JP2006222296A - Film forming device, and manufacturing method for semiconductor device - Google Patents

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JP2006222296A JP2005034709A JP2005034709A JP2006222296A JP 2006222296 A JP2006222296 A JP 2006222296A JP 2005034709 A JP2005034709 A JP 2005034709A JP 2005034709 A JP2005034709 A JP 2005034709A JP 2006222296 A JP2006222296 A JP 2006222296A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming device which reduces a horizontal shift between a plurality of semiconductor wafers separated vertically from each other. <P>SOLUTION: The film forming device comprises a wafer holding member 10 which holds a plurality of wafers 1 to keep them separated vertically from each other; a transfer unit 20 which transfers a semiconductor wafer 1 to the holding member 10 to allow it to hold the wafer 1; location detecting sensors 24a which are arranged on the transfer unit 20 and detect the location of a semiconductor wafer 1 already held by the wafer holding member 10; and a control unit 40 which controls the transfer unit 20 on the basis of a detection result from the location detecting sensors 24a, and matches the position of a semiconductor wafer 1 on transfer in a horizontal plane to that of semiconductor wafers 1 already held by the wafer holding member 10 in the horizontal plane. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、成膜装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる成膜装置に関する。また、本発明は、成膜される膜の均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a film forming apparatus capable of reducing a positional deviation in the horizontal plane direction between a plurality of semiconductor wafers that are separated from each other in the vertical direction. The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device that can improve the uniformity of a film to be formed.

図7は、従来の成膜装置の構成を説明する為の側面概略図である。本図に示す成膜装置は縦型CVD装置であり、反応室(図示せず)の内部にボード110を有する。ボード110は、複数の支柱112を有している。支柱112それぞれの側面には、凹部112aが上下に複数並んで設けられており、凹部112aそれぞれにシリコンウェハ101を差し込むことにより、シリコンウェハ101を上下に離間して保持する。シリコンウェハ101は、搬送装置120によってカセット130の内部からボード110まで搬送される。   FIG. 7 is a schematic side view for explaining the configuration of a conventional film forming apparatus. The film forming apparatus shown in this figure is a vertical CVD apparatus, and has a board 110 inside a reaction chamber (not shown). The board 110 has a plurality of support columns 112. A plurality of recesses 112a are provided on the side surfaces of each of the columns 112, and the silicon wafer 101 is inserted into each of the recesses 112a to hold the silicon wafer 101 apart from each other. The silicon wafer 101 is transferred from the inside of the cassette 130 to the board 110 by the transfer device 120.

そして、原料ガスを反応室の内部に注入し、反応室の内部を所定の温度に維持する。これにより、複数のシリコンウェハ101それぞれには膜が成膜される。
特開平10−242245号公報(図1)
Then, a source gas is injected into the reaction chamber, and the inside of the reaction chamber is maintained at a predetermined temperature. Thereby, a film is formed on each of the plurality of silicon wafers 101.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-242245 (FIG. 1)

複数の半導体ウェハそれぞれに成膜される膜は、半導体ウェハ相互間でのばらつきが小さいのが望ましい。従来は、温度、圧力、原料ガス流量などの成膜条件を調整すること、及び、半導体ウェハを保持するウェハ保持部材(例えばボード)の形状を工夫することにより、複数の半導体ウェハそれぞれの全面に、均一に原料ガスが供給されるようにしていた。これにより、ある程度、半導体ウェハ相互間での膜のばらつきが抑制される。しかし、近年は、さらに膜の均一性を向上させることが望まれている。   It is desirable that the film formed on each of the plurality of semiconductor wafers has a small variation between the semiconductor wafers. Conventionally, by adjusting film forming conditions such as temperature, pressure, and raw material gas flow rate, and by devising the shape of a wafer holding member (for example, a board) for holding a semiconductor wafer, the entire surface of each of a plurality of semiconductor wafers is provided. The raw material gas was supplied uniformly. Thereby, the dispersion | variation in the film | membrane between semiconductor wafers is suppressed to some extent. However, in recent years, it has been desired to further improve the uniformity of the film.

半導体ウェハ相互間での膜のばらつきをさらに抑制するには、半導体ウェハの水平面内における位置のばらつきを小さくすることが有効である。しかし、ウェハ保持部材のウェハ保持部分(例えばボードの凹部)にはマージンがあり、また、搬送装置の移動位置再現性にも多少のばらつきがある。このため、半導体ウェハの水平面内での位置は、多少ばらついていた。   In order to further suppress the film variation between the semiconductor wafers, it is effective to reduce the position variation in the horizontal plane of the semiconductor wafer. However, there is a margin in the wafer holding portion (for example, a concave portion of the board) of the wafer holding member, and there is some variation in the reproducibility of the moving position of the transfer device. For this reason, the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane is somewhat varied.

また、カセット内部において半導体ウェハの位置がばらついている場合、カセットから半導体ウェハを取り出す際に、搬送装置に対する半導体ウェハの位置がばらつくため、搬送先のウェハ保持部材における半導体ウェハの位置もばらついてしまう。   Further, when the position of the semiconductor wafer varies within the cassette, when the semiconductor wafer is taken out from the cassette, the position of the semiconductor wafer with respect to the transfer device varies, and therefore, the position of the semiconductor wafer on the wafer holding member at the transfer destination also varies. .

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる成膜装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、複数の半導体ウェハに同時に成膜処理をする場合に、半導体ウェハ相互間における膜の均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to form a film forming apparatus capable of reducing the positional deviation in the horizontal plane direction between a plurality of semiconductor wafers spaced vertically. Is to provide. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can improve film uniformity between semiconductor wafers when a plurality of semiconductor wafers are simultaneously formed. .

上記課題を解決するため、本発明に係る成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送し、前記ウェハ保持部材に保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部とを具備する。
In order to solve the above-described problem, a film forming apparatus according to the present invention includes a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A transport unit for transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member and holding the semiconductor wafer on the wafer holding member;
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held by the wafer holding member;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor, and adjusts the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane to the position of the semiconductor wafer that is already held by the wafer holding member. It comprises.

この成膜装置によれば、搬送部は、半導体ウェハをウェハ保持部材に保持させるとき、この半導体ウェハの水平面内における位置を、既に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる。従って、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   According to this film forming apparatus, when the transfer unit holds the semiconductor wafer on the wafer holding member, the transfer unit adjusts the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane to the position of the already held semiconductor wafer in the horizontal plane. Therefore, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of semiconductor wafers can be reduced.

前記搬送部が、半導体ウェハを下から順に前記ウェハ保持部材に保持させる場合、前記位置検出センサは、前記搬送部の下面に設けられているのが好ましい。この場合、搬送部が、略板状の第1のベース部材と、第1のベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面を吸着する吸着部と、前記半導体ウェハの縁に沿う形状の第2のベース部材とを具備し、前記位置検出センサは、前記第2のベース部材の下面に設けられていてもよい。   In the case where the transfer unit holds the semiconductor wafers on the wafer holding member sequentially from the bottom, the position detection sensor is preferably provided on the lower surface of the transfer unit. In this case, the conveying unit is provided with a substantially plate-like first base member, an adsorption unit that is provided on the first base member and adsorbs the lower surface of the semiconductor wafer of the semiconductor wafer, and a shape along the edge of the semiconductor wafer. A second base member, and the position detection sensor may be provided on a lower surface of the second base member.

本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
複数の半導体ウェハそれぞれを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる搬送部と、
前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハそれぞれの、水平面内での位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する。
Another film forming apparatus according to the present invention includes a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A transport unit configured to transport and hold each of the plurality of semiconductor wafers to the wafer holding member;
A position detection sensor for detecting a position in a horizontal plane of each of a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A controller that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane;
It comprises.

この成膜装置によれば、複数の半導体ウェハの水平面内における位置は、位置検出センサによる半導体ウェハの位置検出結果に基づいて修正される。従って、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   According to this film forming apparatus, the position of the plurality of semiconductor wafers in the horizontal plane is corrected based on the position detection result of the semiconductor wafer by the position detection sensor. Therefore, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of semiconductor wafers can be reduced.

位置検出センサは、前記搬送部に設けられているのが好ましい。このようにすると、位置検出センサを移動させる機構を新たに設ける必要がない。なお、搬送部が、略板状のベース部材と、前記ベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面略中央部を吸着する吸着部とを具備している場合、前記位置検出センサは、前記搬送部の前記ベース部材の先端部近傍に設けられているのが好ましい。このようにすると、位置検出センサを半導体ウェハに近づけやすくなるため、位置検出センサの測定誤差を小さくすることができる。
位置検出センサは、例えば光反射型センサである。
The position detection sensor is preferably provided in the transport unit. In this way, there is no need to newly provide a mechanism for moving the position detection sensor. In the case where the transport unit includes a substantially plate-like base member, and an adsorption part that is provided on the base member and adsorbs a substantially central part of the lower surface of the semiconductor wafer, the position detection sensor is It is preferable that it is provided in the vicinity of the tip of the base member of the transport unit. In this way, the position detection sensor can be easily brought close to the semiconductor wafer, so that the measurement error of the position detection sensor can be reduced.
The position detection sensor is, for example, a light reflection type sensor.

本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部とを具備する。
Another film forming apparatus according to the present invention includes a transport unit that transports and holds a semiconductor wafer in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held in the cassette;
A control unit configured to control the transfer unit based on a detection result of the position detection sensor, and to adjust a position of the semiconductor wafer being transferred in a horizontal plane to a position in the horizontal plane of the semiconductor wafer already held in the cassette; It has.

この成膜装置によれば、カセット内部において、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。このため、次の工程で、従来型の搬送装置を用いて半導体ウェハをカセットからボード等に搬送する場合、搬送先における、半導体ウェハの水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   According to this film forming apparatus, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of semiconductor wafers can be reduced within the cassette. For this reason, when a semiconductor wafer is transported from a cassette to a board or the like using a conventional transport device in the next step, the positional deviation of the semiconductor wafer in the horizontal plane at the transport destination can be reduced.

本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、複数の半導体ウェハそれぞれを搬送して保持させる搬送部と、
前記カセットに保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記カセットに保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部とを具備する。
Another film forming apparatus according to the present invention includes a transport unit that transports and holds each of the plurality of semiconductor wafers in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated from each other.
A position detection sensor for detecting positions in a horizontal plane of a plurality of semiconductor wafers held in the cassette;
A controller that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held in the cassette in a horizontal plane.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
搬送部を用いて、半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送する工程と、
既に該ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの平面位置を、前記搬送部に設けられた位置検出センサを用いて検出しつつ、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせた後、前記ウェハ保持部材に半導体ウェハを保持させる工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程とを具備する。
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of preparing a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
A step of transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member using a transport unit;
While detecting the planar position of the semiconductor wafer already held by the wafer holding member using a position detection sensor provided in the transfer unit, the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane is determined by the wafer holding member. A step of holding the semiconductor wafer on the wafer holding member after adjusting the position of the semiconductor wafer held in the horizontal plane,
Forming a film on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member.

この半導体装置の製造方法によれば、ウェハ保持部材において、複数の半導体ウェハ相互間における水平面方向の位置ずれが小さくなる。従って、複数の半導体ウェハ相互間において、成膜される膜の均一性を向上させることができる。   According to this method for manufacturing a semiconductor device, in the wafer holding member, positional deviation in the horizontal plane direction between a plurality of semiconductor wafers is reduced. Accordingly, it is possible to improve the uniformity of a film formed between a plurality of semiconductor wafers.

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
複数の半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる工程と、
位置検出センサを用いて、前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程とを具備する。
Another method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of preparing a wafer holding member that holds a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated, and
Transporting and holding a plurality of semiconductor wafers to the wafer holding member;
A position detection sensor is used to detect the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane, and the plurality of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member based on the detection result of the position detection sensor. Correcting the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane;
Forming a film on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1(A)は、本発明の第1の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図である。図1(B)は、図1(A)の上面図である。本図に示す成膜装置は、縦型CVD装置であり、例えばトランジスタのゲートサイドウォールとなる酸化シリコン膜を、シリコンウェハ1に成膜するときに用いられる。この縦型CVD装置は、複数のシリコンウェハ1に対して、成膜処理を同時に行うものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a schematic side view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a top view of FIG. The film forming apparatus shown in this figure is a vertical CVD apparatus, and is used, for example, when a silicon oxide film that becomes a gate sidewall of a transistor is formed on a silicon wafer 1. This vertical CVD apparatus performs a film forming process on a plurality of silicon wafers 1 simultaneously.

複数のシリコンウェハ1は、反応室(図示せず)の内部において、ボード10に、上下に離間して保持される。ボード10は、複数の支柱12(例えば4本)を、シリコンウェハ1の片側半分の縁に沿うように配置したものである。支柱12それぞれの側面には、複数の凹部12aが上下に渡って設けられている。シリコンウェハ1は、凹部12aに差し込まれることでボード10に保持される。   The plurality of silicon wafers 1 are held on the board 10 so as to be spaced apart from each other in the reaction chamber (not shown). The board 10 has a plurality of support columns 12 (for example, four) arranged along the edge of one half of the silicon wafer 1. A plurality of concave portions 12a are provided on the side surfaces of the support columns 12 so as to extend vertically. The silicon wafer 1 is held on the board 10 by being inserted into the recess 12a.

複数のシリコンウェハ1は、カセット30の内部に上下に離間して保持された状態で、反応室の内部に搬入される。カセット30に保持されたシリコンウェハ1は、搬送装置20によってカセット30から取り出され、下から順に、ボード10の凹部12aに差し込まれる。搬送装置20は、制御部40によって制御されている。   The plurality of silicon wafers 1 are carried into the reaction chamber while being held in the cassette 30 so as to be separated from each other in the vertical direction. The silicon wafer 1 held in the cassette 30 is taken out from the cassette 30 by the transfer device 20 and inserted into the concave portion 12a of the board 10 in order from the bottom. The transport device 20 is controlled by the control unit 40.

図2は、搬送装置20の平面図である。本図及び図1(B)に示すように、搬送装置20は、細長い板状の第1のベース部材22を有している。シリコンウェハ1を保持するとき、第1のベース部材22は、シリコンウェハ1の下方に差し込まれ、その後上方に移動することにより、シリコンウェハ1の下面に接する。第1のベース部材22の上面の先端部近傍には、シリコンウェハ1の下面を吸着する吸着部22aが設けられている。吸着部22aがシリコンウェハ1の下面の中央部分を吸着することにより、搬送装置20はシリコンウェハ1を保持し、かつ移動させることができる。   FIG. 2 is a plan view of the transfer device 20. As shown in FIG. 1 and FIG. 1B, the transport device 20 has a first base member 22 that has a long and narrow plate shape. When holding the silicon wafer 1, the first base member 22 is inserted below the silicon wafer 1 and then moves upward to contact the lower surface of the silicon wafer 1. An adsorption portion 22 a that adsorbs the lower surface of the silicon wafer 1 is provided near the tip of the upper surface of the first base member 22. When the suction part 22a sucks the central portion of the lower surface of the silicon wafer 1, the transfer device 20 can hold and move the silicon wafer 1.

第1のベース部材22の先端には、位置検出センサ22bが取り付けられている。位置検出センサ22bは、例えば光反射型のセンサであり、ボード10に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置を測定するセンサである。   A position detection sensor 22 b is attached to the tip of the first base member 22. The position detection sensor 22b is a light reflection type sensor, for example, and is a sensor that measures the position of the silicon wafer 1 held on the board 10 in the horizontal plane.

搬送装置20は、板状の第2のベース部材24を有している。第2のベース部材24は、シリコンウェハ1の縁に略沿う形状をしており、吸着部22aが吸着しているシリコンウェハ1の縁を下方から支持する。   The transport device 20 has a plate-like second base member 24. The second base member 24 has a shape substantially along the edge of the silicon wafer 1 and supports the edge of the silicon wafer 1 to which the suction portion 22a is sucked from below.

第2のベース部材24の下面には、複数の位置検出センサ24aが取り付けられている。複数の位置検出センサ24aは、例えば光反射型のセンサであり、保持しているシリコンウェハ1をボード10に差し込むときに、既にボード10に差し込まれているシリコンウェハ1の位置を検出するために設けられている。   A plurality of position detection sensors 24 a are attached to the lower surface of the second base member 24. The plurality of position detection sensors 24 a are, for example, light reflection type sensors, and detect the position of the silicon wafer 1 that is already inserted into the board 10 when the silicon wafer 1 that is held is inserted into the board 10. Is provided.

なお、第2のベース部材24は、例えばシリコンウェハ1の片側半分の縁に沿う形状をしている。位置検出センサ24aは、2つ以上設けられていればよいが、第1のベース部材22と重なる部分、及び第2のベース部材24の両端それぞれに設けられるのが望ましい。   The second base member 24 has a shape along the edge of one half of the silicon wafer 1, for example. Two or more position detection sensors 24 a may be provided, but it is preferable that the position detection sensors 24 a are provided at a portion overlapping the first base member 22 and at both ends of the second base member 24.

図3は、図1及び図2に示した成膜装置の動作を説明するためのフローチャートである。本図に示すフローは、半導体装置の製造工程の一部分であり、シリコンウェハ1に所定の膜を成膜するときのものである。   FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the film forming apparatus shown in FIGS. The flow shown in this figure is a part of the manufacturing process of the semiconductor device, and is for forming a predetermined film on the silicon wafer 1.

まず、複数のシリコンウェハ1をカセット30から取り出し、ボード10に保持させる(S20)。次いで、シリコンウェハ1の水平面内における位置のばらつきが許容範囲内であるか否かを確認し、位置がずれているシリコンウェハ1の位置を修正する(S40)。次いで、成膜処理を行った(S60)後、シリコンウェハ1をカセット30に戻す(S80)。   First, a plurality of silicon wafers 1 are taken out from the cassette 30 and held on the board 10 (S20). Next, it is confirmed whether or not the variation in the position of the silicon wafer 1 in the horizontal plane is within an allowable range, and the position of the silicon wafer 1 that is displaced is corrected (S40). Next, after the film forming process is performed (S60), the silicon wafer 1 is returned to the cassette 30 (S80).

図4は、図3のS20における成膜装置の動作を説明するフローチャートである。まず、成膜装置の搬送装置20は、一枚目のシリコンウェハ1をカセット30から取り出し、ボード10の最下部に位置する凹部12aに差込む。これにより、一枚目のシリコンウェハ1がボード10に保持される(S22)。   FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation of the film forming apparatus in S20 of FIG. First, the transfer device 20 of the film forming apparatus takes out the first silicon wafer 1 from the cassette 30 and inserts it into the recess 12 a located at the bottom of the board 10. Thereby, the first silicon wafer 1 is held on the board 10 (S22).

次いで、搬送装置20は、次のシリコンウェハ1をカセット30から取り出し(S24)、シリコンウェハ1を下から2段目の凹部12aに差し込む。このとき、制御部40は、複数の位置検出センサ24aを用いて、既にボード10に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出する。そして、制御部40は、搬送装置20を用いて、差し込んだシリコンウェハ1の位置を調整し、このシリコンウェハ1の水平面内における位置が、既にボード10に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるようにする(S26)。   Next, the transfer device 20 takes out the next silicon wafer 1 from the cassette 30 (S24), and inserts the silicon wafer 1 into the second recess 12a from the bottom. At this time, the control unit 40 detects the position of the silicon wafer 1 already held on the board 10 using the plurality of position detection sensors 24a. Then, the control unit 40 uses the transfer device 20 to adjust the position of the inserted silicon wafer 1, and the position of the silicon wafer 1 in the horizontal plane is within the horizontal plane of the silicon wafer 1 already held by the board 10. (S26).

なお、位置検出センサ24aが、第1のベース部材22と重なる部分、及び第2のベース部材24の両端それぞれに設けられている場合、前者の位置に設けられた位置検出センサ24aは、シリコンウェハ1の奥行き方向の位置(図1(B)のX方向)を検出し、後者の位置に設けられた位置検出センサ24aは、シリコンウェハ1の幅方向の位置(図1(B)のY方向)を検出する。   In addition, when the position detection sensor 24a is provided in each of the part which overlaps with the 1st base member 22, and the both ends of the 2nd base member 24, the position detection sensor 24a provided in the former position is a silicon wafer. 1 in the depth direction (X direction in FIG. 1B), and the position detection sensor 24a provided at the latter position is positioned in the width direction of the silicon wafer 1 (Y direction in FIG. 1B). ) Is detected.

すべてのシリコンウェハ1をボード10に搬送するまで、S24及びS26に示した動作を繰り返す(S28)。   The operations shown in S24 and S26 are repeated until all the silicon wafers 1 are transferred to the board 10 (S28).

このように、搬送装置20は、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をボード10に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   In this way, the transfer device 20 inserts the next silicon wafer 1 into the board 10 while detecting the position of the silicon wafer 1 already held. And the position in the horizontal surface of the inserted silicon wafer 1 is adjusted so that it may overlap with the position in the horizontal surface of the silicon wafer 1 already hold | maintained. Accordingly, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of silicon wafers 1 can be reduced.

図5は、図3のS40における処理を説明するためのフローチャートである。まず、制御部40は、搬送装置20を、ボード10の最下部に保持されているシリコンウェハ1の前に移動させる(S42)。次いで、位置検出センサ22bを用いて、第1のベース部材22の先端から、最下部に位置するシリコンウェハ1の先端までの距離を測定する(S44)。   FIG. 5 is a flowchart for explaining the processing in S40 of FIG. First, the control unit 40 moves the transfer device 20 in front of the silicon wafer 1 held at the bottom of the board 10 (S42). Next, the position detection sensor 22b is used to measure the distance from the tip of the first base member 22 to the tip of the silicon wafer 1 located at the bottom (S44).

位置検出センサ22bが第1のベース部材22の先端に取り付けられているため、位置検出センサ22bを移動させるための機構を新たに設ける必要がない。また、位置検出センサ22bをシリコンウェハ1に近づけることができる。このため、位置検出センサの測定誤差を小さくすることができる。   Since the position detection sensor 22b is attached to the tip of the first base member 22, there is no need to newly provide a mechanism for moving the position detection sensor 22b. Further, the position detection sensor 22b can be brought close to the silicon wafer 1. For this reason, the measurement error of the position detection sensor can be reduced.

次いで、上方に別のシリコンウェハ1がある場合(S46:No)、制御部40は、搬送装置20をそのまま上方かつ垂直に移動し、下から2枚目のシリコンウェハ1の横に位置させる(S48)。そして、第1のベース部材22の先端から、下から2枚目のシリコンウェハ1の先端までの距離を測定する(S44)。これらの動作を繰り返すことにより、ボード10の保持されている複数のシリコンウェハ1それぞれの先端から、第1のベース部材22までの距離を、下から順に測定する(S42〜S46)。   Next, when there is another silicon wafer 1 on the upper side (S46: No), the control unit 40 moves the transfer device 20 as it is upward and vertically and positions it next to the second silicon wafer 1 from the bottom ( S48). Then, the distance from the tip of the first base member 22 to the tip of the second silicon wafer 1 from the bottom is measured (S44). By repeating these operations, the distance from the tip of each of the plurality of silicon wafers 1 holding the board 10 to the first base member 22 is measured in order from the bottom (S42 to S46).

次いで、制御部40は、第1のベース部材22までの距離が、基準範囲外にあるシリコンウェハ1を認識する。この距離が基準範囲外にある場合、シリコンウェハ1の水平面内における位置は、基準範囲から外れている。制御部40は、搬送装置20を用いて、認識したシリコンウェハ1の位置を修正する(S48)。これにより、シリコンウェハ1の水平面内における位置が修正され、全てのシリコンウェハ1の水平面内における位置が、基準範囲内に収まる。なお、ここでの基準範囲は、例えば最下部に保持されているシリコンウェハ1に対する測定結果に、許容誤差を加えることにより設定される。   Next, the control unit 40 recognizes the silicon wafer 1 whose distance to the first base member 22 is outside the reference range. When this distance is outside the reference range, the position of the silicon wafer 1 in the horizontal plane is out of the reference range. The controller 40 corrects the recognized position of the silicon wafer 1 using the transfer device 20 (S48). As a result, the position of the silicon wafer 1 in the horizontal plane is corrected, and the positions of all the silicon wafers 1 in the horizontal plane are within the reference range. The reference range here is set, for example, by adding an allowable error to the measurement result for the silicon wafer 1 held at the bottom.

なお、ボード10が回転機構(図示せず)を有している場合、ボード10を90°又は180°ほど回転させた後、再び図5に示す処理を行ってもよい。   If the board 10 has a rotation mechanism (not shown), the process shown in FIG. 5 may be performed again after the board 10 is rotated by 90 ° or 180 °.

図6は、図3のS80における処理を説明するためのフローチャートである。まず、成膜装置の搬送装置20は、一枚目のシリコンウェハ1をボード10から取り出し(S82)、カセット30の最下段に差し込む。これにより、一枚目のシリコンウェハ1がカセット30に収納される(S84)。   FIG. 6 is a flowchart for explaining the processing in S80 of FIG. First, the transfer device 20 of the film forming apparatus takes out the first silicon wafer 1 from the board 10 (S82) and inserts it into the lowermost stage of the cassette 30. Thereby, the first silicon wafer 1 is stored in the cassette 30 (S84).

次いで、搬送装置20は、次のシリコンウェハ1をボード10から取り出し(S86)、シリコンウェハ1をカセット30の下から2段目の部分に差し込む。このとき、複数の位置検出センサ24aを用いて、既にカセット30に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出する。そして、差し込んだシリコンウェハ1の位置を調整し、このシリコンウェハ1の水平面内における位置が、既にカセット30に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるようにする。このようにして、次のシリコンウェハ1がカセット30に収納される(S88)。   Next, the transfer device 20 takes out the next silicon wafer 1 from the board 10 (S86), and inserts the silicon wafer 1 into the second stage portion from the bottom of the cassette 30. At this time, the position of the silicon wafer 1 already held in the cassette 30 is detected using a plurality of position detection sensors 24a. Then, the position of the inserted silicon wafer 1 is adjusted so that the position of the silicon wafer 1 in the horizontal plane overlaps the position of the silicon wafer 1 already held in the cassette 30 in the horizontal plane. In this way, the next silicon wafer 1 is stored in the cassette 30 (S88).

すべてのシリコンウェハ1をカセット30に搬送するまで、S86及びS88に示した動作を繰り返す(S90)。   The operations shown in S86 and S88 are repeated until all the silicon wafers 1 are transferred to the cassette 30 (S90).

このように、搬送装置20は、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をカセット30に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、カセット30内において、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   As described above, the transfer device 20 inserts the next silicon wafer 1 into the cassette 30 while detecting the position of the silicon wafer 1 already held. And the position in the horizontal surface of the inserted silicon wafer 1 is adjusted so that it may overlap with the position in the horizontal surface of the silicon wafer 1 already hold | maintained. Therefore, in the cassette 30, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of silicon wafers 1 can be reduced.

その後、搬送装置20は、第1のベース部材22の先端に取り付けられている位置検出センサ22bを用いて、カセット30に保持されている複数のシリコンウェハ1それぞれの先端から、第1のベース部材22の先端までの距離を、下から順に測定する。次いで、第1のベース部材22の先端までの距離が、基準範囲外にあるシリコンウェハ1を認識し、認識したシリコンウェハ1の位置を修正する。これにより、シリコンウェハ1の水平面内における位置が修正され、全てのシリコンウェハ1の水平面内における位置が、基準範囲内に収まる。   Thereafter, the transfer device 20 uses the position detection sensor 22b attached to the front end of the first base member 22 to start the first base member from the front ends of the plurality of silicon wafers 1 held in the cassette 30. The distance to the tip of 22 is measured in order from the bottom. Next, the silicon wafer 1 whose distance to the tip of the first base member 22 is outside the reference range is recognized, and the position of the recognized silicon wafer 1 is corrected. As a result, the position of the silicon wafer 1 in the horizontal plane is corrected, and the positions of all the silicon wafers 1 in the horizontal plane are within the reference range.

これらの動作により、次の工程で、従来型の搬送装置を用いてシリコンウェハ1をカセット30からボード等に搬送する場合、搬送装置は、全てのシリコンウェハ1を、略同じ位置で吸着することができる。従って、搬送先において、シリコンウェハ1の水平面方向の位置ずれは小さくなる。   With these operations, when the silicon wafer 1 is transported from the cassette 30 to a board or the like using a conventional transport device in the next process, the transport device attracts all the silicon wafers 1 at substantially the same position. Can do. Therefore, the displacement in the horizontal plane direction of the silicon wafer 1 is reduced at the transfer destination.

以上、本発明の第1の実施形態によれば、搬送装置20は、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をボード10に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, the transfer device 20 inserts the next silicon wafer 1 into the board 10 while detecting the position of the already held silicon wafer 1. And the position in the horizontal surface of the inserted silicon wafer 1 is adjusted so that it may overlap with the position in the horizontal surface of the silicon wafer 1 already hold | maintained. Accordingly, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of silicon wafers 1 can be reduced.

その後、搬送装置20は、ボード10に保持されている複数のシリコンウェハ1それぞれにおける水平面内での位置を測定し、基準位置からずれているシリコンウェハ1を、基準位置に位置するように移動させる。このため、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを、さらに小さくすることができる。   Thereafter, the transfer device 20 measures the position of each of the plurality of silicon wafers 1 held on the board 10 in the horizontal plane, and moves the silicon wafer 1 that is shifted from the reference position so as to be positioned at the reference position. . For this reason, the positional shift in the horizontal plane direction between the plurality of silicon wafers 1 can be further reduced.

このため、複数のシリコンウェハ1相互間において、成膜された膜のばらつきは少なくなり、均一性が高くなる。   For this reason, the variation of the deposited film is reduced among the plurality of silicon wafers 1 and the uniformity is increased.

また、成膜後のシリコンウェハ1をボード10からカセット30に移動させる場合、既に保持されているシリコンウェハ1の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ1をカセット30に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ1相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。   When the silicon wafer 1 after film formation is moved from the board 10 to the cassette 30, the next silicon wafer 1 is inserted into the cassette 30 while detecting the position of the already held silicon wafer 1. And the position in the horizontal surface of the inserted silicon wafer 1 is adjusted so that it may overlap with the position in the horizontal surface of the silicon wafer 1 already hold | maintained. Accordingly, the positional deviation in the horizontal plane direction between the plurality of silicon wafers 1 can be reduced.

このため、次の工程で、従来型の搬送装置を用いてシリコンウェハ1をカセット30からボード等に搬送する場合、搬送先における、シリコンウェハ1の水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
また、上記した動作の制御を制御部40が行うため、作業者の能力によらず、上記した効果を得ることができる。
For this reason, when the silicon wafer 1 is transported from the cassette 30 to a board or the like using a conventional transport device in the next step, the positional deviation of the silicon wafer 1 in the horizontal plane direction at the transport destination can be reduced.
In addition, since the control unit 40 controls the above-described operation, the above-described effects can be obtained regardless of the operator's ability.

図7は、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置の構成を説明するための側面概略図である。本図に示す成膜装置の構成及び動作は、搬送装置20が、同時に複数のシリコンウェハ1を搬送する点を除いて、第1の実施形態と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。   FIG. 7 is a schematic side view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. The configuration and operation of the film forming apparatus shown in this drawing are the same as those in the first embodiment except that the transfer apparatus 20 transfers a plurality of silicon wafers 1 simultaneously. Hereinafter, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

本実施形態において、搬送装置20は、複数の第1のベース部材22を、上下に離間した状態で有している。これにより、搬送装置20は、複数のシリコンウェハ1を同時にカセット30から取り出し、ボード10に差し込むことができる。また、成膜後は、複数のシリコンウェハ1を同時にボード10から取り出し、カセット30に差し込むことができる。   In the present embodiment, the transport device 20 has a plurality of first base members 22 in a state of being vertically separated. Thereby, the transfer device 20 can simultaneously take out the plurality of silicon wafers 1 from the cassette 30 and insert them into the board 10. In addition, after film formation, a plurality of silicon wafers 1 can be simultaneously taken out from the board 10 and inserted into the cassette 30.

位置検出センサ22bは、最下部に位置する第1のベース部材22に取り付けられている。また、第2のベース部材24及び位置検出センサ24aは、最下部に位置する第1のベース部材22に取り付けられている。   The position detection sensor 22b is attached to the first base member 22 located at the lowermost part. The second base member 24 and the position detection sensor 24a are attached to the first base member 22 located at the lowermost part.

本実施形態の搬送装置20は、第1の実施形態と同様の動作を行うことにより、搬送しているシリコンウェハ1の水平面内における位置を、既にボード10又はカセット30に保持されているシリコンウェハ1の水平面内における位置と、重なるようにする。
本実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
The transfer device 20 of the present embodiment performs the same operation as that of the first embodiment, so that the position of the silicon wafer 1 being transferred in the horizontal plane is already held by the board 10 or the cassette 30. It overlaps with the position of 1 in the horizontal plane.
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記した実施形態では、シリコンウェハ1をボード10又はカセット30に、下から順に保持させていたが、上から順に保持させるようにしてもよい。この場合、第2のベース部材24の形状及び位置検出センサ24aの配置を変更し、上方に位置するシリコンウェハ1の位置を検出できるようにする。これにより、新たなシリコンウェハ1を、既にボード10又はカセット30に保持されているシリコンウェハ1の水平面内での位置に合わせながら、ボード10又はカセット30に差し込むことができる。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the silicon wafer 1 is held on the board 10 or the cassette 30 in order from the bottom, but may be held in order from the top. In this case, the shape of the second base member 24 and the arrangement of the position detection sensor 24a are changed so that the position of the silicon wafer 1 located above can be detected. As a result, a new silicon wafer 1 can be inserted into the board 10 or the cassette 30 while matching the position of the silicon wafer 1 already held on the board 10 or the cassette 30 in the horizontal plane.

(A)は第1の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図、(B)は(A)の上面図。(A) is a schematic side view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to the first embodiment, and (B) is a top view of (A). 搬送装置20の平面図。The top view of the conveying apparatus 20. FIG. 図1及び図2に示した成膜装置の動作を説明するためのフローチャート。3 is a flowchart for explaining the operation of the film forming apparatus shown in FIGS. 1 and 2. 図3のS20における処理を説明するためのフローチャートFlowchart for explaining the process in S20 of FIG. 図3のS40における処理を説明するためのフローチャートThe flowchart for demonstrating the process in S40 of FIG. 図3のS80における処理を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating the process in S80 of FIG. 第2の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図。Side surface schematic diagram for demonstrating the structure of the film-forming apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 従来の成膜装置の構成を説明する為の側面概略図。Side surface schematic diagram for demonstrating the structure of the conventional film-forming apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1,101…シリコンウェハ、10,110…ボード、12,112…支柱、12a,112a…凹部、20,120…搬送装置、22…第1のベース部材、22a…吸着部、22b,24a…位置検出センサ、24…第2のベース部材、30,130…カセット、40…制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 ... Silicon wafer, 10, 110 ... Board, 12, 112 ... Support | pillar, 12a, 112a ... Recess, 20, 120 ... Conveyance device, 22 ... First base member, 22a ... Adsorption part, 22b, 24a ... Position Detection sensor, 24 ... second base member, 30, 130 ... cassette, 40 ... control unit

Claims (11)

複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送し、前記ウェハ保持部材に保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部と、
を具備する成膜装置。
A wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
A transport unit for transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member and holding the semiconductor wafer on the wafer holding member;
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held by the wafer holding member;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor, and adjusts the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane to the position of the semiconductor wafer that is already held by the wafer holding member. When,
A film forming apparatus comprising:
前記搬送部は、半導体ウェハを下から順に前記ウェハ保持部材に保持させ、
前記位置検出センサは、前記搬送部の下面に設けられている請求項1に記載の成膜装置。
The transfer unit holds the semiconductor wafers in order from the bottom on the wafer holding member,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position detection sensor is provided on a lower surface of the transfer unit.
前記搬送部は、
略板状の第1のベース部材と、
前記第1のベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの下面を吸着する吸着部と、
前記半導体ウェハの縁に沿う形状の第2のベース部材と、
を具備し、前記位置検出センサは、前記第2のベース部材の下面に設けられている請求項1又は2に記載の成膜装置。
The transport unit is
A substantially plate-shaped first base member;
An adsorption portion provided on the first base member for adsorbing a lower surface of the semiconductor wafer;
A second base member shaped along the edge of the semiconductor wafer;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position detection sensor is provided on a lower surface of the second base member.
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる搬送部と、
前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハそれぞれの、水平面内での位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する成膜装置。
A wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
A transport unit for transporting and holding a semiconductor wafer to the wafer holding member;
A position detection sensor for detecting a position in a horizontal plane of each of a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A controller that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane;
A film forming apparatus comprising:
前記位置検出センサは、前記搬送部に設けられている請求項4に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 4, wherein the position detection sensor is provided in the transfer unit. 前記搬送部は、
略板状のベース部材と、
前記ベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面略中央部を吸着する吸着部と、
を具備し、前記位置検出センサは、前記搬送部の前記ベース部材の先端部近傍に設けられている請求項5に記載の成膜装置。
The transport unit is
A substantially plate-shaped base member;
An adsorbing portion provided on the base member and adsorbing a substantially central portion of the lower surface of the semiconductor wafer of the semiconductor wafer;
The film forming apparatus according to claim 5, wherein the position detection sensor is provided in the vicinity of a tip end portion of the base member of the transport unit.
前記位置検出センサは、光反射型センサである請求項1〜6のいずれか一項に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position detection sensor is a light reflection type sensor. 複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部と、
を具備する成膜装置。
A transport unit that transports and holds the semiconductor wafer in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated; and
A position detection sensor that is provided in the transfer unit and detects the position of a semiconductor wafer already held in the cassette;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor, and adjusts the position in the horizontal plane of the semiconductor wafer being transferred to the position in the horizontal plane of the semiconductor wafer already held in the cassette;
A film forming apparatus comprising:
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記カセットに保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記カセットに保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する成膜装置。
A transport unit that transports and holds the semiconductor wafer in a cassette that holds the plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated; and
A position detection sensor for detecting positions in a horizontal plane of a plurality of semiconductor wafers held in the cassette;
A control unit that controls the transfer unit based on the detection result of the position detection sensor and corrects the positions of the plurality of semiconductor wafers held in the cassette in a horizontal plane;
A film forming apparatus comprising:
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
搬送部を用いて、半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送する工程と、
既に該ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの平面位置を、前記搬送部に設けられた位置検出センサを用いて検出しつつ、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせた後、前記ウェハ保持部材に半導体ウェハを保持させる工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
Preparing a wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
A step of transporting the semiconductor wafer to the wafer holding member using a transport unit;
While detecting the planar position of the semiconductor wafer already held by the wafer holding member using a position detection sensor provided in the transfer unit, the position of the semiconductor wafer being transferred in the horizontal plane is determined by the wafer holding member. A step of holding the semiconductor wafer on the wafer holding member after adjusting the position of the semiconductor wafer held in the horizontal plane,
Performing a film forming process on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
複数の半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる工程と、
位置検出センサを用いて、前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
Preparing a wafer holding member for holding a plurality of semiconductor wafers in a state of being vertically separated;
Transporting and holding a plurality of semiconductor wafers to the wafer holding member;
A position detection sensor is used to detect the positions of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member in a horizontal plane, and the plurality of the plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member based on the detection result of the position detection sensor. Correcting the position of the semiconductor wafer in the horizontal plane;
Performing a film forming process on a plurality of semiconductor wafers held by the wafer holding member;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
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