JP2006154564A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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JP2006154564A
JP2006154564A JP2004347732A JP2004347732A JP2006154564A JP 2006154564 A JP2006154564 A JP 2006154564A JP 2004347732 A JP2004347732 A JP 2004347732A JP 2004347732 A JP2004347732 A JP 2004347732A JP 2006154564 A JP2006154564 A JP 2006154564A
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JP2004347732A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryota Mizusako
亮太 水迫
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Casio Comput Co Ltd
カシオ計算機株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical alignment type active matrix liquid crystal display element which can display an image of excellent quality free of a feeling of jaggedness by reducing disorder of alignment of liquid crystal molecules in a region adjacent to a TFT of a pixel. <P>SOLUTION: On an internal surface of one substrate 1 where a plurality of pixel electrodes 3, a TFT 4, a gate wiring 11, and a data wiring 12 are provided, an auxiliary electrode 14 which produces an electric field with a predetermined value with a counter electrode provided on an internal surface of the other substrate is provided corresponding to a circumferential part of the plurality of pixel electrodes 3 adjacently to the TFT 4. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと記す)をアクティブ素子とした垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子に関する。 The present invention, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) to an active matrix liquid crystal display device of the vertical alignment type active element.

垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子は、予め定めた間隙を存して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する複数の画素電極と、前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ対応させてその近傍に設けられ、対応する画素電極にそれぞれ接続された複数のTFTと、前記一方の基板の内面に、各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列のTFTにゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線及びデータ配線と、他方の基板の内面に設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記一対の基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けら Active matrix liquid crystal display device of a vertical alignment type, a pair of substrates facing each other and exist a predetermined gap, among the inner surfaces facing each other of the pair of substrates, provided on the inner surface of one substrate, the line a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix and column directions on the inner surface of one substrate, provided in the vicinity of each in correspondence to the plurality of pixel electrodes, respectively connected to the corresponding pixel electrodes plurality supplying a TFT, the the inner surface of one substrate, provided and along each one side of the one side and the pixel electrode array of the pixel electrodes row, a gate signal and a data signal to the TFT of the row and column of a plurality of gate and data lines, disposed on the inner surface of the other substrate, a counter electrode opposed to the plurality of pixel electrodes, et provided to cover the respective said electrode on an inner surface of said pair of substrates た垂直配向膜と、前記一対の基板間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなっている(特許文献1参照)。 A vertical alignment film consists of a liquid crystal layer having negative dielectric anisotropy is sealed in a gap between the pair of substrates (see Patent Document 1).
特許第2565639号公報 Patent No. 2565639 Publication

垂直配向型の液晶表示素子は、複数の画素電極と対向電極とが互いに対向する領域からなる複数の画素毎に、前記電極間への書込み電圧の印加により液晶分子を垂直配向状態から倒れ配向させて画像を表示する。 The liquid crystal display device of a vertical alignment type, for each of a plurality of pixels comprising a region where the plurality of pixel electrodes and the counter electrode are opposed to each other, are aligned falling liquid crystal molecules from a vertical orientation state by application of a write voltage between the electrodes Te to display the image.

しかし、従来の垂直配向型アクティブマトリックス液晶表示素子は、TFTのゲート電極への高電圧(15〜20V程度)のゲート信号の供給により、前記TFTのゲート電極と前記画素電極のTFT隣接部との間に基板面に沿った強い横電界が発生し、その横電界の影響により、前記画素のTFTに隣接する領域の液晶分子が挙動するため、各画素における液晶分子の配向が乱れ、この各画素毎の配向の乱れが表示にざらつき感を生じさせる。 However, the conventional vertical alignment type active matrix liquid crystal display element, by supplying the gate signal of the high voltage to the gate electrode of the TFT (about 15~20V), the TFT adjacent part of the gate electrode and the pixel electrode of the TFT strong lateral electric field is generated along the substrate surface while under the influence of the transverse electric field, the liquid crystal molecules in the region adjacent to the TFT of the pixel behaves, disturbed orientation of the liquid crystal molecules in each pixel, the pixel disturbance of the orientation of each causes a feeling of roughness to display.

この発明は、各画素毎の液晶分子の配向の乱れを少なくし、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供することを目的としたものである。 This invention reduces the disturbance of alignment of liquid crystal molecules for each pixel, and aims to provide an active matrix liquid crystal display device of a vertical alignment type without graininess good quality images can be displayed it is intended.

この発明の液晶表示素子は、予め定めた間隙を存して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する複数の画素電極と、前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ対応させてその近傍に設けられ、対応する画素電極にそれぞれ接続された複数のTFTと、前記一方の基板の内面に、各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列のTFTにゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線及びデータ配線と、他方の基板の内面に設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極の周囲の少なくとも前記TFTに隣接 The liquid crystal display device of this invention comprises a pair of substrates facing each other and exist a predetermined gap, among the inner surfaces facing each other of the pair of substrates, provided on the inner surface of one substrate, the row direction and column a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in a direction, an inner surface of said one substrate, the disposed near respectively to correspond to the plurality of pixel electrodes, a plurality of TFT that is connected to the corresponding pixel electrode , on the inner surface of one substrate, provided and along each one side of the one side and the pixel electrode array of the pixel electrodes lines, a plurality of gates for supplying a gate signal and a data signal to the TFT of the row and column and and data lines, disposed on the inner surface of the other substrate, a counter electrode opposed to the plurality of pixel electrodes, wherein the inner surface of one substrate, adjacent to at least the TFT around the plurality of pixel electrodes る部分にそれぞれ対応させて設けられ、前記対向電極と対向し、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を発生させる補助電極と、前記一対の基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記一対の基板間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とを備えたことを特徴とする。 That portion is provided respectively in correspondence, the opposed electrode and the counter, and the auxiliary electrode to generate an electric field of a predetermined value between the counter electrode, covering each of the electrodes on the inner surface of the pair of substrates a vertical alignment film provided, characterized by comprising a liquid crystal layer having negative dielectric anisotropy is sealed in a gap between the pair of substrates.

この発明の液晶表示素子において、前記補助電極は、前記一方の基板の基板面に形成され、前記画素電極は、前記補助電極を覆って設けられた絶縁膜の上に形成されており、前記TFTの半導体膜上の電極と前記画素電極とを接続する接続電極は、前記補助電極と交差する部分が前記TFTの前記半導体膜上の電極の幅よりも細い形状に形成されているのが望ましい。 In the liquid crystal display device of the present invention, the auxiliary electrode is formed on the substrate surface of one substrate, the pixel electrode is formed on an insulating film provided to cover the auxiliary electrode, the TFT electrodes and connection electrodes for connecting the pixel electrode on the semiconductor film, the portion intersecting with the auxiliary electrode is formed into a thin shape than a width of the semiconductor film on the electrode of the TFT is desirable.

さらに、この液晶表示素子においては、前記画素電極を、前記TFTに隣接する部分の電極縁の一部を前記TFTから離間させた形状に形成し、前記TFTの前記半導体膜上の電極と前記画素電極とを接続する接続電極を、前記画素電極の前記TFTから離間した部分に対応する領域内において前記補助電極と交差するように形成するのが好ましい。 Further, in this liquid crystal display device, the pixel electrode, a part of the electrode edges of the portion adjacent to the TFT is formed in a shape is separated from the TFT, the a electrode on the semiconductor film of the TFT pixel a connection electrode for connecting the electrodes, preferably formed so as to cross the auxiliary electrode in the region corresponding to the portion separated from the TFT of the pixel electrode. また、前記補助電極は、前記画素電極の周囲の少なくともTFT及びゲート配線に隣接する縁部に対応させて設けるのが望ましい。 The auxiliary electrode is preferably provided so as to correspond to the edge adjacent at least TFT and the gate wiring of the periphery of the pixel electrode.

前記補助電極は、前記画素電極の全周にわたって設けるのがより望ましい。 The auxiliary electrode, to dispose over the entire periphery of the pixel electrode more desirable. さらに、前記補助電極は、前記対向電極の電位と同じ値の電位に設定し、前記対向電極との間に実質的に電界が印加されない領域を形成するのが好ましい。 Further, the auxiliary electrode is set to the potential of the same value as the potential of the opposing electrode, it is preferable to form a region substantially no electric field is applied between the counter electrode.

また、前記補助電極は、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成するのが好ましい。 The auxiliary electrode is preferably formed capacitor electrode and integrally forming the compensating capacitor between the pixel electrode.

この発明の液晶表示素子においては、前記複数の画素電極にそれぞれ、前記画素電極を複数の電極部に区分するスリットを設けるのが望ましい。 In the liquid crystal display device of the present invention, each of the plurality of pixel electrodes, wherein the slits partitioning the pixel electrode into a plurality of electrode portions are desirable. その場合は、前記補助電極に、前記複数の画素電極のスリットにそれぞれ対応する延長部を形成するのが好ましい。 In that case, the auxiliary electrode, it is preferable to form the extensions which correspond to the slits of the plurality of pixel electrodes.

また、この発明の液晶表示素子においては、前記他方の基板の内面に、前記一方の基板の内面に設けられた複数の画素電極の中心部にそれぞれ対応する複数の突起を設けるのが望ましい。 In the liquid crystal display device of the present invention, the inner surface of the other substrate, of providing a plurality of projections respectively corresponding to the central portion of the plurality of pixel electrodes provided on the inner surface of the one substrate it is desirable.

