JP2006080281A - Stage device, gas bearing device, exposure device, and device manufacturing method - Google Patents

Stage device, gas bearing device, exposure device, and device manufacturing method

Info

Publication number
JP2006080281A
JP2006080281A JP2004262362A JP2004262362A JP2006080281A JP 2006080281 A JP2006080281 A JP 2006080281A JP 2004262362 A JP2004262362 A JP 2004262362A JP 2004262362 A JP2004262362 A JP 2004262362A JP 2006080281 A JP2006080281 A JP 2006080281A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
stage
device
gas
surface
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004262362A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Shibazaki
祐一 柴崎
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To properly manage the quantity of flotation of a stage over a surface plate and the quantity of curvature of the stage in a stage device supporting the stage in a floating state with gas pressure. <P>SOLUTION: The stage device is equipped with the stage 220 which moves on the surface plate 210, and a floating mechanism which supplies and sucks gas to and from the stage 220 through the surface plate 210 to support the stage 220 over the surface plate 210 in the floating state. The floating mechanism has a plurality of gas suction paths 322 and 323 whose sucking positions 322a and 323a on the surface plate 210 for the stage 220 are separated from each other, and controllers 331 and 332 for selecting a path to be used for gas suction between the plurality of gas suction paths 322 and 323. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ステージ装置及び露光装置に関し、特に、ステージをベース上に浮上支持する技術に関する。 The present invention relates to a stage device and an exposure device, more particularly to a technique for floating supporting the stage on a base.

露光装置(マイクロリソグラフィ装置)では、回路パターンが描画されたマスク等に照明光(紫外線、X線、電子線等のエネルギー線)を照射し、等倍、所定の縮小倍率あるいは拡大倍率を有する投影結像系を介して感応基板(レジスト層が塗布された半導体ウエハやガラスプレート等)上に投影露光することにより、半導体デバイスや液晶表示デバイス等の回路パターンを形成する。 In the exposure apparatus (the microlithography device), the illumination light to the mask circuit pattern is drawn like irradiation with (UV, X-rays, the energy rays such as electron beams), a projection with magnification, predetermined reduction ratio or enlargement ratio by photosensitive substrate through the imaging system to the projection exposure onto the (resist layer is a semiconductor wafer or a glass plate or the like is applied), forming a circuit pattern such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. このような露光装置では、マスクや感応基板を載置してレーザ干渉計による位置サーボ制御の下で平面(XY平面)内で精密に1次元あるいは2次元移動するためのステージ装置が設けられる。 In such an exposure apparatus, the stage apparatus is provided for precisely moving one-dimensional or two-dimensional in a plane by placing a mask or photosensitive substrate under position servo control by a laser interferometer (XY plane).

ステージ装置に関し、振動等の外乱を避けるために、基板(マスクや感応基板)が載置されるステージを、ガス圧(通常はエア圧)を利用してベースに対して浮上支持する技術が知られている。 Relates stage apparatus, in order to avoid disturbances such as vibration, the substrate (mask or photosensitive substrate) a stage is mounted, the gas pressure (typically air pressure) techniques for floatingly supported relative to the base by utilizing the knowledge It is. ステージ浮上技術は、ステージとベースとの間隙(軸受部)のガス圧を制御することにより、ステージの浮上力を得るものであり、一般に、浮上支持されるステージに、ガス供給あるいはガス吸引用の配管(可撓性チューブなど)が直接接続される。 Stage floating technique, by controlling the gas pressure in the gap (bearing portion) of the stage and the base, which obtain a floating force of the stage, generally, the stage that is floatingly supported, the gas supply or gas suction pipe (such as a flexible tube) is directly connected.

ステージ浮上技術では、ステージに上記配管を直接接続すると、ステージの移動に伴って配管の配設状態が変化することから配管用に比較的広いスペースが必要である。 In stage floating technique, when directly connecting the pipe to the stage, it requires a relatively large space for the piping since the positional states of the pipe changes with the movement of the stage. また、上記配管の配設状態の変化はステージの負荷を変化させ、ステージの位置制御性の低下を招く可能性がある。 The change in the disposition state of the pipe changes the load of the stage, which can result in a lower position controllability of the stage.

これに対して、ステージに直接接続される配管の低減あるいはその配管の削減等を目的として、ベースを通じてステージに対しガス供給あるいはガス吸引を行う技術がある(例えば、特許文献1参照)。 In contrast, for the purpose of reducing such a reduction or a pipe of the pipe to be connected directly to the stage, with respect to the stage through the base there is a technique of performing a gas supply or gas suction (e.g., see Patent Document 1). このステージ浮上技術は、ベースに設けられた穴を通じてステージとベースとの間隙(軸受部)に対してガス供給あるいはガス吸引を行うものであり、比較的大きな浮上力を得やすいという利点を有する。 This stage floating technique is to perform a gas supply or gas suction against the gap (bearing portion) of the stage and the base through hole provided in the base, it has the advantage that relatively easy to obtain a large floating force.
特開2001−20951号公報 JP 2001-20951 JP

こうしたステージ浮上技術では、ベースに対するステージの浮上量、すなわちベースとステージとの間隙の距離の管理が重要である。 In such stage flying techniques, the flying height of the stage relative to the base, that is, control of the distance of the gap between the base and the stage is important. 特に、ベースを通じてガス供給やガス吸引を行う技術では、比較的大きな浮上力を得やすい反面、ステージの浮き上がりやステージの曲がりを適切に抑える必要がある。 In particular, the technology for gas supply and gas suction via the base, contrary easily obtained relatively large lifting force, it is necessary to appropriately suppress the bending of the lifting and stages of the stage.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ガス圧によりステージを浮上支持するステージ装置において、ベースに対するステージの浮上量やステージの曲がり量を適切に管理することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, in the stage apparatus floats supporting the stage by the gas pressure, and an object thereof is to properly manage the amount of bend of the flying height and the stage of the stage relative to the base.
また、本発明の他の目的は、高精度な露光を実現することが可能な露光装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of realizing highly accurate exposure.

上記の目的を達成するために、本発明のステージ装置は、ベース(210)上を移動するステージ(220)と、前記ベースを通じて前記ステージに対してガス供給及びガス吸引を行い、前記ステージを前記ベースに対して浮上支持する浮上機構と、を備え、前記浮上機構は、前記ステージに対する前記ベース上での吸引箇所(322a、323a)が互いに離れた複数のガス吸引経路(322、323)と、前記複数のガス吸引経路の中から前記ガス吸引に使用する経路を選択するための制御器(331、332)と、を有する、ことを特徴とする。 To achieve the above object, the stage device of the present invention includes a base (210) stage that moves on the (220), the gas supply and gas suction to the stage through the base, the said stage includes a floating mechanism for floating support with respect to the base, wherein the floating mechanism, the suction portion (322a, 323a) on said base for said stage and a plurality of gas suction path is apart from each other (322, 323), having a control unit (331, 332) for selecting a route used for the gas sucked from the plurality of gas suction path, characterized in that.

このステージ装置では、浮上機構によってステージとベースとの間隙のガス圧が制御され、ベースに対してステージが浮上支持される。 In this stage apparatus, the gas pressure of the gap between the stage and the base is controlled by the floating mechanism, the stage is floatingly supported relative to the base. また、制御器によって複数のガス吸引経路の中からガス吸引に使用する経路が選択され、これにより、ステージに対してベース上での吸引箇所の最適化が図られる。 The route used for the gas suction is selected from a plurality of gas suction passage by the controller, thereby optimizing the suction portion on the base is achieved with respect to the stage. 吸引箇所の最適化により、ベースに対するステージの浮上量やステージの曲がり量を適切に管理することが可能となる。 Optimized suction portion, it is possible to properly manage the amount of bend of the flying height and the stage of the stage relative to the base.

前記ステージ(220)は、被保持部材(R)を吸着保持するものであり、前記制御器(331、332)は、前記ステージによる前記被保持部材の保持時と非保持時との間で、前記経路の選択を行うとよい。 The stage (220) is for holding suction the held member (R), the controller (331, 332) are between said at the time of holding time and the non-holding of the holding member according to the stage, it may make a selection of the route.

この場合、例えば、前記複数のガス吸引経路(322、323)は、前記ステージ(220)に対するガス吸引のみに使用される第1ガス吸引経路(322)と、前記ステージに対するガス吸引に加えて前記被保持部材の吸着保持に使用される第2ガス吸引経路(323)と、を含み、前記制御器(331、332)は、前記ステージによる前記被保持部材の保持時に前記第2ガス吸引経路(323)を選択し、前記被保持部材の非保持時に前記第1ガス吸引経路(322)を選択するとよい。 Wherein in this case, for example, the plurality of gas suction path (322, 323), the stage and the first gas suction path used only for gas suction for (220) (322), in addition to the gas suction against the stage a second gas suction path used to suction holding of the holding member (323), wherein the said controller (331, 332), said by the stage when the holding of the holding member and the second gas suction path ( 323) is selected, the better to select the at non-holding of the held member first gas suction path (322).

これにより、大気開放された箇所のガス吸引、すなわち無駄なガス吸引が回避され、ステージに対して確実なガス吸引が可能となる。 Accordingly, the gas suction air opened position, i.e. waste gas suction is avoided, it is possible to ensure gas suction the stage. その結果、ベースに対するステージの浮上量を適切に管理することが可能となる。 As a result, it becomes possible to appropriately manage the flying height of the stage relative to the base. また、被保持部材の保持時と非保持時とのそれぞれにおいて、1つのガス吸引経路を使用することから、ステージに対するガス吸引力に変化が生じにくく、ステージの曲がり量の管理も容易である。 Further, in each of the time holding time and non-holding of the holding member, from the use of one gas suction passage, changes in the gas suction force is difficult to occur with respect to the stage, the management of the bending amount of the stage is also easy.

また、前記複数のガス吸引経路(322、323)は、前記ステージ(220)に対するガス吸引のみに使用される第1ガス吸引経路(322)と、前記ステージに対するガス吸引に加えて前記被保持部材の吸着保持に使用される第2ガス吸引経路(323)と、を含み、前記制御器(331、332)は、前記ステージによる前記被保持部材(R)の保持時に前記第1ガス吸引経路(322)と前記第2ガス吸引経路(323)とを選択し、前記被保持部材の非保持時に前記第1ガス吸引経路(322)を選択してもよい。 The plurality of gas suction path (322, 323), the stage and the first gas suction path used only for gas suction for (220) (322), wherein the holding member in addition to the gas suction against the stage a second gas suction path used to suction hold (323), wherein the said controller (331, 332), the first gas suction passage said at holding of the held member (R) by the stage ( 322) and selects a second gas suction path (323), wherein may select the at non-holding of the held member first gas suction path (322).

被保持部材の保持時において、複数のガス吸引経路を使用し、ステージに対して複数の箇所でガス吸引を行うことにより、ステージの曲がり量をより適切に管理することが可能となる。 During holding of the holding member, using a plurality of gas suction path, by performing the gas suction at a plurality of locations with respect to the stage, it is possible to better manage the bending amount of the stage.

この場合、前記被保持部材(R)の保持時と非保持時との間で、ガスの供給圧及びガスの吸引圧の少なくとも一方を変化させることができる。 In this case, the between the time of the holding time and non-holding of the holding member (R), it is possible to change at least one of the supply pressure and the gas suction pressure of the gas.
これにより、被保持部材の保持時と非保持時との間で、ガス吸引経路の使用数が変化しても、それに伴うステージの曲がり量の変化を抑制することが可能となる。 Thus, between the time of the holding time and non-holding of the holding member, even if the number of use changes in the gas suction path, it is possible to suppress the bending amount of change of the stage involved.

上記のステージ装置において、前記ステージ(220)には、前記ガス供給に伴う浮上力を受ける領域である気体静圧軸受(307)と、前記ガス吸引に伴う負圧空間を形成するための凹部(302、303)とが設けられ、前記気体静圧軸受(307)は、所定方向に延在しており、前記凹部(302、303)は、前記気体静圧軸受に隣接し、且つ前記気体静圧軸受と同方向に延在している構成とすることができる。 In the above stage apparatus, wherein the stage (220) includes a static gas bearing (307) is a region that receives a floating force due to the gas supply, the recess for forming a negative pressure space due to the gas suction ( 302, 303) are provided, the static gas bearing (307) extends in a predetermined direction, said recess (302, 303) is adjacent to said static gas bearing, and the gas static it can be configured to extend in pressure bearing the same direction.
この場合、例えば、前記凹部は、前記気体静圧軸受(307)を間に挟んでその両側に配される2つの溝(302、303)を含む構成とすることができる。 In this case, for example, the recess may be configured to include two grooves (302, 303) which is arranged sandwiched therebetween on both sides between the static gas bearing (307).
例えば、前記気体静圧軸受(307)には、該気体静圧軸受の延在方向と同方向に所定間隔ずつ隔てられ、且つ該延在方向と同方向に所定長さずつ延在して設けられる複数のガス噴出溝(306)が設けられている構成とすることができる。 For example, the gas in the hydrostatic bearing (307), to the extending direction in the same direction of the static gas bearing spaced by a predetermined distance, provided and extends by a predetermined length in the extending direction in the same direction a plurality of gas injection groove (306) can be configured to provided for.
これにより、気体静圧軸受において十分な浮上力が生じるとともに、気体静圧軸受に残留する圧力(陽圧)を凹部(溝)を介して確実かつ短時間で軽減することが可能となる。 Thus, with sufficient floating force is generated in the static gas bearing, it is possible pressure remaining in the static gas bearing the (positive pressure) through a recess (groove) relieving reliably and in a short time.

また、上記のステージ装置においては、前記ステージ(220)に保持される前記被保持部材(R)の湾曲を補正するように、ガスの供給圧及びガスの吸引圧の少なくとも一方を制御してもよい。 Further, in the above stage apparatus, so as to correct the curvature of the object holding member held by the stage (220) (R), also it controls at least one of the supply pressure and the gas suction pressure of the gas good.

