(B)に示すような構造とすることもできる。 Incidentally, in FIG. 3 (A), the light emitting element of each pixel, the first buffer layer 304 between a pair of electrodes, the light emitting layer 305, sandwiching a layer containing a light emitting material composed of the second buffer layer 306 becomes, the first buffer layer 304 and the light emitting layer only (light emitting layer R (305a), the light emitting layer G (305b), the light emitting layer B (305c)) is divided for each pixel, is formed into a desired shape It has been shown the case may be a light emitting device structure as shown in Figure 3 (B). 図3(B)に示すように、一対の電極(第1の電極302、第2の電極307)間に形成される発光物質を含む層が、第1のバッファー層304、正孔(ホール)輸送層314、発光層305、電子輸送層316、および第2のバッファー層306で形成され、第1のバッファー層304、正孔(ホール)輸送層314、発光層305、および電子輸送層316が所望の形状に形成されている。 Figure 3 (B), the pair of electrodes a layer containing a light emitting material formed (first electrode 302, second electrode 307) between the first buffer layer 304, hole- transport layer 314, light emitting layer 305, is formed in the electron transport layer 316, and the second buffer layer 306, the first buffer layer 304, hole-transporting layer 314, light emitting layer 305 and the electron transport layer 316, It is formed into a desired shape. なお、発光層305が所望の微細な形状に加工される場合において、ここでは、それぞれの発光層(発光層R(305a)、発光層G(305b)、発光層B(305c))に対して異なる材料を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、同一の材料を用いて形成することもできる。 Note that in the case where the light emitting layer 305 is processed into a desired fine shape, wherein each of the light-emitting layer with respect to (the light emitting layer R (305a), the light emitting layer G (305b), the light emitting layer B (305c)) has been described using different materials, it is not limited thereto, it can be formed using the same material.

なお、図3(B)の場合には、第1のバッファー層304が、各画素の発光素子ごとに所望の形状に形成されているため、接続部311では、補助配線303上に第2のバッファー層306および第2の電極307のみが順次積層される構造となる。 In the case of FIG. 3 (B), the first buffer layer 304, since it is formed into a desired shape per light emitting element of each pixel, the connection portion 311, the second on the auxiliary wiring 303 only buffer layer 306 and the second electrode 307 becomes a structure in which are sequentially stacked. 従って、補助配線303と第2の電極307は、第2のバッファー層306を介して電気的に接続されている。 Therefore, the auxiliary wiring 303 and the second electrode 307 are electrically connected via the second buffer layer 306. つまり、図3(A)、(B)に示す画素部の接続部において、電子が補助配線から第2のバッファー層を通過して、第2の電極に電子が流れる。 In other words, FIG. 3 (A), the in the connection portion of the pixel portion (B), the electrons pass through the second buffer layer from the auxiliary wiring, electrons flowing through the second electrode. 第2の電極を流れた電子は、各画素の発光素子にある第2のバッファー層から発光層に流れ込む。 Electrons flow through the second electrode flows into the light emitting layer from the second buffer layer on the light emitting element of each pixel.

なお、本実施の形態3で説明した発光物質を含む層(第1のバッファー層304、発光層305、第2のバッファー層306、正孔(ホール)輸送層314、電子輸送層316)に用いる物質の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 Incidentally, used for the layer containing a light emitting substance described in Embodiment 3 of the present embodiment (the first buffer layer 304, the light emitting layer 305, the second buffer layer 306, hole-transporting layer 314, the electron transporting layer 316) specific examples of the material, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, the description thereof is omitted.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
本実施の形態では、実施の形態2または実施の形態3とは異なる発光表示パネルの画素部400における発光素子、および接続部の構造の一例について、図4の断面図を用いて説明する。 In the present embodiment, an example of a structure of a light emitting element, and the connection portion in a pixel portion 400 having different light-emitting display panel and Embodiment 2 or Embodiment 3 will be described with reference to the sectional view of FIG. なお、ここでは、各画素に形成される発光素子と接続部の構造についての説明を容易にするため、図1で説明したような基板上の画素部に形成されるTFT(電流制御用TFT、スイッチング用TFT等)、層間絶縁膜、絶縁体等についての説明は省略することとする。 Here, in order to facilitate the description of the structure of the connecting portion and the light-emitting element formed in each pixel, TFT formed in the pixel portion on the substrate as described in FIG. 1 (a current control TFT, and switching TFT or the like), an interlayer insulating film, a description of the insulators, etc. will be omitted.

図4(A)に示すように、基板401上には、複数の画素(赤色で発光する画素R(410a)、緑色で発光する画素G(410b)、青色で発光する画素B(410c))と、接続部411が形成されている。 As shown in FIG. 4 (A), on a substrate 401, a plurality of pixels (pixel emitting red R (410a), the pixel emits light in green G (410b), the pixel B which emits blue light (410c)) When the connection portion 411 is formed.

なお、画素R(410a)は、第1の電極402、第1のバッファー層404、発光層R(405a)、第2のバッファー層406、および第2の電極407を順次積層してなる発光素子R(408a)を有し、画素G(410b)は、第1の電極402、第1のバッファー層404、発光層G(405b)、第2のバッファー層406、および第2の電極407を順次積層してなる発光素子G(408b)を有し、画素B(410c)は、第1の電極402、第1のバッファー層404、発光層B(405c)、第2のバッファー層406、および第2の電極407を順次積層してなる発光素子B(408c)を有している。 The pixel R (410a), the first electrode 402, a first buffer layer 404, the light emitting layer R (405a), the second buffer layer 406, and the second formed by sequentially laminating the electrode 407 light-emitting element It has R (408a), the pixel G (410b), the first electrode 402, a first buffer layer 404, the light emitting layer G (405 b), the second buffer layer 406, and the second electrode 407 sequentially has a laminated formed by light-emitting element G (408b), the pixel B (410c), the first electrode 402, a first buffer layer 404, the light emitting layer B (405c), the second buffer layer 406, and the composed by sequentially laminating the second electrode 407 has a light-emitting element B (408c).

また、接続部411では、補助配線403上に第1のバッファー層404および第2の電極407が順次積層されており、補助配線403と第2の電極407が、第1のバッファー層404を介して電気的に接続される構造を有している。 Further, the connecting portion 411, on the auxiliary wiring 403 and the first buffer layer 404 and the second electrode 407 are sequentially stacked, the auxiliary wiring 403 and the second electrode 407, via a first buffer layer 404 It has a structure that is electrically connected Te.

ここで、第1のバッファー層404および第2の電極407は、画素部において、微細な形状の加工をすることなくベタ膜で形成されている為、複数の画素(画素R(410a)、画素G(410b)、画素B(410c))と、接続部411において、連続する膜として形成されている。 Here, the first buffer layer 404 and the second electrode 407 in the pixel portion, since it is formed of a solid film without the processing of the fine shape, a plurality of pixels (pixel R (410a), the pixel and G (410b), the pixel B (410c)), the connecting portion 411 is formed as a film for continuous.

なお、図4(A)の場合には、各画素の発光素子は、一対の電極間に第1のバッファー層404、発光層405、第2のバッファー層406で構成される発光物質を含む層を挟んでなり、発光層(発光層R(405a)、発光層G(405b)、発光層B(405c))および第2のバッファー層406のみが所望の微細な形状に加工される場合について示したが、図4(B)に示す構造とすることもできる。 The layer in the case of FIG. 4 (A), the light emitting element of each pixel including, a first buffer layer 404 between a pair of electrodes, the light emitting layer 405, a light-emitting substance consists of the second buffer layer 406 across it, the light emitting layer shows a case where (emission layer R (405a), the light emitting layer G (405 b), the light emitting layer B (405c)) and the second only the buffer layer 406 is processed into a desired fine shape and it may have a structure shown in FIG. 4 (B). 図4(B)に示すように、一対の電極(第1の電極402、第2の電極407)間に形成される発光物質を含む層が、第1のバッファー層404、正孔(ホール)輸送層414、発光層405、電子輸送層416、および第2のバッファー層406で形成され、正孔(ホール)輸送層414、発光層405、電子輸送層416、および第2のバッファー層406が所望の形状に形成されている。 Figure 4 (B), the pair of electrodes is a layer containing a light emitting material formed (first electrode 402, second electrode 407) between the first buffer layer 404, hole- transport layer 414, light emitting layer 405, is formed in the electron transport layer 416, and the second buffer layer 406, hole-transporting layer 414, luminescent layer 405, an electron-transporting layer 416 and the second buffer layer 406, is It is formed into a desired shape. なお、発光層405が所望の形状に形成される場合において、ここでは、それぞれの発光層(発光層R(405a)、発光層G(405b)、発光層B(405c))に対して異なる材料を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、同一の材料を用いて形成することもできる。 Note that in the case where the light emitting layer 405 is formed into a desired shape, here different, each of the light-emitting layer with respect to (the light emitting layer R (405a), the light emitting layer G (405 b), the light emitting layer B (405c)) material has been described the case of using, it is not limited thereto, it can be formed using the same material.

図4(B)の場合には、第2のバッファー層406が、各画素の発光素子ごとに所望の形状に形成されているため、接続部411では、補助配線403上に第1のバッファー層404および第2の電極407のみが順次積層される構造となる。 In case of FIG. 4 (B), the second buffer layer 406, since it is formed into a desired shape per light emitting element of each pixel, the connection portion 411, a first buffer layer on the auxiliary wiring 403 only 404 and the second electrode 407 becomes a structure in which are sequentially stacked. 従って、補助配線403と第2の電極407は、第1のバッファー層404を介して電気的に接続されている。 Therefore, the auxiliary wiring 403 and the second electrode 407 are electrically connected via the first buffer layer 404. つまり、図4(A)、(B)に示す画素部の接続部において、ホールが第1のバッファー層から補助配線に流れ、電子は第2の電極、画素の第2のバッファー層を通じて発光層に流れる。 In other words, FIG. 4 (A), the in the connection portion of the pixel portion (B), the holes flow to the auxiliary wiring from the first buffer layer, the electron and the second electrode, the light emitting layer through the second buffer layer of the pixel flowing in.

なお、本実施の形態4で説明した発光物質を含む層(第1のバッファー層404、発光層405、第2のバッファー層406、正孔(ホール)輸送層414、電子輸送層416)に用いる物質の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 Incidentally, used for the layer containing a light emitting substance described in Embodiment 4 of the present embodiment (the first buffer layer 404, the light emitting layer 405, the second buffer layer 406, hole-transporting layer 414, the electron transporting layer 416) specific examples of the material, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, the description thereof is omitted.

(実施の形態5) (Embodiment 5)
本実施の形態では、本発明の発光表示パネルの画素部500におけるTFT、発光素子、および補助配線の構造の一例について、図5の断面図および図6の平面図を用いて説明する。 In this embodiment, TFT in the pixel portion 500 of the light emitting display panel of the present invention, the light-emitting element, and an example of the structure of the auxiliary wiring is explained with reference to the sectional view and a plan view of FIG. 6 in FIG. ただし、図6に示す平面図は、説明を容易にするため、第1の電極502まで形成された状態を示しているが、図5の断面図は、図6の平面図中のA−A'およびB−B'における断面図であって、第1の電極502上に順次積層して第2の電極507まで形成された状態を示している。 However, a plan view shown in FIG. 6, for ease of description, while indicating a state of being formed to the first electrode 502, cross-sectional view of FIG. 5, A-A in the plan view of FIG. 6 a cross-sectional view in 'and B-B', which indicates a state where it is formed to the second electrode 507 are sequentially stacked on the first electrode 502. なお、図5および図6において、共通する部分については共通の符号を用いることとする。 In FIGS. 5 and 6, for the common portions will be used the same reference numerals.

図5(A)は、発光表示パネルの画素部の一部を示すものであり、基板501上に形成されるTFT(図6に示すスイッチング用TFT508、電流制御用TFT509)のうち、電流制御用TFT509のみについて示している。 FIG. 5 (A), which shows a part of a pixel portion of a light emitting display panel, of the TFT formed on the substrate 501 (a switching TFT508 shown in FIG. 6, the current control TFT509), a current control It shows for TFT509 only.

また、電流制御用TFT509は、図5(A)および図6に示すように領域D515において電流供給線512と電気的に接続されるソース電極521と、領域E516において第1の電極502と電気的に接続されたドレイン電極522と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域523と、ゲート電極517とで構成される。 Further, the current control TFT509 is FIG 5 (A) and a source electrode 521 connected current supply line 512 and electrically in a region D515 as shown in FIG. 6, electrical and first electrode 502 in the region E516 a drain electrode 522 connected to a semiconductor region 523 including a source region, a drain region, and a channel forming region, and a gate electrode 517. なお、ソース電極521は電流供給線512と一体に形成されている。 The source electrode 521 is formed integrally with the current supply line 512.

スイッチング用TFT508は電流制御用TFT509と同様の断面構造を有する。 Switching TFT508 has the same sectional structure as the current control TFT509. 図6に示すように領域B513においてソース信号線510と電気的に接続されるソース電極525と、領域C514において電流制御用TFT509のゲート電極517と電気的に接続されたドレイン電極526と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域527と、ゲート電極511とで構成される。 A source electrode 525 is electrically connected to the source signal line 510 in the region B513, as shown in FIG. 6, a drain electrode 526 which is electrically connected to the gate electrode 517 of the current control TFT509 in the region C514, a source region a semiconductor region 527 including a drain region, and a channel forming region, and a gate electrode 511.

また、補助配線503は、図6に示すようにソース信号線510および電流供給線512と平行して形成されている。 The auxiliary wiring 503 is formed in parallel with the source signal line 510 and the current supply line 512 as shown in FIG. 領域F518に、第2の電極507を補助配線503に電気的に接続するための接続部520が設けられている。 In the region F518, connection portion 520 for electrically connecting the second electrode 507 to the auxiliary wiring 503 is provided. 図5(A)に示すように、領域F518において、補助配線503上に第1のバッファー層504、第2のバッファー層506、および第2の電極507が順次積層され、接続部520が形成される。 As shown in FIG. 5 (A), in the region F518, the first buffer layer 504, the second buffer layer 506, and the second electrode 507 are sequentially stacked on the auxiliary wiring 503, the connection portion 520 is formed that.

なお、図5(A)の場合には、第1のバッファー層504および第2のバッファー層506は、微細な形状の加工をすることなくベタ膜で形成され、各画素に共通して用いられており、発光層のみが画素ごとに分割され、所望の形状に形成される場合について示したが、実施の形態3または4で示した第1のバッファー層504、または第2のバッファー層506も発光層505と同様に画素ごとに分割された所望の形状に形成する構成とすることもできる。 In the case of FIG. 5 (A), the first buffer layer 504 and the second buffer layer 506 is formed of a solid film without the processing of the fine shape, used commonly to the pixels and, only the light-emitting layer is divided for each pixel, has been described when formed into a desired shape, also the first buffer layer 504 or the second buffer layer 506, described in embodiment 3 or 4 embodiment It may be configured to form a desired shape which is similarly divided for each pixel and the light-emitting layer 505.

さらに、本実施の形態5で示す図5の場合には、発光物質を含む層が第1のバッファー層504、発光層505(発光層R(505a)、発光層G(505b))で構成される場合について示したが、これに限らず、正孔(ホール)輸送層、電子輸送層も発光物質を含む層に含める構成とすることができる。 Furthermore, in the case of FIG. 5 indicated by the fifth embodiment, the layer containing a light-emitting substance is first buffer layer 504, the light emitting layer 505 is composed of a (light emitting layer R (505a), the light emitting layer G (505b)) It has been shown the case that, not limited to this, hole-transporting layer, also an electron transport layer can be configured to include a layer containing a light emitting substance. なお、その場合に、これらの層を形成する際に用いる物質の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 Incidentally, omitted in this case, specific examples of materials used for forming these layers, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, the description .

また、図5(A)に示す発光層505(505a発光層R、505b発光層G)は、メタルマスク等のマスクを用いた蒸着法(真空蒸着法などの公知の成膜方法)等により、画素ごとに分割された所望の形状に形成される場合について示したものであるが、本発明の場合には、図5(B)に示すように湿式法(インクジェット法、液滴塗布法などの公知の成膜方法)等により所望の形状に形成することもできる。 Further, FIG. 5 emitting layer 505 shown in (A) (505a emitting layer R, 505b emitting layer G) is by such as a vapor deposition method using a mask such as a metal mask (a known film forming method such as vacuum evaporation method), illustrates a case which is formed into a desired shape that is divided into pixels, but in the case of the present invention, wet process as shown in FIG. 5 (B) (an ink jet method, such as a droplet applying method by known film forming method), or the like may be formed into a desired shape.

湿式法を用いる場合には、発光層505に用いることができる物質を溶媒に溶解(または分散)させた溶液を用いる。 In the case of using a wet method, a substance that can be used for the light-emitting layer 505 using a solution dissolved in a solvent (or dispersion). なお、発光層に用いることができる物質としては、実施の形態7で示す物質の他に高分子系の物質(本明細書中においては、ポリマーだけでなく、オリゴマーやデンドリマー等の中程度の分子量の化合物も含む)を用いることもできる。 As the material which can be used for the light-emitting layer, in addition to polymeric materials (herein substances shown in Embodiment 7, not only the polymer, the molecular weight of the medium, such as an oligomer or a dendrimer included) can also be used compounds. なお、低分子系の物質を用いる場合には、成膜するときの膜質を考慮し、バインダーとなる材料(以下、バインダー物質)を含んでいても良い。 In the case of using a low molecular weight materials, considering the quality of the time of film formation, the material comprising a binder (hereinafter, a binder substance) may contain.

なお、高分子系の物質としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体等が挙げられる。 As the material of the polymeric, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyfluorene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyalkyl phenylene, polyacetylene derivatives.

具体的には、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレンビニレン):RO−PPV、ポリ(2−ジアルコキシフェニル−1,4−フェニレンビニレン):ROPh−PPV、ポリ(2−メトキシ−5−(2−エチル−ヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン):MEH−PPV、ポリ(2,5−ジメチルオクチルシリル−1,4−フェニレンビニレン):DMOS−PPV、ポリ(2,5−ジアルコキシ−1,4−フェニレン):RO−PPP、ポリ(3−アルキルチオフェン):PAT、ポリ(3−ヘキシルチオフェン):PHT、ポリ(3−シクロヘキシルチオフェン):PCHT、ポリ(3−シクロヘキシル−4−メチルチオフェン):PCHMT、ポリ(3−[4−オクチルフェニル]−2,2'−ビチオフェン):PT Specifically, poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylenevinylene): RO-PPV, poly (2-dialkoxy-phenyl-1,4-phenylene vinylene): ROPh-PPV, poly (2- methoxy-5- (2-ethyl - hexoxy) -1,4-phenylenevinylene): MEH-PPV, poly (2,5-dimethyl octyl silyl-1,4-phenylene vinylene): DMOS-PPV, poly (2, 5-dialkoxy-1,4-phenylene): RO-PPP, poly (3-alkylthiophene): PAT, poly (3-hexylthiophene): PHT, poly (3-cyclohexyl-thiophene): PCHT, poly (3- cyclohexyl-4-methylthiophene): PCHMT, poly (3- [4-octylphenyl] -2,2'-bithiophene): PT OPT、ポリ(3−(4−オクチルフェニル)−チオフェン):POPT−1、ポリ(ジアルキルフルオレン):PDAF、ポリ(ジオクチルフルオレン):PDOF、ポリプロピルフェニルアセチレン:PPA−iPr、ポリブチルフェニルフェニルアセチレン:PDPA−nBu、ポリヘキシルフェニルアセチレン:PHPA等が挙げられる。 OPT, poly (3- (4-octylphenyl) - thiophene): POPT-1, poly (dialkyl fluorene): PDAF, poly (dioctyl fluorene): PDOF, polypropyl phenylacetylene: PPA-iPr, polybutyl phenyl acetylene : PDPA-nBu, polyhexyl phenylacetylene: PHPA and the like.

また、これらの物質に用いる代表的な溶媒としては、トルエン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、テトラリン、キシレン、アニソール、ジクロロメタン、γ−ブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、THF(テトラヒドロフラン)等が挙げられる。 Further, typical solvents used in these materials, toluene, benzene, chlorobenzene, dichlorobenzene, chloroform, tetralin, xylene, anisole, dichloromethane, .gamma.-butyrolactone, butyl cellosolve, cyclohexane, NMP (N-methyl - 2-pyrrolidone), dimethyl sulfoxide, cyclohexanone, dioxane, or, THF (tetrahydrofuran) and the like.

また、バインダー物質としては、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、またはフェノール樹脂等を用いることができる。 Further, as the binder material, it can be used polyvinyl alcohol, polymethyl methacrylate, polycarbonate or a phenol resin.

(実施の形態6) (Embodiment 6)
本実施の形態では、実施の形態5とは異なる発光表示パネルの画素部700におけるTFT、発光素子、および補助配線の構造の一例について、図7の断面図および図8の平面図を用いて説明する。 In this embodiment, TFT in the pixel portion 700 of the different emission display panel of the fifth embodiment, the light emitting element, and an example of the structure of the auxiliary wiring, using a plan view of a cross-sectional view and FIG. 8 in FIG. 7 described to. ただし、図8に示す平面図は、説明を容易にするため、第1の電極702まで形成された状態を示しているが、図7の断面図は、図8の平面図中のA−A'およびB−B'における断面図であって、第1の電極702上に順次積層して第2の電極707まで形成された状態を示している。 However, a plan view shown in FIG. 8, for ease of description, while indicating a state of being formed to the first electrode 702, cross-sectional view of FIG. 7, A-A in the plan view of FIG. 8 a cross-sectional view in 'and B-B', which indicates a state where it is formed to the second electrode 707 are sequentially stacked on the first electrode 702. なお、図7および図8において、共通する部分については共通の符号を用いることとする。 In FIG. 7 and FIG. 8, for the common portions will be used the same reference numerals.

図7(A)は、発光表示パネルの画素部の一部を示すものであり、基板701上に形成されるTFT(図8に示すスイッチング用TFT708、電流制御用TFT709)のうち、電流制御用TFT709のみについて示している。 7 (A) is intended to indicate a portion of a pixel portion of a light emitting display panel, of the TFT formed on the substrate 701 (a switching TFT708 shown in FIG. 8, the current control TFT709), a current control It shows for TFT709 only.

また、電流制御用TFT709は、図8に示すように領域D715において電流供給線712と電気的に接続されるソース電極と、領域E716において第1の電極702と電気的に接続されたドレイン電極と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域と、ゲート電極717とで構成される。 The current control TFT709 has a source electrode connected current supply line 712 and electrically in a region D715 as shown in FIG. 8, a first electrode 702 and electrically connected to the drain electrode in the region E716 a semiconductor region including a source region, a drain region, and a channel forming region, and a gate electrode 717.

なお、スイッチング用TFT708は電流制御用TFT709と同様の断面構造を有し、図8に示すように領域B713においてソース信号線710と電気的に接続されるソース電極725と、領域C714において電流制御用TFT709のゲート電極717と電気的に接続されたドレイン電極726と、ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域とを含む半導体領域727と、ゲート電極711とで構成される。 Incidentally, the switching TFT708 have similar cross-sectional structure as the current control TFT709, the source electrode 725 is electrically connected to the source signal line 710 in the region B713, as shown in FIG. 8, a current control in the region C714 a gate electrode 717 and electrically connected to the drain electrode 726 of the TFT709, the source region, the semiconductor region 727 including a drain region, and a channel forming region, and a gate electrode 711. なお、ソース電極725はソース信号線710と一体に形成されている。 The source electrode 725 is formed integrally with the source signal line 710.

また、補助配線703は、図8に示すようにゲート信号線719と平行して形成されている。 Further, the auxiliary wiring 703 are formed in parallel with the gate signal line 719 as shown in FIG. 領域F718に、第2の電極707を補助配線703に接続するための接続部720が形成されている。 In the region F718, the connection portion 720 for connecting the second electrode 707 to the auxiliary wiring 703 is formed. 図7(A)に示すように、領域F718において、補助配線703上に第1のバッファー層704、第2のバッファー層706、および第2の電極707が順次積層され、接続部720が形成される。 As shown in FIG. 7 (A), in the region F718, the first buffer layer 704, the second buffer layer 706, and the second electrode 707 are sequentially stacked on the auxiliary wiring 703, the connection portion 720 is formed that.

なお、図7(A)の場合には、第1のバッファー層704および第2のバッファー層706は、微細な形状の加工を行うことなくベタ膜で形成され、各画素に共通して用いられており、発光層のみが画素ごとに分割され、所望の形状に形成される場合について示したが、実施の形態3または4で示した第1のバッファー層704、または第2のバッファー層706も発光層と同様に、画素ごとに分割した所望の微細な形状に形成する構成とすることもできる。 In the case of FIG. 7 (A) first buffer layer 704 and the second buffer layer 706 is formed of a solid film without performing processing of fine shape, used commonly to the pixels and, only the light-emitting layer is divided for each pixel, has been described when formed into a desired shape, also the first buffer layer 704 or the second buffer layer 706, described in embodiment 3 or 4 embodiment Like the light emitting layer can also be configured to form a desired fine shape obtained by dividing each pixel.

さらに、本実施の形態6で示す図7の場合には、発光物質を含む層が第1のバッファー層704、発光層705(発光層R(705a)、発光層G(705b))で構成される場合について示したが、これに限らず、正孔(ホール)輸送層、電子輸送層も発光物質を含む層に含める構成とすることができる。 Furthermore, in the case of FIG. 7 indicated by the sixth embodiment, the layer containing a light-emitting substance is first buffer layer 704, the light emitting layer 705 is composed of a (light emitting layer R (705a), the light emitting layer G (705b)) It has been shown the case that, not limited to this, hole-transporting layer, also an electron transport layer can be configured to include a layer containing a light emitting substance. なお、その場合に、これらの層を形成する際に用いる物質の具体例としては、実施の形態7に挙げる物質を用いることができるので、実施の形態7を参照することとし、説明を省略する。 Incidentally, omitted in this case, specific examples of materials used for forming these layers, it is possible to use a substance listed in the seventh embodiment, and referring to the seventh embodiment, the description .

また、図7(A)に示す発光層705(705a発光層R、705b発光層G)は、メタルマスク等のマスクを用いた蒸着法(真空蒸着法などの公知の成膜方法)等により、画素ごとに分割され、所望の形状に形成される場合について示したものであるが、本発明の場合には、図7(B)に示すように湿式法(インクジェット法、液滴塗布法などの公知の成膜方法)等により所望の形状に形成することもできる。 Further, FIG. 7 emitting layer 705 shown in (A) (705a emitting layer R, 705b emitting layer G) is by such as a vapor deposition method using a mask such as a metal mask (a known film forming method such as vacuum evaporation method), is divided for each pixel, but illustrates a case which is formed into a desired shape, in the present case, a wet process as shown in FIG. 7 (B) (an ink jet method, such as a droplet applying method by known film forming method), or the like may be formed into a desired shape.

なお、湿式法を用いて発光層705を形成する場合に用いる物質としては、実施の形態5に示した物質を用いることができるとし、説明を省略する。 As the material used in forming the light-emitting layer 705 by a wet process, and it is possible to use a substance described in Embodiment 5, the description thereof is omitted.

(実施の形態7) (Embodiment 7)
本実施の形態では、本発明において適用できる発光素子の構成について、図9を用いて説明する。 In this embodiment, a structure of a light-emitting element which can be applied in the present invention will be described with reference to FIG. すなわち、本実施の形態に示す発光素子の構成を他の実施の形態における発光素子部分に適用できるものとする。 That, and it can be applied the configuration of a light emitting element described in this embodiment the light emitting element portion according to another embodiment. なお、図9(A)〜(F)のいずれの場合も基板901上に形成される発光素子は、第1の電極902、発光物質を含む層903、第2の電極904が順次積層された構造を有する。 Note that the light-emitting element formed over the substrate 901 in either case of FIG. 9 (A) ~ (F), the first electrode 902, the layer 903 containing a light-emitting substance, the second electrode 904 are sequentially stacked having the structure. また、本実施の形態で示す図9の場合には、基板上に薄膜トランジスタが形成されている場合も、基板901に含まれることとして、説明を省略する。 Further, in the case of FIG. 9 in this embodiment will be omitted even if the thin film transistor is formed on the substrate, as it contained in the substrate 901, the description. また、本実施の形態において、第1の電極902は、陽極として機能し、第2の電極904は、陰極として機能するものとする。 Further, in this embodiment, the first electrode 902 functions as an anode and the second electrode 904, and functions as a cathode.

図9(A)の場合は、第1の電極902が透明導電膜で形成され、第2の電極904が遮光性(反射性)導電膜で形成され、発光層907で生じた光が第1の電極902側(図中の矢印の方向)から射出される構成となる。 In the case of FIG. 9 (A), the first electrode 902 is formed of a transparent conductive film, the second electrode 904 is formed with a light shielding property (reflective) conductive film, the light generated in the light emitting layer 907 is first a configuration that is emitted from the electrode 902 side (the direction of the arrow in the figure). なお、この場合には、発光物質を含む層903は、第1の電極902側から第1のバッファー層905、発光層907、第2のバッファー層909が順次積層された構造を有する。 In this case, the layer 903 containing a light emitting material has a first buffer layer 905 from the first electrode 902 side, the light emitting layer 907, the second buffer layer 909 are sequentially stacked. なお、図9(A)に示すように第1のバッファー層905と発光層907との間に正孔輸送層906を設けてもよい。 Incidentally, the hole transport layer 906 may be provided between the first buffer layer 905 as shown in FIG. 9 (A) and the light-emitting layer 907. さらに、発光層907と第2のバッファー層909との間に電子輸送層908を設けてもよい。 Furthermore, it may be an electron-transporting layer 908 between the light emitting layer 907 and the second buffer layer 909.

第1の電極902を形成する材料としては、透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。 As a material for forming the first electrode 902, it is preferable to use a conductive material having a light-transmitting property. なお、透光性を有する導電性材料としては、その膜に対する可視光の透過率が40%以上であり、かつその抵抗率が1×10 −2 Ωcm以下の膜のことをいう。 As the conductive material having a light-transmittance of visible light is 40% or more for that film, and its resistivity refers to 1 × 10 -2 Ωcm or less of the membrane.

なお、第1の電極902を形成する材料の具体例としては、インジウム錫酸化物(ITO:indium tin oxide)、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化インジウムに2〜20[wt%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)等を用いることができる。 As specific examples of the material forming the first electrode 902, indium tin oxide (ITO: indium tin oxide), indium tin oxide containing silicon oxide, of 2 to 20 [wt%] indium oxide zinc IZO mixed with (ZnO) (indium zinc oxide) or the like can be used.

さらに、第1の電極902に必要な透光性を確保するために100nm以下の薄膜で用いる場合には、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物、例えば、窒化チタン(TiN)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルカリ金属、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)等を用いることもできる。 Furthermore, when used in the following thin film 100nm in order to ensure transparency required for the first electrode 902, gold (Au), platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), tungsten ( W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), nitride of a metal material, for example, titanium nitride (TiN), aluminum ( Al), silver (Ag), an alkali metal, magnesium (Mg) an alkaline earth metal such as an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li) or the like can also be used.

なお、図9(A)の場合には、第1の電極902に接して第1のバッファー層905が設けられていることから、一般に仕事関数の小さい材料として知られるアルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルカリ金属、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)等も用いることができる。 In the case of FIG. 9 (A), aluminum is known from the first buffer layer 905 in contact with the first electrode 902 is provided, as a material having a small general work function (Al), silver ( Ag), an alkali metal, magnesium (Mg) an alkaline earth metal such as an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li) or the like can also be used. これは、第1のバッファー層905を設けることにより幅広い範囲の仕事関数を有する電極材料に対してのオーム接触が可能となるためである。 This is because the ohmic contact with the electrode material having a work function of a wide range by providing the first buffer layer 905 is made possible.

また、第2の電極904を形成する材料としては、遮光性(反射性)を有する導電性材料を用いることが好ましい。 The material for forming the second electrode 904, it is preferable to use a conductive material having a light-shielding property (reflective). なお、遮光性を有する導電性材料としては、その膜に対する可視光の透過率が10%未満であり、かつその抵抗率が1×10 −2 Ωcm以下の膜のことをいう。 As the conductive material having a light shielding property, visible light transmittance of the film is less than 10%, and its resistivity refers to 1 × 10 -2 Ωcm or less of the membrane. また、反射性を有する導電性材料としては、その膜に対する可視光の反射率が40%〜100%、好ましくは70%〜100%であり、かつその抵抗率が1×10 −2 Ωcm以下の膜のことをいう。 As the conductive material having reflectivity, the reflectivity of visible light of 40% to 100% for the film, preferably 70% to 100%, and the resistivity of 1 × 10 -2 Ωcm or less of It refers to the film.

なお、第2の電極904を形成する材料の具体例としては、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物、例えば窒化チタン(TiN)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルカリ金属、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)等が挙げられる。 As specific examples of the material forming the second electrode 904, gold (Au), platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo ), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), nitride of a metal material such as titanium nitride (TiN), aluminum (Al), silver (Ag), an alkali metal, magnesium (Mg) an alkaline earth metal such as an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li), and the like.

さらに、第2の電極904に必要な遮光性(反射性)を確保するために他の遮光性(反射性)を有する材料と組み合わせて用いる場合には、透光性材料であるITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、IZO等を用いることもできる。 Further, ITO is used in combination with materials having other light-blocking (reflective) in order to secure light-shielding required for the second electrode 904 (reflectivity) is a light-transmitting material, silicon oxide it is also possible to use indium tin oxide, IZO or the like including a.

