JP2006196784A - Substrate surface processor - Google Patents

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Takao Imanaka
崇雄 今中
Tsuneo Nakamura
恒夫 中村
Takamitsu Tadera
孝光 田寺
Masayasu Futagawa
正康 二川
Zenjiro Yamashita
善二郎 山下
Masato Asai
正人 浅井
Takeya Kimura
健也 木村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate surface processor capable of preventing the detour of processing liquid to a non-processing surface at the opposite side of the processing surface of a substrate upon conveying the substrate to effect one side processing. <P>SOLUTION: The substrate surface processor 20 for processing the surface of the substrate 21 is constituted of a processing liquid tank 23 for receiving the processing liquid 22, a plurality of conveyance rollers 24 whose one part or the whole of them are dipped into the processing liquid 22 received in the processing liquid tank 23, and which are provided so as to be free of rotation to convey the substrate 21; and a roller driving means for driving the rotation of the conveyance rollers 24. In this case, the length W2 in the rotating axial direction of the conveyance rollers 24 is longer than the width W1 of the substrate 21, and recesses and projections constituting grooves extended into the rotary axial line direction are formed on the surface of the conveyance rollers 24. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、たとえばシリコンウエハなどの基板の表面を化学的に処理することに用いる基板表面処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate surface treatment apparatus used for chemically treating the surface of a substrate such as a silicon wafer.

たとえば電子デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスを構成する部材である基板に対する化学的な表面処理が多用されている。基板に対する化学的な表面処理としては、反応性ガスによるドライ(乾式)プロセスと、化学的薬液によるウェット(湿式)プロセスとに分けられる。また処理基板枚数および基板の処理面の観点からは、複数の平板状基板を処理液に同時に浸漬させて全面処理するバッチ処理、また平板状基板の片面のみを処理液に接液させて処理する枚葉処理に分けられる。   For example, in the manufacturing process of an electronic device, chemical surface treatment for a substrate which is a member constituting the device is frequently used. The chemical surface treatment for the substrate can be divided into a dry process using a reactive gas and a wet process using a chemical chemical. From the viewpoint of the number of processing substrates and the processing surface of the substrate, batch processing in which a plurality of flat substrates are simultaneously immersed in the processing liquid to process the entire surface, or only one surface of the flat substrate is in contact with the processing liquid for processing. Divided into single wafer processing.

平板状の形状を有する基板の片面のみを処理するプロセスは、ガラス基板、シリコンウエハなどを対象として、たとえば洗浄、表面変質層の除去、薄肉化、表面形状の加工などに多用されている。   Processes for processing only one side of a substrate having a flat plate shape are frequently used for glass substrates, silicon wafers, etc., for example, for cleaning, removal of a surface-affected layer, thinning, surface shape processing, and the like.

通常、片面のみに化学的処理を施す場合、処理を必要としない面または保護したい面に処理液に対して耐性のあるマスキングテープを貼付けたり、ワックス、レジスト等の樹脂保護膜を形成して処理液に浸漬する方法が採られている。しかしながら、このような方法では、マスキングテープまたは樹脂保護膜の形成工程、表面処理後の剥離工程、さらに剥離後の状態によっては洗浄工程等を必要とするので、製造工程数が増大し、またマスク材、剥離処理液等の材料費が余分に必要となるので、製造コストの増大を招くという問題がある。   Normally, when chemical treatment is applied to only one side, a masking tape that is resistant to the treatment liquid is applied to the side that does not require treatment or the surface to be protected, or a resin protective film such as wax or resist is formed. A method of immersing in a liquid is employed. However, such a method requires a masking tape or a resin protective film forming step, a peeling step after the surface treatment, and a cleaning step depending on the state after peeling. There is a problem that the manufacturing cost increases because extra material costs such as the material and the stripping treatment liquid are required.

一方、反応性ガスによるドライプロセスは、基板ステージに密着して基板が設置されており、基板ステージに密着している裏面側には処理ガスがほとんど届かないので、保護マスクを形成することなく片面のみの処理を実施し易い。しかしながら、ウェットプロセスに比べて、ドライプロセスの装置は、真空排気系、ガス供給系等の設備が大掛かりになるので設備コストが高く、また材料ガスコストも高いという問題がある。また、ドライプロセスにおいても、反応性ガスが裏面に届き難いというだけであり、裏面へのわずかな回込みも許されない場合には特別な裏面回込み防止機構を追加して設けるか、または保護マスクの形成が必要となる等の問題がある。   On the other hand, in the dry process using a reactive gas, the substrate is placed in close contact with the substrate stage, and the processing gas hardly reaches the back side that is in close contact with the substrate stage. It is easy to carry out only the processing. However, as compared with the wet process, the dry process apparatus has a problem that the equipment cost is high and the material gas cost is high because the equipment such as the vacuum exhaust system and the gas supply system is large. Also, in the dry process, it is difficult for the reactive gas to reach the back surface, and if it is not allowed to slightly wrap around the back surface, add a special back surface wrap prevention mechanism or provide a protective mask. There is a problem that it is necessary to form.

このような問題を解決する従来技術として、耐化学薬品性の吸湿性物質に化学薬品を含浸させ、この吸湿性物質に基板の片面のみを接触させて表面処理する方法が提案されている(特許文献1参照)。しかしながら、特許文献1に開示される方法では、吸湿性物質に含浸させた液の迅速な入替えが困難である。したがって、連続処理時には、処理液の濃度低下等が生じた場合、処理液を迅速に入替えできないので、濃度が低下したまま連続処理を行うことになり、処理速度が遅くなるという問題がある。また、基板を吸湿性物質上に搬送するために、吸着ハンド等を装備した大掛かりな搬送ロボットが必要となり、設備コストが高くなるという問題がある。   As a conventional technique for solving such problems, a method has been proposed in which a chemical-resistant hygroscopic substance is impregnated with a chemical, and only one side of the substrate is brought into contact with the hygroscopic substance to perform surface treatment (patent). Reference 1). However, in the method disclosed in Patent Document 1, it is difficult to quickly replace the liquid impregnated in the hygroscopic substance. Accordingly, when the concentration of the processing liquid is reduced during continuous processing, the processing liquid cannot be replaced quickly. Therefore, there is a problem that the continuous processing is performed while the concentration is reduced, and the processing speed is slowed down. In addition, in order to transport the substrate onto the hygroscopic substance, a large-scale transport robot equipped with a suction hand or the like is required, and there is a problem that the equipment cost increases.

このような問題を解決するために以下のような基板表面処理装置による片面処理が試みられている。図5は、従来の基板表面処理装置1の構成を簡略化して示す図である。図5(a)では従来の基板表面処理装置1の側面から見た断面図を示し、図5(b)では従来の基板表面処理装置1の上面図を示す。従来の基板表面処理装置1は、基板2の表面を化学的に処理する処理液3を収容する処理液槽4と、回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラ5と、搬送ローラ5を駆動させる不図示の駆動手段とを含んで構成される。   In order to solve such a problem, one-side processing by the following substrate surface processing apparatus has been attempted. FIG. 5 is a diagram showing a simplified configuration of a conventional substrate surface processing apparatus 1. FIG. 5A shows a cross-sectional view of the conventional substrate surface treatment apparatus 1 as viewed from the side, and FIG. 5B shows a top view of the conventional substrate surface treatment apparatus 1. A conventional substrate surface treatment apparatus 1 includes a treatment liquid tank 4 that contains a treatment liquid 3 for chemically treating the surface of a substrate 2, a plurality of conveyance rollers 5 that are rotatably provided and convey a substrate, and a conveyance roller. And drive means (not shown) for driving 5.

搬送ローラ5は、細長い丸棒形状のシャフト6と、シャフト6の径よりも大きい外径を有するリング状のローラ部材7とを含んで構成され、複数個(図5の事例では1本の搬送ローラ5に対して3つ)のローラ部材7が、所定の間隔を空けてシャフト6に装着される。搬送ローラ5は、シャフト6が、処理液槽4に処理液3が漏れないようにシールされて設けられる不図示の軸受によって回転自在に支持され、処理液層4の外部に設けられる駆動手段に連結され、駆動手段によって矢符8方向に回転駆動される。基板2は、搬送ローラ5上に載置され、矢符8方向に回転する搬送ローラ5によって、矢符9方向に搬送される。   The conveyance roller 5 includes an elongated round bar-shaped shaft 6 and a ring-shaped roller member 7 having an outer diameter larger than the diameter of the shaft 6, and a plurality of conveyance rollers (one conveyance in the case of FIG. 5). Three roller members 7 with respect to the roller 5 are mounted on the shaft 6 at a predetermined interval. The transport roller 5 is rotatably supported by a bearing (not shown) provided with a shaft 6 that is sealed so that the processing liquid 3 does not leak into the processing liquid tank 4, and is driven by driving means provided outside the processing liquid layer 4. Connected and driven to rotate in the direction of arrow 8 by the driving means. The substrate 2 is placed on the transport roller 5 and transported in the direction of the arrow 9 by the transport roller 5 rotating in the direction of the arrow 8.

図5に示す事例では、搬送ローラ5厳密には搬送ローラ5のローラ部材7が、直径方向に2分の1程度処理液3に浸漬するように、処理液槽4中の処理液3の液面位置が設定される。すなわち、搬送ローラ5上に載置される基板2の処理液3を臨む側の面2a(以後、処理面2aと呼ぶ)と処理液3の液面位置との間には間隙が形成されるように設定される。このような設定で、搬送ローラ5上に載置される基板2の処理面2aに対する処理液3の接液は、たとえば搬送ローラ5上に基板2が載置されると同時に、処理液3の液面位置を基板2の処理面2aに接する位置まで上昇させ、その後上記間隙が形成されるように処理液3の液面位置を下降させることによって行われる。処理液3の液面上昇によって基板2の処理面2aに一旦接触した処理液3は、液面位置の下降後もその表面張力によって、矢符9方向に搬送される間を通じて基板2の処理面2aに吸着保持されるので、処理液3によって処理面2aが片面処理される。   In the example shown in FIG. 5, the liquid of the processing liquid 3 in the processing liquid tank 4 so that the roller member 7 of the transporting roller 5 strictly immerses in the processing liquid 3 about ½ in the diameter direction. The surface position is set. That is, a gap is formed between the surface 2 a of the substrate 2 placed on the transport roller 5 and facing the processing liquid 3 (hereinafter referred to as the processing surface 2 a) and the liquid surface position of the processing liquid 3. Is set as follows. With such a setting, the liquid contact of the processing liquid 3 with respect to the processing surface 2a of the substrate 2 placed on the transport roller 5 is, for example, simultaneously with the processing liquid 3 being placed on the transport roller 5. The liquid level position is raised to a position in contact with the processing surface 2a of the substrate 2, and then the liquid level position of the processing liquid 3 is lowered so that the gap is formed. The treatment liquid 3 that has once contacted the treatment surface 2a of the substrate 2 due to the rise of the treatment liquid 3 is transferred to the direction of the arrow 9 by the surface tension even after the liquid surface position is lowered. Since it is adsorbed and held by 2 a, the processing surface 2 a is single-sided by the processing liquid 3.

しかしながら、従来の基板表面処理装置1では、搬送ローラ5のシャフト6が細径に構成されるので、たとえば搬送ローラ5自体の重さによって、シャフト6にたわみが発生する。シャフト6のたわみを防止しようとすると、シャフト6の径を大きくしなければならないので、ローラ部材7の径も大きくしなければならず、装置全体が大きくなり、装置コストが高くなる。   However, in the conventional substrate surface treatment apparatus 1, since the shaft 6 of the transport roller 5 is configured to have a small diameter, the shaft 6 is bent due to, for example, the weight of the transport roller 5 itself. In order to prevent the deflection of the shaft 6, the diameter of the shaft 6 must be increased. Therefore, the diameter of the roller member 7 must also be increased, and the entire apparatus becomes larger and the apparatus cost increases.

また、近年基板2が大型化しているけれども、大きい基板2の場合、1本のシャフト6に装着されるローラ部材7同士の装着間隔が長いと、基板2にたわみが生じるので、シャフト6に装着するローラ部材7の数を増やしてローラ部材7同士の間隔を短くするか、ローラ部材7の幅を広くしなければならない。さらに、基板2の一部に欠けが発生した場合、ローラ部材7の幅が狭いと基板2がローラ部材7に載らず、搬送ローラ5から外れて装置トラブルを引き起こす原因となる。   In recent years, the substrate 2 has become larger, but in the case of a large substrate 2, if the mounting interval between the roller members 7 mounted on one shaft 6 is long, the substrate 2 is bent, so that the substrate 2 is mounted. The number of roller members 7 to be increased must be increased to shorten the interval between the roller members 7, or the width of the roller members 7 must be increased. Further, when a part of the substrate 2 is chipped, if the width of the roller member 7 is narrow, the substrate 2 does not rest on the roller member 7, and is detached from the transport roller 5, causing a device trouble.

このような問題を解決するために、さらなる検討を加えた基板表面処理装置10による片面処理が試みられている。図6は、もう一つの従来の基板表面処理装置10の要部構成を簡略化して示す斜視図である。基板表面処理装置10は、搬送ローラ11の構成に特徴を有し、搬送ローラ11以外は上記基板表面処理装置1と同一に構成されるので、全体構成図を省略して搬送ローラ11の部分と基板2のみを表す。   In order to solve such a problem, single-sided processing by the substrate surface processing apparatus 10 that has been further studied has been attempted. FIG. 6 is a perspective view showing a simplified configuration of a main part of another conventional substrate surface processing apparatus 10. The substrate surface processing apparatus 10 has a feature in the configuration of the transport roller 11 and is configured in the same manner as the substrate surface processing apparatus 1 except for the transport roller 11. Only the substrate 2 is represented.

基板表面処理装置10に設けられる搬送ローラ11は、基板2の搬送される方向(矢符9方向)に直交する方向である幅方向における長さである基板幅W1以上のローラ長さW2を有し、軸線方向に一様な直径を有する円柱状または円筒状の棒状部材として形成される。すなわち、一様な直径(太さ)を有する棒状部材とすることによって搬送ローラ11をたわみにくくし、また基板2が搬送ローラ11から外れにくくしたものである。   The conveyance roller 11 provided in the substrate surface treatment apparatus 10 has a roller length W2 that is equal to or greater than the substrate width W1, which is the length in the width direction that is a direction orthogonal to the direction (arrow 9 direction) in which the substrate 2 is conveyed. Then, it is formed as a columnar or cylindrical bar member having a uniform diameter in the axial direction. That is, by using a rod-shaped member having a uniform diameter (thickness), the conveyance roller 11 is hardly deflected, and the substrate 2 is not easily detached from the conveyance roller 11.

このような構成の基板表面処理装置10において、搬送ローラ11を矢符8方向に回転させて、基板2を矢符9方向に搬送しながら片面処理を行うと、搬送ローラ11で搬送される基板2の後尾2bが搬送ローラ11から離脱しようとするとき、処理液3が処理面2aとは反対側の非処理面2cに回込む現象が発生する。   In the substrate surface processing apparatus 10 having such a configuration, when the one-side processing is performed while the transport roller 11 is rotated in the direction of arrow 8 and the substrate 2 is transported in the direction of arrow 9, the substrate transported by the transport roller 11. When the rear end 2b of 2 is going to be separated from the transport roller 11, a phenomenon occurs in which the processing liquid 3 turns into the non-processing surface 2c opposite to the processing surface 2a.

基板2が、たとえば液晶表示装置に使用される低温ポリシリコンからなるガラス基板であり、処理液3がフッ化水素酸系薬液の場合、処理液3の一部が非処理面2cへ回込むと、処理液3に接した部分が浸食されるので、処理むらの発生、また基板2をデバイス部品として用いる場合の特性劣化の原因になる。基板2がたとえば半導体ウエハで、処理液3がエッチング液の場合、処理液3の一部が非処理面2cへ回込むと、処理液3に接した部分が浸食され、特性がでなくなる。また、処理液3が純水の場合、純水が非処理面2cへ回込むと、ウオーターマークになり、洗浄むらの発生、また洗浄むらに起因する基板2の特性劣化を起こす。   When the substrate 2 is a glass substrate made of low-temperature polysilicon used for a liquid crystal display device, for example, and the treatment liquid 3 is a hydrofluoric acid chemical solution, when a part of the treatment liquid 3 wraps around the non-treatment surface 2c. Since the portion in contact with the processing liquid 3 is eroded, processing unevenness occurs, and it causes deterioration of characteristics when the substrate 2 is used as a device component. When the substrate 2 is, for example, a semiconductor wafer and the processing liquid 3 is an etching liquid, when a part of the processing liquid 3 is introduced into the non-processing surface 2c, the portion in contact with the processing liquid 3 is eroded and the characteristics are lost. Further, when the treatment liquid 3 is pure water, when the pure water flows into the non-treatment surface 2c, it becomes a water mark, causing unevenness of cleaning, and deterioration of the characteristics of the substrate 2 due to the unevenness of cleaning.

したがって、単に搬送ローラ11を直径が軸線方向に一様な棒状部材で構成するだけでは、基板2の非処理面2c側に処理液3の一部が回込み、処理むらおよび特性劣化を引起すという問題がある。   Therefore, if the conveying roller 11 is simply composed of a rod-like member having a uniform diameter in the axial direction, a part of the processing liquid 3 wraps around the non-processing surface 2c side of the substrate 2 to cause processing unevenness and characteristic deterioration. There is a problem.

特開昭58−48425号公報JP 58-48425 A

本発明の目的は、基板を搬送し片面処理を行うに際し、装置トラブルを生じることなく、かつ基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる基板表面処理装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a substrate surface that can prevent the processing liquid from flowing into a non-processing surface opposite to the processing surface of the substrate without causing an apparatus trouble when carrying the substrate and performing single-side processing. It is to provide a processing device.

本発明は、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝を構成する凹凸が形成されることを特徴とする基板表面処理装置である。
The present invention provides a substrate surface treatment apparatus for treating the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
On the surface of the transport roller,
The substrate surface treatment apparatus is characterized in that irregularities constituting a groove are formed.

また本発明は、溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、最大高さRmaxが、1μm以上であることを特徴とする。   Further, the invention is characterized in that the unevenness on the surface of the conveying roller constituting the groove has a maximum height Rmax of 1 μm or more.

また本発明は、溝の延びる方向が、搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする。   Further, the invention is characterized in that the extending direction of the groove is parallel to the extending direction of the rotation axis of the conveying roller.

また本発明は、処理液が、
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上であることを特徴とする。
In the present invention, the treatment liquid is
1 or 2 or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution and pure water.

また本発明は、搬送ローラは、少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする。
また本発明は、基板が、シリコンウエハまたはガラスであることを特徴とする。
In the invention, it is preferable that at least a portion in contact with the processing liquid is polytetrafluoroethylene or vinyl chloride.
In the present invention, the substrate is a silicon wafer or glass.

本発明によれば、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置に回転自在に設けられて基板を搬送する搬送ローラは、その回転軸線方向の長さが基板幅以上であり、その表面には溝を構成する凹凸が形成される。このように基板幅以上の長さの搬送ローラを設けることによって、基板をたわませることなく円滑に搬送することができ、搬送時の装置トラブルの発生が防止される。また搬送ローラ表面の溝を成す凹凸によって、処理液が搬送ローラ表面上を流過して円滑に排液されるので、基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる。   According to the present invention, the transport roller that is rotatably provided in the substrate surface processing apparatus for processing the surface of the substrate having a flat plate shape and transports the substrate has a length in the rotation axis direction equal to or larger than the substrate width. The surface is provided with irregularities constituting grooves. By providing the transport roller having a length longer than the width of the substrate in this way, the substrate can be transported smoothly without being bent, and troubles in the apparatus during transport can be prevented. In addition, the processing liquid flows over the surface of the transport roller and is smoothly drained by the irregularities forming the grooves on the surface of the transport roller, so that the processing liquid is circulated against the non-processing surface opposite to the processing surface of the substrate. Can be prevented.

また本発明によれば、溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、最大高さRmaxが、1μm以上になるように形成されるので、搬送ローラ表面上の処理液を一層円滑に排液することができる。   Further, according to the present invention, the unevenness on the surface of the conveying roller constituting the groove is formed so that the maximum height Rmax is 1 μm or more, so that the processing liquid on the surface of the conveying roller can be drained more smoothly. Can do.

また本発明によれば、溝が搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行に延びるように形成され、搬送ローラ表面の処理液が搬送ローラの軸線方向の端面から容易に排液されるので、処理液が非処理面に対して確実に回込まないようにすることができる。   According to the present invention, the groove is formed so as to extend in parallel with the direction in which the rotation axis of the transport roller extends, and the processing liquid on the surface of the transport roller is easily drained from the end surface in the axial direction of the transport roller. It is possible to ensure that the liquid does not flow into the non-treated surface.

また本発明によれば、処理液として、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上が用いられる。このような処理液を用いることによって、洗浄、エッチング、表面形状加工など各種の表面処理を行うことのできる基板表面処理装置が実現される。   According to the invention, one or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution and pure water is used as the treatment liquid. By using such a treatment liquid, a substrate surface treatment apparatus capable of performing various surface treatments such as cleaning, etching, and surface shape processing is realized.

また本発明によれば、搬送ローラは、少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルで形成されるので、処理液として各種の化学薬品が用いられる場合においても、優れた耐久性を発現することができる。   In addition, according to the present invention, the conveyance roller is formed of polytetrafluoroethylene or vinyl chloride at least at a portion in contact with the treatment liquid, and therefore has excellent durability even when various chemicals are used as the treatment liquid. Can be expressed.

また本発明によれば、シリコンウエハまたはガラス基板の片面処理に好適な基板表面処理装置が提供される。   Moreover, according to this invention, the substrate surface processing apparatus suitable for the single-sided process of a silicon wafer or a glass substrate is provided.

図1は本発明の実施の一形態である基板表面処理装置20の構成を簡略化して示す図であり、図2は図1に示す基板表面処理装置20に設けられる搬送ローラ24の構成を示す斜視図である。   FIG. 1 is a diagram showing a simplified configuration of a substrate surface processing apparatus 20 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a configuration of a transport roller 24 provided in the substrate surface processing apparatus 20 shown in FIG. It is a perspective view.

基板表面処理装置20は、平板状の形状を有する基板21の表面を片面処理することに用いられる装置であり、基板21の表面処理に用いる処理液22を収容する処理液槽23と、基板21を搬送する搬送ローラ24であって、処理液槽23に収容される処理液22中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラ24と、搬送ローラ24を回転駆動させる不図示のローラ駆動手段とを含んで構成される。   The substrate surface treatment apparatus 20 is an apparatus used for single-sided treatment of the surface of a substrate 21 having a flat plate shape, and includes a treatment liquid tank 23 that contains a treatment liquid 22 used for surface treatment of the substrate 21, and a substrate 21. A plurality of transport rollers 24 that are partly or wholly immersed in the processing liquid 22 accommodated in the processing liquid tank 23 and that are rotatably provided. And the roller driving means shown.

基板表面処理装置20において表面処理される基板21としては、シリコンウエハまたはガラスを挙げることができる。シリコンウエハまたはガラスの表面処理としては、洗浄、エッチングによる表面変質層の除去、薄肉化、表面形状加工などを挙げることができ、後述する処理液22の種類を選択することによって、上記いずれかの表面処理を行うことができる。   Examples of the substrate 21 to be surface-treated in the substrate surface treatment apparatus 20 include a silicon wafer or glass. Examples of the surface treatment of the silicon wafer or glass can include cleaning, removal of a surface altered layer by etching, thinning, surface shape processing, and the like. Surface treatment can be performed.

基板21の表面処理に用いる処理液22としては、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上が挙げられる。純水は、たとえば1.0×10Ω・cm以上の比抵抗を有する水であり、基板21の洗浄処理に用いられるとともに、上記他の処理液の溶媒として用いられる。酸であるフッ化水素酸、硝酸、塩酸およびアルカリである水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液は、基板21のエッチング処理に用いられる。 Examples of the treatment liquid 22 used for the surface treatment of the substrate 21 include one or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution, and pure water. Pure water is water having a specific resistance of, for example, 1.0 × 10 6 Ω · cm or more, and is used for the cleaning treatment of the substrate 21 and as a solvent for the other treatment liquids. The acid hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, and the alkali sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are used for etching the substrate 21.

処理液22を収容する処理液槽23は、大略外形が直方体形状を有する箱形の容器である。本実施形態では、処理液槽23は、上記の各処理液22に対する耐性に優れる塩化ビニルで形成される。なお、処理液槽23の素材は、塩化ビニルに限定されることなく、たとえばステンレス鋼に、上記の各処理液22に対する耐性に優れるポリテトラフルオロエチレン(略称PTFE)を被覆処理したものが用いられても良い。処理液槽23の長手方向の両側壁23a,23bには、対向する位置に貫通孔が形成され、該貫通孔には不図示の軸受が設けられる。なお、側壁23a,23bに対する軸受の装着部には、流体シール部材が設けられ、処理液槽23内に収容される処理液22の漏出が防止されるように構成される。   The processing liquid tank 23 for storing the processing liquid 22 is a box-shaped container having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the present embodiment, the processing liquid tank 23 is formed of vinyl chloride that has excellent resistance to the processing liquids 22 described above. In addition, the raw material of the processing liquid tank 23 is not limited to vinyl chloride, for example, stainless steel coated with polytetrafluoroethylene (abbreviated as PTFE) having excellent resistance to the processing liquids 22 is used. May be. Through holes are formed in opposite positions on both side walls 23a and 23b in the longitudinal direction of the treatment liquid tank 23, and bearings (not shown) are provided in the through holes. In addition, a fluid seal member is provided in the mounting portion of the bearing with respect to the side walls 23a and 23b, and configured to prevent leakage of the processing liquid 22 accommodated in the processing liquid tank 23.

処理液槽23の側壁23a,23bに設けられる軸受に搬送ローラ24が回転自在に支持される。搬送ローラ24は、複数本設けられ、その基板搬送方向における配置間隔は、表面処理するべき対象の基板21が、少なくとも3本の搬送ローラ24に同時に当接することができるように定められる。また複数の搬送ローラ24は、その回転頂部を連ねる仮想線35(基板21を搬送するパスラインとなる)が、処理液22の液面、すなわち水平面と平行になるように設けられる。搬送ローラ24は、ローラ駆動手段に連結され、矢符25方向に回転駆動される。基板21は、搬送ローラ24上に載置され、矢符25方向に回転する搬送ローラ24によって矢符26方向に装置内を搬送され、その搬送の過程において、処理液22を臨んで載置される側の面21a(以後、処理面21aと呼ぶ)が表面処理される。   The transport roller 24 is rotatably supported by bearings provided on the side walls 23 a and 23 b of the processing liquid tank 23. A plurality of transport rollers 24 are provided, and the arrangement interval in the substrate transport direction is determined so that the target substrate 21 to be surface-treated can simultaneously contact at least three transport rollers 24. Further, the plurality of transport rollers 24 are provided such that a virtual line 35 (which becomes a pass line for transporting the substrate 21) connecting the rotation tops thereof is parallel to the liquid surface of the processing liquid 22, that is, the horizontal surface. The transport roller 24 is connected to roller driving means and is driven to rotate in the direction of the arrow 25. The substrate 21 is placed on the transport roller 24 and is transported in the apparatus in the direction of the arrow 26 by the transport roller 24 rotating in the direction of the arrow 25, and is placed facing the processing liquid 22 in the course of the transport. The surface 21a (hereinafter referred to as the processing surface 21a) is subjected to surface treatment.

搬送ローラ24は、円柱状のシャフト部31と、シャフト部31に積層されるようにして設けられる円筒状のローラ部32とを含んで構成される。搬送ローラ24は、少なくとも処理液22に接する部位が、PTFEまたは塩化ビニルで形成される。ここで、搬送ローラ24の少なくとも処理液22に接する部位とは、処理液22中に浸漬されて処理液22に接する部分、および処理液22の外に出ている部分であっても処理液22に濡れている部分を含める意味に用い、必ずしも搬送ローラ24の素材全体を指すものではなく、処理液22に接する表面部分だけであっても良い。ただし本実施形態では、搬送ローラ24は、シャフト部31とローラ部32とが一体的に塩化ビニルで形成される。   The conveyance roller 24 includes a columnar shaft portion 31 and a cylindrical roller portion 32 provided so as to be stacked on the shaft portion 31. The conveyance roller 24 is formed of PTFE or vinyl chloride at least at a portion in contact with the treatment liquid 22. Here, the portion of the transport roller 24 that is in contact with at least the treatment liquid 22 is a portion that is immersed in the treatment liquid 22 and is in contact with the treatment liquid 22, and a portion that is outside the treatment liquid 22. Is used to include a wetted portion, and does not necessarily indicate the entire material of the conveying roller 24, but may be only the surface portion in contact with the processing liquid 22. However, in the present embodiment, the conveying roller 24 is formed by integrally forming the shaft portion 31 and the roller portion 32 from vinyl chloride.

なお、搬送ローラ24の構成は、一体的に塩化ビニルで形成される上記に限定されるものではなく、剛性を高めるためにシャフト部31に表面をPTFEで被覆したステンレス鋼を用い、ローラ部32に塩化ビニルを用いる構成であっても良く、また一体的にステンレス鋼で形成したシャフト部31およびローラ部32の全体にPTFEを被覆したものであっても良く、各種の変形例が許される。   Note that the configuration of the transport roller 24 is not limited to the above, which is integrally formed of vinyl chloride. The roller portion 32 is made of stainless steel whose surface is covered with PTFE in order to increase rigidity. Further, a configuration using vinyl chloride may be used, or the shaft portion 31 and the roller portion 32 integrally formed of stainless steel may be covered with PTFE, and various modifications are allowed.

搬送ローラ24の回転軸線方向の長さ、より厳密には基板21の処理面21aに当接し基板21に対して搬送の駆動力を伝達するローラ部32の回転軸線方向の長さW2は、基板21の搬送される方向26に直交する方向である幅方向における長さである基板幅W1以上(W2≧W1)になるように形成される。このように、一様な太さを有して棒状を成し、かつ基板幅W1以上の長さを有するローラ部32が形成される搬送ローラ24を設けることによって、基板21をたわませることなく円滑に搬送することができ、搬送時の装置トラブルの発生が防止される。   The length in the rotational axis direction of the transport roller 24, more precisely, the length W2 in the rotational axis direction of the roller portion 32 that contacts the processing surface 21a of the substrate 21 and transmits the transport driving force to the substrate 21 is as follows. 21 is formed so as to have a substrate width W1 or more (W2 ≧ W1) which is a length in the width direction which is a direction orthogonal to the direction 26 in which the sheet 21 is conveyed. As described above, the substrate 21 is bent by providing the transport roller 24 having the uniform thickness and forming the rod portion 32 having the length equal to or larger than the substrate width W1. Therefore, it is possible to convey smoothly and prevent troubles of the apparatus during transportation.

さらに搬送ローラ24において最も注目すべきは、搬送ローラ24のローラ部32の表面に、搬送ローラ24の回転軸線34方向に対して平行に延びる溝33を構成する凹凸が形成されることである。溝33を構成する搬送ローラ24表面の凹凸は、表面粗さ計を搬送ローラ24の円周方向に走査させて計測される最大高さRmaxが、1μm(1.0S)以上であることが好ましい。溝33の凹凸の最大高さRmaxを1μm以上とすることによって、ローラ部32の表面から余剰の処理液22を、ローラ部32の回転軸線34方向の端部から効果的に排液することができる。ここで最大高さRmaxは、日本工業規格(JIS)B0601に規定されるものである。   Further, the most notable aspect of the transport roller 24 is that the surface of the roller portion 32 of the transport roller 24 is formed with unevenness that forms a groove 33 extending parallel to the direction of the rotation axis 34 of the transport roller 24. The unevenness on the surface of the conveying roller 24 constituting the groove 33 is preferably such that the maximum height Rmax measured by scanning the surface roughness meter in the circumferential direction of the conveying roller 24 is 1 μm (1.0 S) or more. . By setting the maximum height Rmax of the unevenness of the groove 33 to 1 μm or more, it is possible to effectively drain the excess processing liquid 22 from the surface of the roller portion 32 from the end portion in the direction of the rotation axis 34 of the roller portion 32. it can. Here, the maximum height Rmax is defined in Japanese Industrial Standard (JIS) B0601.

搬送ローラ24のローラ部32に回転軸線34方向に延びる溝33を形成することによって、回転する搬送ローラ24が、処理液22に浸漬されさらに引上げられたとき、ローラ部32の表面に保持される処理液22は、溝33を通って搬送ローラ表面上を流過し、ローラ部32の軸線方向端部から円滑に排液される。したがって、基板21の後尾21bが搬送ローラ24から離脱しようとするときにおいても、搬送ローラ24表面における余剰の処理液22が溝33によって排液されるので、処理面21aとは反対側の非処理面21cに対して処理液22が回込むことを防止できる。このことによって、基板21の片面処理を行う場合においても、基板21の非処理面21cに対して保護膜を形成する工程、また保護膜を除去する工程等を不要にすることができ、処理工程を簡素化することが可能になる。   By forming a groove 33 extending in the direction of the rotation axis 34 in the roller portion 32 of the conveyance roller 24, the rotating conveyance roller 24 is held on the surface of the roller portion 32 when it is immersed in the treatment liquid 22 and further pulled up. The processing liquid 22 flows over the surface of the conveying roller through the groove 33 and is smoothly drained from the end portion in the axial direction of the roller portion 32. Therefore, even when the tail 21b of the substrate 21 is about to be separated from the transport roller 24, excess processing liquid 22 on the surface of the transport roller 24 is drained by the groove 33, so that the non-process on the side opposite to the processing surface 21a is not performed. It is possible to prevent the processing liquid 22 from entering the surface 21c. This eliminates the need for a process of forming a protective film on the non-processed surface 21c of the substrate 21, a process of removing the protective film, and the like even when performing single-sided processing of the substrate 21. Can be simplified.

なお、搬送ローラ24の溝33を成す凹凸の最大高さRmaxの上限は、特に限定されるものではないけれども、100μm以下であることが望ましい。凹凸の最大高さRmaxが大き過ぎると、搬送ローラ24表面からの排液作用が効果的に過ぎ、処理面21aにおける処理液22の保持が難しくなるおそれがあるからである。   Note that the upper limit of the maximum height Rmax of the unevenness forming the groove 33 of the transport roller 24 is not particularly limited, but is desirably 100 μm or less. This is because if the maximum height Rmax of the unevenness is too large, the draining action from the surface of the transport roller 24 is too effective, and it may be difficult to hold the processing liquid 22 on the processing surface 21a.

所望の最大高さRmaxを有するローラ部32の溝33の形成は、たとえば適当な番手に選択した耐水ペーパーを用いて、ローラ部32の表面を搬送ローラ24の回転軸線34方向に研磨することによって実現される。また耐水ペーパーによる研磨に限定されることなく、シェーパーなどによる切削加工によっても所望の最大高さRmaxを有する溝33を形成することができる。   The groove 33 of the roller portion 32 having the desired maximum height Rmax is formed by polishing the surface of the roller portion 32 in the direction of the rotation axis 34 of the conveying roller 24 using, for example, water resistant paper selected as an appropriate count. Realized. The groove 33 having the desired maximum height Rmax can also be formed by cutting with a shaper or the like without being limited to polishing with water-resistant paper.

以下、基板表面処理装置20による基板21の表面処理動作について簡単に説明する。
処理液槽23には予め処理液22が収容される。処理液22の液面位置と搬送ローラ24のローラ部32の回転頂部すなわち基板21が搬送されるパスライン35との距離hが、0〜5mm、好ましくは2〜3mmになるように、処理液槽23中の処理液22の収容量が設定される。上記距離hが0mm未満、すなわち搬送ローラ24が処理液22の中に全没を超えて深く沈み込むと、搬送ローラ24に形成される溝33による排液作用を有効に発現することができず、非処理面21cに処理液22が回込む。距離hが5mmを超えると、基板21の処理面21aに、表面張力によって処理液22を保持させることが困難になる。
Hereinafter, the surface treatment operation of the substrate 21 by the substrate surface treatment apparatus 20 will be briefly described.
The processing liquid 22 is stored in the processing liquid tank 23 in advance. The processing liquid is set such that the distance h between the liquid surface position of the processing liquid 22 and the rotation top of the roller portion 32 of the transport roller 24, that is, the pass line 35 to which the substrate 21 is transported, is 0 to 5 mm, preferably 2 to 3 mm. The accommodation amount of the processing liquid 22 in the tank 23 is set. If the distance h is less than 0 mm, that is, if the transport roller 24 sinks deeply into the processing liquid 22 beyond the total immersion, the drainage action by the groove 33 formed in the transport roller 24 cannot be effectively expressed. Then, the processing liquid 22 turns into the non-processing surface 21c. If the distance h exceeds 5 mm, it becomes difficult to hold the processing liquid 22 on the processing surface 21a of the substrate 21 by surface tension.

図1の紙面に向って左側に設けられる不図示のローダ側から、図1の矢符26に示す方向に搬送されてきた基板21は、処理面21aが処理液22を臨むようにして基板表面処理装置20へ装入される。基板21が、装入されて搬送ローラ24上に載置されると、たとえば以下のようにして基板21の処理面21aに対して処理液22を接触させる。処理液槽23内へ処理液22を供給する供給手段と、処理液槽23内の処理液22を排出する排出手段とを動作させ、搬送ローラ24上に基板21が載置されると、供給手段によって処理液22の液面位置を基板21の処理面21aに接する高さまで上昇させ、その後排出手段によって処理液22の液面位置を基板21の処理面21aと間隙を有する高さまで下降させる。   The substrate 21 that has been transported in the direction indicated by the arrow 26 in FIG. 1 from the loader side (not shown) provided on the left side of the paper surface of FIG. 1 is processed so that the processing surface 21a faces the processing liquid 22. 20 is charged. When the substrate 21 is loaded and placed on the transport roller 24, for example, the processing liquid 22 is brought into contact with the processing surface 21a of the substrate 21 as follows. When the supply means for supplying the processing liquid 22 into the processing liquid tank 23 and the discharging means for discharging the processing liquid 22 in the processing liquid tank 23 are operated and the substrate 21 is placed on the transport roller 24, the supply is performed. The liquid level position of the processing liquid 22 is raised to a height in contact with the processing surface 21a of the substrate 21 by means, and then the liquid level position of the processing liquid 22 is lowered to a height having a gap from the processing surface 21a of the substrate 21 by the discharging means.

なお、基板21の処理面21aと処理液22との接触は、基板21が搬送ローラ24に載置される位置の下方であって、処理液槽23内の処理液22中に予め処理液吹上げノズルを設けておき、該ノズルによって処理液22を基板21の処理面21aに向って吹上げ、処理液22の表面張力を利用して処理液22を基板21の処理面21aに接触保持させるようにしても良い。   The contact between the processing surface 21 a of the substrate 21 and the processing liquid 22 is below the position where the substrate 21 is placed on the transport roller 24, and the processing liquid is blown into the processing liquid 22 in the processing liquid tank 23 in advance. A raising nozzle is provided, and the processing liquid 22 is blown up toward the processing surface 21 a of the substrate 21 by the nozzle, and the processing liquid 22 is brought into contact with and held on the processing surface 21 a of the substrate 21 by using the surface tension of the processing liquid 22. You may do it.

処理液22が基板21の処理面21aに接触保持されている状態で、搬送ローラ24を矢符25方向へ回転駆動させて基板21を矢符26方向へ搬送する。この搬送期間中、処理液22は、その表面張力によって基板21の処理面21aに接触したままの状態が維持される。処理される基板21および処理液22ならびに表面処理の種類に応じて予め定められる時間を要して搬送される間に、基板21の処理面21aのみが処理液22によって表面処理される。   With the processing liquid 22 held in contact with the processing surface 21 a of the substrate 21, the transport roller 24 is driven to rotate in the direction of the arrow 25 to transport the substrate 21 in the direction of the arrow 26. During this transfer period, the processing liquid 22 is maintained in contact with the processing surface 21a of the substrate 21 due to its surface tension. Only the processing surface 21a of the substrate 21 is surface-treated with the processing liquid 22 while the substrate 21 and the processing liquid 22 to be processed and the substrate 21 are transported with a predetermined time depending on the type of surface processing.

搬送ローラ24は、前述のように構成されるので、搬送期間中に基板21の後尾21bが搬送ローラ24を通過しさらに離脱するとき、処理液22が非処理面21c側に回込むことが防止される。所定の時間を要して搬送された基板21は、図1の紙面に向って右側に設けられるたとえば水洗槽へ搬送される。   Since the transport roller 24 is configured as described above, the processing liquid 22 is prevented from flowing into the non-processing surface 21c side when the tail 21b of the substrate 21 passes through the transport roller 24 and further leaves during the transport period. Is done. The substrate 21 transported over a predetermined time is transported to, for example, a washing tub provided on the right side of the sheet of FIG.

基板表面処理装置20によれば、このようにして基板21の片面である処理面21aのみを枚葉処理することができる。   According to the substrate surface processing apparatus 20, only the processing surface 21a, which is one side of the substrate 21, can be subjected to single wafer processing in this way.

図3は本発明の実施の第2形態である基板表面処理装置40の構成を簡略化して示す図であり、図4は図3に示す基板表面処理装置40に設けられる搬送ローラ41の構成を示す斜視図である。本実施の形態の基板表面処理装置40は、実施の第1形態の基板表面処理装置20に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。   FIG. 3 is a diagram showing a simplified configuration of the substrate surface processing apparatus 40 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows a configuration of the transport roller 41 provided in the substrate surface processing apparatus 40 shown in FIG. It is a perspective view shown. The substrate surface treatment apparatus 40 of the present embodiment is similar to the substrate surface treatment apparatus 20 of the first embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

基板表面処理装置40は、搬送ローラ41の構成に特徴を有し、また搬送ローラ41に接続される排出手段42を含むことを特徴とする。   The substrate surface treatment apparatus 40 is characterized by the configuration of the transport roller 41 and includes a discharge means 42 connected to the transport roller 41.

基板表面処理装置40に設けられる搬送ローラ41は、シャフト部43およびローラ部44を備えることにおいて実施の第1形態の搬送ローラ24と構成を同じくする。しかしながら、シャフト部43には、一方の端部に開口し、ほぼローラ部44の長さに対応する長さにわたって穿たれる排出穴46が形成される。またローラ部44には、ローラ部44に形成される溝33上で外方に開口し、シャフト部43に形成される排出穴46まで貫通する小排出孔47が形成される。本実施の形態では、小排出孔47は、ローラ部44に形成される溝33の3本目ごとに、1本の溝33についてローラ部44の軸線方向に配列して5個が形成される。なお、この図4に示す小排出孔47の個数と配置は、あくまでも1事例であり、これに限定されるものではない。   The conveyance roller 41 provided in the substrate surface treatment apparatus 40 has the same configuration as the conveyance roller 24 of the first embodiment in that it includes a shaft portion 43 and a roller portion 44. However, the shaft portion 43 is formed with a discharge hole 46 that opens at one end portion and is bored over a length substantially corresponding to the length of the roller portion 44. The roller portion 44 is formed with a small discharge hole 47 that opens outwardly on the groove 33 formed in the roller portion 44 and penetrates to the discharge hole 46 formed in the shaft portion 43. In the present embodiment, five small discharge holes 47 are formed by arranging one groove 33 in the axial direction of the roller portion 44 for every third groove 33 formed in the roller portion 44. It should be noted that the number and arrangement of the small discharge holes 47 shown in FIG. 4 are only one example and are not limited thereto.

シャフト43の排出穴46に連通する小排出孔47がローラ部44に形成されることによって、ローラ部44の表面上に保持される処理液22は、溝33を通ってローラ部44の軸線方向端部から排液されるだけでなく、小排出孔47からも排液される。また基板21の処理面21aが処理液22と反応して発生し、処理面21aに接して存在する反応ガスを、後述する排出手段42による吸引によって、小排出孔47および排出穴46を通じて排出することができるので、処理面21aにおける反応ガスの滞留を防止し、処理面21aを均一に処理することが可能になる。   The small discharge hole 47 communicating with the discharge hole 46 of the shaft 43 is formed in the roller portion 44, so that the processing liquid 22 held on the surface of the roller portion 44 passes through the groove 33 and is in the axial direction of the roller portion 44. In addition to draining from the end portion, draining is also performed from the small discharge hole 47. Further, the reaction surface 21a of the substrate 21 is generated by reacting with the treatment liquid 22, and the reaction gas existing in contact with the treatment surface 21a is discharged through the small discharge hole 47 and the discharge hole 46 by suction by the discharge means 42 described later. Therefore, the retention of the reaction gas on the processing surface 21a can be prevented, and the processing surface 21a can be processed uniformly.

排出手段42は、各搬送ローラ41のシャフト部43の排出穴46に接続される配管48と、配管48を集合した集合配管49に設けられる排出ポンプ50とを含んで構成される。このような基板表面処理装置40においては、排出ポンプ50の吸引力によって、小排出孔47および排出穴46を介して、処理液22および反応ガスが強制的に吸引され排出されるので、処理液22が非処理面21cに回込むことを一層確実に防止できるとともに、処理面21aをむらなく均一に表面処理することができる。   The discharge means 42 includes a pipe 48 connected to the discharge hole 46 of the shaft portion 43 of each conveyance roller 41 and a discharge pump 50 provided in a collective pipe 49 that collects the pipes 48. In such a substrate surface processing apparatus 40, the processing liquid 22 and the reactive gas are forcibly sucked and discharged through the small discharge hole 47 and the discharge hole 46 by the suction force of the discharge pump 50. It is possible to more reliably prevent the 22 from wrapping around the non-treated surface 21c, and to uniformly treat the treated surface 21a evenly.

なお、基板表面処理装置40には、上記の排出手段42以外にも、集合配管49の排出ポンプ50の下流側に除塵フィルタ等を含み処理液22を処理液槽23へ還流させる循環手段が設けられても良い。   In addition to the discharge means 42 described above, the substrate surface treatment apparatus 40 is provided with a circulation means including a dust filter and the like on the downstream side of the discharge pump 50 of the collecting pipe 49 for returning the treatment liquid 22 to the treatment liquid tank 23. May be.

本発明の実施の一形態である基板表面処理装置20の構成を簡略化して示す図である。It is a figure which simplifies and shows the structure of the substrate surface processing apparatus 20 which is one Embodiment of this invention. 図1に示す基板表面処理装置20に設けられる搬送ローラ24の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the conveyance roller 24 provided in the substrate surface processing apparatus 20 shown in FIG. 本発明の実施の第2形態である基板表面処理装置40の構成を簡略化して示す図である。It is a figure which simplifies and shows the structure of the substrate surface processing apparatus 40 which is the 2nd Embodiment of this invention. 図3に示す基板表面処理装置40に設けられる搬送ローラ41の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the conveyance roller 41 provided in the substrate surface processing apparatus 40 shown in FIG. 従来の基板表面処理装置1の構成を簡略化して示す図である。It is a figure which simplifies and shows the structure of the conventional board | substrate surface processing apparatus. もう一つの従来の基板表面処理装置10の要部構成を簡略化して示す斜視図である。It is a perspective view which simplifies and shows the principal part structure of another conventional substrate surface processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

20,40 基板表面処理装置
21 基板
22 処理液
23 処理液槽
24,41 搬送ローラ
42 排出手段
31,43 シャフト部
32,44 ローラ部
33 溝
46 排出穴
47 小排出孔

20, 40 Substrate surface treatment device 21 Substrate 22 Treatment liquid 23 Treatment liquid tank 24, 41 Transport roller 42 Discharge means 31, 43 Shaft portion 32, 44 Roller portion 33 Groove 46 Discharge hole 47 Small discharge hole

Claims (6)

平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝を構成する凹凸が形成されることを特徴とする基板表面処理装置。
In a substrate surface processing apparatus for processing the surface of a substrate having a flat plate shape,
A treatment liquid tank for containing a treatment liquid used for substrate surface treatment;
A plurality of conveyance rollers that convey the substrate, and a plurality of conveyance rollers that are rotatably provided by being partially or fully immersed in the treatment liquid stored in the treatment liquid tank;
Roller driving means for rotating the transport roller,
The length of the transport roller in the rotation axis direction is
It is not less than the substrate width that is the length in the width direction that is the direction orthogonal to the direction in which the substrate is conveyed,
On the surface of the transport roller,
A substrate surface treatment apparatus, wherein irregularities constituting grooves are formed.
溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、
最大高さRmaxが、1μm以上であることを特徴とする請求項1記載の基板表面処理装置。
Concavities and convexities on the surface of the transport roller constituting the groove are
2. The substrate surface processing apparatus according to claim 1, wherein the maximum height Rmax is 1 [mu] m or more.
溝の延びる方向が、
搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする請求項1または2記載の基板表面処理装置。
The direction in which the groove extends is
3. The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is parallel to a direction in which a rotation axis of the transport roller extends.
処理液が、
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される1または2以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。
Treatment liquid
It is 1 or 2 or more selected from the group consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution and pure water. The substrate surface treatment apparatus as described.
搬送ローラは、
少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。
The transport roller
The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein at least a portion in contact with the treatment liquid is polytetrafluoroethylene or vinyl chloride.
基板が、
シリコンウエハまたはガラスであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の基板表面処理装置。
The board is
The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the substrate surface treatment apparatus is a silicon wafer or glass.
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