JP2006237426A - Organic el panel and its manufacturing method - Google Patents

Organic el panel and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2006237426A
JP2006237426A JP2005052338A JP2005052338A JP2006237426A JP 2006237426 A JP2006237426 A JP 2006237426A JP 2005052338 A JP2005052338 A JP 2005052338A JP 2005052338 A JP2005052338 A JP 2005052338A JP 2006237426 A JP2006237426 A JP 2006237426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
el panel
organic el
electron
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005052338A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Minagawa
正寛 皆川
Original Assignee
Nippon Seiki Co Ltd
日本精機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Seiki Co Ltd, 日本精機株式会社 filed Critical Nippon Seiki Co Ltd
Priority to JP2005052338A priority Critical patent/JP2006237426A/en
Publication of JP2006237426A publication Critical patent/JP2006237426A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL panel which hardly generate a dark spot, and to provide its manufacturing method of the organic EL panel.
SOLUTION: A lamination object which has at least a first electrode, an organic layer and a second electrode is formed in a glass substrate. A process for forming an organic layer comprises a step for forming an electron transport layer containing an electron transport material and a heat-resistant material whose crystallization temperature is higher than the electron transport material, and a step for heat-treating the electron transport layer. Heat-treatment is performed at a temperature higher than the crystallization temperature of the electron transport material.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ELパネルと、その有機ELパネルの製造方法に関するものである。 The present invention a laminate having a first electrode, an organic layer and a second electrode and the organic EL panel formed on a glass substrate, a method of manufacturing the organic EL panel.

従来より、有機ELパネルが種々提案されており、例えば特許文献1に開示されている。 Conventionally, organic EL panels have been proposed, for example, disclosed in Patent Document 1. 有機ELパネル1は、ガラス基板2上に積層体3を形成したものであり、この積層体3は、第一電極4,絶縁層5,有機層6,アルミニウム(Al)からなる第二電極7を有する(図7参照)。 The organic EL panel 1 is obtained by forming a laminated body 3 on the glass substrate 2, the laminate 3, the first electrode 4, the insulating layer 5, the organic layer 6, the second electrode 7 made of aluminum (Al) the a (see FIG. 7). 第一電極4は、ITO(Indium Tin Oxide)からなるものである。 The first electrode 4 is made of ITO (Indium Tin Oxide). 有機層6は、蒸着等の方法によって正孔輸送層6a,発光層6b,電子輸送層6c及び電子注入層6dを順次形成したものである(図8参照)。 The organic layer 6, a hole transport layer 6a by a method such as vapor deposition, the light emitting layer 6b, is obtained by sequentially forming the electron transport layer 6c and an electron injection layer 6d (see FIG. 8).
特開2003−288984号公報 JP 2003-288984 JP

有機層6は封止ガラス8に覆われており、この封止ガラス8はガラス基板2に紫外線硬化性の接着剤9で固着されている。 The organic layer 6 is covered with the sealing glass 8, this sealing glass 8 is fixed with an adhesive 9 UV curable glass substrate 2. 封止ガラス8によって形成された気密空間内に湿気があると有機層6が劣化するため、封止ガラス8にゲル状の吸湿剤10を塗布して、気密空間内の湿気を吸収している。 To degrade organic layer 6 when there is moisture in the air-tight space formed by sealing glass 8, by coating a gel-like moisture absorbent 10 in the sealing glass 8, which absorbs the moisture in the hermetic space . 第一電極4は、陽極部4aと、陰極端子部4bとを有している。 The first electrode 4 includes an anode portion 4a, and a cathode terminal 4b. 有機層6は、陽極部4aと第二電極7に挟持されており、第二電極7は、陰極端子部4bに電気的に接続されている。 The organic layer 6, the anode portion 4a and are clamped to the second electrode 7, the second electrode 7 is electrically connected to the cathode terminal 4b. 陽極部4a及び陰極端子部4bに電源を接続し、陽極部4aと第二電極7の間に駆動電圧を印加することにより、有機層6の発光層6bが発光する。 Connect the power to the anode portion 4a and the cathode terminal portion 4b, by applying a driving voltage between the anode portion 4a and the second electrode 7, it emits light emitting layer 6b of the organic layer 6.

しかしながら、例えば、電子輸送層6cの表面粗さが大きい場合、その電子輸送層6c上に形成される電子注入層6dの膜厚が不均一になり、第二電極7と電子輸送層6cが短絡することがあり、その箇所がダークスポットと称される非発光部分になる虞があった。 However, for example, when the surface roughness of the electron transport layer 6c is large, the film thickness of the electron injection layer 6d is formed on the electron transport layer 6c becomes uneven, the second electrode 7 and the electron transporting layer 6c is shorted it may be, there is a risk that the portion becomes the non-light emitting portion called dark spots.
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、ダークスポットが発生し難い有機ELパネル及びその有機ELパネルの製造方法を提供するものである。 The present invention has been made in view of this problem, it is to provide a dark spot hardly occurs organic EL panel and the manufacturing method of the organic EL panel.

本発明は、請求項1に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ELパネルであって、前記有機層は、電子輸送性材料と前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む電子輸送層を有するものである。 The present invention as described in claim 1, a laminate having a at least a first electrode and the organic layer a second electrode an organic EL panel formed on a glass substrate, the organic layer can be an electron-transporting property wherein the material than an electron transporting material are those having an electron-transporting layer containing a heat resistant material having a high crystallization temperature.

本発明は、請求項2に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ELパネルであって、前記有機層は、正孔輸送性材料と前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む正孔輸送層を有するものである。 The present invention as described in claim 2, a laminate having a at least a first electrode and the organic layer a second electrode an organic EL panel formed on a glass substrate, the organic layer, the hole transport those having a hole transporting layer containing a heat resistant material having a crystallization temperature higher than the the sexual material hole transporting material.

また、本発明は、請求項3に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ELパネルの製造方法であって、前記有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、前記電子輸送層を加熱処理する工程と、を有するものである。 The present invention, as set forth in claim 3, a laminate having a at least a first electrode and the organic layer a second electrode a method for producing an organic EL panel to be formed on the glass substrate, the organic layer forming a includes the steps of forming an electron transporting layer containing a heat resistant material having an electron-transporting material and crystallization temperature higher than the electron-transporting material, a step of heat-treating the electron transporting layer, the those having.

また、本発明は、請求項4に記載したように、前記加熱処理は、前記電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われるものである。 The present invention, as set forth in claim 4, wherein the heat treatment is one carried out at a temperature higher than the crystallization temperature of the electron-transporting material.

また、本発明は、請求項5に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ELパネルの製造方法であって、前記有機層を形成する工程は、正孔輸送性材料及び前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層を加熱処理する工程と、を有するものである。 The present invention, as set forth in claim 5, a laminate having a at least a first electrode and the organic layer a second electrode a method for producing an organic EL panel to be formed on the glass substrate, the organic layer forming a step includes the steps of forming a hole transporting layer containing a heat-resistant material having a hole transporting material and the crystallization temperature higher than the hole transporting material, heat-treating the HTL a step, and has a.

また、本発明は、請求項6に記載したように、前記加熱処理は、前記正孔輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われるものである。 The present invention, as set forth in claim 6, wherein the heat treatment, the are those carried out at a temperature higher than the crystallization temperature of the hole transporting material.

電子輸送層または正孔輸送層を高温で加熱処理することができ、電子輸送層または正孔輸送層の平滑度が向上するため、第二電極と電子輸送層の短絡または正孔輸送層と電子輸送層の短絡が発生する虞が少ない。 The electron-transporting layer or the hole transport layer can be heated at a high temperature, to improve the smoothness of the electron transport layer or a hole transport layer, a short circuit of the second electrode and the electron transport layer or a hole transport layer and an electron possibility that short transport layer is generated is small.

以下、本発明の一実施形態を添付の図面に基づいて説明する。 It will be described below with reference to the accompanying drawings of an embodiment of the present invention. 図1乃至図5は、第一実施形態を示すものである。 1 to 5 shows a first embodiment.
有機ELパネル11は、ガラス基板12上に積層体13を形成すると共に、封止ガラス14を設けたものである。 The organic EL panel 11 is configured to form a laminate 13 on the glass substrate 12, it is provided with a sealing glass 14. 積層体13は、第一電極17,絶縁層18,リブ部19,有機層20,第二電極21を有している。 Laminate 13, first electrode 17, the insulating layer 18, ribs 19, the organic layer 20, and a second electrode 21.

第一電極17は、酸化インジウム(In O )と酸化スズ(SnO )の混合物であるITO(Indium The first electrode 17 is a mixture of tin oxide and indium oxide (In 2 O 3) (SnO 2) ITO (Indium
Tin Oxide)からなるものであり、スパッタリング等の手段によって基板12に形成されている。 Are those made of Tin Oxide), it is formed on the substrate 12 by means such as sputtering. 第一電極17は、所定間隔をあけて配置された縦方向のストライプ状の陽極部17aと、第二電極21の陰極部21aに導通される陰極端子部17bとを有している。 The first electrode 17 has a longitudinal direction of the stripe-shaped anode portion 17a which is disposed at a predetermined interval, and a cathode terminal portion 17b which is electrically connected to the cathode portion 21a of the second electrode 21.

絶縁層18は、ポリイミド系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。 Insulating layer 18 is made of a dielectric material polyimide, it is formed by means such as photolithography. 絶縁層18は、有機層20よりも広い領域に形成されており、マトリクス状に配置された画素に対応する矩形の開口18aと、陰極端子部17bと陰極部21aを電気的に接続させるコンタクトホール18bとを有している。 Insulating layer 18 is formed in a region wider than the organic layer 20, a contact hole to the rectangular opening 18a corresponding to the pixels arranged in a matrix, a cathode terminal 17b and the cathode part 21a is electrically connected and a 18b.

リブ部19は、フェノール系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。 Rib 19 is made of a dielectric material phenolic, it is formed by means such as photolithography. リブ部19は、絶縁層18上に形成されており、逆テーパ形状になっている。 Rib 19 is formed on the insulating layer 18 are reversed tapered shape. リブ部19は、陽極部17aと直交する方向に平行線状に設けられており、有機層20及び第二電極21をストライプ状に分断する。 Rib 19, in a direction perpendicular to the anode portion 17a is provided on parallel lines, dividing the organic layer 20 and second electrode 21 in a stripe shape.

有機層20は、トリフェニルジアミン誘導体(TPD)等の正孔輸送性材料からなる正孔輸送層20aと、出光興産株式会社製の商品名「IDE120」等の発光層材料からなる発光層20bと、トリキノリノレートアルミニウム(Alq3)等の電子輸送性材料及びチッソ株式会社製の商品名「Chisso The organic layer 20 includes a hole transport layer 20a consisting of a positive hole transporting material such as triphenyl diamine derivatives (TPD), and the light emitting layer 20b made of the light-emitting layer material of the trade name "IDE120" etc. manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. , Toriki Norino rate aluminum (Alq3) electron-transporting material and trade name of Chisso Co., Ltd., such as "Chisso
ET」等の耐熱性材料からなる電子輸送層20cと、フッ化リチウム(LiF)からなる電子注入層20dとから構成されている(図4参照)。 And the electron transporting layer 20c made of a heat resistant material ET "and the like, and an electron injection layer 20d made of lithium fluoride (LiF) (see FIG. 4). 第二電極21は、アルミニウム(Al)からなるものであり、リブ部19によって、第一電極17の陽極部17aに直交する方向のストライプ状に分断され、陰極部21aが形成されている。 The second electrode 21 is made of a aluminum (Al), the rib portion 19, is divided in the direction of the stripes is perpendicular to the anode section 17a of the first electrode 17, the cathode portion 21a is formed.

封止ガラス14は、エッチング等の方法によって形成された凹部14aを有しており、紫外線硬化性の接着剤22によって、ガラス基板12に接合されている。 Sealing glass 14 has a recess 14a formed by a method such as etching, the ultraviolet curing adhesive 22 is bonded to the glass substrate 12. 封止ガラス14の凹部14aには、酸化カルシウム,活性アルミナ等の吸湿粉粒体をフッ素系オイル等の不活性液体中に混合してなるゲル状の吸湿剤25が塗布されている。 The recess 14a of the sealing glass 14, calcium oxide, gel desiccant 25 hygroscopic powder granules obtained by mixing in an inert liquid such as fluorinated oils, such as activated alumina is coated.

次に、図5に基づいて、積層体13の製造方法について説明する。 Next, based on FIG. 5, a method for manufacturing the laminate 13. 先ず、ガラス基板12上にスパッタリング法で形成されたITO(Indium Tin Oxide)をパターニングすることによって、陽極部17a及び陰極端子部17bからなる第一電極17を形成する(ステップS10)。 First, by patterning the ITO formed by sputtering on a glass substrate 12 (Indium Tin Oxide), to form the first electrode 17 composed of an anode section 17a and the cathode terminal portion 17b (step S10). 次に、フォトリソグラフィー法等の手段によって、開口18a及びコンタクトホール18bのパターンを有する絶縁層18を形成する(ステップS20)。 Then, by means such as photolithography, to form the insulating layer 18 having a pattern of openings 18a and contact holes 18b (step S20). 次に、絶縁層18上に形成された絶縁材料をフォトリソグラフィー法等の手段によってパターニングすることによってリブ部19を形成する(ステップS30)。 Then, the rib portion 19 by patterning the insulating material formed on the insulating layer 18 by means such as photolithography (step S30).

次に、正孔輸送層20a,発光層20b,電子輸送層20c及び電子注入層20dを順次蒸着することによって有機層20を形成する(ステップ40)。 Next, a hole transport layer 20a, the light emitting layer 20b, to form the organic layer 20 by sequentially depositing an electron transport layer 20c, and an electron injection layer 20d (step 40). 有機層形成工程(ステップ40)は、正孔輸送層形成工程(ステップS41),発光層形成工程(ステップS42),電子輸送層形成工程(ステップS43),加熱処理工程(ステップS44),電子注入層形成工程(ステップS45)からなっている。 The organic layer formation step (step 40), the hole transport layer formation step (step S41), the light emitting layer formation step (step S42), the electron-transporting layer formation step (step S43), heat treatment step (step S44), an electron injection It has a layer formation step (step S45). 加熱処理工程(ステップS44)は、電子輸送層20cを形成した後に電子輸送層20cを加熱処理するものであり、前記電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度(例えば80℃)で所定時間(例えば10分間)行われる。 Heating process (Step S44) is to heat treatment an electron transporting layer 20c after forming the electron transporting layer 20c, the electron transporting material given time at a temperature higher than the crystallization temperature (e.g. 80 ° C.) of (e.g., 10 minutes) is performed. 次に、アルミニウム(Al)を蒸着して、第二電極21を形成する(ステップS50)。 Then, aluminum (Al) was deposited to form the second electrode 21 (step S50).

図6は第二実施形態を示すフロー図である。 6 is a flow diagram showing a second embodiment. 第二実施形態は、正孔輸送層20aの材料及び有機層20の製造工程が異なるだけであり、有機ELパネル11の構造は第一実施形態と同様である。 Second embodiment, the manufacturing process of the hole transport layer 20a of material and the organic layer 20 is only different structure of the organic EL panel 11 is similar to the first embodiment.

正孔輸送層20aは、トリフェニルジアミン誘導体(TPD)等の正孔輸送性材料及びアリールアミン誘導体(α−NPD)等の耐熱性材料からなるものである。 Hole transport layer 20a is made of a hole transporting material and an arylamine derivative (alpha-NPD) heat resistant material such as triphenyl diamine derivatives (TPD). 有機層形成工程(ステップS60)は、正孔輸送層形成工程(ステップS61),加熱処理工程(ステップS62),発光層形成工程(ステップS63),電子輸送層形成工程(ステップS64),電子注入層形成工程(ステップS65)からなっている。 The organic layer formation step (step S60), the hole transport layer formation step (step S61), heat treatment step (step S62), the light emitting layer formation step (step S63), the electron-transporting layer formation step (step S64), an electron injection It has a layer formation step (step S65). 加熱処理工程は、正孔輸送層20aを形成した後に正孔輸送層20aを加熱処理するものであり、前記正孔輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われる。 Heat treatment step is for heating the hole transport layer 20a after the formation of the hole transport layer 20a, it is carried out at a temperature higher than the crystallization temperature of the hole transporting material.

第一,第二実施形態によれば、電子輸送層20cまたは正孔輸送層20aを高温で加熱処理し、電子輸送層20cまたは正孔輸送層20aの表面粗さを良好にすることができ、陰極部21aと電子輸送層6cの短絡または正孔輸送層6aと電子輸送層6cの短絡が発生する虞が少ない。 First, according to the second embodiment, the electron transporting layer 20c or the hole transport layer 20a to heat treatment at a high temperature, it is possible to improve the surface roughness of the electron transporting layer 20c or the hole transport layer 20a, possibility is small that a short circuit or a hole transport layer 6a and the short-circuit of the electron transport layer 6c of the cathode portion 21a and the electron transport layer 6c is generated.
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、例えば、電子輸送層20c及び正孔輸送層20aの材料は適宜選択することができる。 The present invention is not limited to the present embodiment, for example, material of the electron transport layer 20c and the hole transport layer 20a may be appropriately selected.

本発明の第一実施形態を示す正面図。 Front view illustrating a first embodiment of the present invention. 同上実施形態を示す断面図。 Sectional view showing the same embodiment. 同上実施形態を示す断面図。 Sectional view showing the same embodiment. 同上実施形態を示す有機層の拡大正面図。 Enlarged front view of the organic layer showing the same embodiment. 同上実施形態を示すフロー図。 Flow diagram showing the same embodiment. 本発明の第二実施形態を示すフロー図。 Flow diagram showing a second embodiment of the present invention. 従来例を示す断面図。 Sectional view showing a conventional example. 同上従来例を示す有機層の拡大断面図。 Enlarged cross-sectional view of an organic layer showing the same conventional example.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11 有機ELパネル 12 ガラス基板 13 積層体 14 封止ガラス 17 第一電極 17a 陽極部 17b 陰極端子部 20 有機層 20a 正孔輸送層 20b 発光層 20c 電子輸送層 20d 電子注入層 21 第二電極 21a 陰極部 11 organic EL panel 12 glass substrate 13 laminate 14 sealing glass 17 first electrode 17a anode portion 17b cathode terminal 20 organic layer 20a a hole transport layer 20b emitting layer 20c electron transport layer 20d an electron injection layer 21 and the second electrode 21a cathode part

Claims (6)

  1. 少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ELパネルであって、 At least a first electrode and the organic layer laminate having a second electrode an organic EL panel formed on a glass substrate,
    前記有機層は、電子輸送性材料と前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む電子輸送層を有することを特徴とする有機ELパネル。 The organic layer is an organic EL panel and having an electron-transporting layer containing a heat resistant material having a crystallization temperature higher than the electron-transporting material the electron transporting material.
  2. 少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ELパネルであって、 At least a first electrode and the organic layer laminate having a second electrode an organic EL panel formed on a glass substrate,
    前記有機層は、正孔輸送性材料と前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む正孔輸送層を有することを特徴とする有機ELパネル。 The organic layer is an organic EL panel and having a hole transporting layer containing a heat resistant material having a crystallization temperature higher than the hole transporting material hole transporting material.
  3. 少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ELパネルの製造方法であって、 At least a first electrode and the organic layer laminate having a second electrode to a method of manufacturing an organic EL panel to be formed on a glass substrate,
    前記有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、前記電子輸送層を加熱処理する工程と、を有することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。 The step of forming the organic layer, forming an electron transporting layer containing a heat resistant material having an electron-transporting material and crystallization temperature higher than the electron-transporting material, the step of heating the electron transport layer When manufacturing method of the organic EL panel, comprising a.
  4. 前記加熱処理は、前記電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われることを特徴とする請求項3に記載の有機ELパネルの製造方法。 The heat treatment is a method of manufacturing an organic EL panel according to claim 3, characterized in that it is carried out at a temperature higher than the crystallization temperature of the electron-transporting material.
  5. 少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ELパネルの製造方法であって、 At least a first electrode and the organic layer laminate having a second electrode to a method of manufacturing an organic EL panel to be formed on a glass substrate,
    前記有機層を形成する工程は、正孔輸送性材料及び前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層を加熱処理する工程と、を有することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。 The step of forming the organic layer, forming a hole transporting layer containing a heat-resistant material having a hole transporting material and the crystallization temperature higher than the hole-transporting material, the hole transport layer method of manufacturing an organic EL panel, characterized in that and a step of heat treatment.
  6. 前記加熱処理は、前記正孔輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われることを特徴とする請求項5に記載の有機ELパネルの製造方法。 The heat treatment is a method of manufacturing an organic EL panel according to claim 5, characterized in that it is carried out at a temperature higher than the crystallization temperature of the hole transporting material.
JP2005052338A 2005-02-28 2005-02-28 Organic el panel and its manufacturing method Pending JP2006237426A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005052338A JP2006237426A (en) 2005-02-28 2005-02-28 Organic el panel and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005052338A JP2006237426A (en) 2005-02-28 2005-02-28 Organic el panel and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006237426A true JP2006237426A (en) 2006-09-07

Family

ID=37044720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005052338A Pending JP2006237426A (en) 2005-02-28 2005-02-28 Organic el panel and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006237426A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035413A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-10 株式会社Joled Display element, display device and electronic apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035413A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-10 株式会社Joled Display element, display device and electronic apparatus
JPWO2016035413A1 (en) * 2014-09-04 2017-04-27 株式会社Joled Display element, display device, and electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3423261B2 (en) Display device
KR100811473B1 (en) Light emitting panel and light source comprising the same
US7431628B2 (en) Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device
EP2278638B1 (en) Organic electroluminescent display device
EP0966182B1 (en) Method of fabricating organic electroluminescent display panel
TWI389594B (en) Stacked organic electroluminescent devices
JP4384356B2 (en) A flexible substrate
JP2818255B2 (en) Method of manufacturing an organic electroluminescence element
US6099746A (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US7855506B2 (en) Electric field light emitting element
EP0910228A1 (en) Organic electroluminescent device
US6429585B1 (en) Organic thin film EL panel and method of manufacturing the same
JP2005235568A (en) Deposition device and manufacturing device of organic el device
JP4346012B2 (en) The organic electroluminescence element
JP4563006B2 (en) Dual-type organic light emitting display
JP2008170926A (en) Method for manufacturing flat panel display
KR100425567B1 (en) Organic el device and method for manufacturing same
JP2003264083A (en) Organic led element and production process thereof
JP4386285B2 (en) The organic electroluminescent device and a manufacturing method thereof
CN1531381A (en) Organic electroluminescent displaying board and producing method thereof
JPH10223376A (en) Organic electroluminescence display device and its manufacture
JP2004111369A (en) Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JPH11121164A (en) Multicolor-emitting organic electroluminescent element and its manufacture
KR100666550B1 (en) Flat panel displaye and fabrication method of the same
JPH10275680A (en) Organic el element