なお、図9(A)の場合には、第2の電極904に接して第2のバッファー層909が設けられていることから、一般に仕事関数の大きい材料として知られるITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、IZO等も用いることができる。 In the case of FIG. 9 (A), indium including the fact that the second buffer layer 909 in contact with the second electrode 904 is provided, generally ITO, known as material having a high work function, a silicon oxide tin oxide, IZO, or the like can also be used. これは、第2のバッファー層909を設けることにより幅広い範囲の仕事関数を有する電極材料に対してのオーム接触が可能となるためである。 This is because the ohmic contact with the electrode material having a work function of a wide range by providing the second buffer layer 909 is made possible.

第1のバッファー層905には、正孔輸送性を示す物質として、発光素子用の第1の複合材料を用いることができる。 The first buffer layer 905, a substance showing a hole transporting property, it is possible to use the first composite material for a light emitting element. なお、本発明において、発光素子用の第1の複合材料とは、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のうちのいずれかと、金属化合物との組み合わせで構成される。 In the present invention, the first composite material for a light emitting element, an aromatic amine compound, carbazole derivatives, with any of the aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton) , and a combination of a metal compound.

芳香族アミン化合物としては、例えば、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4'−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4',4''−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4'−ビス[N−{4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル}−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4',4''−トリス(N−カルバゾリル)トリフェ The aromatic amine compounds, such as 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB), 4,4'-bis [N-(3- methylphenyl ) -N- phenylamino] biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4 ', 4' '- tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4', 4 '' - tris [N-(3- methylphenyl) -N- phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4'-bis [N- {4- (N, N- di -m- tolylamino) phenyl} -N- phenylamino] biphenyl (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris [N, N-di (m-tolyl) amino] benzene (abbreviation: m-MTDAB), 4,4 ', 4' ' - tris (N- carbazolyl) triphenyl ルアミン(略称:TCTA)、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、2,2',3,3'−テトラキス(4−ジフェニルアミノフェニル)−6,6'−ビスキノキサリン(略称:D−TriPhAQn)、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:NPADiBzQn)等が挙げられる。 Triethanolamine (abbreviation: TCTA), 2,3-bis (4-diphenylaminophenyl) quinoxaline (abbreviation: TPAQn), 2,2 ', 3,3'- tetrakis (4-diphenylaminophenyl) -6,6' Bisukinokisarin (abbreviation: D-TriPhAQn), 2,3- bis {4- [N- (1- naphthyl) -N- phenylamino] phenyl} - dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: NPADiBzQn) or the like include It is.

また、カルバゾール誘導体としては、下記一般式(1)で示されるものが挙げられる。 As the carbazole derivatives include those represented by the following general formula (1). なお、具体例としては、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)等が挙げられる。 As specific examples, 3- [N-(9-phenyl-carbazol-3-yl) -N- phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCAl), 3,6-bis [N-(9- phenyl carbazol-3-yl) -N- phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), and the like. この構造を有するカルバゾール誘導体を用いた発光素子用の複合材料は熱的安定性に優れ、信頼性が良い。 Composite material for a light emitting element using the carbazole derivative having the structure is excellent in thermal stability, good reliability.

(式中、R およびR は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数1〜7のアシル基のいずれかを表し、Ar は、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基のいずれかを表し、R は、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R は、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、一般式(2)で示される置換基のいずれかを表し、一般式(2)で示される置換基において、R は、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数 (In the formula, R 1 and R 3, which may be respectively identical or different and are hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, heteroaryl group having 5 to 9 carbon atoms, arylalkyl group, or an acyl group having 1 to 7 carbon atoms, Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, any of the heteroaryl group having 5 to 9 carbon atoms, R 2 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, generally represents any of the substituents represented by formula (2), in the substituents represented by formula (2), R 5 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms , a heteroaryl group having 5 to 9 carbon atoms, an arylalkyl group, the carbon number 〜7のアシル基のいずれかを表し、Ar は、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基のいずれかを表し、R は、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表す。) Represents one of to 7 acyl group, Ar 2 is an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, represents any heteroaryl group having 5 to 9 carbon atoms, R 6 is hydrogen, a carbon number 1 to 6 alkyl group, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.)

また、下記一般式(3)乃至(6)のいずれかで示されるようなカルバゾール誘導体も用いることができる。 Can also be used carbazole derivatives as shown in any one of the following general formula (3) to (6). 下記一般式(3)乃至(6)のいずれかで表されるカルバゾール誘導体の具体例としては、N−(2−ナフチル)カルバゾール(略称:NCz)、4,4'−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9,10−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]アントラセン(略称:BCPA)、3,5−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ビフェニル(略称:BCPBi)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)等を挙げることができる。 Specific examples of the carbazole derivative represented by any one of the following general formula (3) to (6), N-(2-naphthyl) carbazole (abbreviation: NCZ), 4,4'-di (N- carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 9,10-bis [4-(N-carbazolyl) phenyl] anthracene (abbreviation: BCPA), 3,5- bis [4-(N-carbazolyl) phenyl] biphenyl (abbreviation: BCPBi) , 1,3,5-tris [4-(N-carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation: TCPB), and the like.

式中Arは炭素数6〜42の芳香族炭化水素基を表し、nは1〜3の自然数を表し、R 、R は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。 Wherein Ar represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 42 carbon atoms, n represents a natural number of 1 to 3, R 1, R 2 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or carbon atoms, 6 It represents the 12 aryl group.

ただし、式中Arは炭素数6〜42の1価の芳香族炭化水素基を表し、R 、R は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。 However, Ar in the formula represents a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 42 carbon atoms, R 1, R 2 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a representative.

ただし、式中Arは炭素数6〜42の2価の芳香族炭化水素基を表し、R 〜R は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。 However, Ar in the formula represents a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 42 carbon atoms, R 1 to R 4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a representative.

ただし、式中Arは炭素数6〜42の3価の芳香族炭化水素基を表し、R 〜R は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。 However, Ar in the formula represents a trivalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 42 carbon atoms, R 1 to R 6 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a representative.

また、芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)としては、アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、テトラセン、ルブレン、ペンタセン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。 The aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton), anthracene, 9,10-diphenyl anthracene (abbreviation: DPA), 2-tert-butyl-9,10-di ( 2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), tetracene, rubrene, aromatic hydrocarbons such as pentacene, and the like.

また、上記金属化合物としては、遷移金属の酸化物や窒化物が望ましく、4〜8族に属する金属の酸化物もしくは窒化物がさらに望ましい。 Further, examples of the metal compound is desirably an oxide or nitride of a transition metal, oxide or nitride of a metal belonging to 4-8 group is more desirable. また、上述した芳香族アミン、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のいずれに対しても電子受容性を示すものが好ましい。 Further, the above-described aromatic amines, carbazole derivatives, and those having an electron-accepting property with respect to any of the aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton) is preferable. このような金属化合物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。 As such metal compound, for example, molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, rhenium oxide, and the like. この他、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物等の金属化合物を用いることもできる。 In addition, titanium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, can be used silver oxide or the like of the metal compound.

なお、第1のバッファー層905において、金属化合物は、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のいずれを用いた場合でもこれらに対して質量比が0.5〜2、若しくはモル比が1〜4(=金属化合物/芳香族炭化水素)となるように含まれていることが好ましい。 In the first buffer layer 905, a metal compound, an aromatic amine, a carbazole derivative, and an aromatic hydrocarbon (a vinyl skeleton containing at least one aromatic hydrocarbon containing) thereto case of using any of the mass ratio for 0.5 to 2, or the molar ratio is preferably included so as to be 1 to 4 (= metal compound / aromatic hydrocarbons). このように第1のバッファー層905において、金属化合物を、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のいずれかと混合することにより結晶化しやすい傾向にあるこれらの物質の結晶化を抑えることができる。 In the first buffer layer 905 in this way, crystals of metal compounds, aromatic amines, carbazole derivatives, and by mixing with any of the aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton) in the turned into prone it is possible to suppress the crystallization of these materials.

また、上述した金属化合物の中でも特にモリブデン酸化物は、単体で層にしたときに結晶化し易いが、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のうちのいずれかと混合することによって、同様に結晶化を抑えることができる。 In particular molybdenum oxide Among metal compounds described above is easily crystallized when formed into a layer by itself, an aromatic amine, a carbazole derivative, an aromatic hydrocarbon containing at least one aromatic hydrocarbon (vinyl skeleton by mixing with any of the included), it can be suppressed similarly crystallization. 従って、第1のバッファー層905は、複数の材料を混合することにより互いの結晶化が阻害されるため、結晶化し難い層であるといえる。 Accordingly, the first buffer layer 905, since the mutual crystallization is inhibited by mixing a plurality of materials, said to be difficult to crystallize the layer. なお、第1のバッファー層905は、導電率が高いことから50nm以上の膜厚とすることができる。 The first buffer layer 905 may be a thickness of at least 50nm since high conductivity.

発光層907は、少なくとも一種の発光物質を含んでいる。 Emitting layer 907 includes at least one luminescent material. ここでいう発光物質とは、発光効率が良好で、所望の波長の発光をし得る物質である。 The light-emitting substance referred to herein, the luminous efficiency is good, it is a substance which can emit light with a desired wavelength. 発光層は、発光物質のみから形成された層であってもよいが、発光物質の有するエネルギーギャップ(LUMO準位とHOMO準位との間のエネルギーギャップをいう。)よりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、発光物質が分散するように混合された層(いわゆる、ホストとゲストの関係にある物質をそれぞれ含む層)であっても良い。 The light emitting layer may be a layer formed of only the light-emitting material, but having a larger energy gap than (say the energy gap. Between a LUMO level and a HOMO level) energy gap having a light-emitting substance a layer of a substance, a layer in which a luminous material is mixed so as to disperse (so-called, the host and guest materials having a relationship layer containing respectively). なお、発光層において、ホストとして機能する発光物質(ホスト物質ともいう)にゲストとして機能する発光物質(ゲスト物質ともいう)を分散して存在させることにより、発光が濃度に起因して消光してしまうことを防ぐこともできる。 Note that, in the light-emitting layer, by the presence by dispersing a light-emitting substance (also referred to as a guest material) that serves as a guest in the light emitting substance (also referred to as a host material) that serves as a host, light emission is quenched due to the concentration it is also possible to prevent the put away.

なお、発光層907に用いることができる具体的な発光物質としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq と示す)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Almq と示す)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(以下、BeBq と示す)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(以下、BAlqと示す)、ビス[2−(2'−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(以下、Zn(BOX) と示す)、ビス[2−(2'−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(以下、Zn(BTZ) と示す)、4−(ジシアノメチレン)−2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメ As a specific light-emitting substance can be used for the light-emitting layer 907, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, referred to as Alq 3), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, Almq 3 and shown), bis (10-hydroxybenzo [h] - quinolinato) beryllium (hereinafter, referred to as BeBq 2), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (hereinafter, referred to as BAlq ), bis [2- (2'-hydroxyphenyl) - benzoxazolato] zinc (hereinafter, Zn (BOX) shows a 2), bis [2- (2'-hydroxyphenyl) - benzothiazolato] zinc (hereinafter, Zn (BTZ) shows a 2), 4- (dicyanomethylene) -2-isopropyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethylene チルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(以下、DCJTIと示す)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(以下、DCJTと示す)、4−(ジシアノメチレン)−2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(以下、DCJTBと示す)やペリフランテン、1,4−ビス[2−(10−メトキシ)−1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−2,5−ジシアノベンゼン、N,N'−ジメチルキナクリドン(以下、DMQdと示す)、クマリン6やクマリン545T、9,10−ジ(2−ナフチル)−2−tert Chirujurorijin 9-yl) ethenyl] -4H- pyran (hereinafter, referred to as DCJTI), 4-(dicyanomethylene) -2-methyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyl-julolidine - 9-yl) ethenyl] -4H- pyran (hereinafter, referred to as DCJT), 4-(dicyanomethylene) -2-tert-butyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyl-julolidine - 9-yl) ethenyl] -4H- pyran (hereinafter, referred to as DCJTB) and periflanthene, 1,4-bis [2- (10-methoxy) 1,1,7,7-tetramethyl-julolidine-9-yl ) ethenyl] -2,5-dicyanobenzene, N, N'-dimethyl quinacridone (hereinafter, referred to as DMQd), coumarin 6 and coumarin 545T, 9,10-di (2-naphthyl) -2-tert −ブチルアントラセン(以下、t−BuDNAと示す)、9,9'−ビアントリル、9,10−ジフェニルアントラセン(以下、DPAと示す)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(以下、DNAと示す)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−ガリウム(以下、BGaqと示す)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(以下、BAlqと示す)、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C ')イリジウム(以下、Ir(ppy) と示す)、(2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリナト)白金(以下、PtOEPと示す)、ビス{2−[3',5'−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト - butylanthracene (hereinafter, referred to as t-BuDNA), 9,9'-bianthryl, 9,10-diphenyl anthracene (hereinafter referred to as DPA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (hereinafter, the DNA shown), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato - gallium (hereinafter, referred to as BGaq), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (hereinafter, shown as BAlq), tris (2-phenylpyridinato--N, C 2 ') iridium (hereinafter, Ir (ppy) shows a 3), (2,3,7,8,12,13,17,18 octaethyl-21H, 23H-porphyrinato) platinum (hereinafter, referred to as PtOEP), bis {2- [3 ', 5'-bis (trifluoromethyl) phenyl] pyridinato −N,C '}イリジウム(III)ピコリナート(以下、Ir(CF ppy) (pic)と示す)、ビス[2−(4',6'−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C ']イリジウム(III)アセチルアセトナート(以下、FIr(acac)と示す)、ビス[2−(4',6'−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C ']イリジウム(III)ピコリナート(以下、FIr(pic)と示す)、などの各種発光物質が有効である。 -N, C 2 '} iridium (III) picolinate (hereinafter, referred to as Ir (CF 3 ppy) 2 ( pic)), bis [2- (4', 6'-difluorophenyl) pyridinato -N, C 2 ' ] iridium (III) acetylacetonate (hereinafter, referred to as FIr (acac)), bis [2- (4 ', 6'-difluorophenyl) pyridinato -N, C 2'] iridium (III) picolinate (hereinafter, FIr shown as (pic)), a variety of luminescent substances such as is valid.

なお、ホスト物質とゲスト物質とを組み合わせて発光層を形成する場合には、上述した発光物質と以下に示すようなホスト物質とを組み合わせて形成すればよい。 In the case of forming the light-emitting layer in combination with a host material and the guest material may be formed by combining a host material as described below and the above-described light-emitting substance.

具体的なホスト物質としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq と示す)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Almq と示す)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(以下、BeBq と示す)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(以下、BAlqと示す)、ビス[2−(2'−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(以下、Zn(BOX) と示す)、ビス[2−(2'−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(以下、Zn(BTZ) と示す)、9,10−ジ(2−ナフチル)−2−tert−ブチルアントラセン(以下、t−BuDNAと示す)、9,10−ジ(2−ナ Specific host material, tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, referred to as Alq 3), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (hereinafter, referred to as Almq 3), bis (10-hydroxybenzo [h] - quinolinato) beryllium (hereinafter, referred to as BeBq 2), bis (2-methyl-8-quinolinolato) - (4-phenylphenolato) aluminum (hereinafter, referred to as BAlq), bis [2- (2 ' - hydroxyphenyl) - benzoxazolato] zinc (hereinafter, Zn (BOX) shows a 2), bis [2- (2'-hydroxyphenyl) - benzothiazolato] zinc (hereinafter, Zn (BTZ) shows a 2), 9,10-di (2-naphthyl) -2-tert-butyl anthracene (hereinafter, referred to as t-BuDNA), 9,10-di (2-na フチル)アントラセン(以下、DNAと示す)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−ガリウム(以下、BGaqと示す)、4,4'−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(以下、CBPと示す)、4,4',4''−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(以下、TCTAと示す)、2,2',2''−(1,3,5−ベンゼントリイル)−トリス(1−フェニル−1H −ベンゾイミダゾール)(以下、TPBiと示す)、TPAQn等を用いることができる。 Fuchiru) anthracene (hereinafter, referred to as DNA), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato - gallium (hereinafter, referred to as BGaq), 4,4'-di (N- carbazolyl) biphenyl ( hereinafter referred to as CBP), 4,4 ', 4' '- tris (N- carbazolyl) triphenylamine (hereinafter, referred to as TCTA), 2,2', 2 '' - (1,3,5- benzene triyl) - tris (1-phenyl-1H - benzimidazole) (hereinafter, referred to as TPBi), can be used TPAQn like.

