JP2006261699A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板300を収納した密閉式の容器200を半導体製造装置400のロードポート100aに配置し、この容器200から取り出した半導体基板300を、ロードポート100aと処理部420との間の搬送領域410において、プロセス処理前の半導体基板300およびプロセス処理後の半導体基板300をイオナイザ413によって除電してロードポート100aに配置された容器200に収納することにより、半導体基板300への付着異物を減らすとともに、半導体基板300のハンドリングミスを減らすことができる。
【選択図】図4
Description
1.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より0.25mmを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
2.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より0.25〜10mm突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
3.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より1mm突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
4.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より0.25〜10mm突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(d)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(e)前記(d)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
1.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
2.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(d)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(e)前記(d)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
3.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内の搬送領域に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記搬送領域に配置されたアースされていないロボットハンドを前記搬送領域で除電し、この除電されたロボットハンドによって前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
(d)前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(e)前記(d)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
4.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内のロードロック室に移し、このロードロック室内のアースされていない基板支持台によって前記半導体基板を支持する工程、
(e)前記ロードロック室から前記半導体製造装置の搬送領域に前記半導体基板を移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
5.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納した半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
(b)前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装置の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体製造装置の前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
6.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとともにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
(b)前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半導体基板を移す工程、
(c)前記搬送領域でイオナイザによって前記半導体基板を除電する工程、
(d)前記処理部に前記半導体基板を移して前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(e)前記(d)工程で処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記イオナイザによって前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
7.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとともにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
(b)前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半導体基板を移す工程、
(c)前記搬送領域で除電されたロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(d)前記ロボットハンドによって前記半導体基板を前記処理部に移して前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(e)前記(d)工程で処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領域の
前記ロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
8.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
(b)前記半導体製造装置に設置された半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
9.項8記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記搬送領域のクリーン度が前記ロードポート周辺のクリーン度より高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
10.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
11.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(d)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(e)前記(d)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
(f)前記(e)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
12.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
(b)前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
(c)前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
(d)前記(c)工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電するとともに、前記搬送領域に設けられたケミカルフィルタによって前記半導体基板の化学汚染を防ぐ工程、
(e)前記(d)工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
13.項12記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記処理部での前記半導体基板への処理前と処理後に、前記搬送領域で前記ケミカルフィルタによって前記半導体基板の化学汚染を防ぐことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
14.項1記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の前記処
理部で前記半導体基板を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
15.項14記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前記半導体製造装置のロードロック室で待機していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
16.項1記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板の前記半導体収納容器への搬入出を行う際に、前記半導体収納容器開閉装置の前記オープナによって前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて前記半導体基板の搬入出を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
17.項1記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板として、直径300mmの基板を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
18.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より0.25mmを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
19.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より0.3mmを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
20.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より0.7mmを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
21.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より1.0mm突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
22.(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、かつ前記表面板の表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距離とのオーバーラップ量が零より大きく設定された半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
23.(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備えるとともに、前記表面板の表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距離とのオーバーラップ量が零より大きくかつ1.25mm以下に設定された半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きく、かつ1.25mm以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
24.(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備えた半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
前記(b)工程で前記オープナによって前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とが密着しないものの割合が、半導体製造ラインに流れている全ての
前記半導体収納容器の1%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
25.以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法;
(a)半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
(b)前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後退させた状態で前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
(c)前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
(d)前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
26.項18記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記オープナによって前記半導体収納容器の前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後退させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
27.項18記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
28.項27記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前記半導体製造装置のロードロック室で待機していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
29.項18記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板として、直径300mmの基板を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
のではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
図1は本発明の実施の形態1の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、(a)は表側構造、(b)は裏側構造、図2は本発明の実施の形態1の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器(FOUP)の構造の一例を示す斜視図、図3は図1に示す半導体収納容器開閉装置が取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図、図4は図3に示す半導体製造装置の内部構造を示す側面図、図5は図3に示す半導体製造装置の内部構造を示す平面図、図6は本発明の実施の形態1の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を示すシーケンスフロー図、図7は図4に示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の内部構造を示す側面図、図8は図2に示す半導体収納容器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図である。
が容器本体210のラッチ溝211に収まり、蓋220が容器本体210に固定される。
(第1のウェハ処理装置)の搬送領域410が設けられた局所清浄室430と連結する。
0の搬送領域410に設けられた搬送機構である搬送ロボット411によって移送する。
導体基板300は、搬送ロボット411によって搬送中、その電位は0Vにはならない。
体基板300)、容器200(図5に示す(A)の半導体基板300)で待機している。
図9は本発明の実施の形態2の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示す部分平面図、図10は本発明の実施の形態2の半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図、図11は図
10に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
150の表面150aからの突出量(段差D)との重複量である。
100a ロードポート
110 ステージ
111 スライダ
112 位置決めピン
120 オープナ
120a 被接続面
121 回転キー
130 オープナ開閉機構
130a オープナ支持部
131 オープナ昇降機構
131a エレベータ
140 安全カバー
150 表面板
150a 表面
150b 開口部
200 半導体収納容器
210 容器本体
210a 開口部
210b 基板保持部
211 ラッチ溝
212 フランジ
220 蓋
220a 露出面
221 キー溝
222 ラッチ
230 フェイシャル基準面
300 半導体基板
400 半導体製造装置
410 搬送領域
411 搬送ロボット
411a ロボットハンド
412 ファンフィルタユニット
413 イオナイザ
414 ケミカルフィルタ
415 アライメント部
420 処理部
421 ロードロック室
421a ゲートバルブ
421b 基板支持台
422 アンロードロック室
422a ゲートバルブ
423 処理室
430 局所清浄室
500 半導体収納容器
510 容器本体
510a 開口部
510b 基板保持部
520 蓋
Claims (7)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a) 複数のウェハを収容した密閉状態の第1の密閉型半導体収納容器の内部空間を、清浄度を保持した状態で第1のウェハ処理装置の局所清浄室に連結する工程;
(b)前記連結状態において、前記第1の半導体収納容器に収容された前記複数のウェハの内の全部又は一部を、前記局所清浄室に設けられた搬送機構により移送することによって、前記第1のウェハ処理装置のウェハ処理部に収容する工程;
(c) 前記第1のウェハ処理部に収容された前記ウェハに対して第1の処理を施す工程;
(d)前記工程(c)の後、処理された前記ウェハを、前記搬送機構により移送することによって、前記第1の半導体収納容器に、収容する工程;
(e)前記工程(d)の後、前記第1の半導体収納容器と局所清浄室の連結状態を解除することによって、前記第1の半導体収納容器を密閉状態に戻す工程、
ここで、前記第1の密閉型半導体収納容器は以下の構成を含む:
(i) 第1の面が開放された容器部;
(ii)密閉状態においては、前記第1の面の周辺部で前記容器部に密着することによって、密閉状態を維持する収納容器蓋部;
(iii) 前記収納容器蓋部に設けられた鍵穴部、
また、前記局所清浄室は以下の構成を含む:
(I) 連結時において、前記第1の密閉型半導体収納容器の前記第1の面と接触又は近接対向する正面表面部;
(II)前記正面表面部に設けられた連結用開口部;
(III) 前記連結用開口部を覆うように設けられ、連結時に突出した状態で前記鍵穴部と結合する鍵部を有するオープナ、
更に、前記工程(a)は以下の下位工程を含む:
(p)前記複数のウェハを収容した密閉状態の前記第1の密閉型半導体収納容器の前記第1の面を、前記鍵部が前記鍵穴に挿入されるように前記局所清浄室の前記正面表面部と接触又は近接対向させる工程;
(q)前記工程(p)の前後又はその中において、前記オープナの正面部を、前記第1の密閉型半導体収納容器がないとした場合に前記正面表面部よりも0.25mmを越えた突出長さだけ突出させるか又は突出しているように保持する工程;
(r)前記鍵部が前記鍵穴に挿入された状態で鍵開け動作を実行した後、前記オープナで前記収納容器蓋部を保持した状態で、前記オープナを前記局所清浄室内に引き込むことによって、前記第1の密閉型半導体収納容器の前記内部空間を前記第1のウェハ処理装置の前記局所清浄室に連結する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ウェハの直径は280mm以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記オープナの前記突出長さが0.3mmを越えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記オープナの前記突出長さが0.7mmを越えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記オープナの前記突出長さが1.0mmを越えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(q)は前記工程(p)の前であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の半導体収納容器と局所清浄室とを連結する際に、前記オープナの正面部と前記収納容器蓋部とが密着しないものの割合が、半導体製造ラインに流れている全ての半導体収納容器の1%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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