JP2006344926A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化亜鉛を含む半導体薄膜形成用膜15aおよび保護膜形成用膜16aを連続して成膜して前記保護膜形成用膜16aをエッチングして保護膜16を形成し、この後、前記保護膜16をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜15aをエッチングするので、保護膜16下の半導体薄膜形成用膜15aを保護膜16で保護することができ、加工精度を良くすることができる。
【選択図】 図6
Description
図1はこの発明の第1実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置の要部の透過平面図を示し、図2(A)は図1の一部の拡大透過平面図を示し、図2(B)は図2(A)のIIB −IIB 線に沿う断面図を示す。この液晶表示装置はガラス基板1を備えている。
図10(A)はこの発明の第2実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置の要部の透過平面図を示し、図10(B)は図10(A)のXB −XB 線に沿う断面図を示す。この液晶表示装置において、図2(A)、(B)に示す液晶表示装置と異なる点は、ソース電極11の上面のドレイン電極12側の所定の箇所およびその近傍のガラス基板1の上面に一方のオーミックコンタクト層13を設け、データライン3の一部を含むドレイン電極12の上面のソース電極11側の所定の箇所およびその近傍のガラス基板1の上面に他方のオーミックコンタクト層14を設けた点である。すなわち、ソース電極11およびドレイン電極12の各上面にはそれぞれオーミックコンタクト層13、14がその互いに対向する端面13a、14aをソース電極11およびドレイン電極12の互いに対向する端面11a、12aから突出されて設けられている。
図16(A)はこの発明の第3実施形態としての薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置の要部の透過平面図を示し、図16(B)は図16(A)のXVIB −XVIB 線に沿う断面図を示す。この液晶表示装置において、図2(A)、(B)に示す液晶表示装置と異なる点は、上層絶縁膜16を設けずに、絶縁膜17の上面の各所定の箇所にアルミニウム、クロムなどの遮光性金属からなるゲート電極18、該ゲート電極18に接続された走査ライン2および補助容量電極6を設けた点である。
半導体薄膜形成用膜15aおよびオーミックコンタクト層形成用層31の成膜は、プラズマCVD法に限らず、スパッタ法、蒸着法、キャスト法、メッキ法などであってもよい。また、オーミックコンタクト層13、14は、n型酸化亜鉛に限らず、p型酸化亜鉛であってもよく、また酸素欠損を生じさせて導電率を変化させた酸化亜鉛であってもよい。
2 走査ライン
3 データライン
4 画素電極
5 薄膜トランジスタ
6 補助容量電極
11 ソース電極
12 ドレイン電極
13、14 オーミックコンタクト層
15 半導体薄膜
16 保護膜
17 絶縁膜
18 ゲート電極
19 上層絶縁膜
20 オーバーコート膜
21 コンタクトホール
Claims (19)
- 酸化亜鉛を含む半導体薄膜形成用膜および保護膜形成用膜を連続して成膜する、前記保護膜形成用膜をエッチングして保護膜を形成する、前記保護膜をマスクとして前記半導体薄膜形成用膜をエッチングして平面形状が前記保護膜と実質的に同一な半導体薄膜を形成する、前記保護膜を覆うゲート絶縁膜を形成する、および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する、工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記保護膜形成用膜のエッチングは、反応性プラズマエッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項2に記載の発明において、反応性プラズマエッチングは、六フッ化イオウを含む反応ガスを用いて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体薄膜形成用膜のエッチングは、水酸化ナトリウム水溶液を含むエッチング液により行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、酸化亜鉛を含む半導体薄膜形成用膜および保護膜形成用膜を連続して成膜する前に、ソース電極およびドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項5に記載の発明において、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に酸化亜鉛を含む材料からなるオーミックコンタクト層形成用層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項6に記載の発明において、オーミックコンタクト層形成用層を形成する工程は、前記ソース電極および前記ドレイン電極上にオーミックコンタクト層形成用層を成膜し、アルカリ水溶液を含むエッチング液により行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項6に記載の発明において、平面形状が前記保護膜と実質的に同一な前記半導体薄膜を形成した後、前記保護膜をマスクとして前記オーミックコンタクト層形成用層をエッチングしてオーミックコンタクト層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項8に記載の発明において、前記オーミックコンタクト層形成用層のエッチングは、水酸化ナトリウム水溶液を含むエッチング液により行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記ゲート電極上に上層絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項10に記載の発明において、前記上層絶縁膜上に補助容量電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記補助容量電極は実質的に前記半導体薄膜の全体を覆うように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記補助容量電極上にオーバーコート膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項13に記載の発明において、オーバーコート膜上に前記ソース電極に電気的に接続された画素電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記画素電極の形成は、前記オーバーコート膜(、前記上層絶縁膜および前記ゲート絶縁膜を貫通して前記ソース電極の一部を露出するコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と電気的に絶縁された補助容量電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項16に記載の発明において、前記ゲート絶縁膜上および前記ゲート電極上にオーバーコート膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項17に記載の発明において、前記オーバーコート膜上に前記ソース電極に接続された画素電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項18に記載の発明において、前記画素電極を形成する工程は、前記ゲート電極および前記オーバーコート膜を貫通して前記ソース電極の一部を露出する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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