JP2006294681A - Optical semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic equipment - Google Patents

Optical semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2006294681A
JP2006294681A JP2005109735A JP2005109735A JP2006294681A JP 2006294681 A JP2006294681 A JP 2006294681A JP 2005109735 A JP2005109735 A JP 2005109735A JP 2005109735 A JP2005109735 A JP 2005109735A JP 2006294681 A JP2006294681 A JP 2006294681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
silicone resin
mold resin
semiconductor element
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005109735A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4041820B2 (en
Inventor
Hideya Takakura
英也 高倉
Hiroyuki Shoji
弘之 小路
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2005109735A priority Critical patent/JP4041820B2/en
Priority to DE102005043928A priority patent/DE102005043928B4/en
Priority to TW094131909A priority patent/TWI289346B/en
Priority to US11/226,434 priority patent/US7425727B2/en
Publication of JP2006294681A publication Critical patent/JP2006294681A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4041820B2 publication Critical patent/JP4041820B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable, compact, and inexpensive optical semiconductor device that can utilize a semiconductor light element whose chip size is small, such as an LED and a PD, and has satisfactory light transmission quality. <P>SOLUTION: An optical semiconductor element 2 on a lead frame 1 is covered with a silicone resin section 13. Other portions at the silicone resin section 13 except one portion at the silicone resin section 13 are sealed by a first mold resin section 14. One portion of the silicone resin section 13 and the first mold resin section 14 are sealed by a second light transparent mold resin section 15 having light transmission properties. The coefficient of the linear expansion of the second mold resin section 15 is larger than that of the first one 14. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、光半導体素子を有する光半導体装置に関し、詳しくは、光ファイバー等の光伝送媒体を利用して光信号を送受信する光通信装置等に利用することができる光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device having an optical semiconductor element, and more particularly to an optical semiconductor device that can be used for an optical communication device that transmits and receives an optical signal using an optical transmission medium such as an optical fiber.

この発明の光半導体装置は、デジタルＴＶ(televisionテレビジョン)、デジタルＢＳ(Broadcasting Satellite：ブロードキャスティング・サテライト)チューナ、ＣＳ(Communication Satellite：コミュニケーション・サテライト)チューナ、ＤＶＤ(Digital Versatile Disc：デジタル多用途ディスク)プレーヤー、ＣＤ(Compact Disc：コンパクト・ディスク)プレーヤー、ＡＶ(Audio Visual：オーディオ・ビジュアル)アンプ、オーディオ、パーソナルコンピュータ(以下、パソコンという)、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ(Personal Digital Assistant：パーソナル・デジタル・アシスタント)等の電子機器に使用される。また、動作温度範囲の広い環境、例えば車載用機器であるカーオーディオ、カーナビゲーション、センサーや、工場内のロボットのセンサー、制御用機器等の電子機器にも使用可能である。   The optical semiconductor device of the present invention includes a digital TV (television television), a digital BS (Broadcasting Satellite) tuner, a CS (Communication Satellite) tuner, and a DVD (Digital Versatile Disc). ) Player, CD (Compact Disc) player, AV (Audio Visual: Audio Visual) amplifier, Audio, Personal computer (hereinafter referred to as PC), Peripherals, mobile phones, PDA (Personal Digital Assistant: Personal)・ Used in electronic devices such as digital assistants. It can also be used in an environment with a wide operating temperature range, for example, in-vehicle devices such as car audio, car navigation, sensors, robot sensors in factories, and electronic devices such as control devices.

従来より、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)やフォトダイオード(ＰＤ：Photo Diode)等の光半導体素子と光ファイバーケーブルとを結合させる光半導体装置が知られており、機器間や家庭内、自動車内での光通信に利用されている。   Conventionally, an optical semiconductor device that couples an optical semiconductor element such as a light emitting diode (LED) or a photodiode (PD) with an optical fiber cable has been known. It is used for optical communication.

これらの光半導体装置としては、図４に示すように、透明樹脂を用いたトランスファ成形を利用して作製されたものが広く使用されている。図４に示す光半導体装置は、リードフレーム１０１上に導電性接着ペースト１０３により接着された光半導体素子１０２を透明樹脂部１０６で封止し、同透光性樹脂で形成されたレンズ１１０により光半導体素子１０２と光ファイバーケーブル１１１とを光学的に結合させるものである。光半導体素子１０２は、リードフレーム１０１とワイヤー１０４により電気的に結合されている。また、光半導体素子１０２を駆動・制御するためのＩＣ(集積回路)１０５がリードフレーム１０１上に導電性接着ペースト１０３により接着して搭載されている。   As these optical semiconductor devices, as shown in FIG. 4, those manufactured by using transfer molding using a transparent resin are widely used. In the optical semiconductor device shown in FIG. 4, an optical semiconductor element 102 bonded with a conductive adhesive paste 103 on a lead frame 101 is sealed with a transparent resin portion 106, and light is transmitted by a lens 110 formed of the same translucent resin. The semiconductor element 102 and the optical fiber cable 111 are optically coupled. The optical semiconductor element 102 is electrically coupled to the lead frame 101 and the wire 104. In addition, an IC (integrated circuit) 105 for driving and controlling the optical semiconductor element 102 is mounted on the lead frame 101 by bonding with a conductive adhesive paste 103.

一般的に、このような光半導体装置に用いられる透明樹脂は、光学特性を重視するため、フィラーの充填されていない透明樹脂が用いられることにより線膨張係数が大きくなり、耐環境性(耐熱衝撃や放熱性等)に課題があった。   In general, the transparent resin used in such an optical semiconductor device places importance on optical characteristics, so the use of a transparent resin that is not filled with a filler increases the coefficient of linear expansion, resulting in environmental resistance (thermal shock resistance). And heat dissipation).

このため、光半導体装置の構成を工夫し、フィラーが充填されたモールド樹脂により封止することができる光半導体装置(図５に示す)が開示されている(例えば、特開２０００−１７３９４７号公報(特許文献１)参照)。図５に示す光半導体装置では、光半導体素子２０２の光学部のみにガラスレンズ２１２を貼付け、リードフレーム２０１に導電性接着ペースト２０３により接着して実装し、光半導体素子２０２の光学部の周囲にある電極とリードフレーム２０１とをワイヤー２０４を介して電気的に接続している。その後、フィラーが充填されたモールド樹脂によりトランスファ成形することにより、光半導体素子２０２に光が入出射する光路をモールド樹脂により遮蔽することなく、光半導体素子２０２やワイヤー２０３をモールド樹脂部２０７で封止することを可能としている。   For this reason, an optical semiconductor device (shown in FIG. 5) that can be sealed with a mold resin filled with a filler by devising the configuration of the optical semiconductor device is disclosed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-173947). (See Patent Document 1)). In the optical semiconductor device shown in FIG. 5, a glass lens 212 is attached only to the optical part of the optical semiconductor element 202 and is mounted by being bonded to the lead frame 201 with the conductive adhesive paste 203. A certain electrode and the lead frame 201 are electrically connected via a wire 204. Thereafter, transfer molding is performed with a mold resin filled with a filler, so that the optical semiconductor element 202 and the wire 203 are sealed with the mold resin portion 207 without blocking the optical path through which light enters and exits the optical semiconductor element 202 with the mold resin. It is possible to stop.

また、半導体装置の樹脂封止技術として、図６に示すように、リードフレーム３０１と、上記リードフレーム３０１上に導電性接着ペースト３０３により接着した半導体素子３０２と、さらにこれらの両者を接続するボンディングワイヤー３０４を含む本体構成部を一体的に封止する第１の封止樹脂部３０８と、この第１封止樹脂部３０８の外周部の少なくとも一部を被覆するように形成された第２の封止樹脂部３０９とを備え、上記第１の封止樹脂部３０８の線膨張率よりも、上記第２の封止樹脂部３０９の線膨張率が小さくなるように、上記第１,第２の封止樹脂部３０８,３０９が選定されるようにした樹脂封止技術も開示されている(例えば、特開平４−９２４５９号公報(特許文献２)参照)。   Further, as a resin sealing technique for a semiconductor device, as shown in FIG. 6, a lead frame 301, a semiconductor element 302 bonded on the lead frame 301 with a conductive adhesive paste 303, and bonding for connecting both of them. A first sealing resin portion 308 that integrally seals the main body constituting portion including the wire 304, and a second sealing portion that is formed so as to cover at least a part of the outer peripheral portion of the first sealing resin portion 308. A sealing resin portion 309, and the first and second sealing resin portions 309 have a linear expansion coefficient smaller than that of the first sealing resin portion 308. A resin sealing technique in which the sealing resin portions 308 and 309 are selected is also disclosed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-92459 (Patent Document 2)).

従来の光半導体装置は、フィラーの充填されていない透明樹脂によりトランスファ成形され作製されていることから、透明樹脂,リードフレーム,光半導体素子およびボンディングワイヤーの線膨張係数に大きな差異があるため、熱ストレスによりワイヤー断線やパッケージクラック等の不具合が発生するという問題がある。また、透明樹脂の熱伝導率が約０.１７Ｗ／m・Kと金属(例えば銅材は３６５ Ｗ／m・K)比較して非常に小さく光半導体素子で生じる熱を拡散しにくくしており、高温での動作範囲を制限されるという問題がある。このような問題があるため、信頼性の高い光半導体装置を作製するのが非常に困難である。   Conventional optical semiconductor devices are manufactured by transfer molding using a transparent resin that is not filled with a filler, so there is a large difference in the linear expansion coefficients of transparent resin, lead frame, optical semiconductor element, and bonding wire. There is a problem that problems such as wire breakage and package cracks occur due to stress. In addition, the thermal conductivity of transparent resin is about 0.17 W / m · K, which is very small compared to metals (for example, copper material is 365 W / m · K), making it difficult to diffuse the heat generated in optical semiconductor elements. There is a problem that the operating range at high temperature is limited. Because of such problems, it is very difficult to manufacture a highly reliable optical semiconductor device.

