JP2006118716A - 圧力勾配cvi/cvd装置、方法および製品 - Google Patents
圧力勾配cvi/cvd装置、方法および製品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006118716A JP2006118716A JP2005312778A JP2005312778A JP2006118716A JP 2006118716 A JP2006118716 A JP 2006118716A JP 2005312778 A JP2005312778 A JP 2005312778A JP 2005312778 A JP2005312778 A JP 2005312778A JP 2006118716 A JP2006118716 A JP 2006118716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactant gas
- cvi
- porous
- preheater
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000000280 densification Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 257
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 150
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 114
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 59
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 36
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 25
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 51
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 9
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 7
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 5
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 5
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 4
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 3
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000011226 reinforced ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017858 Laurus nobilis Nutrition 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000125380 Terminalia tomentosa Species 0.000 description 1
- 235000005212 Terminalia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- -1 propane hydrocarbon Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 210000001170 unmyelinated nerve fiber Anatomy 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
- C04B35/83—Carbon fibres in a carbon matrix
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
- F16D65/00—Parts or details
- F16D65/02—Braking members; Mounting thereof
- F16D65/12—Discs; Drums for disc brakes
- F16D65/125—Discs; Drums for disc brakes characterised by the material used for the disc body
- F16D65/126—Discs; Drums for disc brakes characterised by the material used for the disc body the material being of low mechanical strength, e.g. carbon, beryllium; Torque transmitting members therefor
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
- F16D69/00—Friction linings; Attachment thereof; Selection of coacting friction substances or surfaces
- F16D69/02—Composition of linings ; Methods of manufacturing
- F16D69/023—Composite materials containing carbon and carbon fibres or fibres made of carbonizable material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/614—Gas infiltration of green bodies or pre-forms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S427/00—Coating processes
- Y10S427/10—Chemical vapor infiltration, i.e. CVI
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
- Y10T428/213—Frictional
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
- Y10T428/218—Aperture containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249961—With gradual property change within a component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249962—Void-containing component has a continuous matrix of fibers only [e.g., porous paper, etc.]
- Y10T428/249964—Fibers of defined composition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249978—Voids specified as micro
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
- Y10T428/2918—Rod, strand, filament or fiber including free carbon or carbide or therewith [not as steel]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Braking Arrangements (AREA)
- Supplying Of Containers To The Packaging Station (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】多孔質構造物22の第1の部分86が多孔質構造物22の第2の部分88より大きな圧力が掛けられ、その第1部分86が第2部分88よりも大きな高密度量を有する圧力勾配CVI/CVD法を用いて、多孔質構造物22の内部に第1マトリックスを析出ことによってCVI/CVD加熱炉10の内部において多孔質構造物22を部分的に緻密化する、そして、第2部分88が第1部分86よりも大きな高密度量を有する少なくとも1つの付加的緻密化工程を用いることによって、多孔質構造物22の内部に第2マトリックスを析出することによって、多孔質構造物22を引き続いて緻密化するという工程を有する。
【選択図】図1
Description
を参照のこと。
反応炉の容積447は加熱炉の容積446の内部に含有される。加熱炉への供給ライン408は反応器容積447と流体連通の関係にある。減圧装置448は排気筒450を介して加熱炉の容積446と反応器容積447と流体連通の関係にある。減圧装置448は加熱炉の容積446中の圧力を減圧(大気圧以下まで下げ)、適切なフィルターおよび消費された反応剤ガスからの望ましくない副生成物を除去するスクラバーを有する減圧ポンプまたは蒸気減圧システムのような如何なる適切な装置からなっていてもよい。加熱炉への供給ライン408からの反応剤ガスは対応する予熱装置458に導入される。第1予熱装置458は反応器容積447の内部に配置され、導入口460と排気口461を有する。第1予熱装置458は、対応する加熱炉への供給ライン408から導入口460へと導入される実質的にすべてのガスが加熱され、且つそのガスが加熱炉の内部に配置されている少なくとも一つの多孔質構造物を浸透する対応する排気口461を通じて予熱装置から排気されるように封止されている。用語「実質的にすべてのガス」とは少量の漏れは考慮されることを意図されている。第1予熱装置458は、対応する加熱炉への供給ライン408からの反応剤ガスの温度よりも高い予熱装置の温度まで加熱される。多孔質構造物も加熱される。この実施例において、多孔質構造物は反応器容積447の内部に配置されている第1多孔質壁452からなっている。第1多孔質壁452は好ましくは環状であり、第1多孔質壁452の上方の開口端を封止する第1天板454からなり、それによって第1の囲まれた空洞456が規定される。第1多孔質壁452のもう一方の端は第1予熱装置458に対して封止され、第1予熱装置の排気口461は第1の囲まれた空洞456と流体連通の関係にある。
第2温度センサー492は第2予熱装置の排気口481に近接して備えられる。
もし反応剤ガスの第1流が第1多孔質壁452よりも高い温度であったならば、この逆も適応される。第1多孔質壁温度センサー498は、望ましい第1多孔質壁温度を得るために必要であるような第1ガスの流量の自動または手動での制御を可能とする第1多孔質壁温度センサーライン502を介して制御装置414と伝達する。第2多孔質壁温度は第2多孔質壁温度センサー500によって同様に検知されてもよい。第2多孔質壁温度センサー500は、第2ガスの流量を増加または減少させることによって望ましい第2多孔質壁温度を得るために必要であるような第2ガスの流量の自動または手動での制御を可能とする第1多孔質壁温度センサーライン504を介して制御装置414と伝達する。第3および付加的多孔質壁の温度は同様な手段で検知および制御される。加熱炉供給ライン408からの個々のガスの流動は反応ガス供給装置402によってCVI/CVD析出法に影響するために独立して制御される。多孔質壁温度センサーはまた、温度センサー506によって示されるように、多孔質壁に直接挿入されてもよい。もし多孔質壁が多孔質構造物の積み重ねから形成されるのであれば、熱電対が隣接する一対の環状多孔質構造物の間に配置される。多孔質壁の温度はまた、隣接する一対の多孔質壁452と472の間に配置される光学標的544上の窓546を通じて集束される光学的ピロメーター548によって検知されてもよい。
ID環状スペーサー284は、好ましくは多孔質構造物内径610よりも僅かに大きい外径286および多孔質構造物内径610と一般に同一である内径288を有している。
圧力勾配CVI/CVD固定具中で隣接する多孔質構造物の対の間の付加物支持ブロックは、熱処理法中たわみを防止するため必要である。
慣用のCVI/CVD法のためのベースラインが次のようにして確立された。
約1.5インチ厚の繊維質テキスタイル構造物が一軸のポリアクリロニトリル繊維の320Kトウから出発して、米国特許第4,790,052号の図1〜4に従って製造された。次いで、外径約7.5インチ、内径約2.5インチを持つ環状多孔質構造物が、このテキスタイル構造物から切り取られた。
この環状多孔質構造物は、繊維を炭素に変換するため次いで熱分解された。嵩密度0.49g/ccを持つ熱分解された多孔質構造物が次いで図14の炉11に類似する炉内に置かれた。
この方法の最後において、緻密化された多孔質構造物内に析出した炭素マトリックスは、多孔質構造物の表面に円滑な積層マイクロ構造の最小限の析出しか伴わず、ほとんど全て粗い積層マイクロ構造からなっていた。
1.6インチ厚、外径6.2インチおよび内径1.4インチを持つ環状多孔質構造物が繊維質テキスタイル構造物から切り取られ、そして慣用のCVI/CVD法によって実施例1に従って加工された。この実施例の試験条件とデータは表2に示されている。
繊維質テキスタイル構造物から製造され、そして実施例1に記載したと同じ大きさを持つ2つの環状多孔質構造物(ディスクAとB)が、図1の炉10に類似する炉、ID/ODスペーサーを持つ図2の固定具2に類似する固定具および実施例1の反応剤ガス混合物を用いて、圧力勾配CVI/CVD法によって緻密化された。この実施例の試験条件およびデータは表3示されている。
炉圧は10トルであった。ガス流の温度は、図1の温度センサー74のような温度センサーによって測定したとき1740°Fであると予測された。ガスは4000sccmの流速で、図2に関して前述したように、多孔質構造物を通して流された。
ディスクA内に析出された炭素マトリックスは、全て粗い積層マイクロ構造からなっていた。ディスクBのマイクロ構造は、評価されなかった。ディスクAは、小さなサンプルに切断され、そしてこれらのサンプルの嵩密度値がアルキメデス法を用いて決定され、そして図8に類似する密度プロファイルが得られた。
3つの環状多孔質構造物(ディスクA、BおよびC)が製造され、そして多孔質構造物が一層均一な最終密度分布を得るために、この方法中軽く払われて一部が除かれたこと以外、実施例3に従って圧力勾配CVI/CVD法によって独立に緻密化された。ガス流の温度は図1の温度センサー74のような温度センサーによって測定したとき約1740°Fであった。この実施例の試験条件およびデータは表4に示されている。ディスクAとC内に析出された炭素マトリックスは、軽く払う前は全て粗い積層であり、そして軽く払った後は本質的に円滑な積層であった。ディスクBのミクロ構造は決定されなかった。最終的な緻密化多孔質構造体は図9に類似の密度プロファイルを有していた。
繊維質テキスタイル構造物から製造され、そして実施例1に記載したと同じ大きさを持つ2つの多孔質構造物が、全て“ID”スペーサーを持つ図4の固定具6に類似する固定具と実施例1の反応剤ガス混合物を用いて、圧力勾配CVI/CVD法によって、同時に緻密化された。ガス流の温度は図1の温度センサー74の如き温度センサーによって測定したとき1745℃と予測された。この実施例の試験条件とデータは表5に示されている。表5の密度増加は2つのディスクの平均値である。この方法の最後における、緻密化された多孔質構造物内に析出した炭素マトリックスは全て粗い積層ミクロ構造からなっていた。ディスクの計算されたトマグラフィー走査は、図10に類似する密度プロファイルを示した。
繊維質テキスタイル構造物から製造され、そして実施例1に記載したと同じ大きさを持つ4つの環状多孔質構造物が、全て“OD”スペーサーを持つ図5の固定具8と同様の固定具および実施例1の反応剤ガス混合物を用いて、圧力勾配CVI/CVD法によって緻密化された。2つのディスクが同時に緻密化され(ディスク対AとB)、そして反応剤ガス流速がディスク当りの流速を4000sccmに維持するために2倍にされた。ガス流の温度は図1の温度センサー74の如き温度センサーによって測定したとき約1750°Fであった。この実施例の試験条件とデータは表6に示されている。表6の密度増加は各ディスク対の平均値である。この方法の最後における、緻密化された多孔質構造体内に析出された炭素マトリックスは、全て粗い積層ミクロ構造からなっていた。ディスク対Bの計算されたトマグラフィー走査は図11に類似する密度プロファイルを示した。
環状多孔質構造体が繊維質テキスタイル構造物から製造され、実施例2に記載されたと同じ大きさを有し、そして逆流法で、全て“ID”シールを持つ図7の固定具7に類似する固定具および実施例1の反応剤ガス混合物を用いて、圧力勾配CVI/CVD法によって緻密化された。ガス流の温度は図1の温度センサー74の如き温度センサーによって測定したとき1730℃と予測された。反応剤ガスは図7に関して、前に記載したとおりの多孔質構造を通して3000sccmの流速で(ディスクが実施例3〜6で用いられたディスクよりも小さかったので、流速は低かった)流された。この実施例の試験条件およびデータは表7に示されている。
この方法の最後において、緻密化された多孔質構造内に析出された炭素マトリックスはほとんど円滑な積層ミクロ構造からなっていた。
このように、本発明の範囲内に残りながら幾分かの漏れは起こり得る。
さて、図25を参照すると、緻密化速度対標準化流れを表す曲線が示されている。標準化流れは、F*として示されており、そしてディスクの単位体積当りの流量を表している(例えばディスク体積1000cc当り4000sccm=4min−1)。付加的試験は、反応剤ガスの流速が1つの試験から次の試験へ変化されたことを除き、実施例6および7に従った試験であった。流れを変えて実施例6に従って行われた試験のデータが表8に示されており、そして流速を変えて実施例7に従って行われた試験のデータは表9に示されている。曲線526は慣用CVI/CVDを表している。表8のデータは全て“OD”スペーサー(図5)を用いた圧力勾配CVI/CVDを表す曲線528として表されている。表9のデータは全て“ID”スペーサー(図7)を用いた逆流圧力勾配CVI/CVDを表す曲線530として表されている。
以下の請求範囲によって規定される本発明の範囲を逸脱することなしに、多くの変形が可能であることは明らかである。
Claims (53)
- この環状多孔質構造内に析出された第1炭素マトリックスと、該第1炭素マトリックス上に重なって、該環状多孔質構造内に析出された第2炭素マトリックスとを持つ緻密化された環状の多孔質構造、該緻密化された環状の多孔質構造は、内部円周面および該内部円周面から空間を持って離れ、そしてそれを取り巻いている外部円周面とによって結合された2つの一般に平行な平坦面を有し、該内部円周面に隣接する第1境界部分および該外部円周面に隣接する第2境界部分からなり、ここで該第1および第2境界部分は該2つの一般に平行な平坦面によって制限されており、該第2境界部分は該第1境界部分に対して単位容積当り該第1炭素マトリックスの少なくとも10%以下を有し、該第1炭素マトリックスと該第2炭素マトリックスは実質的に粗い積層ミクロ構造を有し、そして該第1炭素マトリックスは該第2炭素マトリックスよりも炭素化が進んでいる、摩擦ディスク。
- 該第1炭素マトリックスと該第2炭素マトリックスは、少なくとも90%の粗い積層ミクロ構造を有する、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも大きい、該2つの一般に平行な平坦面に垂直な熱伝導性を持つ、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも大きい、該第1および第2境界面に垂直な熱伝導性を持つ、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも大きい、破砕見掛密度を持つ、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも0.2%大きい破砕見掛密度を持つ、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1炭素マトリックスは該第2炭素マトリックスよりも大きい熱伝導性を持つ、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1炭素マトリックスは該第2炭素マトリックスよりも大きい密度を持つ、請求項1の摩擦ディスク。
- 該環状多孔質構造は炭素繊維からなる、請求項1の摩擦ディスク。
- 該緻密化環状多孔質構造は環状の繊維質構造からなる、請求項1の摩擦ディスク。
- 該緻密化環状多孔質構造は炭素繊維を持つ環状の繊維質構造からなる、請求項1の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも大きい、該2つの一般に平行な平坦面に垂直な熱伝導性を持つ、請求項11の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも大きい、該第1および第2の境界面に垂直な熱伝導性を持つ、請求項11の摩擦ディスク。
- 該第1境界部分は該第2境界部分よりも大きい、破砕見掛密度を持つ、請求項11の摩擦ディスク。
- 該緻密化された環状の多孔質構造は、炭素繊維のみを持つ環状の繊維質構造からなる、請求項1の摩擦ディスク。
- 該2つの対向する面に垂直な熱伝導性および該緻密化された環状の多孔質構造の破砕見掛密度は、該内部円周面から該外部円周面へ半径方向に一般に減少してい、請求項1〜15のいずれかによる摩擦ディスク。
- 該緻密化された環状の繊維質構造は、炭素繊維からなる、請求項16の摩擦ディスク。
- 反応剤ガスを該CVI/CVD炉内に配置された密封されたプレヒーター中に導入し、該密封されたプレヒーターは、プレヒーター入口とプレヒーター出口を持ち、該反応剤ガスは該プレヒーター入口中に導入され、そして該プレヒーター出口を通して該密封されたプレヒーターを出、そして該CVI/CVD炉内に配置された少なくとも1つの多孔質構造に浸透し;
該少なくとも1つの多孔質構造を加熱し;
該密封されたプレヒーターを、該反応剤ガス温度よりも高いプレヒーター温度まで加熱し;
該反応剤ガスのガス温度を該出口近傍で感知し;
該プレヒーター温度を所望のガス温度を達成するように調節し;そして 該反応剤ガスを該CVI/CVD炉から排出する、工程からなる、CVI/CVD炉中でのCVI/CVD法。 - 該CVI/CVD炉はサセプター壁からなり、そして該サセプター壁を加熱する工程をさらに包含し、そして該密封されたプレヒーターを加熱する該工程は該サセプター壁から該密封されたプレヒーターへ熱エネルギーを放射する工程からなる、請求項18の方法。
- 該密封されたプレヒーターは該サセプター壁に近接して配置されている、請求項18の方法。
- 該CVI/CVD炉は少なくとも第1および第2のサセプター壁部分と少なくとも第1および第2の誘導コイルを持つサセプター壁からなり、該第1誘導コイルは、該第1誘導コイルからの電気エネルギーを該第1サセプター壁中の熱エネルギーに変換するように、該第1サセプター壁へ誘導結合されており、そして該第2誘導コイルは該第2誘導コイルからの電気エネルギーを該第2サセプター部分の熱エネルギーへ変換するように、該第2サセプター壁部分に誘導結合されており、該密封されたプレヒーターは、該第1サセプター壁部分の近くに配置されており、そして該第1サセプター壁部分からの輻射熱エネルギーによって少なくとも部分的に該プレヒーター温度まで加熱されており;そして
ここで該熱変換器温度を調節する該工程は、該第1誘導コイルへの電力を調節する工程からなる、請求項18の方法。 - 該CVI/CVD炉は、少なくとも第1および第2の円筒状サセプター壁部分並びに少なくとも第1および第2の円筒状誘導コイルを有する円筒状サセプター壁からなり、該第1円筒状誘導コイルは、該第1円筒状誘導コイルからの電気エネルギーを該第1円筒状サセプター壁の熱エネルギーに変換するように、該第1円筒状サセプター壁へ誘導結合され且つその周囲に同心配置されており、そして該第2円筒状誘導コイルは、該第2円筒状誘導コイルからの電気エネルギーを該第2円筒状サセプター壁部分の熱エネルギーに変換するように、該第2円筒状サセプター壁部分に誘導結合され且つその周囲に同心配置されており、該密封プレヒーターは該第1円筒状サセプター壁部分内に且つ近接して同心配置された一般に円筒状のプレヒーター外周を規定し、そして該第1円筒状サセプター壁部分からの輻射熱エネルギーによって少なくとも部分的に、該プレヒーター温度まで加熱されており、そして
ここで該プレヒーター温度を調節する該工程は、該第1誘導コイルへの電気エネルギーを調節する工程からなる、請求項18の方法。 - 該CVI/CVD炉は、一般に円筒状のサセプター壁からなり、該密封されたプレヒーターは、該円筒状サセプター壁に近接する一般にアーチ形のプレヒーター外周からなる、請求項18の方法。
- 該密封されたプレヒーターは、電気エネルギーによって抵抗加熱されている、請求項18の方法。
- 該プレヒーター出口は、穴の配列からなる、請求項18の方法。
- 該少なくとも1つの多孔質構造は、第1部分と第2部分からなり;そして該反応剤ガスを該第1部分から該第2部分へ該少なくとも1つの多孔質構造を通して通過させる工程をさらに包含する、請求項18の方法。
- 該反応剤ガスは、該少なくとも1つの多孔質構造内に実質的に粗い積層ミクロ構造を持つ炭素マトリックスを析出する、請求項26の方法。
- 該少なくとも1つの多孔質構造は、炭素多孔質構造であり、そして該反応剤ガスは、該少なくとも1つの多孔質構造中に炭素マトリックスを析出する、請求項18の方法。
- 該少なくとも1つの多孔質構造は、環状多孔質壁を規定する積み重ね中に配置された複数の環状多孔質構造からなり、そして該反応剤ガスを該CVI/CVD炉へ導入し、そして該反応剤ガスを該環状多孔質壁の反対側で該CVI/CVD炉から排出することによって、該環状多孔質壁を通して該反応剤ガスの分散を行う工程をさらに包含する、請求項18の方法。
- それぞれの環状多孔質構造は表面領域を持ち、環状多孔質構造の該積み重ねは、それぞれの環状多孔質構造の該表面領域の大部分を該反応剤ガスに曝して、隣接する多孔質構造のそれぞれの対の間に同心配置された少なくとも1つのリングを持つ、請求項29の方法。
- 該積み重ねは、該環状多孔質壁によって束ねた囲まれた空洞を規定し;そして該プレヒーター出口から該囲まれた空洞中へ該反応ガスを導入する工程をさらに包含し、該囲まれた空洞は該プレヒーター出口に対し密封されている、請求項29の方法。
- 囲まれた空洞を規定する環状多孔質壁を形成し、該環状多孔質壁は環状繊維質炭素構造の積み重ねを包含し;
該環状多孔質壁を該密封されたプレヒーターに対して密封し、該密封されたプレヒーターはプレヒーター入口とプレヒーター出口とを有し、該囲まれた空洞は該ガス出口と流体連通しており;
炭素を持つ反応剤ガスを該プレヒーター入口に導入し、該ガスを該密封されたプレヒーターに通して該プレヒーター出口へおよび該囲まれた空洞中へ向け;
該環状多孔質壁を加熱し;
該プレヒーターを該プレヒーター入口近傍の該反応剤ガスのガス温度よりも高いプレヒーター温度まで加熱し;
該反応剤ガスのガス温度を該プレヒーター出口の近傍で感知し;
該プレヒーター温度を所望のガス温度が達成されるように調節し;そして
該反応剤ガスを該囲まれた空洞と反対の該環状多孔質壁の側で該CVI/CVD炉から取り出し、それによって該囲まれた空洞中に導入された該反応剤ガスの該環状多孔質壁を通して分散させる、
工程からなる、CVI/CVD炉中でのCVI/CVD法。 - 該CVI/CVD炉は少なくとも第1および第2のサセプター壁部分と少なくとも第1および第2の誘導コイルを持つサセプター壁からなり、該第1誘導コイルは、該第1誘導コイルからの電気エネルギーを該第1サセプター壁中の熱エネルギーに変換するように、該第1サセプター壁へ誘導結合されており、そして該第2誘導コイルは該第2誘導コイルからの電気エネルギーを該第2サセプター部分の熱エネルギーへ変換するように、該第2サセプター壁部分に誘導結合されており、該プレヒーターは、該第1サセプター壁部分の近くに配置されており、そして該第1サセプター壁部分からの輻射熱エネルギーによって少なくとも部分的に該プレヒーター温度まで加熱されており;そしてここで該熱変換器温度を調節する該工程は、該第1誘導コイルへの電力を調節する工程からなる、請求項32の方法。
- 該反応剤ガスは、該環状の多孔質構造内に実質的に粗い積層ミクロ構造を持つ炭素マトリックスを析出する、請求項32の方法。
- それぞれの環状繊維質構造は表面領域を持ち、該積み重ねは、それぞれの環状繊維質炭素構造の該表面領域の大部分を該反応剤ガスに曝して、隣接する環状繊維質炭素構造のそれぞれの対の間に同心配置された少なくとも1つのリングを持つ、請求項32の方法。
- 第1反応剤ガスを供給するための第1主要ガスライン;
該第1主要ガスラインおよびCVI/CVD炉と流体連通の複数の炉供給ライン;
それぞれの炉供給ラインを通しての第1反応剤ガス流の量を測量する複数の第1流量計;
および
それぞれの炉供給ラインを通しての第1反応剤ガスの流れの該量を制御するように形造られた複数の第1制御バルブ
からなるCVI/CVD炉中に第1反応剤ガスを導入するための装置。 - 該複数の第1流量計はコントローラーと連通しており、該コントローラーは該複数の第1制御バルブを制御する請求項36の装置。
- それぞれの炉供給ラインは、1つの第1流量計と1つの第1制御バルブを有し、該1つの第1流量計はコントローラーと連通しており、該コントローラーは該1つの第1制御バルブを制御する、請求項36の装置。
- 該第1主要ガスライン中に配置された第1主要制御バルブをさらに包含する、請求項36の装置。
- 第2反応剤ガスを供給するための第2主要ガスライン;
それぞれの炉供給ラインを通しての第2反応剤ガス流れの量を測量する複数の第2流量計;
および それぞれの炉供給ラインを通しての第2反応剤ガスの該流量を制御するように形造られた複数の第2制御バルブ
をさらに包含する、第2反応剤ガスがCVI/CVD炉に供給される、請求項36の装置。 - 炉容積を規定するCVI/CVD炉;
該炉容積と流体連通している減圧装置;
第1反応剤ガスを供給するための第1主要ガスライン;
該第1主要ガスラインと流体連通している複数の炉供給ライン;および
該炉容積内に配置された多孔質構造の複数の積み重ね、それぞれの積み重ねは、該1つの炉供給ラインを通してそれぞれの囲まれた空洞中に導入される反応剤ガス流が該減圧装置によって該炉容積から引き出される前に、該多孔質構造を通して分散されるように、異なる炉供給ラインと流体連通しており且つ該炉容積内に密封された囲まれた空洞を規定している、
からなる複数の多孔質構造をCVI/CVD緻密化するための装置。 - 該第1主要供給ライン内に配置された第1主要制御バルブをさらに包含する、請求項41の装置。
- それぞれの炉供給ラインを通じての第1反応剤ガス流の量を測量する複数の第1流量計;および
それぞれの炉供給ラインを通しての第1反応剤ガスの該流量を制御するように形造られた複数の第1制御バルブ
をさらに包含する、請求項41の装置。 - それぞれの炉供給ラインは、1つの第1流量計と1つの第1制御バルブを有し、該1つの第1流量計はコントローラーと連通しており、該コントローラーは該1つの制御バルブを制御する、請求項42の装置。
- 第2反応剤ガスを供給するための第2主要ガスライン、該炉供給ラインは、該第2主要ガスラインと流体連通している、をさらに包含する、請求項42の装置。
- それぞれの炉供給ラインを通しての第2反応剤ガス流の量を測量する複数の第2流量計;
および
それぞれの炉供給ラインを通しての該第2反応剤ガスの該流量を制御するように形造られた複数の第2制御バルブ
をさらに包含する、請求項45の装置。 - 反応剤ガスの第1流れが第1多孔質壁を通して分散される、圧力勾配CVI/CVD法によって、CVI/CVD炉内で第1多孔質壁を緻密化し;
反応剤ガスの第2流れが該第2多孔質壁を通して分散される、圧力勾配CVI/CVD法によって、第2多孔質壁を緻密化し;そして
該反応剤ガスの該第1流れと該反応剤ガスの該第2流れを独立に制御する、
工程からなる、CVI/CVD緻密化方法。 - 少なくとも反応剤ガスの第3の流れが少なくとも該第3多孔質壁を通して分散される、圧力勾配CVI/CVD法によって、少なくとも第3多孔質壁を緻密化し;そして
少なくとも反応剤ガスの該第3流れを独立に制御する、
工程をさらに包含する、請求項47の方法。 - 第1多孔質壁温度を感知し;そして
反応剤ガスの該第1流れを増加または減少させることによって該第1多孔質壁温度を制御する、
工程をさらに包含する、請求項47の方法。 - 第2多孔質壁温度を感知し;そして
反応剤ガスの該第2流れを増加または減少させることによって該第2多孔質壁温度を制御する、
工程をさらに包含する、請求項49の方法。 - 該第1多孔質壁を緻密化する該工程が、該第1多孔質壁の一方の側を第1圧力で、そして該第1多孔質壁の反対側を真空圧で、反応剤の該第1流れに付す工程、該第1圧力は該真空圧よりも大きい;および
該第2多孔質壁を緻密化する該工程が該第2多孔質壁の一方の側を第2圧力で、そして該第2多孔質壁の反応側を真空圧で、反応剤ガスの該第2流れに付す工程、該第2圧力は該真空圧よりも大きい、請求項47の方法。 - 該第1圧力を感知し;そして
反応剤ガスの該第1流れを増加または減少させることによって該第1圧力を制御する、
工程をさらに包含する、請求項51の方法。 - 該第2圧力を感知し;そして
反応剤ガスの該第2流れを増加または減少させることによって該第2圧力を制御する、
工程をさらに包含する、請求項52の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US34051094A | 1994-11-16 | 1994-11-16 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51635896A Division JP3754450B2 (ja) | 1994-11-16 | 1995-11-16 | 圧力勾配cvi/cvd法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006320423A Division JP2007146298A (ja) | 1994-11-16 | 2006-11-28 | 圧力勾配cvi/cvd装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006118716A true JP2006118716A (ja) | 2006-05-11 |
JP4171740B2 JP4171740B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=23333684
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51635896A Expired - Fee Related JP3754450B2 (ja) | 1994-11-16 | 1995-11-16 | 圧力勾配cvi/cvd法 |
JP2005312778A Expired - Fee Related JP4171740B2 (ja) | 1994-11-16 | 2005-10-27 | 摩擦ディスク |
JP2006320423A Pending JP2007146298A (ja) | 1994-11-16 | 2006-11-28 | 圧力勾配cvi/cvd装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51635896A Expired - Fee Related JP3754450B2 (ja) | 1994-11-16 | 1995-11-16 | 圧力勾配cvi/cvd法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006320423A Pending JP2007146298A (ja) | 1994-11-16 | 2006-11-28 | 圧力勾配cvi/cvd装置および方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US5853485A (ja) |
EP (2) | EP0832863B1 (ja) |
JP (3) | JP3754450B2 (ja) |
KR (1) | KR100389502B1 (ja) |
CN (1) | CN1171137A (ja) |
AT (2) | ATE172753T1 (ja) |
AU (1) | AU4240196A (ja) |
CA (1) | CA2205087A1 (ja) |
DE (2) | DE69505694T2 (ja) |
DK (1) | DK0792384T3 (ja) |
ES (1) | ES2125058T3 (ja) |
WO (1) | WO1996015285A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530370A (ja) * | 2005-02-17 | 2008-08-07 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | 化学蒸気浸透により薄い多孔質基体を高密度化する方法、及び当該基体のローディング装置 |
Families Citing this family (103)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2205087A1 (en) | 1994-11-16 | 1996-05-23 | Mark J. Purdy | Pressure gradient cvi/cvd apparatus, process and product |
FR2732677B1 (fr) * | 1995-04-07 | 1997-06-27 | Europ Propulsion | Procede d'infiltration chimique en phase vapeur avec parametres d'infiltration variables |
FR2733254B1 (fr) * | 1995-04-18 | 1997-07-18 | Europ Propulsion | Procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux disposes en piles annulaires |
US5908792A (en) | 1995-10-04 | 1999-06-01 | The B. F. Goodrich Company | Brake disk having a functional gradient Z-fiber distribution |
US7476419B2 (en) | 1998-10-23 | 2009-01-13 | Goodrich Corporation | Method for measurement of weight during a CVI/CVD process |
US6352430B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-03-05 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace |
US6669988B2 (en) * | 2001-08-20 | 2003-12-30 | Goodrich Corporation | Hardware assembly for CVI/CVD processes |
US6440220B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-08-27 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for inhibiting infiltration of a reactive gas into porous refractory insulation |
US6062851A (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-16 | The B. F. Goodrich Company | Combination CVI/CVD and heat treat susceptor lid |
US6162298A (en) * | 1998-10-28 | 2000-12-19 | The B. F. Goodrich Company | Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace |
KR20000046418A (ko) * | 1998-12-31 | 2000-07-25 | 추호석 | 브레이크 디스크의 제조방법 |
US6169274B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-01-02 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and method, detecting temperatures at plural positions each different in depth in holding plate, and estimating temperature of surface of plate corresponding to detected result |
IT1312150B1 (it) * | 1999-03-25 | 2002-04-09 | Lpe Spa | Perfezionata camera di reazione per reattore epitassiale |
DE60013208T2 (de) | 1999-06-04 | 2005-08-11 | Goodrich Corp. | Suzeptordeckel sowohl für Gasphaseninfiltration bzw. -Beschichtung als auch Wärmebehandlung |
US6383298B1 (en) | 1999-06-04 | 2002-05-07 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for pressure measurement in a CVI/CVD furnace |
DE60024524T2 (de) | 1999-06-04 | 2006-08-31 | Goodrich Corp. | Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen von einem CVI/CVD-Ofen |
CA2299225C (en) * | 1999-09-06 | 2006-09-19 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing ceramic-based composite member |
DE10009530A1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-09-13 | Klaus J Huettinger | Verfahren zur Chemischen Gasphaseninfiltration von refraktären Stoffen, insbesondere Kohlenstoff, sowie von faserverstärktem Kohlenstoff |
US7378362B2 (en) * | 2000-09-29 | 2008-05-27 | Goodrich Corporation | Boron carbide based ceramic matrix composites |
CA2421032A1 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | The B.F. Goodrich Company | Boron carbide based ceramic matrix composites |
FR2821859B1 (fr) | 2001-03-06 | 2004-05-14 | Snecma Moteurs | Procede pour la densification par infiltration chimique en phase vapeur de substrats poreux ayant un passage central |
DE10119571C1 (de) * | 2001-04-21 | 2002-11-28 | Schott Glas | Verfahren zum gleichmäßigen Beschichten von Hohlkörpern und deren Verwendung |
US6758909B2 (en) * | 2001-06-05 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates |
KR100400044B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드 |
US6953605B2 (en) * | 2001-12-26 | 2005-10-11 | Messier-Bugatti | Method for densifying porous substrates by chemical vapour infiltration with preheated gas |
FR2834713B1 (fr) * | 2002-01-15 | 2004-04-02 | Snecma Moteurs | Procede et installation pour la densification de substrats par infiltration chimique en phase vapeur |
US6572371B1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-06-03 | Messier-Bugatti | Gas preheater and process for controlling distribution of preheated reactive gas in a CVI furnace for densification of porous annular substrates |
FR2842193B1 (fr) | 2002-07-12 | 2004-10-01 | Messier Bugatti | Procede et installation pour le traitement thermique a haute temperature et la densification par infiltration chimique en phase vapeur de textures en carbone |
JP2004143521A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Sony Corp | 薄膜形成装置 |
EP1452624B1 (en) * | 2002-10-24 | 2008-06-11 | Goodrich Corporation | Process and apparatus for batch and continuous densification by chemical vapor infiltration (CVI) |
UA84862C2 (en) * | 2003-03-03 | 2008-12-10 | Месье-Бугатти | Substrate |
FR2854168B1 (fr) * | 2003-04-28 | 2007-02-09 | Messier Bugatti | Commande ou modelisation de procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux par du carbone |
US7846506B1 (en) | 2003-06-13 | 2010-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Metal coatings for reduced friction in composites |
GB2403989B (en) * | 2003-07-15 | 2006-06-14 | Dunlop Aerospace Ltd | Composite article |
US7437944B2 (en) * | 2003-12-04 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for pressure and mix ratio control |
US7335397B2 (en) * | 2004-02-16 | 2008-02-26 | Goodrich Corporation | Pressure gradient CVI/CVD apparatus and method |
US20050271876A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Walker Terrence B | Method for producing carbon-carbon brake material with improved initial friction coefficient or 'bite' |
US7332195B2 (en) * | 2004-08-26 | 2008-02-19 | Honeywell International Inc. | Chemical vapor deposition method |
US7241476B2 (en) * | 2004-09-16 | 2007-07-10 | Honeywell International Inc. | Airflow masking of carbon-carbon composites for application of antioxidants |
US7666475B2 (en) | 2004-12-14 | 2010-02-23 | Siemens Energy, Inc. | Method for forming interphase layers in ceramic matrix composites |
US7431978B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-10-07 | General Electric Company | Reinforced matrix composite containment duct |
US7335012B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-02-26 | General Electric Company | Apparatus for fabricating reinforced composite materials |
US7332049B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-02-19 | General Electric Company | Method for fabricating reinforced composite materials |
US7455433B2 (en) * | 2005-01-05 | 2008-11-25 | The L.D. Kichler Co. | Light fixture with quick support assembly |
FR2881145B1 (fr) | 2005-01-24 | 2007-11-23 | Snecma Propulsion Solide Sa | Procede d'infiltration chimique en phase gazeuse pour la densification de substrats poreux par du carbone pyrolytique |
CN100460359C (zh) * | 2005-03-21 | 2009-02-11 | 西安航天复合材料研究所 | 一种炭/炭磁浮列车滑撬的制造方法 |
US7691443B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-04-06 | Goodrich Corporation | Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method |
US8057855B1 (en) | 2005-05-31 | 2011-11-15 | Goodrich Corporation | Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method |
KR100794719B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2008-01-15 | 주식회사 실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 |
US20070269597A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Honeywell International Inc. | Modified CVD cooling loop |
US7771194B2 (en) * | 2006-05-26 | 2010-08-10 | Honeywell International Inc. | Gas preheater for chemical vapor processing furnace having circuitous passages |
US20100072002A1 (en) * | 2006-08-29 | 2010-03-25 | Honeywell International Inc. | Aircraft brake using mixed carbon composite friction couple with different degrees of graphitization for improved rejected take off and wear performance |
CN101395298B (zh) | 2006-10-29 | 2011-10-05 | 马塞尔-布加蒂股份有限公司 | 致密化多孔制品的方法 |
US7892646B1 (en) * | 2007-04-04 | 2011-02-22 | Goodrich Corporation | Pressure gradient CVI/CVD process |
FR2919309B1 (fr) * | 2007-07-25 | 2011-07-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif d'infiltration d'une structure en materiau poreux par depot chimique en phase vapeur. |
US20090061085A1 (en) * | 2007-09-04 | 2009-03-05 | Honeywell International Inc. | Expedited manufacture of carbon-carbon composite brake discs |
US8281907B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-10-09 | Honeywell International Inc. | Brake assembly having multi-piece core and replaceable friction surfaces |
US7897072B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-03-01 | Honeywell International Inc. | Densification of carbon fiber preforms with pitches for aircraft brakes |
US10655219B1 (en) * | 2009-04-14 | 2020-05-19 | Goodrich Corporation | Containment structure for creating composite structures |
US10689753B1 (en) * | 2009-04-21 | 2020-06-23 | Goodrich Corporation | System having a cooling element for densifying a substrate |
US9017761B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-04-28 | Honeywell International Inc. | Low cost, high density C-C composites densified by CVD/CVI for aircraft friction materials |
US8383197B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-02-26 | Honeywell International Inc. | Titanium carbide or tungsten carbide with combustion synthesis to block porosity in C-C brake discs for antioxidation protection |
US20110033623A1 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Honeywell International Inc. | Method of preventing carbon friction material anti oxidation system migration by utilizing carbon vapor deposition |
US20110033622A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Honeywell International Inc. | Nonwoven preforms made with increased areal weight fabric segments for aircraft friction materials |
US20110064891A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-17 | Honeywell International Inc. | Methods of rapidly densifying complex-shaped, asymmetrical porous structures |
CN101671189B (zh) * | 2009-09-23 | 2012-07-18 | 北京航空航天大学 | 国产炭纤维快速定向渗积制备高性能炭基复合材料的方法 |
US9353816B2 (en) * | 2009-10-09 | 2016-05-31 | Honeywell International Inc. | Low cost, high density aircraft friction materials utilizing low fiber volume nonwoven preforms with pitch densification |
US20110111123A1 (en) * | 2009-11-12 | 2011-05-12 | Honeywell International Inc. | Increased area weight segments with pitch densification to produce lower cost and higher density aircraft friction materials |
CN101975734B (zh) * | 2010-09-09 | 2012-05-30 | 西北工业大学 | 多孔材料流—固—热多场耦合渗透率测量装置及其测量方法 |
CN101975735B (zh) * | 2010-09-09 | 2012-05-16 | 西北工业大学 | 多孔材料多场耦合渗透率测量装置及其测量方法 |
US10443124B1 (en) * | 2010-09-09 | 2019-10-15 | Goodrich Corporation | Process and apparatus for making composite structures |
JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
EP2721191B1 (en) * | 2011-06-16 | 2022-09-14 | Zimmer, Inc. | Chemical vapor infiltration apparatus and process |
JP5936394B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-06-22 | 日立造船株式会社 | 蒸着装置 |
US9523149B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-12-20 | Rolls-Royce Corporation | Rapid ceramic matrix composite production method |
US9605345B2 (en) * | 2013-08-23 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Vertical furnace for improving wafer uniformity |
KR101543217B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2015-08-10 | (주) 데크카본 | 항공기 브레이크 디스크를 만드는 방법 |
DE102014226138A1 (de) | 2014-12-16 | 2016-06-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit einer dreidimensionalen magnetischen Struktur |
US10648075B2 (en) * | 2015-03-23 | 2020-05-12 | Goodrich Corporation | Systems and methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates |
US9834842B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-12-05 | Goodrich Corporation | Slotted seal plates and slotted preforms for chemical vapor deposition densification |
CN105367105B (zh) * | 2015-11-27 | 2017-12-29 | 西北工业大学 | 机械加工辅助cvi制备厚壁陶瓷基复合材料的方法 |
US9963779B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-05-08 | Goodrich Corporation | Methods for modifying pressure differential in a chemical vapor process |
US10407769B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-09-10 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for decreasing the radial temperature gradient in CVI/CVD furnaces |
DE102016215616B4 (de) | 2016-08-19 | 2020-02-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Struktur und Vorrichtung |
DE102016215617A1 (de) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen eines Hohlraums mit poröser Struktur |
CA2974387A1 (en) * | 2016-08-30 | 2018-02-28 | Rolls-Royce Corporation | Swirled flow chemical vapor deposition |
KR102362032B1 (ko) * | 2017-03-16 | 2022-02-14 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
US20190092699A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | General Electric Company | Method for manufacturing ceramic matrix composite |
US11236021B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-02-01 | Goodrich Corporation | Mitigating pyrophoric deposits in exhaust piping during SIC CVI/CVD processes by introducing water vapor into an outlet portion of a reaction chamber |
JP7154777B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-10-18 | イビデン株式会社 | セラミック複合材の製造方法、及び、固定治具 |
US10471947B1 (en) | 2018-04-27 | 2019-11-12 | Honeywell International Inc. | Determining estimated remaining use of brake assembly by transceiver |
FR3083229B1 (fr) * | 2018-06-27 | 2020-09-11 | Safran Ceram | Procede de densification par infiltration chimique en phase gazeuse de substrats annulaires poreux |
US10941826B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-03-09 | Honeywell International Inc. | Determining estimated remaining use of brake assembly |
US11820716B2 (en) * | 2018-10-18 | 2023-11-21 | Rolls Royce North American Technologies Inc. | Method of fabricating cooling features on a ceramic matrix composite (CMC) component |
US10837109B2 (en) * | 2018-11-15 | 2020-11-17 | United Technologies Corporation | CVI/CVD matrix densification process and apparatus |
FI129040B (fi) * | 2019-06-06 | 2021-05-31 | Picosun Oy | Fluidia läpäisevien materiaalien päällystäminen |
CN110428918B (zh) * | 2019-08-08 | 2021-07-20 | 中国核动力研究设计院 | 一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法及其装置 |
CN113683436B (zh) * | 2021-08-27 | 2022-09-16 | 清华大学 | 一种进气组件、气相沉积装置及其复合材料制备方法 |
US12000046B1 (en) | 2021-12-29 | 2024-06-04 | Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. | Load assemblies for loading parts in a furnace |
US11932941B1 (en) | 2021-12-29 | 2024-03-19 | Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. | Load assemblies for loading parts in a furnace |
US11912628B1 (en) | 2021-12-29 | 2024-02-27 | Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. | Slurry infiltration fixture |
CN114853495A (zh) * | 2022-04-21 | 2022-08-05 | 西安超码科技有限公司 | 一种高压强热压烧结炉用炭/炭热压模具的制备方法 |
CN118086860A (zh) * | 2024-04-29 | 2024-05-28 | 成都晨发泰达航空科技股份有限公司 | 一种转子叶片化学气相沉积铝涂层装置及方法 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3802849A (en) * | 1969-01-31 | 1974-04-09 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | Method for making a sintered body having integral portions of different density |
US3991248A (en) * | 1972-03-28 | 1976-11-09 | Ducommun Incorporated | Fiber reinforced composite product |
US3895084A (en) * | 1972-03-28 | 1975-07-15 | Ducommun Inc | Fiber reinforced composite product |
GB1490347A (en) * | 1974-02-08 | 1977-11-02 | Dunlop Ltd | Friction members |
GB1586959A (en) * | 1976-08-11 | 1981-03-25 | Dunlop Ltd | Method and apparatus for the production of carbon/carbon composite material |
US4431450A (en) * | 1981-02-23 | 1984-02-14 | Jujo Paper Co., Ltd. | Desensitizing ink for pressure sensitive copying sheets |
FR2508999B1 (fr) * | 1981-07-01 | 1986-08-22 | Lorraine Carbone | Disque de frein en materiau composite carbone-carbone et modes de realisation |
US4369031A (en) * | 1981-09-15 | 1983-01-18 | Thermco Products Corporation | Gas control system for chemical vapor deposition system |
US4580524A (en) * | 1984-09-07 | 1986-04-08 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites by chemical vapor deposition |
US4775705A (en) * | 1984-10-20 | 1988-10-04 | T&N Plc | Friction materials and their manufacture |
JPS6266353A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nec Corp | デ−タ記憶回路 |
FR2587992B1 (fr) * | 1985-10-02 | 1995-07-13 | Europ Propulsion | Materiau composite carbone-carbone pour pieces de friction, et son application aux dispositifs de freinage |
US5391232A (en) * | 1985-12-26 | 1995-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for forming a deposited film |
US5322568A (en) | 1985-12-28 | 1994-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming deposited film |
JPH0785174B2 (ja) | 1986-01-18 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
FR2594119B1 (fr) | 1986-02-10 | 1988-06-03 | Europ Propulsion | Installation pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau refractaire autre que le carbone |
JPS63295476A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-01 | Nippon Steel Corp | 炭素繊維強化炭素材料の製造方法 |
FR2616779B1 (fr) * | 1987-06-18 | 1992-09-04 | Aerospatiale | Procede de fabrication d'une piece notamment d'un disque de frein en carbone-carbone et piece obtenue |
US5405560A (en) | 1987-06-18 | 1995-04-11 | Societe Nationale Industrielle Et Aerospatiale | Process for the production of a part, particularly a carbon-carbon brake disk and to the part obtained |
US4895108A (en) * | 1988-06-22 | 1990-01-23 | The Babcock & Wilcox Company | CVD apparatus and process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites |
JPH0387372A (ja) * | 1988-07-22 | 1991-04-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
DE3922539A1 (de) * | 1989-07-08 | 1991-01-10 | Sintec Keramik Gmbh | Verfahren zur herstellung von hochpraezisen heizelementen aus c f c |
US5250323A (en) * | 1989-10-30 | 1993-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap |
US5298311A (en) * | 1989-12-13 | 1994-03-29 | The B. F. Goodrich Company | Moisture and oxidation resistant carbon/carbon composites |
CA2035685C (en) * | 1990-02-09 | 2002-08-06 | Jean-Philippe Rocher | Process for the manufacture of a carbon fiber reinforced composite material having a ceramic matrix |
US5080929A (en) * | 1990-04-02 | 1992-01-14 | Delco Electronics Corporation | Method and apparatus for through hole substrate printing |
US5242746A (en) * | 1990-05-10 | 1993-09-07 | Le Carbone-Lorraine | Friction elements of composite carbon-carbon material and of differential texture |
JP2626925B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1997-07-02 | 三菱電機株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US5269847A (en) * | 1990-08-23 | 1993-12-14 | Applied Materials, Inc. | Variable rate distribution gas flow reaction chamber |
JP2849606B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1999-01-20 | 京セラ株式会社 | 気相含浸法およびその装置 |
FR2671797B1 (fr) * | 1991-01-18 | 1994-02-25 | Propulsion Ste Europeenne | Procede de densification d'un substrat poreux par une matrice contenant du carbone. |
JPH0766919B2 (ja) * | 1991-02-20 | 1995-07-19 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体製造装置 |
JPH04295089A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-20 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導膜製造装置 |
US5256162A (en) * | 1991-05-01 | 1993-10-26 | Hewlett Packard Company | Apparatus for forming shallow electrical junctions |
US5252134A (en) * | 1991-05-31 | 1993-10-12 | Stauffer Craig M | Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing |
US5362228A (en) * | 1991-11-04 | 1994-11-08 | Societe Europeenne De Propulsion | Apparatus for preheating a flow of gas in an installation for chemical vapor infiltration, and a densification method using the apparatus |
US5447568A (en) | 1991-12-26 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material |
EP0550058B1 (en) * | 1991-12-30 | 1998-11-11 | Texas Instruments Incorporated | A programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
GB9220603D0 (en) * | 1992-09-30 | 1992-11-11 | Dunlop Ltd | Toughened carbon composite brake discs |
US5389152A (en) * | 1992-10-09 | 1995-02-14 | Avco Corporation | Apparatus for densification of porous billets |
JP3174856B2 (ja) * | 1993-05-07 | 2001-06-11 | 日本エア・リキード株式会社 | 混合ガス供給装置 |
US5348774A (en) * | 1993-08-11 | 1994-09-20 | Alliedsignal Inc. | Method of rapidly densifying a porous structure |
US5654059A (en) * | 1994-08-05 | 1997-08-05 | Amoco Corporation | Fiber-reinforced carbon and graphite articles and method for the production thereof |
CA2205087A1 (en) | 1994-11-16 | 1996-05-23 | Mark J. Purdy | Pressure gradient cvi/cvd apparatus, process and product |
US5480678A (en) * | 1994-11-16 | 1996-01-02 | The B. F. Goodrich Company | Apparatus for use with CVI/CVD processes |
-
1995
- 1995-11-16 CA CA002205087A patent/CA2205087A1/en not_active Abandoned
- 1995-11-16 JP JP51635896A patent/JP3754450B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-16 DK DK95940752T patent/DK0792384T3/da active
- 1995-11-16 AU AU42401/96A patent/AU4240196A/en not_active Abandoned
- 1995-11-16 EP EP97121035A patent/EP0832863B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-16 AT AT95940752T patent/ATE172753T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-11-16 DE DE69505694T patent/DE69505694T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-16 CN CN95196969A patent/CN1171137A/zh active Pending
- 1995-11-16 WO PCT/US1995/015039 patent/WO1996015285A1/en active IP Right Grant
- 1995-11-16 ES ES95940752T patent/ES2125058T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-16 AT AT97121035T patent/ATE215518T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-11-16 DE DE69526259T patent/DE69526259T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-16 EP EP95940752A patent/EP0792384B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-16 KR KR1019970703375A patent/KR100389502B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-06 US US08/851,860 patent/US5853485A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-10 US US08/966,819 patent/US5900297A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-03 US US09/034,037 patent/US6057022A/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-03 US US09/754,829 patent/US6780462B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-10-27 JP JP2005312778A patent/JP4171740B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-28 JP JP2006320423A patent/JP2007146298A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530370A (ja) * | 2005-02-17 | 2008-08-07 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | 化学蒸気浸透により薄い多孔質基体を高密度化する方法、及び当該基体のローディング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007146298A (ja) | 2007-06-14 |
DE69505694T2 (de) | 1999-05-20 |
JP3754450B2 (ja) | 2006-03-15 |
KR100389502B1 (ko) | 2003-10-22 |
EP0832863B1 (en) | 2002-04-03 |
US6057022A (en) | 2000-05-02 |
DE69526259T2 (de) | 2002-11-07 |
EP0832863A3 (en) | 1998-04-29 |
CA2205087A1 (en) | 1996-05-23 |
DE69526259D1 (de) | 2002-05-08 |
WO1996015285A1 (en) | 1996-05-23 |
AU4240196A (en) | 1996-06-06 |
DE69505694D1 (de) | 1998-12-03 |
EP0792384A1 (en) | 1997-09-03 |
JPH10508906A (ja) | 1998-09-02 |
ES2125058T3 (es) | 1999-02-16 |
US6780462B2 (en) | 2004-08-24 |
KR970707316A (ko) | 1997-12-01 |
JP4171740B2 (ja) | 2008-10-29 |
US20010019752A1 (en) | 2001-09-06 |
ATE172753T1 (de) | 1998-11-15 |
US5853485A (en) | 1998-12-29 |
CN1171137A (zh) | 1998-01-21 |
ATE215518T1 (de) | 2002-04-15 |
US5900297A (en) | 1999-05-04 |
DK0792384T3 (da) | 1999-07-05 |
EP0792384B1 (en) | 1998-10-28 |
EP0832863A2 (en) | 1998-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3754450B2 (ja) | 圧力勾配cvi/cvd法 | |
US5480678A (en) | Apparatus for use with CVI/CVD processes | |
EP1718783B1 (en) | Pressure gradient cvi/cvd apparatus and method | |
KR101179769B1 (ko) | 탄소로 다공성 기재의 조밀화를 위하여 증기 상으로 화학 침투를 위한 방법을 제어하는 방법 | |
EP1728889B1 (en) | CVI method | |
US7892646B1 (en) | Pressure gradient CVI/CVD process | |
EP1452624B1 (en) | Process and apparatus for batch and continuous densification by chemical vapor infiltration (CVI) | |
US7476419B2 (en) | Method for measurement of weight during a CVI/CVD process | |
AU2002364339A1 (en) | Method and installation for densifying porous substrate by gas-phase chemical infiltration | |
JP2001503725A (ja) | リング形状のスタックに配列した基体の温度勾配下における気相下での緻密化 | |
US6083560A (en) | Process for controlled deposition profile forced flow chemical vapor infiltration | |
US8057855B1 (en) | Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method | |
RU2173354C2 (ru) | Способ и устройство инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы (варианты), изделие, получаемое этим способом, устройство для подачи первого газа-реагента в печь для инфильтрации и осаждения из газовой фазы и фрикционный диск | |
US10655219B1 (en) | Containment structure for creating composite structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070820 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071113 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080730 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080811 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |