JP2006276358A - Liquid crystal apparatus and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、画素スイッチング素子に薄膜ダイオード(TFD)を用いた液晶装置及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus using a thin film diode (TFD) as a pixel switching element.
近年、コンピュータや携帯電話等の電子機器の画像表示手段として液晶装置が用いられており、一般的には、一対の基板間に、TN(ツイステッドネマチック)液晶等からなる液晶層が挟持された構成が適用されている。しかし、この種の液晶装置では、視角が狭いという問題があったため、最近では視角が広い垂直配向モード(VAモード)の液晶装置が使われるようになっている。
一方、アクティブマトリクス型の液晶装置として、第1導電膜/絶縁膜/第2導電膜の積層構造(MIM構造)を備えた薄膜ダイオードを画素スイッチング素子に採用した液晶装置が知られている。上記構造を備えた非線形素子は、高い製造歩留まりが得られ、低コストで製造可能であるため、液晶装置の低コスト化に有効なものである。また、この種の液晶装置においては、蓄積コンデンサの導入によって駆動特性を改善した蓄積コンデンサアドレスダイオード型液晶装置(SCAD型液晶装置)と呼ばれるものも知られている(特許文献1参照)。
したがって、これらの方式を組み合わせることで、表示品位の高い液晶装置を低コストで提供することができる。
On the other hand, as an active matrix type liquid crystal device, a liquid crystal device using a thin film diode having a first conductive film / insulating film / second conductive film laminated structure (MIM structure) as a pixel switching element is known. The non-linear element having the above structure is effective in reducing the cost of the liquid crystal device because a high manufacturing yield is obtained and it can be manufactured at low cost. In addition, this type of liquid crystal device is also known as a storage capacitor addressed diode type liquid crystal device (SCAD type liquid crystal device) whose driving characteristics are improved by introducing a storage capacitor (see Patent Document 1).
Therefore, by combining these methods, a liquid crystal device with high display quality can be provided at low cost.
VAモードでは、液晶が電圧によって倒れる方向を何らかの方法で制御する必要がある。つまり、VAモードを採用した場合には一般にネガ型液晶を用いるが、初期配向状態で液晶分子が基板面に対して垂直に立っているものを、電圧印加により倒すわけであるから、何も工夫をしなければ液晶分子の倒れる方向を制御できず、配向の乱れ(ディスクリネーション)が生じて光抜け等の表示不良が生じ、表示特性を落としてしまう。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、電圧印加時に液晶分子が倒れる方向を制御し、配向不良を生じにくくした垂直配向型の液晶装置と、このような液晶装置を備えた表示品質の高い電子機器を提供することを目的とする。
In the VA mode, it is necessary to control the direction in which the liquid crystal is tilted by the voltage by some method. In other words, when the VA mode is adopted, a negative type liquid crystal is generally used. However, since the liquid crystal molecules in the initial alignment state are standing perpendicular to the substrate surface by voltage application, nothing is devised. Otherwise, the direction in which the liquid crystal molecules are tilted cannot be controlled, resulting in disorder of alignment (disclination), resulting in display defects such as light leakage, and deteriorated display characteristics.
The present invention has been made to solve the above-described problems, and includes a vertical alignment type liquid crystal device which controls the direction in which liquid crystal molecules are tilted when a voltage is applied and hardly causes alignment failure, and such a liquid crystal device. An object is to provide an electronic device with high display quality.
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、互いに交差する方向に延在する走査線及びデータ線と、前記データ線に薄膜ダイオードを介して電気的に接続された画素電極とを有する第1基板と、前記画素電極に対向する対向電極を有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向をとる誘電異方性が負の液晶からなり、前記画素電極は、絶縁膜を介して前記走査線上に設けられており、前記走査線と平面的に重なる部分において保持容量が形成される一方、前記重なる部分には、前記画素電極の一部を除去して形成された電極スリットが設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、画素電極に電極スリットを設けているので、この電極スリットのエッジ部分に生じる横電界によって、液晶の配向方向を制御することができる。この横電界には、画素電極と対向電極との間の電界によって生じるものと、画素電極と走査線との間の電界によって生じるものの双方が含まれるが、特に、後者の横電界は、画素電極と走査線との距離が短いことから、非常に大きな配向制御力を有するものとなる。
In order to solve the above problems, a liquid crystal device according to the present invention includes a scanning line and a data line extending in a direction intersecting each other, and a pixel electrode electrically connected to the data line via a thin film diode. A first substrate; a second substrate having a counter electrode facing the pixel electrode; and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, wherein the liquid crystal layer is in an initial alignment state The pixel electrode is provided on the scanning line via an insulating film, and a storage capacitor is formed in a portion overlapping the scanning line in a plane. On the other hand, the overlapping portion is provided with an electrode slit formed by removing a part of the pixel electrode.
According to this configuration, since the electrode slit is provided in the pixel electrode, the alignment direction of the liquid crystal can be controlled by the lateral electric field generated at the edge portion of the electrode slit. This lateral electric field includes both those generated by the electric field between the pixel electrode and the counter electrode, and those generated by the electric field between the pixel electrode and the scanning line. Since the distance between the scanning line and the scanning line is short, the alignment control power is very large.
本発明においては、前記走査線は、前記画素電極と平面的に重なる部分が他の部分よりも幅広に形成されているものとすることができる。
この構成によれば、画素電極と走査線との間の保持容量が大きくなるため、より安定した駆動特性が得られるようになる。
In the present invention, the scanning line may be formed such that a portion overlapping the pixel electrode in plan view is formed wider than the other portions.
According to this configuration, since the storage capacitance between the pixel electrode and the scanning line is increased, more stable driving characteristics can be obtained.
本発明においては、前記電極スリットは複数設けられているものとすることができる。
この構成によれば、より配向性の優れた液晶装置を提供することができる。
In the present invention, a plurality of electrode slits may be provided.
According to this configuration, it is possible to provide a liquid crystal device with more excellent alignment.
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、良好な表示特性を有する電子機器を提供することができる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described liquid crystal device according to the present invention.
According to this configuration, an electronic device having good display characteristics can be provided.
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each figure, in order to make each layer and each member into a size that can be recognized on the drawing, the scale is varied for each layer and each member.
<液晶装置>
以下に示す本実施の形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード(Thin Film Diode, 以下、TFDと略記する)を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例であり、特に垂直配向タイプの液晶を用いた透過型の液晶表示装置である。
図1は、本実施の形態の液晶装置100についての等価回路を示している。
この液晶装置100は、Y方向に延在する複数のデータ線13と、Y方向と交差するX方向に延在する複数の走査線9とを有する。データ線13はデータ信号駆動回路110により、走査線9は走査信号駆動回路120により駆動される。そして、各画素150において、データ線13と走査線9との間には、TFD素子40、液晶表示要素160(液晶層)及び保持容量5が接続されている。
<Liquid crystal device>
The liquid crystal device of the present embodiment described below is an example of an active matrix type liquid crystal display device using a thin film diode (hereinafter abbreviated as TFD) as a switching element, and is particularly a vertical alignment type liquid crystal device. Is a transmission type liquid crystal display device using
FIG. 1 shows an equivalent circuit for the
The
図2は、1つの画素150についての等価回路を示している。
同図に示されるように、各画素150は、容量Ctfdおよび可変抵抗Rtfdを並列に接続してなるTFD素子40と、保持容量5(容量Cs)とが、データ線13と走査線9との間に直列に接続され、さらに、容量Clcdおよび抵抗Rlcdを並列に接続してなる液晶表示要素160が、保持容量5に対して並列に接続された回路として構成される。この構成においては、データ線13と走査線9とをマトリクスアドレスすることで、各液晶表示要素160に電圧が印加される。等価回路中、液晶表示要素160のTFD素子40とは反対側の端部は、対向電極8に接続されている。対向電極8は、表示領域全面に形成されており、1フレーム内においては一定電圧に保持される。このような構成の液晶装置はSCAD型の液晶装置と呼ばれ、通常のTFD−LCDに比べて良好な駆動特性が得られるものとなる。
FIG. 2 shows an equivalent circuit for one
As shown in the figure, each
次に、図3及び図4に基づいて、液晶装置100の概略構造を説明する。
図3は、液晶装置100の表示領域の平面構成を示す模式図であり、図4は、図3におけるA−A′線から見た断面図である。
Next, a schematic structure of the
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a planar configuration of the display area of the
これらの図に示されるように、液晶装置100は、枠状のシール材(図示略)を介して相互に対向するように貼り合わされた第1基板(素子基板)10と、この第1基板10に対向する第2基板(対向基板)25と、これらの基板の間に挟持された液晶層50とを備えて構成されている。また、第1基板10において液晶層50と反対側には、バックライト等の照明装置(図示略)が配置されている。
As shown in these drawings, the
第1基板10および第2基板25は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する基材10Aおよび25Aを備えている。
第1基板10には、基材10Aのうち液晶層50と対向する面側に、データ線13及び走査線9が形成されている。これらデータ線13及び走査線9は、TaやCr等の導電材料からなる帯状の電極である。また、基材10A上には、データ線13の延在方向に沿って複数の画素電極31が設けられている。これらの画素電極31は、TFD素子40を介してデータ線13と電気的に接続されている。表示領域内には、これらの画素電極31がX方向及びY方向に沿ってマトリクス状に設けられている。画素電極31の下層側(すなわち基材10A側)には、絶縁膜7を介して走査線9が設けられている。走査線9は、画素電極31の中央部を横断するように設けられており、この走査線9と画素電極31とが平面的に重なる部分において、保持容量5が形成されている。この保持容量5は、走査線9を介して画素電極31にデータ信号を供給すると共に、これを一定期間保持する役割を果たす。すなわち、走査線9は、走査信号を供給するための信号配線であると同時に、保持容量5の一方の電極である容量電極としても機能するものとなっている。画素電極31の表面には、ポリイミド等からなる配向膜27が設けられている。配向膜27は、初期配向状態において液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものである。
本実施形態において、各画素電極31が形成された個々の領域が1つの画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎にTFD素子40が具備され、該画素毎に表示が可能な構造になっている。
The
On the
In the present embodiment, each region in which each
一方、第2基板25側には、基材25のうち液晶層50と対向する表面上に対向電極8が形成されている。この対向電極8は、表示領域全体にベタで形成されており、各画素について共通の共通電極として機能する。対向電極8の表面には、ポリイミド等からなる配向膜33が設けられている。配向膜33は、初期配向状態において液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものである。
On the other hand, on the
なお、実際には、第1基板10または第2基板25の表面には、複数色のカラーフィルタや各画素の間隙を遮光するブラックマトリクスが形成されるが、図4や以下に示す各図においてはこれらの要素の図示が省略されている。
Actually, a color matrix of a plurality of colors and a black matrix for shielding the gaps between the pixels are formed on the surface of the
このように構成された基板10,25とシール材とによって囲まれた空間には液晶50が封入されている。液晶層50は、初期配向状態が垂直配向をとる誘電異方性が負の液晶からなる。この液晶層50には、透過率向上のために、液晶材料にカイラル剤を添加しても良い。
次に、図5ないし図7に基づいて、液晶装置100の画素構造を説明する。
図5は、第1基板10のうち液晶層50に対向する表面上に形成された要素の構成を示す平面図である。なお、同図においてはひとつの画素に関わる要素のみが図示されているが、その他の画素も同様の構成である。図3ないし図5に示されるように、第1基板10の表示領域には、X方向およびY方向にわたって複数の画素電極31がマトリクス状に配列されている。各画素電極31は、ITOなどの導電性材料によって形成された略矩形状の電極である。走査線9(図5においては外形が二点鎖線によって示されている)は、X方向に並ぶ1行分の画素電極31に絶縁膜7(図4参照)を挟んで対向する。一方、データ線13は各画素電極31の間隙においてY方向に延在する。図5に示されるように、各画素電極31とこれに隣接するデータ線13との間隙には二端子型非線形素子であるTFD素子40が配置されている。図4に示した第2基板25上の対向電極8は、マトリクス状に配された全ての画素電極31に液晶層50を挟んで対向する。図1に示される液晶表示要素160は、画素電極31と、これに対向する対向電極8と、両者の間隙に挟まれた液晶層50とによって構成される。
Next, the pixel structure of the
FIG. 5 is a plan view showing the configuration of elements formed on the surface of the
画素電極31の中央部には、電極の一部を除去して形成された電極スリット(開口部)31Hが設けられている。この電極スリット31Hは、画素電極31と走査線9とが平面的に重なる部分(すなわち、保持容量5が形成される部分)に設けられている。このような電極スリット31Hを設けると、この電極スリット31Hのエッジ部分において横電界が発生し、初期状態で垂直配向した液晶分子の電圧印加に基づく傾倒方向を規制することができる。
In the center of the
ここで、横電界には、画素電極31と対向電極8との間の電界によって生じるものと、画素電極31と走査線9との間の電界によって生じるものの双方が含まれる。しかし、画素電極31と対向電極8との距離は数μmであるのに対し、画素電極31と走査線9との距離は高々数百nmであるため、横電界の大きさは後者の方が圧倒的に大きい。よって、液晶への影響も後者の影響の方が支配的であると考えられる。また、画素電極31と走査線9との距離がこのように短いことから、液晶の配向制御力は、通常の液晶装置(すなわち、SCAD型の構成を有しない液晶装置)に比べて、非常に大きなものとなる。
Here, the horizontal electric field includes both those generated by the electric field between the
図6は、図5におけるB−B′線からみた断面図であり、図7は、図5におけるC−C′線からみた断面図である。
図5から図7に示されるように、TFD素子40は、X方向を長手方向としてデータ線13に交差する長尺状の第1導電層41と、この第1導電層41の表面を陽極酸化することによって形成された絶縁膜(誘電体層)42と、絶縁膜42の表面に相互に離間して形成された第2導電層131および43とを有する。このうち第1導電層41は、例えばタンタル(Ta)などの単体金属やタンタルを主成分としてタングステン(W)などの金属を含む合金といった各種の導電性材料によって形成されている。第1導電層41をタンタルによって形成した場合、これを陽極酸化して得られる絶縁層42は酸化タンタル(TaOx)からなる。
6 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 5.
As shown in FIGS. 5 to 7, the
第2導電層131はデータ線13の一部として構成されている。すなわち、データ線13は第1導電層41上に絶縁膜42を介して配置されており、このデータ線13と第1導電層41とが平面的に重なる部分が第2導電層131となっている。一方、第2導電層43は、絶縁層42を挟んで第1導電層41と重なりあうようにX方向に延在している。この第2導電層43の端部は画素電極側に延出しており、画素電極31は、この第2導電層43の端部と部分的に重なり合うように形成されて第2導電層43と電気的に接続されている。第2導電層131を含むデータ線13と第2導電層43は、抵抗率が低い導電性材料によって形成されている。このような導電性材料としては、クロム(Cr)やアルミニウム(Al)などの単体金属やこれらを主成分とする合金などがある。
The second
図1に示したTFD素子40は、第1素子40aと第2素子40bとから構成されている。すなわち、図6に示されるように、第1素子40aは、第2導電層131(データ線13)と絶縁層42と第1導電層41とがデータ線13側からみてこの順番に積層された構成となっている。このように第1素子40aは金属/絶縁体/金属のサンドイッチ構造となっているため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を呈する。一方、第2素子40bは、第1導電層41と絶縁層42と第2導電層43とが基材10A側からみてこの順番に積層された構成となっている。したがって、第2素子40bは第1素子40aとは反対のダイオードスイッチング特性を呈する。このように、TFD素子40は、2つのダイオードを互いに逆向きとなるように直列に接続した構成となっているため、ひとつのダイオード(第1素子40aおよび第2素子40bの何れか一方のみ)を用いた場合と比較して、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化される。
The
図7に示すように、第1導電層41と走査線9とは同一層内に設けられている。これらは共通の工程によって形成されたものである。絶縁膜42と絶縁膜7は、第1導電層41と走査線9の表面をそれぞれ陽極酸化することによって形成されている。これらの膜厚は、それぞれの機能に応じて最適に設定される。例えば、本実施形態においては、絶縁層7はTFD素子40の絶縁層42よりも十分に厚く形成されている(D2>D1)。こうすることで、保持容量5がダイオードとして機能することを防止し、補助容量線17と走査線13との電気的な絶縁を維持することができる。
As shown in FIG. 7, the first
<液晶装置の表示動作>
次に、液晶装置100の表示動作について説明する。
バックライト等の照明装置から照射された光は、偏光板等を介して液晶層50に入射する。電圧無印加時においては、基板と垂直に配向している液晶分子には屈折率異方性がほとんどないので、入射光はその偏光状態を保持したまま液晶層50を進行する。
<Display operation of liquid crystal device>
Next, the display operation of the
Light emitted from an illumination device such as a backlight enters the
一方、液晶層50に電界(縦電界E0)を印加すると、液晶分子が基板面方向に倒れるように配向して、透過光に対する屈折率異方性を呈する。そのため、バックライトから液晶層50に入射した光は、その一部が偏光板等によって透過又は吸収される。また、係る構成のもと、液晶層50に印加する電圧を調整することにより、階調表示を行うことができる。この際、本実施形態では、画素電極31の中央部に電極スリット31Hが設けられているので、液晶分子の傾倒方向が一方向に規定され、ディスクリネーション等の発生が防止される。
On the other hand, when an electric field (vertical electric field E0) is applied to the
図8は、電極スリット31Hの近傍の液晶分子Lの動きを示す模式図である。
前述のように、画素電極31に供給された信号は、走査線9との間で形成された保持容量5によって一定期間保持される。このとき、画素電極31の開口領域内には、走査線9との間で生じる横電界E1によって、強い配向規制力が生じる。この横電界E1は、液晶分子Lを電極スリット31Hの中心部に向けて傾倒させるように作用する。よって、画素電極31と対向電極8との間に選択電圧を印加すると、画素電極31の中央部に斜め電界が生じ、非選択電圧印加時に垂直配向していた液晶分子Lが、画素電極31の周辺部から中心部に向かって放射状に傾倒されるようになる。これにより、液晶分子Lのダイレクタを複数作り出すことが可能になり、視野角の広い液晶表示装置を提供することができる。
FIG. 8 is a schematic diagram showing the movement of the liquid crystal molecules L in the vicinity of the
As described above, the signal supplied to the
<液晶装置の製造方法>
次に、図9及び図10に基づいて、液晶装置100の製造方法を説明する。
図9(a)から図9(d)は、各工程にて製造される要素をひとつの画素に着目して示す図である。
<Method for manufacturing liquid crystal device>
Next, a method for manufacturing the
FIG. 9A to FIG. 9D are diagrams showing an element manufactured in each process by paying attention to one pixel.
まず、図9(a)に示されるように、第1基板10の表面上に導電膜61が形成される(第1工程)。
より具体的には、スパッタリングなどの成膜技術によって第1基板10の表面に形成されたタンタルの薄膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることによって導電膜61が形成される。この導電膜61は、X方向に延在する直線部61aに対して、各TFD素子40の第1導電層41となる導電部が連接された外形を有する。直線部61aは走査線9になる部分を含んでおり、この段階において、X方向に並ぶ1行分の画素における各第1導電層41は連結部611(図9(b)参照)を介して互いに連結された(電気的に接続された)状態となっている。さらに、図10(a)に示されるように、この工程において形成される導電膜61は、Y方向に延在して総ての直線部61aの端部が連結された連結部62を含んでいる。なお、導電膜61の形成前に、第1基板10の表面に酸化タンタル(Ta2O5)などからなる絶縁膜を形成してもよい。この絶縁膜を下地として導電膜61を形成すれば、この導電膜61と第1基板10との密着性を向上させるとともに、第1基板10から導電膜61への不純物の拡散を抑制することができる。
First, as shown in FIG. 9A, a
More specifically, the
次に、導電膜61の表面に絶縁層が形成される(第2工程)。
ここではまず、導電膜61の表面に第1回目の陽極酸化が施される。より具体的には、第1基板10を電解液中に浸漬したうえで、この電解液と連結部62との間に所定の電圧を印加することによって導電膜61全体の表面を酸化させる(即ち、第1導電層41と走査線9になる部分の表面に一括して絶縁層を形成する)。この工程において、第1導電層41の表面に形成された酸化膜はTFD素子40の絶縁層42となる。また、走査線9の表面に形成された酸化膜は絶縁膜7の一部を構成する絶縁膜71となる。
この後、図9(b)に示されるように、第1導電層41と直線部61aとを連結する部分611がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって除去される。これにより、TFD素子40を構成する第1導電層41とその表面に形成された絶縁層42とが、走査線9となる部分から切り離されることになる。図10(b)に示されるように、この段階では総ての直線部61a(即ち、走査線9になる部分)は連結部62に連なったままである。
Next, an insulating layer is formed on the surface of the conductive film 61 (second step).
Here, first, the first anodic oxidation is performed on the surface of the
Thereafter, as shown in FIG. 9B, a
次に、図9(c)に示されるように、第1回目の陽極酸化と同様の手順により、導電膜61の表面に第2回目の陽極酸化が施される。この陽極酸化により、走査線9の表面の酸化がさらに進行して酸化膜の膜厚が増加する。これに対し、導電膜61から切り離された第1導電層41の酸化は進行しない。この工程によって、走査線9の表面に第1導電層41の表面の絶縁層42よりも膜厚の大きい絶縁膜7が形成される。
この後、各直線部61aを連結していた連結部62がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって除去される(第3工程)。
Next, as shown in FIG. 9C, the second anodic oxidation is performed on the surface of the
Thereafter, the connecting
次いで、図9(d)に示されるように、データ線13(第2導電層13aを含む)と第2導電層43が形成される(第4工程)。より具体的には、スパッタリングなどの成膜技術によって第1基板10の表面にクロムの薄膜が形成され、これがフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされることによって、これらの要素が一括的に形成される。この工程においてデータ線13と第2導電層43とが第1導電層41および絶縁層42を覆うように形成されることにより、第1素子40aと第2素子40bとが直列に接続されたTFD素子40が得られる。
この後、スパッタリングなどの成膜技術によってITOの薄膜が形成され、これがパターニングされることによって、図5に示した画素電極31が形成される。
Next, as shown in FIG. 9D, the data line 13 (including the second
Thereafter, an ITO thin film is formed by a film forming technique such as sputtering, and the
以上に説明したように、本実施形態においては、画素電極31に電極スリット31Hを設けているので、この電極スリット31Hのエッジ部分に生じる横電界によって、液晶の配向方向を制御することができる。特に、本実施形態では、第1基板10側にSCAD型の構造を採用しているため、走査線9との間で非常に強い横電界を発生させることができ、係る構造を採用しない従来の構造に比べて、より配向安定性に優れた液晶装置を提供することができる。
As described above, in the present embodiment, since the electrode slit 31H is provided in the
<変形例>
次に、図11に基づいて、本実施形態の液晶装置の変形例を説明する。
図11は、電極スリット31Hの配置や形状を変形した例を示している。
図11(a)においては、電極スリット31Hは、画素電極31の左右2つの縁辺(データ線13に平行な2つの縁辺)のそれぞれに設けられている。この例においては、電極スリット31Hは、画素電極31の切り欠き部として設けられている。各電極スリット31Hは、それぞれの縁辺の中央部に設けられており、画素電極31の中心に対して互いに対称となるように配置されている。走査線9は、これらの電極スリット31Hが形成された部分に対向するように配置されている。
この構成においては、1画素内に2つの電極スリット31Hを設けているので、1画素内の配向分割をより確実に行なうことができる。
<Modification>
Next, a modification of the liquid crystal device of the present embodiment will be described based on FIG.
FIG. 11 shows an example in which the arrangement and shape of the
In FIG. 11A, the electrode slit 31H is provided on each of the two left and right edges (two edges parallel to the data line 13) of the
In this configuration, since the two
図11(b)においては、電極スリット31Hは、画素電極の中央部に4つ設けられている。この例においては、電極スリット31Hは、画素電極31の開口部として設けられている。電極スリット31Hは三角形状に形成されており、各電極スリット31Hは、画素電極31の中心に対して回転対称となる位置に配置されている。走査線9は、画素電極31と平面的に重なる部分が他の部分よりも幅広に形成されており、この幅広に形成された部分に前記4つの電極スリット31Hが対向している。なお、本例では、電極スリット31Hの数を4つとしたが、この数はこれに限定されない。
この構成においては、画素電極31と走査線9との間の保持容量が大きくなるため、より安定した駆動特性が得られるようになる。また、電極スリット31Hが複数設けられているため、より配向性の優れた液晶装置を提供することができる。さらに、データ線13とが平面的に重なる部分の走査線9の幅が狭くなっているので、データ線13との間で容量結合を生じにくくすることができる。
In FIG. 11B, four
In this configuration, since the storage capacitance between the
<電子機器>
次に、本発明に係る液晶装置を備える電子機器について説明する。
図12は、上記実施形態に係る液晶装置を有する携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、携帯電話機1200は、利用者により操作される複数の操作ボタン1202、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口1204、および他の端末装置に送信される音声を入力する送話口1206のほかに、各種の画像を表示する液晶装置Dを有する。この液晶装置Dは、本発明に係る液晶装置である。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus including the liquid crystal device according to the present invention will be described.
FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone having the liquid crystal device according to the embodiment. As shown in this figure, the
なお、本発明に係る液晶装置が利用され得る電子機器としては、図12に示される携帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。 Note that, as an electronic device in which the liquid crystal device according to the present invention can be used, in addition to the cellular phone shown in FIG. Examples include a recorder, a digital camera, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel.
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記実施形態では液晶装置100を透過型の液晶装置としたが、本発明は、反射型液晶装置或いは半透過・反射型の液晶装置に適用することも可能である。
The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention. For example, in the above embodiment, the
5…保持容量、7…絶縁膜、8…対向電極、9…走査線、10…第1基板(素子基板)、13…データ線、25…第2基板(対向基板)、31…画素電極、31H…電極スリット、40…TFD素子(薄膜ダイオード)、50…液晶層、100…液晶装置、150…画素、1200…電子機器、E1…横電界、L…液晶分子
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記画素電極に対向する対向電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層とを備え、
前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向をとる誘電異方性が負の液晶からなり、
前記画素電極は、絶縁膜を介して前記走査線上に設けられており、前記走査線と平面的に重なる部分において保持容量が形成される一方、前記重なる部分には、前記画素電極の一部を除去して形成された電極スリットが設けられていることを特徴とする、液晶装置。 A first substrate having a scanning line and a data line extending in a direction crossing each other, and a pixel electrode electrically connected to the data line via a thin film diode;
A second substrate having a counter electrode facing the pixel electrode;
A liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate,
The liquid crystal layer is composed of a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy in which an initial alignment state is a vertical alignment,
The pixel electrode is provided on the scanning line via an insulating film, and a storage capacitor is formed in a portion overlapping the scanning line in a plane, while a part of the pixel electrode is formed in the overlapping portion. An electrode slit formed by removing the liquid crystal device is provided.
An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005094116A JP2006276358A (en) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | Liquid crystal apparatus and electronic equipment |
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JP2006276358A true JP2006276358A (en) | 2006-10-12 |
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ID=37211201
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101529943B1 (en) * | 2013-11-18 | 2015-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display |
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2005
- 2005-03-29 JP JP2005094116A patent/JP2006276358A/en not_active Withdrawn
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