また、モールド樹脂にフィラーを充填させて、線膨張係数や熱伝導率を調整できることが知られているが、光学特性を重視される光半導体装置では光透過率が低下するためにフィラーの充填が困難(もしくは少量しか充填できない)であることから、信頼性の高い光半導体装置を作製するのに課題があった。このため、フィラーを充填させたモールド樹脂を使用するためには、特許文献１(図５)に開示されているように、光半導体素子の受光部にガラスレンズを搭載し、その一部を含むように樹脂封止する構造が考えられるが、実際にこの構造では、ＣＣＤのように比較的サイズが大きい(数ｍｍ〜数十ｍｍ角)光半導体素子を使用する場合は、光学部にガラスレンズを配置することが可能であるのに対して、ＬＥＤのようにサイズが小さい(数百μｍ角)光半導体素子では、光学部が非常に小さいことから、ガラスレンズも非常に小さいものを使用する必要があり、
(i) 微小なガラスレンズの作製が困難である
(ii) 光学部とガラスレンズとの接合・位置合わせが困難である
(iii) 熱ストレスによりガラスとモールド樹脂の線膨張係数の違いにより界面剥離が発生する
という問題がある。また、光半導体素子の光学部より大きいガラスレンズを使用した場合、光半導体素子の光学部に近接した電極にもガラスレンズがかかるため、ワイヤーボンディングが行えなくなるという問題点がある。 In addition, it is known that the linear expansion coefficient and the thermal conductivity can be adjusted by filling the mold resin with a filler. However, in an optical semiconductor device in which optical characteristics are important, since the light transmittance is reduced, the filler is not filled. Since it is difficult (or only a small amount can be filled), there has been a problem in manufacturing a highly reliable optical semiconductor device. For this reason, in order to use the mold resin filled with the filler, as disclosed in Patent Document 1 (FIG. 5), a glass lens is mounted on the light receiving portion of the optical semiconductor element and includes a part thereof. In this structure, when using an optical semiconductor element having a relatively large size (several mm to several tens of mm square) like a CCD, a glass lens is used as an optical part. In contrast, an optical semiconductor element having a small size (several hundred μm square) such as an LED uses a very small glass lens because the optical part is very small. Need,
(i) It is difficult to make a minute glass lens
(ii) It is difficult to join and align the optical part and glass lens
(iii) There is a problem that interface peeling occurs due to a difference in linear expansion coefficient between glass and mold resin due to thermal stress. In addition, when a glass lens larger than the optical part of the optical semiconductor element is used, the glass lens is also applied to the electrode close to the optical part of the optical semiconductor element, which makes it impossible to perform wire bonding.

また別の方法として、特許文献２(図６)に開示されているように、リードフレームにボンディングワイヤーにより電気的に接続された半導体素子を第１の封止樹脂で被覆し、さらにこの第１の封止樹脂の外周部を第２の封止樹脂により被覆するような構造において、第１の封止樹脂の線膨張率よりも、第２の封止樹脂の線膨張率を小さくした樹脂を用い、熱ストレスによる封止樹脂間の剥離を低減させる手法も考えられているが、第１の封止樹脂の線膨張係数が第２の封止樹脂の線膨張係数より大きいことから、第２の封止樹脂形成時の熱により、第１の封止樹脂が膨張した状態で成形され、成形後の冷却時に第１の封止樹脂の収縮が第２の封止樹脂に比べ大きくなり、樹脂界面に剥離が発生し、耐湿性等の信頼性の低下という問題が発生する。
特開２０００−１７３９４７号公報 特開平４−９２４５９号公報 As another method, as disclosed in Patent Document 2 (FIG. 6), a semiconductor element electrically connected to a lead frame by a bonding wire is covered with a first sealing resin, and the first sealing resin is used. In a structure in which the outer peripheral portion of the sealing resin is covered with the second sealing resin, a resin in which the linear expansion coefficient of the second sealing resin is smaller than the linear expansion coefficient of the first sealing resin. A method for reducing the peeling between the sealing resins due to thermal stress is also considered, but the second expansion coefficient of the first sealing resin is larger than that of the second sealing resin. The first sealing resin is molded in an expanded state due to heat at the time of forming the sealing resin, and the shrinkage of the first sealing resin is larger than that of the second sealing resin during cooling after molding. Peeling occurs at the interface, causing problems such as reduced humidity resistance .
JP 2000-173947 A JP-A-4-92459

そこで、この発明の課題は、ＬＥＤやＰＤ等のチップサイズの小さい半導体光素子を利用することができ、信頼性が高く光伝送品質が良好な小型で安価な光半導体装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a small and inexpensive optical semiconductor device that can use a semiconductor optical device having a small chip size such as an LED or PD and that has high reliability and good optical transmission quality. .

上記課題を解決するため、この発明の光半導体装置は、
リードフレームと、
このリードフレームに配置される光半導体素子と、
この光半導体素子の受光または発光を行う部分を少なくとも覆うシリコーン樹脂部と、
このシリコーン樹脂部の一部を露出する孔部を有すると共に、このシリコーン樹脂部の他の部分および上記光半導体素子を封止する第１のモールド樹脂部と、
上記シリコーン樹脂部の一部および上記第１のモールド樹脂部の少なくとも一部を封止すると共に、上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有し、かつ、透光性を有する第２のモールド樹脂部と
を備えることを特徴としている。 In order to solve the above problems, an optical semiconductor device of the present invention is
A lead frame;
An optical semiconductor element disposed on the lead frame;
A silicone resin portion that covers at least a portion that receives or emits light from the optical semiconductor element;
A first mold resin part for sealing the other part of the silicone resin part and the optical semiconductor element, and having a hole part for exposing a part of the silicone resin part;
A part of the silicone resin part and at least a part of the first mold resin part are sealed, and has a linear expansion coefficient larger than the linear expansion coefficient of the first mold resin part, and is transparent. And a second mold resin part having a property.

この発明の光半導体装置によれば、上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数を、上記第２のモールド樹脂部の線膨張係数よりも小さくすることによって、上記第１のモールド樹脂部と、上記リードフレームおよび上記光半導体素子との線膨張係数の差異を小さくすることが可能となる。これによって、熱ストレスによるボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等が発生しない。   According to the optical semiconductor device of the present invention, by making the linear expansion coefficient of the first mold resin portion smaller than the linear expansion coefficient of the second mold resin portion, the first mold resin portion, The difference in coefficient of linear expansion between the lead frame and the optical semiconductor element can be reduced. As a result, disconnection of the bonding wire and package cracks due to thermal stress do not occur.

また、上記シリコーン樹脂部の一部を、上記第１のモールド樹脂部で封止せず、上記第２のモールド樹脂部のみで封止するようにしたことにより、上記第１のモールド樹脂部内での光の散乱を低減できる。つまり、上記第１のモールド樹脂部を通過しない光路を形成できる。   Further, a part of the silicone resin portion is not sealed with the first mold resin portion, but only with the second mold resin portion. Light scattering can be reduced. That is, an optical path that does not pass through the first mold resin portion can be formed.

また、上記第１のモールド樹脂部は、孔部を有するので、この孔部によって、上記シリコーン樹脂部の一部の大きさを規定できる。そして、この孔部の開口の大きさや形状を、予め一定に、設定することで、複数の光半導体装置を製造するときに、各孔部の開口のバラツキを抑えることができる。つまり、上記孔部から露出する上記シリコーン樹脂部の一部の大きさのバラツキを抑えて、送信または受信時に一定の光量を得ることができる。   Further, since the first mold resin portion has a hole, the size of a part of the silicone resin portion can be defined by the hole. Then, by setting the size and shape of the opening of the hole to be constant in advance, variation in the opening of each hole can be suppressed when a plurality of optical semiconductor devices are manufactured. That is, it is possible to suppress a variation in the size of a part of the silicone resin portion exposed from the hole portion, and to obtain a certain amount of light during transmission or reception.

したがって、信頼性が高く光伝送品質の良好な光半導体装置を小型で安価に作製することができる。   Therefore, an optical semiconductor device with high reliability and good optical transmission quality can be manufactured in a small size and at low cost.

また、この発明の光半導体装置の製造方法は、
リードフレーム上の光半導体素子の受光または発光を行う部分を、シリコーン樹脂部にて覆う第１の工程と、
このシリコーン樹脂部の一部を露出するような孔部を形成しながら、このシリコーン樹脂部の他の部分および上記光半導体素子を、第１のモールド樹脂部にて封止する第２の工程と、
上記シリコーン樹脂部の一部および上記第１のモールド樹脂部の少なくとも一部を、第２のモールド樹脂部にて封止する第３の工程と
を備えることを特徴としている。 In addition, the method of manufacturing the optical semiconductor device of the present invention includes
A first step of covering a portion that performs light reception or light emission of the optical semiconductor element on the lead frame with a silicone resin portion;
A second step of sealing the other part of the silicone resin part and the optical semiconductor element with the first mold resin part while forming a hole that exposes a part of the silicone resin part; ,
And a third step of sealing a part of the silicone resin part and at least a part of the first mold resin part with a second mold resin part.

この発明の光半導体装置の製造方法によれば、このシリコーン樹脂部の一部を露出するような孔部を形成しながら、このシリコーン樹脂部の他の部分および上記光半導体素子を、第１のモールド樹脂部にて封止するので、この孔部によって、上記シリコーン樹脂部の一部の大きさを規定できる。そして、この孔部の開口の大きさや形状を、予め一定に、設定することで、複数の光半導体装置を製造するときに、各孔部の開口のバラツキを抑えることができる。つまり、上記孔部から露出する上記シリコーン樹脂部の一部の大きさのバラツキを抑えて、送信または受信時に一定の光量を得ることができる。   According to the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, while forming a hole that exposes a part of the silicone resin portion, the other portion of the silicone resin portion and the optical semiconductor element are Since sealing is performed by the mold resin portion, the size of a part of the silicone resin portion can be defined by the hole portion. Then, by setting the size and shape of the opening of the hole to be constant in advance, variation in the opening of each hole can be suppressed when a plurality of optical semiconductor devices are manufactured. That is, it is possible to suppress a variation in the size of a part of the silicone resin portion exposed from the hole portion, and to obtain a certain amount of light during transmission or reception.

また、上記シリコーン樹脂部の一部を、上記第１のモールド樹脂部にて封止せず、上記第２のモールド樹脂部のみにて封止するようにしたので、上記第１のモールド樹脂部内での光の散乱を低減できる。つまり、上記第１のモールド樹脂部を通過しない光路を形成できる。   Further, since a part of the silicone resin portion is not sealed with the first mold resin portion, but only with the second mold resin portion, the silicone resin portion is sealed within the first mold resin portion. Can be reduced. That is, an optical path that does not pass through the first mold resin portion can be formed.

したがって、信頼性が高く光伝送品質の良好な光半導体装置を小型で安価に作製することができる。   Therefore, an optical semiconductor device with high reliability and good optical transmission quality can be manufactured in a small size and at low cost.

また、この発明の電子機器は、上記光半導体装置を備えることを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus comprising the above optical semiconductor device.

この発明の電子機器によれば、信頼性の高い光伝送品質の良好な上記光半導体装置を備えるので、品質の高い安価な電子機器が製造することが可能となる。   According to the electronic apparatus of the present invention, since the optical semiconductor device having the high reliability and good optical transmission quality is provided, it is possible to manufacture an inexpensive electronic apparatus with high quality.

この発明の光半導体装置によれば、ＰＤやＬＥＤのようにサイズの小さい光半導体素子を用いた光半導体装置においても、信頼性が高く光伝送品質の良好な光半導体装置が小型で安価に製造することが可能となる。   According to the optical semiconductor device of the present invention, even in an optical semiconductor device using a small-sized optical semiconductor element such as a PD or LED, an optical semiconductor device with high reliability and good optical transmission quality is manufactured in a small size and at low cost. It becomes possible to do.

以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

図１は、この発明の光半導体装置の一実施形態である概略的な断面図を示している。この光半導体装置は、図１に示すように、リードフレーム１上に光半導体素子２およびこの光半導体素子２を駆動・制御するためのＩＣ５を導電性接着ペースト３により接着して実装している。また、上記光半導体素子２および上記ＩＣ５は、ワイヤー４を介して、上記リードフレーム１に電気的に接続している。   FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of an optical semiconductor device according to the present invention. In this optical semiconductor device, as shown in FIG. 1, an optical semiconductor element 2 and an IC 5 for driving and controlling the optical semiconductor element 2 are bonded and mounted on a lead frame 1 with a conductive adhesive paste 3. . The optical semiconductor element 2 and the IC 5 are electrically connected to the lead frame 1 through wires 4.

そして、耐寒性を有するシリコーン樹脂を用いて上記光半導体素子２をコートして、シリコーン樹脂部１３を形成している。なお、このシリコーン樹脂部１３は、上記光半導体素子２の受光または発光を行う部分を少なくとも覆っていればよい。   The optical semiconductor element 2 is coated with a cold-resistant silicone resin to form the silicone resin portion 13. The silicone resin portion 13 only needs to cover at least a portion that receives or emits light from the optical semiconductor element 2.

上記シリコーン樹脂部１３の一部を除いた上記シリコーン樹脂部１３の他の部分、上記光半導体素子２および上記ＩＣ５を、１層目の第１のモールド樹脂部１４にて封止している。すなわち、この第１のモールド樹脂部１４は、上記シリコーン樹脂部１３の一部を露出する孔部１６を有する。   The other part of the silicone resin part 13 excluding a part of the silicone resin part 13, the optical semiconductor element 2 and the IC 5 are sealed with a first mold resin part 14 of the first layer. That is, the first mold resin portion 14 has a hole 16 that exposes a part of the silicone resin portion 13.

この第１のモールド樹脂部１４は、例えば、透明性は低いが線膨張係数が小さいエポキシ樹脂である。具体的には、この第１のモールド樹脂部１４は、フィラーを含有したフェノール系エポキシ樹脂である。   The first mold resin portion 14 is, for example, an epoxy resin that has low transparency but a small linear expansion coefficient. Specifically, the first mold resin portion 14 is a phenolic epoxy resin containing a filler.

上記シリコーン樹脂部１３の一部および上記第１のモールド樹脂部１４の外周部を、２層目の第２のモールド樹脂部１５にて封止している。この第２のモールド樹脂部１５は、上記第１のモールド樹脂部１４の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有し、かつ、透光性を有している。この第２のモールド樹脂部１５は、例えば、透明性の高いフィラーを含有した酸無水系エポキシ樹脂である。すなわち、上記光半導体装置は、２層モールド構造を形成している。   A part of the silicone resin portion 13 and the outer peripheral portion of the first mold resin portion 14 are sealed with a second mold resin portion 15 of the second layer. The second mold resin portion 15 has a linear expansion coefficient larger than the linear expansion coefficient of the first mold resin portion 14 and has translucency. The second mold resin portion 15 is, for example, an acid anhydride epoxy resin containing a highly transparent filler. That is, the optical semiconductor device has a two-layer mold structure.

上記第２のモールド樹脂部１５には、レンズ１０が形成されている。このレンズ１０に対向するように、光ファイバーケーブル１１が配置されている。そして、上記光半導体素子２と上記光ファイバーケーブル１１とを結ぶ光軸上に、上記第１のモールド樹脂部１４はなく、上記シリコーン樹脂部１３および上記第２のモールド樹脂部１５（上記レンズ１０）がある。   A lens 10 is formed on the second mold resin portion 15. An optical fiber cable 11 is disposed so as to face the lens 10. And there is no said 1st mold resin part 14 on the optical axis which connects the said optical semiconductor element 2 and the said optical fiber cable 11, The said silicone resin part 13 and the said 2nd mold resin part 15 (the said lens 10). There is.

上記構成の光半導体装置によれば、上記第１のモールド樹脂部１４の線膨張係数を、上記第２のモールド樹脂部１５の線膨張係数よりも小さくすることによって、上記第１のモールド樹脂部１４と、上記リードフレーム１および上記光半導体素子２との線膨張係数の差異を小さくすることが可能となる。これによって、熱ストレスによるボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等が発生しない。   According to the optical semiconductor device configured as described above, the first mold resin portion is formed by making the linear expansion coefficient of the first mold resin portion 14 smaller than the linear expansion coefficient of the second mold resin portion 15. 14, and the difference in linear expansion coefficient between the lead frame 1 and the optical semiconductor element 2 can be reduced. As a result, disconnection of the bonding wire and package cracks due to thermal stress do not occur.

また、上記耐寒性を有するシリコーン樹脂部１３により上記光半導体素子２を覆うことによって、低温時にも上記シリコーン樹脂部１３の弾性が保たれることによりボンディングされた上記ワイヤー４にかかる応力を低減できる。   Further, by covering the optical semiconductor element 2 with the cold-resistant silicone resin part 13, the elasticity of the silicone resin part 13 is maintained even at a low temperature, so that the stress applied to the bonded wire 4 can be reduced. .

また、上記シリコーン樹脂部１３の一部を、上記第１のモールド樹脂部１４で封止せず、上記第２のモールド樹脂部１５のみで封止するようにしたことにより、上記第１のモールド樹脂部１４内での光の散乱を低減できる。つまり、上記第１のモールド樹脂部１４を通過しない光路を形成できる。   Further, a part of the silicone resin portion 13 is not sealed with the first mold resin portion 14, but only with the second mold resin portion 15. Light scattering in the portion 14 can be reduced. That is, an optical path that does not pass through the first mold resin portion 14 can be formed.

また、上記第１のモールド樹脂部１４は、上記孔部１６を有するので、この孔部１６によって、上記シリコーン樹脂部１３の一部の大きさを規定できる。そして、この孔部１６の開口の大きさや形状を、予め一定に、設定することで、複数の光半導体装置を製造するときに、各孔部１６の開口のバラツキを抑えることができる。つまり、上記孔部１６から露出する上記シリコーン樹脂部１３の一部の大きさのバラツキを抑えて、送信または受信時に一定の光量を得ることができる。   Further, since the first mold resin portion 14 has the hole portion 16, the size of a part of the silicone resin portion 13 can be defined by the hole portion 16. Then, by setting the size and shape of the opening of the hole 16 to be constant in advance, variations in the opening of each hole 16 can be suppressed when manufacturing a plurality of optical semiconductor devices. That is, it is possible to suppress a variation in the size of a part of the silicone resin portion 13 exposed from the hole portion 16 and obtain a constant light amount at the time of transmission or reception.

したがって、信頼性が高く光伝送品質の良好な光半導体装置を小型で安価に作製することができる。   Therefore, an optical semiconductor device with high reliability and good optical transmission quality can be manufactured in a small size and at low cost.

次に、上記光半導体装置の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device will be described.

まず、上記リードフレーム１上の上記光半導体素子２の受光または発光を行う部分を、上記シリコーン樹脂部１３にて覆う。   First, the silicone resin portion 13 covers a portion of the lead frame 1 where the optical semiconductor element 2 receives or emits light.

その後、このシリコーン樹脂部１３の一部を露出するような上記孔部１６を形成（確保）しながら、このシリコーン樹脂部１３の一部を除いた上記シリコーン樹脂部１３の他の部分および上記光半導体素子２を、上記第１のモールド樹脂部１４にて封止する。   Then, while forming (securing) the hole 16 so as to expose a part of the silicone resin part 13, the other part of the silicone resin part 13 except the part of the silicone resin part 13 and the light The semiconductor element 2 is sealed with the first mold resin portion 14.

そして、上記シリコーン樹脂部１３の一部および上記第１のモールド樹脂部１４の少なくとも一部を、上記第２のモールド樹脂部１５にて封止する。   Then, a part of the silicone resin part 13 and at least a part of the first mold resin part 14 are sealed with the second mold resin part 15.

このように、上記シリコーン樹脂部１３の一部を露出するような上記孔部１６を形成しながら、上記シリコーン樹脂部１３の他の部分および上記光半導体素子２を、上記第１のモールド樹脂部１４にて封止するので、この孔部１６によって、上記シリコーン樹脂部１３の一部の大きさを規定できる。   Thus, while forming the hole 16 so as to expose a part of the silicone resin portion 13, the other portions of the silicone resin portion 13 and the optical semiconductor element 2 are connected to the first mold resin portion. 14, the size of a part of the silicone resin portion 13 can be defined by the hole portion 16.

この孔部１６の開口の大きさや形状を、予め一定に、設定することで、複数の光半導体装置を製造するときに、各光半導体装置における上記シリコーン樹脂部１３の一部の大きさのバラツキを抑えることができる。   By setting the size and shape of the opening of the hole 16 to be constant in advance, when manufacturing a plurality of optical semiconductor devices, the size of a part of the silicone resin portion 13 in each optical semiconductor device varies. Can be suppressed.

例えば、図２Ａに示すように、上記光半導体素子２をコートする上記シリコーン樹脂部１３の量が少ない場合、上記孔部１６の深さは、深くなる。一方、図３Ａに示すように、上記光半導体素子２をコートする上記シリコーン樹脂部１３の量が多い場合、上記孔部１６の深さは、浅くなる。   For example, as shown in FIG. 2A, when the amount of the silicone resin portion 13 that coats the optical semiconductor element 2 is small, the depth of the hole portion 16 becomes deep. On the other hand, as shown in FIG. 3A, when the amount of the silicone resin portion 13 that coats the optical semiconductor element 2 is large, the depth of the hole portion 16 becomes shallow.

しかし、図２Ｂに示すように、上記シリコーン樹脂部１３の量が少ないとき（図２Ａ）の上記孔部１６の開口の径の大きさは、図３Ｂに示すように、上記シリコーン樹脂部１３の量が多いとき（図３Ａ）の上記孔部１６の開口の径の大きさと、同じである。   However, as shown in FIG. 2B, when the amount of the silicone resin portion 13 is small (FIG. 2A), the size of the opening diameter of the hole portion 16 is as shown in FIG. 3B. This is the same as the diameter of the opening of the hole 16 when the amount is large (FIG. 3A).

このように、上記シリコーン樹脂部１３の量に関わらず、上記孔部１６の開口の径の大きさを一定にできるので、複数の光半導体装置を製造するときに、一定の大きさの光路を形成できて、一定の光量を得ることができる。   As described above, since the size of the opening diameter of the hole 16 can be made constant regardless of the amount of the silicone resin portion 13, when manufacturing a plurality of optical semiconductor devices, an optical path having a constant size is used. It can be formed and a certain amount of light can be obtained.

