JP2006287250A - 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006287250A JP2006287250A JP2006148231A JP2006148231A JP2006287250A JP 2006287250 A JP2006287250 A JP 2006287250A JP 2006148231 A JP2006148231 A JP 2006148231A JP 2006148231 A JP2006148231 A JP 2006148231A JP 2006287250 A JP2006287250 A JP 2006287250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- drain
- dmosfet
- drain contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板11上に形成されたN型半導体層からなるドレイン領域13と、ドレイン領域13内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域15と、ボディ領域15内に形成されたN型ソース領域16と、ボディ領域15表面に形成されたゲート電極21とを含み、前記ドレイン領域13内に、ドレイン領域表面に形成されたN+型ドレインコンタクト領域18を形成すると共に、前記N+型ドレインコンタクト領域18に囲まれた領域に形成され、前記N+型ドレインコンタクト領域18と同電位となるように電気的に接続されたP型領域19を具備してなることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
図5に従来の横型二重拡散MOSFETの斜視的断面図を示す。この横型二重拡散MOSFET(以下、L−DMOSFETと記す。)は、P型半導体基板101上に、N+型埋込領域102を介して、N型半導体層をエピタキシャル成長させることによりドレイン領域103が形成されている。そして、ドレイン領域103に、N型不純物を拡散することによりN+型ドレインコンタクト領域104が形成され、P型不純物を拡散することによりボディ領域105が形成されている。ボディ領域105の表面部には、ボディ領域105の外縁から一定の間隙を隔ててN+型ソース領域106が形成され、さらにN+型ソース領域106の内側にはP+型領域107が形成されている。N+型ソース領域106とN+型ドレインコンタクト領域104との間にはドリフトチャネル領域が形成されている。そして、N+型ソース領域106の外縁部からドリフトチャネル領域の内縁部にかけての表面部分を覆うようにしてゲート酸化膜を介してゲート電極が設けられている。
したがって、本発明のL−DMOSFETによれば、寄生NPNトランジスタの利得を下げる必要がないため、L−DMOSFET本来の特性を損なうことなく、また破壊耐量を向上させるために保護回路等を設ける必要がないため、素子面積の増大を招くことなく、高い静電破壊耐量を得ることができる。
この構成によれば、このドレイン電極により前記N+型ドレインコンタクト領域とP型領域とが電気的に接触せしめられ、電極のひきまわしのみで容易に同電位とすることが可能となる。
すなわち、前記N+型ドレインコンタクト領域を前記N型ソース領域に沿って等間隔に複数カ所切り欠き、その切り欠いた部分に前記P+型領域を設けることが望ましい。
さらに望ましくは、前記N+型ドレインコンタクト領域は、ゲート側に歯が位置するように形成された、くし歯状をなすように形成する。
この構成によれば、N+型ドレインコンタクト領域内にP+型領域を設けて、容易にサイリスタを寄生させることができる。
この構成によれば、従来のL−DMOSFETと同じドリフト長でも十分高いパンチスルー降伏耐圧を確保することができる。したがって、素子面積の増大を招くことなく、従来のL−DMOSFET特性を維持したまま、静電破壊耐圧を大幅に向上させることができる。
この構成によれば、容易にサイリスタを寄生させることができるとともに、P+型領域のボディ領域側の端部が、N+型ドレインコンタクト領域のボディ領域側の端部よりもボディ領域から離間(セットバック)した状態になるため、従来のL−DMOSFETと同じドリフト長でも十分高いパンチスルー降伏耐圧を確保することができる。したがって、素子面積の増大を招くことなく、従来のL−DMOSFET特性を維持したまま、静電破壊耐圧を大幅に向上させることができる。
この構成によれば、パンチスルー耐圧をさらに向上させ、オン抵抗をさらに低くすることができる。
すなわち、半導体基板と、前記半導体基板表面に形成されたN型半導体領域からなるドレイン領域と、前記ドレイン領域内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域と、前記ボディ領域内に形成されたN型ソース領域と、前記ボディ領域表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ドレイン領域内に、ドレイン領域表面に形成されたN+型ドレインコンタクト領域、および前記N+型ドレインコンタクト領域と同電位となるように電気的に接続されたP型領域と、N+型ドレインコンタクト領域から前記P型領域表面まで延在せしめられたドレイン電極と、前記N型ソース領域にコンタクトするように形成されたソース電極とを含むことを特徴とする。
望ましくは、ソース電極は、前記P型ボディ領域表面まで延在するように形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、他の素子と共に集積されるL−DMOSFETのドリフト長やP+型領域のセットバック長を変更することにより、そのL−DMOSFETの降伏耐圧を容易に調整することができるため、他の素子の耐圧に合わせた保護素子としてL−DMOSFETを備えた半導体装置を得ることができる。
図3は本発明の実施の形態1を示すL−DMOSFETの斜視的断面図である。この例では、ドレイン側のN+型ドレインコンタクト領域18を等間隔に所々切り欠いた構造とするのではなく、N+型ドレインコンタクト領域18を等間隔に所々くり抜いた構造とし、そのくり抜いた部分にP+型領域19を埋め込むことにより、N+型ドレインコンタクト領域18で囲まれた領域にP+型領域19を形成している。この図3の構成によっても、図1に示した実施の形態のL−DMOSFETと同様の効果を得ることができる。
この構成によれば、他の素子26と共に集積されるL−DMOSFET10のドリフト長dやP+型領域19のセットバック長を変更することにより、L−DMOSFET10の降伏耐圧を簡単に調節することができるため、L−DMOSFET10を他の素子26の耐圧に合わせた保護素子として利用することができる。
11 P型半導体基板
12 N+型埋込領域
13 ドレイン領域(N型半導体層)
14 N−バッファ層
15 ボディ領域
16 N+型ソース領域
17 P+型領域
18 N+型ドレインコンタクト領域
19 P+型領域
22 ドレイン電極
23 ソース電極
25 半導体装置
26 素子
Claims (3)
- 半導体基板上に形成されたN型半導体層からなるドレイン領域と、前記ドレイン領域内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域と、前記ボディ領域内に形成されたN型ソース領域と、前記ボディ領域表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを含み、
前記ドレイン領域内に、ドレイン領域表面に形成されたN+型ドレインコンタクト領域を形成すると共に、
前記N+型ドレインコンタクト領域に囲まれた領域に形成され、前記N+型ドレインコンタクト領域と同電位となるように電気的に接続されたP型領域を具備してなることを特徴とする二重拡散型MOSFET。 - 前記N+型ドレインコンタクト領域にコンタクトするように形成されるドレイン電極は、前記P型領域表面まで延在していることを特徴とする請求項1に記載の二重拡散型MOSFET。
- 前記P型領域および前記N+型ドレインコンタクト領域は、前記ドレイン領域内に形成されたNバッファ層内に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の二重拡散型MOSFET。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006148231A JP2006287250A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006148231A JP2006287250A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002010127A Division JP3824310B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006287250A true JP2006287250A (ja) | 2006-10-19 |
Family
ID=37408732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006148231A Pending JP2006287250A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006287250A (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62131580A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-13 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 高速スイツチング横形絶縁ゲ−トトランジスタ |
JPS6380569A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型横型mos−fet |
JPH027473A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Toshiba Corp | 導電変調型mosfet |
JPH04174562A (ja) * | 1990-02-14 | 1992-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型misfetを備えた半導体装置 |
JPH05198800A (ja) * | 1991-03-12 | 1993-08-06 | Power Integrations Inc | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JPH07122738A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nissan Motor Co Ltd | 横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH08227999A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法並びに半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH09148574A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JP2001320047A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002094063A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2006
- 2006-05-29 JP JP2006148231A patent/JP2006287250A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62131580A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-13 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 高速スイツチング横形絶縁ゲ−トトランジスタ |
JPS6380569A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型横型mos−fet |
JPH027473A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Toshiba Corp | 導電変調型mosfet |
JPH04174562A (ja) * | 1990-02-14 | 1992-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型misfetを備えた半導体装置 |
JPH05198800A (ja) * | 1991-03-12 | 1993-08-06 | Power Integrations Inc | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JPH07122738A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nissan Motor Co Ltd | 横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH08227999A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法並びに半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH09148574A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JP2001320047A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002094063A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3824310B2 (ja) | 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2942732B2 (ja) | 短絡アノード水平型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP5504235B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6668697B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN108292676A (zh) | 碳化硅半导体装置 | |
JPH10233508A (ja) | “スナップ・バック”から保護されたdmosトランジスタ | |
US20090179273A1 (en) | Semiconductor device | |
US10211331B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2014112625A (ja) | 電力半導体素子およびその製造方法 | |
JP7127389B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP2007115888A (ja) | 半導体装置 | |
US20160172352A1 (en) | Power Semiconductor Device with Improved Stability and Method for Producing the Same | |
US8421157B2 (en) | Semiconductor device | |
US20230042174A1 (en) | Semiconductor device | |
US11764209B2 (en) | Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture | |
JP6964564B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006287250A (ja) | 二重拡散型mosfetおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2005332886A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007295543A (ja) | スイッチング回路 | |
JP5292157B2 (ja) | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JP2021103731A (ja) | 半導体装置および集積回路 | |
JP4218512B2 (ja) | 半導体装置 | |
US5763902A (en) | Insulated gate bipolar transistor having a trench and a method for production thereof | |
JP2013191597A (ja) | 半導体装置 | |
CN112768521B (zh) | 横向双扩散金属氧化物半导体器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20071129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100415 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20110615 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |