JP2006100713A - 半導体ウェーハ用研磨組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】研磨材中のみならずドーピング剤中の金属原子による半導体ウェーハの汚染をも効果的に防止し得る半導体ウェーハ用研磨組成物の提供。
【解決手段】水、粒状アモルファスシリカ、及び水溶性キレート剤を含有し、且つアルカリ性化合物によってpH9.0以上に調整されてなる半導体ウェーハ用研磨組成物において、前記水溶性キレート剤が、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、N,N−ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、及びヘキサメチレンアンモニウムヘキサメチレンチオカルバマートから選ばれる1種類以上である。
【選択図】なし
【解決手段】水、粒状アモルファスシリカ、及び水溶性キレート剤を含有し、且つアルカリ性化合物によってpH9.0以上に調整されてなる半導体ウェーハ用研磨組成物において、前記水溶性キレート剤が、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、N,N−ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、及びヘキサメチレンアンモニウムヘキサメチレンチオカルバマートから選ばれる1種類以上である。
【選択図】なし
Description
本発明は、LSI(Large Scale Integrated Circuit)等の基板として広く用いられている半導体ウェーハの研磨に使用する研磨組成物に関し、特に、研磨材中の金属原子が半導体ウェーハの表層へ移行せず、半導体ウェーハの表層の汚染の少ない半導体ウェーハ用研磨組成物に関する。
半導体ウェーハとしてのSi(シリコン)ウェーハは、4族のポリシリコンに3族又は5族のドープ剤を微量添加し、CZ(チョクラルスキー)法にて引き上げられたSi単結晶インゴットのスライス、ラッピング、ケミカルエッチングを経た後、1次、2次及び仕上げの研磨を施され、しかる後に、洗浄及び最終検査を経て使用されている。
上記研磨工程中、ウェーハ表面は研磨材の研磨作用によって化学的に活性となり、ウェーハ表面に金属原子が付着すると共に、研磨熱によりウェーハ中に熱拡散する現象が生ずる。
上記研磨工程中、ウェーハ表面は研磨材の研磨作用によって化学的に活性となり、ウェーハ表面に金属原子が付着すると共に、研磨熱によりウェーハ中に熱拡散する現象が生ずる。
一方、半導体ウェーハには、集積度が上がるに連れて、表層の金属汚染レベルの低減が求められている。
従来、半導体ウェーハ用研磨組成物としては、水、粒状アモルファスシリカおよび水溶性キレート剤および/または分子量5000以上の高分子イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によってpH9以上に調整されてなるウェーハ用研磨剤組成物が知られている(特許文献1参照)。
この研磨剤組成物は、キレート剤または/および高分子イオンを含んでおり、これらと研磨剤組成物中に含まれる金属原子とが水分子とともに強い複合体を形成するので、研磨剤組成物中に存在する遊離の金属原子を極力少なくすることができる。
又、上記研磨剤組成物を用いてウェーハ表面を研磨する時には研磨剤中の金属原子がウェーハ表面に吸着されにくく、従って熱拡散もドープされることがない。
従って、上記研磨剤組成物を用いて研磨されたウェーハの電気特性は、ミクロ的に均一であって、工業的に極めて有利である、というものである。
又、上記研磨剤組成物を用いてウェーハ表面を研磨する時には研磨剤中の金属原子がウェーハ表面に吸着されにくく、従って熱拡散もドープされることがない。
従って、上記研磨剤組成物を用いて研磨されたウェーハの電気特性は、ミクロ的に均一であって、工業的に極めて有利である、というものである。
又、半導体ウェーハ用研磨組成物としては、下記(a)〜(d)を含んでなることを特徴とする、研磨用組成物。
(a)二酸化ケイ素、
(b)アルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩、ピペラジンおよびエチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種類類の塩基性物質、
(c)下記一般式〔1〕にて示される化合物およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種類類のキレート剤、
(a)二酸化ケイ素、
(b)アルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩、ピペラジンおよびエチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種類類の塩基性物質、
(c)下記一般式〔1〕にて示される化合物およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種類類のキレート剤、
(d)水
が知られている(特許文献2参照)。
が知られている(特許文献2参照)。
この研磨用組成物は、研磨時の金属イオンによる半導体ウェーハへの汚染を極めて効果的に防止できる効果が得られる、というものである。
しかし、従来の半導体ウェーハ用研磨組成物の前者では、水溶性キレート剤として水溶性のエチレンジアミン四酢酸(EDTA)やニトリロ三酢酸(NTA)等を用いてNa(ナトリウム)の半導体ウェーハ表面への付着を防止し得るものの、拡散係数の大きいCu(銅)やFe(鉄)等の金属原子の半導体ウェーハ表面への付着及び半導体ウェーハ表層部への拡散の防止効果が低い不具合がある。
又、後者では、主として研磨用組成物中の金属原子による半導体ウェーハの汚染を効果的に防止し得るものの、半導体ウェーハがヘビードープされたものである場合、ドーピング剤中には金属原子が不純物として多量に混入するのを避けられないが、このドーピング剤中の金属原子による半導体ウェーハの汚染までも効果的に防止し得ない不具合がある。
特開昭63−272460号公報
特開2002−226836号公報
本発明は、研磨材中のみならずドーピング剤中の金属原子による半導体ウェーハの汚染をも効果的に防止し得る半導体ウェーハ用研磨組成物の提供を課題とする。
本発明の半導体ウェーハ用研磨組成物は、水、粒状アモルファスシリカ、及び水溶性キレート剤を含有し、且つアルカリ性化合物によってpH9.0以上に調整されてなる半導体ウェーハ用研磨組成物において、前記水溶性キレート剤が、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、N,N−ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、及びヘキサメチレンアンモニウムヘキサメチレンチオカルバマートから選ばれる1種類以上であることを特徴とする。
前記粒状アモルファスシリカのBET法による平均粒径は、5nm〜5μmの範囲であることが好ましい。
本発明の半導体ウェーハ用研磨組成物によれば、キレート剤としてのピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム(APDC)、N,N−ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム(ADDC)、及びヘキサメチレンアンモニウムヘキサメチレンチオカルバマート(HLCHA)から選ばれる1種以上と研磨材中の金属原子及びドーピング剤と一緒に半導体ウェーハ中に点在し、研磨熱によってウェーハ表面に出た金属原子との間で錯体が十分に形成され、半導体ウェーハの表面への金属原子の付着が防がれ、かつ、ウェーハ表層部への金属原子の熱拡散が防がれるので、研磨材中のみならずドーピング剤中の金属原子による半導体ウェーハの汚染を極めて効果的に防止することができる。
粒状アモルファスシリカの研磨組成物に占める割合は、1.0〜40wt%が好ましい。
粒状アモルファスシリカの研磨組成物に占める割合が、1.0wt%未満であると、研磨効率低下や目的の研磨性能が得られなくなる。一方、40wt%を超えると、安定性が低下し、ゲル化、分離等を生じさせる原因となる。
粒状アモルファスシリカの研磨組成物に占める割合が、1.0wt%未満であると、研磨効率低下や目的の研磨性能が得られなくなる。一方、40wt%を超えると、安定性が低下し、ゲル化、分離等を生じさせる原因となる。
アルカリ性化合物によって調整されるpHが、9.0未満であると、研磨効率が低下する。
アルカリ性化合物によって調整されるpHは、10.5〜11.5が好ましく、11.5を超えると、アモルファスシリカが溶解したり、ウェーハ表面粗さが悪化する等の不具合を生ずる可能性がある。
アルカリ性化合物としては、金属アルカリ、アンモニウム、水酸化4級アンモニウム、アミン類等が挙げられる。
特に、エチレンジアミンは、研磨速度をあげることができるので、好ましい。
アルカリ性化合物の研磨組成物に占める割合は、0.01〜10wt%が好ましい。
アルカリ性化合物の研磨組成物に占める割合が、0.01wt%未満であると、研磨促進剤としての性能が不十分となる。一方、10wt%を超えると、研磨効率の更なる向上が見込めないため、不経済となる。
アルカリ性化合物によって調整されるpHは、10.5〜11.5が好ましく、11.5を超えると、アモルファスシリカが溶解したり、ウェーハ表面粗さが悪化する等の不具合を生ずる可能性がある。
アルカリ性化合物としては、金属アルカリ、アンモニウム、水酸化4級アンモニウム、アミン類等が挙げられる。
特に、エチレンジアミンは、研磨速度をあげることができるので、好ましい。
アルカリ性化合物の研磨組成物に占める割合は、0.01〜10wt%が好ましい。
アルカリ性化合物の研磨組成物に占める割合が、0.01wt%未満であると、研磨促進剤としての性能が不十分となる。一方、10wt%を超えると、研磨効率の更なる向上が見込めないため、不経済となる。
又、水溶性キレート剤としてのAPDC、ADDC、及びHLCHAから選ばれる1種類以上の研磨組成物に占める割合は、0.01〜1.0wt%が好ましい。
水溶性キレート剤としてのAPPC、ADDC、及びHLCHAから選ばれる1種類以上の研磨組成物に占める割合が、0.01wt%未満であると、十分なキレート効果が得られない。一方、1.0wt%を超えると、更なるキレート効果が得られないため、不経済である。
水溶性キレート剤としてのAPPC、ADDC、及びHLCHAから選ばれる1種類以上の研磨組成物に占める割合が、0.01wt%未満であると、十分なキレート効果が得られない。一方、1.0wt%を超えると、更なるキレート効果が得られないため、不経済である。
一方、粒状アモルファスシリカの平均粒径が、5nm未満であると、パーティクル量が多くなる。一方、5μmを超えると、スクラッチ等の不具合を発生させるおそれがある。
粒状アモルファスシリカの平均粒径は、10nm〜3μmがより好ましい。
粒状アモルファスシリカの平均粒径は、10nm〜3μmがより好ましい。
粒状アモルファスシリカとしてBET法による平均粒径0.04μmのコロイダルシリカを表1に示す割合で用いると共に、表1に示す水溶性キレート剤を同表に示す割合で用い、かつ、アルカリ性化合物としてエチレンジアミンを表1に示す割合で用いてpH11.0の各種の半導体ウェーハ用研磨組成物を調製した。
得られた各半導体ウェーハ用研磨組成物を用い、以下の条件でシリコンウェーハ(P++(100)0.04Ωcm)の研磨を行った。
研磨装置:スピードファム製、SPAW48
研磨布:不織布タイプ
研磨圧力:200gf/cm2
研磨中の研磨布温度:40℃
研磨組成物の流量:5l/min(リサイクル使用)
研磨時間:30分
研磨装置:スピードファム製、SPAW48
研磨布:不織布タイプ
研磨圧力:200gf/cm2
研磨中の研磨布温度:40℃
研磨組成物の流量:5l/min(リサイクル使用)
研磨時間:30分
研磨後の各シリコンウェーハのCu原子濃度をICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析)によって定量分析したところ、図1に示すようになった。
図1から、実施例のNo.1、No.2は、比較例のNo.1(キレート剤添加なし)、比較例のNo.2(特許文献1相当)と比較し、ウェーハ表層のCu濃度が著しく低く、キレート効果が高いことが分かる。
又、実施例のNo.1の半導体ウェーハ用研磨組成物を用い、シリコンウェーハ((100)0.01Ωcm)の研磨を同様の条件で行ったところ、ウェーハ表面から1μmずつ10μmまでのCu濃度は、1.2、1.0、0.8、0.7、0.7、0.6、0.60.5、0.5、0.5×1E 13atoms/cm3となった。
したがって、実施例のNo.1の半導体ウェーハ用研磨組成物は、EDTAの研磨用組成物よりもキレート効果が格段に高いことが分かる。
したがって、実施例のNo.1の半導体ウェーハ用研磨組成物は、EDTAの研磨用組成物よりもキレート効果が格段に高いことが分かる。
Claims (2)
- 水、粒状アモルファスシリカ、及び水溶性キレート剤を含有し、且つアルカリ性化合物によってpH9.0以上に調整されてなる半導体ウェーハ用研磨組成物において、前記水溶性キレート剤が、ピロリジンジチオカルバミン酸アンモニウム、N,N−ジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、及びヘキサメチレンアンモニウムヘキサメチレンチオカルバマートから選ばれる1種類以上であることを特徴とする半導体ウェーハ用研磨組成物。
- 前記粒状アモルファスシリカのBET法による平均粒径が、5nm〜5μmの範囲であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ用研磨組成物。
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CN103820079A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-05-28 | 无锡研奥电子科技有限公司 | 用于氮化镓材料的研磨组合物及其制备方法 |
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JP2020132862A (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | Agc株式会社 | 研磨用組成物および研磨方法 |
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2004
- 2004-09-30 JP JP2004287435A patent/JP2006100713A/ja active Pending
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US10421890B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-09-24 | Versum Materials Us, Llc | Composite particles, method of refining and use thereof |
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