また、第2のバッファー層909には、発光素子用の第2の複合材料を用いることができる。 The second buffer layer 909, it is possible to use a second composite material for a light emitting element. 本発明における発光素子用の第2の複合材料とは、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質から選ばれる少なくとも一の物質と、これらの物質に対し電子供与性を示す物質(ドナー)との組み合わせで構成される。 The second composite material for a light emitting element in the present invention, a combination of at least one substance selected from electron transporting substance and the bipolar substance, a substance showing an electron donating property to these substances (donor) constructed. 電子輸送性物質およびバイポーラ性物質としては、1×10 −6 cm /Vs以上の電子移動度を有する物質が好ましい。 Examples of the electron transporting substance and the bipolar substance, a substance having a 1 × 10 -6 cm 2 / Vs or more electron mobility is preferable.

なお、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質については、それぞれ、後述する電子輸送層908についての説明で示す材料を用いることができる。 Note that the electron transporting substance and a bipolar substance, respectively, can be formed using a material shown in the description of the electron transport layer 908 to be described later. さらに、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質の中から、電子輸送層908の形成に用いる物質よりも電子親和力が大きい物質を選択することが好ましい。 Furthermore, among the electron transporting substance and a bipolar substance, it is preferable to select the electron affinity greater substance than substance used for forming the electron transport layer 908.

また、電子供与性を示す物質(ドナー)としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム(Li)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、マグネシウム(Mg)等のアルカリ金属やアルカリ土類金属を用いることができる。 As the substance (donor) showing an electron donating property, alkali metal and a substance selected from alkali earth metals, specifically lithium (Li), calcium (Ca), sodium (Na), potassium ( K), magnesium (Mg) an alkali metal or an alkaline earth metal such as can be used. さらに、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物、具体的にはリチウム酸化物(Li O)、カルシウム酸化物(CaO)、ナトリウム酸化物(Na O)、カリウム酸化物(K O)、マグネシウム酸化物(MgO)、リチウム窒化物(LiN )、マグネシウム窒化物(MgN )、カルシウム窒化物(CaN )、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF )等の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。 Furthermore, alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides, alkali metal fluorides, alkali metal or alkaline earth metal compound of an alkaline earth metal fluoride or the like, specifically , lithium oxide (Li 2 O), calcium oxide (CaO), sodium oxide (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), magnesium oxide (MgO), lithium nitride (LiN x ), magnesium nitride (MgN x), calcium nitride (CaN x), lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), as a substance substances showing an electron donating property such as calcium fluoride (CaF 2) it can be used.

また、第2のバッファー層909は、上述した電子供与性を示す物質(ドナー)のみで形成しても良い。 The second buffer layer 909 may be formed only on the substance (donor) showing an electron donating property described above.

正孔輸送層906は、正孔の輸送性に優れた層であり、特に1×10 −6 cm /Vs以上の正孔移動度を示す正孔輸送性物質またはバイポーラ性物質を用いて形成することが好ましい。 Hole transporting layer 906 is a layer having excellent hole transporting property, formed by the especially hole transporting substance or a bipolar substance indicates the 1 × 10 -6 cm 2 / Vs or more hole mobility it is preferable to. なお、正孔輸送性物質とは、電子よりも正孔の移動度が高い物質であり、好ましくは電子の移動度に対する正孔の移動度の比の値(=正孔移動度/電子移動度)が100よりも大きい物質をいう。 Note that the hole transporting material, it is a high mass mobility of holes than that of electrons, preferably mobility of the ratio of the value of the hole with respect to the electron mobility (= hole mobility / electron mobility ) refers to a greater substance than 100.

正孔輸送性物質としては、例えば芳香族アミン系(すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物が好適である。 As the hole transporting material, for example an aromatic amine (i.e., benzene rings - one having a nitrogen bond) compounds are preferred. 広く用いられている物質として、例えば、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン(以下、TPDと示す)の他、その誘導体である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、NPBと示す)や、4,4',4''−トリス(N−カルバゾリル)−トリフェニルアミン(以下、TCTAと示す)、4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下、TDATAと示す)、4,4',4''−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(以下、MTDATAと示す)などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。 Widely used materials include, for example, N, N'-diphenyl -N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (hereinafter, referred to as TPD) other, a derivative thereof such as 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenyl - amino] - biphenyl (hereinafter, referred to as NPB), or 4,4 ', 4' '- tris ( N- carbazolyl) - triphenylamine (hereinafter, referred to as TCTA), 4,4 ', 4' '- tris (N, N- diphenylamino) triphenylamine (hereinafter, referred to as TDATA), 4, 4', 4 '' - tris [N-(3- methylphenyl) -N- phenylamino] triphenylamine (hereinafter, referred to as MTDATA) include starburst aromatic amine compound such.

また、バイポーラ性物質とは、電子の移動度と正孔の移動度とを比較したときに、一方のキャリアの移動度に対する他方のキャリアの移動度の比の値が100以下、好ましくは10以下である物質をいう。 Further, the bipolar substance, when compared with the electron mobility and hole mobility, the value of the ratio of the mobility of the other carrier for the mobility of one carrier is 100 or less, preferably 10 or less refers to a substance it is. バイポーラ性の物質として、例えば、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:NPADiBzQn)等が挙げられる。 As the bipolar substance, for example, 2,3-bis (4-diphenylaminophenyl) quinoxaline (abbreviation: TPAQn), 2,3-bis {4- [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] phenyl } - dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: NPADiBzQn), and the like. バイポーラ性の物質の中でも特に、正孔及び電子の移動度が1×10 −6 cm /Vs以上の物質を用いることが好ましい。 Among the bipolar substance, it is preferable that the mobility of holes and electrons used 1 × 10 -6 cm 2 / Vs or more substances.

電子輸送層908は、電子の輸送性に優れた層であり、特に1×10 −6 cm /Vs以上の電子移動度を示す電子輸送性物質またはバイポーラ性物質を用いて形成することが好ましい。 Electron transporting layer 908 is a layer excellent in electron transport property, it is preferably formed using an electron transporting substance or a bipolar substance exhibit particularly 1 × 10 -6 cm 2 / Vs or more electron mobility . なお、電子輸送性物質とは、正孔よりも電子の移動度が高い物質であり、好ましくは正孔の移動度に対する電子の移動度の比の値(=電子移動度/正孔移動度)が100よりも大きい物質をいう。 Note that the electron transporting material, an electron mobility is higher than the hole preferably a value of a ratio of the electron mobility on the mobility of holes (= electron mobility / hole mobility) but it refers to a greater substance than 100.

具体的な電子輸送性物質としては、先に述べたAlq 、Almq 、BeBq などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるBAlqなどが好適である。 Specific electron transporting material, or a metal complex having a Alq 3, Almq 3, quinoline skeleton or benzoquinoline skeleton such BeBq 2 mentioned above, such as a mixed ligand complex BAlq are preferred. また、Zn(BOX) 、Zn(BTZ) などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。 Also, Zn (BOX) 2, Zn (BTZ) 2 oxazole-based, such as, some metal complex having a thiazole-based ligand. さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下、PBDと示す)、1,3−ビス[5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(以下、OXD−7と示す)などのオキサジアゾール誘導体、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(以下、TAZと示す)、3−(4−ビフェニリル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(以下、p−EtTAZと示す)などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン(以下、BPhenと示す)、バソキュプロイン(以下 Besides the metal complexes, 2- (4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (hereinafter, referred to as PBD), 1,3-bis [ 5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (hereinafter, referred to as OXD-7), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) - 4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (hereinafter, referred to as TAZ), 3- (4-biphenylyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- ( 4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (hereinafter, triazole derivatives such as indicated as p-EtTAZ), bathophenanthroline (hereinafter, referred to as BPhen), bathocuproin (hereinafter BCPと示す)等のフェナントロリン誘導体、その他、4,4−ビス(5−メチルベンズオキサゾリル−2−イル)スチルベン(以下、BzOsと示す)等を用いることができる。 Phenanthroline derivatives such as indicated as BCP), other 4,4-bis (5-methyl-benzoxazolyl-2-yl) stilbene (hereinafter, referred to as BzOs), or the like can be used. なお、バイポーラ性物質としては、上述した材料を用いることができる。 As the bipolar substance can be used the above-mentioned materials.

図9(B)の場合は、第2の電極904が透明導電膜で形成され、第1の電極902が遮光性(反射性)導電膜で形成され、発光層907で生じた光が第2の電極904側(図中の矢印の方向)から射出される構成となる。 In the case of FIG. 9 (B), the second electrode 904 is formed of a transparent conductive film, the first electrode 902 is formed with a light-shielding property (reflective) conductive film, the light generated in the light emitting layer 907 is a second a configuration that is emitted from the electrode 904 side (the direction of the arrow in the figure). なお、この場合も発光物質を含む層903を構成する各層の積層構成は、図9(A)と同様の構造を有する。 Incidentally, the laminated structure of the layers Again constituting the layer 903 containing a light emitting substance has the same structure as that of FIG. 9 (A). また、図9(B)において、第1の電極902および第2の電極904以外(発光物質を含む層903に含まれる各層)で、図9(A)と同一の番号で示される層には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。 Further, in FIG. 9 (B), the outside first electrode 902 and the second electrode 904 (each layer in the layer 903 containing a light emitting material), the layer indicated by the same numerals as in FIG. 9 (A) is , and those that can be formed using the same material, the description thereof is omitted.

図9(B)の第1の電極902を形成する材料としては、遮光性(反射性)を有する導電性材料を用いることが好ましい。 As a material for forming the first electrode 902 of FIG. 9 (B), the it is preferable to use a conductive material having a light-shielding property (reflective).

なお、第1の電極902を形成する材料の具体例としては、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物、例えば窒化チタン(TiN)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルカリ金属、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)等を用いることができる。 As specific examples of the material forming the first electrode 902, gold (Au), platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo ), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), nitride of a metal material such as titanium nitride (TiN), aluminum (Al), silver (Ag), an alkali metal, magnesium (Mg) an alkaline earth metal such as an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li) or the like can be used. さらに、第1の電極902に必要な遮光性(反射性)を確保するために遮光性(反射性)を有する材料と積層して用いる場合には、ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、IZO等を用いることができる。 Furthermore, when used in laminated with a light-shielding material (reflectivity) in order to secure light-shielding properties necessary for the first electrode 902 (reflective) is, ITO, indium tin oxide containing silicon oxide, IZO or the like can be used.

なお、図9(B)の場合には、第1の電極902に接して第1のバッファー層905が設けられていることから、一般に仕事関数の小さい材料として知られるアルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルカリ金属、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)等も用いることができる。 In the case of FIG. 9 (B), aluminum is known from the first buffer layer 905 in contact with the first electrode 902 is provided, as a material having a small general work function (Al), silver ( Ag), an alkali metal, magnesium (Mg) an alkaline earth metal such as an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li) or the like can also be used. これは、第1のバッファー層905を設けることにより幅広い範囲の仕事関数を有する電極材料に対してのオーム接触が可能となるためである。 This is because the ohmic contact with the electrode material having a work function of a wide range by providing the first buffer layer 905 is made possible.

また、第2の電極904を形成する材料としては、透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。 The material for forming the second electrode 904, it is preferable to use a conductive material having a light-transmitting property. 第2の電極904を形成する材料の具体例としては、ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、IZO等を用いることができる。 Specific examples of the material forming the second electrode 904, may be used ITO, indium.zinc.oxide tin oxide containing silicon oxide, IZO, or the like. また、第2の電極904に必要な透光性を確保するために100nm以下の薄膜で用いる場合には、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物、例えば窒化チタン(TiN)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、アルカリ金属、マグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)等を用いることができる。 Further, when used in the following thin film 100nm in order to ensure transparency required for the second electrode 904, gold (Au), platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), tungsten ( W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), nitride of a metal material such as titanium nitride (TiN), aluminum (Al ), silver (Ag), an alkali metal, magnesium (Mg) an alkaline earth metal such as an alloy containing these (Mg: Ag, Al: Li) or the like can be used.

図9(C)の場合は、第1の電極902および第2の電極904が透明導電膜で形成され、発光層907で生じた光が第1の電極902側と、第2の電極904側の両側(図中の矢印の方向)から射出される構成となる。 In the case of FIG. 9 (C), is formed in the first electrode 902 and the second electrode 904 is a transparent conductive film, and light-side first electrode 902 generated in the light emitting layer 907, the second electrode 904 side a configuration that is emitted from the both sides (the direction of the arrow in the figure). なお、この場合も発光物質を含む層903を構成する各層の積層構成は、図9(A)と同様の構造を有する。 Incidentally, the laminated structure of the layers Again constituting the layer 903 containing a light emitting substance has the same structure as that of FIG. 9 (A). また、図9(C)において、第2の電極904以外(第1の電極902および発光物質を含む層903に含まれる各層)で、図9(A)と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。 Further, in FIG. 9 (C), the outside second electrode 904 (each layer in the layer 903 including the first electrode 902 and the light emitting material), the layer indicated by the same numerals as FIG. 9 (A), the or the electrodes, and it can be formed using the same material, the description thereof is omitted.

図9(D)の場合は、第1の電極902が透明導電膜で形成され、第2の電極904が遮光性(反射性)導電膜で形成され、発光層907で生じた光が第1の電極902側(図中の矢印の方向)から射出される構成となる。 In the case of FIG. 9 (D), the first electrode 902 is formed of a transparent conductive film, the second electrode 904 is formed with a light shielding property (reflective) conductive film, the light generated in the light emitting layer 907 is first a configuration that is emitted from the electrode 902 side (the direction of the arrow in the figure). なお、この場合には、図9(A)〜(C)に示した場合と異なり、発光物質を含む層903は、第1の電極902側から第2のバッファー層909、発光層907、第1のバッファー層905が順次積層された構造を有する。 In this case, unlike the case shown in FIG. 9 (A) ~ (C), a layer 903 containing a light-emitting substance, the second buffer layer 909 from the first electrode 902 side, the light emitting layer 907, a 1 of the buffer layer 905 has a sequentially stacked. なお、図9(D)に示すように第2のバッファー層909と発光層907との間に電子輸送層908を設けても良い。 It is also possible to provide an electron-transporting layer 908 between the second buffer layer 909 as shown in FIG. 9 (D) and the light-emitting layer 907. さらに、発光層907と第1のバッファー層905との間に正孔輸送層906を設けてもよい。 Furthermore, the hole transport layer 906 may be provided between the light-emitting layer 907 and the first buffer layer 905.

また、図9(D)において、図9(A)と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。 Further, in FIG. 9 (D), the the layer or electrode, indicated by the same numerals as FIG. 9 (A), the assumed that can be formed using the same material, the description thereof is omitted.

図9(E)の場合は、第2の電極904が透明導電膜で形成され、第1の電極902が遮光性(反射性)導電膜で形成され、発光層907で生じた光が第2の電極904側(図中の矢印の方向)から射出される構成となる。 In the case of FIG. 9 (E), the second electrode 904 is formed of a transparent conductive film, the first electrode 902 is formed with a light-shielding property (reflective) conductive film, the light generated in the light emitting layer 907 is a second a configuration that is emitted from the electrode 904 side (the direction of the arrow in the figure). なお、この場合も発光物質を含む層903を構成する各層の積層構成は、図9(D)と同様の構造を有する。 Incidentally, the laminated structure of layers constituting the layer 903 containing this case the luminescent material has the same structure as that of FIG. 9 (D). また、図9(E)において、図9(B)と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。 Further, in FIG. 9 (E), the layer or electrode, indicated by the same numerals as FIG. 9 (B), the assumed that can be formed using the same material, the description thereof is omitted.

図9(F)の場合は、第1の電極902および第2の電極904が透明導電膜で形成され、発光層907で生じた光が第1の電極902側と、第2の電極904側の両側(図中の矢印の方向)から射出される構成となる。 In the case of FIG. 9 (F), is formed in the first electrode 902 and the second electrode 904 is a transparent conductive film, and light-side first electrode 902 generated in the light emitting layer 907, the second electrode 904 side a configuration that is emitted from the both sides (the direction of the arrow in the figure). なお、この場合も発光物質を含む層903を構成する各層の積層構成は、図9(D)と同様の構造を有する。 Incidentally, the laminated structure of layers constituting the layer 903 containing this case the luminescent material has the same structure as that of FIG. 9 (D). また、図9(F)において、図9(C)と同一の番号で示される層、もしくは電極には、同一の材料を用いて形成することができるものとし、説明を省略する。 Further, in FIG. 9 (F), the layer or electrode, indicated by the same numerals as FIG. 9 (C), the assumed that can be formed using the same material, the description thereof is omitted.

(実施の形態8) (Embodiment 8)
本実施形態では、表示パネルの一例として、発光表示パネルの外観について、図10を用いて説明する。 In the present embodiment, as an example of a display panel, the appearance of a light-emitting display panel will be described with reference to FIGS. 図10(A)は、第1の基板と、第2の基板との間を第1のシール材1005によって封止されたパネルの上面図であり、図10(B)は、図10(A)のA−A'、B−B'における断面図に相当する。 FIG. 10 (A) a first substrate, a top view of a panel sealed to the first sealant 1005 between the first substrate and a second substrate, FIG. 10 (B), FIG. 10 (A ) of a-a ', B-B' sectional view taken along line.

図10(A)において、点線で示された1001はソース側駆動回路、1002は画素部、1003はゲート側駆動回路である。 In FIG. 10 (A), 1001 indicated by a dotted line denotes a source side driver circuit, 1002 denotes a pixel portion, 1003 denotes a gate side driver circuit. また、1004は基板、1005はシール材であり、シール材1005で囲まれた内側は、空間になっている。 Also, 1004 is a substrate, 1005 denotes a sealant, and a portion surrounded by the sealant 1005 is a space. また、シール材としては、粘性の高いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。 As the sealing material, preferably used high viscosity epoxy resin. なお、シール材は、できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。 Incidentally, the sealing material is desirably a material which does not transmit moisture or oxygen as much as possible.

なお、1036はソース側駆動回路1001及びゲート側駆動回路1003に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)1009からビデオ信号やクロック信号を受け取る。 Incidentally, 1036 is a wiring for transmitting signals inputted to the source side driver circuit 1001 and the gate side driver circuit 1003, an external input terminal FPC (flexible printed circuit) 1009 which is an external input terminal. なお、ここではFPCしか図示されていないが、外部電源と電気的に接続されている。 Although only the FPC is shown here, and is electrically connected to an external power source.

次に、断面構造について図10(B)を用いて説明する。 It will now be described with reference to FIG. 10 (B) cross-sectional structure. 基板1010上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース側駆動回路1001とゲート側駆動回路1003が示されている。 While on the substrate 1010 driver circuit and the pixel portion are formed, wherein the source side driver circuit 1001 and the gate side driver circuit 1003 is shown as a drive circuit.

なお、ソース側駆動回路1001、ゲート側駆動回路1003はnチャネル型TFT1013とpチャネル型TFT1014とを組み合わせたCMOS回路が形成される。 The source side driver circuit 1001, a gate side driving circuit 1003, a CMOS circuit which is a combination of an n-channel type TFT1013 and a p-channel type TFT1014 is formed. また、駆動回路はTFTを用いて、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。 The driver circuit with a TFT, may be formed by PMOS circuits or NMOS circuits. また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。 Further, in this embodiment, a driver-integrated type in which a driver circuit is formed on a substrate, which is not always necessary, can be formed outside the substrate.

また、画素部1002は、ソース側駆動回路からの映像信号が入力されるスイッチング用TFT1011と、スイッチング用TFT1011と接続され、かつ発光素子の輝度を制御する機能を有する電流制御用TFT1012と、電流制御用TFT1012のドレインに電気的に接続された第1の電極(陽極)1006を含む複数の画素により形成される。 Further, the pixel portion 1002, a switching TFT 1011 which video signals from the source side driver circuit is input, is connected to the switching TFT 1011, and a current control TFT1012 having a function of controlling the luminance of the light emitting element, current control It is formed of a plurality of pixels including a first electrode (anode) 1006 electrically connected to the drain of the use TFT 1012.

また、これらのTFT1013、1014、1011、1012の層間絶縁膜1023としては、無機材料(酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど)、有機材料(ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマー)を主成分とする材料を用いて形成することができる。 As the interlayer insulating film 1023 of these TFT1013,1014,1011,1012, inorganic material (silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride), an organic material (polyimide, polyamide, polyimide amide, benzocyclobutene, or siloxane, it can be formed using a material mainly composed of polymer).

また、第1の電極1006の両端には絶縁物(バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる)1024が形成される。 Further, at both ends of the first electrode 1006 insulator (a bank, a partition, a barrier, called a bank) 1024 is formed. 絶縁物1024に形成する膜の被覆率(カバレッジ)を良好なものとするため、絶縁物1024の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。 For coating of the film to be formed on the insulator 1024 (coverage) and favorable, a curved surface having a curvature at its upper or lower end portion of the insulator 1024 is formed. また、第1の電極1006上には、第1のバッファー層1025、発光層1026、第2のバッファー層1027等を順次積層してなる発光物質を含む層1015が形成される。 Further, over the first electrode 1006, the first buffer layer 1025, the light emitting layer 1026, a layer 1015 containing a light emitting substance formed by the second buffer layer 1027 or the like are sequentially laminated is formed. なお、発光物質を含む層1015には、さらに正孔輸送層や電子輸送層が含まれる構成としても良い。 Incidentally, the layer 1015 including the luminescent material may be configured to include further a hole transporting layer or electron transporting layer. さらに、発光物質を含む層1015上には第2の電極1016が形成される。 Furthermore, over the layer 1015 containing a light emitting substance and a second electrode 1016 are formed. これにより、第1の電極(陽極)1006、発光物質を含む層1015、及び第2の電極(陰極)1016からなる発光素子1018が形成される。 Thus, the first electrode (anode) 1006, the light emitting substance includes a layer 1015, and a light-emitting element 1018 composed of the second electrode (cathode) 1016 is formed. なお、本実施の形態に示す発光物質を含む層1015には、他の実施の形態において発光物質を含む層に用いることができるとして示した材料を用いることができる。 Incidentally, the layer 1015 containing a light emitting substance described in this embodiment can be formed using a material shown as can be used for the layer containing a light emitting substance in other embodiments. また、本実施の形態の場合、発光素子1018は、基板1010側に発光する。 Further, in this embodiment, the light emitting element 1018 emits light to the substrate 1010 side.

また、各TFT(1013、1014、1011、1012)のソース電極・ドレイン電極と同じ層に補助配線1008、1038が形成される。 The auxiliary wiring 1008,1038 are formed in the same layer as the source electrode and the drain electrode of each TFT (1013,1014,1011,1012). 補助配線1008は、第2の接続領域1019で第2の電極1016と電気的に接続されており、補助配線1038は、接続領域1034で、第1のバッファー層1025および第2のバッファー層1027を挟んで、第2の電極1016と電気的に接続される。 The auxiliary wiring 1008, the second connection region 1019 are connected to the second electrode 1016 and electrically, the auxiliary wiring 1038, the connection region 1034, a first buffer layer 1025 and the second buffer layer 1027 sandwiched therebetween, it is electrically connected to the second electrode 1016.

また、補助配線1035は、接続配線1036と電気的に接続されており、FPC(フレキシブルプリントサーキット)1009を介して外部電源と電気的に接続されている。 The auxiliary wiring 1035 is connected wiring 1036 electrically connected to, and is an external power supply electrically connected via an FPC (flexible printed circuit) 1009. なお、接続配線1036とFPC1009とは、異方性導電膜(又は異方性導電樹脂)1037を介して電気的に接続されている。 Note that the connection wiring 1036 and FPC 1009, and is electrically connected via an anisotropic conductive film (or anisotropic conductive resin) 1037. また、接続配線1036は、ソース側駆動回路1001及びゲート側駆動回路1003に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC1009から、ビデオ信号やクロック信号を受け取る。 Also, the connection wiring 1036 is a wiring for transmitting signals inputted to the source side driver circuit 1001 and the gate side driver circuit 1003, from FPC1009 serving as an external input terminal, an external input terminal.

また、基板1010上に形成された発光素子1018を封止するためにシール材1005により基板1004が貼り合わされている。 The substrate 1004 is bonded by a sealing material 1005 in order to seal the light emitting element 1018 formed on the substrate 1010. なお、基板1004と発光素子1018との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。 Incidentally, the spacers may be provided comprising a resin film in order to secure the distance between the substrate 1004 and the light emitting element 1018. そして、シール材1005の内側の空間には窒素等の不活性気体が充填されている。 And, the space inside the sealing material 1005 inert gas is filled such as nitrogen.

なお、基板1010の一部には、凹みが形成され、乾燥剤1033が備えられており、封止された空間の内部に存在する水分を吸収させることができる。 Note that the portion of the substrate 1010, depressions are formed, desiccants 1033 are provided, it is possible to absorb the moisture present inside the sealed space. 乾燥剤1033としては、酸化カルシウム(CaO)や酸化バリウム(BaO)等のようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水(H O)を吸着する物質を用いるのが好ましい。 The drying agent 1033, it is preferable to use a substance which adsorbs water (H 2 O) by chemical adsorption such as an oxide of an alkaline earth metal such as calcium oxide (CaO) or barium oxide (BaO). 但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても構わない。 However, it may be a substance which adsorbs water by physical adsorption such as zeolite or silica gel is not limited thereto.

以上のようにして発光素子を空間に封入して発光表示パネルを形成することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。 Substance by forming a light-emitting display panel by sealing the light emitting element in a space as described above, can be completely shut off the light emitting element from the outside, to promote degradation of the organic compound layer such as moisture and oxygen from the outside There can be prevented from entering. なお、ここで示した発光表示パネルに電源回路、コントローラ等の外部回路を接続することにより、発光表示モジュールを形成することが可能である。 In the power supply circuit to the light emitting display panel shown, by connecting an external circuit such as a controller here, it is possible to form a light-emitting display module.

なお、実施形態1乃至実施形態7のいずれをも本実施形態に適用することができる。 Incidentally, any of Embodiment Modes 1 to 7 can also be applied to this embodiment.

(実施の形態9) (Embodiment 9)
本実施の形態では、本発明の発光表示パネルにおける駆動回路の実装方法について、図11を用いて説明する。 In this embodiment, a mounting method of a driver circuit in a light emitting display panel of the present invention will be described with reference to FIG.

図11(A)の場合には、画素部1101の周辺にソース側駆動回路1102、及びゲート側駆動回路1103a、1103bを実装される。 In the case of FIG. 11 (A) is the source side driver circuit 1102 in the periphery of the pixel portion 1101, and the gate side driver circuit 1103a, is implemented 1103b. すなわち、公知の異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、COG方式、ワイヤボンディング方法、並びに半田バンプを用いたリフロー処理等により基板1100上にICチップ1105を実装することで、ソース側駆動回路1102、及びゲート側駆動回路1103a、1103b等が実装される。 That is, mounting the IC chip 1105 known anisotropic conductive adhesive, and a mounting method using the anisotropic conductive film, COG method, wire bonding method, and on the substrate 1100 by a reflow process or the like using solder bumps it is the source side driver circuit 1102, and the gate side driver circuit 1103a, 1103b, etc. are mounted. なお、ICチップ1105は、FPC(フレキシブルプリントサーキット)1106を介して、外部回路と接続される。 Incidentally, IC chip 1105, FPC via (flexible printed circuit) 1106 is connected to an external circuit.

なお、ソース側駆動回路1102の一部、例えばアナログスイッチを基板上に一体形成し、かつその他の部分を別途ICチップで実装してもよい。 Part of the source side driver circuit 1102, for example, an analog switch formed integrally on the substrate, and the other portions may be separately mounted in the IC chip.

また、図11(B)の場合には、画素部1101とゲート側駆動回路1103a、1103b等が基板上に一体形成され、ソース側駆動回路1102等が別途ICチップで実装される。 In the case of FIG. 11 (B) pixel portion 1101 and the gate side driver circuit 1103a, 1103b, etc. are formed integrally on a substrate, such as the source side driver circuit 1102 is mounted in a separate IC chip. すなわち、COG方式などの実装方法により、画素部1101とゲート側駆動回路1103a、1103b等が一体形成された基板1100上にICチップ1105を実装することで、ソース側駆動回路1102等が実装される。 That is, by implementing a method such as a COG method, the pixel portion 1101 and the gate side driver circuit 1103a, that 1103b or the like is mounted an IC chip 1105 on a substrate 1100 that is integrally formed, the source side driver circuit 1102 and the like are mounted . なお、ICチップ1105は、FPC1106を介して、外部回路と接続される。 Incidentally, IC chip 1105 through the FPC1106, is connected to an external circuit.

なお、ソース側駆動回路1102の一部、例えばアナログスイッチを基板上に一体形成し、かつその他の部分を別途ICチップで実装してもよい。 Part of the source side driver circuit 1102, for example, an analog switch formed integrally on the substrate, and the other portions may be separately mounted in the IC chip.

さらに、図11(C)の場合には、TAB方式によりソース側駆動回路1102等が実装される。 Furthermore, in the case of FIG. 11 (C), such as the source side driver circuit 1102 is mounted by a TAB method. なお、ICチップ1105は、FPC1106を介して、外部回路と接続される。 Incidentally, IC chip 1105 through the FPC1106, is connected to an external circuit. 図11(C)の場合には、ソース側駆動回路1102等をTAB方式により実装しているが、ゲート側駆動回路等をTAB方式により実装してもよい。 In the case of FIG. 11 (C) it has been mounted by a TAB method the source side driver circuit 1102 and the like, a gate-side driver circuit or the like may be mounted by a TAB method.

ICチップ1105をTAB方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。 When mounting the IC chip 1105 by a TAB method can be provided increasing the pixel unit with respect to the substrate, it is possible to achieve a narrower frame.

また、ICチップ1105の代わりにガラス基板上にICを形成したIC(以下、ドライバICと表記する)を設けてもよい。 Moreover, IC forming the IC on the glass substrate instead of the IC chip 1105 (hereinafter referred to as a driver IC) may be provided. ICチップ1105は、円形のシリコンウェハからICチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。 IC chip 1105, for taking out IC chips from a circular silicon wafer, the shape of a mother substrate is limited. 一方ドライバICは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。 On the other hand, the driver IC is a mother substrate is glass, there is no limitation on the shape, it is possible to enhance the productivity. そのため、ドライバICの形状寸法は自由に設定することができる。 Therefore, the geometry of the driver IC can be set freely. 例えば、ドライバICの長辺の長さを15〜80mmとして形成すると、ICチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。 For example, the length of a long side of the driver IC to form a 15~80Mm, compared to the case of mounting the IC chip, it is possible to reduce the required number. その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。 As a result, it is possible to reduce the number of connection terminals, thereby improving the manufacturing yield.

ドライバICは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶質半導体は連続発振型のレーザ光を照射することで形成するとよい。 The driver IC may be formed using a crystalline semiconductor formed over a substrate, the crystalline semiconductor may be formed by continuous wave laser light irradiation. 連続発振型のレーザ光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。 A semiconductor film obtained by continuous wave laser light irradiation has few crystal defects and has a large crystal grains. その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバICに好適である。 Accordingly, a transistor having such a semiconductor film, mobility and response speed is improved, enabling high-speed driving, it is suitable for driver IC.

(実施の形態10) (Embodiment 10)
本発明の発光装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置(単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ)、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置(単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。 As an electronic apparatus in which a light-emitting device of the present invention, (also referred to as simply a TV, or a television receiver) television devices, referred to as a digital camera or a digital video camera or the like of the camera, a cellular phone device (also simply a mobile phone, also a mobile phone ), a portable information terminal such as a PDA, a portable game machine, a computer monitor, a computer, an audio reproducing device such as a car audio, a home game machine image reproducing device provided with a recording medium such like. その好ましい形態について、図12を参照して説明する。 For the preferred embodiment will be described with reference to FIG. 12.

図12(A)に示すテレビジョン装置は、本体8001、表示部8002等を含んでいる。 Figure 12 (A) to the television set shown includes a main body 8001 includes a like display unit 8002. 表示部8002は、本発明の発光装置を適用することができる。 Display unit 8002 can be applied to light-emitting device of the present invention. なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第2の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。 In the light emitting device of the present invention, since the second electrode and electrically connected to the auxiliary wiring of the light emitting element in a pixel portion of a light-emitting display panel is formed, it is applied to the light emitting element of each pixel variation in that voltage can be suppressed. これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能なテレビジョン装置を提供することができる。 Thus, it is possible to provide an excellent image display is a television device capable of realizing it is possible to prevent unevenness in brightness between pixels in the pixel portion.

図12(B)に示す携帯情報端末機器は、本体8101、表示部8102等を含んでいる。 A portable information terminal shown in FIG. 12 (B) includes a main body 8101, a display portion 8102, and the like. 表示部8102は、本発明の発光装置を適用することができる。 Display unit 8102 can be applied to light-emitting device of the present invention. なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第2の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。 In the light emitting device of the present invention, since the second electrode and electrically connected to the auxiliary wiring of the light emitting element in a pixel portion of a light-emitting display panel is formed, it is applied to the light emitting element of each pixel variation in that voltage can be suppressed. これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能な携帯情報端末機器を提供することができる。 Thus, it is possible to provide a mobile information terminal equipment excellent image display can be realized since it is possible to prevent the unevenness in brightness between pixels in the pixel portion.

図12(C)に示すデジタルビデオカメラは、本体8201、表示部8202等を含んでいる。 A digital video camera shown in FIG. 12 (C) includes a main body 8201, a display portion 8202, and the like. 表示部8202は本発明の発光装置を適用することができる。 Display unit 8202 is capable of applying the light-emitting device of the present invention. なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第2の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。 In the light emitting device of the present invention, since the second electrode and electrically connected to the auxiliary wiring of the light emitting element in a pixel portion of a light-emitting display panel is formed, it is applied to the light emitting element of each pixel variation in that voltage can be suppressed. これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能なデジタルビデオカメラを提供することができる。 Thus, it is possible to provide a digital video camera excellent image display which can be realized since it is possible to prevent the unevenness in brightness between pixels in the pixel portion.

図12(D)に示す携帯電話機は、本体8301、表示部8302等を含んでいる。 Mobile phone shown in FIG. 12 (D) includes a main body 8301, a display portion 8302, and the like. 表示部8302は、本発明の発光装置を適用することができる。 Display unit 8302 can be applied to light-emitting device of the present invention. なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第2の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。 In the light emitting device of the present invention, since the second electrode and electrically connected to the auxiliary wiring of the light emitting element in a pixel portion of a light-emitting display panel is formed, it is applied to the light emitting element of each pixel variation in that voltage can be suppressed. これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能な携帯電話機を提供することができる。 Thus, it is possible to provide a mobile telephone capable of realizing excellent image display since it is possible to prevent the unevenness in brightness between pixels in the pixel portion.

図12(E)に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体8401、表示部8402等を含んでいる。 12 A portable television set shown in (E) includes a main body 8401 includes display portion 8402, and the like. 表示部8402は、本発明の発光装置を適用することができる。 Display unit 8402 can be applied to light-emitting device of the present invention. なお、本発明の発光装置では、発光表示パネルの画素部にも発光素子の第2の電極と電気的に接続された補助配線が形成されている為、各画素の発光素子に対して印加される電圧のばらつきを押さえることができる。 In the light emitting device of the present invention, since the second electrode and electrically connected to the auxiliary wiring of the light emitting element in a pixel portion of a light-emitting display panel is formed, it is applied to the light emitting element of each pixel variation in that voltage can be suppressed. これにより、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができるため優れた画像表示が実現可能な携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。 Thus, it is possible to provide an excellent image display is portable television feasible because it can prevent unevenness in brightness between pixels in the pixel portion. またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの(例えば40インチ以上)まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。 Also as a television device, from a small one to be mounted on a portable terminal such as a cellular phone, a medium can be a portable, hand, large ones (for example, 40 inches or more), a wide range of things, the present invention it can be applied to the light emitting device.

このように、画素部における画素間での輝度ムラを防ぐことができる本発明の発光装置をその表示部に用いることにより、優れた画像表示が実現可能な電子機器を提供することができる。 Thus, by using the light emitting device of the present invention which can prevent unevenness in brightness between pixels in the pixel portion on the display unit, it is possible to provide an electronic apparatus capable of realizing excellent image display.

本発明の発光表示パネルは、その画素部に発光素子と、一対の導電体(本明細書中に記載の補助配線と第2の電極)の間にバッファー層(本明細書中に記載の第1のバッファー層、または第2のバッファー層のいずれか一方、または両方)を挟んでなる第1の接続部が形成されており、また、その周辺部には一対の導電体間にバッファー層を挟まない構造の第2の接続部が形成されている。 Light-emitting display panel of the present invention includes a light-emitting element in the pixel portion, the described buffer layer (herein between a pair of conductors (auxiliary wiring and the second electrode as described herein) 1 of the buffer layer, or either one of the second buffer layer, or the first connecting portion both), and interposed are formed, also a buffer layer between a pair of conductors on the periphery thereof the second connecting portions of the structure not to pinch is formed.

なお、発光素子の一部に含まれる第2の電極は、補助配線と電気的に接続され、第2の電極に印加される電圧は補助配線を介して外部から与えられる。 Note that the second electrode included in a part of the light-emitting element is an auxiliary wiring electrically connected, the voltage applied to the second electrode is provided from the outside through the auxiliary wiring. 従って、補助配線と第2の電極との間の電気的な接続が不十分であると、第2の電極に対して十分な電圧が印加されないため、発光素子の素子特性が悪くなってしまう。 Therefore, the electrical connection between the auxiliary wiring and the second electrode is insufficient, a sufficient voltage to the second electrode is not applied, the element characteristics of the light-emitting element is deteriorated.

そこで、本実施例では、図13に示す素子(発光素子、第1の接続部、および第2の接続部の構造が含まれる素子)を作製し、第1の接続部を用いた場合(すなわち、第1の接続部から発光素子の第2の電極へ電圧を印加した場合)について、発光素子の素子特性を測定した。 Therefore, in this embodiment, if the device shown in FIG. 13 was prepared (the light-emitting element, a first connecting portion, and the element that contains the structure of the second connecting portion) and, using the first connection portion (i.e. , the case of applying a voltage to the second electrode of the light emitting element from the first connection portion) was measured device characteristics of the light-emitting element.

まず、図13に示す素子の構造、および作製方法について説明する。 First, the structure of the device shown in FIG. 13, and a manufacturing method will be described. 図13に示す素子は、基板1301上に発光素子の第1の電極1302、第1の補助配線1303、第2の補助配線1304が形成される。 Element shown in FIG. 13, a first electrode 1302 of the light-emitting element over the substrate 1301, the first auxiliary wiring 1303, the second auxiliary wiring 1304 are formed. なお、本実施例では、第1の電極1302は陽極として機能する。 In the present embodiment, the first electrode 1302 functions as an anode. 第1の電極1302および第1の補助配線1303には、透明導電膜であるITOを用い、スパッタリング法により110nmの膜厚で形成する。 The first electrode 1302 and the first auxiliary wiring 1303, using ITO is a transparent conductive film is formed to a thickness of 110nm by sputtering. また、第2の補助配線1304には、Al膜(300nm)上にTi膜(100nm)を積層した積層膜を用い、スパッタリング法により形成する。 Also, the second auxiliary wiring 1304, a laminated film formed by laminating a Ti film (100 nm) on the Al film (300 nm), is formed by sputtering. なお、ここで用いるスパッタリング法としては、2極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、または対向ターゲットスパッタ法等がある。 As the sputtering method used here, two-pole sputtering, ion beam sputtering method or the facing target sputtering method or the like. また、第1の電極1302、第1の補助配線1303、および第2の補助配線1304の大きさは2mm×2mmとする。 The first electrode 1302, the size of the first auxiliary wiring 1303, and the second auxiliary wiring 1304 and 2 mm × 2 mm.

第1の電極(陽極)1302上には、発光物質を含む層が形成される。 Over the first electrode (anode) 1302, the layer containing a light emitting substance is formed. なお、本実施例における発光物質を含む層は、第1の電極1302側から第1のバッファー層1305、正孔輸送層1306、発光層1307、電子輸送層1308、第2のバッファー層1309を含む積層構造を有している。 Note that the layer containing a light emitting substance in the present embodiment includes a first buffer layer 1305 from the first electrode 1302 side, a hole transport layer 1306, the light emitting layer 1307, an electron-transporting layer 1308, the second buffer layer 1309 It has a stacked structure.

また、図13(A)〜(C)には、一部の積層構造がそれぞれ異なる素子を示している。 Further, in FIG. 13 (A) ~ (C), a part of the laminated structure indicates the different elements, respectively. 図13(A)〜(C)において、発光素子1300と第2の接続部1312は、積層構造が共通であり、第1の接続部1311、1321、1331の積層構造が異なっている。 In FIG. 13 (A) ~ (C), the light emitting element 1300 and the second connecting portion 1312, the laminated structure is common, layered structure of the first connecting portion 1311,1321,1331 are different. 発光素子1300は、第1の電極1302、第1のバッファー層1305、正孔輸送層1306、発光層1307、電子輸送層1308、および第2の電極1310が積層された積層構造である。 Emitting element 1300, a first electrode 1302, the first buffer layer 1305, a hole transport layer 1306, the light emitting layer 1307, an electron-transporting layer 1308, and the second electrode 1310 is a laminated structure are laminated. また、第2の接続部1312は、第2の補助配線1304、第2の電極1310が積層する積層構造である。 The second connecting portion 1312, the second auxiliary wiring 1304, a laminated structure in which the second electrode 1310 are stacked.

なお、図13(A)の第1の接続部1311は、第1の補助配線1303上に第1のバッファー層1305、および第2のバッファー層1309が積層されて形成されている。 The first connecting portion 1311 of FIG. 13 (A) first buffer layer 1305, and the second buffer layer 1309 is formed by stacking on the first auxiliary wiring 1303. また、図13(B)の第1の接続部1321は、第1の補助配線1303上に第2のバッファー層1309、第2の電極1310が積層されて形成されている。 Also, the first connecting portion 1321 of FIG. 13 (B) a second buffer layer 1309 over the first auxiliary wiring 1303, the second electrode 1310 is formed by laminating. 図13(C)の第1の接続部1331は、第1の補助配線1303上に第1のバッファー層1305、第2の電極1310が積層されて形成されている。 13 first connecting portion 1331 of the (C) is first buffer layer 1305 over the first auxiliary wiring 1303, the second electrode 1310 is formed by laminating. なお、図13(A)〜(C)は、いずれも第1の電極1302上のみに正孔輸送層1306、発光層1307、および電子輸送層1308が形成された構造を有する。 Incidentally, FIG. 13 (A) ~ (C) are each having a hole transporting layer 1306 only on the first electrode 1302, the light emitting layer 1307 and the electron transporting layer 1308, was formed structure.

第1の電極1302、第1の補助配線1303、および第2の補助配線1304が形成された基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに第1の電極1302等が形成された面を下方にして固定し、真空蒸着装置の内部に備えられた蒸発源の一方にDNTPDを入れ、他方に金属化合物としてモリブデン酸化物を入れ、抵抗加熱法を用いた共蒸着法により120nmの膜厚で第1のバッファー層1305を形成する。 First electrode 1302, a first auxiliary wiring 1303, and a second surface such as the first electrode 1302 is formed on the substrate holder of the substrate auxiliary wiring 1304 are formed commercially available vacuum evaporation apparatus in downward fixed, one to put DNTPD evaporation source provided in the vacuum evaporation apparatus, the other was charged with molybdenum oxide as a metal compound, first a film thickness of 120nm by a co-evaporation method using resistance heating method forming a buffer layer 1305. なお、ここで形成される第1のバッファー層1305におけるDNTPDとモリブデン酸化物との重量比は1:0.5(モル比は、1:1.8)(=DNTPD:モリブデン酸化物)となるようにする。 Here, the weight ratio of DNTPD and molybdenum oxide in the first buffer layer 1305 is formed 1: 0.5 (molar ratio 1: 1.8): a (= DNTPD molybdenum oxide) so as to.

図13(A)、図13(C)の素子を形成する場合には、第1のバッファー層1305は、第1の電極1302および第1の補助配線1303上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 FIG. 13 (A), the case of forming the device of FIG. 13 (C) the first buffer layer 1305, so as to be formed to a desired position on the first electrode 1302 and the first auxiliary wiring 1303 It is formed using a mask on. また、図13(B)の素子を形成する場合には、第1のバッファー層1305は、第1の電極1302上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 In the case of forming the device of FIG. 13 (B) first buffer layer 1305 is formed by using a mask so as to form a desired position on the first electrode 1302.

次に正孔輸送性に優れた材料により正孔輸送層1306を形成する。 Then to form the hole transport layer 1306 by a material excellent in hole transporting property. ここでは、正孔輸送性に優れた材料としてNPBを、抵抗加熱法を用いた蒸着法により、10nmの膜厚で形成する。 Here, NPB as a material excellent in hole transporting property, by an evaporation method using resistance heating method to form a film thickness of 10 nm. なお、ここで正孔輸送層1306は、第1の電極1302上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 Here, the hole transport layer 1306 is formed by using a mask so as to form a desired position on the first electrode 1302.

次に発光層1307が形成される。 Then the light emitting layer 1307 is formed. なお、発光層1307において正孔と電子が再結合し、発光を生じる。 Incidentally, the holes and electrons in the light emitting layer 1307 are recombined, resulting in light emission. ここでは、Alq とクマリン6とをバッファー層と同様の共蒸着法により40nmの膜厚で形成する。 Here, forming the Alq 3 and coumarin 6 at a film thickness of 40nm by the buffer layer and the same co-evaporation method. なお、Alq とクマリン6との重量比は、1:0.01(モル比は、1:0.013)(=Alq :クマリン6)となるようにした。 The weight ratio between Alq 3 and coumarin 6 is 1: 0.01 (molar ratio, 1: 0.013) (= Alq 3: coumarin 6) was set to be. これによって、クマリン6はAlq からなる層の中に分散して含まれた状態となる。 Thus, coumarin 6 is in a state of being contained dispersed in a layer made of Alq 3. なお、発光層1307も第1の電極1302上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 Incidentally, a film can be formed using a mask so that the light emitting layer 1307 is also formed in a desired position on the first electrode 1302.

次に、電子輸送層1308が形成される。 Next, an electron transporting layer 1308 is formed. なお、電子輸送層1308は、Alq を正孔輸送層1306と同様の蒸着法により15nmの膜厚で形成する。 The electron-transporting layer 1308 forms the Alq 3 with a thickness of 15nm by the same deposition method as a hole transport layer 1306. なお、電子輸送層1308も第1の電極1302上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 Incidentally, a film can be formed using a mask so that even the electron transport layer 1308 is formed to a desired position on the first electrode 1302.

次に、第2のバッファー層1309が形成される。 Next, the second buffer layer 1309 is formed. なお、第2のバッファー層1309は、BCPとLiを第1のバッファー層1305と同様の蒸着法により15nmの膜厚で形成する。 The second buffer layer 1309 is formed to a thickness of 15nm by the BCP and Li same deposition method as the first buffer layer 1305.

図13(A)、図13(B)の素子を形成する場合には、第2のバッファー層1309は、第1の電極1302および第1の補助配線1303上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 FIG. 13 (A), the case of forming the device of FIG. 13 (B) a second buffer layer 1309 to be formed at a desired position on the first electrode 1302 and the first auxiliary wiring 1303 It is formed using a mask on. また、図13(C)の素子を形成する場合には、第2のバッファー層1309は、第1の電極1302上の所望の位置に形成されるようにマスクを用いて成膜される。 In the case of forming the device shown in FIG. 13 (C), the second buffer layer 1309 is formed by using a mask so as to form a desired position on the first electrode 1302.

上述したように積層構造を有する発光物質を含む層を形成した後、陰極として機能する第2の電極1310をスパッタリング法または蒸着法により形成する。 After forming the layer containing a light-emitting substance having a layered structure as described above, the second electrode 1310 functioning as a cathode is formed by sputtering or vapor deposition. なお、本実施例では、発光物質を含む層上にアルミニウムを蒸着法により200nmの膜厚で形成することにより第2の電極1310を得る。 In this embodiment, obtaining the second electrode 1310 by forming a film thickness of 200nm aluminum by vapor deposition on a layer containing a light emitting substance. なお、第2の電極1310は、第1の電極1302、第1の補助配線1303、および第2の補助配線1304上に形成される。 Note that the second electrode 1310, a first electrode 1302 is formed over the first auxiliary wiring 1303, and the second auxiliary wiring 1304.

以上により作製された素子のうち、図13(A)に示す素子において、第1の接続部を用いた場合(すなわち、第1の接続部から発光素子の第2の電極へ電圧を印加した場合)における電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性について測定した結果を、それぞれ、図14、図15、図16の黒い丸印(発光素子(1))で表されるプロットで示した。 Of the fabricated device by the above, in the device shown in FIG. 13 (A), the case of using the first connecting portion (i.e., when a voltage is applied to the second electrode of the light emitting element from the first connection portion current in) - voltage characteristics, luminance - voltage characteristics, current efficiency - the results of measurement for the luminance characteristic, respectively, 14, 15, in the plot represented by the black circles (the light emitting element (1) of FIG. 16) Indicated. また、図13(B)に示す素子において、第1の接続部を用いた場合における電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性をについて測定した結果を、それぞれ、図17、図18、図19の黒い丸印(発光素子(2))で表されるプロットで示した。 Further, in the device shown in FIG. 13 (B), the current in the case of using the first connecting part - voltage characteristics, luminance - voltage characteristics, current efficiency - the results of measuring the luminance characteristics, respectively, FIG. 17, FIG. 18, shown in the plot represented by the black circles of Fig. 19 (light emitting element (2)). また、図13(C)に示す素子において、第1の接続部を用いた場合における電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性について測定した結果を、それぞれ、図20、図21、図22の黒い丸印(発光素子(3))で表されるプロットで示すこととする。 Further, in the device shown in FIG. 13 (C), the current in the case of using the first connecting part - voltage characteristics, luminance - voltage characteristics, current efficiency - the results of measurement luminance characteristics, respectively, FIG. 20, FIG. 21 , and is represented in the plot represented by the black circles of Fig. 22 (light-emitting element (3)).

なお、発光素子(1)(図13(A)第1の接続部1311と組み合わされた発光素子1300)の構造は、具体的には、第1の電極1302:ITO(110nm)、第1のバッファー層1305:(DNTPD、MoO )(120nm)、正孔輸送層1306:NPB(10nm)、発光層1307:(Alq 、クマリン6)(40nm)、電子輸送層1308:Alq (40nm)、第2のバッファー層1309:(BCP、Li)(15nm)、第2の電極1310:Al(110nm)、第2のバッファー層1309:(BCP、Li)(15nm)、第1のバッファー層1305:(DNTPD、MoO )(120nm)、第1の補助配線1303:ITO(100nm)が順次接するように形成された構造であ The structure of the light-emitting element (1) (FIG. 13 (A) the light emitting element 1300 in combination with the first connecting portion 1311), specifically, the first electrode 1302: ITO (110 nm), the first buffer layer 1305: (DNTPD, MoO 3) (120nm), a hole transport layer 1306: NPB (10nm), the light-emitting layer 1307: (Alq 3, coumarin 6) (40nm), an electron transport layer 1308: Alq 3 (40nm) , the second buffer layer 1309: (BCP, Li) (15nm), a second electrode 1310: Al (110nm), the second buffer layer 1309: (BCP, Li) (15nm), the first buffer layer 1305 : (DNTPD, MoO 3) ( 120nm), the first auxiliary wiring 1303: ITO (100nm) structure der formed so as to sequentially contact .

また、発光素子(2)(図13(B)の第1の接続部1321と組み合わされた発光素子1300)の構造は、具体的には、第1の電極1302:ITO(110nm)、第1のバッファー層1305:(DNTPD、MoO )(120nm)、正孔輸送層:NPB(10nm)、発光層:(Alq 、クマリン6)(40nm)、電子輸送層:Alq (40nm)、第2のバッファー層1309:(BCP、Li)(15nm)、第2の電極1310:Al(110nm)、第2のバッファー層1309:(BCP、Li)(15nm)、第1の補助配線1303:ITO(100nm)が順次接するように形成された構造である。 The structure of the light emitting element (2) (FIG. 13 (first connecting portion 1321 and the light emitting element 1300 in combination of B)), specifically, the first electrode 1302: ITO (110 nm), the first of the buffer layer 1305: (DNTPD, MoO 3) (120nm), a hole transport layer: NPB (10nm), the light emitting layer: (Alq 3, coumarin 6) (40nm), an electron transport layer: Alq 3 (40nm), the 2 of the buffer layer 1309: (BCP, Li) (15nm), a second electrode 1310: Al (110nm), the second buffer layer 1309: (BCP, Li) (15nm), the first auxiliary wiring 1303: ITO (100 nm) is formed so as to sequentially contact structure.

さらに、発光素子(3)(図13(C)第1の接続部1331と組み合わされた発光素子1300)の構造は、具体的には、第1の電極1302:ITO(110nm)、第1のバッファー層1305:(DNTPD、MoO )(120nm)、正孔輸送層:NPB(10nm)、発光層:(Alq 、クマリン6)(40nm)、電子輸送層:Alq (40nm)、第2のバッファー層1309:(BCP、Li)(15nm)、第2の電極1310:Al(110nm)、第1のバッファー層1305:(DNTPD、MoO )(120nm)、第1の補助配線1303:ITO(100nm)が順次接するように形成された構造である。 Furthermore, the structure of the light-emitting element (3) (FIG. 13 (C) the light emitting element 1300 in combination with the first connecting portion 1331), specifically, the first electrode 1302: ITO (110 nm), the first buffer layer 1305: (DNTPD, MoO 3) (120nm), a hole transport layer: NPB (10nm), the light emitting layer: (Alq 3, coumarin 6) (40nm), an electron transport layer: Alq 3 (40nm), a second of the buffer layer 1309: (BCP, Li) ( 15nm), a second electrode 1310: Al (110nm), the first buffer layer 1305: (DNTPD, MoO 3) (120nm), the first auxiliary wiring 1303: ITO (100 nm) is formed so as to sequentially contact structure.

第1の接続部1321と組み合わされた各発光素子(1)、(2)、(3)の電流−電圧特性(図14、図17、図20)において、いずれの場合も7Vの電圧を印加して1.0mA程度の電流が流れた。 Each light emitting element combined with the first connecting portion 1321 (1), (2), a current of (3) - In the voltage characteristics (FIGS. 14, 17, 20), applying a 7V of voltage in either case 1.0mA about current flows in. この結果から、第2の電極1310と第1の補助配線1303との間に第1のバッファー層1305、または第2のバッファー層1309のいずれか一方、または両方が挟まれている構造の場合(第1の接続部を用いる場合)でも発光素子の発光物質を含む層に電流が十分に注入されている様子が確認される。 From this result, one or the other, or both is sandwiched structure of the first buffer layer 1305 or the second buffer layer 1309, between the second electrode 1310 and the first auxiliary wiring 1303 ( current state that is sufficiently injected is confirmed in the layer containing a light emitting substance in the case), even light-emitting element using the first connection portion.

また、第1の接続部を用いた各発光素子(1)、(2)、(3)の輝度−電圧特性(図15、図18、図21)において、いずれの場合も6Vの電圧を印加して、1000cd/m 程度の輝度が得られた。 Further, the light emitting element using the first connecting part (1), (2), the luminance of the (3) - applying a voltage characteristic (15, 18, 21), the voltage of 6V either case to, 1000 cd / m 2 about luminance was obtained. この結果から、第2の電極1310と第1の補助配線1303との間に第1のバッファー層1305、または第2のバッファー層1309のいずれか一方、または両方が挟まれている構造の場合(第1の接続部を用いる場合)でも電圧に対する輝度特性に対して良好な効果が得られることが分かる。 From this result, one or the other, or both is sandwiched structure of the first buffer layer 1305 or the second buffer layer 1309, between the second electrode 1310 and the first auxiliary wiring 1303 ( it is understood that a good effect is obtained with respect to the luminance characteristics against voltages even) using the first connection portion.

また、第1の接続部を用いた各発光素子(1)、(2)、(3)の電流効率−輝度特性(図16、図19、図22)において、いずれの場合も100cd/m の輝度が得られた場合における電流効率は13cd/A程度であった。 Further, the light emitting element using the first connecting part (1), (2), current efficiency (3) - luminance characteristics (16, 19, 22) in both cases 100 cd / m 2 the current efficiency in the case where the brightness obtained was about 13 cd / a. この結果からは、発光素子の発光物質を含む層において、正孔(ホール)と電子とがバランス良く存在しており、効率よく再結合できる環境にあるといえる。 The Results are in the layer containing a light emitting material of the light emitting element, a hole (holes) and which is an electron exists good balance, it can be said that the efficient recombination can environment.

(比較例1) (Comparative Example 1)
発光素子(1)、(2)、(3)対して、図13(A)〜(C)の第2の接続部1312と組み合わせた発光素子1300を、それぞれ、発光素子(1')、発光素子(2')、発光素子(3')とし、各発光素子(1')(2')(3')の素子特性を測定した。 The light-emitting element (1), (2), (3) for a light-emitting element 1300 in combination with a second connecting portion 1312 of FIG. 13 (A) ~ (C), respectively, the light-emitting element (1 '), the light emitting element (2 ') and light-emitting element (3'), it was measured device characteristics of each light emitting element (1 ') (2') (3 ​​'). 図13(A)における第2の接続部1312を有する発光素子1300の電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性を、それぞれ、図14、図15、図16に白い丸印(発光素子(1'))で表されるプロットで示した。 Voltage characteristic, a luminance - - current of the light emitting element 1300 having the second connection portion 1312 in FIG. 13 (A) voltage characteristic, current efficiency - luminance characteristics, respectively, 14, 15, the white circles in FIG. 16 ( It is shown in the plot represented by the light emitting element (1 ')). また、図13(B)に示す第2の接続部1312を有する発光素子1300の電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性を、それぞれ、図17、図18、図19の白い丸印(発光素子(2'))で表されるプロットで示した。 The current of the light emitting element 1300 having a second connecting portion 1312 shown in FIG. 13 (B) - voltage characteristics, luminance - voltage characteristics, current efficiency - luminance characteristics, respectively, 17, 18, the white of FIG. 19 It is shown in the plot represented by a circle (the light emitting element (2 ')). また、図13(C)における第2の接続部1312を有する発光素子1300の電流−電圧特性、輝度−電圧特性、電流効率−輝度特性を、それぞれ、図20、図21、図22に白い丸印(発光素子(3'))で表されるプロットで示した。 The current of the light emitting element 1300 having the second connection portion 1312 in FIG. 13 (C) - voltage characteristics, luminance - voltage characteristics, current efficiency - luminance characteristics, respectively, 20, 21, white 22 round mark shown in the plot represented by (the light-emitting element (3 ')).

なお、図13(A)の発光素子(1')の構造、図13(B)の発光素子(2')の構造、図13(C)の発光素子(3')の構造は、いずれも同じであり、具体的には、第1の電極1302:ITO(110nm)、第1のバッファー層1305:(DNTPD、MoO )(120nm)、正孔輸送層:NPB(10nm)、発光層:(Alq 、クマリン6)(40nm)、電子輸送層:Alq (40nm)、第2のバッファー層1309:(BCP、Li)(15nm)、第2の電極1310:Al(110nm)、第2の補助配線1304:Ti(100nm)、Al(300nm)が順次接する構造である。 The light-emitting element (1 ') shown in FIG. 13 (A) Structure of the structure of the light-emitting element (2 in FIG. 13 (B)'), the structure of the light-emitting element (3 ') in FIG. 13 (C) both are the same, specifically, the first electrode 1302: ITO (110 nm), the first buffer layer 1305: (DNTPD, MoO 3) (120nm), a hole transport layer: NPB (10 nm), the light emitting layer: (Alq 3, coumarin 6) (40nm), an electron transport layer: Alq 3 (40nm), the second buffer layer 1309: (BCP, Li) ( 15nm), a second electrode 1310: Al (110nm), second of the auxiliary wiring 1304: Ti (100nm), Al (300nm) is sequentially contact structure.

電流−電圧特性(図14、図17、図20)において、発光素子(1')、発光素子(2')、および発光素子(3')のいずれの場合も1.0mAの電流を流すために6.8V程度の電圧印加が必要であった。 Current - in the voltage characteristic (Fig. 14, 17, 20), the light-emitting element (1 '), the light emitting element (2'), and the light emitting element (3 ') if for passing a current of 1.0mA also of any application of a voltage of about 6.8V to was necessary. すなわち、発光素子(1')、発光素子(2')、および発光素子(3')は、本発明に係る発光素子(1)、発光素子(2)、発光素子(3)と同程度の素子特性を示すことが確認される。 That is, the light emitting element (1 '), the light emitting element (2'), and the light emitting element (3 '), the light emitting device according to the present invention (1), the light emitting element (2), the light-emitting element (3) and comparable it is confirmed that indicates the device characteristics.

図13(A)〜(C)の素子構造の場合における輝度−電圧特性(図15、図18、図21)において、発光素子(1')、発光素子(2')、および発光素子(3')のいずれの場合も1000cd/m 程度の輝度を得るために5.5V程度の電圧印加が必要であった。 Figure 13 (A) brightness in the case of the element structure of ~ (C) - voltage characteristics (FIGS. 15, 18, 21), the light emitting element (1 '), the light emitting element (2'), and the light emitting element (3 5.5V approximately of voltage application to obtain the 1000 cd / m 2 about the luminance in both cases of ') was required. すなわち、発光素子(1')、発光素子(2')、および発光素子(3')は、本発明に係る発光素子(1)、発光素子(2)、発光素子(3)と同程度の素子特性を示すことが確認される。 That is, the light emitting element (1 '), the light emitting element (2'), and the light emitting element (3 '), the light emitting device according to the present invention (1), the light emitting element (2), the light-emitting element (3) and comparable it is confirmed that indicates the device characteristics.

また、図13(A)〜(C)の素子構造の場合における電流効率−輝度特性(図16、図19、図22)において、発光素子(1')、発光素子(2')、および発光素子(3')のいずれの場合も13cd/A程度の電流効率に対して100cd/m の輝度が得られた。 The current efficiency in the case of the element structure of FIG. 13 (A) ~ (C) - luminance characteristics (16, 19, 22), the light emitting element (1 '), the light emitting element (2'), and emission luminance of 100 cd / m 2 was obtained with respect to a current efficiency of about 13 cd / a in both cases the element (3 '). すなわち、発光素子(1')、発光素子(2')、および発光素子(3')は、本発明に係る発光素子(1)、発光素子(2)、発光素子(3)と同程度の素子特性を示すことが確認される。 That is, the light emitting element (1 '), the light emitting element (2'), and the light emitting element (3 '), the light emitting device according to the present invention (1), the light emitting element (2), the light-emitting element (3) and comparable it is confirmed that indicates the device characteristics.

以上の結果から、本発明の発光素子において、第2の電極1310と第1の補助配線1303との間に第1のバッファー層1305、または第2のバッファー層1309のいずれか一方、または両方を挟んで形成される第1の接続部(1311、1321、1331)を用いた場合でも、第2の電極1310と第2の補助配線1304とが直接電気的に接続された第2の接続部1312を用いた場合でも素子特性に大きく影響を与えないことが確認された。 From the above results, in the light-emitting device of the present invention, the first buffer layer 1305 or one or both of the second buffer layer 1309, between the second electrode 1310 and the first auxiliary wiring 1303 even with interposed first connecting portion formed in (1311,1321,1331), the second connecting portion 1312 and the second electrode 1310 and the second auxiliary wiring 1304 is electrically connected directly it does not give a large influence on device characteristics even when a is confirmed.

本発明の発光表示パネルを説明する図。 It illustrates a light-emitting display panel of the present invention. 発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。 Sectional view of a light emitting element and the connection portion in a pixel portion of a light emitting display panel. 発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。 Sectional view of a light emitting element and the connection portion in a pixel portion of a light emitting display panel. 発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。 Sectional view of a light emitting element and the connection portion in a pixel portion of a light emitting display panel. 発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。 Sectional view of a light emitting element and the connection portion in a pixel portion of a light emitting display panel. 発光表示パネルの画素部における平面図。 Plan view of a pixel portion of a light emitting display panel. 発光表示パネルの画素部における発光素子および接続部の断面図。 Sectional view of a light emitting element and the connection portion in a pixel portion of a light emitting display panel. 発光表示パネルの画素部における平面図。 Plan view of a pixel portion of a light emitting display panel. 本発明の発光表示パネルを説明する図。 It illustrates a light-emitting display panel of the present invention. 発光素子の構造について説明する図。 Diagram illustrating a structure of a light-emitting element. 発光表示パネルに実装される駆動回路について説明する図。 Diagram for explaining a driving circuit mounted on the light emitting display panel. 電子機器について説明する図。 Diagram for describing electronic devices. 実施例1に示す発光素子の構造を説明する図。 Diagram illustrating the structure of light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の電圧−電流特性を示す図。 It shows the current characteristics - voltage of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 It shows luminance properties - voltage of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 It shows current efficiency characteristics - brightness of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の電圧−電流特性を示す図。 It shows the current characteristics - voltage of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 It shows luminance properties - voltage of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 It shows current efficiency characteristics - brightness of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の電圧−電流特性を示す図。 It shows the current characteristics - voltage of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の電圧−輝度特性を示す図。 It shows luminance properties - voltage of the light-emitting elements described in Example 1. 実施例1に示す発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。 It shows current efficiency characteristics - brightness of the light-emitting elements described in Example 1.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

101 基板102 電流制御用TFT 101 substrate 102 current controlling TFT
103 ソース領域104 ドレイン領域105 チャネル形成領域106 ゲート絶縁膜107 ゲート電極108 層間絶縁膜109 ソース電極110 ドレイン電極111 電極112 補助配線113 補助配線114 第1の電極115 第1のバッファー層116 発光層117 第2のバッファー層118 第2の電極119 発光素子120 画素部121 周辺部122 絶縁体123 第1の接続部124 第2の接続部200 画素部201 基板202 第1の電極203 補助配線204 第1のバッファー層205 発光層206 第2のバッファー層207 第2の電極211 接続部214 正孔(ホール)輸送層216 電子輸送層219 発光物質を含む層300 画素部301 基板302 第1の電極303 補助配線304 第1のバッファー層30 103 source region 104 drain region 105 channel formation region 106 a gate insulating film 107 gate electrode 108 interlayer insulating film 109 source electrode 110 drain electrode 111 electrode 112 the auxiliary wiring 113 auxiliary wiring 114 first electrode 115 first buffer layer 116 emitting layer 117 the second buffer layer 118 second electrode 119 light emitting element 120 a pixel portion 121 periphery 122 insulator 123 first connecting portion 124 second connecting portion 200 a pixel portion 201 substrate 202 first electrode 203 auxiliary wiring 204 first buffer layer 205 emitting layer 206 second buffer layer 207 second electrode 211 connecting portions 214 hole-transporting layer 216 layer 300 a pixel portion 301 substrate 302 first electrode 303 assist with an electron transport layer 219 luminescent material wiring 304 first buffer layer 30 発光層306 第2のバッファー層307 第2の電極311 接続部314 正孔(ホール)輸送層316 電子輸送層400 画素部401 基板402 第1の電極403 補助配線404 第1のバッファー層405 発光層406 第2のバッファー層407 第2の電極411 接続部414 正孔(ホール)輸送層416 電子輸送層500 画素部501 基板502 第1の電極503 補助配線504 第1のバッファー層505 発光層506 第2のバッファー層507 第2の電極508 スイッチング用TFT Emitting layer 306 second buffer layer 307 second electrode 311 connecting portions 314 hole-transporting layer 316 electron-transporting layer 400 a pixel portion 401 substrate 402 first electrode 403 auxiliary wiring 404 first buffer layer 405 emitting layer 406 second buffer layer 407 second electrode 411 connecting portions 414 hole-transporting layer 416 electron-transporting layer 500 a pixel portion 501 substrate 502 first electrode 503 auxiliary wiring 504 first buffer layer 505 emitting layer 506 second 2 of the buffer layer 507 second electrode 508 switching TFT
509 電流制御用TFT 509 current control TFT
510 ソース信号線511 ゲート電極512 電流供給線513 領域B 510 a source signal line 511 gate electrode 512 the current supply line 513 region B
514 領域C 514 area C
515 領域D 515 area D
516 領域E 516 area E
517 ゲート電極518 領域F 517 gate electrode 518 region F
520 接続部524 半導体領域525 ソース電極526 ドレイン電極527 半導体領域700 画素部701 基板702 第1の電極703 補助配線704 第1のバッファー層705 発光層706 第2のバッファー層707 第2の電極708 スイッチング用TFT 520 connection portion 524 semiconductor region 525 source electrode 526 drain electrode 527 semiconductor region 700 a pixel portion 701 substrate 702 first electrode 703 auxiliary wiring 704 first buffer layer 705 emitting layer 706 second buffer layer 707 second electrode 708 switching use TFT
709 電流制御用TFT 709 current control TFT
710 ソース信号線711 ゲート電極712 電流供給線713 領域B 710 a source signal line 711 gate electrode 712 the current supply line 713 region B
714 領域C 714 area C
715 領域D 715 area D
716 領域E 716 area E
717 ゲート電極718 領域F 717 gate electrode 718 region F
719 ゲート信号線720 接続部724 半導体領域725 ソース電極726 ドレイン電極727 半導体領域901 基板902 第1の電極903 発光物質を含む層904 第2の電極905 第1のバッファー層906 正孔輸送層907 発光層908 電子輸送層909 第2のバッファー層1001 ソース側駆動回路1002 画素部1003 ゲート側駆動回路1004 基板1005 シール材1006 第1の電極1008 補助配線1009 FPC(フレキシブルプリントサーキット) 719 gate signal line 720 connecting portions 724 semiconductor region 725 source electrode 726 drain electrode 727 semiconductor region 901 substrate 902 layer 904 a second electrode 905 first buffer layer 906 hole transport layer 907 emitting including a first electrode 903 light-emitting substance layer 908 electron transport layer 909 the second buffer layer 1001 a source side driver circuit 1002 pixel portion 1003 a gate side driver circuit 1004 board 1005 sealant 1006 first electrode 1008 auxiliary wiring 1009 FPC (flexible printed circuit)
1010 基板1011 スイッチング用TFT 1010 substrate 1011 switching TFT
1012 電流制御用TFT 1012 current control TFT
1013 nチャネル型TFT 1013 n-channel type TFT
1014 pチャネル型TFT 1014 p-channel type TFT
1015 発光物質を含む層1016 第2の電極(陰極) Layer 1016 containing the 1015 light-emitting substance the second electrode (cathode)
1018 発光素子1019 接続領域1023 層間絶縁膜1024 絶縁物1025 第1のバッファー層1026 発光層1027 第2のバッファー層1033 乾燥剤1034 接続領域1035 補助配線1036 接続配線1037 異方性導電樹脂1038 補助配線1100 基板1101 画素部1102 ソース信号線駆動回路1105 ICチップ1106 FPC(フレキシブルプリントサーキット) 1018 light-emitting element 1019 connected region 1023 interlayer insulating film 1024 insulator 1025 first buffer layer 1026 emitting layer 1027 second buffer layer 1033 desiccant 1034 connection region 1035 auxiliary wiring 1036 connection wiring 1037 anisotropic conductive resin 1038 auxiliary wiring 1100 substrate 1101 pixel portion 1102 source signal line driver circuit 1105 IC chip 1106 FPC (flexible printed circuit)
1300 発光素子1301 基板1302 第1の電極1302 第2の電極(陽極) 1300 light-emitting element 1301 substrate 1302 first electrode 1302 second electrode (anode)
1303 補助配線1304 補助配線1305 第1のバッファー層1306 正孔輸送層1307 発光層1308 電子輸送層1309 第2のバッファー層1310 電極1311 第1の接続部1312 第2の接続部1321 第1の接続部1331 第1の接続部8001 本体8002 表示部8101 本体8102 表示部8201 本体8202 表示部8301 本体8302 表示部8401 本体8402 表示部 1303 auxiliary wiring 1304 auxiliary wiring 1305 first buffer layer 1306 a hole transport layer 1307 emitting layer 1308 electron transporting layer 1309 second buffer layer 1310 electrode 1311 first connection 1312 second connection 1321 first connecting portion 1331 the first connecting portion 8001 body 8002 display unit 8101 body 8102 display unit 8201 body 8202 display unit 8301 body 8302 display unit 8401 body 8402 display unit

Claims (23)

  1. 第1の電極と第2の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子と、前記第2の電極と電気的に接続された補助配線とを含み、 Includes a light emitting element formed by interposing a layer including a luminescent substance between a first electrode and a second electrode, and the second electrode and electrically connected to the auxiliary wiring,
    前記発光物質を含む層は、第1のバッファー層、発光層、および第2のバッファー層を少なくとも含み、 The layer containing the light emitting substance, the first buffer layer, wherein the light emitting layer, and a second buffer layer, at least,
    前記補助配線と前記第2の電極との間に前記第1のバッファー層または前記第2のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれていることを特徴とする発光装置。 Wherein said first either the buffer layer or the second buffer layer, or a light-emitting device characterized by both is sandwiched between the auxiliary line a second electrode.
  2. 第1の電極と第2の電極との間に発光物質を含む層を挟んでなる発光素子と、前記第2の電極と電気的に接続された第1の補助配線および第2の補助配線とを含み、 A light emitting element formed by interposing a layer including a luminescent substance between a first electrode and a second electrode, a first auxiliary wiring and the second auxiliary wiring connected the second electrode and electrically It includes,
    前記発光物質を含む層は、第1のバッファー層、発光層、および第2のバッファー層を少なくとも含み、 The layer containing the light emitting substance, the first buffer layer, wherein the light emitting layer, and a second buffer layer, at least,
    前記第1の補助配線と前記第2の電極との間に前記第1のバッファー層または前記第2のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれており、 Wherein while the first one of the buffer layer or the second buffer layer, or both is sandwiched between the first auxiliary wiring and the second electrode,
    前記第2の補助配線は、前記第2の電極と接していることを特徴とする発光装置。 The second auxiliary wiring, the light emitting device which is characterized in that in contact with the second electrode.
  3. 請求項1または請求項2において、 According to claim 1 or claim 2,
    前記第1のバッファー層は、正孔輸送性を示す物質でなる層であることを特徴とする発光装置。 The first buffer layer, the light emitting device, characterized in that a layer made of a substance having a hole transporting property.
  4. 請求項3において、 According to claim 3,
    前記正孔輸送性を示す物質は、有機化合物と金属化合物との複合材料であることを特徴とする発光装置。 The substance having a hole-transporting light-emitting device which is a composite material of an organic compound and a metal compound.
  5. 請求項3において、 According to claim 3,
    前記正孔輸送性を示す物質は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)から選ばれた有機化合物と、金属化合物との複合材料であることを特徴とする発光装置。 The substance having a hole-transporting property, aromatic amine compounds, carbazole derivatives, and aromatic hydrocarbon organic compound selected from (a vinyl skeleton comprises an aromatic hydrocarbon containing at least one), between the metal compound the light emitting device which is a composite material.
  6. 請求項1または請求項2において、 According to claim 1 or claim 2,
    前記第1のバッファー層は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のうちの少なくとも1つと、金属化合物とを含むことを特徴とする発光装置。 The first buffer layer, an aromatic amine compound, a carbazole derivative, and at least one of an aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton), to include a metal compound emitting device comprising.
  7. 請求項4乃至6のいずれか1項において、 In any one of claims 4 to 6,
    前記金属化合物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、および銀酸化物のうちのいずれかであることを特徴とする発光装置。 The metal compound is molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, rhenium oxide, titanium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, and silver oxide the light emitting device which is characterized in that either out.
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 7,
    第2のバッファー層は、電子輸送性を示す物質でなる層であることを特徴とする発光装置。 The second buffer layer, the light emitting device, characterized in that a layer made of a material having an electron transporting property.
  9. 請求項8において、 According to claim 8,
    前記電子輸送性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質であることを特徴とする発光装置。 Substance exhibiting the electron-transporting property, alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides, alkali metal fluoride, and alkaline earth the light emitting device which is a material selected from metal fluorides.
  10. 請求項8において、 According to claim 8,
    前記電子輸送性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質と、有機化合物との複合材料であることを特徴とする発光装置。 Substance exhibiting the electron-transporting property, alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides, alkali metal fluoride, and alkaline earth emitting device comprising a material selected from metal fluorides, that the composite material of an organic compound.
  11. 請求項8において、 According to claim 8,
    前記電子輸送性を示す物質は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質との複合材料であることを特徴とする発光装置。 Substance exhibiting the electron-transporting property, an electron-transporting material or a bipolar material, alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides , light emitting device, wherein the alkali metal fluoride, and a composite material with a substance selected from alkaline earth metal fluoride.
  12. 請求項1乃至請求項11のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 11,
    前記第1のバッファー層は、前記第1の電極または前記第2の電極の一方と接し、 It said first buffer layer is in contact with one of the first electrode or the second electrode,
    前記第2のバッファー層は、前記第1の電極または前記第2の電極の他方と接することを特徴とする発光装置。 The second buffer layer, the light emitting device, characterized in that in contact with the other of the first electrode or the second electrode.
  13. 第1の電極、第1の補助配線、および第2の補助配線を形成し、 The first electrode, forming a first auxiliary wiring, and the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第1のバッファー層を形成し、 A first buffer layer formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring,
    前記第1の電極上に発光層を形成し、 The light-emitting layer was formed on the first electrode,
    前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第2のバッファー層を形成し、 A second buffer layer formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1の補助配線、および前記第2の補助配線上に第2の電極を形成し、 The first electrode, the first auxiliary wiring, and a second electrode formed on the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、 Said first electrode, said first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and the light emitting device including the second electrode,
    前記第1のバッファー層または前記第2のバッファー層のいずれか一方のバッファー層、前記第1の補助配線、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、 A first connecting portion including the one of the buffer layer of the first buffer layer or the second buffer layer, the first auxiliary wiring, and the second electrode,
    前記第2の補助配線および前記第2の電極を含む第2の接続部と、を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 The method for manufacturing a light emitting device and forming a second connection portion including the second auxiliary wiring and the second electrode.
  14. 第1の電極および前記第1の補助配線上に第1のバッファー層を形成し、 A first buffer layer formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring,
    前記第1の電極上に発光層を形成し、 The light-emitting layer was formed on the first electrode,
    前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第2のバッファー層を形成し、 A second buffer layer formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1の補助配線、および前記第2の補助配線上に第2の電極を形成し、 The first electrode, the first auxiliary wiring, and a second electrode formed on the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、 Said first electrode, said first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and the light emitting device including the second electrode,
    前記第1の補助配線、前記第1のバッファー層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、 Said first auxiliary wiring, the first buffer layer, the second buffer layer, and the first connection portion including the second electrode,
  15. 第1の電極、第1の補助配線、および第2の補助配線を形成し、 The first electrode, forming a first auxiliary wiring, and the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極上に第1のバッファー層を形成し、 A first buffer layer formed on the first electrode,
    前記第1の電極上に発光層を形成し、 The light-emitting layer was formed on the first electrode,
    前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第2のバッファー層を形成し、 A second buffer layer formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1の補助配線、および前記第2の補助配線上に第2の電極を形成し、 The first electrode, the first auxiliary wiring, and a second electrode formed on the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、前記第1の補助配線、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、前記第2の補助配線および前記第2の電極を含む第2の接続部とをそれぞれ形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 The first electrode, the first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and a light emitting device including the second electrode, the first auxiliary wiring, the second buffer layer, and the first connection portion including a second electrode, the method for manufacturing a light emitting device and forming respectively the second connection portion including the second auxiliary wiring and the second electrode.
  16. 第1の電極、第1の補助配線、および第2の補助配線を形成し、 The first electrode, forming a first auxiliary wiring, and the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極および前記第1の補助配線上に第1のバッファー層を形成し、 A first buffer layer formed on the first electrode and the first on the auxiliary wiring,
    前記第1の電極上に発光層を形成し、 The light-emitting layer was formed on the first electrode,
    前記第1の電極上に第2のバッファー層を形成し、 A second buffer layer formed on the first electrode,
    前記第1の電極、前記第1の補助配線、および前記第2の補助配線上に第2の電極を形成し、 The first electrode, the first auxiliary wiring, and a second electrode formed on the second auxiliary wiring,
    前記第1の電極、前記第1のバッファー層、前記発光層、前記第2のバッファー層、および前記第2の電極を含む発光素子と、前記第1の補助配線、前記第1のバッファー層、および前記第2の電極を含む第1の接続部と、前記第2の補助配線および前記第2の電極を含む第2の接続部とをそれぞれ形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 The first electrode, the first buffer layer, the light-emitting layer, the second buffer layer, and a light emitting device including the second electrode, the first auxiliary wiring, the first buffer layer, and the first connection portion including a second electrode, the method for manufacturing a light emitting device and forming respectively the second connection portion including the second auxiliary wiring and the second electrode.
  17. 請求項13乃至請求項16のいずれか一において、 In any one of claims 13 to claim 16,
    前記第1のバッファー層として、正孔輸送性を示す物質でなる層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 Wherein a first buffer layer, a method for manufacturing a light emitting device and forming a layer made of a material showing a hole transporting property.
  18. 請求項17において、 According to claim 17,
    前記正孔輸送性を示す物質でなる層は、有機化合物と金属化合物とを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 Wherein the hole transporting shown composed of a material layer, a method for manufacturing a light emitting device which comprises an organic compound and a metal compound.
  19. 請求項18において、 According to claim 18,
    前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素(ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素を含む)のうちのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。 The organic compound is an aromatic amine compound, a carbazole derivative and a method for manufacturing a light emitting device, characterized in that is any one of an aromatic hydrocarbon (including an aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton), .
  20. 請求項18において、 According to claim 18,
    前記金属化合物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、および銀酸化物のうちのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。 The metal compound is molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, rhenium oxide, titanium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, and silver oxide the method for manufacturing a light emitting device, characterized in that out is either.
  21. 請求項13乃至請求項20のいずれか一において、 In any one of claims 13 to claim 20,
    前記第2のバッファー層は、電子輸送性を示す物質でなる層で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 The second buffer layer, a method for manufacturing a light emitting device, and forming a layer made of a material having an electron transporting property.
  22. 請求項21において、 According to claim 21,
    前記電子輸送性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、またはアルカリ土類金属フッ化物のいずれかの物質であることを特徴とする発光装置の作製方法。 Substance exhibiting the electron-transporting property, alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides, alkali metal fluorides, or alkaline earth the method for manufacturing a light emitting device which is characterized in that any material metal fluoride.
  23. 請求項21において、 According to claim 21,
    前記電子輸送性を示す物質は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、アルカリ金属フッ化物、およびアルカリ土類金属フッ化物から選ばれた物質との複合材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。 Substance exhibiting the electron-transporting property, an electron-transporting material or a bipolar material, alkali metals, alkaline earth metals, alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkali-earth metal nitrides the method for manufacturing a light emitting device, wherein the alkali metal fluoride, and a composite material with a substance selected from alkaline earth metal fluoride.
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