JP2006209137A - 貼合せ基板硬化装置及び貼合せ基板硬化方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接着剤の硬化ムラを抑えて不良の発生を低減することのできる貼合せ基板硬化装置及び貼合せ基板硬化方法を提供する。
【解決手段】接着剤は少なくとも光硬化性接着剤を含んでおり、その接着剤に第１の基板Ｗ１側に設けられた光源１４８及び第２の基板Ｗ２側に備えられた光源１５５から光を照射して接着剤を硬化させる硬化装置３７を備える。その硬化装置３７では照度センサ１５４にて第１の基板Ｗ１及び第２の基板Ｗ２に照射される光量を測定し、その測定結果に基づいて照射量を調整する。
【選択図】図１８

Description

本発明は液晶表示装置(L iquid Crystal Display:LCD)等の２枚の基板をそれらの間の
ギャップを所定値にて貼り合わせた基板（パネル）を製造する貼合せ基板硬化装置及び貼合せ基板硬化方法に関するものである。

近年、ＬＣＤ等のパネルは、表示領域の拡大に伴って面積が大きくなってきている。また、微細な表示のために単位面積当たりの画素数が増えてきている。このため、２枚の基板を貼り合わせたパネルを製造する貼合せ装置において、大きな基板を扱うとともに、正確な位置合せが要求されている。

図３５は、液晶表示パネルの一部平面図であり、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルをカラーフィルタ基板側から見た上面の一部を示している。

液晶表示パネル１０は、アレイ基板１１側にマトリクス状に配置された複数の画素領域１２が形成され、各画素領域１２内にはＴＦＴ１３が形成されている。そして、複数の画素領域１２で画像の表示領域１４が構成されている。尚、詳細な図示は省略したが、各画素領域１２のＴＦＴ１３のゲート電極はゲート線に接続され、ドレイン電極はデータ線にそれぞれ接続され、ソース電極は画素領域１２内に形成された画素電極に接続されている。複数のデータ線及びゲート線は、アレイ基板１１の外周囲に形成された端子部１５に接続され、外部に設けられた駆動回路（図示せず）に接続される。

アレイ基板１１よりほぼ端子部１５領域分だけ小さく形成されているカラーフィルタ（ＣＦ）基板１６が、所定のセル厚（セルギャップ）で液晶を封止してアレイ基板１１に対向して設けられている。ＣＦ基板１６には、コモン電極（共通電極；図示せず）と共に、カラーフィルタ（図中、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の文字で示している）やＣｒ（クロム）膜などを用いた遮光膜（ブラックマトリクス：ＢＭ）１７等が形成されている。ＢＭ１７は、表示領域１４内の複数の画素領域１２を画定してコントラストを稼ぐため、及びＴＦＴ１３を遮光して光リーク電流の発生を防止するために用いられる。また、ＢＭ額縁部１８は、表示領域１４外からの不要光を遮光するために設けられている。アレイ基板１１とＣＦ基板１６とは熱硬化性樹脂を含むシール材１９で貼り合わされている。

ところで、液晶表示装置の製造工程は、大別すると、ガラス基板上に配線パターンやスイッチング素子（アクティブマトリクス型の場合）等を形成するアレイ工程と、配向処理やスペーサの配置、及び対向するガラス基板間に液晶を封入するセル工程と、ドライバＩＣの取り付けやバックライト装着等を行うモジュール工程とからなる。

このうち、セル工程で行われる液晶注入工程では、例えばＴＦＴ１３が形成されたアレイ基板１１と、それに対向するＣＦ基板（対向基板）１６とをシール材１９を介して貼り合わせた後にシール材１９を硬化させる。次に、液晶と基板１１，１６とを真空槽に入れてシール材１９に開口した注入口（図示略）を液晶に浸けてから槽内を大気圧に戻すことにより基板１１，１６間に液晶を注入し、注入口を封止する方法（真空注入法）が用いられてきた。

それに対し、近年では、例えばアレイ基板１１周囲に枠状に形成したシール材１９の枠内の基板面上に規定量の液晶を滴下し、真空中でアレイ基板１１とＣＦ基板１６とを貼り合わせて液晶封入を行う滴下注入法が注目されている。この滴下注入法は、真空注入法と比較して、液晶材料の使用量が大幅に低減できる、液晶注入時間が短縮できる等の利点があり、パネルの製造コストの低減や量産性の向上の可能性を有している。

ところで、従来の滴下法による製造装置では、以下の問題がある。
［１：基板変形と表示不良及び吸着不良］
基板保持は、真空チャック、静電チャック、あるいは機械式チャックを用いて行われている。

真空チャックによる基板保持は、基板を平行定盤上の吸着面に載置して基板裏面を真空吸引して固定する。この保持方法で例えばアレイ基板を保持し、ディスペンサ等により適量の液晶を、シール材を枠状に形成したアレイ基板面上に滴下する。次に、真空雰囲気中でＣＦ基板を位置決めしてアレイ基板と貼り合わせる。

ところが、真空チャックによる基板保持では、真空度がある程度高くなると真空チャックが機能しなくなってしまうため、基板貼り合せ時の処理室内の真空度を十分に上げることができない。従って、両基板に十分な貼り合せ圧力をかけることができなくなってしまい、両基板を均一に貼り合わせることが困難になる。このことは、表示不良を発生させる。

また、機械式チャックでは、基板をツメやリングなどを用いて保持するため、その保持部分にだけ応力がかかり、それによって基板にそりやたわみ等の変形が生じてしまう。このため、液晶滴下後の基板の貼り合せに際して両基板を平行に保持することができなくなる。両基板が変形した状態で貼り合わせると位置ズレが大きくなり、各画素の開口率の減少や遮光部からの光漏れ等の不良が発生してしまうという問題を生じる。

静電チャックによる基板保持は、平行定盤上に形成した電極とガラス基板に形成された導電膜の間に電圧を印加して、ガラスと電極との間にクーロン力を発生することによりガラス基板を吸着する。この方式では、基板貼り合せのために対向させて保持した２種類の基板（ガラス基板とＣＦ基板）に対して大気圧から減圧する途中でグロー放電が生じてしまい、それにより基板上の回路やＴＦＴ素子を破損して不良が発生するという問題がある。また、静電チャックと基板との間に空気が残留し、それにより大気圧から減圧する過程で基板が静電チャックから離脱してしまう場合がある。

［２：液晶の劣化と基板ズレ］
従来の真空注入法や滴下注入法では、シール材を短時間で硬化させるために、そのシール材に光硬化樹脂若しくは光＋熱硬化樹脂が用いられる。このため、液晶表示装置には、シール材と液晶とが接するシール際で表示むらが発生してしまうという問題が生じている。その原因の１つには、シール材を硬化させるために照射するＵＶ光が、シール材近傍の液晶に照射されることにある。

製造過程において、注入された液晶は未硬化のシール材に接する。未硬化のシール材は、その成分が溶出して液晶材料を汚染する可能性がある。このため、シール材を素早く硬化するために強いＵＶ光を照射すると、基板等により拡散したＵＶ光が液晶に照射される。

一般に、液晶材料にＵＶ光を照射すると、液晶の特性、特に比抵抗が減少する傾向にあり、ＴＦＴを用いたＬＣＤ等で要求される高い電圧保持率が維持できなくなる。これにより、ＵＶ光が照射されていない部分（パネルの中央部）と比べて液晶セルの駆動電圧が異なるため表示ムラが発生する。この表示ムラは、中間調表示において特に目立つ。

上記の液晶と未硬化のシール材との接触を防ぐために、図３７に示すように、基板１１，１６周縁に枠状スペーサ２０を設けることが考えられる。しかし、この構造では、液晶注入時に枠状スペーサ２０を満たす量以上の液晶２１が滴下された場合には、図３７に示すように、余剰液晶が枠状スペーサ２０よりはみ出てしまい、例えば位置２２において未硬化のシール材１９と接触してしまう。

また、枠状スペーサ２０を設けたパネルでは、基板貼り合せ後に処理室を大気開放すると、大気圧は基板全面に一様に作用する。このため、基板１６中央が凹み、その結果枠状スペーサ２０が浮き上がってしまい、液晶２１がシール材１９に接触してしまう。尚、図３７中の「・」は、液晶２１の滴下位置を示す。

また、硬化の際に基板が本来有しているうねりや反りによる応力が残留しやすい。このため、シール材として光＋熱硬化樹脂を用いた場合、光による硬化後に基板に熱処理を施すと、その時に応力が解放され基板の位置ズレが発生する。

また、基板を真空中で貼り合わせ大気開放した後、シール材を硬化させるまでの間の環境の変化や基板の状態の変化、あるいはギャップ形成時の基板姿勢の不安定等により、対向する２枚の基板間に貼り合せズレや基板歪みによるズレが発生したり、ギャップ不良が発生したりする。このため、安定した製品を作ることが困難であるという問題を有している。

［３：セル厚のばらつきと基板への影響］
滴下注入工程において液晶を両基板面内で均一に分散させるためには、ディスペンサ等により基板面上に液晶を多点滴下する必要がある。しかしながら、基板１面当たりの液晶滴下量は僅かであり、滴下位置を多点に分散させた場合には極少量の液晶を精度よく滴下させなければならない。しかし、滴下時の温度等の環境変化は、液晶の粘度や体積の変化、あるいは滴下装置（ディスペンサ）の性能のばらつきを招き、それにより液晶滴下量は変動してしまう。その結果、両基板間のセル厚のバラツキが発生してしまう。

図３８は、液晶パネル面に垂直な方向に切断した断面図であり、セル厚のバラツキの例を示す図である。図３８（ａ）は最適な液晶滴下により、所望のセル厚が得られた状態を示す。図３８において、アレイ基板１１とＣＦ基板１６とがシール材１９により貼り合わされており、またスペーサとしてのビーズ２３により所定のセル厚が確保されている。

ところが、液晶の滴下量が多くなると、図３８（ｂ）に示すように、余分な液晶によりシール材１９が目標ギャップまでプレスできなくなり、パネル周辺部（額縁部周辺）に表示むらが発生してしまう。更に液晶の滴下量が多くなると、図３８（ｃ）に示すように、プレス不良を起こしたシール材よりもパネル中央部の方が膨らんでしまう現象が起きて全面に表示むらが発生するという問題を生じる。

［４：貼り合せ時の接触不良］
真空中での滴下注入貼り合せ作業において、一方の基板に滴下された液晶に触れることなく相互の位置合せマークをカメラの同視野に捉えなければ位置合せアライメントの際に液晶を引きずりセル厚不良やシール材との接触を引き起こしてしまう。

一般に液晶表示パネルの貼り合せ精度は数μｍオーダーの高い位置合せ精度が必要であり、基板にはミクロンサイズの位置合せマークが形成されている。離間した２つの基板にそれぞれ形成された位置合せマークの像を同時に捉えるためには焦点距離の長いレンズが必要であるが、そのようなレンズは構造が複雑で容易に実現することができない。このことは、真空中での安定した貼り合せ加工を困難にし、基板不良を発生させる要因となる。

［５：プレス圧力のムラ］
安定したセル厚を確保しながら加圧する貼り合せ工程において、対向する基板間の平行度維持と等荷重加圧は重要な管理要素である。実際に注目されている滴下注入貼り合せは真空処理室内で行われるが、プレスのための油圧シリンダ等の装置は処理室外、即ち大気中にあるため、それらの導入断面積に対応する大気圧力がプレス面に加わる。このため、プレスする圧力を予め実験などにより求めた値（例えば押し込み量と力の相対値など）により制御した場合、設備の劣化や変化により同一の圧力を基板に加えることができず、再現性がなくなってプレス不良を発生するという問題がある。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は接着剤に照射する光量を制御して硬化させ、接着剤の硬化ムラを抑えて不良の発生を低減することのできる貼合せ基板硬化装置及び貼合せ基板硬化方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化装置において、前記第１の基板及び第２の基板を搬送する搬送手段に設けられており、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光源の光量を測定する照度センサと、該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整する調整手段とを備えた。

請求項２に記載の発明では、光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化装置において、前記第１の基板及び第２の基板とほぼ同じ高さに設けられ、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光源の光量を測定する照度センサと、
該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整する調整手段とを備えた。

請求項３に記載の発明では、光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化装置において、前記第１の基板及び第２の基板を搬送する搬送手段に設けられており、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光源の光量を測定する照度センサと、該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整するための制御信号を出力する制御手段と前記制御信号に基づいて前記光源又は前記搬送手段の位置を移動させる手段と、を備えた。

請求項４に記載の発明では、前記調整手段は、前記光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を一定に保持する。
請求項５に記載の発明では、前記光源は、前記第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方側に備えられている。

請求項６に記載の発明では、前記照度センサは、前記搬送手段の上面又は側面に設けられている。
請求項７に記載の発明では、光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化方法において、前記第１の基板及び第２の基板を搬送する搬送手段に設けられた照度センサにて前記第１の基板及び第２の基板に照射される光量を測定し、該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整して前記接着剤を硬化させる。

請求項８に記載の発明では、前記光量の測定結果に基づいて、前記第１の基板及び第２の基板に光を照射する光源の照射量を制御する。
請求項１５に記載の発明では、光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化方法において、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板又は光源を上下動させて、前記接着剤を硬化させる。

本発明によれば、接着剤に照射する光量を制御して硬化させ、接着剤の硬化ムラを抑えて不良の発生を低減することが可能な貼合せ基板硬化装置及び貼合せ基板硬化方法を提供することができる。

以下、本発明を具体化した一実施の形態を図１〜図１８に従って説明する。
図１は、液晶表示装置の製造工程のうち、セル工程における液晶注入及び貼り合せを行う工程を実施する貼合せ基板製造装置の概略構成図である。

貼合せ基板製造装置は、供給される２種類の基板Ｗ１，Ｗ２の間に液晶を封止して液晶表示パネルを製造する。尚、本実施形態の装置にて作成される液晶表示パネルはアクティブマトリクス型液晶表示パネルであって、第１の基板Ｗ１はＴＦＴ等が形成されたアレイ基板、第２の基板Ｗ２はカラーフィルタや遮光膜等が形成されたカラーフィルタ基板である。これら基板Ｗ１，Ｗ２は、それぞれの工程によって作成され供給される。

貼合せ基板製造装置３０は、制御装置３１と、それが制御するシール描画装置３２と液晶滴下装置３３と貼合せ装置３４と検査装置３５を含む。貼合せ装置３４は、プレス装置３６と硬化装置３７とから構成され、それら装置３６，３７は制御装置３１により制御される。

また、貼合せ基板製造装置３０は、供給される基板Ｗ１，Ｗ２を搬送する搬送装置３８ａ〜３８ｄを備える。制御装置３１は、これら搬送装置３８ａ〜３８ｄ及び搬送ロボットを制御し、基板Ｗ１，Ｗ２とそれにより製造された貼合せ基板を搬送する。

第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２は、シール描画装置３２に供給される。シール描画装置３２は、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２の何れか一方（例えばガラス基板Ｗ１）の上面に、周辺に沿って所定位置にシール材を枠状に塗布する。シール材には、少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤が用いられる。そして、基板Ｗ１，Ｗ２は搬送装置３８ａに供給され、その搬送装置３８ａは基板Ｗ１，Ｗ２を１組にして液晶滴下装置３３に搬送する。

