JP2007005249A - 有機el素子の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 249
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 239
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 107
- 239000010408 film Substances 0.000 description 358
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 105
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 51
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 有機EL膜用の材料を蒸着して成膜することによって有機EL発光素子を製造する。その際に、高蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚以下にまで蒸着し、この蒸着膜厚を測定した後、膜厚測定結果に基づいて、低蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚まで蒸着する。高蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚以下にまで蒸着することによって、蒸着時間を短縮することができる。そして高蒸発レートで蒸着を行なうと膜厚のずれが大きいが、高蒸発レートで蒸着した膜厚を測定し、測定値と目標とする膜厚との差を、低蒸発レートで蒸着することによって、目標とする膜厚とずれの小さい膜厚で成膜することができる。
【選択図】 図1
Description
図9に示すように、蒸着室30の底部内に蒸着材料を充填した第1るつぼ31と第2るつぼ32を近接させて設置し、各るつぼ31,32の上面の開口を開閉するシャッター33,34を設け、蒸着室30の上部に光干渉式膜厚測定計35を設けた。また蒸着室30の上部内にシャッター36を設け、このシャッター36の上側に基板1を配置した。さらに、第1るつぼ31からの蒸発レートを成膜レートが10nm/sとなるように設定して、この第1るつぼ31を蒸発レートの高い蒸発源3とし、第2るつぼ32からの蒸発レートを成膜レートが0.5nm/sとなるように設定して、この第2るつぼ32を蒸発レートの低い蒸発源4とした。
図10に示すように、蒸発源3にメインパイプ14とサブパイプ15を接続し、各パイプ14,15の先端のメイン吹き出し口18とサブ吹き出し口19を蒸着室30の底部内に接続した。またメインパイプ14とサブパイプ15に設けたメインバルブ16とサブバルブ17の開口量の調整によって、メイン吹き出し口18からの蒸発レートを成膜レートが8nm/sとなるように設定して、このメイン吹き出し口18を蒸発レートの高い蒸発源3とし、サブ吹き出し口19からの蒸発レートを成膜レートが1nm/sとなるように設定して、このサブ吹き出し口19を蒸発レートの低い蒸発源4とした。
図11に示すように、図9の装置において、膜厚評価用の膜を形成するための膜厚評価基板38を基板1の近傍に配置して設けた。その他は図9の装置と同じである。尚、膜厚評価基板38に成膜される膜厚と、基板1に成膜される膜厚の比は、1:1.3であることを予め試験して確認した。
実施例1と同じ装置を用い、第1るつぼ31からの蒸発レートを成膜レートが10nm/sとなるように設定して、この第1るつぼ31のみで、膜厚150nmをねらって基板1に蒸着させた。このようにして成膜した基板1を蒸着室30から取り出し、基板1に成膜された有機EL膜2の膜厚を触針式膜厚計で測定して評価した。
実施例2と同じ装置を用い、メイン吹き出し口18からの蒸発レートを成膜レートが8nm/sとなるように設定し、このメイン吹き出し口18のみ用いて基板1をこのメイン吹き出し口18上に搬送し、膜厚150nmをねらって基板1に蒸着させた。このようにして成膜した基板1を蒸着室30から取り出し、基板1に成膜された有機EL膜2の膜厚を触針式膜厚計で測定して評価した。
実施例2と同じ装置を用い、サブ吹き出し口19からの蒸発レートを成膜レートが1nm/sとなるように設定し、このサブ吹き出し口19のみ用いて基板1をこのサブ吹き出し口19上に搬送し、膜厚150nmをねらって基板1に蒸着させた。このようにして成膜した基板1を蒸着室30から取り出し、基板1に成膜された有機EL膜2の膜厚を触針式膜厚計で測定して評価した。
2 有機EL膜
3 蒸発源
4 蒸発源
Claims (4)
- 有機EL膜用の材料を蒸着して成膜することによって有機EL発光素子を製造するにあたって、高蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚以下にまで蒸着し、この蒸着膜厚を測定した後、膜厚測定結果に基づいて、低蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚まで蒸着することによって、成膜することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
- 同じ蒸着材料からなる蒸発源として、蒸発レートの高い蒸発源と、蒸発レートの低い蒸発源とを用い、蒸発レートの高い蒸発源から高蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚以下にまで蒸着し、蒸発レートの低い蒸発源から低蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚まで蒸着することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 蒸発レートの低い蒸発源が、蒸発レートの高い蒸発源からの蒸発流れで形成されるものであることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。
- 有機EL膜の材料を蒸着して成膜することによって有機EL発光素子を製造する装置であって、高蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚以下にまで蒸着するための、蒸発レートの高い蒸発源と、この目標とする膜厚以下にまで蒸着された蒸着材料の蒸着膜厚を測定する膜厚測定手段と、膜厚測定手段で測定された膜厚に基づいて、低蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚まで蒸着するための、蒸発レートの低い蒸発源と、を備えて成ることを特徴とする有機EL素子の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005187228A JP4862295B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 有機el素子の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005187228A JP4862295B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 有機el素子の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007005249A true JP2007005249A (ja) | 2007-01-11 |
JP4862295B2 JP4862295B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=37690649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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