本発明のガスベアリング装置は、第1の部材(210)と対向し、該第1の部材に対して相対移動可能な第2の部材(222)と、前記第1の部材と前記第2の部材との対向面の少なくとも一部にガスを供給する少なくとも1つのガス供給部(321)と、互いに離れた位置に設けられ、各々が前記対向面の少なくとも一部からガスを吸引する少なくとも2つのガス吸引部(322、323)と、前記少なくとも2つのガス吸引部における各々のガスの吸引状態を、互いに独立に制御する制御器(331、332)と、を備えることを特徴とする。 Gas bearing arrangement of the present invention is opposed to the first member (210), and a second member relatively movable (222) relative to the first member, the first member and the second at least one gas supply unit for supplying a gas to at least a portion of the facing surfaces of the members and (321), provided in a position away from each other, each of the at least two sucking the gas from at least a portion of the facing surface gas suction portion (322, 323), the suction state of each of the gas in the at least two gas suction portion, characterized in that it comprises a control unit (331, 332) for controlling independently of each other.

このガスベアリング装置では、ガス供給部によって第1の部材と第2の部材との間隙のガス圧を制御し、第1の部材に対して第2の部材を浮上支持することが可能である。 The gas bearing device controls the gas pressure of the gap between the first member and the second member by a gas supply unit, it is possible to a second member relative to the first member levitated. また、制御器によって少なくとも2つのガス吸引部における各々のガスの吸引状態を、互いに独立に制御することから、第2の部材に対する吸引状態の最適化が図られる。 Furthermore, the suction state of each of the gas in at least two gas suction unit by the controller, since the controlled independently of each other, optimize the attraction state to the second member is achieved. 吸引状態の最適化により、第1の部材に対する第2の部材の浮上量や第2の部材の曲がり量を適切に管理することが可能となる。 Optimized suction state, it becomes possible to appropriately manage the amount of bend of the second member flying height and the second member relative to the first member.

この場合、例えば、前記制御器(331、332)は、前記ガス供給部(321)におけるガスの供給状態を制御するとよい。 In this case, for example, the controller (331, 332) may be controlled to supply state of the gas in the gas supply unit (321).
また例えば、前記制御器(331、332)は、前記吸引状態または前記供給状態の制御の前後で、ガスを供給することによって前記第1の部材(210)に作用する力とガスを吸引することによって前記第1の部材に作用する力とのバランスが変わらないように制御するとよい。 Further, for example, the controller (331, 332) is before and after the control of the suction state or the supply state, by sucking force and gas acting on the first member (210) by supplying a gas it may be controlled so as to balance the forces acting on the first member does not change by.
また例えば、前記制御器(331、332)は、前記少なくとも2つのガス吸引部(322、323)の中からガス吸引に使用する吸引部を選択するとよい。 Further, for example, the controller (331, 332), it is preferable to select a suction unit for use in a gas sucked from among the at least two gas suction portion (322, 323).

本発明の別のステージ装置は、案内面を有するベース部材(210)と、前記案内面と対向する対向部を有し前記ベース部材に対して相対移動可能なステージ(222)とを備えたステージ装置において、前記案内面と前記対向部との間に、上記のガスベアリング装置が設けられていることを特徴とする。 Another stage device of the present invention, the stage having a base member (210), and a relatively movable stage (222) relative to said base member has a facing portion that faces the guide surface having a guide surface in the device, between the opposing portion and the guide surface, characterized in that said gas bearing device is provided.
このステージ装置では、ガスベアリング装置を介して、ベース部材に対するステージの浮上量を適切に管理することが可能となる。 In this stage apparatus, via a gas bearing device, it is possible to properly manage the flying height of the stage relative to the base member.

本発明の露光装置は、マスク(R)を保持するマスクステージ(200)と、基板(W)を保持する基板ステージ(200)とを有し、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置において、前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、上記のステージ装置を用いる、ことを特徴とする。 The exposure apparatus of the present invention includes a mask the mask stage (200) for holding the (R), and a substrate stage (200) for holding a substrate (W), exposing a pattern formed on the mask onto the substrate in the exposure apparatus, at least one of said mask stage and said substrate stage, using the above-described stage device, characterized in that.

この露光装置では、ステージの浮上量や曲がり量が適切に管理可能なステージ装置を用いていることから、微細なパターンを高精度で基板に露光転写することができる。 In this exposure apparatus, since the flying height and the amount of flexure of the stage is used suitably manageable stage device can be exposed and transferred to the substrate a fine pattern with high accuracy.

本発明のステージ装置によれば、ガス圧によりステージを浮上支持するとともに、ベースに対するステージの浮上量やステージの曲がり量を適切に管理することができる。 According to the stage apparatus of the present invention, as well as floating support stage by the gas pressure, the amount of bend of the flying height and the stage of the stage relative to the base can be appropriately managed.

本発明のガスベアリング装置によれば、第1の部材に対する第2の部材の浮上量や第2の部材の曲がり量を適切に管理することができる。 According to the gas bearing device of the present invention, it is possible to appropriately manage the amount of flexure of the first second for members of the members flying height and the second member.

本発明の露光装置によれば、微細なパターンを高精度に基板に露光転写することができ、品質の良好なマイクロデバイス等を製造することができる。 According to the exposure apparatus of the present invention, can be exposed and transferred to the substrate a fine pattern with high accuracy, it is possible to produce a good microdevice such quality.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the drawings.
図1は本実施形態に係るレチクルステージ装置200を示す斜視図、図2はレチクルステージ装置200の分解斜視図、図3はステージ部220を示す斜視図及び断面図である。 Figure 1 is a perspective view showing a reticle stage device 200 according to this embodiment, FIG. 2 is an exploded perspective view of a reticle stage apparatus 200, FIG. 3 is a perspective view and a cross-sectional view showing a stage unit 220.

レチクルステージ装置200は、図1に示すように、レチクル定盤210、レチクルステージ部220を取り囲むように配置された枠状部材230、及びステージ部220を駆動するレチクルステージ駆動系(リニアモータ240、ボイスコイルモータ250)等を備える。 The reticle stage apparatus 200, as shown in FIG. 1, a reticle surface plate 210, frame member 230 is disposed so as to surround the reticle stage 220, and reticle stage drive system that drives the stage part 220 (linear motor 240, comprising a voice coil motor 250), or the like.

レチクル定盤(ベース)210は、不図示の支持部材によって略水平に支持されている。 Reticle surface plate (base) 210 is supported in a substantially horizontal by a support member (not shown). そして、レチクル定盤210は、図2に示すように、概略板状の部材からなり、その略中央に突部216aが形成されている。 The reticle surface plate 210, as shown in FIG. 2, consists schematic shaped member, protrusion 216a is formed at the substantially center. この突部216aの略中央には、露光用照明光ELを通過させるために、X軸方向を長手方向とする矩形開口216bがZ方向に連通状態で形成され、矩形開口216bのX軸方向の一側と他側には、Y軸方向を長手方向とするXZ断面逆L字状のガイド部216c,216dがそれぞれ設けられている。 The approximate center of the projection 216a, in order to pass the exposure illumination light EL, a rectangular opening 216b of the X-axis direction is the longitudinal direction is formed in a communicating state in the Z direction, of the rectangular opening 216b in the X axis direction on one side and the other side, XZ sectional inverted L-shaped guide portion 216c of the Y-axis direction is the longitudinal direction, 216d, respectively. これらのガイド部216c,216dは、外側に上端部が張り出す状態(張り出し部分216e、図4参照)で設けられ、上端面が突部216aの上面に平行になっている。 The guide portion 216c, 216d are provided in a state where the upper end portion outwardly overhangs (overhang 216e, see FIG. 4), the upper end face is parallel to the upper surface of the projecting portion 216a.

ステージ部(移動部材)220は、図3(a)に示すように、略矩形形状のステージ本体222(スライダ)、ステージ本体222からY方向に延設された4つの延設部224等から構成される。 Stage portion (moving member) 220, as shown in FIG. 3 (a), consists of a substantially rectangular shape of the stage main body 222 (the slider), the four extending portions 224, etc. extending from the stage main body 222 in the Y-direction It is.

延設部224の底面(下面、−Z側の面)には、延設部224の+Y端部から−Y端部にわたり、図3(b)に示される断面L字状でY軸方向を長手方向とするアングルプレート状の部材(以下、「アングル部材」と呼ぶ)227a,227bが固定されている。 The bottom surface of the extending portion 224 to the surface (lower surface, the -Z side surface), over -Y end from + Y end of the extending portion 224, a Y-axis direction in an L-shape shown in FIG. 3 (b) angle plate-shaped member whose longitudinal direction (hereinafter, referred to as "angle members") 227a, 227b are fixed. このアングル部材227は、実際には、ネジ部材によって複数箇所でレチクルステージ本体222に固定されている。 The angle members 227 are, in fact, are fixed to the reticle stage main body 222 at a plurality of positions by a screw member.

上記のアングル部材227a,227bは、レチクル定盤210のガイド部216c,216d(図2参照)のそれぞれの上部突出部に側方及び下方から所定のクリアランスをそれぞれ介して係合するものである。 The above angle members 227a, 227b is to engage through the guide portion 216c of the reticle surface plate 210, 216d side to each of the upper protrusions (see FIG. 2) and a predetermined clearance from the lower, respectively. すなわち、アングル部材227a,227bは、ガイド部216c,216dのそれぞれの上部突出部を、アングル部材227a,227bとステージ本体222とでX軸方向の両側から抱え込むように配置される。 That is, angle members 227a, 227b, the guide portion 216c, the respective upper projections 216d, angle members 227a, are arranged so as hug from both sides in the X-axis direction and 227b and the stage main body 222.

また、延設部224の底面(−Z側の面)には、それぞれ気体静圧軸受が形成される。 Further, the bottom surface of the extended portion 224 (surface on the -Z side), static gas bearing, respectively are formed. 気体静圧軸受により、ステージ部220は、レチクル定盤210上に数ミクロン程度のクリアランスを介して、非接触に浮上支持される。 The static gas bearing, the stage 220, via a clearance of around several microns on a reticle surface plate 210 is floatingly supported in a non-contact. なお、気体静圧軸受に関するステージ部220及びレチクル定盤210の構造(浮上機構)については後述する。 It will be described later structure of the stage 220 and the reticle surface plate 210 about the static gas bearing (floating mechanism).