この発明の液晶表示素子は、複数の画素電極とTFTとゲート配線及びデータ配線を設けた一方の基板の内面に、前記複数の画素電極の周囲の少なくとも前記TFTに隣接する部分にそれぞれ対応させて、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を発生させる補助電極を設けたものであるため、前記TFTのゲート電極に印加されるゲート信号の電圧が前記ゲート電極と画素電極との間に印加されることが無く、したがって、前記複数の画素電極と対向電極とが互いに対向する領域からなる複数の画素毎の前記ゲート信号による横電界の影響による液晶分子の配向の乱れをなくして、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる。 The liquid crystal display device of the present invention, the inner surface of one substrate having a plurality of pixel electrodes and TFT and the gate and data lines, respectively so as to correspond to at least a portion adjacent to the TFT around the plurality of pixel electrodes the order in which is provided an auxiliary electrode for generating an electric field of a predetermined value between the counter electrode, between the voltage of the gate signal applied to the gate electrode of the TFT is the gate electrode and the pixel electrode without being applied to, therefore, eliminate the disturbance of alignment of liquid crystal molecules due to the influence of the transverse electric field by the gate signal for each of a plurality of pixels comprising a region where the plurality of pixel electrodes and the counter electrode are opposed to each other, good quality image with no rough feeling can be displayed.

この発明の液晶表示素子において、前記補助電極は、前記一方の基板の基板面に形成され、前記画素電極は、前記補助電極を覆って設けられた絶縁膜の上に形成されており、前記TFTの半導体膜上の電極と画素電極とを接続する接続電極は、前記補助電極と交差する部分が前記TFTの前記半導体膜上の電極の幅よりも細い形状に形成されているのが望ましく、このようにすることにより、前記画素における液晶分子の配向の乱れをさらに少なくすることができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, the auxiliary electrode is formed on the substrate surface of one substrate, the pixel electrode is formed on an insulating film provided to cover the auxiliary electrode, the TFT the connection electrode for connecting the electrode on the pixel electrode of the semiconductor film, it is desirable portion intersecting with the auxiliary electrode is formed into a thin shape than a width of the semiconductor film on the electrode of the TFT, this by way, it is possible to further reduce the disturbance of alignment of liquid crystal molecules in the pixel.

さらに、この液晶表示素子においては、前記画素電極を、前記TFTに隣接する部分の電極縁の一部を前記TFTから離間させた形状に形成し、前記TFTの前記半導体膜上の電極と前記画素電極とを接続する接続電極を、前記画素電極の前記TFTから離間した部分に対応する領域内において前記補助電極と交差するように形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記画素における液晶分子の配向の乱れをほとんど無くすことができる。 Further, in this liquid crystal display device, the pixel electrode, a part of the electrode edges of the portion adjacent to the TFT is formed in a shape is separated from the TFT, the a electrode on the semiconductor film of the TFT pixel a connection electrode for connecting the electrodes is preferably the formed so as to intersect the auxiliary electrodes in a region corresponding to the portion separated from the TFT of the pixel electrodes, by doing so, the liquid crystal in the pixel it is possible to eliminate most of the disturbance of the orientation of the molecules. また、前記補助電極は、前記画素電極の周囲の少なくともTFT及びゲート配線に隣接する縁部に対応させて設けるのが望ましく、このようにすることにより、前記画素の前記ゲート配線に隣接する領域の液晶分子の配向の乱れも無くすことができる。 The auxiliary electrode is desirably provided so as to correspond to the edge adjacent at least TFT and the gate wiring of the periphery of the pixel electrode, by doing so, the region adjacent to the gate line of the pixel it is possible to eliminate also disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules.

前記補助電極は、前記画素電極の全周にわたって設けるのがより望ましく、このようにすることにより、前記画素の周囲の基板間電界(補助電極と対向電極との間の電界)を前記画素の全周にわたって同じにし、前記画素内の液晶分子を、各画素毎に、前記画素電極と対向電極との間に印加された書込み電圧に対応させて良好に倒れ配向させ、より良好な品質の画像を表示することができる。 The auxiliary electrode is more desirable provided over the entire periphery of the pixel electrode, by doing this, all of the pixels (the electric field between the auxiliary electrode and the counter electrode) around the substrate between the electric field of the pixel the same west a circumferential, the liquid crystal molecules in said pixels, for each pixel, the which is highly collapse oriented in correspondence with the applied write voltage between the pixel electrode and the counter electrode, a better quality image it can be displayed.

さらに、前記補助電極は、前記対向電極の電位と同じ値の電位に設定し、前記対向電極との間に実質的に電界が印加されない領域を形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記画素の周囲を前記画素の全周にわたって実質的に無電界状態にし、前記画素内の液晶分子を、各画素毎に、前記書込み電圧に対応させてより良好に倒れ配向させ、さらに良好な品質の画像を表示することができる。 Further, the auxiliary electrode is set to the potential of the same value as the potential of the opposing electrode, it is preferable to form a substantially region where no electric field is applied between the counter electrode, by doing so, substantially the no electric field state around the pixel over the entire periphery of the pixel, the liquid crystal molecules in said pixels, for each pixel, said to correspond to the write voltage is better fall orientation, a better quality image can be displayed in.

また、前記補助電極は、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成するのが好ましく、このようにすることにより、充分な開口率を得ることができる。 The auxiliary electrode is preferably capacitive electrode integrally formed to form a compensating capacitor between the pixel electrode, by doing so, it is possible to obtain a sufficient aperture ratio.

この発明の液晶表示素子においては、前記複数の画素電極にそれぞれ、前記画素電極を複数の電極部に区分するスリットを設けるのが望ましく、このようにすることにより、前記画素内の液晶分子を、前記画素電極の前記スリットにより区分された複数の電極部にそれぞれ対応する複数の領域毎に、前記書込み電圧に対応させて倒れ配向させ、各画素の表示むらを無くして高品質の画像を表示することができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, each of the plurality of pixel electrodes, wherein the slits partitioning the pixel electrode into a plurality of electrode portions are desirable By thus doing, the liquid crystal molecules in said pixel, in each of a plurality of areas corresponding to a plurality of electrode portions which are partitioned by the slit of the pixel electrode, in correspondence to the write voltage is oriented fallen to display high quality images by eliminating display unevenness of each pixel be able to.

その場合は、前記補助電極に、前記複数の画素電極のスリットにそれぞれ対応する延長部を形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記画素の前記複数の領域の周囲の基板間電界をそれぞれ各領域の全周にわたって同じにし、前記画素内の液晶分子を、前記複数の領域毎に、前記書込み電圧に対応させて良好に倒れ配向させ、より高品質の画像を表示することができる。 In that case, the auxiliary electrode, it is preferable to form an extension which correspond to the slits of the plurality of pixel electrodes, by doing so, the inter-substrate electric field around the plurality of regions of the pixel the same west over the entire circumference of the respective regions, respectively, the liquid crystal molecules in said pixels, for each of the plurality of regions, said to correspond to a write voltage which is highly collapse orientation, it is possible to display a higher quality image.

また、この発明の液晶表示素子においては、前記他方の基板の内面に、前記一方の基板の内面に設けられた複数の画素電極の中心部にそれぞれ対応する複数の突起を設けるのが望ましく、このようにすることにより、前記画素内の液晶分子の書込み電圧の印加による倒れ方向を、前記突起により、前記画素の周縁部から前記画素の中心部に向かって倒れるように規定することができるため、各画素内の液晶分子を規則的に倒れ配向させ、むらの無い良好な画像を表示することができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, the inner surface of the other substrate, to dispose a plurality of projections respectively corresponding to the central portion of the plurality of pixel electrodes provided on the inner surface of the one substrate Desirably, the by way, since the falling direction due to the application of the write voltage of the liquid crystal molecules in said pixel, by the projection it can be defined from the periphery of the pixel to fall toward the center of the pixel, the liquid crystal molecules in each pixel regularly fall oriented, it is possible to display a good image with no unevenness.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
図1〜図5はこの発明の第1の実施例を示しており、図1は液晶表示素子の一方の基板の1つの画素部の平面図、図2及び図3は図1のII−II線及びIII−III線に沿う液晶表示素子の断面図である。 Figures 1-5 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is one of the plan view of one pixel portion of the substrate of the liquid crystal display element, II-II of FIG. 2 and 3 Figure 1 it is a cross-sectional view of a liquid crystal display device taken along a line and III-III line.

この液晶表示素子は、TFTをアクティブ素子とした垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子であり、図1〜図3に示したように、予め定めた間隙を存して対向配置された一対の透明基板1,2と、前記一対の基板1,2の互いに対向する内面のうち、一方の基板1の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する複数の透明な画素電極3と、前記一方の基板1の内面に、前記複数の画素電極3にそれぞれ対応させてその近傍に設けられ、対応する画素電極3にそれぞれ接続された複数のTFT4と、前記一方の基板1の内面に、各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列のTFT4にゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線11及びデータ配線12 The liquid crystal display device is an active matrix liquid crystal display device of a vertical alignment type in which the TFT active elements, as shown in FIGS. 1 to 3, oppositely disposed pair of transparent to exist a predetermined gap a substrate 1, of the inner surfaces facing each other of the pair of substrates 1 and 2, provided on one of the inner surface of the substrate 1, a plurality of transparent pixel electrodes 3 arranged in a matrix form in the row and column directions the one inner surface of the substrate 1 of the provided plurality of in the vicinity respectively to correspond to the pixel electrode 3, a plurality of TFT4 respectively connected to the pixel electrode 3 corresponding the one inner surface of the substrate 1 , provided and along each one side of the one side and the pixel electrode array of the pixel electrodes lines, a plurality of gate lines 11 and data lines for supplying a gate signal and a data signal to TFT4 of the row and column 12 、他方の基板2の内面に設けられ、前記複数の画素電極3に対向する一枚膜状の透明な対向電極15と、前記一対の基板1,2の内面にそれぞれ前記電極3,15を覆って設けられた垂直配向膜18,19と、前記一対の基板1,2間の間隙に封入された負の誘電異方性を有するネマティック液晶層20とからなっている。 , Provided on the other inner surface of the substrate 2, a single film-like transparent counter electrode 15 that faces the plurality of pixel electrodes 3, respectively on the inner surface of the pair of substrates 1 and 2 the electrode 3,15 over and vertical alignment films 18 and 19 provided Te, which is nematic liquid crystal layer 20 and having a negative dielectric anisotropy is sealed in the gap between the pair of substrates 1 and 2.

以下、前記画素電極3とTFT4とゲート配線11及びデータ配線12を設けた一方の基板をTFT基板と言い、対向電極15を設けた他方の基板2を対向基板と言う。 Hereinafter, the pixel electrode 3 and the TFT4 and one of the substrate provided with the gate lines 11 and data lines 12 called as a TFT substrate, refers to other substrate 2 provided with the counter electrode 15 and the counter substrate.

なお、この液晶表示素子は、カラー画像表示素子であり、前記対向基板2の内面に、前記複数の画素電極3と対向電極15とが互いに対向する領域からなる複数の画素の間の領域に対向する格子膜状のブラックマスク16と、各画素列にそれぞれ対応する赤、緑、青の3色のカラーフィルタ17R,17G,17Bが設けられ、前記カラーフィルタ17R,17G,17Bの上に前記対向電極15が形成され、その上に前記垂直配向膜19が形成されている。 Incidentally, the liquid crystal display device is a color image display device, wherein the inner surface of the counter substrate 2, opposite to the region between the plurality of pixels comprising a region where the plurality of pixel electrodes 3 and the counter electrode 15 are opposed to each other red and lattice film-like black mask 16, corresponding to each pixel column, a green, three color filters 17R and blue, 17G, 17B are provided, the opposed the color filter 17R, 17G, on the 17B electrode 15 is formed, the vertical alignment film 19 is formed thereon.

前記複数のTFT4は、前記TFT基板1の基板面に形成されたゲート電極5と、前記ゲート電極5を覆って前記画素電極3の配列領域の全域に形成された透明なゲート絶縁膜6と、前記ゲート絶縁膜6の上に前記ゲート電極5と対向させて形成されたi型半導体膜7と、この半導体膜7のチャンネル領域を覆って形成されたブロッキング絶縁膜8(図1には図示せず)と、前記半導体膜7のチャンネル領域を挟んでその一側部と他側部の上に図示しないn型半導体膜を介して形成されたドレイン電極9及びソース電極10とからなっている。 Wherein the plurality of TFT4 includes a gate electrode 5 formed on the substrate surface of the TFT substrate 1, a transparent gate insulating film 6 formed over the entire sequence region of the pixel electrode 3 to cover the gate electrode 5, wherein the i-type semiconductor layer 7 in which the formed by facing the gate electrode 5 on the gate insulating film 6, shown was the blocking insulating film 8 (FIG. 1 formed over the channel region of the semiconductor film 7 and not), which is from its one side and not shown on the other side n-type semiconductor film formed over the drain electrode 9 and the source electrode 10 Metropolitan sandwiching the channel region of the semiconductor film 7.

なお、前記ゲート配線11は、前記TFT基板1の基板面に前記TFT4のゲート電極5と一体に形成されており、前記データ配線12は、前記ゲート絶縁膜6の上に前記TFT4のドレイン電極9と一体に形成されている。 Incidentally, the gate line 11, wherein the substrate surface of the TFT substrate 1 is formed integrally with the gate electrode 5 of TFT4, the data line 12, the drain electrode 9 of the TFT4 on the gate insulating film 6 It is formed integrally with.

また、前記画素電極3は、前記ゲート絶縁膜6の上に形成されており、前記TFT4のソース電極10は、このソース電極10から前記ゲート絶縁膜6の上に延長された接続電極10aを介して前記画素電極3に接続されている。 Further, the pixel electrode 3, the is formed on the gate insulating film 6, the source electrode 10 of the TFT4 is via an extension connection electrode 10a on the gate insulating film 6 from the source electrode 10 It is connected to the pixel electrode 3 Te.

そして、前記TFT4とデータ配線12は、前記TFT基板1の内面に各画素電極3に対応する部分を除いて形成されたオーバーコート絶縁膜13(図1には図示せず)により覆われており、その上に前記垂直配向膜18が形成されている。 Then, the TFT4 and the data line 12 is covered by an overcoat insulating film 13 formed except for portions corresponding to each pixel electrode 3 (not shown in FIG. 1) to the inner surface of the TFT substrate 1 the vertical alignment film 18 is formed thereon.

さらに、この液晶表示素子は、前記TFT基板1の内面に、前記複数の画素電極3の周囲の少なくとも前記TFT4のゲート電極5に隣接する部分にそれぞれ対応させて設けられ、前記対向基板2の内面の対向電極15と対向し、前記対向電極15との間に、前記ゲート配線11を介して前記TFT4のゲート電極5に供給されるゲート信号の電圧値よりも低い予め定めた値の電界を発生させる補助電極14を備えている。 Further, the liquid crystal display device, the inner surface of the TFT substrate 1, the plurality of provided corresponding to the at least a portion adjacent to the gate electrode 5 of the TFT4 around the pixel electrode 3, the inner surface of the counter substrate 2 to face the counter electrode 15 of the between the counter electrode 15, generates an electric field of low predetermined value than the voltage value of the gate signal supplied to the gate electrode 5 of the through the gate line 11 TFT 4 and an auxiliary electrode 14 for.

この補助電極14は、前記画素電極3の周囲の少なくともTFT4のゲート電極5及びゲート配線11に隣接する縁部に対応させて設けるのが好ましく、さらには、前記画素電極3の全周にわたって設けるのが好ましい。 The auxiliary electrode 14, the are preferably provided in correspondence with an edge portion adjacent to the gate electrode 5 and the gate wire 11 around the at least TFT4 of the pixel electrode 3, further provided over the entire periphery of the pixel electrode 3 It is preferred.

この実施例では、前記補助電極14を、前記画素電極3の全周にわたって設けている。 In this embodiment, the auxiliary electrode 14 is provided over the entire periphery of the pixel electrode 3. なお、図1では、図を見やすくするために、補助電極14に対応する部分に平行斜線を施している。 In FIG. 1, for clarity of illustration, it is subjected to parallel oblique lines in the portion corresponding to the auxiliary electrode 14.

前記補助電極14は、前記画素電極3との間に補償容量を形成する容量電極と一体に形成され、前記容量電極を兼ねている。 The auxiliary electrode 14, the formed on the capacitor electrode integrally forming a compensating capacitor between the pixel electrode 3 also serves as the capacitor electrode.

すなわち、前記補助電極14は、前記TFT基板1の基板面に前記画素電極3の全周に対応させて設けられた枠状の金属膜からなっており、この枠状金属膜の各辺部は、その内側縁部が前記ゲート絶縁膜6を介して前記画素電極3の周縁部に対向し、外側縁部が前記画素電極3の外方に張出す幅に形成されている。 That is, the auxiliary electrode 14, the and the substrate surface of the TFT substrate 1 in correspondence to the entire circumference of the pixel electrode 3 is a frame-like metal film provided in each side portion of the frame-shaped metal film its inner edge via the gate insulating film 6 facing the periphery of the pixel electrode 3, the outer edge is formed to a width issue outwardly Zhang of the pixel electrode 3.

そして、前記枠状金属膜の各辺部の内側縁部は、前記画素電極3の周縁部との間に前記ゲート絶縁膜6を誘電体層とする補償容量を形成する容量電極部とされており、枠状金属膜の各辺部の外側側縁部、つまり前記画素電極3の外方に張出した部分は、前記対向電極15と対向し、前記対向電極15との間に前記予め定めた値の電界を形成する補助電極部とされている。 The inner edge of each side portion of the frame-like metal film, the gate insulating film 6 is a capacitance electrode part for forming a compensation capacitor for a dielectric layer between the peripheral edge portion of the pixel electrode 3 cage, outer side edge of each side portion of the frame-shaped metal film, i.e. Zhang out portion outward of the pixel electrode 3, facing the counter electrode 15, the predetermined between the counter electrode 15 It is an auxiliary electrode portion forms an electric field value.

なお、前記補助電極14は、前記TFT基板1の基板面に形成され、前記画素電極3は、前記補助電極14を覆って設けられた前記ゲート絶縁膜6の上に形成されており、前記TFT4の半導体膜7上のソース電極10と画素電極3とを接続する接続電極10aは、前記TFT4のソース電極10から前記ゲート絶縁膜6の上に延長されて前記画素電極3に接続されているため、前記補助電極14は、前記接続電極10aが交差している部分以外の領域において前記対向電極15と対向している。 Incidentally, the auxiliary electrode 14 is formed on the substrate surface of the TFT substrate 1, the pixel electrode 3 is formed on the auxiliary electrode 14 the gate insulating film 6 provided to cover the said TFT4 connection electrode 10a for connecting the source electrode 10 on the semiconductor film 7 and the pixel electrode 3, is extended because it is connected to the pixel electrode 3 from the source electrode 10 of the TFT4 on the gate insulating film 6 , the auxiliary electrode 14, the connection electrode 10a are opposite to the counter electrode 15 in a region other than the portion intersecting.

そのため、この実施例では、前記接続電極10aの前記補助電極14と交差する部分を、その部分の抵抗値が許容値を越えない範囲で、前記TFT4の半導体膜7上の部分の幅、つまりTFT4のチャンネル幅よりも細く形成して前記接続電極10aが補助電極14と交差する部分の幅を狭くし、前記補助電極14の対向電極15との対向領域を長くしている。 Therefore, in this embodiment, the portion intersecting with the auxiliary electrode 14 of the connection electrode 10a, to the extent that the resistance value of that part does not exceed the allowable value, the width of the portion of the semiconductor film 7 of the TFT4, i.e. TFT4 the connection electrode 10a is narrower portion intersecting the auxiliary electrode 14 is formed narrower than the channel width of, and prolong the region facing the counter electrode 15 of the auxiliary electrode 14.

さらに、この実施例では、前記画素電極3を、TFT4に隣接する部分の電極縁の一部を前記TFT4から離間させた形状に形成し、前記TFT4のソース電極10と画素電極3とを接続する接続電極10aを、前記画素電極3のTFT4から離間した部分に対応する領域内において前記補助電極14と交差するように形成している。 Further, in this embodiment, the pixel electrode 3, is formed in a shape obtained by separating the part of the electrode edges of the portion adjacent from the TFT4 in TFT4, connecting the source electrode 10 and the pixel electrode 3 of the TFT4 the connection electrode 10a, are formed so as to intersect the auxiliary electrodes 14 in the region corresponding to the portion separated from TFT4 of the pixel electrode 3.

なお、この実施例では、図1に示したように、前記画素電極3のTFT4に隣接する部分の電極縁のうち、画素電極3の角部側の電極縁をTFT4から離間させているが、前記画素電極3のTFT4に隣接する部分の電極縁の他の部分(例えば中央部)をTFT4から離間させてもよい。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, the one electrode edge portion adjacent to the TFT4 pixel electrode 3, although is separated electrode edge of the corner side of the pixel electrode 3 from the TFT4, the other part of the electrode edges of the portion adjacent to the TFT4 of the pixel electrode 3 (for example, a central portion) may be separated from the TFT4. 前記複数の画素電極3の周囲にそれぞれ対応する補助電極14は、各画素電極行毎に、前記ゲート配線11側とは反対側の端部において一体につながっており、さらに、各行の補助電極14は、前記複数の画素電極3の配列領域の外側の一端または両端に前記データ配線12と平行に設けられた図示しない補助電極接続配線に共通接続されている。 Auxiliary electrodes 14 respectively corresponding to the periphery of the plurality of pixel electrodes 3, each pixel electrode row, wherein are integrally connected to the end opposite to the gate line 11 side, further, each row of the auxiliary electrode 14 It is commonly connected to the data lines 12 and (not shown) provided in parallel auxiliary electrode connecting wires to the outside of one or both ends of the arrangement region of the plurality of pixel electrodes 3.

前記一対の基板1,2は、前記複数の画素電極3の配列領域を囲む図示しない枠状のシール材を介して接合されており、前記液晶層20は、前記一対の基板1,2間の前記シール材で囲まれた領域に封入されている。 The pair of substrates 1 and 2, wherein are joined via a plurality of unillustrated surrounding the array region of the pixel electrode 3 frame-shaped sealing member, the liquid crystal layer 20, between the pair of substrates 1 and 2 It is sealed in a region surrounded by the sealing material.

そして、前記液晶層20の液晶分子20aは、前記一対の基板1,2の内面にそれぞれ設けられた垂直配向膜18,19の垂直配向性により、前記基板1,2に対して実質的に垂直に配向している。 Then, the liquid crystal molecules 20a of the liquid crystal layer 20, the vertical orientation of the vertical alignment films 18 and 19 respectively provided on the inner surface of the pair of substrates 1 and 2, substantially perpendicular to the substrates 1 and 2 It is oriented to.

また、前記TFT基板1は、図示しないが、その行方向の一端と列方向の一端とにそれぞれ、前記対向基板2の外方に突出する張出部を有しており、その行方向の張出部に複数のゲート側ドライバ接続端子が配列形成され、列方向の張出部に複数のデータ側ドライバ接続端子が配列形成されている。 Further, the TFT substrate 1, although not shown, each of the one ends and the column direction of the row direction, has a projecting portion which projects outwardly of the opposite substrate 2, in the row direction Zhang are output portion arranged a plurality of gate-side driver connection terminals formed, a plurality of data-side driver connected terminals are arranged and formed in a column direction of the protrusion.

そして、前記複数のゲート配線11は、前記行方向の張出部に導出されて前記複数のゲート側ドライバ接続端子にそれぞれ接続され、前記複数のデータ配線12は、前記列方向の張出部に導出されて前記複数のデータ側ドライバ接続端子にそれぞれ接続されており、前記補助電極接続配線は、前記行方向と列方向の張出部の一方または両方に導出され、その張出部の複数のドライバ接続端子のうちの基準電位端子に接続されている。 Then, the plurality of gate lines 11, the is the row direction respectively connected to be derived in the projecting portion of the plurality of gate-side driver connection terminals of the plurality of data lines 12, the projecting portion of the column be derived are respectively connected to the plurality of data-side driver connected terminals, the auxiliary electrode connection lines, said derived one or both of the row and column directions of the projecting portion, a plurality of the projecting portions It is connected to the reference potential terminal of the driver connection terminals.

さらに、前記TFT基板1の内面には、前記シール材による基板接合部の角部付近から前記行方向と列方向の張出部の一方または両方に導出されて前記ドライバ接続端子のうちの基準電位端子(補助電極接続配線が接続された端子と同じ端子でも別の基準電位端子でもよい)に接続された対向電極接続配線が設けられており、前記対向基板2の内面に設けられた対向電極15は、前記基板接合部において前記対向電極接続配線に接続され、この対向電極接続配線を介して前記基準電位端子に接続されている。 Further, the inner surface of the TFT substrate 1, the reference potential of the row and column directions are derived in one or both of the protrusion and the driver connection terminal from the vicinity of the corners of the substrate portions bonded by the sealing material terminal and a counter electrode connected connection wiring (which may be a separate reference potential terminal have the same terminal as the terminal to the auxiliary electrode connection lines are connected) are provided, the counter electrode 15 provided on the inner surface of the opposing substrate 2 , said at substrate junction is connected to the counter electrode connecting wires are connected to the reference potential terminal via the counter electrode connecting wires.

すなわち、この実施例では、前記複数の補助電極14の電位を前記対向電極15の電位(基準電位)と同じ値の電位に設定し、これらの補助電極14と対向電極15との間に実質的に電界が印加されない領域(電界が0の領域)を形成するようにしている。 That is, in this embodiment, to set the potential of the plurality of auxiliary electrodes 14 to the potential of the same value as the potential (reference potential) of the counter electrode 15, substantially between these auxiliary electrodes 14 and the counter electrode 15 field (electric field region of 0) region which is not applied is in the form to.

また、前記一対の基板1,2の外面にはそれぞれ偏光板21,22がその透過軸を予め定めた方向に向けて配置されている。 Further, the each of the outer surfaces polarizing plates 21 and 22 of the pair of substrates 1 and 2 are directed toward the predetermined direction and the transmission axis. なお、この実施例では、前記偏光板21,22をそれぞれの透過軸を実質的に互いに直交させて配置し、液晶表示素子にノーマリーブラックモードの表示を行なわせるようにしている。 In this embodiment, the polarizing plates 21, 22 disposed substantially are perpendicular to each other each transmission axis and so as to perform display of a normally black mode liquid crystal display device.

この液晶表示素子は、複数の画素毎に、前記画素電極3と対向電極15との間への書込み電圧の印加により液晶分子20aを垂直配向状態から倒れ配向させて画像を表示する。 The liquid crystal display device, for each of a plurality of pixels, and displays an image by orienting falling liquid crystal molecules 20a from a vertical orientation state by application of a write voltage to between the pixel electrode 3 and the counter electrode 15.

図4及び図5は前記液晶表示素子の1つの画素部の液晶分子20aの倒れ配向状態を示す断面図及び平面図であり、前記液晶分子20aは、各画素毎に、前記書込み電圧の印加により、図4に破線で示した等電位線に沿った方向に分子長軸を向けて、画素の周縁部から中心部に向かって渦巻き状に配列して倒れ、画素の中心部の液晶分子20aは、その周囲に位置する液晶分子20aとの間に相互に働く分子間力の作用により立上がるように配向する。 Figure 4 and 5 are a sectional view and a plan view showing the inclination alignment of the liquid crystal molecules 20a of one pixel portion of the liquid crystal display device, the liquid crystal molecules 20a, for each pixel, by application of the write voltage , toward the molecular long axis direction along the equipotential lines shown in broken lines in FIG. 4, fallen arranged spirally toward the center from the periphery of the pixel, the liquid crystal molecules 20a in the center portion of the pixel , oriented such rise by the action of intermolecular force acting mutually between the liquid crystal molecules 20a located therearound.

