JP2006311330A - 弾性表面波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 トランスバーサル型弾性表面波フィルタの保証減衰量を改善する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に第１及び第２のＩＤＴ電極と遮蔽用電極とを配置して形成したトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、段差部に入出力用端子電極と接地用端子電極とを備えたパッケージとからなり、前記第１及び第２のＩＤＴ電極のバスバーと前記入出力用端子電極とをそれぞれボンディングワイヤにて接続し、遮蔽用電極のボンディングパッドａ、ｂと前記２つの接地用端子電極とをそれぞれボンディングワイヤにて接続して構成したトランスバーサル型弾性表面波フィルタにおいて、前記遮蔽用電極のボンディングパッドｂと第２のＩＤＴ電極の接地側のバスバーとをボンディングワイヤにて接続して構成した弾性表面波デバイス。
【選択図】 図１

Description

本発明は、弾性表面波デバイスに関し、特に保証減衰量を改善したトランスバーサル型弾性表面波フィルタに関する。

近年、弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）は通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話、ＬＡＮ等に多く用いられている。中でもトランスバーサル型ＳＡＷフィルタは群遅延時間特性が良好であるので、デジタル通信用のフィルタとして適している。
図９（ａ）は従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子Ｓの基本的な構成を示す平面図であって、圧電基板２０の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極２１、２２を所定の間隔を隔して配置すると共に該ＩＤＴ電極２１、２２の間に電極２３を配設する。ＩＤＴ電極２１、２２はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により形成されている。

図９（ｂ）は、図９（ａ）に示したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子Ｓをパッケージ２４の内底部に実装した場合の平面図であり、入力ＩＤＴ電極を図中左側に出力ＩＤＴ電極を右側に配置してある。パッケージ２４は、図９（ｂ）の平面図に示すように、外寄りの段差部（図中では上下）に外底部の接続用端子電極（図示せず）と導通した入力端子電極２５ａ、２５ｂ及び出力端子電極２６ａ、２６ｂと、接地用端子電極２７ａ、２７ｂとが形成されており、入出力の端子電極のうち対角をなす２５ａ、２６ｂをそれぞれ接地側とする。ここで、符号は図中上辺側にａ、下辺側にｂを付している。このパッケージ２４の内底部に、接着剤（図示せず）を用いて圧電基板２０の裏面を接着固定する。そして、入力ＩＤＴ電極２１のバスバー２１ａ、２１ｂと入力側端子電極２５ａ、２５ｂとをボンディングワイヤ２８ａ、２８ｂにてそれぞれ接続すると共に、出力ＩＤＴ電極２２のバスバー２２ａ、２２ｂと出力側端子電極２６ａ、２６ｂとをボンディングワイヤ２９ａ、２９ｂにてそれぞれ接続する。さらに、電極２３のボンディングパッド２３ａ、２３ｂはそれぞれ接地端子電極２７ａ、２７ｂにボンディングワイヤ３０ａ、３０ｂにて接続する。パッケージ２４の上部周縁部に形成されたメタライズ部３１に金属蓋を抵抗溶接して、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタが構成される。なお、電極２３（ベタ電極）の作用は入出力端子間の直達波の遮蔽用として機能している。

図９（ｃ）は、同図（ｂ）に基づき、圧電基板をＸカット１１２°Ｙ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、中心周波数を３１０ＭＨｚ、帯域幅を９ＭＨｚ、入力電極対数を６４対、出力電極対数を１５２対、電極膜厚を２．７％λ（λは波長）として、構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。低域側の保証減衰量は４４ｄＢから５０ｄＢ程度、高域側の保証減衰量は４０ｄＢを若干下回る特性となる。
特開平９−１８６５５１号公報 特開平９−２７０６６０号公報

解決しようとする問題点は、図９（ｃ）に示した低域側及び高域側の保証減衰量をそれぞれ６ｄＢから１０ｄＢ程度改善することである。特開平９−１８６５５１号公報には、入出力間の電磁結合を減少させるべく、ＩＤＴ電極間に配置したシールド電極の両端とボンディングパッドとを、それぞれ２本のボンディングワイヤで接続して構成したＳＡＷデバイスの例が開示されている。また、特開平９−２７０６６０号公報には、３個のＩＤＴ電極を近接配置したＳＡＷデバイスの中央に配置したＩＤＴ電極の一方の櫛形電極から、２本のボンディングワイヤを三角形状にグランド電位に接続し、他方の櫛形電極からのボンディングワイヤを前記三角形状の領域内に配設したボンディングパッドに接続してＳＡＷデバイスを構成した例が開示されている。しかしながら、いずれの方法を試みてみても、図９（ｃ）の保証減衰量から６ｄＢから１０ｄＢ程度の改善を達成することができなかった。

本発明の弾性表面波デバイスは、フィルタの保証減衰量を改善するため、請求項１の発明は、矩形の圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極と遮蔽用電極と第２のＩＤＴ電極とを順次配列した構造のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、該トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を収容するための凹所を有するパッケージと、を備えた弾性表面波デバイスに於いて、
前記圧電基板の表面波伝搬方向と平行な一辺を上辺、対向する一辺を下辺とするとき、パッケージの凹所内底部にトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を接着固定した際に、上辺側及び下辺側のパッケージ凹所内に第１のＩＤＴ電極側から第２のＩＤＴ電極に向かって入力用、接地用及び出力用の順になるよう端子電極がそれぞれ配置されており、前記第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第１のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと上辺側の接地用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の接地用電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、 更に、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーとをボンディングワイヤにて接続して弾性表面波デバイスを構成したことを特徴とする。
項２の発明は、前記遮蔽用電極のパッドと接地用端子電極との接続を、上辺側及び下辺側共に省略したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスである。
項３の発明は、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の出力用端子電極とをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスである。
項４の発明は、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーとをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスである。
項５の発明は、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーとの接続をボンディングワイヤに代えて金属膜又は導電性接着剤にて接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスである。
項６の発明は、矩形の圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極と遮蔽用電極と第２のＩＤＴ電極とを順次配列した構造のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、該トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を収容するための凹所を有するパッケージと、を備えた弾性表面波デバイスに於いて、 前記圧電基板の表面波伝搬方向と平行な一辺を上辺、対向する一辺を下辺とするとき、パッケージの凹所内底部にトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を接着固定した際に、上辺側及び下辺側のパッケージ凹所内に第１のＩＤＴ電極側から第２のＩＤＴ電極に向かって入力用、接地用及び出力用の順になるよう端子電極がそれぞれ配置されており、前記第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第１のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと上辺側の接地用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の接地用電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、更に、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の出力用端子電極とをボンディングワイヤにて接続して弾性表面波デバイスを構成したことを特徴とする。
項７の発明は、矩形の圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極と遮蔽用電極と第２のＩＤＴ電極とを順次配列した構造のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、該トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を収容するための凹所を有するパッケージと、を備えた弾性表面波デバイスに於いて、 前記圧電基板の表面波伝搬方向と平行な一辺を上辺、対向する一辺を下辺とするとき、パッケージの凹所内底部にトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を接着固定した際に、上辺側及び下辺側のパッケージ凹所内に第１のＩＤＴ電極側から第２のＩＤＴ電極に向かって入力用、接地用及び出力用の順になるよう端子電極がそれぞれ配置されており、前記第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第１のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと上辺側の接地用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の接地用電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、更に、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーとをボンディングワイヤにて接続して弾性表面波デバイスを構成したことを特徴とする。
項８の発明は、対角をなす上辺側の入力用端子電極と下辺側の出力用端子電極とを接地したことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の弾性表面波デバイスである。

本発明のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタは、接地用のボンディングワイヤのボンディング位置を保証減衰量を改善するように適切に設定したので、従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタより１０ｄＢ程度改善できるという利点がある。

図１は本発明に係るＳＡＷデバイスの実施の形態を示す模式図であって、同図（ａ）はトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子Ｓの基本的な構成を示す平面図、同図（ｂ）はトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子Ｓをパッケージの内底部に実装した場合の平面図で、同図（ｃ）はそのフィルタ特性を示す図である。図１（ｂ）では入力ＩＤＴ電極を図中左側に、出力ＩＤＴ電極を右側に配置している。トランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子Ｓの基本的な構成は、圧電基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極２、３を所定の間隔を隔して配置すると共に該ＩＤＴ電極２、３の間に電極４を配設する。ＩＤＴ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により形成されている。

パッケージ５は、図１（ｂ）の平面図に示すように、外寄りの段差部（図中では上下）に外底部の接続用端子電極（図示せず）と導通した入力端子電極６ａ、６ｂ及び出力端子電極７ａ、７ｂと、接地用端子電極８ａ、８ｂとが形成されており、入出力端子電極のうち対角をなす６ａ、７ｂを接地側とする。ここで、図中上辺側に符号ａ、下辺側に符号ｂを付す。本発明に係るＳＡＷデバイスは、パッケージ５の内底部に接着剤（図示せず）を用いて圧電基板１の裏面を接着固定する。そして、入力ＩＤＴ電極２のバスバー２ａ、２ｂと入力側端子電極６ａ、６ｂとをそれぞれボンディングワイヤ９ａ、９ｂにて接続すると共に、出力ＩＤＴ電極３のバスバー３ａ、３ｂと出力側端子電極７ａ、７ｂとをそれぞれボンディングワイヤ１０ａ、１０ｂにて接続する。さらに、電極４の両端のボンディングパット４ａ、４ｂと接地端子電極８ａ、８ｂとをそれぞれボンディングワイヤ１１ａ、１１ｂにて接続する。そして、ＩＤＴ電極３の接地側バスバー３ｂと電極４のボンディングパッド４ｂとをボンディングワイヤ１２にて接続し、パッケージ５の上部周縁部に形成されたメタライズ部１３に金属蓋（図示せず）を抵抗溶接して、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。なお、電極４（ベタ電極）の作用は入出力端子間の直達波の遮蔽用として機能している。

図１（ｃ）は、同図（ｂ）に基づき、圧電基板をＸカット１１２°Ｙ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、中心周波数を３１０ＭＨｚ、帯域幅を９ＭＨｚ、入力電極対数を６４対、出力電極対数を１５２対、電極膜厚を２．７％λ（λは波長）として、構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。図９（ｃ）に示した従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性に比べ、低域側で１０程度、高域側で９ｄＢ程度改善されていることが分かる。

図２（ａ）は第２の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。図１（ａ）の構成と異なるところは、電極４のボンディングパッド４ａ、４ｂと接地用端子電極８ａ、８ｂとをそれぞれ接続するボンディングワイヤ１１ａ、１１ｂとを取り除いたところである。この様な構成にしても、電極４のボンディングパッド４ｂとバスバー３ｂとがボンディングワイヤ１２で接続されているので、図２（ｂ）のフィルタ特性に示すように、従来の特性に比べ、低域側で８ｄＢ程度、高域側で５ｄＢ程度改善されることが分かる。

図３（ａ）は第３の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。図１に示した構成に加え、電極４のボンディングパッド４ｂと出力端子電極７ｂ（接地側）とをボンディングワイヤ１４にて接続してトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。図３（ｂ）のフィルタ特性より、従来の特性に比べ、低域側で８ｄＢ程度、高域側で５ｄＢ程度改善されることが分かる。
図４（ａ）は第４の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。図１に示した構成に加え、電極４のボンディングパッド４ａとＩＤＴ電極３のバスバー３ｂ（接地側）とをボンディングワイヤ１５にて接続してトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。図４（ｂ）のフィルタ特性より、従来の特性に比べ、低域側で７ｄＢ程度、高域側で５ｄＢ程度改善されることが分かる。

図５（ａ）は第５の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。図１（ａ）においてボンディングワイヤ１２を取り去った状態を図１’とし、該図の構成と異なるところのみを説明する。図１’の構成に加えて、ＩＤＴ電極３のバスバー３ｂと電極４のボンディングパッド４ｂとを金属薄膜１６にて接続してトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。 図５（ｂ）は、同図（ａ）に基づき、圧電基板をＸカット１１２°Ｙ伝搬ＬｉＴａＯ_３、中心周波数を３５０ＭＨｚ、帯域幅を９ＭＨｚ、入力電極対数を７５対、出力電極対数を１７７対、電極膜厚を２．７％λ（λは波長）として、構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。図９（ｃ）に示した従来の特性に比べ中心周波数は異なるものの、図５（ｂ）より低域側、高域側とも１０ｄＢ以上改善されていることが分かる。

図６（ａ）は第６の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。図１’の構成に加えて、ＩＤＴ電極３のバスバー３ｂと電極４のボンディングパッド４ｂとを、ＩＤＴ電極２、３より離れて位置で導電性接着剤１７にて接続してトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。図６（ｂ）は、同図（ａ）に基づき、圧電基板をＸカット１１２°Ｙ伝搬ＬｉＴａＯ_３、中心周波数を３５０ＭＨｚ、帯域幅を９ＭＨｚ、入力電極対数を７５対、出力電極対数を１７７対、電極膜厚を２．７％λ（λは波長）として、構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。図９（ｃ）に示した従来の特性に比べ中心周波数は異なるものの、図６（ｂ）より低域側、高域側とも１０ｄＢ以上改善していることが分かる。

図７（ａ）は第７の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。図１’の構成に加えて、電極４のボンディングパッド４ｂと出力単端子電極７ｂ（接地側）とをボンディングワイヤ１４にて接続してトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。図７（ｃ）は、同図（ｂ）に基づき、圧電基板をＸカット１１２°Ｙ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、中心周波数を３１０ＭＨｚ、帯域幅を９ＭＨｚ、入力電極対数を６４対、出力電極対数を１５２対、電極膜厚を２．７％λ（λは波長）として、構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性である。従来の特性に比べ、図７（ｂ）のフィルタ特性より、低域側で８ｄＢ程度、高域側で５ｄＢ程度改善されることが分かる。
図８（ａ）は第８の実施例の構成を示す平面図、同図（ｂ）はそのフィルタ特性である。第８の実施例では、図１’の構成に加え、入力ＩＤＴ２のバスバー２ａ（接地側）と電極４のボンディングパッド４ａとをボンディングワイヤ１８にて接続してトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。図８（ｂ）のフィルタ特性より、従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性に比べ、低域側で９ｄＢ程度、高域側で６ｄＢ程度改善されることが分かる。

以上では、本発明を圧電基板にＸカット１１２°Ｙ伝搬ＬｉＴａＯ_３を用いて構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタについて説明したが、他のカットのタンタル酸リチウムに適用できることは説明するまでもない。また、他の圧電材料、例えばニオブ酸リチウムを圧電基板に用いて構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにも本発明は適用できる。

（ａ）はトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子の基本的な構成を示す平面図、（ｂ）は本発明に係るＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｃ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第２の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第３の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第４の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第５の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第６の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第７の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）は第８の実施例のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｂ）はフィルタ特性図である。 （ａ）はトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子の基本的な構成を示す平面図、（ｂ）は従来のＳＡＷデバイスの構造を示した概略平面図、（ｃ）はフィルタ特性図である。

符号の説明

１ 圧電基板
２、３ ＩＤＴ電極
４ 電極（遮蔽電極）
５ パッケージ
６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ 端子電極
９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂ、１２、１４、１５、１８ ボンディングワイヤ
１３ メタライズ
１６ 金属薄膜
１７ 導電性接着剤

Claims (8)

1. 矩形の圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極と遮蔽用電極と第２のＩＤＴ電極とを順次配列した構造のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、該トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を収容するための凹所を有するパッケージと、を備えた弾性表面波デバイスに於いて、
   前記圧電基板の表面波伝搬方向と平行な一辺を上辺、対向する一辺を下辺とするとき、パッケージの凹所内底部にトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を接着固定した際に、上辺側及び下辺側のパッケージ凹所内に第１のＩＤＴ電極側から第２のＩＤＴ電極に向かって入力用、接地用及び出力用の順になるよう端子電極がそれぞれ配置されており、
   前記第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第１のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと上辺側の接地用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の接地用電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、
   更に、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーとをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
2. 前記遮蔽用電極のパッドと接地用端子電極との接続を、上辺側及び下辺側共に省略したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
3. 前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の出力用端子電極とをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
4. 前記遮蔽用電極の上辺側パッドと第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーとをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
5. 前記遮蔽用電極の下辺側パッドと第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーとの接続をボンディングワイヤに代えて金属膜又は導電性接着剤にて接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
6. 矩形の圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極と遮蔽用電極と第２のＩＤＴ電極とを順次配列した構造のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、該トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を収容するための凹所を有するパッケージと、を備えた弾性表面波デバイスに於いて、
   前記圧電基板の表面波伝搬方向と平行な一辺を上辺、対向する一辺を下辺とするとき、パッケージの凹所内底部にトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を接着固定した際に、上辺側及び下辺側のパッケージ凹所内に第１のＩＤＴ電極側から第２のＩＤＴ電極に向かって入力用、接地用及び出力用の順になるよう端子電極がそれぞれ配置されており、
   前記第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第１のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと上辺側の接地用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の接地用電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、
   更に、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の出力用端子電極とをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
7. 矩形の圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って第１のＩＤＴ電極と遮蔽用電極と第２のＩＤＴ電極とを順次配列した構造のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、該トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を収容するための凹所を有するパッケージと、を備えた弾性表面波デバイスに於いて、
   前記圧電基板の表面波伝搬方向と平行な一辺を上辺、対向する一辺を下辺とするとき、パッケージの凹所内底部にトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子を接着固定した際に、上辺側及び下辺側のパッケージ凹所内に第１のＩＤＴ電極側から第２のＩＤＴ電極に向かって入力用、接地用及び出力用の順になるよう端子電極がそれぞれ配置されており、
   前記第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第１のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の入力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと上辺側の接地用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記遮蔽用電極の下辺側パッドと下辺側の接地用電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の上辺側バスバーと上辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、前記第２のＩＤＴ電極の下辺側バスバーと下辺側の出力用端子電極がボンディングワイヤにて接続され、
   更に、前記遮蔽用電極の上辺側パッドと第１のＩＤＴ電極の上辺側バスバーとをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
8. 対角をなす上辺側の入力用端子電極と下辺側の出力用端子電極とを接地したことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
   
   
   
   

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