JP2007005545A - 半導体処理装置の表面処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 処理容器10に、処理ガス供給管21と、ガス供給機器ユニット22と、ガス配管23と、排気管24と真空ポンプ25とを接続して半導体処理装置を組み立てた後、前記例えば処理容器10、処理ガス供給管21、ガス供給機器ユニット22、ガス配管23、排気管24を結ぶガス流路に第1の原料ガスと第2の原料ガスとを交互に多数回切り換えて供給すると共に、第1の原料ガスの供給と第2の原料ガスの供給との間に前記ガス流路の真空排気を行うことにより、前記ガス流路の腐食性ガスとの接触面に、Al、Hf、Zr、Yのいずれかを含む化合物よりなる原子層堆積膜を成膜する。
【選択図】 図3
Description
にフッ素樹脂被膜をコーティングする技術が記載されている。しかしながらこの文献1においては、熱処理装置をユーザ側の配管と接続したことによりパーティクルが発生する場合があることやその対策については何ら記載されておらず、特許文献1の技術を用いても本発明の課題を解決することは困難である。
前記処理容器に、当該処理容器に腐食性ガスを供給するための金属製の配管と排気管とを接続し、前記排気管に真空排気手段を接続する工程と、
次いで前記配管及び処理容器の内表面に、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、イットリウムからなる群から選択された元素を含む堆積膜を成膜する工程と、を含み、
前記堆積膜を成膜する工程は、前記配管の上流側から、前記元素を含む第1の原料ガスを供給して、前記配管及び処理容器の内表面に吸着させ、
次いで前記配管の上流側から、第1の原料ガスに代えて第2の原料ガスを供給して、前記内表面に吸着された第1の原料ガスと反応させ、この内表面に前記元素の原子層あるいは前記元素を含む分子層を形成し、
こうして前記第1の原料ガスを供給する工程と、第2の原料ガスを供給する工程とを交互に多数回切り換え、両工程の間に、前記原料ガスの供給を止めて、前記配管と処理容器の内部を真空排気する工程を介在させることを特徴とする。
11 載置台
12 ガス供給部
13 下面部材
14 バッフル板
15 メカチャック
2 ガス供給源
21 処理ガス供給管
22 ガス供給機器ユニット
23 ガス配管
24 排気管
25 真空ポンプ
41 第1の原料供給路
42 第2の原料供給路
43 第1のバイパス路
44 第2のバイパス路
51 第1の原料ガス供給源
52 第2の原料ガス供給源
Claims (8)
- 処理ガスを金属製の処理容器内に供給することにより処理容器内の基板に対して半導体装置を製造するための処理を行い、処理ガスが腐食性ガスであるか、または前記処理後に処理容器内に腐食性ガスであるクリーニングガスを供給して処理容器内をクリーニングする半導体処理装置について、腐食性ガスが通流する部位の表面を処理する方法において、
前記処理容器に、当該処理容器に腐食性ガスを供給するための金属製の配管と排気管とを接続し、前記排気管に真空排気手段を接続する工程と、
次いで前記配管及び処理容器の内表面に、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、イットリウムからなる群から選択された元素を含む堆積膜を成膜する工程と、を含み、
前記堆積膜を成膜する工程は、前記配管の上流側から、前記元素を含む第1の原料ガスを供給して、前記配管及び処理容器の内表面に吸着させ、
次いで前記配管の上流側から、第1の原料ガスに代えて第2の原料ガスを供給して、前記内表面に吸着された第1の原料ガスと反応させ、この内表面に前記元素の原子層あるいは前記元素を含む分子層を形成し、
こうして前記第1の原料ガスを供給する工程と、第2の原料ガスを供給する工程とを交互に多数回切り換え、両工程の間に、前記原料ガスの供給を止めて、前記配管と処理容器の内部を真空排気する工程を介在させることを特徴とする半導体処理装置の表面処理方法。 - 請求項1の発明において、前記配管の上流側から、処理容器を迂回して前記真空排気手段に接続するバイパス路を介して、前記第1の原料ガス及び第2の原料ガスを交互に多数回切り換えて供給することにより、前記配管の内表面に前記堆積膜を成膜することを特徴とする請求項1記載の半導体処理方法。
- 請求項1の発明において、前記配管を迂回して前記処理容器と前記真空排気手段とを接続するバイパス路を介して、前記処理容器に第1の原料ガス及び第2の原料ガスを交互に多数回切り換えて供給することにより、前記処理容器の内表面に前記堆積膜を成膜することを特徴とする請求項1記載の半導体処理方法。
- 前記配管は、半導体処理装置を製造するメーカにて製造された処理容器に付設された、当該処理容器に処理ガスを供給するための金属製の配管と、この配管に接続される半導体処理装置を使用するユーザ側の金属製の配管と、を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の半導体処理装置の表面処理方法。
- 前記配管及び/又は処理容器を構成する金属は、アルミニウム又はステンレスであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の半導体処理装置の表面処理方法。
- 前記配管及び/又は処理容器を構成する金属と堆積膜との間には溶射膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の半導体処理装置の表面処理方法。
- 前記溶射膜は、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、クロム、イットリウム、ジルコニウム、ゲルマニウム、タンタル、ネオジムのいずれかを含むものであることを特徴とする請求項6記載の半導体処理装置の表面処理方法。
- 前記配管及び/又は処理容器を構成する金属にアルマイト処理を施し、その上に堆積膜が形成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の半導体処理装置の表面処理方法。
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