JP2006154727A - 磁気光学式空間光変調器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ファラデー効果によって偏光方向の回転を与える画素14が、多数、互いに離間した状態でX方向及びY方向に2次元的に配列され、X側及びY側の駆動ラインを流れる駆動電流によって発生する合成磁界により各画素の磁化方向を個別に制御する方式の磁気光学式空間光変調器である。X側の駆動ライン32及びY側の駆動ライン34は、それぞれX方向及びY方向に配列されている画素の周縁上を真っ直ぐに延び、X側とY側の駆動ラインによって各画素をその中心を除いて「井」の字状に囲むように配線され、且つターゲット画素を「井」の字状に囲むX側とY側の駆動ラインから発生する磁界の方向がターゲット画素中心で一致するように構成する。
【選択図】 図1
Description
(a)磁性膜12の全面に、スパッタ法や蒸着法などによりAl膜を形成する。その後、画素形成領域のみにレジスト層を形成する。画素寸法は、例えば、縦横16μmの正方形であり、画素間隔は2μmに設定している。試作品の画素数は、16×16とした。
(b)次に、レジスト層をマスクとして、イオンミリングにより画素同士の間隙領域のAl膜を除去し、更にイオンミリングを進めて溝42を形成する。従って、溝42は、画素14の領域を除いて縦横に格子状に形成される。溝の深さは3μmとする。その後、900℃でアニーリング処理を施す。画素14に対応する領域には、Al膜40が残り、それが光反射膜となる。
(c)SiO2 絶縁膜44を形成後、画素14の外縁に沿って横方向に、スパッタ法、蒸着法、あるいはメッキ法などによりCu膜を形成し、X側の駆動ライン32を配線する。駆動ラインは、Cuの他、AuやAlなどで作製してもよい。
(d)更に、同様に、SiO2 絶縁膜46を形成後、画素14の外縁に沿って縦方向に、スパッタ法、蒸着法、あるいはメッキ法などによりCu膜を形成し、Y側の駆動ライン34を配線する。この駆動ラインも、Cuの他、AuやAlなどで作製してもよい。
32 X側の駆動ライン
34 Y側の駆動ライン
Claims (4)
- ファラデー効果によって偏光方向の回転を与える画素が、多数、互いに離間した状態でX方向及びY方向に2次元的に配列され、画素に沿って配線したX側の駆動ライン及びY側の駆動ラインを流れる駆動電流によって発生する合成磁界により各画素の磁化方向を個別に制御する方式の磁気光学式空間光変調器において、
X側の駆動ライン及びY側の駆動ラインは、それぞれX方向に配列されている画素及びY方向に配列されている画素の周縁上を真っ直ぐに延び、X側とY側の駆動ラインによって各画素をその中心を除いて「井」の字状に囲むように配線され、且つターゲット画素を「井」の字状に囲むX側とY側の駆動ラインから発生する磁界の方向がターゲット画素中心で一致するようにしたことを特徴とする磁気光学式空間光変調器。 - 画素上の両側に配置された2本のX側の駆動ライン及び2本のY側の駆動ラインは対をなし、それぞれ一方の端部で短絡されてループが形成されており、X側及びY側で各駆動ライン対の短絡部が画素配列領域の両側に交互に現れるようにした請求項1記載の磁気光学式空間光変調器。
- X側とY側の駆動ラインは、それらの交差部近傍での線幅が部分的に画素の内側に向かって広げられている請求項1又は2記載の磁気光学式空間光変調器。
- X側とY側の駆動ラインは、画素の外縁側は直線状、反対側の画素の内側は凹凸形状となって狭幅部分と広幅部分が形成され、且つ狭幅部分と広幅部分との間で線幅が直線的もしくは曲線的に徐々に変化する配線パターンとなっている請求項3記載の磁気光学式空間光変調器。
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