JP2006154495A - Electroluminescence display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate a power source electrode and to improve aperture ratio of an organic EL device. <P>SOLUTION: This organic EL display device in the present invention has circuit layout shown in Figure. A gate 14g of a first thin film transistor 14 is connected to a first electrode 10, a drain 14d is connected to a second electrode 12 and a source 14s is connected to a gate 15g of a second thin film transistor 15, respectively, one of a drain 15d or a source 15s of the second thin film transistor 15 is connected to an electroluminescence element 1 and the other of the drain 15d or the source 15s is connected to the first electrode 10 in each pixel of the organic EL device. Thus, the conventionally used power source electrode can be eliminated by commonly connecting the gates or drains to the first electrode 10. As a result, a display area of the organic EL device increases and the aperture ratio can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置の画素駆動回路のレイアウトに関するものである。   The present invention relates to a layout of a pixel driving circuit of an electroluminescence display device.

近年、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。特に有機発光材料はその発光色の種類が多く、それを発光層として用いた有機ＥＬ表示装置が次世代カラーディスプレーとして期待されている。   In recent years, an EL display device using an electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) element has attracted attention as a display device that replaces a CRT or LCD. In particular, organic light-emitting materials have many types of luminescent colors, and organic EL display devices using them as light-emitting layers are expected as next-generation color displays.

また、有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と略称する）を備えた有機ＥＬ表示装置が開発されている。   Further, an organic EL display device having a thin film transistor (hereinafter abbreviated as “TFT”) as a switching element for driving the organic EL element has been developed.

図６に、従来の有機ＥＬ表示装置の１画素のパターンレイアウトの平面図を示し、図７は従来の有機ＥＬ表示装置の等価回路図を示す。   FIG. 6 shows a plan view of a pattern layout of one pixel of a conventional organic EL display device, and FIG. 7 shows an equivalent circuit diagram of the conventional organic EL display device.

従来の有機ＥＬ表示装置では、基板上に画素がｎ行ｍ列のマトリクスに多数配置されている。ゲート信号Ｇnを供給するゲート信号線１０と、表示信号Ｄｍを供給するドレイン信号線１１とがそれぞれ複数本配列されており、それらの信号線が互いに交差している。   In a conventional organic EL display device, a large number of pixels are arranged in a matrix of n rows and m columns on a substrate. A plurality of gate signal lines 10 for supplying a gate signal Gn and a plurality of drain signal lines 11 for supplying a display signal Dm are arranged, and these signal lines intersect each other.

それらの両信号線の交点付近には、有機ＥＬ素子１、この有機ＥＬ素子１を駆動する駆動用ＴＦＴ１５、及び画素を選択するための画素選択用ＴＦＴ１４が配置されている。駆動用ＴＦＴ１５のソース１５ｓには、電源電極１２から正電源電圧ＰＶｄｄが供給されている。また、そのドレイン１５ｄは有機ＥＬ素子１のアノード（陽極）１８に接続されている。有機ＥＬ素子１のカソード（陰極）には負電源電圧ＣＶが供給されている。この有機ＥＬ素子１のアノードとカソードとの間に有機発光材料を狭持させる。画素選択用ＴＦＴ１４のゲートにはゲート信号線１０が接続され、ゲート信号Ｇnが供給される。また、そのドレイン１４ｄにはドレイン信号線１１が接続され、表示信号Ｄmが供給される。画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓは駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇに接続されている。ここで、ゲート信号Ｇnは不図示の垂直ドライバ回路から出力される。表示信号Ｄｍは不図示の水平ドライバ回路から出力される。   Near the intersection of these two signal lines, an organic EL element 1, a driving TFT 15 for driving the organic EL element 1, and a pixel selecting TFT 14 for selecting a pixel are arranged. A positive power supply voltage PVdd is supplied from the power supply electrode 12 to the source 15 s of the driving TFT 15. The drain 15 d is connected to the anode (anode) 18 of the organic EL element 1. A negative power supply voltage CV is supplied to the cathode (cathode) of the organic EL element 1. An organic light emitting material is sandwiched between the anode and the cathode of the organic EL element 1. A gate signal line 10 is connected to the gate of the pixel selection TFT 14 and supplied with a gate signal Gn. Further, the drain signal line 11 is connected to the drain 14d, and the display signal Dm is supplied. The source 14 s of the pixel selecting TFT 14 is connected to the gate 15 g of the driving TFT 15. Here, the gate signal Gn is output from a vertical driver circuit (not shown). The display signal Dm is output from a horizontal driver circuit (not shown).

また、選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓと駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇの間には保持容量１９が接続されている。保持容量１９は表示信号Ｄmに応じた電荷を保持することにより、１フィールド期間、表示画素の表示信号を保持するために設けられている。   A storage capacitor 19 is connected between the source 14 s of the selection TFT 14 and the gate 15 g of the driving TFT 15. The holding capacitor 19 is provided to hold the display signal of the display pixel for one field period by holding an electric charge according to the display signal Dm.

上述した構成の有機ＥＬ表示装置の動作を図８のタイミングチャートを用いて説明する。   The operation of the organic EL display device having the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG.

図８（a）のようにゲート信号Ｇnが一水平期間ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４がオンする。すると、ドレイン信号線１１から表示信号Ｄｍが画素選択用ＴＦＴ１４を介して、その電圧に応じた電荷が保持容量１９に蓄積され、その電圧が駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇに印加される。そして、そのゲート１５ｇに供給された保持容量に蓄積された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ１５のコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が電源電極から駆動用ＴＦＴ１５を介して有機ＥＬ素子１に供給され有機ＥＬ素子１が点灯する。   When the gate signal Gn becomes high level for one horizontal period as shown in FIG. 8A, the pixel selecting TFT 14 is turned on. Then, the display signal Dm from the drain signal line 11 is accumulated in the holding capacitor 19 through the pixel selection TFT 14, and the voltage is applied to the gate 15 g of the driving TFT 15. The conductance of the driving TFT 15 changes according to the voltage stored in the storage capacitor supplied to the gate 15g, and the corresponding driving current is supplied from the power supply electrode to the organic EL element 1 through the driving TFT 15. The organic EL element 1 is turned on.

なお、関連する先行技術文献としては、例えば以下の特許文献１がある。
特開 ２００２−１７５０２９号公報 In addition, as a related prior art document, there exists the following patent document 1, for example.
JP 2002-175029 A

従来の有機ＥＬ表示装置において、各画素の発光面積、つまり画素あたりの発光領域の占める割合である開口率が、電源電極の面積により低くなるという問題がある。   In the conventional organic EL display device, there is a problem that the light emission area of each pixel, that is, the aperture ratio, which is the ratio of the light emission region per pixel, becomes lower due to the area of the power supply electrode.

本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に複数の画素を備えるエレクトロルミネッセンス表示装置において、各画素は、エレクトロルミネッセンス素子と、第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第１電極と、第２電極を有し、前記第１薄膜トランジスタのゲートは前記第１電極、ドレインは前記第２電極、ソースは前記第２薄膜トランジスタのゲートに接続され、前記第２薄膜トランジスタの一方のドレインまたはソースはエレクトロルミネッセンス素子に接続され、他方は前記第１電極に接続されていることを特徴としている。   The organic EL display device of the present invention is an electroluminescence display device having a plurality of pixels on a substrate. Each pixel includes an electroluminescence element, a first thin film transistor, a second thin film transistor, a first electrode, and a second electrode. The first thin film transistor has a gate connected to the first electrode, a drain connected to the second electrode, a source connected to the gate of the second thin film transistor, and one drain or source of the second thin film transistor connected to the electroluminescence element The other is connected to the first electrode, and the other is connected to the first electrode.

また、本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、第１薄膜トランジスタはＰチャネル型で形成することができる。また、薄膜トランジスタは、ＬＤＤ構造を有することが好ましい。これにより、第１薄膜トランジスタのリーク電流を抑制することができる。   Further, according to the organic EL display device of the present invention, the first thin film transistor can be formed in a P-channel type. The thin film transistor preferably has an LDD structure. Thereby, the leakage current of the first thin film transistor can be suppressed.

また、本発明の有機ＥＬ表示装置は、第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタの間には、保持容量の一方の電極が接続されているものである。   In the organic EL display device of the present invention, one electrode of the storage capacitor is connected between the first thin film transistor and the second thin film transistor.

また、本発明の有機ＥＬ表示装置は第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタの間に接続されている保持容量のもう一方は第１電極に接続していてもよい。   In the organic EL display device of the present invention, the other storage capacitor connected between the first thin film transistor and the second thin film transistor may be connected to the first electrode.

さらにまた、保持容量を持たない構成をとる場合は、基板上の表示領域の両端に垂直側駆動回路を有することが好ましい。これらにより、エレクトロルミネッセンス表示装置は安定した発光をすることができる。   Furthermore, in the case of adopting a configuration without a storage capacitor, it is preferable to have vertical drive circuits at both ends of the display area on the substrate. Thus, the electroluminescence display device can emit light stably.

本発明は、有機ＥＬ表示装置の各画素において、第２ＴＦＴの一端を有機ＥＬ素子に接続しもう他端を第１ＴＦＴのゲートと接続させている第１電極に共通に接続することで、従来使用していた電源電極をなくすことができる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示領域の面積を大きくし、開口率を向上することができる。   According to the present invention, in each pixel of the organic EL display device, one end of the second TFT is connected to the organic EL element, and the other end is commonly connected to the first electrode connected to the gate of the first TFT. The power supply electrode that has been used can be eliminated. As a result, the area of the display area of the organic EL display device can be increased and the aperture ratio can be improved.

以下に本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

＜実施例１＞
図１に本実施例の有機ＥＬ表示装置の１画素のパターンレイアウトの平面図を示し、図２に本発明の有機ＥＬ表示装置の等価回路図を示す。 <Example 1>
FIG. 1 shows a plan view of the pattern layout of one pixel of the organic EL display device of this embodiment, and FIG. 2 shows an equivalent circuit diagram of the organic EL display device of the present invention.

本実施例の有機ＥＬ表示装置では、画素がｎ行ｍ列のマトリクス状に多数配置されている。ゲート信号Ｇnを供給する第１電極１０と、表示信号Ｄｍを供給する第２電極であるドレイン信号線１２とがそれぞれ複数本配列されており、それらの信号線が互いに交差して配置されている。第１電極１０はクロム層またはモリブデン層からなり、ドレイン信号線１２はそのゲート信号線の上層に形成されておりアルミニウム等からなる。   In the organic EL display device of this embodiment, a large number of pixels are arranged in a matrix of n rows and m columns. A plurality of first electrode 10 for supplying the gate signal Gn and a plurality of drain signal lines 12 as second electrodes for supplying the display signal Dm are arranged, and these signal lines are arranged so as to cross each other. . The first electrode 10 is made of a chromium layer or a molybdenum layer, and the drain signal line 12 is formed on the gate signal line and made of aluminum or the like.

それらの両信号線の交点付近には、有機ＥＬ素子１、この有機ＥＬ素子１を駆動する駆動用ＴＦＴ１５、画素を選択するための画素選択用ＴＦＴ１４が配置されている。   Near the intersection of these two signal lines, an organic EL element 1, a driving TFT 15 for driving the organic EL element 1, and a pixel selecting TFT 14 for selecting a pixel are arranged.

駆動用ＴＦＴ１５の一方の例えばソースには、第１電極１０が接続され、電源電圧として信号Ｇnが供給されている。また、駆動用ＴＦＴ１５の他方のドレインは有機ＥＬ素子１のアノード（陽極）に接続されている。有機ＥＬ素子１のカソード（陰極）には負電圧ＣＶが供給されている。さらに画素選択用ＴＦＴ１４のゲートには第１電極１０が接続され、ゲート信号Ｇnが供給される。また、そのドレイン１４ｄにはドレイン信号線１２が接続され、表示信号Ｄｍが供給される。画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓは駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇに接続されている。なお、ゲート信号Ｇnは不図示の垂直ドライバ回路から出力される。表示信号Ｄｍは不図示の水平ドライバ回路から出力される。   The first electrode 10 is connected to one source of the driving TFT 15, for example, and a signal Gn is supplied as a power supply voltage. The other drain of the driving TFT 15 is connected to the anode (anode) of the organic EL element 1. A negative voltage CV is supplied to the cathode (cathode) of the organic EL element 1. Further, the first electrode 10 is connected to the gate of the pixel selection TFT 14 and supplied with a gate signal Gn. The drain signal line 12 is connected to the drain 14d, and the display signal Dm is supplied. The source 14 s of the pixel selecting TFT 14 is connected to the gate 15 g of the driving TFT 15. The gate signal Gn is output from a vertical driver circuit (not shown). The display signal Dm is output from a horizontal driver circuit (not shown).

ここで、本実施例の等価回路は、従来の回路である図６に示す等価回路のように選択用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴの間に保持容量を備えていない構成を示している。しかし、本発明のように保持容量を備えない構成であっても、選択用ＴＦＴのソースと駆動用ＴＦＴのゲートラインを接続するポリシリコンには寄生容量が存在するため、一定時間印加電圧が保持される。そのため、保持容量を持たない回路構成であっても、動作することができる。   Here, the equivalent circuit of this embodiment shows a configuration in which a storage capacitor is not provided between the selection TFT and the driving TFT as in the equivalent circuit shown in FIG. 6 which is a conventional circuit. However, even if the configuration does not include a storage capacitor as in the present invention, the polysilicon that connects the source of the selection TFT and the gate line of the drive TFT has a parasitic capacitance, so the applied voltage is maintained for a certain period of time. Is done. Therefore, even a circuit configuration without a storage capacitor can operate.

また、本発明で選択用ＴＦＴはＰチャネル型でありＬＤＤ構造を有している。この構造にすることで、従来のＰ型チャネルＴＦＴで問題になるリーク電流を抑制することができる。その結果、駆動用ＴＦＴのゲートに印加する時間が短くなることによる発光時間の減少を抑制できる。   In the present invention, the selection TFT is a P-channel type and has an LDD structure. By adopting this structure, it is possible to suppress a leakage current that becomes a problem in the conventional P-type channel TFT. As a result, it is possible to suppress a decrease in light emission time due to a reduction in time applied to the gate of the driving TFT.

次に、図５に、チャネル部分にＬＤＤ構造をもつ画素選択用ＴＦＴ１４の断面図を示し、それに基づいて以下に説明する。   Next, FIG. 5 shows a cross-sectional view of the pixel selection TFT 14 having an LDD structure in the channel portion, which will be described below.

ガラス基板等の透明な絶縁性基板２０上に形成されたポリシリコン層から成る能動層２１上に、ゲート絶縁層２２が形成されている。ゲート絶縁層２２は、能動層２１上に酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）と窒化シリコン膜（ＳｉＮＸ）がこの順番で積層して形成されている。例えば、酸化シリコン膜の膜厚は８０ｎｍ、窒化シリコン膜の膜厚は４０ｎｍである。 A gate insulating layer 22 is formed on an active layer 21 made of a polysilicon layer formed on a transparent insulating substrate 20 such as a glass substrate. The gate insulating layer 22 is formed by laminating a silicon oxide film (SiO 2 ) and a silicon nitride film (SiN x ) in this order on the active layer 21. For example, the silicon oxide film has a thickness of 80 nm, and the silicon nitride film has a thickness of 40 nm.

そのゲート絶縁層２２上に、クロム層若しくはモリブデン層等から成るゲート１４ｇが配置している。このゲート１４ｇ上には、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜あるいはこれらの積層膜からなる層間絶縁膜２４が形成されている。更にこの層間絶縁膜２４上には観光性アクリル樹脂からなる平坦化絶縁膜２５が形成されている。   On the gate insulating layer 22, a gate 14g made of a chromium layer, a molybdenum layer or the like is disposed. On the gate 14g, an interlayer insulating film 24 made of a silicon nitride film, a silicon oxide film or a laminated film thereof is formed. Further, a planarization insulating film 25 made of a touristic acrylic resin is formed on the interlayer insulating film 24.

ここで、能動層２１にはＬＤＤ構造を備えたソース及びドレインを形成する。すなわち、ソース１４ｓとドレイン１４ｄとを、互いに隣接して接触されたある不純物濃度のＰ＋層とその領域の不純物濃度よりも低いＰ−層から構成されている。Ｐ＋層のボロンの不純物濃度は１×１０２０ｃｍ−３程度の高濃度不純物層であり、このＰ＋層はその上に形成されたコンタクト孔１７を通して、第1電極１０に接続されている。このようにＰ＋層はコンタクト領域に形成されている。 Here, a source and a drain having an LDD structure are formed in the active layer 21. That is, a source 14s and a drain 14d, lower P than the impurity concentration of the P + layer of a dopant concentration which is adjacent and in contact with its area with one another - and a layer. The impurity concentration of boron in the P + layer is a high concentration impurity layer of about 1 × 10 20 cm −3 , and this P + layer is connected to the first electrode 10 through a contact hole 17 formed thereon. . Thus, the P + layer is formed in the contact region.

一方、Ｐ−層はＰ＋層からゲート１４ｇ方向に存在し、そのボロンの不純物濃度は１×１０１５ｃｍ−３程度の低濃度不純物層である。 On the other hand, the P − layer exists from the P + layer in the direction of the gate 14g, and the impurity concentration of boron is a low concentration impurity layer of about 1 × 10 15 cm −3 .

なおＬＤＤ領域を設けるかわりに、不純物のノンドープ領域であるオフセット領域が高不純物領域とゲートの間にあってもよく、この構造をとることでも、ゲート１４ｇとソース１４ｓの間のリーク電流を低減することができる。   Instead of providing the LDD region, an offset region, which is a non-doped region of impurities, may be provided between the high impurity region and the gate. By adopting this structure, the leakage current between the gate 14g and the source 14s can be reduced. it can.

次に駆動用ＴＦＴ１５について説明する。駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇは画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓに接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１５の一端は、選択用ＴＦＴ１４のゲート１４ｓが接続された電極と同一の第1電極１０に接続され、もう一端は有機ＥＬ素子１に接続されている。なお、この駆動用ＴＦＴはＰ型であってもＮ型であってもよく、また、ＬＤＤ構造を有していても、オフセット領域があってもよい。   Next, the driving TFT 15 will be described. The gate 15 g of the driving TFT 15 is connected to the source 14 s of the pixel selecting TFT 14. One end of the driving TFT 15 is connected to the same first electrode 10 as the electrode to which the gate 14 s of the selection TFT 14 is connected, and the other end is connected to the organic EL element 1. This driving TFT may be P-type or N-type, and may have an LDD structure or an offset region.

次に、図９を用いて本発明のタイミングチャートを説明する。   Next, a timing chart of the present invention will be described with reference to FIG.

図９（a）は第１電極１０に印加される信号波形であり、図９（b）は有機ＥＬ表示装置の発光パターンである。まず第１電極１０の信号Ｇnが一水平期間（ｔ１）ローレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４がオンする。すると、ドレイン信号線１１から表示信号Ｄｍが画素選択用ＴＦＴ１４を介して、駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇに印加され寄生容量により保持される。次に、第１電極１０の信号が1フィールド期間（ｔ２）ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４はオフになり、駆動用ＴＦＴ１５はオンになる。そして、ゲート１５ｇに供給された表示信号Ｄｍと駆動用ＴＦＴ１５に入力されたハイレベルの信号の電圧差によって、駆動用ＴＦＴ１５のコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が駆動用ＴＦＴ１５を介して有機ＥＬ素子１に供給され、有機ＥＬ素子１が点灯する。 FIG. 9A shows a signal waveform applied to the first electrode 10, and FIG. 9B shows a light emission pattern of the organic EL display device. First, when the signal Gn of the first electrode 10 becomes low level for one horizontal period (t 1 ), the pixel selection TFT 14 is turned on. Then, the display signal Dm from the drain signal line 11 is applied to the gate 15g of the driving TFT 15 via the pixel selecting TFT 14 and is held by the parasitic capacitance. Next, when the signal of the first electrode 10 becomes high level for one field period (t 2 ), the pixel selecting TFT 14 is turned off and the driving TFT 15 is turned on. The conductance of the driving TFT 15 changes due to the voltage difference between the display signal Dm supplied to the gate 15 g and the high level signal input to the driving TFT 15, and the corresponding driving current is organically transmitted through the driving TFT 15. It is supplied to the EL element 1 and the organic EL element 1 is turned on.

また、駆動用ＴＦＴ１５がオフ状態の場合、つまり第１電極１０の信号Ｇnがローの場合には、表示信号がどんな信号であっても、駆動用ＴＦＴ１５のコンダクタンスは変化せず、十分に大きいため電流が流れなくなり、有機ＥＬ素子１は発光しない。   Further, when the driving TFT 15 is in an off state, that is, when the signal Gn of the first electrode 10 is low, the conductance of the driving TFT 15 does not change and is sufficiently large regardless of the display signal. The current stops flowing, and the organic EL element 1 does not emit light.

なお、第１電極１０の信号がｔ１時間ローレベルになったとき、図８に示す従来の有機ＥＬ表示装置の発光はオンであるのに対し、本実施例は発光がオフになる。しかし、このオフになる時間はおよそ７０μsecと非常に短い時間であるため、表示された画像を見る上で問題はない。 Incidentally, when the signal of the first electrode 10 becomes low level for t 1 time, the light emission of the conventional organic EL display device shown in FIG. 8 is on, whereas the light emission is turned off in this embodiment. However, since the time for turning off is as short as about 70 μsec, there is no problem in viewing the displayed image.

ここで画素選択用ＴＦＴ１４がＰチャネル型を用いることの理由について、以下にさらに説明する。そこで画択用ＴＦＴ１４がＮチャネル型である場合について図１０を用いて説明する。   Here, the reason why the pixel selecting TFT 14 uses the P-channel type will be further described below. Therefore, a case where the selection TFT 14 is an N-channel type will be described with reference to FIG.

図１０（a）は第１電極の信号パターンであり、図１０（b）は有機ＥＬの発光パターンである。   FIG. 10A shows the signal pattern of the first electrode, and FIG. 10B shows the light emission pattern of the organic EL.

まず第１電極の信号Ｇnが一水平期間（ｔ１）ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４がオンする。すると、ドレイン信号線１１から表示信号Ｄｍが画素選択用ＴＦＴ１４を介して、駆動用ＴＦＴ１５（Ｎチャネル型）のゲート１５ｇに印加され寄生容量により保持される。 First, when the signal Gn of the first electrode becomes high level for one horizontal period (t 1 ), the pixel selecting TFT 14 is turned on. Then, the display signal Dm from the drain signal line 11 is applied to the gate 15g of the driving TFT 15 (N channel type) via the pixel selecting TFT 14 and is held by the parasitic capacitance.

次に、第１電極１０の信号Ｇnが期間（ｔ２）の間ローレベルになると、画素選択用ＴＦＴ１４はオフになる。しかし、駆動用ＴＦＴ１５（Ｎチャネル型）はローレベルであるため、ゲート１５ｇに供給されたハイレベルの表示信号Ｄｍと比較すると、表示信号Ｄｍの電位の方が高くなるため、駆動用ＴＦＴ１５に駆動電流は流れず、有機ＥＬ素子１は発光しない。 Next, when the signal Gn of the first electrode 10 becomes a low level during the period (t 2 ), the pixel selection TFT 14 is turned off. However, since the driving TFT 15 (N channel type) is at a low level, the potential of the display signal Dm is higher than that of the high level display signal Dm supplied to the gate 15g. No current flows and the organic EL element 1 does not emit light.

また、第１電極の信号Ｇnが一水平期間（ｔ１）ハイレベルのとき有機ＥＬは発光するが、発光させ続けるためには画素選択用ＴＦＴ１４のゲートは常にオンにし続けなければならないため、所望のラインにドレイン信号を送ることができなくなり、所望の画像を得られなくなる。 In addition, the organic EL emits light when the signal Gn of the first electrode is at a high level for one horizontal period (t 1 ), but the gate of the pixel selecting TFT 14 must always be kept on in order to keep emitting light. A drain signal cannot be sent to the other line, and a desired image cannot be obtained.

以上のように画素選択用ＴＦＴ１４がＮチャネル型であると問題があるため、本発明の回路構成をとるためには、画素選択用ＴＦＴ１４としてＰチャネル型ＴＦＴを用いることが好適であることがわかる。   As described above, since there is a problem that the pixel selection TFT 14 is an N-channel type, it is understood that it is preferable to use a P-channel type TFT as the pixel selection TFT 14 in order to adopt the circuit configuration of the present invention. .

なお、本実施例では、現在第１電極１０を形成するクロムやモリブデンと比較して抵抗率の低い、例えばアルミニウムなどに変えることで、駆動ＴＦＴ１５の一端を第1電極１０に接続することにより増加する電極の負荷を軽減することができる。   In this embodiment, the resistance is increased by connecting one end of the driving TFT 15 to the first electrode 10 by changing to, for example, aluminum having a lower resistivity than the chromium or molybdenum that currently forms the first electrode 10. The load on the electrode can be reduced.

また、素子基板上の両端に水平駆動回路を配置し両端から同様の信号を入力してもよく、このような構成をとることで、有機ＥＬ装置の表示領域において水平方向の輝度傾斜のない安定した発光ができる。   In addition, horizontal drive circuits may be arranged at both ends on the element substrate, and similar signals may be input from both ends. By adopting such a configuration, stable stability without luminance gradient in the horizontal direction in the display area of the organic EL device can be achieved. Can emit light.

以上のような構成を採用することにより、有機ＥＬ表示装置は安定した発光ができ、開口率は従来の３０％から４０％に向上することができる。   By adopting the above-described configuration, the organic EL display device can emit light stably, and the aperture ratio can be improved from 30% to 40%.

＜実施例２＞
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。図３と図４に本発明の他の実施形態である等価回路図を示す。本実施例の有機ＥＬ表示装置では、画素がｎ行ｍ列のマトリクス状に多数配置されている。ゲート信号Ｇnを供給する第１電極１０と、表示信号Ｄｍを供給する第２電極であるドレイン信号線１１とがそれぞれ複数本配列されており、それらの信号線が互いに交差して配置されている。第１電極１０はクロム層またはモリブデン層からなり、ドレイン信号線１２はその上層に形成されておりアルミニウム等からなる。 <Example 2>
Next, another embodiment of the present invention will be described. 3 and 4 are equivalent circuit diagrams showing other embodiments of the present invention. In the organic EL display device of this embodiment, a large number of pixels are arranged in a matrix of n rows and m columns. A plurality of first electrode 10 for supplying the gate signal Gn and a plurality of drain signal lines 11 as second electrodes for supplying the display signal Dm are arranged, and these signal lines are arranged so as to cross each other. . The first electrode 10 is made of a chromium layer or a molybdenum layer, and the drain signal line 12 is formed on the upper layer and made of aluminum or the like.

それらの両信号線の交点付近には、有機ＥＬ素子１、この有機ＥＬ素子１を駆動する駆動用ＴＦＴ１５、画素を選択するための画素選択用ＴＦＴ１４が配置されている。   Near the intersection of these two signal lines, an organic EL element 1, a driving TFT 15 for driving the organic EL element 1, and a pixel selecting TFT 14 for selecting a pixel are arranged.

駆動用ＴＦＴ１５の一方の例えばソースには、第１電極１０が接続され、電源電圧として信号Ｇnが供給されている。また、駆動用ＴＦＴ１５の他方のドレインは有機ＥＬ素子１のアノード（陽極）に接続されている。有機ＥＬ素子１のカソード（陰極）には負電圧ＣＶが供給されている。さらに画素選択用ＴＦＴ１４のゲートには第１電極１０が接続され、ゲート信号Ｇnが供給される。また、そのドレイン１４ｄにはドレイン信号線１２が接続され、表示信号Ｄmが供給される。画素選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓは駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇに接続されている。なお、ゲート信号Ｇnは不図示の垂直ドライバ回路から出力される。表示信号Ｄｍは不図示の水平ドライバ回路から出力される。   The first electrode 10 is connected to one source of the driving TFT 15, for example, and a signal Gn is supplied as a power supply voltage. The other drain of the driving TFT 15 is connected to the anode (anode) of the organic EL element 1. A negative voltage CV is supplied to the cathode (cathode) of the organic EL element 1. Further, the first electrode 10 is connected to the gate of the pixel selection TFT 14 and supplied with a gate signal Gn. A drain signal line 12 is connected to the drain 14d, and a display signal Dm is supplied. The source 14 s of the pixel selecting TFT 14 is connected to the gate 15 g of the driving TFT 15. The gate signal Gn is output from a vertical driver circuit (not shown). The display signal Dm is output from a horizontal driver circuit (not shown).

また、選択用ＴＦＴ１４のソース１４ｓと駆動用ＴＦＴ１５のゲート１５ｇの間には保持容量１９の一方の電極が接続されている。保持容量１９は１フィールド期間表示信号Ｄｍに応じた電荷を保持するために設けられている。この保持容量１９の他方の電極は、図３に示すように保持容量電極１３に接続されていてもよいし、図４に示すように第１電極１０に接続されていてもよい。   Further, one electrode of the storage capacitor 19 is connected between the source 14 s of the selection TFT 14 and the gate 15 g of the driving TFT 15. The holding capacitor 19 is provided for holding charges corresponding to the display signal Dm for one field period. The other electrode of the storage capacitor 19 may be connected to the storage capacitor electrode 13 as shown in FIG. 3, or may be connected to the first electrode 10 as shown in FIG.

なお、本実施例においても画素選択用ＴＦＴはＰチャネル型のＬＤＤ構造を有している。   In this embodiment as well, the pixel selection TFT has a P-channel type LDD structure.

これにより画素選択用ＴＦＴのリーク電流を抑制することができる。また、ＬＤＤの構成は実施例１で示したものと同様である。   Thereby, the leakage current of the pixel selection TFT can be suppressed. The LDD configuration is the same as that shown in the first embodiment.

また、本実施例におけるタイミングチャートについても実施例１で示したように図９と同様である。   Further, the timing chart in this embodiment is the same as that in FIG. 9 as shown in the first embodiment.

以上のような構成を採ることにより、図３のように保持容量１９の一端を保持容量電極１３に接続する場合には、開口率は従来の３０％から３５％に向上することができる。また、従来の有機ＥＬ表示装置と同様に安定した発光をすることができる。   By adopting the configuration as described above, when one end of the storage capacitor 19 is connected to the storage capacitor electrode 13 as shown in FIG. 3, the aperture ratio can be improved from the conventional 30% to 35%. In addition, stable light emission can be performed as in the conventional organic EL display device.

また図４のように保持容量電極１３を設けずに、第１電極に保持容量１９の１端を接続する場合には、開口率は従来の３０％から３８％に向上することができる。   Further, when one end of the storage capacitor 19 is connected to the first electrode without providing the storage capacitor electrode 13 as shown in FIG. 4, the aperture ratio can be improved from 30% to 38%.

なお、本実施例では、現在第１電極１０を形成するクロムやモリブデンと比較して抵抗率の低い、例えばアルミニウムなどに変えることで、駆動ＴＦＴの一端を第1電極１０に接続することにより増加する電極の負荷を軽減することができる。   In this embodiment, the resistance is increased by connecting one end of the driving TFT to the first electrode 10 by changing the resistance to, for example, aluminum, which has a lower resistivity than chromium or molybdenum that currently forms the first electrode 10. The load on the electrode can be reduced.

また、素子基板上の両端に水平駆動回路を配置し両端から同様の信号を入力してもよく、このような構成をとることで、有機ＥＬ装置の表示領域において水平方向の輝度傾斜のない安定した発光ができる。   In addition, horizontal drive circuits may be arranged at both ends on the element substrate, and similar signals may be input from both ends. By adopting such a configuration, stable stability without luminance gradient in the horizontal direction in the display area of the organic EL device can be achieved. Can emit light.

以上のような構成を採用することにより、有機ＥＬ表示装置の開口率向上と発光の安定性を両立できる。   By adopting the above configuration, it is possible to achieve both improvement in the aperture ratio of the organic EL display device and stability of light emission.

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のパターンレイアウト図である。1 is a pattern layout diagram of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of an organic EL display device according to a third embodiment of the present invention. 本発明の各実施形態に係る画素選択用ＴＦＴの構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of TFT for pixel selection concerning each embodiment of this invention. 従来の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のパターンレイアウト図である。It is a pattern layout diagram of an organic EL display device according to a conventional embodiment. 従来の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of an organic EL display device according to a conventional embodiment. 従来の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のタイミングチャートの図である。It is a figure of the timing chart of the organic electroluminescence display concerning a conventional embodiment. 本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のタイミングチャートの図である。It is a figure of the timing chart of the organic electroluminescence display concerning each embodiment of the present invention. 本発明の各実施形態で駆動用ＴＦＴがＮ型である場合の有機ＥＬ表示装置のタイミングチャートの図である。It is a figure of the timing chart of an organic electroluminescence display in case TFT for a drive is N type in each embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１：有機ＥＬ、 １０：第１電極・ゲート信号線、１１：電源電極、
１２：ドレイン信号線、 １３：保持容量電極、 １４：画素選択用ＴＦＴ、
１５：駆動用ＴＦＴ、 １６：アルミニウム配線、 １７：コンタクト孔、
１８：アノード、 １９：保持容量、 ２０：絶縁性基板、
２１：能動層、 ２２：ゲート絶縁膜、 ２３：ドレイン・ソース、
２４：層間絶縁膜、 ２５：平坦化膜、 ２６：電極。 1: organic EL, 10: first electrode / gate signal line, 11: power supply electrode,
12: Drain signal line, 13: Retention capacitance electrode, 14: TFT for pixel selection,
15: TFT for driving, 16: Aluminum wiring, 17: Contact hole,
18: Anode, 19: Retention capacity, 20: Insulating substrate,
21: active layer, 22: gate insulating film, 23: drain / source,
24: interlayer insulating film, 25: planarizing film, 26: electrode.

Claims (6)

基板上に複数の画素を備えるエレクトロルミネッセンス表示装置において、
各画素は、エレクトロルミネッセンス素子と、第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第１電極と、第２電極とを有し、
前記第１薄膜トランジスタのゲートは前記第１電極に、ドレインは前記第２電極に、ソースは前記第２薄膜トランジスタのゲートにそれぞれ接続され、
前記第２薄膜トランジスタのドレインまたはソースの一方はエレクトロルミネッセンス素子に接続され、ドレインまたはソースの他方は前記第１電極に接続されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 In an electroluminescent display device comprising a plurality of pixels on a substrate,
Each pixel has an electroluminescence element, a first thin film transistor, a second thin film transistor, a first electrode, and a second electrode,
The gate of the first thin film transistor is connected to the first electrode, the drain is connected to the second electrode, and the source is connected to the gate of the second thin film transistor,
One of the drain and the source of the second thin film transistor is connected to an electroluminescence element, and the other of the drain and the source is connected to the first electrode. 前記第１薄膜トランジスタは、Ｐチャネル型であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   The electroluminescent display device according to claim 1, wherein the first thin film transistor is a P-channel type. 前記第１薄膜トランジスタは、ＬＤＤ構造を有していることを特徴とする請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   The electroluminescent display device according to claim 2, wherein the first thin film transistor has an LDD structure. 前記第１薄膜トランジスタと前記第２薄膜トランジスタの間には、保持容量の一方の電極が接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   4. The electroluminescence display device according to claim 1, wherein one electrode of a storage capacitor is connected between the first thin film transistor and the second thin film transistor. 5. 前記第１薄膜トランジスタと前記第２薄膜トランジスタの間に接続されている前記保持容量の他方の電極は前記第１極に接続していることを特徴とする請求項４に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   5. The electroluminescence display device according to claim 4, wherein the other electrode of the storage capacitor connected between the first thin film transistor and the second thin film transistor is connected to the first electrode. 前記基板上であって、前記複数の画素を配置した表示領域の両端に垂直側駆動回路を有すること特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。   4. The electroluminescence display device according to claim 1, further comprising vertical drive circuits on both ends of a display area on the substrate where the plurality of pixels are arranged. 5.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8169138B2 (en) 2007-11-16 2012-05-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display including a driving voltage line and method for manufacturing the same
KR101223725B1 (en) 2011-01-10 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
KR20160139691A (en) * 2015-05-28 2016-12-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and Method for the Same
KR20190139359A (en) * 2018-06-07 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8169138B2 (en) 2007-11-16 2012-05-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display including a driving voltage line and method for manufacturing the same
KR101223725B1 (en) 2011-01-10 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US8674346B2 (en) 2011-01-10 2014-03-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
USRE46935E1 (en) 2011-01-10 2018-07-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
USRE48708E1 (en) 2011-01-10 2021-08-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
USRE49891E1 (en) 2011-01-10 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20160139691A (en) * 2015-05-28 2016-12-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and Method for the Same
KR102430574B1 (en) 2015-05-28 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and Method for the Same
KR20190139359A (en) * 2018-06-07 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device
KR102600041B1 (en) * 2018-06-07 2023-11-08 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device
US12069914B2 (en) 2018-06-07 2024-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof

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