JP2006310883A - Plasma processing apparatus and cleaning method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマを用いて被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus that performs predetermined processing on an object to be processed using plasma, and a cleaning method thereof.
半導体装置、液晶表示装置等の電子デバイスの製造には、種々のCVD(Chemical Vapor Deposition)装置が用いられる。中でも、プラズマCVD装置は、品質の高い膜を形成することができ、広く用いられている。 Various CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatuses are used for manufacturing electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. Among these, a plasma CVD apparatus can form a high-quality film and is widely used.
プラズマCVD装置は、減圧されたチャンバ内で半導体ウェハ等の被処理体にプラズマCVD法により成膜する。この成膜工程では、被処理体の表面だけでなく、チャンバ部材(内壁など)の表面にも膜が形成される。チャンバ内に形成された膜は、パーティクルの原因となるなど、歩留まりを低下させる。従って、チャンバの内部を定期的にクリーニングして、堆積膜を除去する必要がある。 A plasma CVD apparatus forms a film on a target object such as a semiconductor wafer by a plasma CVD method in a decompressed chamber. In this film forming process, a film is formed not only on the surface of the object to be processed but also on the surface of the chamber member (such as the inner wall). The film formed in the chamber reduces the yield, for example, causes particles. Therefore, it is necessary to periodically clean the inside of the chamber to remove the deposited film.
チャンバ内をクリーニングする方法として、チャンバの外部でクリーニングガスのプラズマを発生させて、発生したプラズマをチャンバ内に導入してクリーニングを行う、いわゆるリモートプラズマクリーニングが知られている。 As a method for cleaning the inside of the chamber, so-called remote plasma cleaning is known in which cleaning gas plasma is generated outside the chamber, and the generated plasma is introduced into the chamber for cleaning.
リモートプラズマクリーニングについて、以下、図面を参照して説明する。図12は、リモートプラズマクリーニングを用いたクリーニングの可能な、平行平板型のプラズマCVD装置101の概略図を示す。
The remote plasma cleaning will be described below with reference to the drawings. FIG. 12 is a schematic view of a parallel plate type
図12に示すように、プラズマCVD装置101は、チャンバ102と、被処理体Wが載置されるとともに、下部電極として機能するサセプタ103と、チャンバ102内を真空引き可能なポンプ104と、多数の微細なガス穴105を備え、このガス穴105から被処理体Wの表面全体に成膜ガスを供給し、上部電極として機能するシャワーヘッド106と、を備える。なお、シャワーヘッド106の内部には、多数のガス穴105にプロセスガスを拡散させるための微細な拡散路107が形成されている。成膜工程では、サセプタ103とシャワーヘッド106との間に、成膜ガスが供給されている状態で上下電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。発生した成膜ガスのプラズマにより、被処理体Wの表面に所定の膜が形成される。
As shown in FIG. 12, a
プラズマCVD装置101には、クリーニングガスライン108が接続されている。クリーニングガスライン108はクリーニングガス源109と、プラズマ発生装置110と、を備える。クリーニングガス源109から供給されたフッ素系ガスは、プラズマ発生装置110内でプラズマとされる。クリーニング工程では、クリーニングガスライン108からクリーニングガスのプラズマ、あるいは、プラズマ中のフッ素ラジカルが選択的にチャンバ102内に導入される。導入されたプラズマ中の、特に、フッ素ラジカルにより、チャンバ102内に堆積した膜がエッチングされて除去される。
A
上記のようなプラズマCVD装置101には、以下の(1)〜(3)のような問題がある。
(1)クリーニング工程において、クリーニングガスのプラズマ(リモートプラズマ)は、チャンバ102の側壁等に設けられた、専用のガス導入口111からチャンバ102内に導入される。クリーニングガスにより、チャンバ102の壁面、サセプタ103表面等に堆積した膜は、クリーニングガスと容易に接触し、比較的容易に除去される。
The
(1) In the cleaning step, cleaning gas plasma (remote plasma) is introduced into the
一方、シャワーヘッド106のガス穴105および拡散路107はプロセスガスの通路として機能し、また、微細な構造を有するため、膜が堆積しやすい。しかし、微細なガス穴105および拡散路107には、クリーニングガスは入り込み難く、十分なクリーニングを行うには長い時間を要する。このため、シャワーヘッド106のクリーニングが、クリーニング工程を律速している。
On the other hand, the
クリーニング時間が長い、すなわち、シャワーヘッド106のクリーニングに長時間を要する場合、スループットが低下するだけでなく、過度のクリーニングにより他のチャンバ部材が劣化する。しかし、クリーニング時間が短いと、シャワーヘッド106のクリーニングが不十分となり、パーティクルが増大し、歩留まりが低下する。このように、従来のリモートプラズマクリーニング可能なプラズマCVD装置には、シャワーヘッドのクリーニングに時間がかかり、効率的なクリーニングが行われにくい、という問題があった。
When the cleaning time is long, that is, it takes a long time to clean the
(2)クリーニングガス用のガス導入口111には、スリット112aが形成された蓋材112が設置され、蓋材112を介して、クリーニングガスがチャンバ102内に導入される構造となっている。蓋材112はガス導入口111を覆い、チャンバ102の壁面をできるだけ平坦とするために設けられている。蓋材112を用いない場合には、ガス導入口111の部分でのプラズマ形成が不安定なものとなり、異常放電が生じやすい。このように、蓋材112を設けることにより、異常放電を低減させることができる。
(2) The
しかし、蓋材112を介してクリーニングガスを導入する際に、クリーニング活性種であるラジカルのロスが生じる。これにより、クリーニングガスの活性は低下し、クリーニング速度が低下してしまう。このように、従来のリモートプラズマクリーニング可能なプラズマCVD装置には、蓋材を設けることにより、クリーニングガスプラズマの活性が失われ、クリーニングガスの活性が十分に利用されず、効率的なクリーニングが行われにくい、という問題があった。
However, when the cleaning gas is introduced through the
(3)また、クリーニングガス導入口111は、クリーニングガスの供給量を大きくするため、比較的大径に形成されている。蓋材112は、この開口全体を覆うように設けられている。
(3) Further, the
しかし、大きな開口であることから、クリーニングガスを大流量で供給したとしても、クリーニングガス導入口111からの供給圧力(供給速度)は、あまり高めることはできない。また、蓋材112のスリットを介して供給されるため、隣接するスリットを通過したガス流同士が干渉しあうことによりさらに流速が低下する。このため、チャンバ102の中央、すなわち、シャワーヘッド106へのクリーニングガスの供給速度が低いためにクリーニングガスはシャワーヘッド106の内部へ入り込みにくく、十分に高いシャワーヘッド106のクリーニング速度が得られない。
However, since the opening is large, even if the cleaning gas is supplied at a large flow rate, the supply pressure (supply speed) from the
このように、従来のリモートプラズマクリーニング可能なプラズマCVD装置には、クリーニングガスを、高い供給圧力(速度)でチャンバ内に供給することは難しく、高速の、効率的なクリーニングが行われにくい、という問題があった。 Thus, in the conventional plasma CVD apparatus capable of remote plasma cleaning, it is difficult to supply the cleaning gas into the chamber at a high supply pressure (speed), and high-speed and efficient cleaning is difficult to be performed. There was a problem.
上記事情を鑑みて、本発明は、効率的なクリーニングの可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法に関する。 In view of the above circumstances, the present invention relates to a plasma processing apparatus capable of efficient cleaning and a cleaning method thereof.
上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係るプラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部をクリーニングするためのクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するためのクリーニングガスラインと、
前記クリーニングガスラインに配置され、前記クリーニングガスを活性化する活性化手段と、
前記チャンバの壁に設けられた第1の開口と第2の開口とを有するガス導入口の近傍に設けられ、活性化された前記クリーニングガスの導入時に、前記ガス導入口の延伸方向に進退して前記第1の開口を開放するとともに前記第2の開口を気密に封止して前記ガス導入口を開放する開閉部材と、
を備える、ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus according to the first aspect of the present invention provides:
A chamber;
A cleaning gas line for supplying a cleaning gas for cleaning the inside of the chamber into the chamber;
An activating means disposed in the cleaning gas line and activating the cleaning gas;
Provided in the vicinity of the gas inlet having a first opening and a second opening provided in the wall of the chamber, and when the activated cleaning gas is introduced, the gas inlet advances and retreats in the extending direction. An opening / closing member for opening the first opening and hermetically sealing the second opening to open the gas introduction port;
It is characterized by comprising.
上記構成において、上記プラズマ処理装置は、さらに、前記クリーニングガスラインと前記クリーニングガス導入口とを接続し、前記クリーニングガスラインからの前記クリーニングガスを前記第1の開口に導くクリーニングガス導入路を備え、前記開閉部材は、前記クリーニングガス導入路と前記第1の開口との間で前記クリーニングガス導入口を開閉してもよい。 In the above configuration, the plasma processing apparatus further includes a cleaning gas introduction path that connects the cleaning gas line and the cleaning gas introduction port and guides the cleaning gas from the cleaning gas line to the first opening. The opening / closing member may open and close the cleaning gas introduction port between the cleaning gas introduction path and the first opening.
上記構成において、前記開閉部材は、前記第1の開口と嵌合可能な蓋部材と、前記蓋部材を支持する支持部材と、前記支持部材に接続されて前記クリーニングガス導入口の内部で前記蓋部材を進退させる駆動機構と、を備えてもよい。 In the above configuration, the opening / closing member includes a lid member that can be fitted into the first opening, a support member that supports the lid member, and the lid that is connected to the support member and inside the cleaning gas inlet. And a drive mechanism for moving the member back and forth.
前記蓋部材が前記第1の開口に嵌合した状態で、前記蓋部材の前記チャンバ内部に露出する面は、前記チャンバの内部の壁面と略同一の平面を形成してもよい。 In a state in which the lid member is fitted in the first opening, a surface of the lid member exposed to the inside of the chamber may form a plane substantially the same as a wall surface inside the chamber.
前記蓋部材は、前記チャンバと共通電位に設定されてもよい。 The lid member may be set to a common potential with the chamber.
前記蓋部材はその周縁にシール構造を備え、前記開口に嵌合した状態で、前記チャンバと前記蓋部材との間は前記シール構造により気密に封止されてもよい。 The lid member may be provided with a seal structure at the periphery thereof, and the chamber and the lid member may be hermetically sealed by the seal structure in a state of being fitted in the opening.
上記構成において、前記ガス活性化手段は、前記クリーニングガスのプラズマを発生させてもよい。 In the above configuration, the gas activation means may generate plasma of the cleaning gas.
上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係るプラズマ処理装置のクリーニング方法は、
チャンバと、前記チャンバの内部をクリーニングするためのクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するためのクリーニングガスラインと、前記クリーニングガスラインに配置され、前記クリーニングガスを活性化する活性化手段と、
前記チャンバの壁に設けられた第1の開口と第2の開口とを有するガス導入口の近傍に設けられた開閉部材と、を備えたプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
活性化された前記クリーニングガスの導入時に、前記開閉部材により、前記ガス導入口の延伸方向に進退して前記第1の開口を開放するとともに前記第2の開口を気密に封止してクリーニングを行う、ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus cleaning method according to a second aspect of the present invention comprises:
A chamber, a cleaning gas line for supplying a cleaning gas for cleaning the inside of the chamber into the chamber, and an activating means disposed in the cleaning gas line for activating the cleaning gas;
A plasma processing apparatus cleaning method comprising: an opening / closing member provided in the vicinity of a gas inlet having a first opening and a second opening provided in a wall of the chamber,
When the activated cleaning gas is introduced, the opening / closing member advances and retracts in the extending direction of the gas introduction port to open the first opening and airtightly seal the second opening for cleaning. It is characterized by performing.
上記構成において、上記プラズマ処理装置には、前記クリーニングガスラインと前記クリーニングガス導入口とを接続し、前記クリーニングガスラインからの前記クリーニングガスを前記第1の開口に導くクリーニングガス導入路が備えられており、前記クリーニングガス導入口は、前記開閉部材により前記クリーニングガス導入路と前記第1の開口との間で開閉されてもよい。 In the above configuration, the plasma processing apparatus includes a cleaning gas introduction path that connects the cleaning gas line and the cleaning gas introduction port and guides the cleaning gas from the cleaning gas line to the first opening. The cleaning gas introduction port may be opened and closed between the cleaning gas introduction path and the first opening by the opening and closing member.
本発明によれば、効率的なクリーニングの可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法が提供される。 According to the present invention, a plasma processing apparatus capable of efficient cleaning and a cleaning method thereof are provided.
本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置について、以下図面を参照して説明する。以下では、プラズマ処理装置として、いわゆる平行平板型のプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を例として説明する。このプラズマ処理装置は、半導体ウェハ(以下、ウェハW)にフッ化酸化シリコン(SiOF)膜を形成する成膜工程と、成膜工程の間に3フッ化窒素(NF3)のプラズマを用いたクリーニングを行うクリーニング工程と、を行うことができる。 A plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Hereinafter, as a plasma processing apparatus, a so-called parallel plate type plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus will be described as an example. This plasma processing apparatus uses a nitrogen trifluoride (NF 3 ) plasma between a film forming process for forming a silicon fluoride oxide (SiOF) film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as wafer W) and the film forming process. And a cleaning process for performing cleaning.
図1に、本実施の形態にかかるプラズマ処理装置10の構成を示す。
図1に示すように、プラズマ処理装置10は、チャンバ11と、プロセスガスラインL1と、クリーニングガスラインL2と、排気ラインL3と、システムコントローラ100と、を備える。
FIG. 1 shows a configuration of a
As shown in FIG. 1, the
チャンバ11は、真空まで減圧可能な反応容器である。後述するように、チャンバ11の内部でプラズマCVDが行われ、ウェハWに表面処理が施される。
The
プロセスガスラインL1は、チャンバ11にプロセスガスを供給する。プロセスガスは、4フッ化シラン(SiF4)、シラン(SiH4)および酸素(O2)と、キャリアガスとしてのアルゴン(Ar)と、から構成される。プロセスガスラインL1は、SiF4源SA、SiH4源SB、O2源SCおよびAr源SDをチャンバ11に接続する。SiF4源SA、SiH4源SB、O2源SC及びAr源SDは、それぞれ、いずれも図示しないマスフローコントローラ等を介してチャンバ11に接続されている。SiF4源SA、SiH4源SB、O2源SC及びAr源SDと、チャンバ11と、を結ぶラインは一本のラインに収束されている。これにより、SiF4、SiH4、O2及びArは、それぞれ所定の比で混合されて、チャンバ11に供給される。プロセスガスは、チャンバ11の内部でプラズマとされ、これによりウェハWの表面にSiOF膜が形成される。
The process gas line L1 supplies process gas to the
クリーニングガスラインL2は、チャンバ11にクリーニングガスを供給する。クリーニングガスは、NF3と、キャリアガスとしてのArと、から構成される。クリーニングガスラインL2は、NF3源SE及びAr源SFと、チャンバ11と、を接続する。NF3源SEおよびAr源SFは、いずれも図示しないマスフローコントローラ等を介してそれぞれチャンバ11に接続されている。NF3源SE及びAr源SFと、チャンバ11と、を結ぶラインは、いったん一本に収束された後、再び2本のラインに分岐してチャンバ11に接続されている。従って、NF3及びArは所定の比で混合され、2つのラインからチャンバ11に供給される。
The cleaning gas line L2 supplies a cleaning gas to the
クリーニングガスラインL2には、プラズマ発生装置12が設けられている。プラズマ発生装置12は、クリーニングガスラインL2のいったん収束した部分に配置されている。プラズマ発生装置12は、その内部にプラズマ発生機構を備え、プラズマ発生装置12に供給されたガス(NF3およびAr)のプラズマを生成する。プラズマ発生装置12は、発生したプラズマ中の、主としてフッ素ラジカルを選択的に排気する。これにより、プラズマ発生装置12の排気側に接続されたチャンバ11には、フッ素ラジカルを主成分とするクリーニングガスが供給される。
A
排気ラインL3には、ターボ分子ポンプ(TMP)13が接続されている。ターボ分子ポンプ13の下流には、図示しないドライポンプが設けられ、チャンバ11内を真空程度まで減圧可能な構成となっている。ターボ分子ポンプ13とチャンバ11との間には、自動圧力制御装置(APC)14が設けられている。自動圧力制御装置14により、チャンバ11内は、所定の圧力とされる。
A turbo molecular pump (TMP) 13 is connected to the exhaust line L3. A dry pump (not shown) is provided downstream of the turbo
システムコントローラ100は、成膜動作及びクリーニング動作を含めた、プラズマ処理装置10全体の制御を行う。システムコントローラ100は、タイマ、例えば、ソフトウェアタイマを備える。
The
図2は、図1に示すプラズマ処理装置10のチャンバ11の断面図である。なお、理解を容易にするため、図2中では、プロセスガスラインL1に接続された各種ガス源等は図示しない。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the
チャンバ11は、略円筒形状を有する。チャンバ11は、例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウムから構成されている。また、チャンバ11は接地されている。チャンバ11の側壁には図示しないゲートバルブが設けられている。ゲートバルブを介して、チャンバ11へのウエハWの搬入出が行われる。
The
チャンバ11内の底部中央には、略円柱状のサセプタ支持台15が設けられている。サセプタ支持台15の上には、セラミックなどの絶縁体16を介して、サセプタ17が設けられている。サセプタ支持台15は、チャンバ11の下方に設けられた昇降機構(図示せず)にシャフト18を介して接続され、サセプタ17とともに昇降可能に構成されている。
A substantially
サセプタ支持台15の内部には、冷媒室19が設けられている。冷媒室19には、冷媒管20が接続されており、冷媒管20を介して冷媒室19に冷媒が導入される。冷媒は、所定の温度に制御されており、冷媒が冷媒室19を循環し、その冷熱がサセプタ17を介してウエハWに対して伝熱されることによりウエハWは所望の温度に制御される。
A
サセプタ支持台15の下方は、ステンレス鋼等からなるベローズ21で覆われている。ベローズ21は、その上端がサセプタ支持台15の下面に、その下端がチャンバ11の底面にねじ等により留められている。ベローズ21は、サセプタ支持台15の下方の常圧部分と、チャンバ11内の真空部分と、を分離している。ベローズ21は、サセプタ支持台15の昇降動作に応じて伸縮し、常に気密性を維持する。
The lower part of the
サセプタ17は、その上部中央が凸状の円板状に形成され、その上にウエハWと略同形の図示しない静電チャックが設けられている。サセプタ17は、ウェハWの載置台であり、サセプタ17上に載置されたウェハWは、クーロン力によって静電吸着される。
The upper center of the
サセプタ17は、また、下部電極として機能する。サセプタ17には、第1の高周波電源22が接続されており、その給電線には第1の整合器23が介在されている。第1の高周波電源22は、0.1〜13MHzの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体であるウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。また、サセプタ17は、ハイパスフィルタ(HPF)24を介して接地されている。
The
サセプタ17の上端周縁部には、静電チャック上に載置されたウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング25が配置されている。フォーカスリング25は、シリコンなどから構成されている。フォーカスリング25は、その内側に配置されたウェハWに、プラズマを効果的に集め、効率的な、均一性の高いプラズマ処理を可能にする。
An
また、サセプタ支持台15、サセプタ17等は、ウエハW受け渡し用の図示しないリフトピンが貫通可能に形成されている。リフトピンはシリンダ等により昇降可能となっている。リフトピンは、サセプタ17を突き抜けて上昇可能であり、リフトピンの昇降動作によりウェハWのサセプタ17上への載置がなされる。
The
サセプタ17の上方には、サセプタ17と平行に対向して上部電極26が設けられている。上部電極26は、絶縁材27を介して、チャンバ11の上部に支持されている。上部電極26は、電極板28と、電極支持体29と、から構成される。
An
電極板28は、サセプタ17またはウェハWとの対向面を形成する。電極板28は、多数の微細なガス孔28aをそのほぼ全面に備える。電極板28は、例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウム、シリコン、SiCまたはアモルファスカーボン等から構成されている。なお、サセプタ17と電極板28とは、例えば、10〜60mm程度離間している。
The
電極支持体29には、電極板28がねじどめされている。電極支持体29は、導電性材料、例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウムから構成されている。電極支持体29は、その内部に図示しない冷媒構造を備えている。冷却構造により、上部電極26の過熱等は防がれる。
An
電極支持体29は、ガス導入管30を備える。ガス導入管30は、プロセスガスラインL1の一端を構成し、ガス導入管30を介して、チャンバ11内にプロセスガスが供給される。ガス導入管30はバルブV1を介してプロセスガスラインL1に接続されている。
The
電極支持体29は、その内部に、電極板28の複数のガス孔28aに接続した、中空の拡散部29aを備える。拡散部29aは、所定の形状にパターニングされ、微細な拡散路を構成している。ガス導入管30から供給されたガスは、拡散部29aで平面的に拡散されてガス孔28aに供給される。これにより、プロセスガスは、複数のガス孔28aからウェハWの全面に均等に供給される。このように、上部電極26は、いわゆるシャワーヘッド構造を有する。
The
上部電極26は、第2の整合器31を介して、第2の高周波電源32に接続されている。第2の高周波電源32は、例えば、13〜150MHzの範囲の周波数を印加する。高周波電力(RF電力)の印加により、下部電極であるサセプタ17との間に高密度のプラズマが生成される。また、上部電極26は、ローパスフィルタ(LPF)33を介して接地されている。
The
チャンバ11の側壁には、クリーニングガス導入口34が設けられている。クリーニングガス導入口34は、例えば、図3に示すように、互いに対向するように2つ設けられている。クリーニングガス導入口34は、クリーニングガスラインL2に接続されており、クリーニングガス導入口34を介してチャンバ11内にクリーニングガス(プラズマガス)が供給される。クリーニングガス導入口34には、図4に示すような、複数のスリット35aを備える蓋材35が設けられ、スリット35aを介してクリーニングガスが導入される。蓋材35は、アルミニウム等のチャンバ11と同様の材料から構成されている。蓋材35は、チャンバ11の壁面を平坦化させ、プラズマ発生時の異常放電の発生を低減させる。
A cleaning
チャンバ11の底部には排気口36が設けられている。排気口36は、バルブV2を介して排気ラインL3に接続されている。排気ラインL3には、上述したように、TMP13およびAPC14が設けられ、これらの動作により、チャンバ11内は所定の圧力雰囲気、例えば、0.01Pa以下の圧力まで真空引きされる。
An
排気ラインL3の、バルブV2の排気側とAPC14の吸気側との間には、クリーニング用排気ラインL4の一端が接続されている。また、クリーニング用排気ラインL4の他端は、上部電極26に設けられた排気管37として構成されている。排気管37は、上部電極26(電極支持体29)内部の拡散部29aに接続されている。すなわち、クリーニング用排気ラインL4は、その一端が上部電極26内部の拡散路に接続され、他端が排気ラインL3に接続されている。また、排気管37の排気側にはバルブV3が設けられている。後述するように、クリーニング用排気ラインL4は、特に、上部電極26をクリーニングするために設けられている。
One end of the cleaning exhaust line L4 is connected between the exhaust side of the valve V2 and the intake side of the
以下、図2を参照して、上記プラズマ処理装置10の成膜工程時およびクリーニング工程時の動作について説明する。なお、以下に示す動作は、一例であり、これと同様の効果を奏するものであればどのようなものであってもよい。
Hereinafter, the operations of the
まず、チャンバ11内へウェハWが搬入され、サセプタ17上に載置される。ウェハWは、静電チャックにより固定される。その後、システムコントローラ100は、バルブVCを開放してO2の供給を開始するとともに、第2の高周波電源32を起動して上部電極26にRF電力を印加する。続いて、バルブVA、VB、VDを開放して、SiF4、SiH4、Arをチャンバ11内に供給する。続いて、第1の高周波電源22を起動して下部電極(サセプタ17)に電力を印加する。これにより、プロセスガスのプラズマが生成し、ウェハWの表面にSiOF膜が形成される。
First, the wafer W is loaded into the
システムコントローラ100は、所定時間後、下部電極へのRF電力の印加をオフし、チャンバ11へのSiF4、SiH4およびArの供給を止める。その後、静電チャックは解除される。システムコントローラ100は、O2の供給を停止するとともに、上部電極26へのRF電力の印加をオフとする。最後に、ウェハWはチャンバ11外に搬出され、成膜工程は終了する。
The
システムコントローラ100は、上記のような成膜処理を所定枚数のウェハWに施した後、クリーニング工程を開始する。
The
まず、クリーニング用のダミーウェハWをチャンバ11内に搬入してサセプタ17上に戴置する。サセプタ17上のダミーウェハWは、静電チャックにより固定される。このとき、システムコントローラ100は、プロセスガスラインL1に接続されたバルブV1、および、排気ラインL3に接続されたバルブV2を閉鎖し、一方で、クリーニング用排気ラインL4に接続されたバルブV3を開放する。これにより、クリーニングガスラインL2と、チャンバ11の内部と、クリーニング用排気ラインL4と、TMP13と、から構成された給排気系が形成される。
First, a cleaning dummy wafer W is carried into the
続いて、システムコントローラ100は、NF3、Arの供給を開始し、次いで、プラズマ発生装置12をオンとする。プラズマ発生装置12はNF3のプラズマを形成し、プラズマ中のフッ素ラジカルを選択的にクリーニングガス導入口34からチャンバ11内に導入する。クリーニングガスにより、チャンバ11の壁面やサセプタ17等に堆積、付着したSiOF等からなる膜は分解、除去される。
Subsequently, the
ここで、排気管37は電極支持体29内部の拡散部29aに接続されている。すなわち、クリーニング用排気ラインL4は、上部電極26内の拡散路(拡散部29a)に接続されている。チャンバ11から排気されるガスは、分解物の他に、未反応のクリーニングガスを含む。このような未反応のクリーニングガスは、拡散部29aを通過して排気管37より排気される際に、ガス孔28a、拡散部29a等に堆積した不純物膜を分解、除去しつつ排気されることとなる。
Here, the
上部電極26は、微細なガス孔28aおよび拡散部29aを備えて、プロセスガスが滞留しやすいことから、チャンバ11の中でも最も堆積物が形成されやすい。
The
しかしながら、本実施の形態のように、上部電極26内の拡散路に通じるクリーニング用排気ラインL4を設け、上部電極26を介してクリーニングガスを排気する構成によれば、クリーニングガスは、容易に上部電極26の内部に入り込むことができ、さらに、そのままチャンバ11外に排気される。このため、微細な拡散路等を備え、最も堆積物が形成されやすい上部電極26の内部を、速くかつ十分にクリーニングすることができる。従って、クリーニング工程全体に要する時間は短縮されるとともに、他のチャンバ部材の劣化は低減され、高い歩留まり、高いスループットが可能となる。
However, according to the configuration in which the cleaning exhaust line L4 leading to the diffusion path in the
上記クリーニング工程の間、システムコントローラ100は、圧力、光学データ等を用いる所定の終点検出方法に基づいて、クリーニングの進行状況をモニタしている。システムコントローラ100は、クリーニングの終点を検出すると、プラズマ発生装置12をオフとし、さらに、クリーニングガスの供給を停止する。その後、O2、Arをチャンバ11内に供給する。続いて、静電チャックを解除した後、O2、Arの供給を停止する。最後に、ダミーウェハWがチャンバ11から搬出され、クリーニング工程は終了する。
During the cleaning process, the
以上説明したように、本実施の形態によれば、上部電極26内の拡散路に接続されたクリーニング用排気ラインL4を設けることにより、最も堆積物が形成されやすく、かつ、最もクリーニングされにくい上部電極26の内部を、短時間で、かつ、高い清浄度でクリーニングすることができる。これにより、他のチャンバ部材の劣化を抑えつつ、高い歩留まりかつ高いスループットでの処理が可能となる。
As described above, according to the present embodiment, by providing the cleaning exhaust line L4 connected to the diffusion path in the
本発明は、上記実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記実施の形態の変形態様について、説明する。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and applications are possible. Hereinafter, modifications of the above-described embodiment applicable to the present invention will be described.
上記実施の形態では、排気ラインL3に通じるバルブV2を閉鎖した状態でクリーニングを行った。しかし、バルブV2を開放した状態でクリーニングを行っても良い。このとき、チャンバ11内に導入されたクリーニングガスは、排気口36に接続された排気ラインL3と、排気管37に接続されたクリーニング用排気ラインL4と、から排気され、これにより、上部電極26だけでなく、チャンバ11の下方のクリーニングも行うことができる。
In the above embodiment, the cleaning is performed with the valve V2 leading to the exhaust line L3 closed. However, cleaning may be performed with the valve V2 opened. At this time, the cleaning gas introduced into the
さらに、システムコントローラ100は、クリーニング用排気ラインL4のみを用いたクリーニングと、排気ラインL3およびクリーニング用排気ラインL4を用いたクリーニングと、を組み合わせてクリーニングする構成としてもよい。例えば、システムコントローラ100はカウンタを備え、クリーニング用排気ラインL4のみを用いたクリーニングを数回行う毎に、排気ラインL3を組み合わせたクリーニングを行うようにしてもよい。
Further, the
また、上記例では排気管37は、上部電極26内部の拡散部29aに接続され、すなわち、クリーニング用排気ラインL4は、上部電極26内の拡散部29aに接続されているものとした。しかし、排気管37を設ける位置は、これに限られず、例えば、プロセスガス導入用のガス導入管30を分岐するように接続しても良い。この場合、バルブV1の排気側にクリーニング用排気ラインL4を接続すればよい。このように、クリーニング用排気ラインL4は、プロセスガスラインL1に接続されていても良い。さらに、上部電極26に接続された排気管37は、1本に限られず、複数設けてもよい。
In the above example, the
さらに、下記(1)および(2)に示すような、変形態様も可能である。 Furthermore, modifications as shown in the following (1) and (2) are also possible.
(1)
上記実施の形態では、異常放電を低減するためにリモートプラズマ導入口に蓋材35を設けた構造とした。しかし、上記のような蓋材35を用いずに、クリーニングガス導入口34およびその近傍を、例えば、図5および図6に示すような弁体を用いた構造としてもよい。なお、図5および図6は、クリーニングガス導入口34の閉鎖状態および開放状態をそれぞれ示す。
(1)
In the above embodiment, the
図5に示すように、クリーニングガス導入口34は、チャンバ11の側壁を貫通するように設けられ、チャンバ11の内部に向かって開いた第1の開口34aと、チャンバ11の外部に向かって開く第2の開口34bと、を備える。第1の開口34aの近傍には、これを取り巻くように段差が形成されている。
As shown in FIG. 5, the cleaning
クリーニングガス導入口34近傍のチャンバ11の側壁には、クリーニングガス導入口34と略垂直に接続する側管40が埋設されている。側管40は、チャンバ11の側壁に略平行に沿うように設けられている。また、側管40は、その途中で略垂直に曲がってチャンバ11壁から突出し、チャンバ11の外部に設けられたクリーニングガスラインL2に接続されている。側管40は、樹脂、金属等の耐プラズマ性の良好な材料あるいはチャンバ11と同一の材料から構成される。なお、側管40を設ける代わりに、チャンバ11の側壁に同様の管状の穴を形成しても良い。
In the side wall of the
クリーニングガス導入口34には、第2の開口34bを埋め込むように、弁体41が設けられている。弁体41は、蓋体42と、蓋体42を支持するステム43と、ステム43に接続された駆動機構44と、固定具45と、を備える。
The cleaning
蓋体42は、チャンバ11と同じ材料、例えば、アルミニウムから構成されている。蓋体42は、凸型の円盤状に形成され、平面状の凸部の周縁に段差を有する構成となっている。凸部は、第1の開口34a部とほぼ同じあるいはこれよりもわずかに小さい面積を有する。凸部の高さは、チャンバ11の側壁と、これに平行な段差の底面までの距離と、ほぼ同じとされ、蓋体42が第1の開口34aおよびこれを包囲する段差に嵌合する形状とされている。すなわち、蓋体42は、第1の開口34aに嵌合した状態(クリーニングガス導入口34が閉鎖された状態)で、凸部の主面が周囲のチャンバ11の側壁と略同一の面を形成するように形成されている。また、この凸部を含む蓋体42の主面は、アルマイト処理されている。
The
蓋体42の周縁部の、凸型の一面には、凸部を包囲するように第1のOリング46が設けられている。第1のOリング46は、図5に示すように蓋体42がクリーニングガス導入口34に嵌合した状態で、第1の開口34a部を気密に封止する。また、蓋体42の他面には、第1のOリング46に対向するように、第2のOリング47が設けられている。
A first O-
ステム43は、チャンバ11と同じ材料、例えば、アルミニウムから構成されている。ステム43の一端には蓋体42が設けられている。ステム43は、例えば、蓋体42と一体の成型品として構成されている。ステム43の中程には、ステム43を包囲するように円盤状のベローズ取り付け部48が形成されている。また、ステム43の、チャンバ11の外部に存在する部分には、コネクタ部49が設けられている。コネクタ部49は、断面がL字状の、底面を有する中空円筒状部材から構成されている。コネクタ部49の円筒部の内壁には、一般的な電極部材からなる板状の接触部49aが設けられている。
The
駆動機構44は、ステム43の他端に接続されている。駆動機構44は、エアシリンダ、モータ等により駆動され、これにより、蓋体42およびステム43は、クリーニングガス導入口34の延伸方向に進退可能となっている。駆動機構44は、コントローラ100に接続され、コントローラ100の指示に応じて開閉動作を行う。
The
固定具45は、チャンバ11と同じ材料、例えば、アルミニウムから構成されている。固定具45は、外側に突出した部分を備えた、断面がT字状の中空円筒状部材から構成されている。固定具45は、クリーニングガス導入口34の第2の開口34bに嵌め込まれ、外側に突出した部分(T字の中央部)においてねじ等によりチャンバ11の外壁に固定されている。
The
固定具45の第2の開口34bに嵌め込まれていない側の端部には、ベローズ50の一端が、また、ステム43のベローズ取り付け部48には、ベローズ50の他端が取り付けられている。ベローズ50は、ステンレス鋼等から構成されている。円筒状の固定具45の内径は、ステム43のベローズ取り付け部48よりも大きい径に設定されている。これにより、駆動機構44により、固定具45の内側をステム43およびベローズ取り付け部48が進退可能となっている。
One end of the
ベローズ50は、ステム43のベローズ取り付け部48から、固定具45の端部にかけて、ステム43を包囲するように設けられている。このようにベローズ50を設けることにより、蓋体42の進退動作の際、常にチャンバ11内外の気密性は保たれる。
The bellows 50 is provided so as to surround the
固定具45の第2の開口34bに嵌め込まれていない側の端部の外周には、一般的な電極部材からなる板状の接触部45aが設けられている。固定具45の接触部49aは、図5に示す状態で、コネクタ部49の接触部45aと接触するように設けられている。これにより、クリーニングガス導入口34の閉鎖状態において、蓋体42を含む弁体41全体は、チャンバ11と共通電位(接地電位)に設定される。従って、蓋体42の近傍での不安定な電界の発生は避けられ、異常放電等が発生することは防がれる。
A plate-
上述したように、蓋体42は駆動機構44によりクリーニングガス導入口34の延伸方向に進退可能となっている。この進退動作により、弁体41はクリーニングガス導入口34(第1の開口34a)の開閉を行う。より具体的には、蓋体42は、第1の開口34aと側管40との間で、クリーニングガス導入口34を開閉する。
As described above, the
ここで、図6に示すクリーニングガス導入口34の開放状態では、蓋体42は、固定具45のチャンバ11内部側の端部に接する状態にある。このとき、蓋体42と固定具45の端部との間は、第2のOリング47によって気密に封止されている。
Here, in the opened state of the cleaning
クリーニングガスラインL2からは、側管40および第1の開口34aを介してチャンバ11内にクリーニングガスが導入される。このとき、クリーニングガスはスリット35a等を介してではなく、直接にチャンバ11内に導入される。このため、クリーニングガスの供給速度の低下は低減され、特に、上部電極26内への高いクリーニングガス供給速度が得られ、高いクリーニング速度が得られる。さらに、スリット35aの通過等によるクリーニングガス中のラジカルのロスは避けられ、クリーニングガスの活性は高く保たれて一層高いクリーニング速度が得られる。
From the cleaning gas line L2, the cleaning gas is introduced into the
また、このとき、第2のOリング47により、クリーニングガスの固定具45の内側への進入は防がれ、クリーニングガスによるベローズの劣化等は防がれる。
At this time, the second O-
以上説明したように、いわゆるアングルバルブ形式の弁体41を設けた構成によれば、スリット35a等を介することなくクリーニングガスをチャンバ11内に供給することができる。弁体41の蓋体42は、第1の開口34aと嵌合した状態でその内部露出面がチャンバ11の側壁と略同一の平面を形成するように設けられている。これにより、プラズマ処理時の異常放電を低減させるとともに、クリーニングガス導入口34をより大きな開口としてクリーニングガスの供給速度を増大させることができる。
As described above, according to the configuration in which the so-called angle valve
また、供給されるクリーニングガスは、スリット35a等を介さずにチャンバ11内に供給される。このため、高いクリーニングガス供給速度が得られるとともに、ラジカルのロスも低減される。これにより、高いクリーニング速度および効率が得られ、クリーニング工程の短縮とスループットの向上とが図られる。
The supplied cleaning gas is supplied into the
なお、弁体41の構造は、上記構造に限られず、異常放電が防止されるとともにクリーニングガス導入口34の大きな開口が得られ、さらに、スリット35a等を用いることなくクリーニングガスの高い活性のままチャンバ11内に供給可能な構造であれば、いかなるものであってもよい。
また、上記例では、側管40をチャンバ11の壁の内部に設ける構成としたが、側管40をチャンバ11外部に設け、側管40と弁体41とがチャンバ11の外部で接続された構造としてもよい。
The structure of the
In the above example, the
さらにまた、封止構造は、Oリングの他に、ラビリンスシールなどの他のシール構造であってもよい。 Furthermore, the sealing structure may be another sealing structure such as a labyrinth seal in addition to the O-ring.
(2)
上記実施の形態では、クリーニングガス導入口34は、図3に示すように、互いに対向するように2つ設け、それぞれ、図4に示すような多数のスリット35aを有する蓋材35を設けた。しかし、図7に示すように、クリーニングガス導入口34を全体で同等の開口面積を有するように複数に分け、各クリーニングガス導入口34’に設けた蓋材35’のスリット35a’を密に配置した構成としてもよい。
(2)
In the above embodiment, as shown in FIG. 3, two cleaning
図7において、チャンバ11は、クリーニングガスラインL2に接続された、3以上、例えば、6個のクリーニングガス導入口34を備える。クリーニングガス導入口34は、ほぼ同じ高さ(サセプタ17よりもやや上)に設けられている。各クリーニングガス導入口34には、図8に示すような蓋材35が設けられており、クリーニングガスは蓋材35を介してチャンバ11内に供給される。
In FIG. 7, the
図7において、クリーニングガス導入口34’は、対向するように3個、計6個形成されている。ここで、クリーニングガス導入口34’全体の開口面積は、図3に示す2個のクリーニングガス導入口34を設けた構成とほぼ同等となるように構成されている。
In FIG. 7, three cleaning
また、図7に示すクリーニングガス導入口34’に設けられた蓋材35’は、図3に示す蓋材35と全体としてほぼ同数のスリット35a'を有するように形成されている。換言すれば、図7に示す構成において、蓋材35’には、図3に示す構成におけるよりも、スリット35a’が密に、集積されて形成されている。このように、スリット35a’が集積した構成とすることにより、隣接するスリット35a’を通過したガス同士の干渉は抑えられ、チャンバ11の中央部においてもクリーニングガスの供給速度は高く維持される。
Further, the
図9(a)および(b)に、図3に示すクリーニングガス導入口34を2つ設けた構成と、図7に示すよりクリーニングガス導入口34’を6つ設けた構成と、において、同じ流量のクリーニングガス導入時の流速分布をそれぞれ概略的に示す。図9(a)および(b)において、流速分布は一点鎖線にて3段階で示し、各段階はそれぞれ図9(a)および(b)においてほぼ同じレベルの流速を示すものとする。
9 (a) and 9 (b) are the same in the configuration in which two cleaning
図9(a)に示すように、比較的まばらにスリット35aを設けたクリーニングガス導入口34を用いた構成では、クリーニングガスの流速分布は、クリーニングガス導入口34の全体にわたって、比較的なだらかなものとなっている。一方、図9(b)に示すように、比較的密にスリット35a’が分布したクリーニングガス導入口34’を用いた構成では、流速分布は、比較的急峻なものとなり、流速の高い領域がチャンバ11の中心部まで到達可能となっている。
As shown in FIG. 9A, in the configuration using the cleaning
すなわち、スリット35aを比較的広範囲に分布させた構成では、スリット35aを通過したガスが拡散しやすい。このため、図10(a)に示すように、拡散成分同士のぶつかり合いによる抵抗(干渉)が比較的大きい。一方、スリット35a’を比較的密に分布させた構成では、図10(b)に示すように、拡散成分同士のぶつかり合いによる抵抗(干渉)は比較的小さい。
That is, in the configuration in which the
従って、通過直後のガスの流速P0と通過後の所定地点における流速P1とを比較した場合、スリット35aが比較的疎に設けられた、図10(a)に示す構成では、P1はP0よりも比較的大きく低下する(P0≫P1)。これに対し、スリット35a’が比較的疎に設けられた、図10(b)に示す構成では、P1の低下は比較的小さい(P0≧P1)。
Therefore, when comparing the flow velocity P0 of the gas immediately after passage with the flow velocity P1 at a predetermined point after passage, in the configuration shown in FIG. 10A in which the
このように、スリット35a’を比較的密に設けることにより、隣りあうガス流同士の干渉による流速の低下は抑制され、チャンバ11の中央部においても高いガス供給速度が得られる。これにより、上部電極26の内部にクリーニングガスが容易に入り込むことことができ、上部電極26のクリーニング速度の向上が可能となり、短縮された、効率の高いクリーニングが可能となる。
As described above, by providing the
なお、上記した比較的小径のクリーニングガス導入口34は、特に、上部電極26の下面(電極板28)に向かうように所定の傾斜をつけて設けてもよい。これにより、クリーニングガスは上部電極26の内部により入りやすくなり、より効率的なクリーニングが可能となる。また、クリーニングガス導入口34は、同じ高さに配置される必要はなく、また、上部電極26に向けられたものやサセプタ17に向けられたものなどを複数設けてもよい。
The cleaning
また、クリーニングガス導入口34の設置数は、上記例に限られず、効率的なクリーニングが可能であればいくつ設けてもよい。また、蓋材35の備えるスリット35aの形状およびその数も、上記例に限られず、クリーニングガス導入口34の形状、個数等に合わせて所望のものとすることができる。また、スリット35aの代わりに、丸穴等としてもよい。さらにまた、蓋材35のスリット35aは、図11に示すように、テーパ状に形成されていてもよい。
Further, the number of cleaning
また、クリーニングガス導入口の開口の大きさ、蓋材35に形成されたスリット35aの数、スリット35aの開口面積、スリット35aの流れ方向に対する距離(蓋材35の厚み)等を調整することにより、高いクリーニングガス供給速度が得られることは勿論である。
Further, by adjusting the size of the opening of the cleaning gas inlet, the number of
上記実施の形態では、クリーニングガスは、プラズマ、特に、プラズマ中のラジカルを生成するよう活性化させるものとした。しかし、クリーニングガスの活性化により、ラジカル以外の活性種を生成してクリーニングを行ってもよい。 In the above embodiment, the cleaning gas is activated so as to generate plasma, particularly radicals in the plasma. However, cleaning may be performed by generating active species other than radicals by activating the cleaning gas.
上記実施の形態では、平行平板型のプラズマCVD装置で、ウェハWにSiOF膜を成膜し、NF3ガスでクリーニングを行うものとした。しかし、成膜する膜は、SiOFに限らず、SiO2、SiC、SiN、SiCN、SiCH、SiOCH等のシリコン系膜であってもよい。また、クリーニングガスとしては、NF3に限らず、CF4、C2F6、SF6等のフッ素系ガス、Cl2、BCl4等の塩素系ガスを使用することができる。また、被処理体は、半導体ウェハに限らず、液晶表示装置等であってもよい。 In the above embodiment, the parallel plate type plasma CVD apparatus is used to form the SiOF film on the wafer W and perform cleaning with NF 3 gas. However, the film to be formed is not limited to SiOF, and may be a silicon-based film such as SiO 2 , SiC, SiN, SiCN, SiCH, or SiOCH. The cleaning gas is not limited to NF 3 , and fluorine-based gases such as CF 4 , C 2 F 6 , and SF 6 , and chlorine-based gases such as Cl 2 and BCl 4 can be used. Further, the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer but may be a liquid crystal display device or the like.
さらに、本発明は、平行平板型に限らず、ECR(Electron Cyclotron Resonance)型、ICP(Inductive Coupled Plasma)型、ヘリコン型等、他のプラズマ処理装置にも適用することができる。また、プラズマCVD装置に限らず、エッチング装置、スパッタ装置、アニール装置等のプラズマを用いる他の装置にも適用可能である。 Furthermore, the present invention is not limited to the parallel plate type, but can be applied to other plasma processing apparatuses such as an ECR (Electron Cyclotron Resonance) type, an ICP (Inductive Coupled Plasma) type, and a helicon type. Further, the present invention is not limited to the plasma CVD apparatus, and can be applied to other apparatuses using plasma such as an etching apparatus, a sputtering apparatus, and an annealing apparatus.
10 プラズマ処理装置
11 チャンバ
12 プラズマ発生装置
17 サセプタ
26 上部電極
28 電極板
29 電極支持体
29a 拡散部
34 クリーニングガス導入口
35 蓋材
37 排気管
100 システムコントローラ
L1 プロセスガスライン
L2 クリーニングガスライン
L3 排気ライン
L4 クリーニング用排気ライン
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記チャンバの内部をクリーニングするためのクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するためのクリーニングガスラインと、
前記クリーニングガスラインに配置され、前記クリーニングガスを活性化する活性化手段と、
前記チャンバの壁に設けられた第1の開口と第2の開口とを有するガス導入口の近傍に設けられ、活性化された前記クリーニングガスの導入時に、前記ガス導入口の延伸方向に進退して前記第1の開口を開放するとともに前記第2の開口を気密に封止して前記ガス導入口を開放する開閉部材と、
を備える、ことを特徴とするプラズマ処理装置。 A chamber;
A cleaning gas line for supplying a cleaning gas for cleaning the inside of the chamber into the chamber;
An activating means disposed in the cleaning gas line and activating the cleaning gas;
Provided in the vicinity of the gas inlet having a first opening and a second opening provided in the wall of the chamber, and when the activated cleaning gas is introduced, the gas inlet advances and retreats in the extending direction. An opening / closing member for opening the first opening and hermetically sealing the second opening to open the gas introduction port;
A plasma processing apparatus comprising:
前記開閉部材は、前記クリーニングガス導入路と前記第1の開口との間で前記クリーニングガス導入口を開閉する、ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 A cleaning gas introduction path that connects the cleaning gas line and the cleaning gas introduction port and guides the cleaning gas from the cleaning gas line to the first opening;
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the opening / closing member opens and closes the cleaning gas introduction port between the cleaning gas introduction path and the first opening.
前記チャンバの壁に設けられた第1の開口と第2の開口とを有するガス導入口の近傍に設けられた開閉部材と、を備えたプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、
活性化された前記クリーニングガスの導入時に、前記開閉部材により、前記ガス導入口の延伸方向に進退して前記第1の開口を開放するとともに前記第2の開口を気密に封止してクリーニングを行う、ことを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。 A chamber, a cleaning gas line for supplying a cleaning gas for cleaning the inside of the chamber into the chamber, and an activating means disposed in the cleaning gas line for activating the cleaning gas;
A plasma processing apparatus cleaning method comprising: an opening / closing member provided in the vicinity of a gas inlet having a first opening and a second opening provided in a wall of the chamber,
When the activated cleaning gas is introduced, the opening / closing member advances and retracts in the extending direction of the gas introduction port to open the first opening and airtightly seal the second opening for cleaning. And a cleaning method for the plasma processing apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006175731A JP4185117B2 (en) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | Plasma processing apparatus and cleaning method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001394282A Division JP2003197615A (en) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Plasma treatment apparatus and method for cleaning the same |
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---|---|---|---|
JP2008206884A Division JP4754609B2 (en) | 2008-08-11 | 2008-08-11 | Processing apparatus and cleaning method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310883A true JP2006310883A (en) | 2006-11-09 |
JP4185117B2 JP4185117B2 (en) | 2008-11-26 |
Family
ID=37477312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4185117B2 (en) |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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