液晶滴下装置３３は、搬送された基板Ｗ１，Ｗ２のうち、シール材が塗布された基板Ｗ１上面の予め設定された複数の所定位置に液晶を点滴する。液晶が点滴された基板Ｗ１及び基板Ｗ２は、搬送装置３８ｂによりプレス装置３６に搬送される。

プレス装置３６は真空チャンバを備え、そのチャンバ内には基板Ｗ１，Ｗ２をそれぞれ吸着保持するチャックが設けられている。プレス装置３６は、搬入された基板Ｗ１，Ｗ２をそれぞれ下側チャックと上側チャックとに吸着保持した後、チャンバ内を真空排気する。そして、プレス装置３６は、チャンバ内に所定のガスを供給する。供給するガスは、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)のための励起ガス等の反応ガス、窒素ガスなどの不活性ガスを含む置換ガスである。これらガスにより、基板や表示素子の表面に付着した不純物や生成物を反応ガスや置換ガスに一定時間さらす前処理を行う。

この処理は、貼り合せ後に開封不可能な貼合せ面の性質を維持・安定化する。第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２は、それらの表面に酸化膜などの膜が生成したり空気中の浮遊物が付着し、表面の状態が変化したりする。この状態の変化は、基板毎に異なるため、安定したパネルを製造できなくなる。従って、これら処理は、膜の生成や不純物の付着を抑える、また付着した不純物を処理することで基板表面の状態変化を抑え、パネルの品質の安定化を図っている。

次に、プレス装置３６は、位置合せマークを用いて光学的に両基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せを非接触にて（基板Ｗ１上面のシール材及び液晶に基板Ｗ２の下面を接触させることなく）行う。その後、プレス装置３６は、両基板Ｗ１，Ｗ２に所定の圧力を加えて所定のセル厚までプレスする。そして、プレス装置３６は、真空チャンバ内を大気開放する。

尚、制御装置３１は、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２の搬入からの時間経過を監視し、プレス装置３６内に供給したガスに第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を暴露する時間（搬入から貼合せを行うまでの時間）を制御する。これにより、貼り合せ後に開封不可能な貼合せ面の性質を維持・安定化する。

搬送装置３８ｃは、プレス装置３６内から貼り合わされた液晶パネルを取り出し、それを硬化装置３７へ搬送する。この時、制御装置３１は、液晶パネルをプレスしてからの時間経過を監視し、予め定めた時間が経過すると搬送装置３８ｃを駆動して基板を硬化装置３７に供給する。硬化装置３７は、搬送された液晶パネルに所定の波長を有する光を照射し、シール材を硬化させる。

即ち、貼り合わされた液晶パネルは、プレスから所定時間経過後にシール材を硬化させるための光が照射される。この所定時間は、液晶の拡散速度と、プレスにより基板に残留する応力の解放に要する時間により予め実験により求められている。

プレス装置３６により基板Ｗ１，Ｗ２間に封入された液晶は、プレス及び大気開放によって拡散する。この液晶の拡散が終了する、即ち液晶がシール材まで拡散する前に、そのシール材を硬化させる。

更に、基板Ｗ１，Ｗ２は、プレスにおける加圧等により変形する。搬送装置３８ｃにより搬送中の液晶パネルは、シール材が硬化されていないため、基板Ｗ１，Ｗ２に残留する応力は解放される。従って、シール材の硬化時には残存する応力が少ないため、位置ズレが抑えられる。

シール材が硬化された液晶パネルは搬送装置３８ｄにより検査装置３５に搬送される。検査装置３５は、搬送された液晶パネルの基板Ｗ１，Ｗ２の位置ズレ（ずれている方向及びズレ量）を測定し、その測定値を制御装置３１に出力する。

制御装置３１は、検査装置３５の検査結果に基づいて、プレス装置３６における位置合せに補正を加える。即ち、シール材が硬化した液晶パネルにおける両基板Ｗ１，Ｗ２のズレ量をその位置ズレ方向と反対方向に予めずらしておくことで、次に製造される液晶パネルの位置ズレを防止する。

次に、各装置３３〜３７、各搬送装置３８ａ〜３８ｄの構成、制御を説明する。
先ず、搬送装置３８ａ，３８ｂの構成を図２に従って説明する。
搬送装置３８ａは、スライダ４１を備え、それにより各基板Ｗ１，Ｗ２を収容したトレイ４２を搬送方向に沿って搬送するように構成されている。各基板Ｗ１，Ｗ２は、一方の面にＴＦＴやカラーフィルタ等とともに電極がそれぞれ形成され、それらを保護するために電極が形成された面を上にしてトレイ４２に収容される。また、両基板Ｗ１，Ｗ２には、種類を区別するための識別情報（例えばバーコード）Ｉ１，Ｉ２がそれぞれに付けられている。

このように、２種類の基板Ｗ１，Ｗ２を１組にして搬送することで、生産効率を向上させる。基板Ｗ１，Ｗ２はそれぞれ異なる工程を経て供給されるため、一方の基板のみが供給される状態では、貼合せ工程における各処理が中断してしまい、生産効率が悪くなる。このため、必要とする両基板Ｗ１，Ｗ２を１組として供給することで、処理の中断を無くして生産効率を向上させている。

搬送装置３８ｂはトレイ４２を搬送するスライダ４３と搬送ロボット４４，４５を含む。搬送装置３８ｂは、スライダ４３によりトレイ４２を所定の搬送方向に沿って搬送し、搬送ロボット４４，４５により両基板Ｗ１，Ｗ２を受け取る。更に、搬送ロボットは、両基板Ｗ１，Ｗ２の何れか一方（本実施形態ではシール材が塗布されていない基板Ｗ２）の天地を反転させ、両基板Ｗ１，Ｗ２の電極が形成された面を対向させる。そして、搬送ロボット４４，４５は、対向させた両基板Ｗ１，Ｗ２をプレス装置３６内に搬入する。

制御装置３１はＩＤリーダ４６，４７、搬送側コントローラ４８、ロボット側コントローラ４９を含む。両基板Ｗ１，Ｗ２が搬送されると、それらの識別情報がＩＤリーダ４６，４７にて読み取られ、搬送側コントローラ４８に送信される。搬送側コントローラ４８は、それぞれの識別情報により反転を必要とする基板を判断し、その判断結果をロボット側コントローラ４９へ送信する。

ロボット側コントローラ４９は、搬送ロボット４４，４５にて基板Ｗ１，Ｗ２をそれぞれ受け取るとともに、搬送側コントローラ４８から受け取った判定結果に基づいて、基板Ｗ２を受け取った搬送ロボット４５を駆動してその基板Ｗ２を反転させる。更に、ロボット側コントローラ４９は、搬送ロボット４４，４５を駆動制御して対向させた基板Ｗ１，Ｗ２をプレス装置３６内へ搬入する。

次に、液晶滴下装置３３を図３〜図５に従って説明する。
図３は、液晶滴下装置３３の概略構成を示す平面図である。
液晶滴下装置３３は、ディスペンサ５１、移動機構５２、制御装置５３、及び計測装置５４を含む。ディスペンサ５１は移動機構５２により水平移動可能に支持され、内部に液晶が充填されている。

制御装置５３は、図１の制御装置３１からの制御信号に応答して搬送された基板Ｗ１上に液晶を精度良く点滴する。詳述すると、制御装置５３は、ディスペンサ５１内の液晶を一定温度に制御する。制御装置５３は移動機構５２を制御して搬送された基板Ｗ１上面の複数の所定位置にディスペンサ５１を移動させ、基板Ｗ１上に液晶を点滴する。また、制御装置５３は、移動機構５２を制御してディスペンサ５１を計測装置５４上に移動させ、計測装置５４上に液晶を滴下させる。計測装置５４は、滴下された液晶の重さを計測し、その計測結果を制御装置５３に出力する。制御装置５３は、その計測結果に基づいて、一定量の液晶を滴下するようにディスペンサ５１の制御量を調整する。これにより、液晶の温度変化を抑えるとともに、環境の変化に対応してディスペンサ５１の制御量を調整することで、常に一定量の液晶を点滴する。

図４は、ディスペンサ５１の構成を説明するための説明図である。
図４（ａ）に示すように、ディスペンサ５１は、液晶ＬＣが充填された略円筒状のシリンジ５５を備え、図３の制御装置５３は、プランジャ５６により液晶ＬＣに圧力を加え、シリンジ５５の先端のノズル５７から所定量の液晶ＬＣを滴下させる。

ディスペンサ５１にはシリンジ５５に充填された液晶ＬＣを加熱するためのヒータ５８が設けられている。ヒータ５８は、シリンジ５５の外形に沿った略円環状に形成されている。そして、シリンジ５５内には、先端付近に液晶ＬＣの温度を計測するための熱電対５９が設けられている。ヒータ５８及び熱電対５９は、図３の制御装置５３に設けられた温度調節器６０に接続されている。温度調節器６０は、熱電対５９からの信号に基づいて計測した液晶ＬＣの温度により、その液晶ＬＣの温度を一定にするようにヒータ５８を制御する。

シリンジ５５には、ロータリバルブ６１が設けられている。ロータリバルブ６１は、シリンジ５５の軸線（図における縦方向の中心線）を通る平面に沿って垂直回転可能に設けられた回転体６１ａを備えている。図４（ｂ）に示すように、回転体６１ａにはシリンジ５５の内径つ略同一の内径を有する連通孔６１ｂが形成されている。ロータリバルブ６１は図３の制御装置５３により回転位置が制御される。

即ち、制御装置５３は、連通孔６１ｂの中心線をシリンジ５５のそれと一致するように回転体６１ａを回転させることで、シリンジ５５の上部と先端部とを略直管（内壁が直線的に連続している管）とする。これにより、プランジャ５６の圧力がシリンジ５５の先端に損失無く伝えられ、その圧力により液晶ＬＣが先端のノズル５７から滴下する。

また、制御装置５３は、シリンジ５５の上部と先端部とを連通しないように、例えば連通孔６１ｂの中心線をシリンジ５５のそれと略直交するように回転体６１ａを回転させる。これにより、プランジャ５６による圧力を減少させる、又はプランジャ５６を上昇させる時に、先端のノズル５７から空気がシリンジ５５内に入り込むのを防ぐ。これにより、完全に気泡抜きされた液晶ＬＣを滴下することができる。

また、ロータリバルブ６１は、液晶ＬＣの自動供給を可能とする。即ち、プランジャ５６とロータリバルブ６１との間に配管の一方を接続し、その配管の他方を液晶が封入された容器に接続する。ロータリバルブ６１を閉じ、プランジャ５６を上昇させると、容器からシリンジ５５内に液晶ＬＣが供給される。従って、ロータリバルブ６１を閉じることで先端のノズル５７から気泡が入るのを防ぎ、その液晶ＬＣを自動に供給することができる。これにより、連続運転が可能となる。

尚、ロータリバルブ６１に代えて、シリンジ５５の内径と略同一の内径を有する貫通孔が垂直方向に形成された弁体を水平方向に移動させるように構成されたバルブを用いて実施してもよい。

更に、シリンジ５５のノズル５７近傍には、エアーノズル６２及び吸入口６３が、ノズル５７を挟んで対向して設けられている。エアーノズル６２は、コンプレッサ等に接続され、液晶ＬＣの吐出方向と垂直にエアーカーテンを形成するように、横方向に長く形成されている。このエアーノズル６２により、ノズル５７先端付近に付着した液晶ＬＣを吹き飛ばす。これにより、飛滴する液晶ＬＣが先端周辺に付着して以降の吐出精度を損なうことを防ぐ。

また、吸入機構としての吸入口６３は、真空ポンプ等に接続され、エアーノズル６２から噴射されるエアーを回収するように形成されている。この、吸入口６３により、エアーにより飛滴した液晶ＬＣを回収する。これにより、液晶ＬＣが吐出面（基板Ｗ１の上面）へ付着することを防ぐ。

制御装置５３は、液晶ＬＣの滴下と滴下の間（所定の位置に液晶ＬＣを滴下した後、次の滴下位置まで移動する間等）にエアーノズル６２と吸入口６３によってノズル５７先端付近に残存する液晶ＬＣを回収する。このようにして、吐出面の汚染防止と吐出量の制御を高精度に行うことができる。

尚、ディスペンサ５１に吸入口６３のみを設ける構成としてもよく、そのような構成に於いても、吐出面の汚染防止と吐出量制御の精度を高めることができる。
図５は、計測装置５４の構成を説明する説明図である。

計測装置５４は例えば電子天秤であり、ディスペンサ５１から滴下された液晶ＬＣの重量を測定し、その測定値を制御装置５３に出力する。制御装置５３はＣＰＵ６４、パルス発振器６５、モータドライバ６６を含む。

ＣＰＵ６４は、ディスペンサ５１から滴下する液晶ＬＣの量に応じた制御信号をパルス発振器６５に出力し、そのパルス発振器６５は制御信号に応答して生成したパルス信号をモータドライバ６６に出力する。そのモータドライバ６６は、入力したパルス信号に応答してモータ６７の駆動信号を生成する。このモータ６７には例えばパルスモータが用いられ、駆動信号に応答してその駆動信号のパルスに対応するだけプランジャ５６を下方又は上方へ移動させる。プランジャ５６が下方へ移動されることで、液晶ＬＣが滴下される。即ち、液晶ＬＣの滴下量は、プランジャ５６の移動量に対応する。

従って、ＣＰＵ６４は計測装置５４の測定値を入力し、それにより液晶ＬＣの滴下量を算出する。そして、ＣＰＵ６４は、その滴下量を一定にするようにパルス発振器６５へ供給する制御信号を補正する。これにより、液晶ＬＣの状態（粘度等）やプランジャ５６の移動量の変動（摺動抵抗，モータ６７の調子等）によって吐出状態や量が定まらず不安定になることを防ぎ、自動で連続した液晶吐出が可能となる。

次に、基板Ｗ１，Ｗ２のプレス装置３６への搬入について説明する。図６は、基板搬入の説明図である。プレス装置３６は、真空チャンバ７１を備え、その真空チャンバ７１は上下に分割され、上側容器７１ａと下側容器７１ｂとから構成されている。上側容器７１ａは、図示しない起動機構により上下方向に移動可能に支持されている。チャンバ内には、基板Ｗ１，Ｗ２を吸着するために上平板７２ａと下平板７２ｂが設けられ、上平板７２ａは、図示しない移動機構により上下動可能に支持されている。一方、下平板７２ｂは、図示しない移動機構により水平方向（ＸＹ軸方向）に移動可能に支持されると共に、水平回転（θ方向）可能に支持されている。

プレス装置３６には上下動可能に支持されたリフトピン７３が設けられている。搬送ロボット４４により搬入された基板Ｗ１は、上昇した複数のリフトピン７３により受け取られる。そして、リフトピン７３が下降することで、基板Ｗ１が下平板７２ｂ上に載置される。そして、後述する方法により基板Ｗ１が下平板７２ｂに吸着固定される。

また、プレス装置３６には、受け渡しアーム７４が設けられている。搬送ロボット４５により搬入された基板Ｗ２は、受け渡しアーム７４に一旦受け渡される。そして、基板Ｗ２は、後述する方法により上平板７２ａに吸着固定される。

上平板７２ａと下平板７２ｂにおいて、基板Ｗ２，Ｗ１を吸着固定する面は平面度１００μｍ以下に加工されている。また、両平板７２ａ，７２ｂの吸着面は、平行度が５０μｍ以下に調整されている。

次に、基板Ｗ１，Ｗ２を吸着固定する構成について説明する。図７は、プレス装置３６の吸着機構を説明する概略構成図である。
上平板７２ａは、背面保持板７５ａと、その下面に取着された静電チャック部７６ａとから構成されている。また、上平板７２ａには、基板Ｗ２を真空吸着するための吸着管路７７ａが形成されている。吸着管路７７ａは、静電チャック部７６ａの下面に形成された複数の吸着孔と、背面保持板７５ａ内に水平方向に沿って形成された吸着孔と連通する水平管路と、水平管路から上方へ延びる複数の排気路から構成されている。吸着管路７７ａは、配管７８ａを介して真空ポンプ７９ａに接続されている。配管７８ａには、途中にバルブ８０ａが設けられ、そのバルブ８０ａは制御装置８４に接続されている。

配管７８ａには、その配管７８ａ内と真空チャンバ７１内とを連通する等圧配管８１ａが接続され、その等圧配管８１ａにはバルブ８２ａが設けられている。また、配管７８ａ内には、その配管７８ａ内の圧力を測定するための圧力センサ８３ａが設けられ、その圧力センサ８３ａは制御装置８４に接続されている。

同様に、下平板７２ｂは、背面保持板７５ｂと、その下面に取着された静電チャック部７６ｂとから構成されている。また、下平板７２ｂには、基板Ｗ２を真空吸着するための吸着管路７７ｂが形成されている。吸着管路７７ｂは、静電チャック部７６ｂの下面に形成された複数の吸着孔と、背面保持板７５ｂ内に水平方向に沿って形成された吸着孔と連通する水平管路と、水平管路から下方へ延びる複数の排気路から構成されている。吸着管路７７ｂは、配管７８ｂを介して真空ポンプ７９ｂに接続されている。配管７８ｂには、途中にバルブ８０ｂが設けられ、そのバルブ８０ｂは制御装置８４に接続されている。

配管７８ｂには、その配管７８ｂ内と真空チャンバ７１内とを連通する等圧配管８１ｂが接続され、その等圧配管８１ｂにはバルブ８２ｂが設けられている。また、配管７８ｂ内には、その配管７８ｂ内の圧力を測定するための圧力センサ８３ｂが設けられ、その圧力センサ８３ｂは制御装置８４に接続されている。

真空チャンバ７１は、その真空チャンバ７１内を真空排気するための配管８５を介して真空ポンプ８６と接続され、その配管８５の途中にはバルブ８７が設けられている。そのバルブ８７は制御装置８４により開閉制御され、それにより真空チャンバ７１内の真空排気又は大気開放する。真空チャンバ７１内には、その真空チャンバ７１内の圧力を測定するための圧力センサ８８が設けられ、その圧力センサ８８は制御装置８４に接続されている。

制御装置８４は、真空ポンプ７９ａ，７９ｂを駆動するとともにバルブ８０ａ，８０ｂを開路することで、吸着管路７７ａ，７７ｂ及び配管７８ａ，７８ｂ内を真空排気し、基板Ｗ２，Ｗ１を真空吸着する。また、制御装置８４は、静電チャック部７６ａ，７６ｂに後述する電圧を印加することで発生するクーロン力により基板Ｗ２，Ｗ１を静電吸着する。

制御装置８４は、真空チャンバ７１内の圧力（真空度）により真空吸着と静電吸着とを切り替え制御する。詳述すると、制御装置８４は、基板Ｗ１，Ｗ２を受け取るときに図６に示すように真空チャンバ７１を分割する。従って、真空チャンバ７１内の圧力は大気圧となっている。

次に、制御装置８４は、静電チャック部７６ａ，７６ｂに電圧を供給してクーロン力を発生させ、真空雰囲気内で両基板Ｗ１，Ｗ２を貼り合せるために、真空ポンプ８６及びバルブ８７を制御して真空チャンバ７１を真空排気する。そして、制御装置８４は、各圧力センサ８３ａ，８３ｂ，８８からの信号に基づいて、真空チャンバ７１内の圧力が配管７８ａ，７８ｂ内の圧力よりも低くなると、真空排気のための配管７８ａ，７８ｂのバルブ８０ａ，８０ｂを閉路し、等圧配管８１，ａ，８１ｂのバルブ８２ａ，８２ｂを開路する。これにより、真空排気のための配管７８ａ，７８ｂ及び吸着管路７７ａ，７７ｂ内の圧力と真空チャンバ７１内の圧力とが等圧になり、基板Ｗ２，Ｗ１の脱落及び位置ズレを防止する。

これは、基板Ｗ１，Ｗ２を真空チャックのみで吸着保持した場合、チャンバ内を真空排気すると、そのチャンバ圧力が真空排気のための配管内の圧力よりも低くなったときにその配管内の気体が吸入口からチャンバ内に流れ込む。この気体の流入により上側平板では基板がチャックから脱落し、下側平板では基板が移動してしまうからである。

図８（ａ），（ｂ）に示すように、静電チャック部７６ａの吸着面側には、複数の吸着溝８９が形成されている。複数の吸着溝８９は、基板Ｗ２を吸着する領域内に形成されている。本実施形態では、吸着溝８９は、幅に対して深さが幅の１／２となるように形成されている。

このように、吸着溝８９を形成することで、吸着面と基板Ｗ２との間に気体が残存するのを防ぎ、それによって上記と同様に減圧下における基板Ｗ２の脱落、移動を防ぐことができる。

複数の吸着溝８９は、所定の方向に沿って形成されている。これにより、格子状に吸着溝を形成した場合に比べて、真空吸着によって基板Ｗ２が波打つのを防ぐことができる。
また、吸着面に複数の吸着溝８９を形成することで、基板Ｗ２の接触面積が少なくなる。吸着溝８９を形成しない場合、基板Ｗ２を面にて密着吸着して加圧処理すると、基板Ｗ２が収縮し吸着力との兼ね合いによって応力が蓄積される。この蓄積された応力は、加圧力を解放する（基板Ｗ２を貼り合せ後に静電チャック部７６ａから剥離する）ときに無作為な変移（ズレ）を生じさせる。このため、吸着溝８９を形成することで、接触面積を小さくしながら一定方向の伸縮を防ぎ、変位量の少ない貼合せ加工を行うことができる。

尚、図７の静電チャック部７６ｂの吸着面にも、図面を省略したが、静電チャック部７６ａと同様に溝が形成され、それにより基板Ｗ１の落下、移動、変形を防いでいる。
次に、静電吸着について詳述する。

図９（ａ）は、静電チャック部７６ａへ電圧を印加するための概略回路図である。
静電チャック部７６ａは、複数（図では４つ）の誘電層９１ａ〜９１ｄから構成され、各誘電層９１ａ〜９１ｄには表面から所定の深さに電極９２ａ〜９２ｄが埋設されている。尚、電極９２ａ〜９２ｄは、吸着面から電極９２ａ〜９２ｄまでの誘電層の厚さが１ｍｍ以上となるように埋設されている。

各誘電層９１ａ〜９１ｄの電極９２ａ〜９２ｄは、交互に第１及び第２電源９３ａ，９３ｂに接続されている。即ち、第１及び第３誘電層９１ａ，９１ｃの電極９２ａ，９２ｃは第１電源９３ａに接続され、第２及び第４誘電層９１ｂ，９１ｄの電極９２ｂ，９２ｄは第２電源９３ｂに接続されている。

図７の制御装置８４は、第１及び第２電源９３ａ，９３ｂを制御して、各誘電層９１ａ〜９１ｄの隣接した電極９２ａ〜９２ｄに交互に正及び負の電圧を印加して高電位差を生じさせる。また、制御装置８４は、静電チャック部７６ａをこのような構造にすることにより、吸着力を段階的に強弱する。これにより、基板Ｗ２の吸着及び剥離を容易になる。

静電チャック部７６ａの水平方向端面、詳しくは第１誘電層９１ａの端面と第４誘電層９１ｄの端面にはそれぞれ導電物９４ａ，９４ｂが接続されている。導電物９４ａはスイッチング電源９５ａに接続され、導電物９４ｂは切り替えスイッチ９６を介してスイッチング電源９５ｂに接続されている。

切り替えスイッチ９６は、導電物９４ｂに接続されたコモン端子と、フレームグランドＦＧに接続された第１接続端子と、スイッチング電源９５ｂに接続された第２接続端子とを有する。

図７の制御装置８４は、印加電圧に応じてスイッチング電源９５ａ，９５ｂの出力電圧を段階的に制御する。これにより、静電吸着力により発生した電荷を活性化させる。詳述すると、制御装置８４は、基板Ｗ２の剥離時に、電圧の印加を停止するとともに、切り替えスイッチ９６を制御して導電物９４ｂをフレームグランドＦＧに接続する、又はスイッチング電源９５ｂから導電物９４ｂ、誘電層９１ｄ〜９１ａ、導電物９４ａを介してスイッチング電源９５ｂに向かって電流を流す。これにより、各誘電層９１ａ〜９１ｄに静電吸着時に蓄積した電荷を強制的に除去することができる。これは、吸着面から基板Ｗ２を剥離する時に、それらの隙間距離の変化に伴い蓄積した電荷によって発生する電圧（電位差）の急激な増加によって起きる剥離帯電（放電）を防止する。これにより、放電により基板Ｗ２（及び基板Ｗ１）に形成したＴＦＴ等の回路素子やパターンの損傷を防ぎ、不良発生を防止することができる。

図１０（ａ）は、誘電層９１ａ〜９１ｄ、基板Ｗ２、及びそれらの接触面における等価回路図である。ここで、基板がガラス等の絶縁物に近い物質の場合に考え難い回路図ではあるが、発明者らはこの回路を原理原則としてＬＣＤ液晶表示装置の構成基板が吸着可能であることを確認している。これにより、ガラスのような絶縁物であっても抵抗とコンデンサ成分は存在することを示した。

図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の等価回路と同様に静電チャックの吸着原理を説明する図を示している。図中、Ｖは印加電圧、Ｖｇは基板の吸着に寄与する電圧、Ｒｆは誘電層の膜抵抗、Ｒｓは誘電層と基板の接触抵抗、Ｃは基板とチャック表面間のキャパシタンスを示す。そして、電圧Ｖｇは、
Ｖｇ＝（Ｒｓ／（Ｒｆ＋Ｒｓ））×Ｖ
となる。

図９（ｂ）は、剥離帯電を防止する構成の別例を示す図であり、図９（ａ）において破線で囲んだ部分の拡大図である。
誘電層９１ａは静電チャックの吸着層であり、その表面（吸着面）には、基板Ｗ２に接触する導電物９７が設けられている。導電物９７は基板Ｗ２の外周に沿って設けられている。また、導電物９７は、基板Ｗ２の素子形成領域（素子、配線が形成された領域）と重なるように、その幅及び形成位置が設定されている。導電物９７は、スイッチ９８を介してフレームグランドＦＧに接続されている。

図７の制御装置８４は、基板Ｗ２を剥離する際に、スイッチ９８を制御して導電物９７をフレームグランドＦＧに接続する。これにより、静電吸着時に誘電層９１ａ及び基板Ｗ２に蓄積した電荷をフレームグランドＦＧに逃がすことで、基板の剥離を容易にするとともに、剥離帯電を防止して基板Ｗ２の破損（素子、配線等の破損）を防止することができる。

尚、スイッチ９８はフレームグランドＦＧに代えてスイッチング電源９９に接続されても良い。制御装置８４は、導電物９７にスイッチ９８を介してスイッチング電源９９により誘電層９１ａ及び基板Ｗ２に蓄積した電荷をうち消すように電流を流す。このようにしても、静電吸着時に誘電層９１ａ及び基板Ｗ２に蓄積した電荷をフレームグランドＦＧに逃がすことで、基板Ｗ２の剥離を容易にするとともに、剥離帯電を防止して基板Ｗ２の破損（素子、配線等の破損）を防止することができる。

また、導電物９７をスイッチ１００を介して接触ピン等に接続し、その接触ピンを基板Ｗ２に形成した配線に接触させる。静電吸着によって、基板Ｗ２の表面（図の上面）は正（又は負）に帯電し、裏面（下面）は負（又は正）に帯電する。従って、基板Ｗ２の両面に蓄積した電荷をスイッチ１００をオンしてうち消すことで、基板Ｗ２の剥離を容易にするとともに、剥離帯電を防止して基板Ｗ２の破損（素子、配線等の破損）を防止することができる。

更にまた、スイッチ９８を切り替えスイッチとし、図に示すように導電物９７をフレームグランドＦＧ又はスイッチング電源９９に切り替え接続可能に構成する、接触ピンをフレームグランドＦＧに接続するように構成する、等のように、上記のように説明した構成を適宜組み合わせて実施しても良い。

図１１は、静電チャック７６に供給する電圧を段階的に制御を示す波形図である。この波形図において、実線は図９（ａ）の電源９３ａ，９３ｂにより誘電層９１ａ〜９１ｄに印加する電圧の波形を示し、左側の軸（単位：ｋＶ）にて示されている。また、二点差線はスイッチング電源９５ａ，９５ｂにより印加する電圧の波形を示し、右側の軸（単位：Ｖ）にて示されている。

基板を吸着する場合、図７の制御装置８４は、電源９３ａ，９３ｂにより静電吸着に必要な電圧を印加する。次に、剥離準備に入ると、制御装置８４は、電源９３ａ，９３ｂの電圧を下げ、スイッチング電源９５ａ，９５ｂより低電圧を供給する。そして、基板を剥離する時に、制御装置８４は、印加電圧を負電圧に制御しスイッチング電源９５ａ，９５ｂにより供給する電圧を高くする。この負電圧を供給する時間は、誘電層９１ａ及び基板Ｗ２に蓄積した電荷を活性化するのに要する時間であり、予め実験などにより求められている。このように、誘電層９１ａ及び基板Ｗ２に蓄積した電荷を検出することなく、時間管理にて基板Ｗ２を容易に離脱させることができる。

このようにすれば、急激な電圧変化を抑えるとともに誘電層９１ａ〜９１ｄ及び基板Ｗ２に電荷が残存するのを防ぎ、基板Ｗ２の剥離を容易にするとともに、剥離帯電を防止して基板Ｗ２の破損（素子、配線等の破損）を防止することができる。

図７の静電チャック部７６ｂは、図面を省略してあるが、上記した静電チャック部７６ａと同様に構成され、同様に図７の制御装置８４により制御された電圧が印加される。
図１２は、上平板（静電チャック）７２ａの剥離方法を説明するための説明図である。図１２（ａ）に示すように、プレス時には、図７の制御装置８４は、上平板７２ａと下平板７２ｂの静電チャック部７６ａ，７６ｂにオンしたスイッチ１０１ａ，１０１ｂを介して電源１０２ａ，１０２ｂから電圧を印加する。

次に、剥離準備に入ると、図１２（ｂ）に示すように、制御装置８４は、上平板７２ａの静電チャック部７６ａに接続したスイッチ１０１ａをオフにして電圧の印加を停止する。

そして、図１２（ｃ）に示すように、制御装置８４は、上平板７２ａを上昇させる。このとき、制御装置８４は、下平板７２ｂの静電チャック部７６ｂに接続したスイッチ１０１ｂをオンに保ち、電源１０２ｂから電圧を印加している。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２を下平板７２ｂに吸着することで、基板Ｗ１，Ｗ２のズレを防止し、上平板７２ａの離間（剥離）を容易にしている。

