JP2006343113A - Semiconductor testing device, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kojima
隆史 小島
Original Assignee
Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device capable of suppressing the reduction in conductivity of a terminal and a probe needle even when an oxide film and a foreign substance exist on the surface of the terminal of a semiconductor device.
SOLUTION: The semiconductor testing device comprises the probe needle 20 for obliquely pressing the terminal for external connection of the semiconductor device, a hollow storage section 30 for storing the probe needle 20 appearably, a rotating mechanism for rotating the probe needle 20 pressed to the terminal, and a high friction section 22a disposed in a part of a side surface of the tip 22 of the probe needle 20. The rotating mechanism comprises a spiral projecting part 21 disposed on the side surface of the probe needle 20, a spiral groove 31a that is formed in the inside surface 31 of the storage section 30 and is engaged with the projecting part 21, and a spring member 23 that is attached at the back end of the probe needle 20 and energizes the probe needle 20 in the extruding direction from the storage section 30.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プローブ針を有する半導体試験装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor testing apparatus and a semiconductor device having a probe needle. 特に本発明は、半導体装置の端子の表面に酸化膜や異物が存在する場合でも、端子とプローブ針の導通性の低下を抑制できる半導体試験装置及び半導体装置の製造方法に関する。 In particular, the present invention, even when the oxide film or foreign matters on the surface of the terminal of the semiconductor device is present, a method for manufacturing a semiconductor testing apparatus and a semiconductor device capable of suppressing a decrease in conductivity between the terminal and the probe needles.

半導体装置の製造工程には、半導体装置の試験工程がある。 The manufacturing process of a semiconductor device, there is a test process of the semiconductor device. この試験工程は、半導体装置が有する複数の外部接続端子それぞれに、半導体試験装置のプローブ針を接続し、一部のプローブ針を介して試験信号を入力し、この試験信号に対する半導体装置の応答を、他のプローブ針を介して得るものである。 The testing process is, to a plurality of external connection terminals of the semiconductor device, and connect the probe needles of the semiconductor testing device receives the test signal through a portion of the probe needles, the response of the semiconductor device for this test signal , it is capable through the other probe needles.

図4は、従来のプローブ針の構造を説明する為の図である。 Figure 4 is a diagram for explaining the structure of a conventional probe. プローブ針120は、筒状の収容体130によって保持されている。 Probe 120 is held by a tubular housing member 130. 収容体130の内部にはコイルバネ(図示せず)が設けられており、このコイルバネによってプローブ針120は収容体130の外に向けて付勢されている。 Inside the housing body 130 is provided a coil spring (not shown), the probe needle 120 by the coil spring is biased toward the outside of the housing body 130.

試験対象である半導体装置には、Al合金パッド103が形成されている。 The semiconductor device to be tested, Al alloy pads 103 are formed. Al合金パッド103は外部接続端子の一例であり、層間絶縁膜101上に位置している。 Al alloy pad 103 is an example of the external connection terminals are located on the interlayer insulating film 101. 半導体装置はパッシベーション膜102によって被覆されているが、パッシベーション膜102には、Al合金パッド103上に位置する開口部102aが形成されている。 Although the semiconductor device is covered with a passivation film 102, the passivation film 102, the opening 102a located on Al alloy pads 103 are formed.

プローブ針120は、パッシベーション膜102の開口部102aを介してAl合金パッド103に接続する。 Probe 120 is connected to the Al alloy pad 103 through the opening 102a of the passivation film 102. この際、プローブ針120は収容体130の内部に設けられたコイルバネによって付勢され、Al合金パッド103に押圧される。 At this time, the probe needle 120 is biased by a coil spring provided inside the housing body 130, it is pressed against the Al alloy pad 103. これにより、プローブ針120とAl合金パッド103の接続不良の発生が抑制される。 Thus, occurrence of connection failure of the probe needle 120 and the Al alloy pad 103 is suppressed.
特開2004−279042号公報(図7) JP 2004-279042 JP (FIG. 7)

Al合金パッドやバンプ等、半導体装置の端子の表面には、酸化膜が形成されている場合や、異物が付着している場合がある。 Al alloy pad and bumps on the surface of the terminal of the semiconductor device, and if the oxide film is formed, there is a case where foreign matter is adhered. これらの場合、半導体装置の端子とプローブ針の導通は酸化膜や異物を介して行われるため、端子とプローブ針の導通性が低下し、半導体装置の試験結果の信頼性が低下する。 In these cases, since the conduction of the terminal and the probe needles of the semiconductor device is performed through the oxide film and foreign matter, reduces the conductivity of the terminals and the probe needles, the reliability of the test results of the semiconductor device is lowered.

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体装置の端子の表面に酸化膜や異物が存在する場合でも、端子とプローブ針の導通性の低下を抑制できる半導体試験装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the circumstances described above, and an object, even if the oxide film and foreign matter is present on the surface of the terminal of the semiconductor device, suppress a decrease in the conductivity of the terminals and probe It is to provide a method of manufacturing a semiconductor testing device and a semiconductor device capable.

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置試験装置は、半導体装置の外部接続用の端子に斜めに押圧するプローブ針と、 To solve the above problems, a semiconductor device testing apparatus according to the present invention, a probe needle for pressing obliquely terminals for external connection of the semiconductor device,
前記プローブ針を出没可能に収容する、中空のプローブ針収容部と、 To retractable accommodating said probe needle, a hollow probe needle housing part,
前記端子に押圧しながら前記プローブ針を回転させる回転機構と、 A rotating mechanism for rotating said probe while pressing the terminal,
前記プローブ針の先端部の側面の一部に設けられた高摩擦部とを具備する。 Comprising a high-friction portion provided in a part of the side surface of the tip portion of the probe needle.

この半導体試験装置によれば、パッドやバンプなど外部接続の端子の表面に位置する酸化膜及び異物は、プローブ針が回転する際に、プローブ針の先端部に設けられた高摩擦部によって除去される。 According to the semiconductor testing apparatus, the oxide film and foreign matter located on the surface of the terminal pad or bump an external connection, when the probe needle is rotated, is removed by the high-friction portion provided at the tip of the probe needle that. 従って、外部接続端子の表面に酸化膜や異物が存在する場合でも、外部接続端子とプローブ針の導通性の低下を抑制できる 高摩擦部は、例えばやすり状の凹凸部である。 Therefore, even when the oxide film or foreign matters on the surface of the external connection terminal is present, the high friction portion capable of suppressing a decrease in conductivity of the external connection terminals and the probe needle, for example, a rasp-like uneven portion.

本発明に係る他の半導体試験装置は、半導体装置の外部接続用の端子に斜めに押圧するプローブ針と、 Other semiconductor test apparatus according to the present invention, a probe needle for pressing obliquely terminals for external connection of the semiconductor device,
前記プローブ針を収容する、中空のプローブ針収容部と、 Accommodating said probe needle, a hollow probe needle housing part,
前記端子に押圧しながら前記プローブ針を回転させる回転機構と、 A rotating mechanism for rotating said probe while pressing the terminal,
を具備し、前記プローブ針の先端部は、断面に角部を有する形状である。 Comprising a tip portion of the probe needle is shaped to have corners in cross section.

この半導体試験装置によれば、パッドやバンプなど外部接続用の端子の表面に位置する酸化膜及び異物は、プローブ針が回転する際に、プローブ針の先端部に設けられた角部によって除去される。 According to the semiconductor testing apparatus, the oxide film and foreign matter located on the surface of the terminals for external connection such as a pad or bump, when the probe needle is rotated, is removed by the corner portion provided on the tip of the probe needle that. 従って、外部接続端子の表面に酸化膜や異物が存在する場合でも、外部接続端子とプローブ針の導通性の低下を抑制できる。 Therefore, even when the oxide film or foreign matters on the surface of the external connection terminal is present, it is possible to suppress the deterioration of the conductivity of the external connection terminals and the probe needles.

プローブ針の先端部が、円錐の側面を外側に膨らませた錐体を、斜めに切り落とした形状をしている場合、前記角部は、切り落とすことにより形成された面と、前記先端部の側面との境界部分である。 Tip of the probe needle, a cone which inflated the sides of the cone on the outside, if a shape obtained by cutting off obliquely, the angle portion has a surface formed by cutting off the side surface of the tip portion which is the boundary portion.

前記回転機構は、例えば前記プローブ針の側面に設けられた螺旋状の凸部と、前記プローブ針収容部の内側面に形成され、前記凸部が嵌る螺旋状の溝と、前記プローブ針の後端部に取り付けられ、前記プローブ針を前記プローブ針収容部から押し出す方向に付勢するバネ部材とを具備する。 The rotating mechanism includes, for example, the probe helical protrusion provided on a side surface of the needle, is formed on the inner surface of the probe needle housing part, and the spiral groove the protrusion is fitted, after the probe needles attached to the end portion comprises a spring member for biasing in a direction to push the probe needle from the probe needle housing portion.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置に外部接続用の端子を形成する工程と、 The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of forming a terminal for external connection to the semiconductor device,
前記端子にプローブ針を斜めに押圧し、該プローブ針から所定の信号を前記半導体装置に入力することにより、該半導体装置の試験を行う工程と、 Pressing the probe needles obliquely to the terminal, by inputting from the probe needles a predetermined signal to the semiconductor device, and performing a test of the semiconductor device,
を具備し、 Equipped with,
前記プローブ針は、先端部の側面の一部に高摩擦部が設けられており、 The probe needles are high-friction portion is provided in a part of the side surface of the tip portion,
前記半導体装置の試験を行う工程において、前記プローブ針は、先端部の側面が前記端子に押圧した状態で回転する。 In the step of performing a test of the semiconductor device, the probe needle is rotated in a state where the side surface of the tip is pressed against the terminal.

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体装置に外部接続用の端子を形成する工程と、 Another method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of forming a terminal for external connection to the semiconductor device,
前記端子にプローブ針を斜めに押圧し、該プローブ針から所定の信号を前記半導体装置に入力することにより、該半導体装置の試験を行う工程と、 Pressing the probe needles obliquely to the terminal, by inputting from the probe needles a predetermined signal to the semiconductor device, and performing a test of the semiconductor device,
を具備し、 Equipped with,
前記プローブ針の先端部は、断面に角部を有する形状であり、 Tip of the probe needle has a shape having corners in cross-section,
前記半導体装置の試験を行う工程において、前記プローブ針は、先端部の側面が前記端子に押圧した状態で回転する。 In the step of performing a test of the semiconductor device, the probe needle is rotated in a state where the side surface of the tip is pressed against the terminal.

これらの半導体装置の製造方法によれば、プローブ針の先端部と半導体装置の端子の導通性の低下が抑制される。 According to the manufacturing method of these semiconductor devices, reduction in the conductivity of the terminals of the probe needle tip and the semiconductor device can be suppressed. このため、プローブ針を介して半導体装置に入出力される信号の信頼性が向上する。 Therefore, the reliability of the signals input to and output from the semiconductor device via the probe needles is improved. 従って、半導体装置の試験結果の信頼性がする。 Thus, to the reliability of the test results of the semiconductor device.

発明を実施するための形態 DESCRIPTION OF THE INVENTION

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described. 図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体試験装置の構成を説明する為の図である。 Figure 1 is a diagram for explaining the configuration of a semiconductor test apparatus according to a first embodiment of the present invention. この半導体試験装置は半導体装置のプローブ試験を行う装置であり、プローブカード(図示せず)及びこのプローブカードに設けられた複数のプローブ端子10を有する。 The semiconductor test device is a device for performing a probe test of the semiconductor device, having a plurality of probe terminals 10 provided on the probe card (not shown) and the probe card. プローブ端子10は、半導体装置の外部接続端子に接続する。 Probe terminals 10 connected to the external connection terminals of the semiconductor device. なお、図1において半導体装置は断面図で示している。 The semiconductor device in FIG. 1 is shown in cross-section.

試験対象となる半導体装置には、外部接続端子であるAl合金パッド3が複数形成されている。 The semiconductor device to be tested, Al alloy pad 3 is formed with a plurality of external connection terminals. Al合金パッド3は層間絶縁膜1上に位置しており、半導体装置を被覆するパッシベーション膜2の開口部2aから外部に露出している。 Al alloy pad 3 is located on the interlayer insulating film 1 is exposed to the outside from the opening 2a of the passivation film 2 covering the semiconductor device. Al合金パッド3は、層間絶縁膜1上にAl合金膜をスパッタリング法により形成した後、このAl合金膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてAl合金膜をエッチングすることにより形成される。 Al alloy pad 3 is formed by after forming by sputtering an Al alloy film on the interlayer insulating film 1, a resist pattern is formed on the Al alloy film, etching the Al alloy film using the resist pattern as a mask It is.

半導体試験装置のプローブ端子10は、半導体装置のAl合金パッド3に接続するプローブ針20と、プローブ針20の収容体30を有する。 Probe terminals 10 of the semiconductor testing apparatus, the probe needles 20 connected to the Al alloy pad 3 of the semiconductor device, having a housing body 30 of the probe needle 20. 収容体30は筒状であり、内部に中空部を有する。 Container 30 is cylindrical, having a hollow portion therein. プローブ針20はAl合金パッド3に斜めに押圧するが、このときにプローブ針20は、回転しながら収容体30の内部に押し込まれる。 The probe 20 is pressed obliquely Al alloy pad 3, but the probe needle 20 in this case is pushed inside the container 30 while rotating.

図2は、プローブ端子10の構造を説明する為の図である。 Figure 2 is a diagram for explaining the structure of the probe pin 10. 本図において、収容体30は断面図となっている。 In this figure, container 30 has a cross-sectional view. 収容体30の内側面31には、らせん状の溝31aが設けられており、プローブ針20の後端部には、らせん状の凸部21が設けられている。 The inner surface 31 of the housing body 30, helical groove 31a is provided at the rear end of the probe needle 20, spiral-shaped convex portion 21 is provided. 溝31aと凸部21は螺合する。 Groove 31a and the convex portion 21 is screwed.

収容体30の内部にはコイルバネ32が配置されている。 A coil spring 32 is disposed in the interior of the housing body 30. コイルバネ32は、一端が収容体30の内端面33に固定されており、他端がプローブ針20の後端面23に固定されている。 The coil spring 32 has one end fixed to the inner end surface 33 of the housing body 30, the other end is fixed to the rear end surface 23 of the probe needle 20. コイルバネ32は、プローブ針20を収容体30の外側に押し出す方向に付勢している。 The coil spring 32 is biased in a direction to push the probe needle 20 to the outside of the container 30.

プローブ針20の先端部22は、先に行くにつれて細く、かつ側面が外側にむけて凸な曲面となっている。 Tip 22 of the probe needle 20 is thin as go ahead, and side surfaces has a convex curved surface toward the outside. 先端部22の側面には、やすり状の凹凸部である高摩擦部22aが設けられている。 The side surface of the distal end portion 22, the high friction portion 22a is provided a rasp-like uneven portion. 高摩擦部22aは先端部22の側面の半周分のみに設けられている。 High friction portion 22a is provided only on half round side of the tip section 22. プローブ針20の先端部22がAl合金パッド3に接触していない状態において、高摩擦部22aは下側を向いている。 In a state in which the distal end portion 22 of the probe needle 20 is not in contact with the Al alloy pad 3, the high friction portion 22a faces downward.

次に、半導体試験装置の動作について説明する。 Next, the operation of the semiconductor testing device. まず、プローブ針20の先端部22の側面に設けられた高摩擦部22aがAl合金パッド3に押圧する。 First, the high friction portion 22a provided on the side surface of the distal end portion 22 of the probe needle 20 is pressed against the Al alloy pad 3. この押圧力によってプローブ針20の後部は収容体30の内部に押し込まれる。 The rear portion of the probe needle 20 by the pressing force is pushed into the interior of the container 30. 上記したように、プローブ針20の凸部21は収容体の内側面31に設けられた溝31aに螺合している。 As described above, the convex portion 21 of the probe needle 20 is screwed into a groove 31a provided on the inner surface 31 of the housing body. このため、プローブ針20は、収容体30の内部に押し込まれる際に回転する。 Therefore, the probe needle 20 is rotated as it is pushed into the container 30.

また、プローブ針20の先端部22は、Al合金パッド3に対して斜めになっているため、押圧の際にAl合金パッド3上をスライドする。 The tip portion 22 of the probe needle 20 has extremely oblique to Al alloy pad 3, slides on the Al alloy pad 3 at the time of depressing. さらに、プローブ針20はコイルバネ32によって収容体30の外側に向けて付勢されているため、プローブ針20の先端部22は、所定の圧力でAl合金パッド3に押圧しつづける。 Further, the probe needle 20 because it is biased toward the outside of the housing body 30 by the coil spring 32, the tip 22 of the probe needle 20 continues to press the Al alloy pad 3 at a predetermined pressure.

このため、Al合金パッド3の表面に存在する酸化膜は、高摩擦部22aによって削り取られる。 Thus, oxide film on the surface of the Al alloy pad 3 is scraped off by the high-friction portion 22a. また、Al合金パッド3に付着している異物は、高摩擦部22aによって除去される。 Also, foreign matter adhering to the Al alloy pad 3 is removed by the high-friction portion 22a. 従って、プローブ針20の先端部22とAl合金パッド3の導通性の低下が抑制される。 Therefore, reduction in the conductivity of the tip 22 and the Al alloy pad 3 of the probe needle 20 is suppressed.

その後、半導体試験装置は、一部のプローブ針20を介してAl合金パッド3に所定の試験信号を入力し、この試験信号に対する応答信号を、他のプローブ針20を介して半導体装置から受信する。 Thereafter, the semiconductor test apparatus inputs a predetermined test signal to the Al alloy pad 3 through a portion of the probe needle 20, receives a response signal to the test signal, the semiconductor device via the other probe needles 20 . そして、受信した応答信号を解析することにより半導体装置の良否を判定する。 It is determined the quality of the semiconductor device by analyzing the response signal received. 上記したように、プローブ針20の先端部22とAl合金パッド3の導通性の低下が抑制されている。 As described above, reduction in the conductivity of the tip 22 and the Al alloy pad 3 of the probe needle 20 is suppressed. このため、受信した応答信号の信頼性が向上し、半導体装置の試験結果の信頼性がする。 This improves the reliability of the received response signal, to the reliability of the test results of the semiconductor device.

以上、本実施形態によれば、プローブ針20の先端部22に設けられた高摩擦部22aが、Al合金パッド3の表面に存在する酸化膜及び異物を除去する。 As described above, according to the present embodiment, the high friction portion 22a provided at the distal end 22 of the probe needle 20, to remove the oxide film and foreign matter existing on the surface of the Al alloy pad 3. 従って、プローブ針20の先端部22とAl合金パッド3の導通性の低下が抑制される。 Therefore, reduction in the conductivity of the tip 22 and the Al alloy pad 3 of the probe needle 20 is suppressed.

なお、プローブ針20とAl合金パッド3を導通させるときのプローブ針20の押し込み量は、押し込みが終了した時点で高摩擦部22aが上を向くようにするのが好ましい。 Note that push amount of the probe needle 20 at which to conduct the probe needle 20 and the Al alloy pad 3, the high friction portion 22a is preferably facing up when the pushing is completed. このようにすると、先端部22のうち高摩擦部22aが設けられていない部分がAl合金パッド3と接触するため、高摩擦部22aを設けたことによって先端部22とAl合金パッド3の導通性の低下することを抑制できる。 In this way, since the high friction portion 22a is not provided portion of the tip 22 is in contact with the Al alloy pad 3, the conduction of the tip 22 and the Al alloy pad 3 by providing the high-friction portion 22a possible to suppress the lowering of.

図3(A)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体試験装置のプローブ端子10の構造を説明する為の平面図である。 3 (A) is a plan view for explaining the structure of the probe terminals 10 of the semiconductor test apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図3(B)、(C)は、それぞれ図3(A)のA−A断面図、B−B断面を拡大した図である。 Figure 3 (B), (C) is an A-A cross-sectional view, an enlarged cross section B-B Figure, respectively, of FIG 3 (A). 本実施形態に係る半導体試験装置は、プローブ針20の先端部22の形状を除いて第1の実施形態に係る半導体試験装置と同一の構造である。 The semiconductor test apparatus according to the present embodiment is the same structure as the semiconductor test apparatus according to the first embodiment except for the shape of the tip 22 of the probe needle 20. また、半導体試験装置の動作は第1の実施形態と同一である。 The operation of the semiconductor testing device is the same as the first embodiment. 以下、プローブ針20の先端部22の形状を除いて説明を省略する。 Hereinafter, the description thereof is omitted except for the shape of the tip 22 of the probe needle 20.

本実施形態において、プローブ針20の先端部22は、円錐の側面を外側に膨らませた錐体の上部を、斜めに切り落とした形状をしている。 In this embodiment, the tip 22 of the probe needle 20, the upper side of the cone inflated outside the cone has a shape obtained by cutting off obliquely. 切断によって形成された面22bはスプーンの上面のように内側に向けて窪んでいる。 Surface 22b formed by the cutting is recessed inwardly as the top surface of the spoon. また、面22bと先端部22の側面の境界部分には、角部22cが形成されている。 Further, in the boundary portion of the side surface 22b and the tip portion 22, the corner portions 22c are formed.

本実施形態において、プローブ針20の先端部22の側面がAl合金パッド3(図1に図示)に押圧し、回転しながらスライドすると、角部22cが、Al合金パッド3の表面に形成された酸化膜を削り取る。 In this embodiment, the side surface of the tip 22 of the probe needle 20 is pressed against the Al alloy pad 3 (shown in Figure 1), the slide while rotating, corner 22c is formed on the surface of the Al alloy pad 3 scrape off the oxide film. また、Al合金パッド3の表面に存在する異物も除去する。 Also, foreign matter present on the surface of the Al alloy pad 3 is also removed.

従って、本実施形態によっても第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。 Therefore, it is possible by this embodiment to obtain the same effect as in the first embodiment. なお、プローブ針20とAl合金パッド3を導通させるときのプローブ針20の押し込み量を調節し、押し込みが終了した時点で、先端部22の面22bが上面を向くようにするのが好ましい。 Incidentally, by adjusting the pushing amount of the probe needle 20 at which to conduct the probe needle 20 and the Al alloy pad 3, when the push is complete, the surface 22b of the tip portion 22 is preferably set to face the top surface. このようにすると、先端部22のうち面22b以外の部分がAl合金パッド3と接触するため、面22bを設けたことに起因して導通性が低下することを抑制できる。 In this way, since the portion other than the out surface 22b of the tip 22 is in contact with the Al alloy pad 3, conductivity due to the provision of the surface 22b can be prevented from lowering.

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and can be implemented in various modifications without departing from the gist of the present invention. 例えば半導体装置の外部接続端子はバンプであってもよい。 For example the external connection terminals of the semiconductor device may be a bump. また、凸部21及び溝31aそれぞれの代わりに、雄ネジおよび雌ネジを設けてもよい。 Also, instead of each protrusion 21 and the groove 31a, it may be provided a male screw and a female screw. さらに、第1の実施形態に係る高摩擦部22a、及び第2の実施形態に係る鋭角部は、上記した構成に限定されるものではない。 Furthermore, the high friction portion 22a according to the first embodiment, and sharp edges according to the second embodiment is not limited to the configuration described above.

本発明の第1の実施形態に係る半導体試験装置の構成を説明する為の図。 Diagram for explaining the configuration of a semiconductor test apparatus according to a first embodiment of the present invention. プローブ端子10の構造を説明する為の図 Diagram for explaining the structure of the probe pin 10 本発明の第2の実施形態に係る半導体試験装置のプローブ端子10の構造を説明する為の平面図、(B)は(A)のA−A断面図、(C)は(A)のB−B断面図。 Plan view illustrating the structure of the probe terminals 10 of the semiconductor test apparatus according to a second embodiment of the present invention, (B) is A-A sectional view of (A), B of (C) is (A) -B a cross-sectional view. 従来のプローブ針の構造を説明する為の図。 Diagram for explaining the structure of a conventional probe.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,101…層間絶縁膜、2,102…パッシベーション膜、2a,102a…開口部、3,103…Al合金パッド、10…プローブ端子、20,120…プローブ針、21…凸部、22…先端部、22a…高摩擦部、22b…面、22c…角部、23…後端面、30,130…収容体、31…内側面、31a…溝、32…コイルバネ、33…内端面 1,101 ... interlayer insulation film, 2,102 ... passivation film, 2a, 102a ... opening, 3, 103 ... Al alloy pad, 10 ... probe terminals, 20, 120 ... probe, 21 ... protrusion, 22 ... tip parts, 22a ... high-friction portion, 22b ... surface, 22c ... corners, 23 ... rear end surface, 30,130 ... container, 31 ... inner surface, 31a ... groove, 32 ... coil spring, 33 ... inner end surface

Claims (7)

  1. 半導体装置の外部接続用の端子に斜めに押圧するプローブ針と、 A probe needle for pressing obliquely terminals for external connection of the semiconductor device,
    前記プローブ針を出没可能に収容する、中空のプローブ針収容部と、 To retractable accommodating said probe needle, a hollow probe needle housing part,
    前記端子に押圧しながら前記プローブ針を回転させる回転機構と、 A rotating mechanism for rotating said probe while pressing the terminal,
    前記プローブ針の先端部の側面の一部に設けられた高摩擦部と、 The high friction portion provided in a part of the side surface of the tip of the probe needle,
    を具備する半導体試験装置。 The semiconductor testing device including a.
  2. 前記高摩擦部は、やすり状の凹凸部である請求項1に記載の半導体試験装置。 The high friction portion, the semiconductor test apparatus according to claim 1 which is rasp-like uneven portion.
  3. 半導体装置の外部接続用の端子に斜めに押圧するプローブ針と、 A probe needle for pressing obliquely terminals for external connection of the semiconductor device,
    前記プローブ針を収容する、中空のプローブ針収容部と、 Accommodating said probe needle, a hollow probe needle housing part,
    前記端子に押圧しながら前記プローブ針を回転させる回転機構と、 A rotating mechanism for rotating said probe while pressing the terminal,
    を具備し、前記プローブ針の先端部は、断面に角部を有する形状である半導体試験装置。 Comprising a tip portion of the probe needles, the semiconductor testing device is a shape having corners in cross-section.
  4. 前記プローブ針の先端部は、円錐の側面を外側に膨らませた錐体を、斜めに切り落とした形状をしており、 The tip of the probe needle, a cone which inflated the sides of the cone on the outside, has a shape obtained by cutting off obliquely,
    前記角部は、切り落とすことにより形成された面と、前記先端部の側面との境界部分である請求項3に記載の半導体試験装置。 The angle section, the semiconductor test apparatus according to claim 3 which is a boundary portion of a surface formed by cutting off a side face of the tip.
  5. 前記回転機構は、 The rotating mechanism,
    前記プローブ針の側面に設けられた螺旋状の凸部と、 A spiral protrusion provided on a side surface of the probe needles,
    前記プローブ針収容部の内側面に形成され、前記凸部が嵌る螺旋状の溝と、 Said formed on the inner surface of the probe needle housing part, a spiral groove in which the protrusion is fitted,
    前記プローブ針の後端部に取り付けられ、前記プローブ針を前記プローブ針収容部から押し出す方向に付勢するバネ部材と、 Attached to a rear end portion of the probe needle, and a spring member for biasing in a direction to push the probe needle from the probe needle housing part,
    を具備する請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体試験装置。 Including a semiconductor test apparatus according to any one of claims 1-4.
  6. 半導体装置に外部接続用の端子を形成する工程と、 Forming a terminal for external connection to the semiconductor device,
    前記端子にプローブ針を斜めに押圧し、該プローブ針から所定の信号を前記半導体装置に入力することにより、該半導体装置の試験を行う工程と、 Pressing the probe needles obliquely to the terminal, by inputting from the probe needles a predetermined signal to the semiconductor device, and performing a test of the semiconductor device,
    を具備し、 Equipped with,
    前記プローブ針は、先端部の側面の一部に高摩擦部が設けられており、 The probe needles are high-friction portion is provided in a part of the side surface of the tip portion,
    前記半導体装置の試験を行う工程において、前記プローブ針は、先端部の側面が前記端子に押圧した状態で回転する、半導体装置の製造方法。 Wherein in the step of testing the semiconductor device, the probe needle is rotated in a state where the side surface of the tip is pressed against the terminal, a method of manufacturing a semiconductor device.
  7. 半導体装置に外部接続用の端子を形成する工程と、 Forming a terminal for external connection to the semiconductor device,
    前記端子にプローブ針を斜めに押圧し、該プローブ針から所定の信号を前記半導体装置に入力することにより、該半導体装置の試験を行う工程と、 Pressing the probe needles obliquely to the terminal, by inputting from the probe needles a predetermined signal to the semiconductor device, and performing a test of the semiconductor device,
    を具備し、 Equipped with,
    前記プローブ針の先端部は、断面に角部を有する形状であり、 Tip of the probe needle has a shape having corners in cross-section,
    前記半導体装置の試験を行う工程において、前記プローブ針は、先端部の側面が前記端子に押圧した状態で回転する、半導体装置の製造方法。 Wherein in the step of testing the semiconductor device, the probe needle is rotated in a state where the side surface of the tip is pressed against the terminal, a method of manufacturing a semiconductor device.
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