JP2006196784A - Substrate surface processor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、たとえばシリコンウエハなどの基板の表面を化学的に処理することに用いる基板表面処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate surface treatment apparatus used for chemically treating the surface of a substrate such as a silicon wafer.
たとえば電子デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスを構成する部材である基板に対する化学的な表面処理が多用されている。基板に対する化学的な表面処理としては、反応性ガスによるドライ(乾式)プロセスと、化学的薬液によるウェット(湿式)プロセスとに分けられる。また処理基板枚数および基板の処理面の観点からは、複数の平板状基板を処理液に同時に浸漬させて全面処理するバッチ処理、また平板状基板の片面のみを処理液に接液させて処理する枚葉処理に分けられる。 For example, in the manufacturing process of an electronic device, chemical surface treatment for a substrate which is a member constituting the device is frequently used. The chemical surface treatment for the substrate can be divided into a dry process using a reactive gas and a wet process using a chemical chemical. From the viewpoint of the number of processing substrates and the processing surface of the substrate, batch processing in which a plurality of flat substrates are simultaneously immersed in the processing liquid to process the entire surface, or only one surface of the flat substrate is in contact with the processing liquid for processing. Divided into single wafer processing.
平板状の形状を有する基板の片面のみを処理するプロセスは、ガラス基板、シリコンウエハなどを対象として、たとえば洗浄、表面変質層の除去、薄肉化、表面形状の加工などに多用されている。 Processes for processing only one side of a substrate having a flat plate shape are frequently used for glass substrates, silicon wafers, etc., for example, for cleaning, removal of a surface-affected layer, thinning, surface shape processing, and the like.
通常、片面のみに化学的処理を施す場合、処理を必要としない面または保護したい面に処理液に対して耐性のあるマスキングテープを貼付けたり、ワックス、レジスト等の樹脂保護膜を形成して処理液に浸漬する方法が採られている。しかしながら、このような方法では、マスキングテープまたは樹脂保護膜の形成工程、表面処理後の剥離工程、さらに剥離後の状態によっては洗浄工程等を必要とするので、製造工程数が増大し、またマスク材、剥離処理液等の材料費が余分に必要となるので、製造コストの増大を招くという問題がある。 Normally, when chemical treatment is applied to only one side, a masking tape that is resistant to the treatment liquid is applied to the side that does not require treatment or the surface to be protected, or a resin protective film such as wax or resist is formed. A method of immersing in a liquid is employed. However, such a method requires a masking tape or a resin protective film forming step, a peeling step after the surface treatment, and a cleaning step depending on the state after peeling. There is a problem that the manufacturing cost increases because extra material costs such as the material and the stripping treatment liquid are required.
一方、反応性ガスによるドライプロセスは、基板ステージに密着して基板が設置されており、基板ステージに密着している裏面側には処理ガスがほとんど届かないので、保護マスクを形成することなく片面のみの処理を実施し易い。しかしながら、ウェットプロセスに比べて、ドライプロセスの装置は、真空排気系、ガス供給系等の設備が大掛かりになるので設備コストが高く、また材料ガスコストも高いという問題がある。また、ドライプロセスにおいても、反応性ガスが裏面に届き難いというだけであり、裏面へのわずかな回込みも許されない場合には特別な裏面回込み防止機構を追加して設けるか、または保護マスクの形成が必要となる等の問題がある。 On the other hand, in the dry process using a reactive gas, the substrate is placed in close contact with the substrate stage, and the processing gas hardly reaches the back side that is in close contact with the substrate stage. It is easy to carry out only the processing. However, as compared with the wet process, the dry process apparatus has a problem that the equipment cost is high and the material gas cost is high because the equipment such as the vacuum exhaust system and the gas supply system is large. Also, in the dry process, it is difficult for the reactive gas to reach the back surface, and if it is not allowed to slightly wrap around the back surface, add a special back surface wrap prevention mechanism or provide a protective mask. There is a problem that it is necessary to form.
このような問題を解決する従来技術として、耐化学薬品性の吸湿性物質に化学薬品を含浸させ、この吸湿性物質に基板の片面のみを接触させて表面処理する方法が提案されている(特許文献1参照)。しかしながら、特許文献1に開示される方法では、吸湿性物質に含浸させた液の迅速な入替えが困難である。したがって、連続処理時には、処理液の濃度低下等が生じた場合、処理液を迅速に入替えできないので、濃度が低下したまま連続処理を行うことになり、処理速度が遅くなるという問題がある。また、基板を吸湿性物質上に搬送するために、吸着ハンド等を装備した大掛かりな搬送ロボットが必要となり、設備コストが高くなるという問題がある。 As a conventional technique for solving such problems, a method has been proposed in which a chemical-resistant hygroscopic substance is impregnated with a chemical, and only one side of the substrate is brought into contact with the hygroscopic substance to perform surface treatment (patent). Reference 1). However, in the method disclosed in Patent Document 1, it is difficult to quickly replace the liquid impregnated in the hygroscopic substance. Accordingly, when the concentration of the processing liquid is reduced during continuous processing, the processing liquid cannot be replaced quickly. Therefore, there is a problem that the continuous processing is performed while the concentration is reduced, and the processing speed is slowed down. In addition, in order to transport the substrate onto the hygroscopic substance, a large-scale transport robot equipped with a suction hand or the like is required, and there is a problem that the equipment cost increases.
このような問題を解決するために以下のような基板表面処理装置による片面処理が試みられている。図5は、従来の基板表面処理装置1の構成を簡略化して示す図である。図5(a)では従来の基板表面処理装置1の側面から見た断面図を示し、図5(b)では従来の基板表面処理装置1の上面図を示す。従来の基板表面処理装置1は、基板2の表面を化学的に処理する処理液3を収容する処理液槽4と、回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラ5と、搬送ローラ5を駆動させる不図示の駆動手段とを含んで構成される。
In order to solve such a problem, one-side processing by the following substrate surface processing apparatus has been attempted. FIG. 5 is a diagram showing a simplified configuration of a conventional substrate surface processing apparatus 1. FIG. 5A shows a cross-sectional view of the conventional substrate surface treatment apparatus 1 as viewed from the side, and FIG. 5B shows a top view of the conventional substrate surface treatment apparatus 1. A conventional substrate surface treatment apparatus 1 includes a treatment liquid tank 4 that contains a
搬送ローラ5は、細長い丸棒形状のシャフト6と、シャフト6の径よりも大きい外径を有するリング状のローラ部材7とを含んで構成され、複数個(図5の事例では1本の搬送ローラ5に対して3つ)のローラ部材7が、所定の間隔を空けてシャフト6に装着される。搬送ローラ5は、シャフト6が、処理液槽4に処理液3が漏れないようにシールされて設けられる不図示の軸受によって回転自在に支持され、処理液層4の外部に設けられる駆動手段に連結され、駆動手段によって矢符8方向に回転駆動される。基板2は、搬送ローラ5上に載置され、矢符8方向に回転する搬送ローラ5によって、矢符9方向に搬送される。
The
図5に示す事例では、搬送ローラ5厳密には搬送ローラ5のローラ部材7が、直径方向に2分の1程度処理液3に浸漬するように、処理液槽4中の処理液3の液面位置が設定される。すなわち、搬送ローラ5上に載置される基板2の処理液3を臨む側の面2a(以後、処理面2aと呼ぶ)と処理液3の液面位置との間には間隙が形成されるように設定される。このような設定で、搬送ローラ5上に載置される基板2の処理面2aに対する処理液3の接液は、たとえば搬送ローラ5上に基板2が載置されると同時に、処理液3の液面位置を基板2の処理面2aに接する位置まで上昇させ、その後上記間隙が形成されるように処理液3の液面位置を下降させることによって行われる。処理液3の液面上昇によって基板2の処理面2aに一旦接触した処理液3は、液面位置の下降後もその表面張力によって、矢符9方向に搬送される間を通じて基板2の処理面2aに吸着保持されるので、処理液3によって処理面2aが片面処理される。
In the example shown in FIG. 5, the liquid of the
しかしながら、従来の基板表面処理装置1では、搬送ローラ5のシャフト6が細径に構成されるので、たとえば搬送ローラ5自体の重さによって、シャフト6にたわみが発生する。シャフト6のたわみを防止しようとすると、シャフト6の径を大きくしなければならないので、ローラ部材7の径も大きくしなければならず、装置全体が大きくなり、装置コストが高くなる。
However, in the conventional substrate surface treatment apparatus 1, since the
また、近年基板2が大型化しているけれども、大きい基板2の場合、1本のシャフト6に装着されるローラ部材7同士の装着間隔が長いと、基板2にたわみが生じるので、シャフト6に装着するローラ部材7の数を増やしてローラ部材7同士の間隔を短くするか、ローラ部材7の幅を広くしなければならない。さらに、基板2の一部に欠けが発生した場合、ローラ部材7の幅が狭いと基板2がローラ部材7に載らず、搬送ローラ5から外れて装置トラブルを引き起こす原因となる。
In recent years, the
このような問題を解決するために、さらなる検討を加えた基板表面処理装置10による片面処理が試みられている。図6は、もう一つの従来の基板表面処理装置10の要部構成を簡略化して示す斜視図である。基板表面処理装置10は、搬送ローラ11の構成に特徴を有し、搬送ローラ11以外は上記基板表面処理装置1と同一に構成されるので、全体構成図を省略して搬送ローラ11の部分と基板2のみを表す。
In order to solve such a problem, single-sided processing by the substrate
基板表面処理装置10に設けられる搬送ローラ11は、基板2の搬送される方向(矢符9方向)に直交する方向である幅方向における長さである基板幅W1以上のローラ長さW2を有し、軸線方向に一様な直径を有する円柱状または円筒状の棒状部材として形成される。すなわち、一様な直径(太さ)を有する棒状部材とすることによって搬送ローラ11をたわみにくくし、また基板2が搬送ローラ11から外れにくくしたものである。
The
このような構成の基板表面処理装置10において、搬送ローラ11を矢符8方向に回転させて、基板2を矢符9方向に搬送しながら片面処理を行うと、搬送ローラ11で搬送される基板2の後尾2bが搬送ローラ11から離脱しようとするとき、処理液3が処理面2aとは反対側の非処理面2cに回込む現象が発生する。
In the substrate
基板2が、たとえば液晶表示装置に使用される低温ポリシリコンからなるガラス基板であり、処理液3がフッ化水素酸系薬液の場合、処理液3の一部が非処理面2cへ回込むと、処理液3に接した部分が浸食されるので、処理むらの発生、また基板2をデバイス部品として用いる場合の特性劣化の原因になる。基板2がたとえば半導体ウエハで、処理液3がエッチング液の場合、処理液3の一部が非処理面2cへ回込むと、処理液3に接した部分が浸食され、特性がでなくなる。また、処理液3が純水の場合、純水が非処理面2cへ回込むと、ウオーターマークになり、洗浄むらの発生、また洗浄むらに起因する基板2の特性劣化を起こす。
When the
したがって、単に搬送ローラ11を直径が軸線方向に一様な棒状部材で構成するだけでは、基板2の非処理面2c側に処理液3の一部が回込み、処理むらおよび特性劣化を引起すという問題がある。
Therefore, if the conveying
本発明の目的は、基板を搬送し片面処理を行うに際し、装置トラブルを生じることなく、かつ基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる基板表面処理装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate surface that can prevent the processing liquid from flowing into a non-processing surface opposite to the processing surface of the substrate without causing an apparatus trouble when carrying the substrate and performing single-side processing. It is to provide a processing device.
本発明は、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝を構成する凹凸が形成されることを特徴とする基板表面処理装置である。
The present invention provides a substrate surface treatment apparatus for treating the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
On the surface of the transport roller,
The substrate surface treatment apparatus is characterized in that irregularities constituting a groove are formed.
また本発明は、溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、最大高さRmaxが、1μm以上であることを特徴とする。 Further, the invention is characterized in that the unevenness on the surface of the conveying roller constituting the groove has a maximum height Rmax of 1 μm or more.
また本発明は、溝の延びる方向が、搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする。 Further, the invention is characterized in that the extending direction of the groove is parallel to the extending direction of the rotation axis of the conveying roller.
また本発明は、処理液が、
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上であることを特徴とする。
In the present invention, the treatment liquid is
1 or 2 or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution and pure water.
また本発明は、搬送ローラは、少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする。
また本発明は、基板が、シリコンウエハまたはガラスであることを特徴とする。
In the invention, it is preferable that at least a portion in contact with the processing liquid is polytetrafluoroethylene or vinyl chloride.
In the present invention, the substrate is a silicon wafer or glass.
本発明によれば、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置に回転自在に設けられて基板を搬送する搬送ローラは、その回転軸線方向の長さが基板幅以上であり、その表面には溝を構成する凹凸が形成される。このように基板幅以上の長さの搬送ローラを設けることによって、基板をたわませることなく円滑に搬送することができ、搬送時の装置トラブルの発生が防止される。また搬送ローラ表面の溝を成す凹凸によって、処理液が搬送ローラ表面上を流過して円滑に排液されるので、基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる。 According to the present invention, the transport roller that is rotatably provided in the substrate surface processing apparatus for processing the surface of the substrate having a flat plate shape and transports the substrate has a length in the rotation axis direction equal to or larger than the substrate width. The surface is provided with irregularities constituting grooves. By providing the transport roller having a length longer than the width of the substrate in this way, the substrate can be transported smoothly without being bent, and troubles in the apparatus during transport can be prevented. In addition, the processing liquid flows over the surface of the transport roller and is smoothly drained by the irregularities forming the grooves on the surface of the transport roller, so that the processing liquid is circulated against the non-processing surface opposite to the processing surface of the substrate. Can be prevented.
また本発明によれば、溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、最大高さRmaxが、1μm以上になるように形成されるので、搬送ローラ表面上の処理液を一層円滑に排液することができる。 Further, according to the present invention, the unevenness on the surface of the conveying roller constituting the groove is formed so that the maximum height Rmax is 1 μm or more, so that the processing liquid on the surface of the conveying roller can be drained more smoothly. Can do.
また本発明によれば、溝が搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行に延びるように形成され、搬送ローラ表面の処理液が搬送ローラの軸線方向の端面から容易に排液されるので、処理液が非処理面に対して確実に回込まないようにすることができる。 According to the present invention, the groove is formed so as to extend in parallel with the direction in which the rotation axis of the transport roller extends, and the processing liquid on the surface of the transport roller is easily drained from the end surface in the axial direction of the transport roller. It is possible to ensure that the liquid does not flow into the non-treated surface.
また本発明によれば、処理液として、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上が用いられる。このような処理液を用いることによって、洗浄、エッチング、表面形状加工など各種の表面処理を行うことのできる基板表面処理装置が実現される。 According to the invention, one or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution and pure water is used as the treatment liquid. By using such a treatment liquid, a substrate surface treatment apparatus capable of performing various surface treatments such as cleaning, etching, and surface shape processing is realized.
また本発明によれば、搬送ローラは、少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルで形成されるので、処理液として各種の化学薬品が用いられる場合においても、優れた耐久性を発現することができる。 In addition, according to the present invention, the conveyance roller is formed of polytetrafluoroethylene or vinyl chloride at least at a portion in contact with the treatment liquid, and therefore has excellent durability even when various chemicals are used as the treatment liquid. Can be expressed.
また本発明によれば、シリコンウエハまたはガラス基板の片面処理に好適な基板表面処理装置が提供される。 Moreover, according to this invention, the substrate surface processing apparatus suitable for the single-sided process of a silicon wafer or a glass substrate is provided.
図1は本発明の実施の一形態である基板表面処理装置20の構成を簡略化して示す図であり、図2は図1に示す基板表面処理装置20に設けられる搬送ローラ24の構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a diagram showing a simplified configuration of a substrate
基板表面処理装置20は、平板状の形状を有する基板21の表面を片面処理することに用いられる装置であり、基板21の表面処理に用いる処理液22を収容する処理液槽23と、基板21を搬送する搬送ローラ24であって、処理液槽23に収容される処理液22中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラ24と、搬送ローラ24を回転駆動させる不図示のローラ駆動手段とを含んで構成される。
The substrate
基板表面処理装置20において表面処理される基板21としては、シリコンウエハまたはガラスを挙げることができる。シリコンウエハまたはガラスの表面処理としては、洗浄、エッチングによる表面変質層の除去、薄肉化、表面形状加工などを挙げることができ、後述する処理液22の種類を選択することによって、上記いずれかの表面処理を行うことができる。
Examples of the
基板21の表面処理に用いる処理液22としては、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上が挙げられる。純水は、たとえば1.0×106Ω・cm以上の比抵抗を有する水であり、基板21の洗浄処理に用いられるとともに、上記他の処理液の溶媒として用いられる。酸であるフッ化水素酸、硝酸、塩酸およびアルカリである水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液は、基板21のエッチング処理に用いられる。
Examples of the
処理液22を収容する処理液槽23は、大略外形が直方体形状を有する箱形の容器である。本実施形態では、処理液槽23は、上記の各処理液22に対する耐性に優れる塩化ビニルで形成される。なお、処理液槽23の素材は、塩化ビニルに限定されることなく、たとえばステンレス鋼に、上記の各処理液22に対する耐性に優れるポリテトラフルオロエチレン(略称PTFE)を被覆処理したものが用いられても良い。処理液槽23の長手方向の両側壁23a,23bには、対向する位置に貫通孔が形成され、該貫通孔には不図示の軸受が設けられる。なお、側壁23a,23bに対する軸受の装着部には、流体シール部材が設けられ、処理液槽23内に収容される処理液22の漏出が防止されるように構成される。
The
処理液槽23の側壁23a,23bに設けられる軸受に搬送ローラ24が回転自在に支持される。搬送ローラ24は、複数本設けられ、その基板搬送方向における配置間隔は、表面処理するべき対象の基板21が、少なくとも3本の搬送ローラ24に同時に当接することができるように定められる。また複数の搬送ローラ24は、その回転頂部を連ねる仮想線35(基板21を搬送するパスラインとなる)が、処理液22の液面、すなわち水平面と平行になるように設けられる。搬送ローラ24は、ローラ駆動手段に連結され、矢符25方向に回転駆動される。基板21は、搬送ローラ24上に載置され、矢符25方向に回転する搬送ローラ24によって矢符26方向に装置内を搬送され、その搬送の過程において、処理液22を臨んで載置される側の面21a(以後、処理面21aと呼ぶ)が表面処理される。
The
搬送ローラ24は、円柱状のシャフト部31と、シャフト部31に積層されるようにして設けられる円筒状のローラ部32とを含んで構成される。搬送ローラ24は、少なくとも処理液22に接する部位が、PTFEまたは塩化ビニルで形成される。ここで、搬送ローラ24の少なくとも処理液22に接する部位とは、処理液22中に浸漬されて処理液22に接する部分、および処理液22の外に出ている部分であっても処理液22に濡れている部分を含める意味に用い、必ずしも搬送ローラ24の素材全体を指すものではなく、処理液22に接する表面部分だけであっても良い。ただし本実施形態では、搬送ローラ24は、シャフト部31とローラ部32とが一体的に塩化ビニルで形成される。
The
なお、搬送ローラ24の構成は、一体的に塩化ビニルで形成される上記に限定されるものではなく、剛性を高めるためにシャフト部31に表面をPTFEで被覆したステンレス鋼を用い、ローラ部32に塩化ビニルを用いる構成であっても良く、また一体的にステンレス鋼で形成したシャフト部31およびローラ部32の全体にPTFEを被覆したものであっても良く、各種の変形例が許される。
Note that the configuration of the
搬送ローラ24の回転軸線方向の長さ、より厳密には基板21の処理面21aに当接し基板21に対して搬送の駆動力を伝達するローラ部32の回転軸線方向の長さW2は、基板21の搬送される方向26に直交する方向である幅方向における長さである基板幅W1以上(W2≧W1)になるように形成される。このように、一様な太さを有して棒状を成し、かつ基板幅W1以上の長さを有するローラ部32が形成される搬送ローラ24を設けることによって、基板21をたわませることなく円滑に搬送することができ、搬送時の装置トラブルの発生が防止される。
The length in the rotational axis direction of the
さらに搬送ローラ24において最も注目すべきは、搬送ローラ24のローラ部32の表面に、搬送ローラ24の回転軸線34方向に対して平行に延びる溝33を構成する凹凸が形成されることである。溝33を構成する搬送ローラ24表面の凹凸は、表面粗さ計を搬送ローラ24の円周方向に走査させて計測される最大高さRmaxが、1μm(1.0S)以上であることが好ましい。溝33の凹凸の最大高さRmaxを1μm以上とすることによって、ローラ部32の表面から余剰の処理液22を、ローラ部32の回転軸線34方向の端部から効果的に排液することができる。ここで最大高さRmaxは、日本工業規格(JIS)B0601に規定されるものである。
Further, the most notable aspect of the
搬送ローラ24のローラ部32に回転軸線34方向に延びる溝33を形成することによって、回転する搬送ローラ24が、処理液22に浸漬されさらに引上げられたとき、ローラ部32の表面に保持される処理液22は、溝33を通って搬送ローラ表面上を流過し、ローラ部32の軸線方向端部から円滑に排液される。したがって、基板21の後尾21bが搬送ローラ24から離脱しようとするときにおいても、搬送ローラ24表面における余剰の処理液22が溝33によって排液されるので、処理面21aとは反対側の非処理面21cに対して処理液22が回込むことを防止できる。このことによって、基板21の片面処理を行う場合においても、基板21の非処理面21cに対して保護膜を形成する工程、また保護膜を除去する工程等を不要にすることができ、処理工程を簡素化することが可能になる。
By forming a
なお、搬送ローラ24の溝33を成す凹凸の最大高さRmaxの上限は、特に限定されるものではないけれども、100μm以下であることが望ましい。凹凸の最大高さRmaxが大き過ぎると、搬送ローラ24表面からの排液作用が効果的に過ぎ、処理面21aにおける処理液22の保持が難しくなるおそれがあるからである。
Note that the upper limit of the maximum height Rmax of the unevenness forming the
所望の最大高さRmaxを有するローラ部32の溝33の形成は、たとえば適当な番手に選択した耐水ペーパーを用いて、ローラ部32の表面を搬送ローラ24の回転軸線34方向に研磨することによって実現される。また耐水ペーパーによる研磨に限定されることなく、シェーパーなどによる切削加工によっても所望の最大高さRmaxを有する溝33を形成することができる。
The
以下、基板表面処理装置20による基板21の表面処理動作について簡単に説明する。
処理液槽23には予め処理液22が収容される。処理液22の液面位置と搬送ローラ24のローラ部32の回転頂部すなわち基板21が搬送されるパスライン35との距離hが、0〜5mm、好ましくは2〜3mmになるように、処理液槽23中の処理液22の収容量が設定される。上記距離hが0mm未満、すなわち搬送ローラ24が処理液22の中に全没を超えて深く沈み込むと、搬送ローラ24に形成される溝33による排液作用を有効に発現することができず、非処理面21cに処理液22が回込む。距離hが5mmを超えると、基板21の処理面21aに、表面張力によって処理液22を保持させることが困難になる。
Hereinafter, the surface treatment operation of the
The
図1の紙面に向って左側に設けられる不図示のローダ側から、図1の矢符26に示す方向に搬送されてきた基板21は、処理面21aが処理液22を臨むようにして基板表面処理装置20へ装入される。基板21が、装入されて搬送ローラ24上に載置されると、たとえば以下のようにして基板21の処理面21aに対して処理液22を接触させる。処理液槽23内へ処理液22を供給する供給手段と、処理液槽23内の処理液22を排出する排出手段とを動作させ、搬送ローラ24上に基板21が載置されると、供給手段によって処理液22の液面位置を基板21の処理面21aに接する高さまで上昇させ、その後排出手段によって処理液22の液面位置を基板21の処理面21aと間隙を有する高さまで下降させる。
The
なお、基板21の処理面21aと処理液22との接触は、基板21が搬送ローラ24に載置される位置の下方であって、処理液槽23内の処理液22中に予め処理液吹上げノズルを設けておき、該ノズルによって処理液22を基板21の処理面21aに向って吹上げ、処理液22の表面張力を利用して処理液22を基板21の処理面21aに接触保持させるようにしても良い。
The contact between the processing surface 21 a of the
処理液22が基板21の処理面21aに接触保持されている状態で、搬送ローラ24を矢符25方向へ回転駆動させて基板21を矢符26方向へ搬送する。この搬送期間中、処理液22は、その表面張力によって基板21の処理面21aに接触したままの状態が維持される。処理される基板21および処理液22ならびに表面処理の種類に応じて予め定められる時間を要して搬送される間に、基板21の処理面21aのみが処理液22によって表面処理される。
With the
搬送ローラ24は、前述のように構成されるので、搬送期間中に基板21の後尾21bが搬送ローラ24を通過しさらに離脱するとき、処理液22が非処理面21c側に回込むことが防止される。所定の時間を要して搬送された基板21は、図1の紙面に向って右側に設けられるたとえば水洗槽へ搬送される。
Since the
基板表面処理装置20によれば、このようにして基板21の片面である処理面21aのみを枚葉処理することができる。
According to the substrate
図3は本発明の実施の第2形態である基板表面処理装置40の構成を簡略化して示す図であり、図4は図3に示す基板表面処理装置40に設けられる搬送ローラ41の構成を示す斜視図である。本実施の形態の基板表面処理装置40は、実施の第1形態の基板表面処理装置20に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
FIG. 3 is a diagram showing a simplified configuration of the substrate
基板表面処理装置40は、搬送ローラ41の構成に特徴を有し、また搬送ローラ41に接続される排出手段42を含むことを特徴とする。
The substrate
基板表面処理装置40に設けられる搬送ローラ41は、シャフト部43およびローラ部44を備えることにおいて実施の第1形態の搬送ローラ24と構成を同じくする。しかしながら、シャフト部43には、一方の端部に開口し、ほぼローラ部44の長さに対応する長さにわたって穿たれる排出穴46が形成される。またローラ部44には、ローラ部44に形成される溝33上で外方に開口し、シャフト部43に形成される排出穴46まで貫通する小排出孔47が形成される。本実施の形態では、小排出孔47は、ローラ部44に形成される溝33の3本目ごとに、1本の溝33についてローラ部44の軸線方向に配列して5個が形成される。なお、この図4に示す小排出孔47の個数と配置は、あくまでも1事例であり、これに限定されるものではない。
The
シャフト43の排出穴46に連通する小排出孔47がローラ部44に形成されることによって、ローラ部44の表面上に保持される処理液22は、溝33を通ってローラ部44の軸線方向端部から排液されるだけでなく、小排出孔47からも排液される。また基板21の処理面21aが処理液22と反応して発生し、処理面21aに接して存在する反応ガスを、後述する排出手段42による吸引によって、小排出孔47および排出穴46を通じて排出することができるので、処理面21aにおける反応ガスの滞留を防止し、処理面21aを均一に処理することが可能になる。
The
排出手段42は、各搬送ローラ41のシャフト部43の排出穴46に接続される配管48と、配管48を集合した集合配管49に設けられる排出ポンプ50とを含んで構成される。このような基板表面処理装置40においては、排出ポンプ50の吸引力によって、小排出孔47および排出穴46を介して、処理液22および反応ガスが強制的に吸引され排出されるので、処理液22が非処理面21cに回込むことを一層確実に防止できるとともに、処理面21aをむらなく均一に表面処理することができる。
The discharge means 42 includes a
なお、基板表面処理装置40には、上記の排出手段42以外にも、集合配管49の排出ポンプ50の下流側に除塵フィルタ等を含み処理液22を処理液槽23へ還流させる循環手段が設けられても良い。
In addition to the discharge means 42 described above, the substrate
20,40 基板表面処理装置
21 基板
22 処理液
23 処理液槽
24,41 搬送ローラ
42 排出手段
31,43 シャフト部
32,44 ローラ部
33 溝
46 排出穴
47 小排出孔
20, 40 Substrate
Claims (6)
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝を構成する凹凸が形成されることを特徴とする基板表面処理装置。 In a substrate surface processing apparatus for processing the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
On the surface of the transport roller,
A substrate surface treatment apparatus, wherein irregularities constituting grooves are formed.
最大高さRmaxが、1μm以上であることを特徴とする請求項1記載の基板表面処理装置。 Concavities and convexities on the surface of the transport roller constituting the groove are
2. The substrate surface processing apparatus according to claim 1, wherein the maximum height Rmax is 1 [mu] m or more.
搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする請求項1または2記載の基板表面処理装置。 The direction in which the groove extends is
3. The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is parallel to a direction in which a rotation axis of the transport roller extends.
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。 Treatment liquid
It is 1 or 2 or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution and pure water. The substrate surface treatment apparatus as described.
少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。 The transport roller
The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein at least a portion in contact with the treatment liquid is polytetrafluoroethylene or vinyl chloride.
シリコンウエハまたはガラスであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。
The board is
The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is a silicon wafer or glass.
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2009517854A (en) * | 2005-11-26 | 2009-04-30 | エーシーピー−アドバンスト クリーン プロダクション ゲーエムベーハー | Apparatus and method for wet chemical processing of planar thin substrates in a continuous process |
JP2009519591A (en) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー | Apparatus and method for treating the surface of a substrate |
JP2010524206A (en) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | ラム リサーチ コーポレーション | Cleaning bonded silicon electrodes |
-
2005
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009517854A (en) * | 2005-11-26 | 2009-04-30 | エーシーピー−アドバンスト クリーン プロダクション ゲーエムベーハー | Apparatus and method for wet chemical processing of planar thin substrates in a continuous process |
JP2009519591A (en) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー | Apparatus and method for treating the surface of a substrate |
JP2010524206A (en) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | ラム リサーチ コーポレーション | Cleaning bonded silicon electrodes |
US8221552B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Cleaning of bonded silicon electrodes |
TWI411033B (en) * | 2007-03-30 | 2013-10-01 | Lam Res Corp | Cleaning of bonded silicon electrodes |
KR101467599B1 (en) * | 2007-03-30 | 2014-12-02 | 램 리써치 코포레이션 | Cleaning of bonded silicon electrodes |
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