JP2007043127A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007043127A5 JP2007043127A5 JP2006183102A JP2006183102A JP2007043127A5 JP 2007043127 A5 JP2007043127 A5 JP 2007043127A5 JP 2006183102 A JP2006183102 A JP 2006183102A JP 2006183102 A JP2006183102 A JP 2006183102A JP 2007043127 A5 JP2007043127 A5 JP 2007043127A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- heat
- film pattern
- oxide film
- sequential lateral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 9
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N Xenon monochloride Chemical compound [Xe]Cl HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
Claims (10)
- 透明基板と、
前記透明基板上に形成され、レーザービームを遮断する耐熱性酸化膜パターンとを有することを特徴とする逐次的横方向結晶化用のマスク。 - 前記耐熱性酸化膜パターンは、融点が約２０００℃以上の物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 前記耐熱性酸化膜パターンは、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ、ＳｉＯ２、またはＭｇＯよりなる単一膜、またはこのような単一膜が二種以上積層された多層膜で形成されることを特徴とする請求項２に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 前記耐熱性酸化膜パターンは、可視光線に対して高透過率を有することを特徴とする請求項２に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 前記透明基板は、石英よりなることを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 前記レーザービームは、３０８ｎｍのＸｅＣｌ、または２４８ｎｍのＫｒＦを利用したエキシマレーザービームであることを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 前記透明基板と前記耐熱性酸化膜との間に介在して、前記耐熱性酸化膜パターンと実質的に同一なパターンを有するフォトマスク用の金属膜パターンをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 前記フォトマスク用金属膜パターンは、Ｍｏ、Ｔｉ、またはこれらの合金よりなることを特徴とする請求項７に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
- 透明基板上に耐熱性酸化膜及び金属膜を順次に積層する（ａ）段階と、
前記金属膜をエッチングして金属膜パターンを形成する（ｂ）段階と、
前記金属膜パターンをエッチングマスクとして用い、前記耐熱性酸化膜をエッチングして、耐熱線酸化膜パターンを形成する（ｃ）段階と、
前記金属膜パターンを除去する（ｄ）段階とを有することを特徴とする逐次的横方向結晶化用のマスクの製造方法。 - 前記（ｂ）段階は、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）を用いて前記金属膜をパターニングする段階であることを特徴とする請求項９に記載の逐次的横方向結晶化用のマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050071414A KR101167662B1 (ko) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | 순차 측면 고상화용 마스크 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007043127A JP2007043127A (ja) | 2007-02-15 |
| JP2007043127A5 true JP2007043127A5 (ja) | 2009-08-13 |
Family
ID=37718164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006183102A Pending JP2007043127A (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-03 | 逐次的横方向結晶化用のマスク及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7829245B2 (ja) |
| JP (1) | JP2007043127A (ja) |
| KR (1) | KR101167662B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI299431B (en) * | 2005-08-23 | 2008-08-01 | Au Optronics Corp | A mask for sequential lateral solidification (sls) process and a method thereof |
| TWI339410B (en) * | 2008-07-09 | 2011-03-21 | Au Optronics Corp | Mask and fabricating method of a polysilicon layer using the same |
| JP5534402B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2014-07-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 低温ポリシリコン膜の形成装置及び方法 |
| KR101777289B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2017-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연속측면고상화(Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ:ＳＬＳ)를 이용한 결정화 장치 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100686A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-18 | Brother Ind Ltd | レーザ加工装置 |
| CA2256699C (en) * | 1996-05-28 | 2003-02-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate, and devices made therewith |
| US5970368A (en) * | 1996-09-30 | 1999-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing polycrystal semiconductor film |
| JP2002082423A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法、並びに半導体装置の製造方法。 |
| KR100484399B1 (ko) | 2002-05-23 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘의 결정화용 마스크 및 결정화 방법 |
| KR100878240B1 (ko) * | 2002-09-16 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 다결정용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| KR100486676B1 (ko) | 2002-10-04 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 위상변이 레이저 마스크 및 이를 이용한 순차측면고상결정화 방법 |
| US20040087116A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Junichiro Nakayama | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof |
| JP2004160518A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sony Corp | レーザ加工方法 |
| KR100618184B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2006-08-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 결정화 방법 |
| KR100546365B1 (ko) * | 2003-08-18 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법 |
| US7029803B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-04-18 | Schott Ag | Attenuating phase shift mask blank and photomask |
| KR101316633B1 (ko) * | 2004-07-28 | 2013-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 다결정 규소용 마스크 및 이의 제조방법과, 이를 이용한박막트랜지스터의 제조방법 |
-
2005
- 2005-08-04 KR KR1020050071414A patent/KR101167662B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-07-03 JP JP2006183102A patent/JP2007043127A/ja active Pending
- 2006-08-04 US US11/499,477 patent/US7829245B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4570632B2 (ja) | ４階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク加工品 | |
| JP2022069683A5 (ja) | ||
| JP2015102633A5 (ja) | ||
| JP4926521B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP3939167B2 (ja) | 露光用反射型マスクブランク、その製造方法及び露光用反射型マスク | |
| JP2006268035A5 (ja) | ||
| KR20160138247A (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2015092281A5 (ja) | ||
| JP4946296B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 | |
| KR101646822B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 | |
| JP2010156880A5 (ja) | ||
| JP2015200883A5 (ja) | ||
| JP6374360B2 (ja) | Ｅｕｖマスク及びその製造方法 | |
| TW201250375A (en) | Blankmask and photomask | |
| JP5292747B2 (ja) | 極端紫外線用反射型フォトマスク | |
| JP6544300B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク | |
| JP2004304170A (ja) | 反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2007043127A5 (ja) | ||
| JP2007041603A5 (ja) | 超紫外線リソグラフィ用の反射デバイス、それを適用した超紫外線リソグラフィ用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置 | |
| JP6371221B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 | |
| JP2012003283A5 (ja) | ||
| JP2021056484A (ja) | 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 | |
| JP4998082B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 | |
| JP5917020B2 (ja) | マスクブランクおよび多階調マスクの製造方法 | |
| JP5483366B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |