JP2006222296A - Film forming device, and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、成膜装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる成膜装置に関する。また、本発明は、成膜される膜の均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a film forming apparatus capable of reducing a positional deviation in the horizontal plane direction between a plurality of semiconductor wafers that are separated from each other in the vertical direction. The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device that can improve the uniformity of a film to be formed.
図7は、従来の成膜装置の構成を説明する為の側面概略図である。本図に示す成膜装置は縦型CVD装置であり、反応室(図示せず)の内部にボード110を有する。ボード110は、複数の支柱112を有している。支柱112それぞれの側面には、凹部112aが上下に複数並んで設けられており、凹部112aそれぞれにシリコンウェハ101を差し込むことにより、シリコンウェハ101を上下に離間して保持する。シリコンウェハ101は、搬送装置120によってカセット130の内部からボード110まで搬送される。
FIG. 7 is a schematic side view for explaining the configuration of a conventional film forming apparatus. The film forming apparatus shown in this figure is a vertical CVD apparatus, and has a
そして、原料ガスを反応室の内部に注入し、反応室の内部を所定の温度に維持する。これにより、複数のシリコンウェハ101それぞれには膜が成膜される。
複数の半導体ウェハそれぞれに成膜される膜は、半導体ウェハ相互間でのばらつきが小さいのが望ましい。従来は、温度、圧力、原料ガス流量などの成膜条件を調整すること、及び、半導体ウェハを保持するウェハ保持部材(例えばボード)の形状を工夫することにより、複数の半導体ウェハそれぞれの全面に、均一に原料ガスが供給されるようにしていた。これにより、ある程度、半導体ウェハ相互間での膜のばらつきが抑制される。しかし、近年は、さらに膜の均一性を向上させることが望まれている。 It is desirable that the film formed on each of the plurality of semiconductor wafers has a small variation between the semiconductor wafers. Conventionally, by adjusting film forming conditions such as temperature, pressure, and raw material gas flow rate, and by devising the shape of a wafer holding member (for example, a board) for holding a semiconductor wafer, the entire surface of each of a plurality of semiconductor wafers is provided. The raw material gas was supplied uniformly. Thereby, the dispersion | variation in the film | membrane between semiconductor wafers is suppressed to some extent. However, in recent years, it has been desired to further improve the uniformity of the film.
半導体ウェハ相互間での膜のばらつきをさらに抑制するには、半導体ウェハの水平面内における位置のばらつきを小さくすることが有効である。しかし、ウェハ保持部材のウェハ保持部分(例えばボードの凹部)にはマージンがあり、また、搬送装置の移動位置再現性にも多少のばらつきがある。このため、半導体ウェハの水平面内での位置は、多少ばらついていた。 In order to further suppress the film variation between the semiconductor wafers, it is effective to reduce the position variation in the horizontal plane of the semiconductor wafer. However, there is a margin in the wafer holding portion (for example, a concave portion of the board) of the wafer holding member, and there is some variation in the reproducibility of the moving position of the transfer device. For this reason, the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane is somewhat varied.
また、カセット内部において半導体ウェハの位置がばらついている場合、カセットから半導体ウェハを取り出す際に、搬送装置に対する半導体ウェハの位置がばらつくため、搬送先のウェハ保持部材における半導体ウェハの位置もばらついてしまう。 Further, when the position of the semiconductor wafer varies within the cassette, when the semiconductor wafer is taken out from the cassette, the position of the semiconductor wafer with respect to the transfer device varies, and therefore, the position of the semiconductor wafer on the wafer holding member at the transfer destination also varies. .
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる成膜装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、複数の半導体ウェハに同時に成膜処理をする場合に、半導体ウェハ相互間における膜の均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to form a film forming apparatus capable of reducing the positional deviation in the horizontal plane direction between a plurality of semiconductor wafers spaced vertically. Is to provide. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can improve film uniformity between semiconductor wafers when a plurality of semiconductor wafers are simultaneously formed. .
上記課題を解決するため、本発明に係る成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送し、前記ウェハ保持部材に保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部とを具備する。
In order to solve the above-described problem, a film forming apparatus according to the present invention includes a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A transport unit for transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member and holding the semiconductor wafer on the wafer holding member;
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held by the wafer holding member;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor, and adjusts the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane to the position of the semiconductor wafer that is already held by the wafer holding member. It comprises.
この成膜装置によれば、搬送部は、半導体ウェハをウェハ保持部材に保持させるとき、この半導体ウェハの水平面内における位置を、既に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる。従って、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。 According to this film forming apparatus, when the transfer unit holds the semiconductor wafer on the wafer holding member, the transfer unit adjusts the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane to the position of the already held semiconductor wafer in the horizontal plane. Therefore, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of semiconductor wafers can be reduced.
前記搬送部が、半導体ウェハを下から順に前記ウェハ保持部材に保持させる場合、前記位置検出センサは、前記搬送部の下面に設けられているのが好ましい。この場合、搬送部が、略板状の第1のベース部材と、第1のベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面を吸着する吸着部と、前記半導体ウェハの縁に沿う形状の第2のベース部材とを具備し、前記位置検出センサは、前記第2のベース部材の下面に設けられていてもよい。 In the case where the transfer unit holds the semiconductor wafers on the wafer holding member sequentially from the bottom, the position detection sensor is preferably provided on the lower surface of the transfer unit. In this case, the conveying unit is provided with a substantially plate-like first base member, an adsorption unit that is provided on the first base member and adsorbs the lower surface of the semiconductor wafer of the semiconductor wafer, and a shape along the edge of the semiconductor wafer. A second base member, and the position detection sensor may be provided on a lower surface of the second base member.
本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
複数の半導体ウェハそれぞれを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる搬送部と、
前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハそれぞれの、水平面内での位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する。
Another film forming apparatus according to the present invention includes a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A transport unit configured to transport and hold each of the plurality of semiconductor wafers to the wafer holding member;
A position detection sensor for detecting a position in a horizontal plane of each of a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A controller that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane;
It comprises.
この成膜装置によれば、複数の半導体ウェハの水平面内における位置は、位置検出センサによる半導体ウェハの位置検出結果に基づいて修正される。従って、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。 According to this film forming apparatus, the position of the plurality of semiconductor wafers in the horizontal plane is corrected based on the position detection result of the semiconductor wafer by the position detection sensor. Therefore, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of semiconductor wafers can be reduced.
位置検出センサは、前記搬送部に設けられているのが好ましい。このようにすると、位置検出センサを移動させる機構を新たに設ける必要がない。なお、搬送部が、略板状のベース部材と、前記ベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面略中央部を吸着する吸着部とを具備している場合、前記位置検出センサは、前記搬送部の前記ベース部材の先端部近傍に設けられているのが好ましい。このようにすると、位置検出センサを半導体ウェハに近づけやすくなるため、位置検出センサの測定誤差を小さくすることができる。
位置検出センサは、例えば光反射型センサである。
The position detection sensor is preferably provided in the transport unit. In this way, there is no need to newly provide a mechanism for moving the position detection sensor. In the case where the transport unit includes a substantially plate-like base member, and an adsorption part that is provided on the base member and adsorbs a substantially central part of the lower surface of the semiconductor wafer, the position detection sensor is It is preferable that it is provided in the vicinity of the tip of the base member of the transport unit. In this way, the position detection sensor can be easily brought close to the semiconductor wafer, so that the measurement error of the position detection sensor can be reduced.
The position detection sensor is, for example, a light reflection type sensor.
本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部とを具備する。
Another film forming apparatus according to the present invention includes a transport unit that transports and holds a semiconductor wafer in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held in the cassette;
A control unit configured to control the transfer unit based on a detection result of the position detection sensor, and to adjust a position of the semiconductor wafer being transferred in a horizontal plane to a position in the horizontal plane of the semiconductor wafer already held in the cassette; It has.
この成膜装置によれば、カセット内部において、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。このため、次の工程で、従来型の搬送装置を用いて半導体ウェハをカセットからボード等に搬送する場合、搬送先における、半導体ウェハの水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。 According to this film forming apparatus, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of semiconductor wafers can be reduced within the cassette. For this reason, when a semiconductor wafer is transported from a cassette to a board or the like using a conventional transport device in the next step, the positional deviation of the semiconductor wafer in the horizontal plane at the transport destination can be reduced.
本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、複数の半導体ウェハそれぞれを搬送して保持させる搬送部と、
前記カセットに保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記カセットに保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部とを具備する。
Another film forming apparatus according to the present invention includes a transport unit that transports and holds each of the plurality of semiconductor wafers in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated from each other.
A position detection sensor for detecting positions in a horizontal plane of a plurality of semiconductor wafers held in the cassette;
A controller that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held in the cassette in a horizontal plane.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
搬送部を用いて、半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送する工程と、
既に該ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの平面位置を、前記搬送部に設けられた位置検出センサを用いて検出しつつ、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせた後、前記ウェハ保持部材に半導体ウェハを保持させる工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程とを具備する。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of preparing a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A step of transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member using a transport unit;
While detecting the planar position of the semiconductor wafer already held by the wafer holding member using a position detection sensor provided in the transfer unit, the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane is determined by the wafer holding member. A step of holding the semiconductor wafer on the wafer holding member after adjusting the position of the semiconductor wafer held in the horizontal plane,
Forming a film on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member.
この半導体装置の製造方法によれば、ウェハ保持部材において、複数の半導体ウェハ相互間における水平面方向の位置ずれが小さくなる。従って、複数の半導体ウェハ相互間において、成膜される膜の均一性を向上させることができる。 According to this method for manufacturing a semiconductor device, in the wafer holding member, positional deviation in the horizontal plane direction between a plurality of semiconductor wafers is reduced. Accordingly, it is possible to improve the uniformity of a film formed between a plurality of semiconductor wafers.
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
複数の半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる工程と、
位置検出センサを用いて、前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程とを具備する。
Another method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of preparing a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
Transporting and holding a plurality of semiconductor wafers to the wafer holding member;
A position detection sensor is used to detect the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane, and the plurality of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member based on the detection result of the position detection sensor. Correcting the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane;
Forming a film on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member.
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1(A)は、本発明の第1の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図である。図1(B)は、図1(A)の上面図である。本図に示す成膜装置は、縦型CVD装置であり、例えばトランジスタのゲートサイドウォールとなる酸化シリコン膜を、シリコンウェハ1に成膜するときに用いられる。この縦型CVD装置は、複数のシリコンウェハ1に対して、成膜処理を同時に行うものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a schematic side view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a top view of FIG. The film forming apparatus shown in this figure is a vertical CVD apparatus, and is used, for example, when a silicon oxide film that becomes a gate sidewall of a transistor is formed on a
複数のシリコンウェハ1は、反応室(図示せず)の内部において、ボード10に、上下に離間して保持される。ボード10は、複数の支柱12(例えば4本)を、シリコンウェハ1の片側半分の縁に沿うように配置したものである。支柱12それぞれの側面には、複数の凹部12aが上下に渡って設けられている。シリコンウェハ1は、凹部12aに差し込まれることでボード10に保持される。
The plurality of
複数のシリコンウェハ1は、カセット30の内部に上下に離間して保持された状態で、反応室の内部に搬入される。カセット30に保持されたシリコンウェハ1は、搬送装置20によってカセット30から取り出され、下から順に、ボード10の凹部12aに差し込まれる。搬送装置20は、制御部40によって制御されている。
The plurality of
図2は、搬送装置20の平面図である。本図及び図1(B)に示すように、搬送装置20は、細長い板状の第1のベース部材22を有している。シリコンウェハ1を保持するとき、第1のベース部材22は、シリコンウェハ1の下方に差し込まれ、その後上方に移動することにより、シリコンウェハ1の下面に接する。第1のベース部材22の上面の先端部近傍には、シリコンウェハ1の下面を吸着する吸着部22aが設けられている。吸着部22aがシリコンウェハ1の下面の中央部分を吸着することにより、搬送装置20はシリコンウェハ1を保持し、かつ移動させることができる。
FIG. 2 is a plan view of the
第1のベース部材22の先端には、位置検出センサ22bが取り付けられている。位置検出センサ22bは、例えば光反射型のセンサであり、ボード10に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置を測定するセンサである。
A
搬送装置20は、板状の第2のベース部材24を有している。第2のベース部材24は、シリコンウェハ1の縁に略沿う形状をしており、吸着部22aが吸着しているシリコンウェハ1の縁を下方から支持する。
The
第2のベース部材24の下面には、複数の位置検出センサ24aが取り付けられている。複数の位置検出センサ24aは、例えば光反射型のセンサであり、保持しているシリコンウェハ1をボード10に差し込むときに、既にボード10に差し込まれているシリコンウェハ1の位置を検出するために設けられている。
A plurality of
なお、第2のベース部材24は、例えばシリコンウェハ1の片側半分の縁に沿う形状をしている。位置検出センサ24aは、2つ以上設けられていればよいが、第1のベース部材22と重なる部分、及び第2のベース部材24の両端それぞれに設けられるのが望ましい。
The
図3は、図1及び図2に示した成膜装置の動作を説明するためのフローチャートである。本図に示すフローは、半導体装置の製造工程の一部分であり、シリコンウェハ1に所定の膜を成膜するときのものである。
FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the film forming apparatus shown in FIGS. The flow shown in this figure is a part of the manufacturing process of the semiconductor device, and is for forming a predetermined film on the
まず、複数のシリコンウェハ1をカセット30から取り出し、ボード10に保持させる(S20)。次いで、シリコンウェハ1の水平面内における位置のばらつきが許容範囲内であるか否かを確認し、位置がずれているシリコンウェハ1の位置を修正する(S40)。次いで、成膜処理を行った(S60)後、シリコンウェハ1をカセット30に戻す(S80)。
First, a plurality of
図4は、図3のS20における成膜装置の動作を説明するフローチャートである。まず、成膜装置の搬送装置20は、一枚目のシリコンウェハ1をカセット30から取り出し、ボード10の最下部に位置する凹部12aに差込む。これにより、一枚目のシリコンウェハ1がボード10に保持される(S22)。
FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation of the film forming apparatus in S20 of FIG. First, the
次いで、搬送装置20は、次のシリコンウェハ1をカセット30から取り出し(S24)、シリコンウェハ1を下から2段目の凹部12aに差し込む。このとき、制御部40は、複数の位置検出センサ24aを用いて、既にボード10に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出する。そして、制御部40は、搬送装置20を用いて、差し込んだシリコンウェハ1の位置を調整し、このシリコンウェハ1の水平面内における位置が、既にボード10に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるようにする(S26)。
Next, the
なお、位置検出センサ24aが、第1のベース部材22と重なる部分、及び第2のベース部材24の両端それぞれに設けられている場合、前者の位置に設けられた位置検出センサ24aは、シリコンウェハ1の奥行き方向の位置(図1(B)のX方向)を検出し、後者の位置に設けられた位置検出センサ24aは、シリコンウェハ1の幅方向の位置(図1(B)のY方向)を検出する。
In addition, when the
すべてのシリコンウェハ1をボード10に搬送するまで、S24及びS26に示した動作を繰り返す(S28)。
The operations shown in S24 and S26 are repeated until all the
このように、搬送装置20は、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をボード10に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
In this way, the
図5は、図3のS40における処理を説明するためのフローチャートである。まず、制御部40は、搬送装置20を、ボード10の最下部に保持されているシリコンウェハ1の前に移動させる(S42)。次いで、位置検出センサ22bを用いて、第1のベース部材22の先端から、最下部に位置するシリコンウェハ1の先端までの距離を測定する(S44)。
FIG. 5 is a flowchart for explaining the processing in S40 of FIG. First, the
位置検出センサ22bが第1のベース部材22の先端に取り付けられているため、位置検出センサ22bを移動させるための機構を新たに設ける必要がない。また、位置検出センサ22bをシリコンウェハ1に近づけることができる。このため、位置検出センサの測定誤差を小さくすることができる。
Since the
次いで、上方に別のシリコンウェハ1がある場合(S46:No)、制御部40は、搬送装置20をそのまま上方かつ垂直に移動し、下から2枚目のシリコンウェハ1の横に位置させる(S48)。そして、第1のベース部材22の先端から、下から2枚目のシリコンウェハ1の先端までの距離を測定する(S44)。これらの動作を繰り返すことにより、ボード10の保持されている複数のシリコンウェハ1それぞれの先端から、第1のベース部材22までの距離を、下から順に測定する(S42〜S46)。
Next, when there is another
次いで、制御部40は、第1のベース部材22までの距離が、基準範囲外にあるシリコンウェハ1を認識する。この距離が基準範囲外にある場合、シリコンウェハ1の水平面内における位置は、基準範囲から外れている。制御部40は、搬送装置20を用いて、認識したシリコンウェハ1の位置を修正する(S48)。これにより、シリコンウェハ1の水平面内における位置が修正され、全てのシリコンウェハ1の水平面内における位置が、基準範囲内に収まる。なお、ここでの基準範囲は、例えば最下部に保持されているシリコンウェハ1に対する測定結果に、許容誤差を加えることにより設定される。
Next, the
なお、ボード10が回転機構(図示せず)を有している場合、ボード10を90°又は180°ほど回転させた後、再び図5に示す処理を行ってもよい。
If the
図6は、図3のS80における処理を説明するためのフローチャートである。まず、成膜装置の搬送装置20は、一枚目のシリコンウェハ1をボード10から取り出し(S82)、カセット30の最下段に差し込む。これにより、一枚目のシリコンウェハ1がカセット30に収納される(S84)。
FIG. 6 is a flowchart for explaining the processing in S80 of FIG. First, the
次いで、搬送装置20は、次のシリコンウェハ1をボード10から取り出し(S86)、シリコンウェハ1をカセット30の下から2段目の部分に差し込む。このとき、複数の位置検出センサ24aを用いて、既にカセット30に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出する。そして、差し込んだシリコンウェハ1の位置を調整し、このシリコンウェハ1の水平面内における位置が、既にカセット30に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるようにする。このようにして、次のシリコンウェハ1がカセット30に収納される(S88)。
Next, the
すべてのシリコンウェハ1をカセット30に搬送するまで、S86及びS88に示した動作を繰り返す(S90)。
The operations shown in S86 and S88 are repeated until all the
このように、搬送装置20は、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をカセット30に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、カセット30内において、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
As described above, the
その後、搬送装置20は、第1のベース部材22の先端に取り付けられている位置検出センサ22bを用いて、カセット30に保持されている複数のシリコンウェハ1それぞれの先端から、第1のベース部材22の先端までの距離を、下から順に測定する。次いで、第1のベース部材22の先端までの距離が、基準範囲外にあるシリコンウェハ1を認識し、認識したシリコンウェハ1の位置を修正する。これにより、シリコンウェハ1の水平面内における位置が修正され、全てのシリコンウェハ1の水平面内における位置が、基準範囲内に収まる。
Thereafter, the
これらの動作により、次の工程で、従来型の搬送装置を用いてシリコンウェハ1をカセット30からボード等に搬送する場合、搬送装置は、全てのシリコンウェハ1を、略同じ位置で吸着することができる。従って、搬送先において、シリコンウェハ1の水平面方向の位置ずれは小さくなる。
With these operations, when the
以上、本発明の第1の実施形態によれば、搬送装置20は、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をボード10に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, the
その後、搬送装置20は、ボード10に保持されている複数のシリコンウェハ1それぞれにおける水平面内での位置を測定し、基準位置からずれているシリコンウェハ1を、基準位置に位置するように移動させる。このため、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを、さらに小さくすることができる。
Thereafter, the
このため、複数のシリコンウェハ1相互間において、成膜された膜のばらつきは少なくなり、均一性が高くなる。
For this reason, the variation of the deposited film is reduced among the plurality of
また、成膜後のシリコンウェハ1をボード10からカセット30に移動させる場合、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をカセット30に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
When the
このため、次の工程で、従来型の搬送装置を用いてシリコンウェハ1をカセット30からボード等に搬送する場合、搬送先における、シリコンウェハ1の水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
また、上記した動作の制御を制御部40が行うため、作業者の能力によらず、上記した効果を得ることができる。
For this reason, when the
In addition, since the
図7は、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置の構成を説明するための側面概略図である。本図に示す成膜装置の構成及び動作は、搬送装置20が、同時に複数のシリコンウェハ1を搬送する点を除いて、第1の実施形態と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
FIG. 7 is a schematic side view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. The configuration and operation of the film forming apparatus shown in this drawing are the same as those in the first embodiment except that the
本実施形態において、搬送装置20は、複数の第1のベース部材22を、上下に離間した状態で有している。これにより、搬送装置20は、複数のシリコンウェハ1を同時にカセット30から取り出し、ボード10に差し込むことができる。また、成膜後は、複数のシリコンウェハ1を同時にボード10から取り出し、カセット30に差し込むことができる。
In the present embodiment, the
位置検出センサ22bは、最下部に位置する第1のベース部材22に取り付けられている。また、第2のベース部材24及び位置検出センサ24aは、最下部に位置する第1のベース部材22に取り付けられている。
The
本実施形態の搬送装置20は、第1の実施形態と同様の動作を行うことにより、搬送しているシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既にボード10又はカセット30に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と、重なるようにする。
本実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
The
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記した実施形態では、シリコンウェハ1をボード10又はカセット30に、下から順に保持させていたが、上から順に保持させるようにしてもよい。この場合、第2のベース部材24の形状及び位置検出センサ24aの配置を変更し、上方に位置するシリコンウェハ1の位置を検出できるようにする。これにより、新たなシリコンウェハ1を、既にボード10又はカセット30に保持されているシリコンウェハ1の水平面内での位置に合わせながら、ボード10又はカセット30に差し込むことができる。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the
1,101…シリコンウェハ、10,110…ボード、12,112…支柱、12a,112a…凹部、20,120…搬送装置、22…第1のベース部材、22a…吸着部、22b,24a…位置検出センサ、24…第2のベース部材、30,130…カセット、40…制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 ... Silicon wafer, 10, 110 ... Board, 12, 112 ... Support | pillar, 12a, 112a ... Recess, 20, 120 ... Conveyance device, 22 ... First base member, 22a ... Adsorption part, 22b, 24a ... Position Detection sensor, 24 ... second base member, 30, 130 ... cassette, 40 ... control unit
Claims (11)
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送し、前記ウェハ保持部材に保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部と、
を具備する成膜装置。 A wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
A transport unit for transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member and holding the semiconductor wafer on the wafer holding member;
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held by the wafer holding member;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor, and adjusts the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane to the position of the semiconductor wafer that is already held by the wafer holding member. When,
A film forming apparatus comprising:
前記位置検出センサは、前記搬送部の下面に設けられている請求項1に記載の成膜装置。 The transfer unit holds the semiconductor wafers in order from the bottom on the wafer holding member,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position detection sensor is provided on a lower surface of the transfer unit.
略板状の第1のベース部材と、
前記第1のベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの下面を吸着する吸着部と、
前記半導体ウェハの縁に沿う形状の第2のベース部材と、
を具備し、前記位置検出センサは、前記第2のベース部材の下面に設けられている請求項1又は2に記載の成膜装置。 The transport unit is
A substantially plate-shaped first base member;
An adsorption portion provided on the first base member for adsorbing a lower surface of the semiconductor wafer;
A second base member shaped along the edge of the semiconductor wafer;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position detection sensor is provided on a lower surface of the second base member.
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる搬送部と、
前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハそれぞれの、水平面内での位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する成膜装置。 A wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
A transport unit for transporting and holding a semiconductor wafer to the wafer holding member;
A position detection sensor for detecting a position in a horizontal plane of each of a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A controller that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane;
A film forming apparatus comprising:
略板状のベース部材と、
前記ベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面略中央部を吸着する吸着部と、
を具備し、前記位置検出センサは、前記搬送部の前記ベース部材の先端部近傍に設けられている請求項5に記載の成膜装置。 The transport unit is
A substantially plate-shaped base member;
An adsorbing portion provided on the base member and adsorbing a substantially central portion of the lower surface of the semiconductor wafer of the semiconductor wafer;
The film forming apparatus according to claim 5, wherein the position detection sensor is provided in the vicinity of a tip end portion of the base member of the transport unit.
前記搬送部に設けられ、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部と、
を具備する成膜装置。 A transport unit that transports and holds the semiconductor wafer in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated; and
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held in the cassette;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor, and adjusts the position in the horizontal plane of the semiconductor wafer being transferred to the position in the horizontal plane of the semiconductor wafer already held in the cassette;
A film forming apparatus comprising:
前記カセットに保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記カセットに保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する成膜装置。 A transport unit that transports and holds the semiconductor wafer in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated; and
A position detection sensor for detecting positions in a horizontal plane of a plurality of semiconductor wafers held in the cassette;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held in the cassette in a horizontal plane;
A film forming apparatus comprising:
搬送部を用いて、半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送する工程と、
既に該ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの平面位置を、前記搬送部に設けられた位置検出センサを用いて検出しつつ、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせた後、前記ウェハ保持部材に半導体ウェハを保持させる工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 Preparing a wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
A step of transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member using a transport unit;
While detecting the planar position of the semiconductor wafer already held by the wafer holding member using a position detection sensor provided in the transfer unit, the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane is determined by the wafer holding member. A step of holding the semiconductor wafer on the wafer holding member after adjusting the position of the semiconductor wafer held in the horizontal plane,
Performing a film forming process on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
複数の半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる工程と、
位置検出センサを用いて、前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 Preparing a wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
Transporting and holding a plurality of semiconductor wafers to the wafer holding member;
A position detection sensor is used to detect the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane, and the plurality of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member based on the detection result of the position detection sensor. Correcting the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane;
Performing a film forming process on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
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JP2005034709A JP2006222296A (en) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | Film forming device, and manufacturing method for semiconductor device |
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