JP2006339212A - 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 - Google Patents
半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006339212A JP2006339212A JP2005158833A JP2005158833A JP2006339212A JP 2006339212 A JP2006339212 A JP 2006339212A JP 2005158833 A JP2005158833 A JP 2005158833A JP 2005158833 A JP2005158833 A JP 2005158833A JP 2006339212 A JP2006339212 A JP 2006339212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- solder
- escape groove
- support member
- heat dissipation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】 ヒートシンク10の素子配設領域11に、拡幅部12Aを有する半田逃げ溝12を設ける。半田逃げ溝12の断面を、ヒートシンク10の表面の入口12Bを上底とする台形状とし、溝全体を拡張部12Aとする。余剰半田を入口12B付近にあふれさせずに拡幅部12Aに収容し、余剰半田の発生量に柔軟に対応する。拡幅部12Aの最大幅WAは100μm以上2mm以下、入口12Bの幅WBは10μm以上300μm以下であることが好ましい。拡幅部12Aは台形状のほか、涙のしずく形、枝分かれした形などでもよく、深さ方向の途中までは、ほぼ一定幅の首状部としてもよい。半田逃げ溝12は、ヒートシンク10の上面にそって断面積が変化するような形態としてもよい。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置の断面構成を、図2はこの半導体レーザを分解した状態をそれぞれ表すものである。この半導体レーザ装置は、例えば、レーザプロジェクタの光源として用いられるものであり、放熱部材としてのヒートシンク10に、半田よりなる接着層20を間にして半導体レーザ素子30が接合された構成を有している。
図4は、半田逃げ溝12の断面形状があたかも涙のしずく形をなすようにしたものである。
図11は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を表したものである。この半導体レーザ装置は、ヒートシンク110上にサブマウント140を間にして半導体レーザ素子30を配設したものであり、ここではサブマウント140に第1の実施の形態の半田逃げ溝12と同じ形状の半田逃げ溝142が設けられている。なお、第1の実施の形態に対応する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
Claims (10)
- 表面に素子配設領域を有する放熱部材と、前記素子配設領域に半田よりなる接着層により接合された半導体レーザ素子とを備えた半導体レーザ装置であって、
前記放熱部材は、少なくとも一部が前記素子配設領域内に含まれる位置に半田逃げ溝を有し、前記半田逃げ溝は、前記放熱部材の厚さ方向の、または前記放熱部材の表面に沿い、かつ前記素子配設領域から離れる方向の少なくとも一部に拡張部を有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記半田逃げ溝は、その幅が前記放熱部材の表面から深くなるにつれて次第に広くなる形状を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記半田逃げ溝は深さ方向の途中に複数の分岐部を有し、前記複数の分岐部の合計幅が入口での幅よりも広い
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記半田逃げ溝の入口の幅は、10μm以上300μm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記拡張部の最大幅は、100μm以上2mm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子は、前記半田逃げ溝の真上を回避した位置に、少なくとも一つの発光点を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 表面に素子配設領域を有する支持部材と、前記素子配設領域に半田よりなる接着層により接合された半導体レーザ素子と、前記支持部材の裏面に配設された放熱部材とを備えた半導体レーザ装置であって、
前記支持部材は、少なくとも一部が前記素子配設領域内に含まれる位置に半田逃げ溝を有し、前記半田逃げ溝は、前記支持部材の厚さ方向の、または前記支持部材の表面に沿い、かつ前記素子配設領域から離れる方向の少なくとも一部に拡張部を有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記放熱部材は、少なくとも一部が前記支持部材との接触領域内に含まれる位置に半田逃げ溝を有し、前記半田逃げ溝は、前記放熱部材の厚さ方向の、または前記放熱部材の表面に沿い、かつ前記接触領域から離れる方向の少なくとも一方に拡張部を有する
ことを特徴とする請求項7記載の半導体レーザ装置。 - 半田よりなる接着層を間にして半導体レーザ素子に接合される放熱部材であって、
前記放熱部材は、少なくとも一部が素子配設領域内に含まれる位置に半田逃げ溝を有し、前記半田逃げ溝は、前記放熱部材の厚さ方向の、または前記放熱部材の表面に沿い、かつ前記素子配設領域から離れる方向の少なくとも一部に拡張部を有する
ことを特徴とする放熱部材。 - 半田よりなる接着層を間にして半導体レーザ素子に接合される支持部材であって、
前記支持部材は、少なくとも一部が素子配設領域内に含まれる位置に半田逃げ溝を有し、前記半田逃げ溝は、前記支持部材の厚さ方向の、または前記支持部材の表面に沿い、かつ前記素子配設領域から離れる方向の少なくとも一部に拡張部を有する
ことを特徴とする支持部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005158833A JP4765408B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005158833A JP4765408B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339212A true JP2006339212A (ja) | 2006-12-14 |
JP4765408B2 JP4765408B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=37559549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005158833A Expired - Fee Related JP4765408B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4765408B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103427330A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-12-04 | 丹阳聚辰光电科技有限公司 | 降低应力的激光器芯片结构和热沉结构及其制备方法 |
WO2014180874A1 (en) * | 2013-05-08 | 2014-11-13 | Koninklijke Philips N.V. | Mounting layer for cooling structure |
WO2016158068A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2019087656A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
