JP2006300508A - 電磁弁一体型膨張弁 - Google Patents

電磁弁一体型膨張弁 Download PDF

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Abstract

【課題】電磁弁一体型膨張弁におけるバイパス通路の構造の改良を図る。
【解決手段】電磁弁一体型膨張弁1は、弁本体10に弁室12を有し、冷媒の出口通路に連通される絞り通路14を開閉する弁体30は、弁棒80を介してパワーエレメント50により操作される。絞り流路14に並列に設けられるバイパス通路は、電磁弁100により開閉される。弁室12に連通する微小連通路22内には角柱形状のゴム材の逆止弁体200が挿入され、バイパス通路21側の冷媒圧力が過大となったときに圧縮されて微小オリフィスを開き、冷媒を通過させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、電磁弁一体型膨張弁に関し、例えば車室内のフロント側とリア側に冷凍サイクルを設けた車両用空調装置に用いるのに好適なものである。
従来、この種の電磁弁一体型膨張弁として、例えば下記特許文献1に記載されているものが知られている。この電磁弁一体型膨張弁は、高圧側冷媒を減圧膨張させる絞り流路と、この絞り流路の開度調整をする弁体と、この弁体を変位させる弁体作動機構(パワーエレメント)と、絞り流路にて減圧膨張した冷媒を蒸発器に供給する出口冷媒流路とを備え、電磁弁の弁体により出口冷媒流路を開閉するようにするとともに、電磁弁の弁体の閉弁時には、電磁弁の弁体と絞り流路との間の冷媒圧力に基づいて弁体を作動させるダイアフラム作動機構により、絞り流路の弁体を閉弁させるようにしている。
特開平11−182983号公報
上記の特許文献に記載されたものは、電磁弁の閉弁時に、電磁弁の弁体と膨張弁の絞り通路の弁体との間が密閉空間となり、この密閉空間が液冷媒で満たされた場合には、雰囲気の温度上昇とともにこの密閉空間が異常に高圧になってしまうおそれがあり、これを回避するため電磁弁の上流側と膨張弁の上流側とを連通する微小連通路を設けたものである。しかし、この微小連通路は冷媒を微小量だけ逃がすためのものであるが故に極小径であることが要求され、その加工は困難を極めることとなる。
そこで本発明の目的は、微小連通路を加工の容易な径としたままで、要求される微量の冷媒逃がしを可能とする電磁弁一体型膨張弁を提供するものである。
本発明の電磁弁一体型膨張弁は、基本的な手段として、高圧側冷媒が導入される弁室と該弁室と冷媒の出口流路との間に設けられる絞り流路を有する弁本体と、前記弁室内の弁体を作動させるパワーエレメントと、前記弁室と前記出口流路との間に設けられている冷媒のバイパス通路と、該バイパス通路を開閉する電磁弁とを含み、前記弁室と前記バイパス通路とを連通するように設けられる微小オリフィスを有する微小連通路と、該微小連通路に挿入される逆止弁体を備え、前記微小オリフィスは微小連通路の端部に配設され、前記逆止弁体はその端面で前記微小オリフィスを開閉する柱形状を有する。
また、前記逆止弁体は、微小通路の内壁面と前記逆止弁体の外壁面との間に軸方向に延びる通路を形成する凹凸を有し、角柱体又は円柱体とすることもできる。
さらに、逆止弁体はゴム等の軟質材で形成されることもあり、この場合、逆止弁体は、弁室側に開口する袋状の中空部を有する筒状体とされることもある。
逆止弁体をスプリングを介して微小オリフィスに向けて付勢するようにすることも可能である。
さらには、微小連通路の弁室側に逆止弁体を収容する大径部を形成し、この大径部端部をカシメ加工することによって生成されるストッパ片により逆止弁を保持するようにすれば、部品点数を増やすことなく逆止弁体を保持することができる。
本発明によれば、電磁弁が閉じたときに、冷媒を弁室から電磁弁側へ微小量だけ逃がすための微小連通路を適当な小径としたままで冷媒の微小量逃がしを適切に達成できる。そのため加工が容易となり、また冷媒流動音の発生を効果的に抑制することも可能となる。
図1は本発明に係る電磁弁一体型膨張弁の一実施の形態を示す断面図、図2は要部の拡大図である。
全体を符号1で示す電磁弁一体型膨張弁は、ほぼ角柱形状の弁本体10を有する。弁本体10の下部の内部には、冷凍サイクルの圧縮機側からの高圧冷媒が供給される図示しない入口冷媒通路を有し、入口冷媒通路は弁本体10内部に形成された弁室12に連通される。弁室12内にはボール状の弁体30が、支持部材32を介してスプリング34で支えられる。
弁室12の開口部にはナット部材40が螺合されて、封止される。ナット部材40をねじ込むことで、スプリング34は予圧され、所定のスプリング力で支持部材32を介して弁体30を支持する。ナット部材40にシール部材を取り付けて弁室12のシールを図る。
弁室12の冷媒は、弁体30と弁座の間の絞り流路14を通って減圧膨張され、出口冷媒流路に流出する。出口冷媒流路からの冷媒は、図示しない蒸発器へ送り出される。
蒸発器から戻される冷媒は、弁本体10の上部内に設けられた通路18を通り、図示しない圧縮機へ還流される。通路18内の冷媒温度は、感温棒70を介して弁本体10の上部に取り付けられる弁体を駆動させる弁体作動機構となるダイアフラム作動機構であるパワーエレメント50に伝達される。
パワーエレメント50は、弁本体10に対してねじ部54で取り付けられるハウジング52を有する。さらに、ハウジング52に挟み込まれて溶接されているダイアフラム60を有し、ダイアフラム60により上部室62aと下部室62bが区画される。上部室62aには作動流体が封入され、栓体64が封止される。
ダイアフラム60は感温棒70で支持される。感温棒70は中心に冷媒が導入される通路72を有する。
感温棒70の変位は、弁棒80を介して弁体30に伝達される。
この膨張弁1は以上のように構成してあるので、蒸発器から流出されて、通路18を通る冷媒の圧力と温度に応じて設定されるダイアフラム60の作動位置により、感温棒70が駆動され、弁体30と弁座の間の絞り流路14の間隙が調整される。
そこで、蒸発器の熱負荷が大きいときには、弁体30と弁座の間の間隙は大きくなり、大量の冷媒が蒸発器に供給され、反対に熱負荷が小さいときには、冷媒の流量は少なくなる。
弁本体10の側面部には電磁弁100が取り付けられる。
電磁弁100は、ケーシング110と、ケーシング110に連結される取付部材160を有し、取付部材160は、ねじ部を介して弁本体10に形成した有底の開口部に取り付けられる。
電磁弁100は、ケーシング110内にコイル120を有し、コード122を介して給電される。ケーシング110の中心部には、シリンダ124が配設され、プランジャ140が摺動自在に挿入される。シリンダ124の外側には、吸引子130がビス132で固定される。吸引子130とプランジャ140の間に設けられるスプリング142はプランジャ140を吸引子130から離れる方向に付勢する。
プランジャ140の先端には、パイロット弁体150が摺動自在に配設される。このパイロット弁体150は中心部に弁穴152を有する。
かくの如く構成された電磁弁100においては、電磁弁100のコイル120に通電されると、コイル120の磁力により、プランジャ140が吸引子130側に引き戻される。プランジャ140の先端部144がパイロット弁体150の弁穴152から離れると、弁穴152が開口し、背圧室20aの冷媒が弁穴152を通過して導管24の通路25に導入され、圧力差が減じられる。これによりパイロット弁体150は、導管24の先端から離れ、電磁弁100は開弁時となり、背圧室20a内の冷媒は、出口冷媒流路側へ流れる。
弁室12の冷媒は、弁体30と弁座の間の絞り流路14を通りバイパス通路21を介して電磁弁100が取付けられる有底穴20の背圧室20aに充填される。
逆に、コイル120への通電を遮断し、スプリング142のバネ力によりプランジャ140の先端部144がパイロット弁体150の弁穴152に着座して、この弁穴152を閉じる。すると、弁体30と弁座の間の絞り流路14を通り、バイパス通路21を介して背圧室20aに冷媒が導入される。そのため、プランジャ140の先端部144が弁穴152に着座して弁穴152を閉じるとともに、パイロット弁体150が導管24の端面に着座し、通路25を閉じる。これにより、電磁弁100が閉弁状態に復帰する。
図2、図3は、微小オリフィス23を介してバイパス通路21に通ずる微小連通路22内に配置される逆止弁体の詳細を示す。
逆止弁体200は、例えばゴム等の軟質材を使用して角柱形状に作られる。そして、この逆止弁体200を円筒穴状の微小連通路22内に挿入し、カシメ部Kにより固定する。微小連通路22の弁室12側の開口部は段付穴22’が形成されており、カシメ部Kの加工代が用意される。
そして、この軟質の逆止弁体200の上面は、微小オリフィス23を塞ぐ表面積を有する。この逆止弁体200は、弁室12側から冷媒の圧力が加えられたときには、その上面が微小オリフィスを閉じて、冷媒の流れを止める逆止弁機能を有する。
図4に示すように、電磁弁に通ずるバイパス通路21側の冷媒の圧力Pが過大となると、軟質の逆止弁体200が軸方向に圧縮変形し、隙間Gを形成する。この変形により微小オリフィス23は開き、バイパス通路21側の冷媒は、微小連通路22と角柱形状の逆止弁体200との間を通過して、弁室12側へ逃げ、不具合を防止する。
このように、逆止弁体は、微小オリフィス23を開閉するための端面を有する柱状であって、かつその端面に作用する圧力で軸方向に伸縮するように形成される。例えば、角柱状のほか、六角形等の多角形柱あるいは、一部に平面を有する円柱とすることができ、微小連通路22の内壁面との間に軸方向に延びる流路を形成する。
図5は本発明の電磁弁一体型膨張弁の更に他の実施の形態を示す断面図、図6は要部の断面図である。
全体を符号1Aで示す電磁弁一体型膨張弁は、図1、図2で説明した電磁弁一体型膨張弁に対して、微小連通路22aと微小オリフィス23a及び逆止弁体300の構成が異なるが、その他の部材の構成は同様である。そこで、同様の部材に対しては、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図7は、微小連通路22aと微小オリフィス23aの構造と微小連通路22a内に配備される逆止弁体300の構成を示す説明図である。
微小連通路22aは、内径寸法Dを有する円筒穴で、微小オリフィス23aを介してバイパス通路21に連通される。微小オリフィス23aの微小連通路22a側の開口部には、円錐面23bを設けることもできる。
微小連通路22a内に配置される逆止弁体300は、外径寸法D、長さ寸法Hを有する円柱体で構成される。円柱体の材料はゴム部材等が適当であるが、シリコン樹脂等の他の軟質ポリマー材料でもよい。微小連通路22aの弁室12側の開口部は大径の穴22bに形成されている。微小連通路22a内に逆止弁体300を挿入した後に、カシメ加工Kを施して、ストッパ片Sを形成し、逆止弁体300を保持する。この実施の形態にあっては、4個のストッパ片Sが設けられるが、このストッパ片Sの形状や個数は適宜に選択される。
ストッパ片Sが形成された後の微小連通路22aの有効長さ寸法はHとなり、この寸法Hは逆支弁体300の長さ寸法Hより大きな寸法に設定される。
図7は、弁室12側の冷媒圧力がパイパス通路21側の冷媒圧力より高い状態を示す、弁室12側の圧力Pにより逆支弁体300は、微小オリフィス23aに向けて押圧され、微小オリフィス23aを閉じた閉弁位置となる。逆支弁体300はゴム材等の軟質材料で作られるので、柔軟性を有し、微小オリフィス23aを確実に閉じる。
図8は、弁室12側の冷媒圧力に比べてバイパス通路21側の冷媒圧力が高くなった状態を示す。
逆止弁体300は微小オリフィス23aから離れて微小連通路22a内を移動し、ストッパ片S上に落下する。逆止弁体300の外径寸法Dは微小連通路22aの内径寸法Dより小さな寸法を有するので、その間の間隙Gを通り冷媒はバイパス通路21側から弁室に側へ向けて移動する。冷媒は4個のストッパ片Sの間の間隙Gを通り、弁室12へ向かう。
本実施の形態にあっては、逆止弁体300は、ゴム材料や軟質材料製の円柱体であって、製作も極めて容易である。また、微小連通路22a、微小オリフィス23a、円錐面23b、大径部22b等も弁室に側から一方向で加工できる。また、ストッパ片Sを形成するカシメ加工Kも弁本体10がアルミ合金等の軟質金属でつくられるので、容易に加工できる。
図9は、本発明の電磁弁一体型膨張弁の更に他の実施の形態を示す断面図、図10は要部の断面図である。
全体を符号1Bで示す電磁弁一体型膨張弁は、図1,図2で説明した電磁弁一体型膨張弁に対して、微小連通路22eと微小オリフィス23e及び逆止弁体400の構成が異なるが、その他の部材の構成は同様である。そこで、同様の部材に対しては、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図10は、微小連通路22eと微小オリフィス23eの構造と微小連通路22e内に配備される逆止弁体400の構成を示す説明図である。
微小連通路22eは円筒穴で、微小オリフィス23eを介してバイパス通路21に連通される。
この実施の形態にあっては、円筒穴形状の微小連通路22eの側壁に対して、バイパス通路21に連通する微小オリフィス23eは開口する。バイパス通路21と微小オリフィス23eの連結部には、円錐面23fを設けることもできる。
微小連通路22e内に配置される逆止弁体400は、微小連通路22eの内径寸法に対応した外径寸法を有する円柱体で構成される。円柱体の材料はゴム部材等が適当であるが、樹脂等の他の軟質ポリマー材料でもよい。微小連通路22eの弁室12側の開口部は、大径の穴22fに形成されている。微小連通路22e内に逆止弁体400を挿入した後に、ピールカシメ加工Kを施して、ストッパ片Sを形成し、逆止弁体400を保持する。
この実施の形態にあっては、2個のストッパ片Sが設けられるが、このストッパ片Sの形状や個数は適宜に選択される。
図10において、弁室12側の冷媒圧力Pがバイパス通路21側の冷媒圧力Pに対して高い状態にあっては、逆止弁体400は軸線方向に圧縮力を受ける。この圧縮力を受けて逆止弁体400は径方向に膨張し、その外周部400aは微小オリフィス23eに密着し、微小オリフィス23eを封止する。
バイパス通路21側の冷媒圧力Pが弁室12側の圧力Pよりも高くなると、微小オリフィス23eの冷媒は、逆止弁体400の外周部400aを内側に弾性変形させ、高圧の冷媒を弁室12側へ逃がす。
図11は、図9,図10の実施の形態で説明した電磁弁一体型膨張弁に適用される逆止弁体の変形例を示す。
逆止弁体500は、ゴムや樹脂等の軟質材料でつくられ、円筒形状を有する袋状の中空部510は、弁室12側に開口する。この逆止弁体500は、中空部を有することにより弁室側からの圧力を受けて、容易に径方向に膨張し、微小オリフィス23eを封止する。また、径方向の弾力性が向上するので、微小オリフィス23e側の冷媒圧力により容易に変形し、高圧を弁室側に逃がすことができる。
図12は本発明に係る電磁弁一体型膨張弁の更に他の実施の形態を示す断面図、図13は要部の拡大図である。
全体を符号1Cで示す電磁弁一体型膨張弁は、図1,図2で説明した電磁弁一体型膨張弁に対して、逆止弁体700の構成が異なるが、その他の部材の構成は同様である。そこで、同様の部材に対しては、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図13,図14は、微小オリフィス23を介してバイパス通路21に通ずる微小連通路22内に配備される逆止弁体の詳細を示す。
逆止弁体700は、例えば樹脂でつくられ、円柱部の本体と、先端のテーパー部702を有する。逆止弁体700はそのテーパー部702の部分で微小オリフィス23を開閉し、逆止弁として機能する。テーパー部702の周面にはカットオフされた平坦面704が形成され、冷媒の通過空間を形成する。
弁本体10の弁室12側には、支持板720が挿入され、室22の開口部に形成されるカシメ加工部Kで固定される。支持板720は中央に穴722を有し、冷媒を通過させる。支持板720と室22の間には、スプリング710が装備される。
この逆止弁は、電磁弁一体型膨張弁の電磁弁を閉じたときに、電磁弁に通ずる冷媒通路21の圧力が弁室12側の冷媒圧力よりも高いとき、逆止弁体700が微小オリフィス23より離れて、圧力差を解消する。圧力差が解消された後は、逆止弁体700が閉じて微小連通路を備えない通常の膨張弁として機能する。この実施例構造の場合は、逆止弁体700は硬質材であってもよい。
以上の構成により、大きな圧力差のあるときには微小連通路22の微小オリフィス23が逆止弁体700によって閉じるため、微小連通路22からの余分な冷媒漏れを防止でき、この余分な冷媒漏れに起因するエネルギー損失を防止することができる。
図15は、本発明の逆止弁体の他の実施例を示す説明図である。
逆止弁体800は、四つの平坦面804を有する角柱状の本体と、本体の上部に形成される載頭円錐形状のテーパー面802とを有する。そして、テーパー面802は、微小オリフィス23の間で逆止弁機構を構成する。逆止弁体800の底部には半円弧溝806が設けられる。
この逆止弁体800は微小連通路22内に挿入され、カシメ部Kにより脱落が防止される。逆止弁体800は、樹脂製で小型軽量の部材である。
そこで、弁室12の冷媒圧力が通路21側の圧力よりも高い状態では、逆止弁体800は微小オリフィス23に押圧され、冷媒の通過を防ぐ。
バイパス通路21側の圧力が高い状態では、微小オリフィス23を開き、弁室12側へ冷媒を流す。
本発明の電磁弁一体型膨張弁にあっては、電磁弁が作動(閉弁)しているときに、弁室12側の冷媒圧力が高い状態となっても微小連通路から漏れる冷媒の量を最小限に限定し、エネルギー損失を防止することができる。
本発明の電磁弁一体型膨張弁の一実施の形態を示す断面図。 要部の断面図。 本発明の逆止弁体の取付構造の説明図。 本発明の作用を示す説明図。 本発明の他の実施の形態を示す断面図。 図5の要部の断面図。 逆止弁体の説明図。 逆止弁体説明図。 本発明の更に他の実施の形態を示す断面図。 図9の要部の断面図。 図9,図10の実施の形態で説明した電磁弁一体型膨張弁に適用される逆止弁体の変形例を示す説明図。 本発明の電磁弁一体型膨張弁の更に他の実施の形態を示す断面図。 図12の要部の断面図。 逆止弁構造の説明図。 逆止弁体の他の実施の形態を示す説明図。
符号の説明
1 膨張弁
10 弁本体
12 弁室
14 絞り流路
16 出口冷媒流路
20 有底穴
20a 背圧室
21 バイパス通路
22 微小連通路
23 微小オリフィス
24 導管
30 弁体
50 パワーエレメント
60 ダイアフラム
70 感温棒
80 弁棒
100 電磁弁
120 コイル
130 吸引子
140 プランジャ
150 パイロット弁体
200 逆止弁体

Claims (9)

  1. 高圧側冷媒が導入される弁室と該弁室と冷媒の出口流路の間に設けられる絞り流路を有する弁本体と、前記弁室内に配置される弁体を作動させるパワーエレメントと、前記弁室と前記出口流路の間に設けられる冷媒のバイパス通路と、該バイパス通路を開閉する電磁弁とを含み、
    前記弁室と前記バイパス通路とを連通するように設けられる微小オリフィスを有する微小連通路と、該微小連通路に挿入される逆止弁体を備え、前記微小オリフィスは微小連通路の端部に配設され、前記逆止弁体はその端面で前記微小オリフィスを開閉する柱形状を有する電磁弁一体型膨張弁。
  2. 前記逆止弁体は、微小通路の内壁面と前記逆止弁体の外壁面との間に軸方向に延びる通路を形成する凹凸を有することを特徴とする請求項1記載の電磁弁一体型膨張弁。
  3. 前記逆止弁体は、角柱体又は円柱体を有することを特徴とする請求項1記載の電磁弁一体型膨張弁。
  4. 前記逆止弁体はゴム等の軟質材料で形成される請求項1乃至3のいずれかに記載の電磁弁一体型膨張弁。
  5. 前記逆止弁体は、弁室側に開口する袋状の中空部を有する筒状体である請求項4記載の電磁弁一体型膨張弁。
  6. 前記微小連通路の前記弁室側の開口部は大径部に形成され、大径部にカシメ加工により形成されるストッパ片により前記逆止弁体は前記微小連通路内に保持される請求項1乃至5のいずれかに記載の電磁弁一体型膨張弁。
  7. 前記ストッパ片が形成された前記微小連通路の有効長さ寸法は、前記逆止弁体の長さ寸法より大なる寸法を有する請求項6記載の電磁弁一体型膨張弁。
  8. 高圧側冷媒が導入される弁室と該弁室と冷媒の出口流路の間に設けられる絞り流路を有する弁本体と、前記弁室内に配置される弁体を作動させるパワーエレメントと、前記弁室と前記出口流路の間に設けられる冷媒のバイパス通路と、該バイパス通路を開閉する電磁弁とを含み、
    前記弁室と前記バイパス通路とを連通するように設けられる微小オリフィスを有する微小連通路と、該微小連通路に挿入される逆止弁体を備え、前記微小オリフィスは微小連通路の端部に配設され、
    前記逆止弁体は、スプリングを介して前記微小オリフィスに向けて付勢されている電磁弁一体型膨張弁。
  9. 前記逆止弁体は、前記微小オリフィスに当接するテーパー部と該テーパー部に連続する角柱部とを備えている請求項8記載の電磁弁一体型膨張弁。
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