この液晶表示素子は、前記TFT基板1の内面に、前記複数の画素電極3の周囲の少なくともTFT4に隣接する部分にそれぞれ対応させて、前記対向基板2に設けられた対向電極15との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極14を設けたものであるため、前記TFT4のゲート電極5に印加されるゲート信号の電圧が前記ゲート電極5と画素電極3との間に印加されることが無く、したがって、前記複数の画素毎の前記ゲート信号による横電界の影響による液晶分子20aの配向の乱れをなくして、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる。 The liquid crystal display device, the inner surface of the TFT substrate 1, the respectively to correspond more to the portion adjacent to at least TFT4 around the pixel electrode 3, between the counter electrode 15 provided on the opposed substrate 2 since is provided with a auxiliary electrode 14 forms an electric field of a predetermined value is applied between the voltage of the gate signal is the gate electrode 5 and the pixel electrode 3 applied to the gate electrode 5 of the TFT4 not, therefore, to eliminate the disturbance of alignment of liquid crystal molecules 20a due to the effect of the transverse electric field by the gate signal for each of the plurality of pixels, without graininess good quality images can be displayed.

すなわち、この液晶表示素子は、前記TFT基板1の内面に、複数の画素電極3の周囲の少なくともTFT4に隣接する部分にそれぞれ対応させて前記補助電極14を設け、この補助電極14と対向電極15との間に前記TFT4のゲート電極5に供給されるゲート信号の電圧値よりも低い予め定めた値の電界を形成しているため、従来の液晶表示素子のように、TFTのゲート電極へのゲート信号の供給によりTFTのゲート電極と画素電極のTFT隣接部との間に基板面に沿った強い横電界が発生し、その横電界の影響により画素のTFTに隣接する領域の液晶分子が挙動することによって生じる各画素毎の液晶分子の配向が乱れは無い。 That is, the liquid crystal display device, the inner surface of the TFT substrate 1, respectively in a portion adjacent to at least TFT4 around the plurality of pixel electrodes 3 to correspond to the auxiliary electrode 14 provided, the auxiliary electrode 14 and the counter electrode 15 due to the electric field of the low predetermined value than the voltage value of the gate signal supplied to the gate electrode 5 of the TFT4 between, as in the conventional liquid crystal display device, to the gate electrode of the TFT liquid crystal molecules behave in the regions strong lateral electric field is generated along the substrate surface, adjacent to the pixel of the TFT due to the influence of the transverse electric field between the TFT adjacent part of the gate electrode of the TFT and the pixel electrode by the supply of a gate signal alignment of liquid crystal molecules in each pixel is disturbed not caused by.

ただし、前記補助電極14は、上述したように、前記TFT4のソース電極10と画素電極3とを接続する接続電極10aが交差している部分以外の領域において前記対向電極15と対向しており、前記接続電極10aが交差している部分には、TFT4のソース電極10から前記接続電極10aを介して画素電極3に供給されたデータ信号による電界と前記TFT4のゲート電極5に供給されたゲート信号による電界が生じるが、これらの電界の発生領域は極く小さいため、前記横電の影響による画素のTFT4に隣接する領域の液晶分子20aの配向の乱れは少ない。 However, the auxiliary electrode 14, as described above, faces the said counter electrode 15 in a region other than a portion where the connection electrode 10a intersects connecting the source electrode 10 and the pixel electrode 3 of the TFT 4, the connection to the portion where the electrodes 10a intersect, an electric field with the gate signal supplied to the gate electrode 5 of the TFT4 by data signals supplied to the pixel electrode 3 via the connecting electrode 10a from the source electrode 10 of the TFT4 Although the electric field due to occur, for generating area of ​​the field is very small, disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules 20a in a region adjacent TFT4 the pixels due to the influence of the transverse electric less.

しかも、この実施例では、前記TFT4のソース電極10と画素電極3とを接続する接続電極10aの前記補助電極14と交差する部分を、その部分の抵抗値が許容値を越えない範囲で、前記TFT4のi型半導体膜7上の部分の幅、つまりTFT4のチャンネル幅よりも細く形成し、前記補助電極14の対向電極15との対向領域を長くしているため、前記TFT4へのゲート信号の供給による横電界の発生領域をより小さくすることができ、したがって、前記画素における液晶分子20aの配向の乱れをさらに少なくすることができる。 Moreover, in this embodiment, the portion intersecting with the auxiliary electrode 14 of the connection electrode 10a for connecting the source electrode 10 and the pixel electrode 3 of the TFT 4, to the extent that the resistance value of that part does not exceed the allowable value, the TFT4 of i-type semiconductor film 7 on the portion of the width, i.e. narrower form than the channel width of the TFT4, since the longer the region facing the counter electrode 15 of the auxiliary electrode 14, the gate signal to the TFT4 it is possible to further reduce the generation area of ​​the transverse electric field by supplying, therefore, it is possible to further reduce the disturbance of alignment of liquid crystal molecules 20a in the pixel.

さらに、この実施例においては、前記画素電極3を、前記TFT4に隣接する部分の電極縁の一部を前記TFT4から離間させた形状に形成し、前記TFT4のソース電極10と画素電極3とを接続する接続電極10aを、前記画素電極3の前記TFT4から離間した部分に対応する領域内において前記補助電極14と交差するように形成しているため、前記接続電極10aが交差している部分に電界が生じ難くするとともに、その電界の強さを弱くすることができ、したがって、前記画素における液晶分子20aの配向の乱れをほとんど無くすことができる。 Further, in this embodiment, the pixel electrode 3, a part of the electrode edge portion adjacent to the TFT4 is formed in a shape is separated from the TFT4, the source electrode 10 and the pixel electrode 3 of the TFT4 the connection electrode 10a that connects the because it formed to cross the auxiliary electrode 14 in the region corresponding to the portion separated from the TFT4 of the pixel electrode 3, the portion where the connection electrode 10a intersects with the electric field is less likely to occur, the intensity of the electric field can be a weakening, thus, can be substantially eliminated disturbance of alignment of liquid crystal molecules 20a in the pixel.

また、この実施例では、前記補助電極14を、前記画素電極3の周囲のTFT4及びゲート配線11に隣接する縁部に対応させて設けているため、前記画素のゲート配線11に隣接する領域の液晶分子20aの配向の乱れを無くすことができる。 Further, in this embodiment, the auxiliary electrode 14, since the provided corresponding to the edge adjacent to the TFT4 and the gate wiring 11 around the pixel electrode 3, the region adjacent to the gate line 11 of the pixel it is possible to eliminate the disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules 20a.

さらに、この実施例では、前記補助電極14を、前記画素電極3の全周にわたって設けているため、前記画素の周囲の基板間電界(補助電極14と対向電極15との間の電界)を前記画素の全周にわたって同じにし、前記画素内の液晶分子20aを、各画素毎に、前記画素電極3と対向電極15との間に印加された書込み電圧に対応させて良好に倒れ配向させ、より良好な品質の画像を表示することができる。 Further, in this embodiment, the auxiliary electrode 14, since the provided over the entire periphery of the pixel electrode 3, said (electric field between the auxiliary electrode 14 and the counter electrode 15) inter-substrate electric field around the pixel the same west over the entire circumference of the pixel, the liquid crystal molecules 20a in said pixels, for each pixel, favorably fall oriented in correspondence with the applied write voltage between the pixel electrode 3 and the counter electrode 15, and more it can be displayed good quality images.

しかも、この実施例では、前記補助電極14を前記対向電極15の電位(基準電位)と同じ値の電位に設定し、前記補助電極14と対向電極15との間に実質的に電界が0の領域を形成するようにしているため、前記画素の周囲を前記画素の全周にわたって実質的に無電界状態、つまり液晶分子20aが基板1,2面に対して実質的に垂直に配向した状態にし、前記画素内の液晶分子20aを、前記書込み電圧に対応させて、各画素毎にその周縁から中心に向かって倒れ込むように配向させることができ、したがって、各画素毎に液晶分子20aを前記書込み電圧に対応させてより良好に倒れ配向させ、さらに良好な品質の画像を表示することができる。 Moreover, in this embodiment, to set the auxiliary electrode 14 to the potential of the same value as the potential (reference potential) of the counter electrode 15, substantially electric field between the auxiliary electrode 14 and the counter electrode 15 is 0 because it has to form a region, the periphery of the pixel substantially no electric field state over the entire periphery of the pixel, that is, liquid crystal molecules 20a is oriented substantially perpendicularly to 1,2 surface substrate the liquid crystal molecules 20a in said pixels, said to correspond to the writing voltage, can be oriented so that collapses toward the center from the periphery for each pixel, therefore, the writing liquid crystal molecules 20a in each pixel in correspondence with voltage is better fall orientation, it is possible to display a better quality image. また、この実施例では、前記補助電極14を前記画素電極3との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成しているため、前記画素電極3の周縁部に対向させて補償容量形成用電極を設け、その外側に対向電極との間に予め定めた値の電界を形成するための補助電極を設ける場合のように、前記補償容量形成用電極とその外側のゲート配線及びデータ配線との間に補助電極の形成スペースを確保するために画素電極の面積を小さくする必要は無く、したがって、充分な開口率を得ることができる。 Further, in this embodiment, the order being integrally formed with the capacitor electrode to form a compensating capacitor between the auxiliary electrode 14 and the pixel electrode 3, the compensation capacity to face the peripheral edge portion of the pixel electrode 3 the forming electrodes provided, predetermined as in the case of providing the auxiliary electrode for forming an electric field value, the compensation capacitance forming electrodes and the outside of the gate and data lines between the counter electrode on the outer side it is not necessary to reduce the area of ​​the pixel electrode in order to ensure the formation space of the auxiliary electrode between, therefore, it is possible to obtain a sufficient aperture ratio.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図6〜図9はこの発明の第2の実施例を示しており、図6は液晶表示素子の一方の基板(TFT基板)の1つの画素部の平面図、図7は図6のVII−VII線に沿う液晶表示素子の断面図である。 6 to 9 the second shows an embodiment, FIG. 6 is a plan view of one pixel portion of one substrate of a liquid crystal display device (TFT substrate) of the present invention, FIG. 7 in FIG. 6 VII- it is a cross-sectional view of a liquid crystal display device along the VII line.

なお、この実施例の液晶表示素子において、上述した第1の実施例の液晶表示素子に対応するものには図に同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。 Incidentally, those in the liquid crystal display device of this embodiment, the same reference numerals assigned to the figures in which corresponding to the liquid crystal display device of the first embodiment described above, the same thing that description.

この実施例の液晶表示素子は、TFT基板1の内面に設けられた複数の画素電極3にそれぞれ、行方向に沿う1本のスリット23aと列方向に沿う1本のスリット23bとを前記画素電極3の中心部において交差するように設け、前記複数の画素電極3をそれぞれ略同じ面積の複数(この実施例では4つ)の電極部3a,3b,3c,3bに区分したものであり、他の構成は第1の実施例の液晶表示素子と同じである。 The liquid crystal display device of this embodiment, each of the plurality of pixel electrodes 3 provided on the inner surface of the TFT substrate 1, the pixel electrode one and the slit 23b along the one slit 23a and the column direction along the row direction provided so as to cross at the center of 3, the electrode portion 3a of the plurality of area approximately the same said plurality of pixel electrodes 3 each (four in this embodiment), which has divided 3b, 3c, the 3b, other configuration of is the same as the liquid crystal display device of the first embodiment.

なお、前記スリット23a,23bはそれぞれ、その両端が画素電極3の電極縁よりも僅かに内側に位置する長さに形成されており、これらのスリット23a,23bにより区分された各電極部3a,3b,3c,3bは、前記画素電極3の前記スリット23a,23bの両端側の縁部において互いにつながっている。 Incidentally, the slits 23a, respectively 23b, is formed to a length which is positioned slightly inside the electrode edges of both ends pixel electrode 3, the slits 23a, the electrode sections 3a which is divided by 23b, 3b, 3c, 3b are connected to each other in the slit 23a, both ends of the edge portions of 23b of the pixel electrode 3.

そして、この実施例では、前記TFT基板1の基板面に設けられ、対向基板2に設けられた対向電極15との間に予め定めた値の電界(この実施例では0Vの電界)を形成する補助電極14に、前記複数の画素電極3のスリット23a,23bにそれぞれ対応する延長部14a,14bを形成している。 Then, in this embodiment, provided on the substrate surface of the TFT substrate 1, the electric field of a predetermined value between the counter electrode 15 provided on the counter substrate 2 (in this example the field of 0V) to form a the auxiliary electrode 14, extension 14a corresponding each of the plurality of pixel electrodes 3 of the slit 23a, the 23b, to form a 14b.

なお、前記補助電極14は、上述した第1の実施例と同様に、前記画素電極3との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成されており、前記画素電極3の全周にわたって設けられているため、前記補助電極14の画素電極3の周縁部に対向する部分で、充分な容量値の補償容量を形成することができる。 Incidentally, the auxiliary electrode 14, as in the first embodiment described above, the are integrally formed with the capacitor electrodes forming a compensating capacitor between the pixel electrode 3, the entire circumference of the pixel electrode 3 since provided for, in the portion facing the periphery of each pixel electrode 3 of the auxiliary electrode 14, it is possible to form the compensation capacity sufficient capacitance.

そのため、この実施例では、前記補助電極14の延長部13a,13bを、図6及び図7に示したように、この延長部13a,13bの両側縁が画素電極3のスリット23a,23bの両側縁部に極く僅かな重なり幅で対向する幅に形成し、前記補助電極14の延長部13a,13bによる遮光領域をできるだけ小さくして開口率を充分に確保するようにしている。 Therefore, in this embodiment, the extension portion 13a of the auxiliary electrode 14, a 13b, as shown in FIGS. 6 and 7, the extension portion 13a, side edges of 13b is the pixel electrode 3 slits 23a, both sides of 23b edges and a width which faces in very small overlap width, the extension portion 13a of the auxiliary electrode 14, and minimize the shading area by 13b so that to ensure a sufficient aperture ratio.

図8及び図9はこの実施例の液晶表示素子の1つの画素部の液晶分子20aの倒れ配向状態を示す断面図及び平面図であり、前記液晶分子20aは、前記画素電極3のスリット23a,23bにより区分された複数の電極部3a,3b,3c,3dにそれぞれ対応する各領域毎に、画素電極3と対向電極15との間への書込み電圧の印加により、図8に破線で示した等電位線に沿った方向に分子長軸を向けて、前記領域の周縁部から中心部に向かって渦巻き状に配列して倒れ、前記領域の中心部の液晶分子20aは、その周囲に位置する液晶分子20aとの間に相互に働く分子間力の作用により立上がるように配向する。 8 and 9 are sectional view and a plan view showing the inclination alignment of one pixel unit liquid crystal molecules 20a of the liquid crystal display device of this embodiment, the liquid crystal molecules 20a, the pixel electrode 3 of the slit 23a, a plurality of electrode portions 3a, which is classified by 23b, 3b, 3c, respectively corresponding to each region to 3d, by application of a writing voltage between the pixel electrode 3 and the counter electrode 15, indicated by broken lines in FIG. 8 towards a molecular long axis direction along the equipotential lines, fallen arranged spirally toward the center from the periphery of the region, the liquid crystal molecules 20a in the center of the area is located around oriented such rise by the action of intermolecular force acting mutually between the liquid crystal molecules 20a.

この実施例の液晶表示素子は、前記複数の画素電極3にそれぞれ、前記画素電極3を複数の電極部に区分するスリット23a,23bを設けているため、上述した第1の実施例の液晶表示素子の効果に加えて、前記画素内の液晶分子20aを、前記複数の領域毎に、前記書込み電圧に対応させて倒れ配向させ、各画素の表示むらを無くして高品質の画像を表示することができる。 The liquid crystal display device of this embodiment, each of the plurality of pixel electrodes 3, a slit 23a for partitioning the pixel electrodes 3 to the plurality of electrode portions, since the provided 23b, the liquid crystal display of the first embodiment described above in addition to the effect of the element, the liquid crystal molecules 20a in said pixels, for each of the plurality of regions, said to correspond to a write voltage oriented fallen, displaying high quality images by eliminating display unevenness of each pixel can.

しかも、この実施例では、前記補助電極14に、前記複数の画素電極3のスリット23a,23bにそれぞれ対応する延長部14a,14bを形成しているため、前記画素の前記複数の領域の周囲の基板間電界(補助電極14及びその延長部14a,14bと対向電極15との間の電界)をそれぞれ各領域の全周にわたって同じにすることができ、したがって、前記画素内の液晶分子20aを、前記複数の領域毎に、前記書込み電圧に対応して均一な倒れ配向させて、より高品質の画像を表示することができる。 Moreover, in this embodiment, the auxiliary electrode 14, the plurality of slits 23a of the pixel electrode 3, the extension 14a respectively corresponding to 23b, for forming a 14b, around the plurality of regions of the pixel inter-substrate electric field, respectively (auxiliary electrode 14 and its extension 14a, the electric field between the 14b and the counter electrode 15) can be the same over the entire circumference of the respective regions, therefore, the liquid crystal molecules 20a in said pixel, wherein for each of a plurality of regions, said write voltage uniform inclination is oriented in correspondence with, it is possible to display a higher quality image.

また、この実施例では、前記補助電極14及びその延長部14a,14bと前記対向電極15との間に、上述した第1の実施例と同様に実質的に電界が0の領域を形成するようにしており、したがって、前記画素の前記複数の領域の周囲をその全周にわたって実質的に無電界状態にし、前記複数の領域の液晶分子20aを、各領域毎に前記書込み電圧に対応させて均一な倒れ配向させてさらに良好な品質の画像を表示することができる。 Further, in this embodiment, the auxiliary electrode 14 and its extension 14a, between 14b and the counter electrode 15, so that the first embodiment substantially field similar as described above to form a region of 0 to have, therefore, substantially the no electric field state around said plurality of regions of the pixels along the full circumference thereof, the liquid crystal molecules 20a of the plurality of regions, corresponding to the write voltage to each region uniformly better quality images by Do collapse oriented can be displayed.

なお、上記第2の実施例では、前記補助電極14に、前記複数の画素電極3のスリット23a,23bにそれぞれ対応する延長部14a,14bを形成しているが、この延長部14a,14bは省略してもよく、その場合も、前記画素内の液晶分子20aを、前記複数の領域毎に、前記書込み電圧に対応させて倒れ配向させ、各画素の表示むらを無くして高品質の画像を表示することができる。 Incidentally, in the second embodiment, the auxiliary electrode 14, the plurality of pixel electrodes 3 of the slit 23a, the corresponding extensions 14a to 23b, but forms a 14b, the extension 14a, 14b are omitted may be, in which case also, the liquid crystal molecules 20a in said pixels, for each of the plurality of regions, the oriented falling in correspondence to the write voltage, the high-quality image by eliminating display unevenness of each pixel it can be displayed.

また、上記第2の実施例では、複数の画素電極3にそれぞれ、行方向に沿う1本のスリット23aと列方向に沿う1本のスリット23bとを前記画素電極3の中心部において交差するように設けているが、前記画素電極3を複数の電極部に区分するスリットの方向及び数は任意でよい。 Further, in the second embodiment, each of a plurality of pixel electrodes 3, so as to intersect the one slit 23b along the one slit 23a and the column direction along the row direction in the center portion of the pixel electrode 3 are provided, the direction and the number of slits which divide the pixel electrode 3 to the plurality of electrode portions may be arbitrary.

(第3の実施形態) (Third Embodiment)
図10〜図13はこの発明の第3の実施例を示しており、図10は液晶表示素子の一方の基板(TFT基板)の1つの画素部の平面図、図11は前記液晶表示素子の図10におけるXI−XI線に沿う断面図である。 10 to 13 the third shows an embodiment of FIG. 10 is a plan view of one pixel portion of one substrate of a liquid crystal display device (TFT substrate) of the present invention, 11 of the liquid crystal display device it is a sectional view taken along the line XI-XI in FIG.

なお、この実施例の液晶表示素子において、上述した第1の実施例の液晶表示素子に対応するものには図に同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。 Incidentally, those in the liquid crystal display device of this embodiment, the same reference numerals assigned to the figures in which corresponding to the liquid crystal display device of the first embodiment described above, the same thing that description.

この実施例の液晶表示素子は、対向基板2の内面に、TFT基板1に設けられた複数の画素電極3の中心部にそれぞれ対応する複数の透明な突起24を設けたものであり、他の構成は第1の実施例の液晶表示素子と同じである。 The liquid crystal display device of this embodiment, the inner surface of the opposing substrate 2 having thereon a plurality of transparent protrusions 24 respectively corresponding to the central portion of the plurality of pixel electrodes 3 provided on the TFT substrate 1, the other structure is the same as the liquid crystal display device of the first embodiment.

前記複数の突起24は、前記対向基板2の内面に形成された赤、緑、青の3色のカラーフィルタ17R,17G,17Bの上に感光性樹脂等の絶縁材料により形成されており、対向電極15は、前記突起24を覆って、突起24上の部分が突起24面に沿って突出する形状に形成されている。 Wherein the plurality of protrusions 24, red formed in said inner surface of the counter substrate 2, green, three color filters 17R and blue, 17G, is formed of an insulating material such as a photosensitive resin over 17B, opposite electrode 15 to cover the projections 24, portions of the projections 24 is formed in a shape protruding along the projection 24 side.

そして、前記対向基板2の内面の垂直配向膜19は、前記突起24上の部分を含んで形成されており、前記突起24に対応する部分の液晶分子20aは、前記突起24の近傍の液晶分子20aが分子長軸を前記突起24面(半球面)に対して実質的に垂直な方向に向けて配向し、TFT基板1の近傍の液晶分子20aが分子長軸を基板1,2面に対して実質的に垂直な方向に向けて配向した状態に配向している。 The vertical alignment film 19 on the inner surface of the opposing substrate 2 is formed to include a portion on the protrusion 24, the liquid crystal molecules 20a in a portion corresponding to the protrusion 24, the liquid crystal molecules in the vicinity of the protrusion 24 20a is oriented toward the direction substantially perpendicular to the projections 24 face the long molecular axis (hemispherical surface), 1,2 surface substrate crystal molecules 20a is a molecular long axis in the vicinity of the TFT substrate 1 to It is oriented in a state oriented toward the direction substantially perpendicular Te.

この実施例では、前記突起24を半球状に形成し、液晶層20の対向基板2の近傍の液晶分子20aのうち、前記突起24の周囲の液晶分子20aを、図11のように、半球状突起24の曲率の中心からの放射線に沿った方向に分子長軸が向いた配向状態に配向させている。 In this embodiment, the projection 24 is formed in a hemispherical shape, among the liquid crystal molecules 20a in the vicinity of the opposing substrate 2 of the liquid crystal layer 20, the liquid crystal molecules 20a around the projection 24, as shown in FIG. 11, hemispherical molecular long axis in the direction along the radiation from the center of curvature of the projection 24 is oriented in alignment state facing.

図12及び図13はこの実施例の液晶表示素子の1つの画素部の液晶分子20aの倒れ配向状態を示す断面図及び平面図であり、前記液晶分子20aは、各画素毎に、画素電極3と対向電極15との間への書込み電圧の印加により、画素の周縁部から中心部に向かって渦巻き状に配列して倒れ、画素の中心部において前記突起24面に対して実質的に垂直になるように配向する。 12 and 13 are sectional view and a plan view showing the inclination alignment of one pixel unit liquid crystal molecules 20a of the liquid crystal display device of this embodiment, the liquid crystal molecules 20a, for each pixel, the pixel electrode 3 and by applying a write voltage between the counter electrode 15, fallen arranged toward the center portion from the periphery of the pixel spiral, substantially perpendicular to the projections 24 face in the center portion of the pixel oriented in such a way that.

この実施例の液晶表示素子は、前記対向基板2の内面に、TFT基板1の複数の画素電極3の中心部にそれぞれ対応する複数の突起24を設け、前記突起24の近傍の液晶分子20aを、前記突起24面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けた状態に配向させているため、各画素の液晶分子20aの書込み電圧の印加による倒れ方向を、前記突起24により、画素の周縁部から前記画素の中心部に向かって倒れるように規定することができ、したがって、前記各画素の液晶分子20aを規則的に倒れ配向させ、各画素の表示むらを無くして高品質の画像を表示することができる。 The liquid crystal display device of this embodiment, the inner surface of the opposing substrate 2, a plurality of projections 24 respectively corresponding to the central portion of the plurality of pixel electrodes 3 of the TFT substrate 1 is provided, the liquid crystal molecules 20a in the vicinity of the protrusion 24 , since the oriented state with its molecular long axis in a direction substantially perpendicular to the protrusion 24 side, the falling direction due to the application of the write voltage of the liquid crystal molecules 20a in each pixel, by the projections 24, can be defined from the periphery of the pixel to fall toward the center of the pixel, therefore, the liquid crystal molecules 20a in each pixel regularly fall oriented, high quality by eliminating display unevenness of each pixel image can be displayed.

また、感光性樹脂等の絶縁材料からなる前記突起24を前記対向電極15の上に設けた場合は、画素電極3と対向電極15との間への書込み電圧の印加時に前記突起24に電荷が帯電し、前記画素電極3と対向電極15との間を無電界にした後も、液晶分子20aが前記突起24の帯電電圧によりある程度倒れ配向した状態になる表示の焼付き現象を発生するが、この実施例では、前記対向電極15を、前記突起24を覆って形成しているため、前記突起24への電荷の帯電を無くし、表示の焼付き現象を防ぐことができる。 Further, when the protrusion 24 made of an insulating material such as a photosensitive resin provided on the counter electrode 15, the charge on the protrusion 24 upon application of a write voltage between the pixel electrode 3 and the counter electrode 15 charged, even after the between the pixel electrode 3 and the counter electrode 15 to the field-free, the liquid crystal molecules 20a generates the display burn-in phenomenon of a state to some extent fallen oriented by the charge voltage of the projections 24, in this embodiment, the counter electrode 15, since the formed covering the protrusion 24, without charging the electric charge into the projections 24, it is possible to prevent the burn-in phenomenon of the display.

なお、この実施例では、前記突起24を半球状に形成しているが、この突起24は、半球状に限らず、例えば突出端に向かって小径となる円錐状または裁頭円錐状に形成してもよい。 Incidentally, in this embodiment, are formed the projections 24 in a hemispherical shape, the protrusion 24 is not limited to a hemispherical shape, for example, it is formed on the conical or frustoconical shape having a smaller diameter toward the projecting end it may be.

この発明の第1の実施例を示す液晶表示素子の一方の基板の1つの画素部の平面図。 Plan view of one pixel portion of one substrate of a liquid crystal display device showing a first embodiment of the present invention. 図1のII−II線に沿う液晶表示素子の断面図。 Cross-sectional view of a liquid crystal display device taken along line II-II of FIG. 図1のIII−III線に沿う液晶表示素子の断面図。 Cross-sectional view of a liquid crystal display device taken along the line III-III in FIG. 第1の実施例の1つの画素部の液晶分子の倒れ配向状態を示す断面図。 Sectional view illustrating an alignment state inclination of the liquid crystal molecules in one pixel of the first embodiment. 第1の実施例の1つの画素部の液晶分子の倒れ配向状態を示す面図。 Surface view showing an alignment state inclination of the liquid crystal molecules in one pixel of the first embodiment. この発明の第2の実施例を示す液晶表示素子の一方の基板の1つの画素部の平面図。 Plan view of one pixel portion of one substrate of a liquid crystal display device showing a second embodiment of the present invention. 図6のVII−VII線に沿う液晶表示素子の断面図。 Cross-sectional view of a liquid crystal display device taken along the line VII-VII of FIG. 第2の実施例の1つの画素部の液晶分子の倒れ配向状態を示す断面図。 Sectional view illustrating an alignment state inclination of the liquid crystal molecules in one pixel of the second embodiment. 第2の実施例の1つの画素部の液晶分子の倒れ配向状態を示す面図。 Surface view showing an alignment state inclination of the liquid crystal molecules in one pixel of the second embodiment. この発明の第1の実施例を示す液晶表示素子の一方の基板の1つの画素部の平面図。 Plan view of one pixel portion of one substrate of a liquid crystal display device showing a first embodiment of the present invention. 図10のXI−XI線に沿う液晶表示素子の断面図。 Cross-sectional view of a liquid crystal display device taken along the line XI-XI of FIG. 10. 第3の実施例の1つの画素部の液晶分子の倒れ配向状態を示す断面図。 Sectional view illustrating an alignment state inclination of the liquid crystal molecules in one pixel of the third embodiment. 第3の実施例の1つの画素部の液晶分子の倒れ配向状態を示す面図。 Surface view showing an alignment state inclination of the liquid crystal molecules in one pixel of the third embodiment.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,2…基板、3…画素電極、4…TFT(薄膜トランジスタ)、5…ゲート電極、6…ゲート絶縁膜、7…i型半導体膜、9…ドレイン電極、10…ソース電極、10a…接続電極、11…ゲート配線、12…データ配線、13…オーバーコート絶縁膜、14…補助電極、15…対向電極、16…ブラックマスク、17R,17G,17B…カラーフィルタ、18,19…垂直配向膜、20…液晶層、20a…液晶分子、21,22…偏光板、23a,23b…スリット、24…突起。 1,2 ... substrate, 3 ... pixel electrode, 4 ... TFT (thin film transistor), 5 ... gate electrode, 6 ... gate insulating film, 7 ... i-type semiconductor film, 9 ... drain electrode, 10 ... source electrode, 10a ... connect the electrodes , 11 ... gate wiring, 12 ... data line, 13 ... overcoat insulating film, 14 ... auxiliary electrode 15 ... counter electrode, 16 ... black mask, 17R, 17G, 17B ... color filter, 18, 19 ... vertical alignment film, 20 ... liquid crystal layer, 20a ... liquid crystal molecules, 21, 22 ... polarizing plate, 23a, 23b ... slit, 24 ... projection.

Claims (10)

  1. 予め定めた間隙を存して対向配置された一対の基板と、 A pair of substrates facing each other and exist a predetermined gap,
    前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する複数の画素電極と、 Of the inner surfaces facing each other of the pair of substrates, provided on the inner surface of one substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix in row and column directions,
    前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ対応させてその近傍に設けられ、対応する画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、 The inner surface of the one substrate, the disposed near respectively to correspond to the plurality of pixel electrodes, a plurality of thin film transistors each connected to a corresponding pixel electrode,
    前記一方の基板の内面に、各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列の薄膜トランジスタにゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線及びデータ配線と、 The inner surface of one substrate, provided and along each one side of the one side and the pixel electrode array of the pixel electrodes lines, a plurality of gate lines supply gate signals and data signals to the thin film transistor of the row and column and a data line,
    他方の基板の内面に設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、 Provided on an inner surface of the other substrate, a counter electrode opposed to the plurality of pixel electrodes,
    前記一方の基板の内面に、前記複数の画素電極の周囲の少なくとも前記薄膜トランジスタに隣接する部分にそれぞれ対応させて設けられ、前記対向電極と対向し、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を発生させる補助電極と、 The inner surface of the one substrate, the periphery of the plurality of pixel electrodes provided at least respectively in correspondence to the portion adjacent to the thin film transistor, said opposed electrode and the counter, the predetermined value between the counter electrode an auxiliary electrode for generating an electric field,
    前記一対の基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、 A vertical alignment film provided to cover the electrode respectively to the inner surface of the pair of substrates,
    前記一対の基板間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層と、 A liquid crystal layer having negative dielectric anisotropy is sealed in a gap between the pair of substrates,
    を備えたことを特徴とする液晶表示素子。 A liquid crystal display device comprising the.
  2. 補助電極は、一方の基板の基板面に形成され、画素電極は、前記補助電極を覆って設けられた絶縁膜の上に形成されており、薄膜トランジスタの半導体膜上の電極と画素電極とを接続する接続電極は、前記補助電極と交差する部分が前記薄膜トランジスタの前記半導体膜上の電極の幅よりも細い形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 Auxiliary electrode is formed on the substrate surface of one substrate, the pixel electrode is formed on an insulating film provided to cover the auxiliary electrode, connecting the electrode and the pixel electrode on the semiconductor film of the thin film transistor connecting electrodes to the liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that it is formed into a thin shape than a width of the semiconductor film on the electrode portion intersecting said auxiliary electrode is the thin film transistor.
  3. 画素電極は、薄膜トランジスタに隣接する部分の電極縁の一部を前記薄膜トランジスタから離間させた形状に形成され、前記薄膜トランジスタの半導体膜上の電極と画素電極とを接続する接続電極は、前記画素電極の前記薄膜トランジスタから離間した部分に対応する領域内において前記補助電極と交差するように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子。 Pixel electrodes are formed a part of the electrode edges of the portion adjacent to the thin film transistor in a shape is separated from the thin film transistor, connecting electrode for connecting the electrode and the pixel electrode on the semiconductor film of the thin film transistor, the pixel electrode the liquid crystal display device according to claim 2, characterized in that it is formed so as to cross the auxiliary electrode in the region corresponding to the portion separated from the thin film transistor.
  4. 補助電極は、画素電極の周囲の少なくとも薄膜トランジスタ及びゲート配線に隣接する縁部に対応させて設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 Auxiliary electrode, the liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that are provided corresponding to the edge portion adjacent to at least a thin film transistor and the gate wiring around the pixel electrode.
  5. 補助電極は、画素電極の全周にわたって設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 Auxiliary electrode, the liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that provided over the entire circumference of the pixel electrode.
  6. 補助電極は、対向電極の電位と実質的に同じ値の電位に設定され、前記対向電極との間に実質的に電界が印加されない領域を形成することを特徴とする請求項1、請求項4〜5のいずれかに記載の液晶表示素子。 Auxiliary electrode is set to the potential of the potential substantially the same value of the counter electrode, according to claim 1, characterized in that to form a region substantially no electric field is applied between the counter electrode, according to claim 4 the liquid crystal display device according to any one of to 5.
  7. 補助電極は、画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 Auxiliary electrode, the liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that it is integrally formed with the capacitor electrode to form a compensating capacitor between the pixel electrode.
  8. 複数の画素電極にそれぞれ、前記画素電極を複数の電極部に区分するスリットが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 Each of a plurality of pixel electrodes, a liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that slits for dividing said pixel electrode into a plurality of electrode portions are provided.
  9. 補助電極に、複数の画素電極のスリットにそれぞれ対応する延長部が形成されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示素子。 To the auxiliary electrode, the liquid crystal display device according to claim 8, characterized in that the extensions which correspond to the slits of the plurality of pixel electrodes are formed.
  10. 他方の基板の内面に、一方の基板の内面に設けられた複数の画素電極の中心部にそれぞれ対応する複数の突起が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 The liquid crystal display device according to claim 1 in which the inner surface of the other substrate, and a plurality of protrusions respectively corresponding to the central portion of the plurality of pixel electrodes provided on the inner surface of one substrate is provided.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011141487A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Casio Computer Co Ltd Liquid crystal display element
JP2011164478A (en) * 2010-02-12 2011-08-25 Casio Computer Co Ltd Liquid crystal display device
US8384867B2 (en) 2008-12-05 2013-02-26 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000194016A (en) * 1998-12-11 2000-07-14 Lg Philips Lcd Co Ltd Multidomain liquid crystal display element
JP2001027767A (en) * 1999-07-14 2001-01-30 Casio Comput Co Ltd Thin film transistor panel and its manufacture
JP2001242466A (en) * 2000-01-12 2001-09-07 Lg Philips Lcd Co Ltd Multi-domain liquid crystal display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000194016A (en) * 1998-12-11 2000-07-14 Lg Philips Lcd Co Ltd Multidomain liquid crystal display element
JP2001027767A (en) * 1999-07-14 2001-01-30 Casio Comput Co Ltd Thin film transistor panel and its manufacture
JP2001242466A (en) * 2000-01-12 2001-09-07 Lg Philips Lcd Co Ltd Multi-domain liquid crystal display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8384867B2 (en) 2008-12-05 2013-02-26 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2011141487A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Casio Computer Co Ltd Liquid crystal display element
JP2011164478A (en) * 2010-02-12 2011-08-25 Casio Computer Co Ltd Liquid crystal display device

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