JP2019140144A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ、発光装置 |
WO2021100484A1 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光半導体装置 |
JP7544310B1 (ja) | 2024-02-27 | 2024-09-03 | 三菱電機株式会社 | 面発光レーザモジュール及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10200153A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 受/発信光モジュール |
JP2001298237A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子搭載用キャリア、半導体光素子モジュール、およびその製造方法 |
WO2004077630A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-09-10 | Sony Corporation | 半導体レーザアセンブリ |
-
2005
- 2005-05-31 JP JP2005158833A patent/JP4765408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10200153A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 受/発信光モジュール |
JP2001298237A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子搭載用キャリア、半導体光素子モジュール、およびその製造方法 |
WO2004077630A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-09-10 | Sony Corporation | 半導体レーザアセンブリ |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014180874A1 (en) * | 2013-05-08 | 2014-11-13 | Koninklijke Philips N.V. | Mounting layer for cooling structure |
CN105191027A (zh) * | 2013-05-08 | 2015-12-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于冷却结构的安装层 |
US9515453B2 (en) | 2013-05-08 | 2016-12-06 | Koninklijke Philips N.V. | Mounting layer for cooling structure |
CN103427330A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-12-04 | 丹阳聚辰光电科技有限公司 | 降低应力的激光器芯片结构和热沉结构及其制备方法 |
WO2016158068A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2019087656A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
JP2019140144A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ、発光装置 |
WO2021100484A1 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光半導体装置 |
JP7544310B1 (ja) | 2024-02-27 | 2024-09-03 | 三菱電機株式会社 | 面発光レーザモジュール及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4765408B2 (ja) | 2011-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8625646B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100568269B1 (ko) | 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
JP5676396B2 (ja) | 高光抽出led用の基板除去方法 | |
JP4290745B2 (ja) | Iii−v族半導体素子の製造方法 | |
EP2922156B1 (en) | Semiconductor laser light source | |
JP2006344743A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2002261376A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR101960128B1 (ko) | 레이저 다이오드 디바이스 | |
JP4765408B2 (ja) | 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材 | |
JP5962522B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2010278364A (ja) | 半導体装置 | |
JP4811629B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2007027572A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US9008138B2 (en) | Laser diode device | |
US7723730B2 (en) | Carrier layer for a semiconductor layer sequence and method for producing semiconductor chips | |
JP2007165725A (ja) | 半導体発光ダイオード | |
JP2010050362A (ja) | マルチビーム半導体レーザ | |
JP2007096090A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP5361569B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20070039195A (ko) | 열적 안정성이 개선된 반도체 소자 및 이의 제조방법 | |
JP2005101149A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP4216011B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子チップとそれを含むレーザ装置 | |
JP2007251142A (ja) | 半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板並びにその製造方法 | |
JP2006339511A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法および接合方法、並びに半導体レーザ装置 | |
JP2008091768A (ja) | 半導体レーザ装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080430 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110128 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110530 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |