JP2006148028A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セルトランジスタ11は、p型シリコン基板、コントロールゲートCG、及び電気的に孤立した一対のフローティングゲートFG1,FG2からなる。シリコン基板には、コラム方向に延在した帯状の凸部13が形成されており、ソース又はドレインとして機能する一対の帯状のn型拡散領域14a,14bが凸部13を挟む表層に形成されている。コントロールゲートCGは、凸部13及びフローティングゲートFG1,FG2の上に絶縁膜を介して形成され、帯状にロウ方向に延在している。コラム方向に関するフローティングゲートFG1,FG2の幅W1はコントロールゲートCGの幅W2より大きい。フローティングゲートFG1,FG2及びコントロールゲートCGは、技術的課題のあるコラム方向におけるセルフアラインプロセスを用いずに簡単に形成することができる。
【選択図】 図1
Description
11 セルトランジスタ
12 シリコン基板(半導体基板)
13 凸部
13a,13b 側面
13c 頂面
14a,14b n型拡散領域(反対導電型領域)
15a,15b n型領域
16 高濃度領域
17a,17b 第1絶縁膜
18a,18b 第2絶縁膜
19 第3絶縁膜
20 凸部
21a,21b 絶縁体
CG コントロールゲート
FG1,FG2 フローティングゲート
BL ビット線
WL ワード線
Claims (15)
- 上方に突出し第1方向に延在した帯状の凸部と、前記凸部を挟む表層に形成され、ソース又はドレインとして機能する一対の帯状の反対導電型領域とを有する一導電型半導体基板と、
前記反対導電型領域の一部及び前記凸部の両側面に絶縁膜を介して対向し、導電性を有し電気的に孤立した一対のフローティングゲートと、
前記凸部及び前記一対のフローティングゲートの上に絶縁膜を介して形成され、前記第1方向に垂直な第2方向に延在した帯状のコントロールゲートと、
からなるセルトランジスタが、前記第1及び第2方向に沿って2次元マトリクス状に複数配列されてなる半導体記憶装置において、
前記第1方向に関して、前記一対のフローティングゲートの幅が、前記コントロールゲートの幅より大きいことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記コントロールゲートは、下方に突出した凸部を備えており、該凸部の頂面は絶縁膜を介して前記半導体基板の凸部の頂面に対向していることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記フローティングゲートは、前記半導体基板と前記コントロールゲートとに容量結合し、前記半導体基板との間で生じる結合容量が、前記コントロールゲートとの間で生じる結合容量より大きいことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 前記フローティングゲートは、前記半導体基板の凸部の側面、及び前記コントロールゲートの凸部の側面に絶縁膜を介して対向する側面を有することを特徴とする請求項2又は3記載の半導体記憶装置。
- 前記第2方向に隣接する2つの前記セルトランジスタは、1つの前記反対導電型領域を共有していることを特徴とする請求項1ないし4いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記第1方向に配列された複数の前記セルトランジスタは、前記一対の反対導電型領域を共有していることを特徴とする請求項1ないし5いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記第2方向に配列された複数の前記セルトランジスタの前記コントロールゲートが電気的に一体に形成されていることを特徴とする請求項1ないし6いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記半導体基板の凸部の各側面の表層には、反対導電型不純物が注入されていることを特徴とする請求項1ないし7いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記半導体基板中の前記一対の反対導電型領域の間には、一導電型不純物の濃度が高められた高濃度領域が形成されていることを特徴とする請求項1ないし8いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記セルトランジスタの前記コントロールゲートと前記一対の反対導電型領域とに対して書き込み用又は読み出し用の電圧を印加したとき、前記半導体基板の凸部の各側面及び頂面の表層にチャネルが生成されることを特徴とする請求項1ないし9いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記セルトランジスタの前記コントロールゲートと前記一対の反対導電型領域とに対して書き込み用の電圧を印加したとき、前記チャネルに流れる電荷粒子の一部がドレイン側の前記フローティングゲートに注入されることを特徴とする請求項1ないし10いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記セルトランジスタの前記コントロールゲートと前記一対の反対導電型領域とに対して読み出し用の電圧を印加したとき、前記チャネルに流れる電流がソース側の前記フローティングゲートの電荷量に応じて変調されることを特徴とする請求項1ないし11いずれか記載の半導体記憶装置。
- 前記セルトランジスタの前記コントロールゲートと前記一対の反対導電型領域とに対して消去用の電圧を印加したとき、前記一対のフローティングゲートに蓄積された電荷粒子が前記コントロールゲートに放出されることを特徴とする請求項1ないし12いずれか記載の半導体記憶装置。
- 請求項1ないし13いずれか記載の半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第1方向に延在する前記半導体基板の凸部の各側面に沿うように絶縁膜を介して形成した帯状の第1導電性材料を前記第1方向に分断することで前記一対のフローティングゲートを形成する第1工程と、
この第1工程の後に、全面に絶縁膜を介して堆積した第2導電性材料を、前記第2方向に延在する帯状のレジストマスクに基づいてパターニングすることで前記コントロールゲートを形成する第2工程とを含み、
前記第1方向に関して、前記第2工程で用いられる前記レジストマスクの幅が、前記第1第工程で形成される前記一対のフローティングゲートの幅より小さいことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第2工程において、全面に堆積した前記第2導電性材料の上に絶縁膜を介して前記レジストマスクを形成し、前記第2導電性材料上の前記絶縁膜をパターニングした後、前記レジストマスクを除去し、パターニングされた前記絶縁膜をハードマスクとして前記第2導電性材料をパターニングすることを特徴とする請求項14記載の半導体記憶装置の製造方法。
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