JP2006308647A - レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 - Google Patents
レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006308647A JP2006308647A JP2005127696A JP2005127696A JP2006308647A JP 2006308647 A JP2006308647 A JP 2006308647A JP 2005127696 A JP2005127696 A JP 2005127696A JP 2005127696 A JP2005127696 A JP 2005127696A JP 2006308647 A JP2006308647 A JP 2006308647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- protective film
- film material
- water
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
請求項1:
下記一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子又はCF3である。)
請求項2:
下記一般式(2)で示される繰り返し単位a及び/又は下記一般式(3)で示される繰り返し単位bを有する高分子化合物を含むことを特徴とする請求項1記載のレジスト保護膜材料。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子又はCF3、R2は水素原子又はメチル基、R3は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、R4は単結合、又は−C(=O)−、R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、フッ素原子を有していてもよい。nは1〜6の整数である。)
請求項3:
更に、上記高分子化合物を溶解する溶媒を含有する請求項1又は2記載のレジスト保護膜材料。
請求項4:
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として請求項1又は2記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
請求項5:
液浸リソグラフィーが、180〜250nmの範囲の露光波長を用い、投影レンズとウエハーの間に水を挿入させたものである請求項4記載のパターン形成方法。
請求項6:
露光後に行う現像工程において、アルカリ現像液によりフォトレジスト層の現像とレジスト上層膜材料の保護膜の剥離とを同時に行う請求項4又は5記載のパターン形成方法。
(式中、R1は水素原子、フッ素原子又はCF3、好ましくはフッ素原子又はCF3、R2は水素原子又はメチル基、R3は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、R4は単結合、又は−C(=O)−、R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、フッ素原子を有していてもよい。nは1〜6の整数である。)
このようなフッ素置換された溶媒を例示すると、2−フルオロアニソール、3−フルオロアニソール、4−フルオロアニソール、2,3−ジフルオロアニソール、2,4−ジフルオロアニソール、2,5−ジフルオロアニソール、5,8−ジフルオロ−1,4−ベンゾジオキサン、2,3−ジフルオロベンジルアルコール、1,3−ジフルオロ−2−プロパノール、2’,4’−ジフルオロプロピオフェノン、2,4−ジフルオロトルエン、トリフルオロアセトアルデヒドエチルヘミアセタール、トリフルオロアセトアミド、トリフルオロエタノール、2,2,2−トリフルオロエチルブチレート、エチルヘプタフルオロブチレート、エチルヘプタフルオロブチルアセテート、エチルヘキサフルオログルタリルメチル、エチル−3−ヒドロキシ−4,4,4−トリフルオロブチレート、エチル−2−メチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、エチルペンタフルオロベンゾエート、エチルペンタフルオロプロピオネート、エチルペンタフルオロプロピニルアセテート、エチルパーフルオロオクタノエート、エチル−4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、エチル−4,4,4−トリフルオロブチレート、エチル−4,4,4−トリフルオロクロトネート、エチルトリフルオロスルホネート、エチル−3−(トリフルオロメチル)ブチレート、エチルトリフルオロピルベート、S−エチルトリフルオロアセテート、フルオロシクロヘキサン、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロ−1−ブタノール、1,1,1,2,2,3,3−ヘプタフルオロ−7,7−ジメチル−4,6−オクタンジオン、1,1,1,3,5,5,5−ヘプタフルオロペンタン−2,4−ジオン、3,3,4,4,5,5,5−ヘプタフルオロ−2−ペンタノール、3,3,4,4,5,5,5−ヘプタフルオロ−2−ペンタノン、イソプロピル4,4,4−トリフルオロアセトアセテート、メチルパーフルオロデナノエート、メチルパーフルオロ(2−メチル−3−オキサヘキサノエート)、メチルパーフルオロノナノエート、メチルパーフルオロオクタノエート、メチル−2,3,3,3−テトラフルオロプロピオネート、メチルトリフルオロアセトアセテート、1,1,1,2,2,6,6,6−オクタフルオロ−2,4−ヘキサンジオン、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、1H,1H,2H,2H−パーフルオロ−1−デカノール、パーフルオロ(2,5−ジメチル−3,6−ジオキサンアニオニック)酸メチルエステル、2H−パーフルオロ−5−メチル−3,6−ジオキサノナン、1H,1H,2H,3H,3H−パーフルオロノナン−1,2−ジオール、1H,1H,9H−パーフルオロ−1−ノナノール、1H,1H−パーフルオロオクタノール、1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクタノール、2H−パーフルオロ−5,8,11,14−テトラメチル−3,6,9,12,15−ペンタオキサオクタデカン、パーフルオロトリブチルアミン、パーフルオロトリヘキシルアミン、パーフルオロ−2,5,8−トリメチル−3,6,9−トリオキサドデカン酸メチルエステル、パーフルオロトリペンチルアミン、パーフルオロトリプロピルアミン、1H,1H,2H,3H,3H−パーフルオロウンデカン−1,2−ジオール、トルフルオロブタノール1,1,1−トリフルオロ−5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、1,1,1−トリフルオロ−2−プロパノール、3,3,3−トリフルオロ−1−プロパノール、1,1,1−トリフルオロ−2−プロピルアセテート、パーフルオロブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ(ブチルテトラヒドロフラン)、パーフルオロデカリン、パーフルオロ(1,2−ジメチルシクロヘキサン)、パーフルオロ(1,3−ジメチルシクロヘキサン)、プロピレングリコールトリフルオロメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルトリフルオロメチルアセテート、トリフルオロメチル酢酸ブチル、3−トリフルオロメトキシプロピオン酸メチル、パーフルオロシクロヘキサノン、プロピレングリコールトリフルオロメチルエーテル、トリフルオロ酢酸ブチル、1,1,1−トリフルオロ−5,5−ジメチル−2,4−ヘキサンジオン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−メチル−2−プロパノール、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロ−1−ブタノール、2−トリフルオロメチル−2−プロパノール,2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール、3,3,3−トリフルオロ−1−プロパノール、4,4,4−トリフルオロ−1−ブタノールなどが挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
まず、フォトレジスト層の上に非水溶性でかつアルカリ可溶性のレジスト保護膜(上層膜)材料をスピンコート法などで成膜する。膜厚は10〜500nmの範囲が好ましい。スピンコート後に40〜130℃の範囲で10〜300秒間ベークすることによって溶媒を揮発させる。その後、KrF又はArF液浸リソグラフィーによって水中で露光する。露光後、水をスピンドライし、ポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い、アルカリ現像液で10〜300秒現像を行う。アルカリ現像液は2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が一般的に広く用いられており、本発明のレジスト保護膜(上層膜)の剥離とレジスト膜の現像を同時に行う。
また、合成例で使用したモノマー1〜8の構造式を下記に示す。
200mLのフラスコにモノマー1を18g、モノマー8を12g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー1とした。
200mLのフラスコにモノマー2を32g、モノマー8を6g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー2とした。
200mLのフラスコにモノマー1を7.5g、モノマー7を7.3g、モノマー8を15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー3とした。
200mLのフラスコにモノマー1を7.5g、モノマー6を12.5g、モノマー8を15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー4とした。
200mLのフラスコにモノマー3を5.6g、モノマー6を12.5g、モノマー8を15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー5とした。
200mLのフラスコにモノマー4を8.5g、モノマー7を7.2g、モノマー8を15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、85℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー6とした。
200mLのフラスコにモノマー5を12.5g、モノマー7を7.2g、モノマー8を15g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、85℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、実施例ポリマー7とした。
200mLのフラスコにモノマー6を35g、モノマー8を9g、溶媒としてメタノールを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を3g加え、65℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液をヘキサンに晶出させて樹脂を単離した。得られた樹脂の組成は1H−NMR、分子量はGPCで確認し、比較例ポリマー1とした。
実施例ポリマー1〜7、比較例ポリマー1は上記合成例に示したポリマーを用いた。実施例ポリマー1〜7、比較例ポリマー1の0.5gをそれぞれイソブチルアルコール25gに溶解させ、それぞれ0.2ミクロンサイズのポリプロピレンフィルターで濾過し、レジスト保護膜溶液を作製した。
保護膜なしで露光、純水リンス、PEB、現像、また露光後純水リンスを行わない通常のプロセスも行った。
ウエハーを割断し、75nmラインアンドスペースのパターン形状、感度を比較した。結果を表4に示す。
Claims (6)
- 更に、上記高分子化合物を溶解する溶媒を含有する請求項1又は2記載のレジスト保護膜材料。
- ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として請求項1又は2記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
- 液浸リソグラフィーが、180〜250nmの範囲の露光波長を用い、投影レンズとウエハーの間に水を挿入させたものである請求項4記載のパターン形成方法。
- 露光後に行う現像工程において、アルカリ現像液によりフォトレジスト層の現像とレジスト上層膜材料の保護膜の剥離とを同時に行う請求項4又は5記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005127696A JP4482760B2 (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005127696A JP4482760B2 (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006308647A true JP2006308647A (ja) | 2006-11-09 |
JP4482760B2 JP4482760B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=37475645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005127696A Active JP4482760B2 (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4482760B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007080782A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 樹脂、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2008158149A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト保護膜形成用樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009029802A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Central Glass Co Ltd | 含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009074085A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Central Glass Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2009242287A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 含フッ素化合物及び該化合物から導かれる構成単位を有する重合体 |
JP2010538468A (ja) * | 2007-08-28 | 2010-12-09 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体ダイの製造方法及びこれにより得られる半導体ダイを含む半導体デバイス |
JP2011173855A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Central Glass Co Ltd | 含フッ素不飽和カルボン酸オニウム塩類 |
JP2012233181A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
WO2014141807A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス |
KR20170121257A (ko) * | 2015-03-27 | 2017-11-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상층막 형성용 조성물 |
WO2022107888A1 (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | ダイキン工業株式会社 | フルオロポリマーおよびその製造方法 |
CN115826362A (zh) * | 2023-01-06 | 2023-03-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 光刻方法及集成电路 |
JP7509068B2 (ja) | 2020-04-28 | 2024-07-02 | 信越化学工業株式会社 | フルオロカルボン酸含有モノマー、フルオロカルボン酸含有ポリマー、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06110199A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-04-22 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 反射防止膜およびレジストパターンの形成方法 |
JPH11124531A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Asahi Glass Co Ltd | コーティング組成物 |
WO2000053647A1 (fr) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Daikin Industries, Ltd. | Polymere d'ether d'allyle fluore |
JP2004037887A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Clariant (Japan) Kk | 反射防止コーティング用組成物およびパターン形成方法 |
WO2004067655A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Asahi Glass Company, Limited | コーティング組成物、反射防止膜、フォトレジストおよびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2004074937A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法 |
WO2005069076A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 液浸用上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 |
WO2005088397A2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Az Electronic Materials Usa Corp. | A process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
-
2005
- 2005-04-26 JP JP2005127696A patent/JP4482760B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06110199A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-04-22 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 反射防止膜およびレジストパターンの形成方法 |
JPH11124531A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Asahi Glass Co Ltd | コーティング組成物 |
WO2000053647A1 (fr) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Daikin Industries, Ltd. | Polymere d'ether d'allyle fluore |
JP2004037887A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Clariant (Japan) Kk | 反射防止コーティング用組成物およびパターン形成方法 |
WO2004067655A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Asahi Glass Company, Limited | コーティング組成物、反射防止膜、フォトレジストおよびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2004074937A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法 |
WO2005069076A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 液浸用上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 |
WO2005088397A2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Az Electronic Materials Usa Corp. | A process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007080782A1 (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 樹脂、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US7939243B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-05-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resin, resist composition and method of forming resist pattern |
JP2008158149A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト保護膜形成用樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009029802A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Central Glass Co Ltd | 含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2010538468A (ja) * | 2007-08-28 | 2010-12-09 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体ダイの製造方法及びこれにより得られる半導体ダイを含む半導体デバイス |
JP2009074085A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Central Glass Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2009242287A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 含フッ素化合物及び該化合物から導かれる構成単位を有する重合体 |
JP2011173855A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Central Glass Co Ltd | 含フッ素不飽和カルボン酸オニウム塩類 |
JP2012233181A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
WO2014141807A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス |
JP2014178542A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス |
US9915870B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-03-13 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, composition kit and resist film, and method for producing electronic device using them, and electronic device |
KR20170121257A (ko) * | 2015-03-27 | 2017-11-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상층막 형성용 조성물 |
KR102087646B1 (ko) | 2015-03-27 | 2020-03-11 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상층막 형성용 조성물 |
JP7509068B2 (ja) | 2020-04-28 | 2024-07-02 | 信越化学工業株式会社 | フルオロカルボン酸含有モノマー、フルオロカルボン酸含有ポリマー、レジスト材料及びパターン形成方法 |
WO2022107888A1 (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | ダイキン工業株式会社 | フルオロポリマーおよびその製造方法 |
CN115826362A (zh) * | 2023-01-06 | 2023-03-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 光刻方法及集成电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4482760B2 (ja) | 2010-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4662062B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4697406B2 (ja) | 高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4355944B2 (ja) | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 | |
JP4763511B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4482760B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4684139B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4771083B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP5247035B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
KR101226410B1 (ko) | 레지스트 보호막 재료 및 패턴 형성 방법 | |
JP4861237B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4571598B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
TWI383265B (zh) | 光阻保護膜材料及圖型之形成方法 | |
KR101096954B1 (ko) | 고분자 화합물, 레지스트 보호막 재료 및 패턴 형성 방법 | |
KR101118160B1 (ko) | 레지스트 보호막 재료 및 패턴형성방법 | |
JP4553146B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4761065B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4718348B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4687893B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4424492B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4749232B2 (ja) | レジスト上層反射防止膜材料およびパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4482760 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160402 Year of fee payment: 6 |