このように、上平板７２ａを離間させた後、図７の真空チャンバ７１内を大気開放（大気圧下）にする。この時、貼り合わせた基板Ｗ１，Ｗ２は下平板７２ｂに吸着保持されているため、大気開放したときの基板Ｗ１，Ｗ２の変形を抑えることができる。

次に、基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せを、図１３，図１４に従って説明する。
図１３は、位置合せ装置３６ａの構成を示す概略図である。
位置合せ装置３６ａは、撮像装置１１１、第１及び第２移動機構１１２，１１３、制御装置１１４から構成され、撮像装置１１１は第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６を備えている。第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６は、各々の倍率が異なるものを選択して取り付けられており、第１カメラレンズ１１５は第２カメラレンズ１１６よりも広い視野を捉えることができる（倍率が低く）ように設定されている。これにより、レンズ特性によって第１カメラレンズ１１５は、第２カメラレンズ１１６よりも深い焦点深度（被写界深度）を持つ。

第１移動機構１１２は、上平板７２ａを支持するとともに、撮像装置１１１を上平板７２ａより上方に支持している。第１移動機構１１２は、上平板７２ａと第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６を、それらの垂直方向距離を一定に保ちながら上下動させる機構を有している。従って、第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６と上平板７２ａの相対位置は変化しない。そして、第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６と上平板７２ａの距離は、上平板７２ａに吸着保持した基板Ｗ２に合焦点するとともに、下平板７２ｂに吸着保持した基板Ｗ１に合焦点する距離に設定されている。

第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６は所定の間隔にて水平方向に配置されている。そして、第１移動機構１１２は、上平板７２ａに垂直方向に形成した透過孔１１７と同軸上に第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６を切り替え配置するように撮像装置１１１を水平移動させる機構を有している。

第２移動機構１１３は、下平板７２ｂを支持し、水平方向（Ｘ及びＹ方向）に移動させる機構と、水平回転（θ方向）させる機構を有している。
基板Ｗ１，Ｗ２には、それぞれ対応する位置に第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２が設けられている。本実施形態では、基板Ｗ１の第１位置合せマークＭ１は黒丸であり、基板Ｗ２の第２位置合せマークＭ２は２重丸である。

制御装置１１４は、焦点深度の深い第１カメラレンズ１１５を用いて基板Ｗ１，Ｗ２を離間させた状態で概略の位置合せを行い、焦点深度の浅い第２カメラレンズ１１６を用いて近接させた基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せを精密に行う。

詳述すると、制御装置１１４は、先ず、第１移動機構１１２を制御して上平板７２ａと下平板７２ｂとの距離を第１の上下距離Ａにする。このとき、図１４に示すように、第１カメラレンズ１１５の視野１１８ａには、第１位置合せマークＭ１と第２位置合せマークＭ２の中心がずれて見えている。制御装置１１４は、第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２の中心を一致させるように第２移動機構１１３を制御する（視野１１８ｂ）。このとき、第２位置合せマークＭ２は実際には２重丸であるが、第１カメラレンズ１１５の倍率、線の間隔によって１重丸のように見えている。

尚、第１の上下距離Ａは、搬送された基板Ｗ１，Ｗ２の第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２が確実に視野内に収まるような距離であり、予め実験等により求められている。基板Ｗ１，Ｗ２を搬送する際に、それらの外形寸法の誤差などにより搬送される位置にズレが生じ、その位置ズレの量は、実験やテスト稼働により求められる。このように、位置がずれた場合にも、第１カメラレンズ１１５の視野に第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２が入るように、第１の上下距離Ａ及び第１カメラレンズ１１５の視野（倍率）が予め設定されている。

次に、制御装置１１４は、第１移動機構１１２を制御して第１の上下距離Ａよりも短い第２の上下距離Ｂに上平板７２ａ及び撮像装置１１１を下方向に移動させ、第２カメラレンズ１１６を用いるように撮像装置１１１を水平移動させる。これにより、第２カメラレンズ１１６の視野１１９ａには、第１位置合せマークＭ１と第２位置合せマークＭ２の中心がずれて見えている。制御装置１１４は、第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２の中心を一致させるように第２移動機構１１３を制御する（視野１１９ｂ）。

更に次に、制御装置１１４は、第１移動機構１１２を制御して第２の上下距離Ｂよりも短い第３の上下距離Ｃに上平板７２ａ及び撮像装置１１１を下方向に移動させる。このときの第３の上下距離Ｃは、基板Ｗ２と基板Ｗ１に塗布したシール材及び液晶（図示略）が接触しない距離に設定されている。これにより、第２カメラレンズ１１６の視野１２０ａには、第１位置合せマークＭ１と第２位置合せマークＭ２の中心がずれて見えている。制御装置１１４は、第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２の中心を一致させるように第２移動機構１１３を制御する（視野１２０ｂ）。

尚、第３の上下距離Ｃによって視野１２０ｂ中の第１及び第２位置合せマークＭ１，Ｍ２の中心が一致しても、実際には基板Ｗ１と基板Ｗ２の位置はずれていることがある。しかし、このズレ量は許容範囲内であり、そのように第３の上下距離Ｃが設定されている。

このように、視野が異なる第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６を切り替えて使用することで、それら第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６の焦点深度に応じて基板Ｗ１，Ｗ２の上下距離を調整し、基板Ｗ１，Ｗ２が非接触中にズレ許容範囲内まで位置合せを行う事ができる。

次に、プレス機構について説明する。
図１５は、貼り合せ時に基板Ｗ１，Ｗ２へ圧力を加える機構を側面から見た概略図で示している。

プレス機構は、ゲート状に形成され所定の高さに固定された支持枠１２１を備え、その支持枠１２１の支柱部内側には、両側にリニアレール１２２ａ，１２２ｂが取着され、それによってリニアガイド１２３ａ，１２３ｂが上下動可能に支持されている。両側のリニアガイド１２３ａ，１２３ｂの間には、板１２４ａ，１２４ｂが掛け渡され、上側板１２４ａは、支持枠１２１上部に取り付けられたモータ１２５によって上下動する支え板１２６により吊り下げられている。

詳述すると、モータ１２５の出力軸にはボールネジ１２７が一体回転可能に連結され、そのボールネジ１２７には支え板１２６に形成された雌ねじ部１２８が螺合されている。従って、モータ１２５が駆動されボールネジ１２７が正逆回転することにより、支え板１２６が上下動する。

支え板１２６はコ字状に形成され、上部の板に前記雌ねじ部１２８が形成されている。支え板１２６の下部板上面にはロードセル１２９が取着され、そのロードセル１２９の上に上側板１２４ａの下面が当接されている。

下側板１２４ｂには、真空チャンバ７１内に設けられた上平板７２ａが吊り下げられている。詳述すると、下側板１２４ｂには所定位置に上下方向に貫通した複数（本実施形態では４つ）の孔が形成され、その孔に支柱１３０が挿通されている。支柱１３０は上端が拡径されて下方向へ抜けないように形成され、下端に上平板７２ａが取着されている。

支柱１３０の上端と下側板１２４ｂとの間にはレベル調整部１３１が設けられている。レベル調整部１３１は例えば支柱１３０に形成されたネジと螺合するナットであり、これを回転させることで支柱１３０を上昇又は下降させ、上平板７２ａの水平レベルを調整する。このレベル調整部１３１によって、図１６に示すように、下平板７２ｂと上平板７２ａとの平行度が５０μｍ以下に調整されている。

支え板１２６の下面には、上平板７２ａに加工圧を加えるためのシリンダ１３２が取着されている。シリンダ１３２は、そのピストン１３３が下方に向かって突出するように設けられており、そのピストン１３３の先端はカップリング材１３４を介して上平板７２ａに取着された加圧部材１３５に当接されている。カップリング材１３４は、円筒状に形成され、シリンダ１３２の押圧方向（シリンダ１３２の軸方向）と上平板７２ａの移動方向との軸ズレを許容するように構成されている。

ロードセル１２９は、上側板１２４ａにより加わる圧力を測定し、その測定結果をコントローラ指示計１３６に出力する。その圧力は、支え板１２６により支持された部材（上側板１２４ａ、リニアガイド１２３ａ，１２３ｂ、下側板１２４ｂ、支柱１３０、上平板７２ａ及びシリンダ１３２）の重量（自重）と、シリンダ１３２により上平板７２ａに加える加工圧と、大気圧による圧力である。

上側容器７１ａ及び下側容器７１ｂ内が真空排気されると、上平板７２ａには、支柱１３０を介して１ｋｇ／ｃｍ２（平方センチメートル）の大気圧力が加わり、その大気圧力は、下側板１２４ｂ、リニアガイド１２３ａ，１２３ｂ及び上側板１２４ａを介してロードセル１２９に加わる。従って、ロードセル１２９は、自重Ａと加工圧Ｂと大気圧Ｃとの総和（＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を検出する。そして、ロードセル１２９に加わる圧力の総和は、モータ１２５を駆動して支え板１２６を下降させることで両基板Ｗ１，Ｗ２を貼り合わせるときに、その基板Ｗ１，Ｗ２による反力Ｄによって減少する。従って、このようにロードセル１２９を設け、その計測値（総和値）が減ることで、実際に基板に加わるその時々の負荷加重を知ることができる。

コントローラ指示計１３６は、ロードセル１２９により測定した圧力をＣＰＵ（コントローラ）１３７に出力する。そのＣＰＵ１３７には、電空レギュレータ１３８が接続されている。ＣＰＵ１３７は、ロードセル１２９によりその時々に上平板７２ａと下平板７２ｂの間にて貼り合わせる基板Ｗ１，Ｗ２（図示略）に加わる圧力を測定結果が入力される。そして、ＣＰＵ１３７は、その測定結果に基づいて、一定の圧力を基板Ｗ１，Ｗ２（図示略）に加えるように生成した信号を電空レギュレータ１３８に出力する。電空レギュレータ１３８は可変圧力制御レギュレータであり、ＣＰＵ１３７からの電気信号に応答してシリンダ１３２に供給する空気圧を調整する。このように、ロードセル１２９の測定結果に基づいてシリンダ１３２に供給する空気圧を制御することで、常に一定の圧力を上平板７２ａと下平板７２ｂの間にて貼り合わせる基板Ｗ１，Ｗ２（図示略）に加えるように構成されている。

また、上平板７２ａ及び下平板７２ｂの平行度や異物の混入や機械的なズレ等の外的要因は、反力Ｄと同様にロードセル１２９に加わる圧力の総和（自重Ａ）を減少させる。従って、このようにロードセル１２９の計測値（総和値）が減ることで、実際に基板に加わるその時々の負荷加重を知ることができる。そのため、ＣＰＵ１３７は、ロードセル１２９の計測値に対応して電空レギュレータ１３８に出力する電気信号を制御することで、外的要因の影響に関わらず常に一定の圧力を上平板７２ａに加えることができる。

また、ＣＰＵ１３７にはモータパルスジェネレータ１３９が接続され、そのジェネレータ１３９に上平板７２ａを上下動させるように生成した信号を出力する。モータパルスジェネレータ１３９は、ＣＰＵ１３７からの信号に応答して生成したパルス信号をモータ１２５に出力し、モータ１２５はそのパルス信号に応答して回転駆動する。

尚、加工圧を加える手段としてシリンダ１３２を用いたが、モータ等の他のアクチュエータを用いて上平板７２ａに加工圧を加えるように構成しても良い。また、油圧シリンダを用いて加圧力を加えるように構成してもよい。

また、下平板７２ｂを上平板７２ａに対して平行度を調整可能に構成しても良い。
また、支え板１２６に支持した部材の重量（自重）によって貼り合わせる基板に十分な圧力が加えられるのであれば、シリンダ１３２等の加工圧を加える手段を省略して実施しても良い。その場合、ロードセル１２９は、上平板７２ａとそれを支持する部材との自重Ａと、真空チャンバ７１内を減圧することで加わる大気圧Ｃとを受ける。従って、ＣＰＵ１３７は、ロードセル１２９に加わる圧力の総和（＝Ａ＋Ｃ）が基板Ｗ１，Ｗ２からの反力Ｄにより減少することで、その時々に基板Ｗ１，Ｗ２に加わる圧力を知ることができる。

図１７は、図１のプレス装置３６から硬化装置３７へパネルを搬送する搬送装置３８ｃの概略図である。図の上段にはパネルを搬送する機構を示し、下段には図１の制御装置３１の処理を示している。

搬送装置３８ｃは移載アーム１４１を備え、プレス装置３６にて貼り合わされた基板Ｗ１，Ｗ２からなるパネルＰ１を移載アーム１４１に真空吸着して下平板７２ｂから受け取り、真空チャンバ７１から搬出する。尚、図６に示すように、真空チャンバ７１にはリフトピン７３が備えられているため、これによりパネルＰ１を下平板７２ｂから離間させ、下側から掬い取って搬出する構成としてもよい。また、基板Ｗ２，Ｗ１を上平板７２ａ及び下平板７２ｂから剥離する場合に、下平板７２ｂを剥離させ、上平板７２ａにてパネルＰ１を持ち上げ、下側から掬い取って搬送する構成としてもよい。

搬送装置３８ｃは複数の搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚとリフト機構１４３を備えている。搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚは移載位置に設置されたリフト機構１４３に順次装着され、リフト機構１４３は搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚをパネルＰ１を載置する高さにリフトアップする。そして、搬送装置３８ｃは、搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ上にパネルＰ１を載置する。

搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚは平滑板１４４ａと、その平滑板１４４ａの下面に備えられた真空保持機構１４４ｂを含む。尚、図には平滑板１２４ｚにのみ符号を付してある。

平滑板１４４ａ、その上面は平面度が１００μｍ以下に加工されている。また、平滑板１４４ａは、図９（ｃ）（ｄ）に示すように複数の吸着孔１４５が形成されている。真空保持機構１４４ｂは逆止弁を内蔵しており、平滑板１４４ａ上面に載置されたパネルＰ１を真空吸着した後、それを保持するように構成されている。

即ち、搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚをリフト機構１４３に装着すると、図９（ｃ）の吸着孔１４５が図示しない真空ポンプ等の排気装置に接続され、それによりパネルＰ１が真空吸着される。その後、搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚをリフト機構１４３から脱着すると、真空保持機構１４４ｂの逆止弁によって気体の逆流が防止され、それによって平滑板１４４ａ上面に吸着されたパネルＰ１がその状態で保持される。

吸着孔１４５は、丸型の孔であり、その直径はφ２ｍｍ以下に設定されている。これにより、プレス装置３６の上平板７２ａ及び下平板７２ｂと同様に、吸着したパネルＰ１が変形する（波打つ）のを防いでいる。

搬送装置３８ｃは、パネルＰ１を吸着保持した搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚを硬化装置３７へ搬入する。この時、図１の制御装置３１は、真空貼合せ完了からの時間を各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ毎に管理し、一定時間経過した搬送用平板を硬化装置３７に搬入する。

プレス装置３６により貼り合わされたパネルＰ１の各基板Ｗ１，Ｗ２は、その貼合せ加工による応力が残存し、この応力はパネルＰ１のシール材を硬化するまでの時間に応じて緩和される。従って、硬化装置３７に搬入するまでの時間を管理することは、パネルＰ１に残存する応力の緩和を管理することと実質的に等しい。即ち、搬送装置３８ｃは、パネルＰ１を吸着保持した搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚを一定時間待機させることで、パネルＰ１に残存する応力を緩和させる。これにより、シール材硬化後に残存する応力が少なくなり、パネルＰ１の不良率が低減される。

また、各パネルＰ１を硬化前に一定時間待機させることで、各パネルＰ１の応力は、同じ程度緩和される。従って、各パネルＰ１における基板Ｗ１，Ｗ２の変形量が一様になり、各パネルＰ１のバラツキが少なくなる。これにより、高い加工の再現性と安定性が得られる。

硬化装置３７は、ＵＶランプ１４６を備え、それにより所定の波長を持つ光をパネルＰ１に照射する。このＵＶランプ１４６から照射される光は、波長がシール材が硬化する領域を残すように制御されている。また、パネルＰ１は、カラーフィルタや遮光膜等が形成されたカラーフィルタ基板である基板Ｗ２が上側にして貼り合わされ、その上側から光が照射される。従って、液晶に対する影響の少ない波長の光を照射するとともに、光が直接照射されないようにしていることで、液晶の劣化を低減することができる。

シール材が硬化されたパネルＰ１は、硬化装置３７から検査装置３５へ搬送装置３８ｄ（図１参照）により搬送される。検査装置３５は位置合せ検査工程を実施する装置であり、パネルＰ１を構成する基板Ｗ１，Ｗ２の位置ズレを検査し、そのズレ量を図１の制御装置３１に出力する。

制御装置３１は、受け取ったズレ量を各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ毎にそれら固有の処理情報として管理する。そして、制御装置３１は、各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ毎に管理したズレ量をプレス装置３６における位置合せにフィードバックする。詳述すると、各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚは平滑板１４４ａ上面がほぼ均一に加工されているが、それでも各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ毎に平滑板１４４ａ上面の平面度等には差がある。この差は、各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ毎に硬化装置３７に投入するまでの基板Ｗ１，Ｗ２の位置ズレにズレ量の差を生じさせる。そして、プレス装置３６にて次に貼り合わせるパネルＰ１を吸着固定する搬送用平板は、移載位置に配置される（本実施形態では移載位置に備えられたリフト機構１４３に装着される）ことで、どの搬送用平板に吸着固定されるかが判っている。このため、パネルＰ１を吸着固定する搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚにおけるズレ量を補正値としてその分ずらして位置合せする。

図１７下段左側に示すように、制御装置３１は、各搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚ毎に管理した処理情報１４７を記憶する。例えば、制御装置３１は、搬送用平板１４２ａに対する処理情報として（Ｘ：＋１，Ｙ：−１）を記憶している。これに基づいて、制御装置３１は、搬送用平板１４２ａに吸着固定するパネルＰ１を貼り合わせる際に例えば（Ｘ：−１，Ｙ：＋１）を補正値として真空貼合せ時の移動量に加える。このように、検査装置３５における検査結果を位置合せにフィードバックすることで、より位置ズレの少ないパネルＰ１を製造することができる。

図１８は、硬化装置３７の構成を説明するための概略図である。硬化装置３７は、光源１４８、照度計１４９、コントローラ１５０、上下機構１５１を含む。光源１４８は、ＵＶランプ１４６と、そのＵＶランプ１４６からの照射光をパネルＰ１全面にほぼ均等に照射するために設けられた第１及び第２反射板１５２，１５３を含む。この第１反射板１５２がない場合には、パネルＰ１の中心に照射される光が周辺のそれに比べて多くなる。これを防いで液晶の劣化を抑えながら、パネルＰ１全面へほぼ均等なエネルギーを与えるように構成されている。

硬化装置３７に搬入された搬送用平板１４２ａは、上下機構１５１により支持されている。その搬送用平板１４２ａには照度センサ１５４が設けられ、その照度センサ１５４は、パネルＰ１に照射される光の量に対応する値（例えば電圧）を持つ信号を照度計１４９に出力する。尚、図１７の各搬送用平板１４２ｂ〜１４２ｚにも同様に照度センサ１５４が設けられている。

照度計１４９は、入力信号に基づいて、パネルＰ１に照射される光の照度量をコントローラ１５０に出力する。コントローラ１５０は、入力した照度量に基づいて生成した制御信号を上下機構１５１に出力する。例えば、コントローラ１５０は、照度量が一定になるように制御信号を生成する。尚、コントローラ１５０は、照度量を時間の経過とともに変更するように制御信号を生成しても良い。

上下機構１５１は制御信号に応答して搬送用平板１４２ａを上下動させる。このようにして、光源１４８から搬送用平板１４２ａまでの距離が変更される。このように構成することで、光源１４８からの照射光量の変化（例えばＵＶランプ１４６の劣化、交換や、第１及び第２反射板１５２，１５３の反射面の変化）しても、パネルＰ１への照射光量を容易に制御し、シール材の硬化ムラを抑えて不良の発生を低減することができる。

尚、硬化装置３７は光源１４８と同様に構成された第２の光源１５５を搬送用平板１４２ａの下側に備える構成としてもよい。この第２の光源１５５により搬送用平板１４２ａ側からパネルＰ１に光を照射することで、シール材の硬化時間を短縮することができる。また、上下機構１５１は、第１及び第２の光源１４８，１５５を搬送用平板１４２ａに対して相対的に上下動させるように構成してもよい。

尚、コントローラ１５０は、照度量に基づいて基板Ｗ１，Ｗ２の照度量を略一定にするよう光源１４８（、１５５）の駆動電圧又は駆動電流を制御してもよい。また、搬送用平板１４２ａ上に照度センサ１５６を設け、コントローラ１５０はその照度センサ１５６にて検出した照度量に応じて光源１４８（，１５５）の駆動電圧又は駆動電流を制御してもよい。これにより、照射機器が劣化して照射強度が低下してもシール材の硬化不良を抑制することができる。

以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）真空チャンバ７１内が大気圧下では基板Ｗ１，Ｗ２を上平板７２ａ及び下平板７２ｂにて真空吸着にてそれぞれ吸着保持し、真空チャンバ７１内が減圧下では各平板７２ａ，７２ｂに電圧を印加して静電吸着にてそれぞれを吸着保持する。そして、大気圧下から減圧下への切替時に基板Ｗ１，Ｗ２を吸着保持するための背圧を真空チャンバ７１内の圧力と等圧にするようにした。その結果、静電吸着した基板Ｗ１，Ｗ２の脱落，移動を防止することができ、基板Ｗ１，Ｗ２の貼合せ不良を低減することができる。

（２）静電チャック部７６ａの吸着面には、基板Ｗ２に背圧を加える吸着溝８９を所定の方向に沿って延びるように形成した。その結果、吸着した基板Ｗ２が波打つのを防ぐことができる。

（３）静電チャック部７６ａは誘電層９１ａ〜９１ｄからなり、誘電層９１ａ〜９１ｄ内に吸着面から所定の深さに埋設した電極９２ａ〜９２ｄに電圧を印加して基板Ｗ２を吸着する。誘電層９１ａ側面に導電物９４ａを接続し、その導体を介して誘電層９１ａに剥離のための電圧を供給するようにした。その結果、吸着した基板Ｗ２を安全に剥離することができる。

（４）シール材は少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤であってそのシール材に基板Ｗ１，Ｗ２の上方及び下方の少なくとも一方に備えた光源から光を照射して硬化させる硬化装置を備え、その装置では照度センサにて基板Ｗ１，Ｗ２に照射される光量を測定し、その測定結果に基づいて光源と基板Ｗ１，Ｗ２との距離を制御するようにした。その結果、シール材に照射する光量を制御して硬化させ、シール材の硬化ムラを抑えて不良の発生を低減することができる。

（５）基板Ｗ１，Ｗ２間に封入する液晶ＬＣを基板Ｗ１上に滴下する液晶滴下装置を備える。液晶滴下装置は、充填した液晶ＬＣに圧力を加えてノズルから吐出するシリンジ５５を備え、そのシリンジ５５に充填した液晶ＬＣを温度制御するようにした。その結果、外気温度の影響を受けることなく微少量の液晶ＬＣを滴下することができる。また、液晶ＬＣを脱泡して滴下量の変動を抑えることができる。

（６）撮像装置１１１は、視野が異なる第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６を備え、それら第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６を切り替えると共に、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を使用する第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６に対応して変更して位置合せを行うようにした。その結果、非接触にて基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せを行うことができる。また、視野を変えて基板Ｗ１，Ｗ２を近接させることで、より精密に位置合せを行うことができる。

（７）ロードセル１２９は、上平板７２ａとそれを上下動可能に支持する部材の自重と、真空チャンバ７１内を減圧することにより受ける大気圧Ｃと、シリンダ１３２による加工圧Ｂの総和を検出する。その総和値が減ることで、実際に基板に加わるその時々の負荷加重を知ることができる。そのため、ＣＰＵ１３７は、ロードセル１２９の計測値に対応して電空レギュレータ１３８に出力する電気信号を制御することで、外的要因の影響に関わらず常に一定の圧力を上平板７２ａに加えることができる。

（８）基板Ｗ２をその上面を上平板７２ａに吸着する際に、吸着する基板Ｗ２を持ち上げて撓みを矯正するようにした。その結果、基板Ｗ２を上平板７２ａに確実に吸着することができる。また、位置ズレを起こすことなく基板Ｗ２を吸着することができる。

尚、前記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・一般に、基板Ｗ１，Ｗ２の素子等が形成された面（素子形成面）は、それら素子が形成された領域が汚染や傷つくのを防ぐために、図２０（ａ）に示すように、その素子形成面の裏面を吸着したり素子等が形成された領域１６１を除く周辺の接触可能領域１６２を保持部材１６３（図６における受け渡しアーム７４）にて保持する。すると、図２０（ｂ）に示すように、基板Ｗ２は、その大きさに応じて撓む。この基板Ｗ２の撓みは、上平板７２ａによる吸着時に保持位置にずれを生じさせたり、吸着不能を生じさせる。位置ズレは基板の位置合せ不良などの影響を与える。この影響を無くすために、プレス装置に図１９（ａ），（ｂ）に示すような撓み矯正機構１６５を備えて実施してもよい。

撓み矯正機構１６５は、基板Ｗ２の中央部を上方へ持ち上げる持ち上げ機構であり、吸着パッド１６６と、それを保持するアーム１６７と、アーム１６７を上下動させる上下機構（図示略）を備える。制御装置（例えば図７の制御装置８４）は、上平板７２ａにて基板Ｗ２を真空吸着する際に、撓み矯正機構１６５により基板Ｗ２の撓みを矯正する。

即ち、制御装置８４は、図２１（ａ）に示すように撓んだ基板Ｗ２を、撓み矯正機構１６５によって図２１（ｂ）に示すようにその基板Ｗ２の撓みを矯正する。次に、制御装置８４は、図２１（ｃ）に示すように、上平板７２ａを下降させ、真空吸着により基板Ｗ２を上平板７２ａに吸着させる。次に、図２１（ｄ）に示すように、上平板７２ａを上昇させ、撓み矯正機構１６５及び保持部材１６３を退避させる。これにより、図２１（ｅ）に示すように、確実に基板Ｗ２を上平板７２ａに吸着することができる。また、位置ズレがなく、再現性のある基板吸着を行うことができる。

尚、図１９，図２０では吸着パッド１６６を用いたが、撓みを矯正できればどのような構成でも良く、また非接触にて撓みを矯正するようにしても良く、上記と同様の効果を得ることができる。

・上記実施形態では、図６に示すように、搬送ロボット４５，４５にて基板Ｗ１，Ｗ２を真空チャンバ７１内に搬送したが、図２２に示すように、テーブル１７１を用いて基板Ｗ１，Ｗ２を同時に搬送するようにしてもよい。テーブル１７１には、上側の基板Ｗ２を貼合せ面（素子形成面）を下にした状態で保持するように形成された上側保持部材１７２と、下側基板Ｗ１を貼合せ面を上にした状態保持するように構成された下側保持部材１７３を備える。尚、上側保持部材１７２は、第１の基板Ｗ１上面に描画されたシール材の外側に対応する位置にて第２の基板Ｗ２を保持するように構成されている。この様にして搬送された基板Ｗ２を上平板７２ａにて直接吸着保持し、第１の基板Ｗ１をリフトピン７３にて一旦受け取った後に下平板７２ｂに吸着保持する。

このように構成されたテーブル１７１を用いると、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を同時にプレス装置３６内に搬入することができるため、搬送に要する時間を短縮することができる。また、第一実施形態の搬送ロボット４４，４５にて２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を処理室としての真空チャンバ７１内に搬入する場合に比べて、上側に保持した第２の基板Ｗ２のハンドリングが容易になり、搬送（搬入）に要する時間を短縮することができる。更に、予め基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せを行い、両基板Ｗ１，Ｗ２の相対位置を保ったまま、即ち位置ズレすることなく２枚を同時に搬送することができるため、プレス装置３６における位置合せ時間の短縮（又は省略）することが可能となる。

・上記実施形態では、図１３に示すように、下平板７２ｂを第２移動機構１１３により支持したが、この下平板７２ｂを着脱可能に構成してもよい。図２３は、位置合せ装置３６ｂの概略構成図である。この位置合せ装置３６ｂの第２移動機構１１３はステージ１７５を支持し、そのステージ１７５に設けた位置決めピン１７６を下平板７２ｂに形成した位置決め孔１７７に挿入して下平板７２ｂをステージ１７５上に水平方向に相対移動不能に取着する。このように下平板７２ｂを着脱可能に形成することで、貼り合わせた基板Ｗ１，Ｗ２を下平板７２ｂから剥離することなく図１の搬送装置３８ｃにて硬化装置３７へ搬送することができる。これにより、図１７に示すように硬化前のシール材により基板Ｗ１，Ｗ２が貼り合わせられたパネルＰ１を移載する必要がなくなるので、より安定したパネルＰ１を製造することができる。

・上記実施形態では、静電チャック部７６ａの吸着面に吸着溝８９を形成した（図８（ａ）（ｂ）参照）が、図２４（ａ）〜（ｃ）に示すように、吸着溝８９と基板Ｗ２の周辺部背面をその基板Ｗ２の雰囲気と同一にする排気溝１７８を形成しても良い。

排気溝１７８は、吸着溝８９の形成方向と同一の方向に沿って形成されている。また、排気溝１７８は、基板Ｗ２を吸着する領域内から静電チャック部７６ａの端面まで延びるように辺を切り欠いて形成されている。この排気溝１７８によって、基板Ｗ２の周辺部接触界面に残存する気泡によって基板Ｗ２が移動若しくは脱落するのを防ぐことができる。

また、排気溝１７８を形成することで、上記実施形態に比べて基板Ｗ２の接触面積が更に減少する。これにより、更に変位量の少ない貼合せ加工を行うことができる。
尚、上記実施形態で説明したように、静電チャック部７６ｂの吸着面にも同様に吸着溝８９と排気溝１７８を形成することで、基板Ｗ１の移動若しくは脱落を防止することができる。

また、排気溝１７８は基板Ｗ２の周辺部背面の圧力と真空チャンバ７１内の雰囲気（圧力）と同一にできればよく、静電チャック部７６ａの端面を切り欠く必要は無い。
・上記実施形態において、プレス装置３６へ基板Ｗ１，Ｗ２を搬入する前（例えば液晶滴下前）にて基板Ｗ１，Ｗ２のアライメントを行うアライメント装置を備えて実施する。このアライメント装置は、画像認識カメラと、Ｘ軸及びθ方向（Ｘ軸は搬送方向と直交する方向であり、θ方向は回転方向）に移動可能なステージを備える。画像認識カメラは、図１３の第１カメラレンズ１１５よりも低い倍率のレンズを備えている。従って、このアライメント装置を備えた貼合せ基板製造装置は、微細なアライメントを行う第２カメラレンズ１１６（図１３参照）よりも倍率の低いレンズを少なくとも２組有している。

アライメント装置には、基準画像が記憶され、カメラにて撮影した基板Ｗ１，Ｗ２の画像と基準画像とを比較することで、搬送された基板Ｗ１，Ｗ２のＸ，Ｙ軸及びθ軸のズレ量（Ｘ，Ｙ，θ）を測定する。そして、ステージにてＸ軸方向の位置ズレとθ軸のズレを補正するとともに、Ｙ軸のズレ量を補正値として図１のプレス装置３６へ基板Ｗ１，Ｗ２を搬送する搬送装置に出力する。その搬送装置は、補正値として受け取ったＹ軸方向のズレ量を搬送量加えて基板Ｗ１，Ｗ２を搬送する。このようにアライメント装置及び搬送装置を構成すれば、Ｙ軸方向のズレを搬送中に補正することで、アライメント装置におけるアライメント時間が短くなり、投入された基板Ｗ１，Ｗ２をプレス装置３６へ搬入するまでに要する時間を短くして製造効率を向上させることができる。

尚、アライメント装置に記憶した基準画像は、プレス装置３６の位置合せ装置（図１３参照）においてアライメントした基板Ｗ１，Ｗ２をアライメント装置へ搬送方向に対して逆流して搬送し、その搬送した基板Ｗ１，Ｗ２を画像認識カメラにて撮像した画像である。

図２５上段は、プレス装置３６にて位置合せが終了した基板の位置１８１、それを液晶滴下装置３３へ搬送した基板の位置１８２、更にそれを投入位置（アライメント装置）へ搬送した基板の位置１８３を示す。この基板の位置１８３に搬送された基板Ｗ１，Ｗ２の画像を基準画像として記憶させる。

次に、図２５下段の右側から基板Ｗ１，Ｗ２を搬送する。即ち、投入された基板Ｗ１，Ｗ２は、その中心位置が位置１８３の中心位置とずれている。これら中心位置のズレ量（Ｘ，Ｙ，θ）を、基準画像と基板Ｗ１，Ｗ２を撮影した画像と比べることにより算出する。そして、Ｘ軸方向のズレとθ方向のズレをステージにて補正するとともにＹ軸方向のズレ量を補正値として搬送装置に出力する。その搬送装置は、補正値を搬送量に加えて基板Ｗ１，Ｗ２を液晶滴下装置３３へ搬送する。この時、搬送された基板Ｗ１，Ｗ２の位置は、上段の位置１８２とほぼ一致している。更に、液晶滴下装置３３から搬送装置にて基板Ｗ１，Ｗ２をプレス装置３６へ搬送する。この時の搬送された基板Ｗ１，Ｗ２の位置は、上段の位置１８１とほぼ一致している。

このように、アライメント装置及び搬送装置を構成することで、基板Ｗ１，Ｗ２をプレス装置３６まで搬送するのに要する時間を短縮することができる。更に、プレス装置３６へ搬送された基板Ｗ１，Ｗ２の位置は、そのプレス装置３６にて位置合せを行った基板の位置１８１とほぼ一致している。このため、プレス装置３６にて複雑な位置合せを行う時間が短くなる。

更に、アライメント装置は画像認識カメラにて撮像した基板Ｗ１，Ｗ２の画像によりアライメントを行うため、基板Ｗ１，Ｗ２の端面には接触しない。これにより、端面状態が悪い基板との接触で発生する発塵を抑えることができる。

更に、予めプレス装置３６から基板Ｗ１，Ｗ２をアライメント装置へ搬送することで、プレス装置３６のＹ軸とアライメント装置のＹ軸とをほぼ一致させることができる。これにより、搬入された基板Ｗ１，Ｗ２を１つの軸（Ｙ軸）に沿って搬送すればよく、搬送装置の構成及び制御が簡略化でき、プレス装置３６への搬送途中に他の処理装置を容易に組み込むことができる。

・上記実施形態は液晶表示パネルを製造するための貼合せ基板製造装置に具体化したが、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)やＥＬディスプレイ(Electroluminescence Display )パネル、有機ＥＬディスプレイパネル等の他の貼合せ基板を製造する装置に具体化してもよい。

・上記実施形態では、プレス装置３６において下平板７２ｂを基準としたが、上平板７２ａを基準とする構成としてもよい。
・上記実施形態では、硬化装置３７においてシール材を硬化させるためにＵＶランプ１４６を用いたが、温度変化による硬化方法を実施する硬化装置を用いてもよい。

・上記実施形態では、図１７において搬送用平板１４２ａ〜１４２ｚをリフト機構１４３より離脱させて搬送したが、これをリフト機構１４３とともに搬送する構成としても良い。

・上記実施形態では、図７においてバルブ８２ａ，８２ｂを開閉操作して基板Ｗ１，Ｗ２の背圧を真空チャンバ７１内の圧力と同圧にしたが、基板Ｗ１，Ｗ２の脱落，移動を防ぐために背圧を真空チャンバ７１内の圧力と等しいかそれ以下とすればよく、そのために構成，制御を適宜変更して実施してもよい。例えば、制御装置８４は、真空チャンバ７１内を減圧雰囲気にするときに真空吸着のためのバルブ８０ａ，８０ｂを開けておく。このようにしても、基板Ｗ１，Ｗ２の脱落，移動を防ぐことができる。

・上記実施形態では、プレス以外の工程を大気圧にて行うようにしたが、一部の工程を減圧雰囲気にて行う構成としても良い。例えば、図２６に示す貼合せ基板製造装置２０１を用いる。この装置２０１は、シール描画装置３２、搬入ロボット２０２、第１予備真空室２０３、貼合せ処理室２０４、第２予備真空室２０５、搬出ロボット２０６、検査装置３５、制御装置２０７を備える。

第１予備真空室２０３には、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を搬入するための第１ゲート弁２１１が設けられている。第１予備真空室２０３は貼合せ処理室２０４と第２ゲート弁２１２にて仕切られており、貼合せ処理室２０４は第２予備真空室２０５と第３ゲート弁２１３にて仕切られている。その第２予備真空室２０５には、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を貼り合せたパネルを搬出するための第４ゲート弁２１４が設けられている。

制御装置２０７は、基板貼合せ工程の制御を行う。例えば、制御装置２０７は、各ゲート弁２１１〜２１４の開閉制御、第１，第２予備真空室２０３，２０５内の雰囲気制御（減圧化、大気圧化）、貼合せ処理室２０４内の雰囲気制御、搬入ロボット２０２及び搬出ロボット２０６の制御を行う。

第１の基板Ｗ１は、その上面にシール描画装置３２にてシール材が描画され、搬入ロボット２０２にて第１予備真空室２０３内に搬入される。第２の基板Ｗ２は、シール描画の工程をパス（通過）して搬入ロボット２０２にて第１予備真空室２０３内に搬入される。

制御装置２０７は、第１予備真空室２０３に搬入された第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２に対して前処理を実施する。前処理はガス処理であり、基板や表示素子の表面に付着した不純物や生成物を反応ガスや置換ガスに一定時間さらす処理である。反応ガスは、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)のための励起ガス等である。置換ガスは、窒素ガスなどの不活性ガスである。

尚、第１予備真空室２０３内に前処理装置を備え、上記ガス処理、熱処理、プラズマ処理の少なくとも一つを実施するようにしてもよい。熱処理は、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を加熱することで、表面改質、貼合せ面の活性化、水分除去などを行うために実施される。プラズマ処理は、ガス置換やガス反応又は熱処理では活性化できない基板上の生成物を、発生させるプラズマにて処理するために実施される。

これらの処理は、貼り合せ後に開封不可能な貼合せ面の性質を維持・安定化する。第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２は、それらの表面に酸化膜などの膜が生成したり空気中の浮遊物が付着し、表面の状態が変化したりする。この状態の変化は、基板毎に異なるため、安定したパネルを製造できなくなる。従って、これら処理は、膜の生成や不純物の付着を抑える、また付着した不純物を処理することで基板表面の状態変化を抑え、パネルの品質の安定化を図っている。更に、この貼合せ基板製造装置２０１によれば、別に前処理を行う装置を必要としないので、該装置２０１におけるレスポンスを要求すれば高い生産性を得ることができる。

尚、プラズマ処理にて基板Ｗ１に描画したシール材が影響を受ける場合、そのシール材をマスクする、又はシール材以外の部分にプラズマを発生させるようにする。また、液晶表示パネルを製造する場合、第１予備真空室２０３には図１に示す液晶滴下装置３３が備えられる。

前処理が施された第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２は、第１予備真空室２０３から貼合せ処理室２０４に搬送される。
貼合せ処理室２０４には、図１に示すプレス装置３６が備えられ、該プレス装置３６は図１３に示す位置合せ装置３６ａ（又は図２３に示す位置合せ装置３６ｂ）を含む。

制御装置２０７は、貼合せ処理室２０４内の圧力制御と、処理室内へのガスの供給制御を制御する。供給するガスは上記の反応ガスや置換ガスである。
制御装置２０７は、搬入された第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せ及び貼合せを実施する。尚、制御装置２０７は、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２の搬入からの時間経過を監視し、貼合せ処理室２０４内に供給したガスに第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を暴露する時間（搬入から貼合せを行うまでの時間）を制御する。これにより、貼り合せ後に開封不可能な貼合せ面の性質を維持・安定化する。

貼り合せられた第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２（パネル）は、貼合せ処理室２０４から第２予備真空室２０５に搬送される。第２予備真空室２０５には、図１に示す搬送装置３８ｃ、硬化装置３７が備えられる。制御装置２０７は、先ず第２予備真空室２０５内を減圧（真空）し、次に第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を該予備真空室２０５内に搬送する。そして、制御装置２０７は、硬化装置３７を制御し、該第２予備真空室２０５に搬入された第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２間のシール材を減圧雰囲気にて硬化させる。このように、シール材を硬化させることで、大気開放する際の気流や圧力分布によるズレを防止する。

尚、第１及び第２予備真空室２０３，２０５の何れか一方のみを備えた貼合せ基板製造装置に具体化してもよい。又、複数の第１予備真空室２０３を並列に配置してもよい。各第１予備真空室２０３にて前処理した第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を順次貼合せ処理室２０４内に搬入して貼合せ処理を実施する。この構成により、１組の基板Ｗ１，Ｗ２当りの製造時間を短縮することができる。

・上記実施形態において、図１３の撮像装置１１１の視野内に捉えた第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を貼り合わせるために設けられた印（位置合せマーク）の位置（視野内位置）を予め記憶しておき、搬送された基板に設けられた位置合せマークの視野内位置との差（座標差分）によって撮像装置１１１を水平移動させるようにしてもよい。

先ず、基準とする基板を搬送し、該基板に設けられた位置合せマークを第１カメラレンズ１１５にて捉える。尚、基準とする基板は、図２５に示す方法によって補正されて搬送されるため、搬送誤差が生じてもその基板の位置合せマークは視野から外れない、又視野から外れないようにカメラレンズの倍率が予め設定されている。そして、図１３の制御装置１１４は、図２７（ａ）に示す第１カメラレンズ１１５による撮像視野Ｆ１内に写されたマークＭ０の視野内位置（座標値（Ｘ，Ｙ））を記憶する。この時のマークＭ０の位置は、撮像装置１１１を所定距離移動させて切り替えた第２カメラレンズ１１６によりマークＭ０を視野内に捉えられる位置である。

次に、基板（ここでは第１の基板Ｗ１を用いて説明する）を搬送し、該基板Ｗ１に設けられた第１位置合せマークＭ１を第１カメラレンズ１１５にて撮像する。そして、制御装置１１４は、図２７（ｂ）に示す撮像視野Ｆ２内の第１位置合せマークＭ１の視野内位置（座標値（ｘ、ｙ））を算出し、該位置と記憶した視野内位置との座標差分により、図２７（ｃ）に示すように第１カメラレンズ１１５を移動させて新たな撮像視野Ｆ２ａ内の第１位置合せマークＭ１の視野内位置をマークＭ０のそれと一致させる。これにより、次に第２カメラレンズ１１６へ切り替えた場に第１位置合せマークＭ１を視野内に確実に捉えることができる。

尚、算出した座標差分により第１カメラレンズ１１５から第２カメラレンズ１１６に切り替えるべく撮像装置１１１を移動させるその移動量を補正するようにしても良い。
尚、上記の視野内位置を記憶して行う位置合せは、低倍率の第１カメラレンズ１１５にて捉えるマークと、高倍率の第２カメラレンズ１１６にて捉えるマークを別々に設けた基板に適用できる。図２８に示すように、第３の基板Ｗ３（第１の基板Ｗ１又は第２の基板Ｗ２）には、第１カメラレンズ１１５にて捉えるマーク（以下、粗マーク）Ｍａと第２カメラレンズ１１６にて捉えるマーク（以下、微マーク）Ｍｂが、基板Ｗ３のアライメントに適した位置（例えば四隅）に設けられている。粗マークＭａと微マークＭｂは所定の間隔を空けて設けられている。尚、第３の基板Ｗ３に対して位置合わせする基板（例えば粗マークＭａ及び微マークＭｂが第１の基板Ｗ１に設けられている場合には第２の基板Ｗ２がそれに相当する）には、粗マークＭａと微マークＭｂに対応するアライメントマークが設けられている。

図２９（ａ）に示すように、第１カメラレンズ１１５と第２カメラレンズ１１６の中心軸間の距離は固定されている。そして、第１カメラレンズ１１５にて粗マークＭａを捉えた視野画像（図２９（ｂ））、第２カメラレンズ１１６にて微マークＭｂを捉えた視野画像（図２９（ｃ））、粗マークＭａを捉えた撮像装置１１１の位置と微マークＭｂを捉えた撮像装置１１１の位置の相対座標を制御装置１１４に記録する。

図１３に示す位置合せ装置３６ａは、先ず、第１カメラレンズ１１５にて粗マークＭａを捉え（図２９（ｄ））、その粗マークＭａを基準位置に捉えるべく撮像装置１１１を移動させるその移動量を算出する。即ち、位置合せ装置３６ａは、第１カメラレンズ１１５が捉えた粗マークＭａの視野内位置と予め記憶した視野内位置から、撮像装置１１１の移動に必要な距離及び角度（Ｘ，Ｙ，θ）を算出する。そして、位置合せ装置３６ａは、算出した距離及び角度にて撮像装置１１１を移動させる。

次に、位置合せ装置３６ａは、撮像装置１１１を移動させ、第１カメラレンズ１１５から第２カメラレンズ１１６に切り替える。そして、この時移動させる撮像装置１１１の移動距離は、第１及び第２カメラレンズ１１５，１１６にて画像を登録した時の移動距離であり、記憶されている。従って、基板Ｗ３を移動させない場合、第１カメラレンズ１１５にて捉えた粗マークＭａの視野内位置から第２カメラレンズ１１６の視野内に捉える微マークＭｂの位置のズレ量を予測できる。

これにより、第１，第２カメラレンズ１１５，１１６の視野に対して搬送によって生じるズレ（搬送誤差）を吸収することができ、貼り合せ加工時に微マークＭｂを確実に視野に捕らえることができる（図２９（ｅ））。撮像装置１１１の移動量をパルスなどによって位置管理することができるため、キャリブレーションは第１，第２カメラレンズ１１５，１１６間の相対距離によりアライメントを行う場合でも補正することができ、また目標を見失うことはない。従って、通常では視野内に運ぶことが不可能な比率の印を用いることができるため、高分解能視野に対し判定確立の高いアライメント認識を実現することが可能となる。

尚、第１カメラレンズ１１５と第２カメラレンズ１１６をそれぞれ異なるカメラに装着し、それらカメラの距離（第１カメラレンズ１１５と第２カメラレンズ１１６の光軸距離）を固定して実施してもよい。

また、基板Ｗ１，Ｗ２のズレ（Ｘ軸，Ｙ軸，θ方向）を検出できれば粗マークＭａと微マークＭｂの数、位置、形状を適宜変更しても良い。例えば、図２７において、粗マークＭａを２カ所にする、またその位置を図において上下２辺中央付近とする。また、粗マークＭａ、微マークＭｂ及び上記各形態におけるマークを、丸以外の形状（例えば四角形、十字形）に変更しても良い。更には、１枚の基板に設けられた複数のマークの形状が異なっていても良く、基盤の方向を容易に確認することが可能となる。

・上記粗マークＭａを、プレス装置３６へ基板を搬入する前に実施するアライメントに用いても良い。図３０は、搬入前にアライメントを実施する位置合せ装置２２１からプレス装置３６までの工程を概略的に示す図である。プレス装置３６には、図１３に示す位置合せ装置３６ａが設けられている。尚、図３０では、プレス装置３６（位置合せ装置３６ａ）の要部を示す。

位置合せ装置２２１は、撮像装置２２２、それを移動させるための移動機構２２３、移動機構２２３を制御するための制御装置２２４、基板Ｗを吸着保持する平板２２５をＸ軸，Ｙ軸及びθ方向（Ｘ軸は搬送方向と平行な方向、Ｙ軸は搬送方向と直交する方向であり、θ方向は回転方向）移動させるステージ（図示略）を備える。撮像装置２２２は、第１カメラレンズ１１５よりも低い倍率のレンズ（第３カメラレンズ）２２６を備えている。例えば、第１カメラレンズ１１５は倍率×６、第２カメラレンズ１１６は倍率×１０、第３カメラレンズ２２６は倍率×２である。図３０において、視野Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１２はそれぞれ第１カメラレンズ１１５，第２カメラレンズ１１６，第３カメラレンズ２２６にて粗マークＭａを捉えた状態を示している。従って、この位置合せ装置２２１を備えた貼合せ基板製造装置は、微細なアライメントを行う第２カメラレンズ１１６よりも倍率の低いレンズを少なくとも２組有している。尚、位置合せ装置２２１は複数設けられ、粗マークＭａと対応する位置に設置されている。

位置合せ装置２２１の制御装置２２４には、第３カメラレンズ２２６にて粗マークＭａを撮像した基準画像が記憶されている。基準画像は、第２カメラレンズ１１６にて微マークＭｂを捉えた状態の基板を図２５で示した逆送によって位置合せ装置２２１へ搬送し、その基板Ｗの粗マークを捉えた画像である。

次に、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２（図では第１の基板Ｗ１を示す）を位置合せ装置２２１に搬入する。位置合せ装置２２１は、第３カメラレンズ２２６にて撮影した基板Ｗ１の画像と基準画像とを比較することで、搬送された基板ＷのＸ，Ｙ軸及びθ軸のズレ量（Ｘ，Ｙ，θ）を測定する。このズレ量は、搬送された基板Ｗをそのままの状態（位置合わせしていない状態）でプレス装置３６に搬送したときの第２カメラレンズ１１６の位置に対する微マークＭｂの位置の相対座標位置（ズレ量）と実質的に等しい。即ち、位置合せ装置２２１にて位置合せ装置３６ａにおける基板Ｗの位置ズレを予測していることと等しい。

そして、位置合せ装置２２１は、ステージにてＸ軸方向及びＹ軸方向の位置ズレとθ方向の角度ズレを補正する。この位置を補正した基板Ｗを搬送装置２２７にて搬送してテーブル１７１の上側保持部材１７２と下側保持部材１７３にそれぞれ保持させ（第２の基板Ｗ２と第１の基板Ｗ１）、プレス装置３６に搬入する。このプレス装置３６に搬入された基板Ｗ１，Ｗ２は、位置合せ装置２２１にて位置が補正されているので、第２カメラレンズ１１６による微マークＭｂの検出時にはカメラ視野の略中央（レンズ光軸の略中央）に微マークＭｂが捉えられる。このように、第２カメラレンズ１１６の光軸中央にて微マークＭｂを捉えることができる。そして、微マークＭｂが第２カメラレンズ１１６の光軸付近に寄せられることで画像の歪みの影響を低減でき、位置合せ誤差を少なくする、即ち高精度化を実現することができる。また、微マークＭｂの検出位置の再現性が向上することで、微マークＭｂが視野範囲内に捉えやすくなるため、微マークＭｂの位置を探索する時間を短縮することができる。従って、投入された基板Ｗ１，Ｗ２をプレス装置３６へ搬入するまでに要する時間を短くして製造効率を向上させることができる。

尚、ステージによる基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）のＸ軸，Ｙ軸及びθ方向の位置合せを、ステージ以外にて行っても良い。例えば、図２５にて説明した搬送方法のように搬送方向（図３０においてＸ軸方向）のズレに応じた補正を搬送装置２２７の移送距離に加える。また、θ方向のズレを、搬送装置２２７のアームを搬送方向に対して角度ズレに対応して傾けて基板Ｗを受け取る。このようにしても、微マークＭｂ（粗マークＭａ）を第２カメラレンズ１１６（第１カメラレンズ１１５）の視野内に入るように基板Ｗ（第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２）を搬送することができる。

・上記実施形態では、図１５に示すように真空チャンバ７１内に備えた下平板７２ｂを第２移動機構１１３にて移動させて第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２のアライメント（位置合せ）を行うようにしたが、真空チャンバ７１を下平板７２ｂと共に移動させる構成としてもよい。

図３１は、その位置合せ装置２３０の概略構成図である。位置合せ装置２３０は真空チャンバ２３１と移動機構２３２を含む。真空チャンバ２３１は上側容器２３１ａと下側容器２３１ｂとからなる。真空チャンバ２３１は、配管２３３、バルブ２３４、配管２３５を介してポンプ２３６に接続され、該ポンプ２３６の駆動及びバルブ２３４の開閉により真空チャンバ２３１の内部を減圧可能に構成されている。

上側容器２３１ａは図示しない開閉機構により下側容器２３１ｂに対して開閉可能に支持され、下側容器２３１ｂはその底部周辺にて移動機構２３２により水平２軸方向に移動可能に且つθ方向に回動可能に支持されている。

真空チャンバ２３１内には上平板２３７ａと下平板２３７ｂが配置されている。上平板２３７ａは複数の支柱２３８を介して支持板２３９に吊り下げ支持され、その支持板２３９は固定されている。支持板２３９と上側容器２３１ａの間には、各支柱２３８を囲み真空チャンバ２３１の気密を保つためのベローズ２４０が設けられている。下平板２３７ｂは下側容器２３１ｂの内部底面に固着されている。

真空チャンバ２３１の開口部、即ち上側容器２３１ａと下側容器２３１ｂが当接する箇所にはＯリング２４１と仮止めピン２４２が設けられている。Ｏリング２４１は上側容器２３１ａと下側容器２３１ｂの間をシールするために設けられ、仮止めピン２４２は移動機構２３２による下側容器２３１ｂの移動に上側容器２３１ａを追従させるために設けられている。

このように構成された位置合せ装置２３０は、先ず真空チャンバ２３１を開放して搬入した第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を下平板２３７ｂ及び上平板２３７ａにそれぞれ吸着保持する。次に、位置合せ装置２３０は真空チャンバ２３１を閉塞し、バルブ２３４を開操作しポンプ２３６を駆動させて該真空チャンバ２３１内を真空にする。

そして、位置合せ装置２３０は、第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２の位置合せを行う。この位置合せにおいて、真空チャンバ２３１は内部が減圧されているため、真空チャンバ２３１全体が移動する。この構成は、後述する２つの例に比べ、部品点数の大幅な削減と、シール材からのパーティクル発生を抑えることができる。

尚、仮止めピン２４２は、真空チャンバ２３１内を減圧することで上側容器２３１ａと下側容器２３１ｂが密着し真空チャンバ２３１全体が移動するため、省略しても同等の効果を奏する。しかし、仮止めピン２４２により、上側容器２３１ａと下側容器２３１ｂの位置合せを精度良く行うことができる。

図３２，３３は、図３１に対する第一及び第二従来例の概略構成図である。
第一従来例の位置合せ装置２５０の真空チャンバ２５１は、上側容器２５１ａと下側容器２５１ｂとからなり、上側容器２５１ａは移動不能に支持された下側容器２５１ｂに対して図示しない移動機構により開閉可能に支持されている。

真空チャンバ２５１内には上平板２５２ａと下平板２５２ｂが配置されている。上平板２５２ａは複数の支柱２５３を介して支持板２５４に吊り下げ支持され、その支持板２５４は固定されている。支持板２５４と上側容器２５１ａの間には、各支柱２５３を囲み真空チャンバ２５１の気密を保つためのベローズ２５５が設けられている。

下平板２５２ｂは複数の支柱２５６を介して支持板２５７に連結され、該支持板２５７は図示しない移動機構により水平２軸方向に移動され且つθ方向に回動される。支持板２５７と下側容器２５１ｂの間には、各支柱を囲みチャンバ内の気密を保つためのベローズ２５８がそれぞれ設けられている。

真空チャンバ２５１の開口部、即ち上側容器２５１ａと下側容器２５１ｂが当接する箇所にはＯリング２５９が設けられている。
従って、この第１従来例は、図３１に示す位置合せ装置２３０に比べ構成する部品数が多く且つ複雑でメンテナンス性が危惧される。換言すれば、図３１の位置合せ装置２３０は、第一従来例に比べて部品点数を大幅に削減することができ、メンテナンス性がよい。

第二従来例の位置合せ装置２６０の真空チャンバ２６１は、移動不能に支持された上側容器２６１ａと、図示しない移動機構により水平２軸方向に移動可能に且つθ方向に回動可能に支持された下側容器２６１ｂとからなる。その上側容器２６１ａ内には上平板２６２ａが、下側容器２６１ｂ内には下平板２６２ｂが移動不能に支持されている。真空チャンバ２６１の開口部、即ち上側容器２６１ａと下側容器２６１ｂが当接する箇所にはＯリング２６３が設けられている。

従って、この第二従来例は、第一従来例に比べて部品点数が大幅に削減されており、メンテナンス性も優れていると思われる。しかし、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２の位置合せにおいて、上側容器２６１ａに対して下側容器２６１ｂが移動するため、真空を保持するシール部品（Ｏリング２６３）の維持と管理が困難である。また、下側容器２６１ｂの移動により該下側容器２６１ｂと上側容器２６１ａが当接しパーティクルが発生する。貼合せ前の基板Ｗ１，Ｗ２は汚染を嫌うため、長時間稼動する量産装置としては不向きである。換言すれば、図３１の位置合せ装置２３０は、第二従来例に比べてＯリング２４１の維持と管理が容易であり、またパーティクルも発生しないことから長時間稼働する量産装置に適している。

・上記実施形態において、硬化装置の構成を適宜変更すること。図３４は、硬化装置２７０の構成を説明するための概略図である。
硬化装置２７０は、光源２７１、コントローラ２７３、冷却機構２７４を含む。光源２７１は図１８に示す光源１４８と同様に構成され、硬化装置２７０は、平板２７５に吸着保持されたパネルＰ１の第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２間のシール材を硬化させる。尚、上記実施形態と同様に、硬化装置２７０は図１８の光源１５５と同様に構成された第２の光源２７６を平板２７５の下側に備える構成としてもよい。

パネルＰ１を吸着保持する平板２７５は、照射される光の反射光量を低く抑えるように製作されている。例えば、表面を黒色等にすることで光を吸収する。これは、パネルＰ１のシール材の硬化時間を一定範囲に保つために有効である。即ち、平板２７５が光を反射すると、パネルＰ１のシール材は、光源１４８からの照射光と平板２７５からの反射光とを受ける。従って、シール材は、照射光のみによる硬化時間よりも短い時間で硬化してしまうため、その硬化時間の管理が難しくなるからである。

冷却機構２７４は、該平板２７５の表面温度を予め設定した温度とするために設けられている。平板２７５の表面温度を所定の温度とするのは、パネルＰ１に設けられたシール材の硬化時間を一定範囲に保つためである。詳述すると、パネルＰ１に設けられたシール材は、照射される光により加わる熱によって硬化する。従って、平板２７５は、パネルＰ１を構成する第１及び第２の基板Ｗ１，Ｗ２を透過する光、パネルＰ１から伝導する熱によりその表面温度が上昇する。更に、平板２７５は、光を吸収するなどして反射光量を抑えているため、温度が上昇しやすい。

その表面温度が上昇した平板２７５にプレス装置から搬送したパネルＰ１を載置すると、パネルＰ１のシール材は平板２７５から伝導する熱により硬化し始める。従って、硬化の開始時間が不明確になり、そのシール材の硬化時間を管理することができなくなるからである。また、温度が上昇した平板２７５に対して、平板２７５の温度が低いときと同じ時間だけ光を照射すると、パネルＰ１の液晶やドライバＩＣやトランジスタ等の素子がその温度により劣化したり破損する場合がある。

冷却機構２７４は、温度検出機構２８１と表面冷却機構２８２とを含む。温度検出機構２８１は、表面温度を検出するためのセンサ２８３とコントローラ２７３を含み、センサ２８３はセンサヘッド２８４と温度計２８５とから構成されている。センサヘッド２８４は、平板２７５の表面温度を非接触で検出し、該検出信号を出力する。温度計２８５は、センサヘッド２８４の検出信号を温度データに変換する。コントローラ２７３は、温度計２８５からの温度データと予め記憶した設定温度データと比較する。

表面冷却機構２８２は、コントローラ２７３、コンプレッサ２８６、送風ヘッド２８７、吸気ヘッド２８８、吸気ポンプ２８９から構成されている。コントローラ２７３は、上記比較結果に基づいてコンプレッサ２８６を制御し、そのコンプレッサ２８６に接続された送風ヘッド２８７から平板２７５の表面に気体が当てられる。この気体により平板２７５が冷却される。吸気ヘッド２８８には吸気ポンプ２８９が接続されており、その吸気ポンプ２８９の駆動によって送風ヘッド２８７から排出され平板２７５に吹き付けられる気体を吸引することで、冷却効率を高めている。

以上の様々な実施の形態をまとめると、以下のようになる。
（付記１） 処理室内に２枚の第１及び第２の基板を搬入し、該処理室内を減圧して前記第１及び第２の基板を貼り合わせる貼合せ基板製造装置において、
大気圧下から減圧下への切替時に前記第１及び第２の基板を保持する対向して配置された第１及び第２の保持板の少なくとも一方で、前記基板を吸着保持するための背圧を前記処理室内圧力と同圧にすることを特徴とする貼合せ基板製造装置。
（付記２） 前記処理室内が大気圧下では前記第１及び第２の基板を前記第１及び第２の保持板に圧力差吸着にてそれぞれ吸着保持し、前記処理室内が減圧下では前記第１及び第２の保持板に電圧を印加して静電吸着にてそれぞれを吸着保持することを特徴とする付記１記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３） 前記第１及び第２の保持板のうちの少なくとも一方の吸着面には、前記基板に背圧を加える第１の溝と同圧となる第２の溝を所定の方向に沿って延びるように形成したことを特徴とする付記１又は２記載の貼合せ基板製造装置。
（付記４） 前記吸着した前記基板が前記第２の溝の一部を覆うように該第２の溝を形成したことを特徴とする付記３記載の貼合せ基板製造装置。
（付記５） 前記第１及び第２の保持板の吸着面側には前記静電吸着の為の誘電層が形成され、該誘電層内に前記吸着面から所定の深さに埋設した電極に電圧を印加して前記基板を吸着することを特徴とする付記１〜４のうちの何れか１つに記載の貼合せ基板製造装置。
（付記６） 前記誘電層側面に導体を接続し、該導体を介して前記誘電層に剥離のための電圧を供給することを特徴とする付記５記載の貼合せ基板製造装置。
（付記７） 前記誘電層表面に前記基板の側方から前記基板の素子形成領域と重なるように導体を形成し、
前記基板の剥離時に、前記導体を接地するか又は前記導体に所定の電圧を供給することを特徴とする付記５又は６記載の貼合せ基板製造装置。
（付記８） 前記誘電層表面に前記基板の側方から前記基板の素子形成領域と重なるように導体を形成し、
前記基板の剥離時に前記導体に接続した端子を前記基板に形成されている導体と接触させることを特徴とする付記５又は６記載の貼合せ基板製造装置。
（付記９） 減圧下にて前記第１及び第２の保持板の何れか一方を貼り合せた第１及び第２の基板から離間させ、他方の保持板に前記第１及び第２の基板を吸着保持した状態で前記処理室内を大気開放することを特徴とする付記１〜８のうちの何れか１つに記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１０） 前記処理室に対向させた前記第１及び第２の基板を同時に搬入することを特徴とする付記１〜９の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１１） 前記第１及び第２の保持板にそれぞれ吸着保持した第１及び第２の基板を位置合わせする第１の位置合せ装置を備え、
該第１の位置合せ装置は、前記第１及び第２の保持板にそれぞれ吸着保持した前記第１及び第２の基板を、該第１及び第２の基板の何れか一方に設けた撮像装置により前記第１及び第２の基板に設けた位置合せマークを撮像して該両基板の位置合せを行うことを特徴とする付記１〜１０の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１２） 前記第１及び第２の基板より前に前記処理室に搬入された第３の基板に前記第１及び第２の基板と同じ位置に設けられた位置合せマークを前記撮像装置にて撮像して前記位置合せマークの視野内位置を予め記憶し、該第１の視野内位置と搬入した前記第１及び第２の基板の撮像した位置合せマークの第２の視野内位置の座標差分によって前記撮像装置を移動させることを特徴とする付記１〜１１の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１３） 貼り合せる際の撮像倍率よりも低い撮像倍率のレンズを少なくとも２式有し、前記第１及び第２の基板を貼り合せ前に各倍率のレンズを使用して段階的に位置合せを行うことを特徴とする付記１１又は１２記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１４） 前記第１及び第２の基板を前記処理室に搬入する前に位置合せを行う第２の位置合せ装置を有することを特徴とする付記１１〜１３の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１５） 位置合わせする前記第１及び第２の基板の第１の基準位置と、前記第２の位置合せ装置における第１及び第２の基板の第２の基準位置とを記憶し、前記第２の位置合せ装置に搬入した前記第１又は第２の基板の位置と前記第２の基準位置の差に応じた補正を前記第１又は第２の基板を前記第１の基準位置への搬送に加えることを特徴とする付記１３又は１４記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１６） 前記処理室は２つ容器に分割され、それぞれの容器には前記第１及び第２の基板を保持する第１及び第２の保持板が固着され、一方の容器は位置合わせの際に移動可能な機構に取着され、他方の容器は前記処理室内を減圧後に前記一方の容器と共に移動することを特徴とする付記１１〜１５の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１７） 前記第１及び第２の基板を貼り合わせる接着剤は少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤であって該接着剤に前記第１及び第２の基板の少なくとも一方側に備えた光源から光を照射して硬化させる硬化装置を備え、該装置では照度センサにて前記第１及び第２の基板に照射される光量を測定し、該測定結果に基づいて前記光源と前記第１及び第２の基板との距離を制御することを特徴とする付記１〜１６のうちの何れか１つに記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１８） 前記第１及び第２の基板を貼り合わせる接着剤は少なくとも光硬化性接着剤を含む接着剤であって該接着剤に前記第１及び第２の基板の少なくとも一方側に備えた光源から光を照射して硬化させる硬化装置を備え、該装置では照度センサにて前記第１及び第２の基板に照射される光量を測定し、該測定結果に基づいて前記光源と前記第１及び第２の基板に照射される強度を一定に保つよう制御することを特徴とする付記１〜１６のうちの何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記１９） 前記硬化装置は前記貼り合わされた第１及び第２の基板を吸着保持する保持板を冷却する機構を含むことを特徴とする付記１７又は１８記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２０） 前記保持板は光を吸収し難い材質よりなることを特徴とする付記１９記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２１） 減圧される前記処理室内に設けられた前記一方の保持板を上下動可能に支持するための前記処理室外に設けられた支持部材と、
前記支持部材を吊り下げる支え板と、
前記支え板を上下動させるアクチュエータと、
前記支え板と前記支持部材との間に前記支持部材及び前記上側保持板の重量が加わるように設けられたロードセルとを備え、
該ロードセルは、前記処理室内を減圧することで前記上側保持板に加わる大気圧と、前記支持部材及び前記上側保持板の自重との総和値を計測値として出力し、該計測値が減少した値を前記第１及び第２の基板に加わる圧力として認識することを特徴とする付記１〜２０の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２２） 前記上側の保持板へ加工圧を加えるアクチュエータを備え、該アクチュエータは前記加工圧が前記ロードセルに加わるように前記支え板に設けられ、
前記ロードセルは、前記自重と前記大気圧と前記加工圧の総和を計測値として出力し、
前記計測値が減少する値に基づいて前記アクチュエータの加工圧を制御することを特徴とする付記２１記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２３） 前記貼り合せた第１及び第２の基板を載置する面が平滑に形成された搬送用平板を少なくとも１枚有し、該搬送用平板に前記貼り合せ後の第１及び第２の基板を移載して前記接着剤を硬化させる硬化装置へ搬送することを特徴とする付記１〜２２の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２４） 前記硬化装置において前記接着剤に光を照射させるまでの時間を管理することを特徴とする付記２３記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２５） 貼り合わせた第１及び第２の基板を載置する面が所定の平面度に加工された複数の搬送用平板と、
前記複数の搬送用平板へ前記保持板から前記第１及び第２の基板を移載し、各搬送用平板毎に貼合せからの時間を管理し、所定時間経過した第１及び第２の基板を吸着保持した搬送用平板を接着剤を硬化する装置へ搬入する移載装置とを備えたことを特徴とする付記１〜２２の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２６） 前記各搬送用平板毎に前記接着剤硬化後の第１及び第２基板の位置ずれを搬送情報として記憶し、該搬送情報に基づいて前記基板をずらして位置合わせを行うことを特徴とする付記２３〜２５の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２７） 前記接着剤硬化後の第１及び第２の基板の位置ズレを検査する検査装置を備え、該検査装置にて検出した位置ズレ量に応じて前記第１及び第２の基板をずらして位置合せするその位置合せズレ量を補正することを特徴とする付記２６記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２８） 前記検査装置を前記基板の搬送ライン上に配置することを特徴とする付記２７記載の貼合せ基板製造装置。
（付記２９） 前記一方の保持板は着脱可能に設けられ、前記貼り合せ後の第１及び第２の基板を吸着保持した前記保持板を脱着して次の工程へ搬送することを特徴とする付記１〜２８の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３０） 前記張り合わせを行う処理室とは別に減圧形成可能に形成された容器を備え、該容器にて前記第１及び第２の基板の少なくとも１方に対して貼り合せの前処理を行うことを特徴とする付記１〜２９の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３１） 前記第１及び第２の基板間を封止するシールを描画する機構を備え、前記前処理は、前記シール描画後の第１及び第２の基板を選択したガスに曝す処理であることを特徴とする付記３０記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３２） 前記前処理は、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に対して実施する熱処理であることを特徴とする付記３０記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３３） 前記前処理は、前記第１又は第２の基板に対して実施するプラズマ処理であることを特徴とする付記３０記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３４） 前記張り合わせを行う処理室とは別に減圧形成可能に形成された容器を備え、前記シールの硬化処理、該硬化処理までの搬送処理、貼り合せ後の第１及び第２の基板を前記第１及び第２の保持板から剥離する処理のうちの少なくとも一つの処理を前記容器内にて実施することを特徴とする付記３０〜３３の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３５） 前記第１及び第２の基板間に封入する液体を前記第１又は第２の基板上に滴下する液体滴下装置を備え、
前記液体の吐出量を自動計測する機構を有し、基板上への吐出前に最適滴下量を校正することで塗布量を一定管理することを特徴とする付記１〜３４の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３６） 前記第１及び第２の基板間に封入する液体を前記第１又は第２の基板上に滴下する液体滴下装置を備え、
該液体滴下装置は、充填した液体に圧力を加えてノズルから吐出するシリンジを備え、該シリンジは、前記液体の流れを遮断可能な開閉弁を有すること、前記液体が接する管が該液体の変化に関わらず該圧力に対し均等であること、前記液体を温度制御すること、のうちの少なくとも１つを持つことを特徴とする付記１〜３４の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３７） 前記シリンジのノズル付近に、該ノズルに付着する液体を吸入する吸入口を設けたことを特徴とする付記３６記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３８） 前記ノズル先端に気体を噴射する気体噴射ノズルを前記吸入口と対向して設けたことを特徴とする付記３７記載の貼合せ基板製造装置。
（付記３９） 前記シリンジから滴下する液体の量を計測する計測装置を備え、該計測装置における計測結果に基づいて前記液体を吐出させる圧力を加えるプランジャの移動量を制御するようにしたことを特徴とする付記３５〜３８の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記４０） 前記第１及び第２の基板はそれぞれ異なる工程にて製造され、前記第１及び第２の基板を同時に受け取り前記工程に搬入する搬送ロボットを備え、前記第１及び第２の基板のそれぞれには認識情報が設けられ、前記搬送ロボットは前記各認識情報に基づいて前記第１又は第２の基板を上下反転させることを特徴とする付記１〜３９の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。
（付記４１） 前記第１又は第２の基板を一方の保持板に吸着する際に、前記吸着する基板の撓みを矯正する機構を有することを特徴とする付記１〜４０の何れか一に記載の貼合せ基板製造装置。

貼合せ装置の概略構成図である。 搬送装置の概略構成図である。 液晶滴下装置の概略構成図である。 ディスペンサの説明図である。 滴下量計測部の概略説明図である。 基板搬送の説明図である。 真空雰囲気における基板吸着を説明するための概略図である。 平板の説明図である。 静電チャックの説明図である。 静電チャックの等化回路図である。 静電チャックに印加する電圧の波形図である。 基板剥離の手順を示す説明図である。 位置合せ装置の概略構成図である。 位置合せ制御の説明図である。 プレス装置の概略構成図である。 上平板及び下平板の斜視図である。 シール材硬化装置へ基板を搬送する搬送装置の概略図である。 シール材硬化装置の概略構成図である。 基板保持装置の概略構成図である。 基板搬送及び基板に発生する撓みの説明図である。 基板保持の手順を説明する説明図である。 基板搬送の説明図である。 位置合せ装置の概略構成図である。 平板の説明図である。 補正搬送の説明図である。 別の形態の貼合せ基板製造装置の概略構成図である。 位置合せマークの説明図である。 別の位置合せ制御の説明図である。 別の位置合せ制御の説明図である。 別の補正搬送の説明図である。 別のチャンバの概略構成図である。 図３１に対する従来例の概略構成図である。 図３１に対する従来例の概略構成図である。 別のシール材硬化装置の概略構成図である。 貼合せ基板（液晶表示パネル）の断面図である。 従来の別の貼合せ基板の断面図である。 従来方法による貼り合せの説明図である。 従来方法による貼合せ基板の断面図である。

符号の説明

５５ シリンジ
７１ 処理室としての真空チャンバ
７２ａ，７２ｂ 保持板としての上平板、下平板
７６ａ，７６ｂ 保持板を構成する静電チャック部
８９ 吸着溝
９１ａ〜９１ｄ 誘電層
９２ａ〜９２ｄ 電極
９４ａ 導電物
１１１ 撮像装置
１１５，１１６ 第１及び第２カメラレンズ
１２９ ロードセル
１３２ アクチュエータとしてのシリンダ
１６５ 撓み矯正機構
Ｗ１，Ｗ２ 第１及び第２の基板

Claims (8)

1. 光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化装置において、
   前記第１の基板及び第２の基板を搬送する搬送手段に設けられており、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光源の光量を測定する照度センサと、
   該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整する調整手段と
   を備えたことを特徴とする貼合せ基板硬化装置。
2. 光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化装置において、
   前記第１の基板及び第２の基板とほぼ同じ高さに設けられ、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光源の光量を測定する照度センサと、
   該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整する調整手段と
   を備えたことを特徴とする貼合せ基板硬化装置。
3. 光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化装置において、
   前記第１の基板及び第２の基板を搬送する搬送手段に設けられており、前記第１の基板及び第２の基板に照射される光源の光量を測定する照度センサと、
   該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整するための制御信号を出力する制御手段と
   前記制御信号に基づいて前記光源又は前記搬送手段の位置を移動させる手段と、
   を備えたことを特徴とする貼合せ基板硬化装置。
4. 前記調整手段は、前記光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を一定に保持することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の貼合せ基板硬化装置。
5. 前記光源は、前記第１の基板及び第２の基板の少なくとも一方側に備えられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の貼合せ基板硬化装置。
6. 前記照度センサは、前記搬送手段の上面又は側面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の貼合せ基板硬化装置。
7. 光硬化性接着剤を含む接着剤を使用して貼り合わされた第１の基板及び第２の基板の前記接着剤に対して光を照射して硬化させる貼合せ基板硬化方法において、
   前記第１の基板及び第２の基板を搬送する搬送手段に設けられた照度センサにて前記第１の基板及び第２の基板に照射される光量を測定し、該光量の測定結果に基づいて前記第１の基板及び第２の基板に照射される照射量を調整して前記接着剤を硬化させることを特徴とする貼合せ基板硬化方法。
8. 前記光量の測定結果に基づいて、前記第１の基板及び第２の基板に光を照射する光源の照射量を制御することを特徴とする請求項７に記載の貼合せ基板硬化方法。

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