JP2006501644A - 横型絶縁ゲートバイポーラpmos装置 - Google Patents
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Abstract
横型絶縁ゲートバイポーラPMOS装置(20b)は、半導体基板(22)と、埋め込み絶縁層(24)と、埋め込み絶縁層上のSOI層内に、p導電型のソース領域を有する横型PMOSトランジスタ装置とを含む。n導電型の横方向ドリフト領域(32)が本体領域(30)近傍に設けられ、p導電型のドレイン領域がドリフト領域により本体領域から横方向に分離されて設けられている。n導電型ドレイン領域(34b)が、p反転バッファ内に挿入されたシャローn型コンタクト表面領域として形成される。動作中にチャネル領域が形成され、本体領域(30)近傍の横方向ドリフト領域(32)の一部分の上部に延在する本体領域(30)の一部分の上部にゲート電極(36)が設けられている。ゲート電極(36)は絶縁領域(38)により本体領域(30)とドリフト領域(32)とから絶縁されている。
Description
この発明はセミコンダクタ・オン・インシュレータ(SOI)装置の分野に関し、さらに、特に、高電圧用途に適する横型SOIPMOS装置に関する。
高電圧電力装置の製造においては、絶縁破壊電圧、サイズ、オン抵抗、そして、製造容易性や信頼性等において、通常、トレードオフと妥協が余儀なくされる。絶縁破壊電圧等の一つのパラメータを改善すると、オン抵抗等の他のパラメータが悪くなることがよくある。
ある既知の横型薄膜SOI装置の形態は、半導体基板と、この基板の上に埋め込み絶縁層と、そして、埋め込み絶縁層上のSOI層内に横型トランジスタ装置とを含み、MOSFET等の上記装置は、上記埋め込み絶縁層上に半導体表面層を含み、第一の導電型であり、この第一の導電型とは反対の第二の導電型の本体領域内に形成されたソース領域と、本体領域のチャネル領域上部にあり且つこれから絶縁されている絶縁ゲート電極と、第一の導電型の横方向ドリフト領域と、このドリフト領域によりソース領域から横方向に分離されたp型のドレイン領域とを有する。
この種の装置は、本出願の譲受け人に譲渡され、その開示内容が本出願の一部とされる米国特許番号6,127,703に開示されている。この特許の装置は、リニアな横方向ドーピング領域と上部フィールドプレートを有する薄いSOI層等の動作を改善する様々な特徴を有する横型SOIPMOS装置である。この装置はpチャネル即ちPMOSトランジスタであり、p型のソース及びドレイン領域を有し、従来からMOS技術と呼ばれるプロセス用いて製造される。このPMOS装置は重くドープされたp型ドレイン領域と、適度にドープされたp型ドレインバッファ領域と、そして、軽くドープされたp型ドレイン拡張領域とにより成り、オン状態電流がすべて軽くドープされた表面がp型のドレイン拡張領域を流れてしまうという問題がある。この設計はp型拡張領域のドーピングレベルを低くして高絶縁破壊電圧を維持するもので、結果として動作抵抗が高くなる。
この発明は横型絶縁ゲートバイポーラPMOS装置を提供し、この装置では、ドーピングレベルがドレイン領域からソース領域へ向かう方向に増加するようなリニアな勾配の注入特性がn型横方向ドリフト領域に与えられ、表面に隣接するn導電型のインプラントが適度にドープされたp型ドレインバッファ領域と軽くドープされたp型ドレイン拡張領域とに加えられ、軽くドープされたドレイン拡張領域は、ドレインからソースに向かって拡張され、しかし、ソース領域とは直接にはコンタクトが取られないn型ドリフト領域の表面全体に形成されている。これにより、電流の流れに対しn型及びp型の両方が適用できる二重ドレインPMOS装置が形成できる。
この発明のある好ましい実施形態では、少なくともドレイン領域の一部分内のPI(P反転)バッファ領域内にSN(シャローN)を注入することによりアノードが形成され、オン状態での総電流が増加し、抵抗が小さくなる。
この発明のさらなる好ましい実施形態では、導電フィールドプレートがPMOS装置のソース領域に接続される。
この発明の横型絶縁ゲートバイポーラMOS装置では、改善された各種動作特性、特に、例えば、電流とオン抵抗により、この装置が、高電圧、高電流環境、そして、特に、高絶縁破壊電圧での動作に適するようになるという大きな改良が、従来の技術を用いたPMOS構造を導入できる比較的簡単で経済的な設計により達成できる。
しかし、この発明では、電流増加のための二重電流経路を有するMOS装置を導入することにより電流を増加させることができることを認識している。これら並びにその他のアスペクトは以下に記載する実施形態を参照することにより明らかにそして明瞭となる。
各図において、同じ導電型の半導体領域は、通常、横断面において同方向にハッチングされ、そして、各図は実際のスケール通りには描かれてはいないことが理解されるべきである。
図1の簡略化された横断面において、米国特許番号6,127,703に開示されている横型薄膜装置であるSOIPMOSトランジスタ20aは、半導体基板22と、埋め込み絶縁層24と、その中にこの装置が製造される半導体表面SOI層26とを含む。PMOSトランジスタは、p導電型のソース領域28と、n導電型の本体領域30と、n導電型の横方向ドリフト領域32と、p導電型のドレイン領域34aとを含む。この基本装置構造は、さらに、図に示されるように、下部半導体表面層26とその他のこの装置の導電部分から酸化物絶縁領域38により完全に絶縁されたゲート電極36を含む。
さらに、PMOSトランジスタ20aは、ソース領域28とコンタクトが取られ、本体領域30内に位置し、本体領域30と同じ導電型で、しかし、本体領域30より軽くドープされた本体コンタクト表面領域40を含む。ソース領域28への電気的コンタクトがソースコンタクト電極42により形成され、一方、ドレイン領域34aにはドレインコンタクト電極44が設けられている。PMOSトランジスタ20aには、ドリフト領域32内に、p導電型ドレイン領域34aから、直接コンタクトが取られないが、ソース領域28近傍まで拡張される表面結合p導電型ドレイン拡張領域46が設けられている。さらには、p導電型のバッファ領域48がドリフト領域32内にが設けられ、ドレイン領域34aの下部においてドレイン拡張領域46から埋め込み絶縁層24へと拡張されている。
図2を参照すると、この発明の実例が概略的に示されている。当業者には認識されるように、従来技術のPMOSトランジスタ20aが図1に示された装置から横型絶縁ゲートバイポーラPMOS装置20bに変更されている。PMOSトランジスタ20aとの関わりで記載されたように、バイポーラPMOS装置20bは半導体材料で形成された基板層22を有し、その上に絶縁層24とSOI表面層26が積層されている。表面SOI層26は、p型ソース領域28と、n型本体領域30と、ドレインからソースへドーピングレベルがリニアな勾配の注入特性で増加するn型横方向ドリフト領域32と、ゲート電極36と、好ましくは酸化物の絶縁領域38とを含む。高濃度にドープされたn型本体コンタクト領域40が、本体領域30内に位置して、ソース領域28とコンタクトが取られ、ソース領域28はソースコンタクト電極42に接続されている。
しかし、この発明では、n導電型に注入されたドレイン領域34bを二次的な電気的経路のアンカー(anchor)として設けている。n型ドレイン領域34bを設けることにより横型絶縁ゲート表面指向(surface oriented)トランジスタと並列に動作可能な横型絶縁表面指向ゲートトランジスタが実現され、これにより、さらなる電流経路が形成され、そして、装置のオン抵抗が事実上小さくなる。この装置は、以前可能だったよりも大きな電流を流すことができる表面近傍に経路を有するシャローpPMOS素子と埋め込みシャローn/pバッファ/nドリフト/n本体経路とを提供する。
図3を参照すると、この発明のバイポーラPMOS装置と先行特許6,127,703に記載されているPMOS装置との導電性能を比較した図が与えられている。図に見られるように、先行技術PMOS装置の動作が、電圧が増加するに従い電流が徐々に増加する線Bで示されている。この発明のバイポーラPMOS装置の予測動作が線Aで示されている。二重の導電経路を有するので、この発明は、グラフから明らかなように、順方向電圧領域において、電流容量が従来技術より大凡3倍増加する。このシミュレーションによる動作では、ゲートとドレインがアースされソ−スはプル・アップされている。上記のように、電流が並列導電経路を流れる。
この発明が特定の実施形態について記載されたが、この発明の範囲と精神から外れることなく各種の変更及び変形が成されることが認識され、この発明は添付特許請求の範囲によりさらに明瞭且つ正確に規定される。
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記基板上に埋め込み絶縁層と、
前記埋め込み絶縁層上のSOI層内に横型PMOS装置とを備え、該装置はn導電型の本体領域内に形成されたp導電型のソース領域と、n導電型の横方向ドリフト領域と、前記本体領域近傍の、前記横方向ドリフト領域により前記本体領域から横方向に分離されている、p導電型のドレイン領域と、そして、前記本体領域近傍の前記横方向ドリフト領域の一部分の上部に延在する前記本体領域の一部分の上部にゲート電極とを有し、絶縁領域により前記本体領域から前記ゲート電極が絶縁され、前記横方向ドリフト領域のドーピングレベルが前記ドレイン領域から前記ソース領域へ向かう方向に増加するようなリニアな勾配の注入特性が前記横方向ドリフト領域の横方向範囲の主要部分に与えられ、
前記ソース領域と前記ドリフト領域と前記ドレイン領域とが、前記PMOS装置がオン状態の時にさらなる電流経路を与えるように動作するバイポーラトランジスタを形成して前記PMOS装置のオン抵抗を小さくすることを特徴とする横型薄膜絶縁ゲートバイポーラPMOS装置。 - 前記ドレイン領域はp反転バッファ領域内に形成されたシャローn型本体コンタクト表面領域を備えることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラPMOS装置。
- 前記n型本体領域は前記n型ドリフト領域の一部分から形成されていることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラPMOS装置。
- 前記本体領域内に形成され、前記ソース領域とコンタクトが取られているn型本体コンタクト表面領域をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラPMOS装置。
- 前記ドレイン領域は、さらに、前記PMOS装置がオン状態の時にバイポーラトランジスタのエミッタとして機能することを特徴とする請求項1に記載のバイポーラPMOS装置。
- 前記ソース領域は、さらに、前記PMOS装置がオン状態の時にバイポーラトランジスタのコレクタ領域として機能することを特徴とする請求項5に記載のバイポーラPMOS装置。
- ドレイン拡張領域が前記ドリフト領域内に設けられ、前記ドレイン領域から、直接コンタクトが取られないが、前記ソース領域近傍まで拡張されることを特徴とする請求項1に記載のバイポーラPMOS装置。
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