要するに、上記シリコーン樹脂部１３を上記第１のモールド樹脂部１４（または上記第２のモールド樹脂部１５）にて単に覆っただけでは、上記光半導体素子２から上記光ファイバーケーブル１１への光量、または、上記光ファイバーケーブル１１から上記光半導体素子２への光量は、上記シリコーン樹脂部１３の大きさや形状に左右される。   In short, if the silicone resin portion 13 is simply covered with the first mold resin portion 14 (or the second mold resin portion 15), the amount of light from the optical semiconductor element 2 to the optical fiber cable 11, or The amount of light from the optical fiber cable 11 to the optical semiconductor element 2 depends on the size and shape of the silicone resin portion 13.

しかし、本発明のように、上記孔部１６を確保しながら、上記シリコーン樹脂部１３の一部を除いた上記シリコーン樹脂部１３の他の部分を、上記第１のモールド樹脂部１４にて封止することで、上記光半導体素子２から上記光ファイバーケーブル１１への光量、または、上記光ファイバーケーブル１１から上記光半導体素子２への光量は、上記孔部１６の開口の大きさや形状に左右されて、上記シリコーン樹脂部１３の大きさや形状に左右されない。   However, as in the present invention, the other portion of the silicone resin portion 13 excluding a part of the silicone resin portion 13 is sealed by the first mold resin portion 14 while securing the hole portion 16. By stopping, the amount of light from the optical semiconductor element 2 to the optical fiber cable 11 or the amount of light from the optical fiber cable 11 to the optical semiconductor element 2 depends on the size and shape of the opening of the hole 16. The size and shape of the silicone resin portion 13 are not affected.

近年、光半導体装置を備えた電子機器(デジタルＴＶ、デジタルＢＳチューナ、ＣＳチューナ、ＤＶＤプレーヤー、ＣＤプレーヤー、ＡＶアンプ、オーディオ、パソコン、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ等)はコスト競争が激しく、搭載部品に対しての価格ダウン要求は厳しさを増している。   In recent years, electronic devices equipped with optical semiconductor devices (digital TVs, digital BS tuners, CS tuners, DVD players, CD players, AV amplifiers, audio, personal computers, personal computer peripherals, mobile phones, PDAs, etc.) have been cost competitive. The demand for price reductions for on-board components is becoming stricter.

また、車載用のカーオーディオ、カーナビゲーション、センサー,制御機器やＦＡ用のロボットのセンサー、制御用機器等、動作温度範囲の厳しい電子機器にも光半導体装置の搭載が進んでいる。   In addition, optical semiconductor devices have been increasingly installed in electronic devices having a strict operating temperature range such as in-car car audio, car navigation, sensors, control devices, FA robot sensors, control devices, and the like.

この発明は、そうした電子機器に対して、信頼性の高い光伝送品質の良好な光半導体装置を安価に提供できることにより、品質の高い安価な電子機器が製造することが可能となる。   According to the present invention, an optical semiconductor device with high reliability and good optical transmission quality can be provided to such an electronic device at a low cost, so that an inexpensive electronic device with a high quality can be manufactured.

この発明の光半導体装置の一実施形態を示す概略的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an optical semiconductor device of the present invention. 他の光半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of another optical semiconductor device. 第１のモールド樹脂部の平面図である。It is a top view of the 1st mold resin part. 別の光半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of another optical semiconductor device. 第１のモールド樹脂部の平面図である。It is a top view of the 1st mold resin part. 従来の光半導体装置の概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional optical semiconductor device. 従来の他の光半導体装置の概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing of the other conventional optical semiconductor device. 従来の別の光半導体装置の概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing of another conventional optical semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

１,１０１,２０１,３０１ リードフレーム
２,１０２,２０２,３０２ 光半導体素子
３,１０３,２０３,３０３ 導電性接着ペースト
４,１０４,２０４,３０４ ワイヤー
５,１０５ ＩＣ
１０６ 透光性の透明樹脂
１０，１１０ レンズ
１１,１１１,２１１ 光ファイバーケーブル
１３ シリコーン樹脂部
１４ 第１のモールド樹脂部
１５ 第２のモールド樹脂部
１６ 孔部
２０７ モールド樹脂部
２１２ ガラスレンズ
３０８ 第１の封止樹脂部
３０９ 第２の封止樹脂部 1,101,201,301 Lead frame 2,102,202,302 Optical semiconductor element 3,103,203,303 Conductive adhesive paste 4,104,204,304 Wire 5,105 IC
106 Translucent transparent resin 10, 110 Lens 11, 111, 211 Optical fiber cable 13 Silicone resin part 14 First mold resin part 15 Second mold resin part 16 Hole part 207 Mold resin part 212 Glass lens 308 First Sealing resin portion 309 Second sealing resin portion

Claims (3)

リードフレームと、
このリードフレームに配置される光半導体素子と、
この光半導体素子の受光または発光を行う部分を少なくとも覆うシリコーン樹脂部と、
このシリコーン樹脂部の一部を露出する孔部を有すると共に、このシリコーン樹脂部の他の部分および上記光半導体素子を封止する第１のモールド樹脂部と、
上記シリコーン樹脂部の一部および上記第１のモールド樹脂部の少なくとも一部を封止すると共に、上記第１のモールド樹脂部の線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有し、かつ、透光性を有する第２のモールド樹脂部と
を備えることを特徴とする光半導体装置。 A lead frame;
An optical semiconductor element disposed on the lead frame;
A silicone resin portion that covers at least a portion that receives or emits light from the optical semiconductor element;
A first mold resin part for sealing the other part of the silicone resin part and the optical semiconductor element, and having a hole part for exposing a part of the silicone resin part;
A part of the silicone resin part and at least a part of the first mold resin part are sealed, and has a linear expansion coefficient larger than the linear expansion coefficient of the first mold resin part, and is transparent. An optical semiconductor device comprising: a second mold resin portion having a property. リードフレーム上の光半導体素子の受光または発光を行う部分を、シリコーン樹脂部にて覆う第１の工程と、
このシリコーン樹脂部の一部を露出するような孔部を形成しながら、このシリコーン樹脂部の他の部分および上記光半導体素子を、第１のモールド樹脂部にて封止する第２の工程と、
上記シリコーン樹脂部の一部および上記第１のモールド樹脂部の少なくとも一部を、第２のモールド樹脂部にて封止する第３の工程と
を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 A first step of covering a portion that performs light reception or light emission of the optical semiconductor element on the lead frame with a silicone resin portion;
A second step of sealing the other part of the silicone resin part and the optical semiconductor element with the first mold resin part while forming a hole that exposes a part of the silicone resin part; ,
And a third step of sealing at least a part of the silicone resin part and at least a part of the first mold resin part with a second mold resin part. . 請求項１に記載の光半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the optical semiconductor device according to claim 1.
JP2005109735A 2004-09-16 2005-04-06 Optical semiconductor device, optical semiconductor device manufacturing method, and electronic apparatus Expired - Fee Related JP4041820B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005109735A JP4041820B2 (en) 2005-04-06 2005-04-06 Optical semiconductor device, optical semiconductor device manufacturing method, and electronic apparatus
DE102005043928A DE102005043928B4 (en) 2004-09-16 2005-09-14 Optical semiconductor device and method for its production
TW094131909A TWI289346B (en) 2004-09-16 2005-09-15 Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment
US11/226,434 US7425727B2 (en) 2004-09-16 2005-09-15 Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005109735A JP4041820B2 (en) 2005-04-06 2005-04-06 Optical semiconductor device, optical semiconductor device manufacturing method, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006294681A true JP2006294681A (en) 2006-10-26
JP4041820B2 JP4041820B2 (en) 2008-02-06

Family

ID=37414960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005109735A Expired - Fee Related JP4041820B2 (en) 2004-09-16 2005-04-06 Optical semiconductor device, optical semiconductor device manufacturing method, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4041820B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173562A (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp Optical semiconductor device and electronic device having same
JP2009302221A (en) * 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp Electronic device, and method of manufacturing the same
KR20120072629A (en) * 2010-12-24 2012-07-04 삼성엘이디 주식회사 Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR20160046198A (en) * 2014-10-20 2016-04-28 엘지이노텍 주식회사 A light emitting device package
JP6297741B1 (en) * 2017-03-31 2018-03-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 Optical device and manufacturing method thereof
JP2019117850A (en) * 2017-12-27 2019-07-18 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method of manufacturing the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173562A (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp Optical semiconductor device and electronic device having same
JP2009302221A (en) * 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp Electronic device, and method of manufacturing the same
KR20120072629A (en) * 2010-12-24 2012-07-04 삼성엘이디 주식회사 Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR101626412B1 (en) * 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR20160046198A (en) * 2014-10-20 2016-04-28 엘지이노텍 주식회사 A light emitting device package
KR102301869B1 (en) 2014-10-20 2021-09-15 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 A light emitting device package
JP6297741B1 (en) * 2017-03-31 2018-03-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 Optical device and manufacturing method thereof
US10529885B2 (en) 2017-03-31 2020-01-07 Asahi Kasei Microdevices Corporation Optical device and method for manufacturing the same
JP2019117850A (en) * 2017-12-27 2019-07-18 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method of manufacturing the same
JP7037044B2 (en) 2017-12-27 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4041820B2 (en) 2008-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7425727B2 (en) Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment
JP4181515B2 (en) Optical semiconductor device and electronic device using the same
US7300217B2 (en) Optical semiconductor device, optical connector and electronic equipment
JP4041824B2 (en) Optical semiconductor device and electronic equipment
US9019421B2 (en) Method of manufacturing a miniaturization image capturing module
JP4370158B2 (en) Optical coupler and electronic device using the same
JP4041820B2 (en) Optical semiconductor device, optical semiconductor device manufacturing method, and electronic apparatus
JP4955953B2 (en) Optical semiconductor device and electronic equipment
US8120128B2 (en) Optical device
JP2008092417A (en) Semiconductor imaging element, its manufacturing method, semiconductor imaging apparatus, and semiconductor imaging module
JP2001290056A (en) Platform, optical module, method for manufacturing these and optical transmission device
US6693364B2 (en) Optical integrated circuit element package and process for making the same
JP2000173947A (en) Plastic package
US20120138961A1 (en) Semiconductor package structure and manufacturing method thereof
JP4768433B2 (en) Optical semiconductor device and electronic apparatus equipped with the same
US20130026589A1 (en) Miniaturization active sensing module and method of manufacturing the same
JP2009111334A (en) Optical device and method of manufacturing the same, and semiconductor device
JP4730135B2 (en) Image sensor package
JP4681648B2 (en) Resin sealing module, optical module, and resin sealing method
JP2007180275A (en) Optical semiconductor device and electronic device
JP2006108361A (en) Optical device, optical connector and electronic apparatus
US20080061313A1 (en) Photosensitive chip package
JP2007059786A (en) Semiconductor element, lead frame used thereon, and electronic apparatus using the same
JP2006179804A (en) Optical semiconductor device and electronic equipment
JP2006147916A (en) Optical device and optical equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071112

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees