JP2006188726A - 金属粉の製造装置及び金属粉の製造方法 - Google Patents

金属粉の製造装置及び金属粉の製造方法 Download PDF

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Kazunori Onabe
和憲 尾鍋
Hiroyuki Kamata
弘之 鎌田
Akira Kikutake
亮 菊竹
Shoji Mimura
彰治 味村
Takashi Saito
隆 斉藤
Yasuo Suzuki
康雄 鈴木
Yasuhiro Ozawa
康博 小澤
Tetsuo Takamatsu
徹雄 高松
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Abstract

【課題】 連結粒子の発生を防止することができる金属粉の製造装置及び金属粉の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属粉の製造装置21において、無水NiClを昇華させる気化部22、NiClガスをHガスにより還元してNi微粒子を生成する還元部23、生成されたNi微粒子を含むガスを水槽44内の冷却水52内に放出するバブリング部25を設ける。そして、水槽44内にメッシュ45を水平に張架し、その上にプロペラ46を設ける。これにより、冷却水52内に形成されNi微粒子を含む気泡53が微細化され、Ni微粒子が冷却水52により急冷される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、金属又は合金のハロゲン化物ガスを還元することにより金属又は合金粉(以下、総称して金属粉という)を製造する金属粉の製造装置及び金属粉の製造方法に関し、特に、積層セラミックスコンデンサーの内部電極材料、電子機器部品の導電ペーストフィラー、HDD(hard disk drive:ハードディスクドライブ)等の磁気記録媒体用の磁性粉、及び各種の触媒担体用材料等に好適な金属粉の製造装置並びにこの製造装置を使用する金属粉の製造方法に関する。
従来より、多くの電子回路基板には、積層セラミックスコンデンサー(以下、MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor)という)が形成されている。MLCCは、セラミックスの誘電体層と金属の内部電極層とを多層化したものであり、内部電極層には、金属粉を焼結したものが使用されている。
MLCCの静電容量は、積層数が多いほど大きくなる。一方、MLCCは、電子部品としての性質上、小型であることが求められる。これらの相反する要求に応えるためには、各層を薄層化することが必要であり、現在、内部電極の層厚は1μm以下になってきている。このため、内部電極用の金属粉の粒径は1μm以下であることが要求されており、近年、小径化の傾向にますます拍車がかかっている。
従来、MLCCにおいて、内部電極材料には、Pt粉、Pd粉、Ag−Pd粉といった貴金属粉が使用されてきた。しかしながら、MLCCは、1つの電子回路基板上に大量に形成されるため、貴金属粉を使用するとコストが高くなるという問題がある。このため、卑金属であるが、電極材料として信頼性が高いNi粉及びCu粉が使用されるようになっている。これにより、近時、金属粉の中でも、特に、Ni粉及びCu粉は、MLCCの内部電極材料として、その使用量が大幅に増加している。
一般に、MLCCの製造方法においては、誘電体粉末をスラリー化し、それをフィルム上に塗布することにより作製したセラミックスグリーンシートの上に、内部電極層となるペースト状の金属粉を印刷し、それらを積み重ねて圧着した後に焼結する。従って、層厚を薄く均一にするためには、ペースト状金属粉に使用される金属粒子の粒径は小さく、且つ、粒度分布が狭く粒径が均一であることが要求される。また、焼結工程を経るため、粒子の中に界面エネルギが高い粒界が多いと、この界面エネルギが駆動力となって、誘電体が焼結しないような低温でも焼結が開始されてしまう。これにより、デラミネーションと呼ばれる積層構造の破壊が生じる。このため、金属粉は結晶性が高いことが望ましい。
このような要求特性を満足するために、Ni粉は、昇華性を有する金属ハロゲン化物ガスの気相水素還元により作製されている。なお、金属ハロゲン化物ガスとしては、塩化物ガスが最も多く使用されている。
従来、上述のようなNi粉を製造する方法としては、反応器中で塩化ニッケル(NiCl)ガス等のニッケルハロゲン化物ガスと水素とを化学反応させる気相水素還元法が知られている(例えば、特許文献1:実用新案登録第2510932号公報参照。)。図6は、従来の気相水素還元法によりNi粉を製造する装置を示す断面図である。
図6に示すように、この従来の金属粉の製造装置1においては、反応器3の気化部6内に設置された気化るつぼ11内に、原料供給器2から投入管9を介してNiCl原料が供給される。そして、この原料が気化部6内で外部加熱部8のコイル13により加熱されて気化し、塩化物ガスが発生する。また、この従来の装置においては、2重管構造のキャリアガス導入管10と還元ガス供給管12が反応管3の上部に挿入されている。キャリアガス供給管10と還元ガス供給管12との間から、キャリアガスが反応管3内に供給され、るつぼ11内の原料から気化した塩化物ガスが、このキャリアガスに運ばれて反応管3の下部の反応部7に供給される。一方、還元ガス供給管12からは、反応管3の反応部7に還元ガスが供給される。そして、塩化物ガス及び還元ガスが、加熱部8のコイル14により加熱される。これにより、塩化物ガスは反応部7で還元ガスと反応して還元される。この還元反応により、塩化物ガスが還元されてNi微粒子が形成される。そして、このNi微粒子は水冷ジャケット17により冷却部4で冷却された後、粉末捕集器5の捕集部19内で捕集される。これにより、Ni粉が製造される。
実用新案登録第2510932号公報(第1図)
しかしながら、上述の従来の技術には、以下に示すような問題点がある。図6に示す従来の製造装置によって、粒径が200nm以下、特に、100nm以下の金属粉を製造しようとすると、粒子同士がつながった形状の連結粒子が多く発生する。この原因として、金属微粒子が微小になると、単位体積当たりの表面積が増加して活性になることが考えられる。
そして、この連結粒子がペースト状金属粉末中に存在すると、金属粉ペーストの印刷表面に凹凸が顕著に発生し、膜厚が不均一となる。膜厚が不均一であると、MLCCにピンホールが発生しやすくなるため、電気抵抗が増加すると共に、突起部が誘電体層を突き抜け、短絡を引き起こす虞がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、連結粒子の発生を防止することができる金属粉の製造装置及び金属粉の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る金属粉の製造装置は、金属又は合金のハロゲン化物を気化させる気化部と、気化した前記ハロゲン化物を気体中で還元して前記金属又は合金からなる微粒子を生成する還元部と、液槽を備えこの液槽内に保持される冷却液中に前記微粒子を含む気体が放出される気体放出部と、を有することを特徴とする。
本発明においては、微粒子を含む気体が冷却液中に放出されることにより、微粒子を冷却液中に混合させ、微粒子を急冷することができる。これにより、連結粒子の発生を防止することができる。なお、本発明において、金属粉とは、純金属粉及び合金粉の双方を含む。
また、前記気体放出部が、前記冷却液中において前記微粒子を含む気体が形成する気泡を微細化する気泡微細化手段を有することが好ましい。これにより、微粒子の冷却速度がより一層向上すると共に、微粒子の捕集効率が向上する。
このとき、前記気泡微細化手段が、前記液槽中に配置されたメッシュを有していてもよい。これにより、気泡が浮上する過程でメッシュを通過するため、気泡が分割され微細化される。
又は、前記気泡微細化手段が、前記液槽中に配置され、回転することにより前記冷却液を撹拌するプロペラを有していてもよい。これにより、冷却液が撹拌されて気泡が微細化する。
又は、前記気泡微細化手段が、前記冷却液に超音波を印加する超音波印加手段を有していてもよい。これにより、気泡を微細化することができる。
更に、前記冷却液が水であり、前記気体放出部が、前記冷却液の温度を80℃以下に調節する温度調節手段を有していてもよい。これにより、冷却水が蒸発又は沸騰することを防止でき、金属粉の製造装置を長時間連続して駆動することが可能となる。
更にまた、前記冷却液が水であり、前記気体放出部が、前記冷却液のpHを7乃至9に調節する中和手段を有していてもよい。これにより、冷却水が酸性になり微粒子を溶解することを防止できる。この結果、長時間の連続駆動が可能となる。
更にまた、前記金属又は合金が、Ni、Cu、Co、Fe、Ag、W、Mo、Nb及びTaからなる群から選択された金属又はこれらの合金であってもよい。更にまた、前記ハロゲン化物が塩化物であってもよい。
本発明に係る金属粉の製造方法は、金属又は合金のハロゲン化物を気化させる気化工程と、気化した前記ハロゲン化物を気体中で還元して前記金属又は合金からなる微粒子を生成する還元工程と、冷却液中に前記微粒子を含む気体を放出する気体放出工程と、を有することを特徴とする。
本発明においては、微粒子を含む気体が冷却液中に放出されることにより、微粒子が冷却液中に混合され、微粒子は急冷される。これにより、連結粒子の発生を防止することができる。
本発明によれば、金属粉の製造装置に液槽を設け、この液槽内に保持された冷却液中に微粒子を含む気体を放出することにより、微粒子が冷却液中に混合され、急冷される。この結果、連結粒子の発生を防止することができる。
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は本実施形態に係る金属粉の製造装置を模式的に示す断面図である。図1に示すように、本実施形態に係る金属粉の製造装置21においては、例えば上方から下方に向かって、気化部22、還元部23、断熱部24及びバブリング部25が、この順に一列に設けられている。気化部22、還元部23、断熱部24及びバブリング部25においては、各部を直線的に挿通するように、1本の反応管26がその管軸方向が垂直になるように設けられている。即ち、反応管26においては、気化部22内に位置する部分26a、還元部23内に位置する部分26b、断熱部24内に位置する部分26c及びバブリング部25内に位置する部分26dが、この順に配列されている。反応管26は例えば、石英、アルミナ又はニッケルにより形成されている。反応管26の形状は直管形状であり、その管軸に直交する断面の形状は、例えば環状である。また、反応管26の上面及び下面は封止されている。
気化部22における反応管26の内部には、収納容器27が設けられており、収納容器27の内部には、例えば無水NiCl等の金属塩化物51が収納されている。収納容器27は上部が開口した円筒状の容器であり、収納容器27上には、収納容器27内を気密的に封止する蓋28が設けられている。そして、蓋28には、例えばアルゴン(Ar)等のキャリアガスを収納容器27内に導入するためのパイプ29が挿通されている。キャリアガスは、金属塩化物51が気化して発生した金属塩化物ガス、例えば、NiClガスを搬送するものである。
また、収納容器27の略下半部を覆うように、収納容器27の外面に対して気密的にハウジング30が設けられている。ハウジング30の上端は、金属塩化物51の上端よりも高い位置に配置されている。そして、収納容器27の側面における金属塩化物51の上面より高く、且つ、外面がハウジング30に覆われている位置には、開口部31が形成されている。更に、ハウジング30と反応管26との間には、例えばAr等のシースガスが流通するパイプ32が垂直方向に延びるように配設されており、還元ガスである水素(H)ガスが流通するパイプ33が垂直方向に延びるように配設されている。なお、還元ガスはNiClガスを還元するものである。一方、気化部22における反応管26の外部には、加熱コイル34が設けられている。また、反応管26の外面には、例えばArからなるプレッシャーガスを反応管26の内部に導入するパイプ35が連結されている。
また、還元部23における反応管26の内部には、同心円筒構造の三重管36が設けられている。三重管36はその軸方向が垂直方向になるように配置されており、外管36aと、この外管36aの内部に設けられた中管36bと、この中管36bの内部に設けられた内管36cとから構成されている。そして、外管36aと中管36bとの間の空間はパイプ33の内部と連通しており、還元ガス(Hガス)が流通するようになっている。また、中管36bと内管36cとの間の空間はパイプ32の内部と連通しており、シースガス(Arガス)が流通するようになっている。更に、内管36cの内部は収納容器27とハウジング30との間の空間に連通されており、原料ガス、即ち、NiClガスとArガスとの混合ガスが流通するようになっている。
これにより、還元ガス(Hガス)、シースガス(Arガス)及び原料ガス(NiClガスとArガスとの混合ガス)が、三重管36の下端部から反応管26の部分26b内の下部に放出されるようになっている。なお、前述のプレッシャーガスは、反応管26の部分26bにおける三重管36の周囲の空間に、上述の還元ガス(Hガス)、シースガス(Arガス)及び原料ガス(NiClガスとArガスとの混合ガス)が滞留しないようにするものである。また、前述のシースガスは、三重管36の下端部近傍におけるNiClガスとHガスとの還元反応を抑制し、三重管36の下端部にNi粒子が付着することを防止するものである。
一方、還元部23における反応管26の外部には、加熱コイル38が設けられており、断熱部24における反応管26の外部、即ち、加熱コイル38の下方には、断熱ジャケット39が設けられている。断熱ジャケット39には、その下部及び上部に夫々パイプ40及び41が連結されており、冷却水がパイプ40を介して断熱ジャケット39内に流入し、パイプ41を介して断熱ジャケット39内から排出されるようになっている。
更に、バブリング部25においては、反応管26の最下部に例えば2本のパイプ42が連結されている。パイプ42は例えば水平方向に延びており、反応管26の内部を外部に連通させるものである。また、パイプ42には、夫々逆止弁43が設けられている。逆止弁43は、液体又は気体等の流体を、反応管26の内部から外部へは流通させるが、外部から内部へは流通させないものである。
また、バブリング部25においては、反応管26の部分26dを覆うように水槽44が設けられており、水槽44内には冷却水52が保持されている。これにより、反応管26の部分26d、パイプ42及び逆止弁43は、冷却水52に浸漬されるようになっている。また、水槽44の上部には、蓋37が設けられており、水槽44内を気密的に封止するようになっている。更に、蓋37には排気管37aが設けられており、水槽44内の気体を排出するようになっている。
そして、水槽44内における冷却水52内に浸漬される位置であってパイプ42よりも上方の位置には、メッシュ45が水平に張架されている。メッシュ45の目開きは、例えば、0.35乃至1mmである。また、水槽44内における冷却水52に浸漬される位置であってメッシュ45よりも上方の位置には、例えば2つのプロペラ46が設けられている。このプロペラ46は、パイプ42における反応管26に連結されていない側の端部の直上域に配置されている。そして、プロペラ46は、垂直方向に延びる軸47の下端部に連結されており、軸47はモータ(図示せず)に連結されている。これにより、プロペラ46は軸47を回転軸として回転するようになっている。
更に、バブリング部25においては、水槽44内の冷却水52をサンプリングしてそのpHを測定するpHモニタ48が取り付けられている。また、pHモニタ48の出力信号が入力され、pHモニタ48の測定結果に基づいて水槽44内に水酸化ナトリウム(NaOH)を供給し、冷却水52のpHを例えば7乃至9、即ち、中性〜弱アルカリ性に維持する中和装置49が設けられている。更にまた、水槽44に取り付けられ、水槽44内の冷却水52の温度を例えば80℃以下に調節する温度調節装置50が設けられている。温度調節装置50は、冷却水52の温度を測定する水温モニタ(図示せず)と、この水温モニタの測定結果に基づいて冷却水52を冷却する冷却クーラ(図示せず)とを備えている。
次に、上述の如く構成された本実施形態に係る金属粉の製造装置の動作、即ち、本実施形態に係る金属粉の製造方法について説明する。図1に示す製造装置21の収納容器27内に、金属塩化物51、例えば、無水NiClを装入する。このとき、金属塩化物51により開口部31が塞がらないようにする。そして、加熱コイル34を動作させることにより気化部22を加熱し、加熱コイル38を動作させることにより、還元部23を加熱する。これにより、収納容器27内の温度を例えば1000℃とし、還元部23内の温度を例えば1100℃とする。また、断熱ジャケット39にパイプ40及び41を介して冷却水を供給し、断熱部24を冷却する。これにより、水槽44を加熱コイル34及び38に対して断熱し、加熱コイル34及び38において発生した熱が、水槽44を加熱することを防止する。この状態で、パイプ29にキャリアガスとしてArガスを供給し、パイプ32にシースガスとしてArガスを供給し、パイプ33に還元ガスとしてHガスを供給し、パイプ35にプレッシャーガスとしてArガスを供給する。
これにより、収納容器27内で無水NiClが昇華し、NiClガスが発生する。即ち、気化部22においては、金属塩化物51が気化し、金属塩化物ガスが発生する。そして、収納容器27内で発生したNiClガスがキャリアガス(Arガス)と混合して原料ガスとなり、開口部31から収納容器27とハウジング30との間の空間に流出し、次いで、三重管36の内管36c内を流通して、反応管26の部分26b内に放出される。また、シースガス(Arガス)がパイプ32内を流通し、三重管36の内管36cと中管36bとの間を流通して、反応管26の部分26b内に放出される。更に、還元ガス(Hガス)がパイプ33内を流通し、三重管36の中管36bと外管36aとの間を流通して、反応管26の部分26b内に放出される。これにより、部分26b内にNiClガス、Arガス及びHガスが供給される。そして、加熱コイル38により加熱されることにより、NiClガスがHガスによって還元され、Niの微粒子が生成する。即ち、還元部23においては、金属塩化物ガス(NiClガス)が還元され、金属微粒子が生成する。また、このとき同時に、NiClガス及びHガスからHClガスが副次的に発生する。なお、このときシースガスが、三重管36の下端部近傍でNiClガスとHガスとを相互に離隔することにより、両ガス間の還元反応を抑制し、三重管36の下端部にNi粒子が付着することを防止する。
そして、還元されたNi微粒子は、キャリアガス及びシースガスであるArガス、並びにHClガスからなる混合ガスと共に、反応管26の部分26bから部分26cを通過して部分26dに移動する。このとき、プレッシャーガス(Arガス)が、三重管36と反応管26との間に供給されることにより、三重管36の外側に前記混合ガスが滞留することを防止する。
その後、Ni微粒子を含む前記混合ガスは、パイプ42を介して、水槽44内に蓄えられた冷却水52内に放出される。このときの混合ガスの温度は、例えば700乃至800℃である。このとき、逆止弁43が、Ni微粒子を含む前記混合ガスを反応管26の内部から反応管26の外部、即ち、冷却水52内に流出させつつ、冷却水52が反応管26内に流入することを防止する。
パイプ42から冷却水52内に放出されたNi微粒子を含む混合ガスは、冷却水52内において気泡53を形成し、浮上する。このとき、気泡53の直径はパイプ42の内径等によって決定され、例えば、数cm程度である。そして、この気泡53は浮上の過程でメッシュ45を通過し、これにより、1つの気泡が複数の気泡に分割される。メッシュ45を通過した後の気泡53の直径は、メッシュ45の目開き等により決定され、例えば、数mm程度である。メッシュ45を通過した後の気泡53の直径(例えば数mm)が、メッシュ45の目開き(例えば0.35乃至1mm)よりも大きいのは、メッシュ45を通過した後、気泡同士がある程度再結合するためである。一方、モータ(図示せず)が軸47を回転させることによりプロペラ46を回転させ、冷却水52を撹拌する。これにより、メッシュ45を通過した後の気泡53が更に分割されて小さくなる。このときの気泡53の直径は、例えば1mm程度である。
そして、気泡53が冷却水52内を浮上する過程において、気泡53に含まれるNi微粒子が冷却水52に混合される。これにより、Ni微粒子が冷却水52により急冷されると共に、混合ガスから分離される。即ち、Ni微粒子は、水槽44内に放出された直後の温度、例えば700乃至800℃から、冷却水52の温度、例えば80℃以下まで短時間で冷却される。一方、混合ガスのうちHClガスは、冷却水52内に溶解する。そして、混合ガス中のArガスは、冷却水52の水面まで浮上した後、冷却水52外に放出され、排気管37aを介して水槽44の外部に排気され、回収される。
このとき、冷却水52にはHClガスが連続的に溶解していくが、冷却水52が酸性になると、Ni微粒子が冷却水52に溶解してしまう。そこで、pHモニタ48が冷却水52を定期的又は連続的にサンプリングしてそのpHを測定し、その測定結果を中和装置49に対して出力する。そして、中和装置49は、この測定結果に基づいて冷却水52内に水酸化ナトリウム(NaOH)を供給し、冷却水52のpHを例えば7乃至9、即ち、中性又は弱アルカリ性に保つ。
また、冷却水52内には高温のNi微粒子及び混合ガスが連続的に流入するが、冷却水52の温度が高くなりすぎると、冷却水52が蒸発又は沸騰してしまう。そこで、温度調節装置50の水温モニタが冷却水52の温度を測定し、この測定結果に基づいて冷却クーラが冷却水52を冷却し、冷却水52の温度を例えば80℃以下に保つ。
そして、製造装置21を一定時間駆動した後、製造装置21を停止させ、冷却水52をろ過し、乾燥することにより、Ni微粒子を回収する。これにより、Ni粉を製造することができる。このようにして製造されたNi粉は、積層セラミックスコンデンサーの内部電極材料、電子機器部品の導電ペーストフィラー、HDD等の磁気記録媒体用の磁性粉、及び各種の触媒担体用材料等に使用することができる。
本実施形態においては、反応管26内においてNi微粒子を形成し、このNi微粒子を含む混合ガスを水槽44内においてバブリングすることにより、Ni微粒子を微粒子同士の連結が生じない温度まで、短時間で冷却している。この結果、Ni微粒子が連結粒子となることが少なく、品質が良好なNi粉を得ることができる。
また、本実施形態においては、水槽44内にメッシュ45及びプロペラ46を設けているため、気泡53を微細化することができる。この結果、Ni微粒子の冷却効率が向上し、連結粒子の発生をより一層抑制できると共に、Ni粉の捕集効率が向上する。
更に、本実施形態においては、NiClの還元反応に伴って副次的に発生したHClガスを冷却水52に溶解させることにより、HClガスを効率的に回収することができる。
更にまた、本実施形態においては、バブリング部25にpHモニタ48及び中和装置49を設けているため、冷却水52を中性又は弱アルカリ性に保つことができる。これにより、冷却水52がHClガスを吸収することにより酸性になり、Ni微粒子が冷却水52に溶解してしまうことを防止できる。この結果、製造装置21を長時間連続して稼動することができる。
更にまた、本実施形態においては、バブリング部25に温度調節装置50を設けているため、冷却水52を一定の温度以下に保つことができる。これにより、冷却水52が蒸発又は沸騰することを防止できる。この結果、製造装置21を長時間連続して稼動することができる。
更にまた、本実施形態においては、反応管26の上部にプレッシャーガスを供給しているため、Ni微粒子が還元部23に滞留することを防止でき、Ni微粒子が粗大化したり連結粒子となったりすることを防止できる。
更にまた、本実施形態においては、加熱コイル38と水槽44との間に断熱ジャケット39を設けているため、水槽44が加熱コイル34及び38により加熱されることを防止できる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図2は本実施形態に係る金属粉の製造装置を模式的に示す断面図である。図2に示すように、本実施形態に係る金属粉の製造装置61においては、超音波浴槽62を設け、水槽44の全体を超音波浴槽62の内部に収納している。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
本実施形態においては、金属粉の製造過程において、超音波浴槽62が水槽44内の冷却水52に対して超音波を印加する。これにより、気泡53をより一層微細化し、金属粉の捕集効率を更に向上させることができる。本実施形態に係る上記以外の動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図3は本実施形態に係る金属粉の製造装置を模式的に示す断面図である。図3に示すように、本実施形態に係る金属粉の製造装置71においては、前述の第2の実施形態に係る金属粉の製造装置61(図2参照)と比較して、パイプ42の上方に配置されたメッシュ45及びプロペラ46の替わりに、パイプ42の出口、即ち、反応管26に連結していない側の端部に、この出口を覆うようにメッシュ72が設けられている。また、このメッシュ72の近傍に、プロペラ73が設けられている。プロペラ73は、パイプ42の管軸と同じ方向に延びる軸74の一端部に連結されており、軸74の他端部はモータ(図示せず)に連結されている。これにより、プロペラ73は軸74を回転軸として回転し、冷却水52を撹拌するようになっている。このように、メッシュ72及びプロペラ73は冷却液52における混合ガスが放出される位置に配置されている。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第2の実施形態と同様である。
本実施形態においては、前述の第1及び第2の実施形態と比較して、金属粉の製造過程において、反応ガスがパイプ42の出口で直ちに微細な気泡53に分断されるため、金属粉の捕集効率をより一層向上させることができる。これにより、捕集効率を維持したまま、前述の第1及び第2の実施形態よりも水槽44の床面設置面積を低減することができ、例えば(1/2)倍にすることができる。この結果、金属粉の製造装置の設置スペースの低スペース化、製造装置全体のコンパクト化、設備コストの低コスト化を図ることができる。本実施形態に係る上記以外の動作及び効果は、前述の第2の実施形態と同様である。
なお、前述の各実施形態においては、金属塩化物として無水NiClを使用し、金属粉としてNi粉を製造する例を示したが、本発明はこれに限定されず、原料としてNi、Cu、Co、Fe、Ag、W、Mo、Nb若しくはTa等の金属の塩化物又はこれらの金属を含む合金の塩化物を使用し、上述の金属又は合金からなる金属粉を製造することもできる。また、上述の金属又は合金粉以外の金属粉を製造することもできる。前述の如く、本明細書においては、金属微粒子及び金属粉とは、純金属からなる微粒子及び粉体以外に、合金からなる微粒子及び粉体も含むものとする。更に、原料として金属塩化物以外の金属ハロゲン化物を使用し、これを還元して金属粉を製造してもよい。
また、前述の各実施形態においては、冷却液として水を使用し、水中にNi微粒子を含むガスをバブリングさせる例を示したが、本発明はこれに限定されず、水以外の冷却液を使用しても良い。例えば油等のHClが溶解しない冷却液を使用すれば、pHモニタ及び中和装置が不要になる。但し、この場合は、他の手段によりHClを回収する必要があると共に、水を使用する場合と比較して、冷却液からNi微粒子を分離することがやや困難になる。
以下、本発明の実施例の効果について、その特許請求の範囲から外れる比較例と比較して具体的に説明する。先ず、図1に示すような金属粉の製造装置21を用意した。この製造装置21においては、メッシュ45及びプロペラ46は着脱可能となっている。また、図1に示す装置から水槽を外し、金属微粒子を乾式捕集する金属粉の製造装置も用意した。更に、図2に示すような金属粉の製造装置61、及び図3に示すような金属粉の製造装置71も用意した。
そして、これらの装置を使用して、前述の第1乃至第3の実施形態と同様な方法により、Ni粉、Cu粉及びAg粉を夫々製造した。このときの製造条件を表1に示す。なお、反応管内の圧力は、大気圧とした。また、一部の実施例においては水槽内にメッシュ及びプロペラの双方を配設して金属粉を製造し、他の一部の実施例においては水槽内にメッシュのみを配設して金属粉を製造し、残りの実施例においては水槽内にメッシュ及びプロペラを配設せずに金属粉を製造した。また、比較例においては、水槽を使用せずに金属粉を製造した。
Figure 2006188726
次に、上述の如く製造された金属粉の形状及び粒径を評価した。形状の評価は、回収した金属粉を、FE−SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope:電界放出型走査電子顕微鏡)により撮像し、画像中に存在する500個の粒子のうち、連結している粒子の個数の割合を計測して行った。そして、その割合が5%未満である場合を「特に良好(◎)」とし、5%以上10%未満である場合を「良好(○)」とし、10%以上である場合を「不良(△)」とした。また、粒径の評価は、回収した金属粉をFE−SEMにより撮像し、得られた画像データを画像解析することにより、また、TEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)を使用して金属粉の断面を観察することにより、連結していない1次粒子の平均粒径を算出することにより行った。
また、水槽を使用して金属粉を製造する場合について、金属粉の捕集効率を評価した。この評価は、冷却水中から捕集された金属粉の質量(水中捕集量)と、水槽を通過して排気管37aから排気された排気ガス中から回収された金属粉の質量(排ガス中捕集量)と、水槽44の内壁面における冷却水52の水面より上の部分に付着していた金属粉の質量(壁面付着量)とを測定し、下記計算式によって捕集効率を算出することにより行った。
捕集効率(%)=水中捕集量/(水中捕集量+排ガス中捕集量+壁面付着量)×100
各実施例及び比較例毎の製造条件を表2に示し、評価結果を表3に示す。なお、表2の「メッシュ」及び「プロペラ」の欄に記載した「有(A)」は、図1及び図2に示すように、メッシュ及びプロペラがパイプ42の上方に配置されていることを示し、「有(B)」は、図3に示すように、メッシュ及びプロペラがパイプ42の出口及びその近傍に配置されていることを示し、「無」はメッシュ及びプロペラが設けられていないことを示す。また、表3の粒径の欄に記載した「−」は、ほとんどの粒子が連結していたため、1次粒子の粒径の測定が困難であった場合を示す。更に、金属塩化物ガスの分圧は、原料ガス全体の圧力に対する金属塩化物ガスの割合である。即ち、金属塩化物ガスの分圧は、キャリアガス(Arガス)の流量及びNiClガスの流量の合計値に対するNiClガスの流量の割合である。
Figure 2006188726
Figure 2006188726
表2及び表3に示すNo.1乃至23は本発明の実施例である。実施例No.1乃至10は前述の第1の実施形態に相当する実施例であり、実施例No.11乃至20は前述の第2の実施形態に相当する実施例であり、実施例No.21乃至23は前述の第3の実施形態に相当する実施例である。実施例No.1乃至23は、金属粉の製造装置に水槽を設け、金属微粒子をバブリングにより冷却しているため、平均粒径が50nm又は150nmと微小な金属粉を製造しても、連結粒子がほとんど発生せず、形状が良好であった。特に、実施例No.1乃至6は、水槽中にメッシュ及びプロペラの双方を設けているため、冷却水中の気泡を微細化することができ、金属微粒子をより一層急冷することができたため、実施例No.7乃至10と比較して、形状が特に良好であり、捕集効率が高かった。
また、実施例No.7及び8は、水槽中にメッシュのみを設けているため、冷却水中の気泡をある程度微細化することができた。このため、粒径が150nmの金属粉を製造した場合には、形状を特に良好にすることができた。但し、粒径が50nmの金属粉を製造した場合には、プロペラを使用した実施例No.2と比較すると、形状がやや劣っていた。また、実施例No.7及び8は、捕集効率も実施例No.1乃至6よりはやや劣るものの、メッシュ及びプロペラを両方共使用しない実施例9及び10よりは良好であった。
更に、実施例No.11乃至No.20は、超音波浴槽を設けているため、超音波浴槽を設けていない実施例No.1乃至10と比較して、金属粉の捕集効率が高かった。特に、平均粒径を150nmとした場合の金属粉の捕集効率が高かった。更にまた、実施例No.21乃至23は、超音波浴槽を設け、メッシュ及びプロペラをパイプの出口及びその近傍に設けているため、反応ガスがパイプの出口で直ちに微細な気泡に分断された。このため、金属粉の平均粒径を50nmとした場合においても、金属粉の捕集効率が極めて高かった。
これに対して、表2及び表3に示すNo.24乃至27は比較例である。比較例No.24乃至27は、金属粉の製造装置に水槽を設けず、金属粉を乾式捕集したため、金属微粒子を急冷することができず、連結粒子が多く発生し、形状が不良であった。
図4(a)及び(b)は、夫々実施例No.2及び比較例No.25のNi粉を示すFE−SEM写真であり、図5は実施例No.12のNi粉を示すFE−SEM写真である。図4(a)及び図5に示すように、実施例No.2及び12によって製造したNi粉においては、連結粒子は発生しておらず、形状が良好であった。また、図4(b)に示すように、比較例No.25により製造したNi粉においては、多くの連結粒子が発生していた。
本発明は、積層セラミックスコンデンサーの内部電極材料、電子機器部品の導電ペーストフィラー、HDD等の磁気記録媒体用の磁性粉、及び各種の触媒担体用材料等に好適な金属粉の製造に好適に利用することができる。
本発明の第1の実施形態に係る金属粉の製造装置を模式的に示す断面図である。 本発明の第2の実施形態に係る金属粉の製造装置を模式的に示す断面図である。 本発明の第3の実施形態に係る金属粉の製造装置を模式的に示す断面図である。 (a)及び(b)は、夫々実施例No.2及び比較例No.25のNi粉を示す図面代用写真である(FE−SEM写真、倍率:60000倍)。 実施例No.12のNi粉を示す図面代用写真である(FE−SEM写真、倍率:42000倍)。 従来の気相水素還元法によりNi粉を製造する装置を示す断面図である。
符号の説明
1;製造装置
2;原料供給器
3;反応器
4;冷却部
5;粉末捕集器
6;気化部
7;反応部
8;外部加熱部
9;投入管
10;キャリアガス導入管
11;気化るつぼ
12;還元ガス供給管
13、14;コイル
19;捕集部
21;製造装置
22;気化部
23;還元部
24:断熱部
25;バブリング部
26;反応管
26a、26b、26c、26d;部分
27;収納容器
28;蓋
29、32、33、35、40、41、42;パイプ
30;ハウジング
31;開口部
34、38;加熱コイル
36;三重管
36a;外管
36b;中管
36c;内管
37;蓋
37a;排気管
39;断熱ジャケット
43;逆止弁
44;水槽
45;メッシュ
46;プロペラ
47;軸
48;pHモニタ
49;中和装置
50;温度調節装置
51;金属塩化物
52;冷却水
53;気泡
61;製造装置
62;超音波浴槽
71;製造装置
72;メッシュ
73;プロペラ
74;軸

Claims (21)

  1. 金属又は合金のハロゲン化物を気化させる気化部と、気化した前記ハロゲン化物を気体中で還元して前記金属又は合金からなる微粒子を生成する還元部と、液槽を備えこの液槽内に保持される冷却液中に前記微粒子を含む気体が放出される気体放出部と、を有することを特徴とする金属粉の製造装置。
  2. 前記気体放出部が、前記冷却液中において前記微粒子を含む気体が形成する気泡を微細化する気泡微細化手段を有することを特徴とする請求項1に記載の金属粉の製造装置。
  3. 前記気泡微細化手段が、前記液槽中に配置されたメッシュを有することを特徴とする請求項2に記載の金属粉の製造装置。
  4. 前記メッシュが前記冷却液中における前記気体が放出される位置に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の金属粉の製造装置。
  5. 前記気泡微細化手段が、前記液槽中に配置され、回転することにより前記冷却液を撹拌するプロペラを有することを特徴とする請求項2に記載の金属粉の製造装置。
  6. 前記プロペラが前記冷却液中における前記気体が放出される位置に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の金属粉の製造装置。
  7. 前記気泡微細化手段が、前記冷却液に超音波を印加する超音波印加手段を有することを特徴とする請求項2に記載の金属粉の製造装置。
  8. 前記超音波印加手段が前記液槽を収納する超音波浴槽であることを特徴とする請求項7に記載の金属粉の製造装置。
  9. 前記冷却液が水であり、前記気体放出部が、前記冷却液の温度を80℃以下に調節する温度調節手段を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の金属粉の製造装置。
  10. 前記冷却液が水であり、前記気体放出部が、前記冷却液のpHを7乃至9に調節する中和手段を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の金属粉の製造装置。
  11. 前記金属又は合金が、Ni、Cu、Co、Fe、Ag、W、Mo、Nb及びTaからなる群から選択された金属又はこれらの合金であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の金属粉の製造装置。
  12. 前記ハロゲン化物が塩化物であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の金属粉の製造装置。
  13. 金属又は合金のハロゲン化物を気化させる気化工程と、気化した前記ハロゲン化物を気体中で還元して前記金属又は合金からなる微粒子を生成する還元工程と、冷却液中に前記微粒子を含む気体を放出する気体放出工程と、を有することを特徴とする金属粉の製造方法。
  14. 前記気体放出工程において、前記冷却液中において前記微粒子を含む気体が形成する気泡を微細化することを特徴とする請求項13に記載の金属粉の製造方法。
  15. 前記気泡の微細化を、前記気泡にメッシュを通過させることにより行うことを特徴とする請求項14に記載の金属粉の製造方法。
  16. 前記気泡の微細化を、前記冷却液を撹拌することにより行うことを特徴とする請求項14に記載の金属粉の製造方法。
  17. 前記気泡の微細化を、前記冷却液に超音波を印加することにより行うことを特徴とする請求項14に記載の金属粉の製造方法。
  18. 前記冷却液として水を使用し、前記気体放出工程において、前記冷却液の温度を80℃以下に調節することを特徴とする請求項13乃至17のいずれか1項に記載の金属粉の製造方法。
  19. 前記冷却液として水を使用し、前記気体放出工程において、前記冷却液のpHを7乃至9に調節することを特徴とする請求項13乃至18のいずれか1項に記載の金属粉の製造方法。
  20. 前記金属又は合金を、Ni、Cu、Co、Fe、Ag、W、Mo、Nb及びTaからなる群から選択された金属又はこれらの合金とすることを特徴とする請求項13乃至19のいずれか1項に記載の金属粉の製造方法。
  21. 前記ハロゲン化物として塩化物を使用することを特徴とする請求項13乃至20のいずれか1項に記載の金属粉の製造方法。
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