このステージ部220は、軽量且つ高剛性の素材、例えばMMC(金属基複合材;Metal Matrix Composite:金属とセラミックスの複合体(アルミ合金又は金属シリコンをマトリックス材として、その中に各種セラミックス強化材を複合化させた素材))により一体化されている。 The stage unit 220 is a lightweight and highly rigid material, for example, MMC (metal matrix composite material; Metal Matrix Composite: a composite of metal and ceramics (aluminum alloy or a metal silicon as a matrix material, various ceramic reinforcement therein It is integrated by material)), which was composite. 但し、以下の説明では、説明を分かりやすくするために、必要に応じて各部が別部材であるかのような表現を用いる場合がある。 However, in the following description, for clarity of explanation, there is a case of using as various parts if necessary if it were a separate member representation. 上記各部のいずれか1つを他と別部材で構成してもよいし、全てを別部材で構成してもよい。 It may be constituted by another member separate one of the respective units may constitute all separate members.

ステージ部220の−Y方向の端部には、コーナーキューブからなる一対のY移動鏡233a,233bが固定され、外部に設けた干渉計235a〜235c(図11参照)によって、Y移動鏡233a,233bのY方向の位置を測定することで、ステージ部220(レチクルR)のY方向の位置が高精度に計測される。 The end of the -Y direction of the stage 220, a pair of Y movable mirror 233a consisting of corner cubes, 233b are fixed, by the interferometer 235a~235c provided outside (see FIG. 11), Y movable mirror 233a, by measuring the Y position of 233b, Y-direction position of the stage 220 (reticle R) is measured with high precision.

また、ステージ本体222の略中央には、露光用照明光ELの通路となる段付き開口223が形成され、この段付き開口223の段部(1段掘り下げられた部分)には、レチクルRを下側から吸着保持するレチクルホルダ(載置面)225が設けられる。 Further, in the approximate center of the stage main body 222 is stepped opening 223 for passage of the exposure illumination light EL is formed, the stepped portion of the stepped opening 223 (first stage dug-down part) is a reticle R reticle holder (mounting surface) 225 for attracting and holding from below is provided. 更に、段付き開口223のX方向の両辺に沿って、4つ(各辺にそれぞれ2つ)のレチクルクランプ270が配置される。 Furthermore, along the X direction on both sides of the stepped opening 223, the reticle clamp 270 of four (two each on each side) is disposed.

ステージ部220において、段付き開口223のX方向の両側には、リニアモータ240の可動子ユニット244が配置される。 In stage 220, on both sides in the X direction of the stepped opening 223, the movable element unit 244 of the linear motor 240 is arranged. 可動子ユニット244は、図3(b)に示すように、ステージ本体222の上面及び下面に一対の磁極ユニット244a,244bが埋め込まれる。 Armature unit 244, as shown in FIG. 3 (b), the upper surface and a pair of a lower surface magnetic pole unit 244a of the stage main body 222, 244b are embedded. 更に、X方向の端部には、ボイスコイルモータ250の可動子ユニット254が配置される。 Further, the end portion of the X-direction, the movable element unit 254 of the voice coil motor 250 is disposed. 可動子ユニット254としては、板状の永久磁石254aが用いられる。 The mover unit 254, a plate-like permanent magnet 254a is used.

レチクルステージ駆動系は、ステージ部220をY方向に駆動するとともにθz方向に微小駆動する一対のリニアモータ240と、ステージ部220をX方向に微小駆動するボイスコイルモータ250からなる。 The reticle stage drive system includes a pair of linear motors 240 to fine driving in the θz direction drives the stage 220 in the Y-direction, consisting of a voice coil motor 250 that finely drives the stage 220 in the X direction. 一対のリニアモータ240は、枠状部材230の内部のX方向両側に、それぞれY方向に架設された固定子ユニット242及び上述した可動子ユニット244から構成される。 A pair of linear motors 240, the interior of the X-direction on both sides of the frame member 230, and a stator unit 242 and the mover unit 244 described above which is bridged in the Y direction, respectively. また、ボイスコイルモータ250は、枠状部材230の内部の−X側に、Y軸方向に架設された固定子ユニット252及び上述した可動子ユニット254から構成される。 The voice coil motor 250, on the -X side of the interior of the frame member 230, and a Y-axis direction spanned by the stator unit 252 and the mover unit 254 described above.

固定子ユニット242は、Y軸方向を長手方向とする一対のY軸リニアガイド242a,242bからなり、Z方向に所定間隔を空けて相互に対向して且つXY面にそれぞれ平行に保持されて、枠状部材230の内壁面に固定される。 The stator unit 242, a pair of Y-axis linear guide 242a to the Y-axis direction is the longitudinal direction, consist 242b, are respectively held parallel to the and the XY plane in opposition to each other at predetermined intervals in the Z direction, It is fixed to an inner wall surface of the frame member 230. そして、Y軸リニアガイド242a,242bの内部には、Y軸方向に所定間隔で複数の電機子が配置される。 Then, Y-axis linear guide 242a, to the interior of the 242b, a plurality of armatures are arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction. そして、各Y軸リニアガイド242a,242bの間には、所定のクリアランスを介して、ステージ部220の磁極ユニット244a,244bが配置される。 Each Y-axis linear guides 242a, between 242b, via a predetermined clearance, the magnetic pole unit 244a of the stage 220, 244b are arranged.

固定子ユニット252は、Y軸方向を長手方向とする一対の電機子ユニット252a,252bからなり、Z方向に所定間隔を空けて相互に対向して且つXY面にそれぞれ平行に保持されて、枠状部材230の内壁面に固定される。 The stator unit 252, a pair of armature unit 252a to the Y-axis direction is the longitudinal direction, consist 252b, are respectively held parallel to the and the XY plane in opposition to each other at predetermined intervals in the Z direction, the frame It is fixed to an inner wall surface of the Jo member 230. そして、電機子ユニット252a,252bの間には、所定のクリアランスを介して、ステージ部220の永久磁石254aが配置される。 The armature unit 252a, between 252b, via a predetermined clearance, the permanent magnets 254a of the stage 220 is arranged.

このように、Y軸リニアガイド242a,242b及び磁極ユニット244a,244bによりステージ部220をY方向に移動可能なムービングマグネット型のリニアモータ240が構成される。 Thus, Y-axis linear guides 242a, 242b and the magnetic pole unit 244a, the linear motor 240 to the stage 220 of the moving magnet type movable in Y direction by 244b is formed. また、電機子ユニット252a,252bと永久磁石254aとにより、ステージ部220をX方向に微小移動可能なムービングマグネット型のボイスコイルモータ250が構成される。 Also, the armature unit 252a, by the 252b and the permanent magnets 254a, a voice coil motor 250 of the micro movable moving magnet type is configured the stage 220 in the X direction.

そして、Y軸リニアガイド242a,242b内の電機子コイルに電流が供給されると、ステージ部220をY方向に駆動する駆動力が発生する。 Then, Y-axis linear guide 242a, a current is supplied to the armature coil in 242b, the driving force for driving the stage 220 in the Y direction is generated. また、電機子ユニット252a,252bを構成する電機子コイルにY軸方向の電流が流れると、ステージ部220をX方向に駆動する駆動力が発生する。 Also, the armature unit 252a, when the armature coils constituting the 252b current flows in the Y axis direction, the driving force for driving the stage 220 in the X direction is generated.

枠状部材230は、その下面に気体静圧軸受が形成される。 The frame member 230, static gas bearing is formed on the lower surface thereof. これにより、枠状部材230は、レチクル定盤210上に数ミクロン程度のクリアランスを介して非接触に浮上支持される。 Thus, the frame member 230 is supported by levitation in a non-contact via a clearance of around several microns on a reticle surface plate 210. また、枠状部材230の+X側面及び+Y側面には、磁気ユニットからなる可動子261,263,265,267が設けられる。 Also, the + X side surface and + Y side surface of the frame member 230, the movable element 261,263,265,267 consisting magnetic unit is provided. これら可動子261,263,265,267に対応して、レチクル定盤210には、支持台212を介して、電機子ユニットからなる固定子262,264,266,268が設けられる。 In response to these movable elements 261,263,265,267, the reticle surface plate 210, through the support base 212, a stator 262, 264, 266, 268 is provided consisting of the armature unit. 可動子261,263,265,267は、その内部に永久磁石を備えており、Z方向の磁界を形成する。 Mover 261,263,265,267, the interior includes a permanent magnet to form a magnetic field in the Z-direction. 固定子262,264は、その内部に電機子コイルを備えており、Y方向に電流が流れるように形成される。 The stator 262 is provided with an armature coil inside, is formed so that a current flows in the Y direction. 固定子266,268は、その内部に電機子コイルを備えており、X方向に電流が流れるように形成される。 The stator 266 is provided with an armature coil inside, is formed so that a current flows in the X direction.

したがって、可動子261,263と固定子262,264により、ムービングマグネット型ボイスコイルモータからなるX軸方向駆動用のトリムモータ260Xが構成される。 Accordingly, the movable element 261, 263 and the stator 262, the trim motor 260X is configured for X-axis direction drive consisting of a moving magnet type voice coil motor. 同様に、可動子265,267と固定子266,268により、ムービングマグネット型ボイスコイルモータからなるY軸方向駆動用のトリムモータ260Yが構成される。 Similarly, the movable element 265 and 267 and stator 266, 268, the trim motor 260Y is constituted for the Y-axis direction drive consisting of a moving magnet type voice coil motor. このように、4つのトリムモータ260X,260Yにより、枠状部材230をX軸方向、Y軸方向、及びθz方向の3自由度方向に駆動することが可能である。 Thus, the four trim motor 260X, by 260Y, it is possible to drive the frame member 230 X-axis direction, Y axis direction, and the directions of three degrees of freedom θz direction. また、枠状部材230の−X方向及び−Y方向の側壁には、それぞれ窓ガラス232,234がはめ込まれており、ステージ部220の位置を計測するレーザ干渉計235a〜235cからの測長ビームが透過可能となっている。 Further, the side wall of the -X direction and the -Y direction of the frame member 230, is fitted the glazing 232,234 respectively, measurement beams from the laser interferometer 235a~235c for measuring the position of the stage 220 There has been and can be transparent.

ステージ部220のY方向の位置は、レーザ干渉計235a〜235cから発した測長ビームを、窓ガラス234を介してY移動鏡233a,233bに照射し、その反射光を検出することで行われる。 Position in the Y direction of the stage 220 is performed by a measurement beam emitted from the laser interferometer 235A~235c, irradiated through the window glass 234 Y movable mirror 233a, in 233b, and detecting the reflected light . ステージ部220のX方向、θz方向の位置は、レチクル定盤210に固定されたX固定鏡(図示せず)に複数の測長ビームを照射し、その反射光を検出することがで行われる。 X-direction of the stage 220, the θz direction position is carried out in that irradiates a plurality of measurement beams in a fixed X fixed mirror to the reticle surface plate 210 (not shown), and detecting the reflected light . このX固定鏡は、ステージ部220の移動範囲をカバーするようにY方向に沿って長尺に形成されており、枠状部材230の外部に設置される。 The X fixed mirror is formed in an elongated along the Y direction so as to cover the moving range of the stage 220 is installed on the outside of the frame member 230. 窓ガラス234を通過した測長ビームは、ステージ部220に固定された光学素子によって光路を略90度曲げられ、その後、窓ガラス232を通過してX固定鏡に達するようになっている。 Measurement beam passing through the window glass 234 is bent approximately 90 degrees the optical path by the optical element which is fixed to the stage portion 220, then, is adapted to pass through the window glass 232 reaches the X fixed mirror. なお、枠状部材230に窓ガラス232,234を設けず、枠状部材230の内側(枠内)に前記測長ビームの射出部とX固定鏡とを配置するようにしてもよい。 Note that without providing the window glass 232, 234 in frame member 230, may be arranged and an exit portion and the X fixed mirror of the measurement beams on the inside of the frame member 230 (inside the frame).

このように構成されたレチクルステージ装置200では、ステージ部220の移動に伴う反力が枠状部材230の移動によりキャンセルされる。 In such a reticle stage apparatus 200 is configured, the reaction force accompanying the movement of the stage 220 is canceled by the movement of the frame member 230. 例えば、ステージ部220がX軸方向に駆動されると、ボイスコイルモータ250の可動子がステージ部220と一体でX軸方向に駆動され、この駆動力の反力がボイスコイルモータ250の固定子(電機子ユニット252a,252b)及び固定子が固定された枠状部材230に作用する。 For example, the stage 220 is driven in the X-axis direction, the movable element of the voice coil motor 250 is driven in the X axis direction integrally with the stage section 220, the reaction force of the driving force of the voice coil motor 250 stator (armature units 252a, 252b) and the stator acts on the frame member 230 which is fixed. 枠状部材230は、レチクル定盤210に対して所定のクリアランスを介して非接触に支持されているので、上述した反力の作用により、枠状部材230は、運動量保存の法則に従った距離だけその反力に応じた方向に移動する。 Distance frame member 230, since it is supported by a non-contact manner via a predetermined clearance with respect to the reticle surface plate 210, by the action of the reaction force described above, the frame member 230, in accordance with the law of conservation of momentum It moves only in a direction corresponding to the reaction force. 同様に、Y軸方向に駆動された場合にも、運動量保存の法則に従って、枠状部材230が移動する。 Similarly, when it is driven in the Y-axis direction, according to the principle of conservation of momentum, the frame-shaped member 230 is moved. 特に、枠状部材230がステージ部220を取り囲むように形成されているので、必然的に大型化し、その重量が大きくなる。 In particular, since the frame member 230 is formed so as to surround the stage unit 220, inevitably large, its weight increases. したがって、ステージ部220との重量比を大きくすることができる。 Therefore, it is possible to increase the weight ratio of the stage 220. このため、枠状部材230の移動距離は、比較的短くて足りる。 Therefore, the movement distance of the frame member 230 is sufficient relatively short.

次に、ステージ部220の浮上機構について図4及び図5を参照して説明する。 It will now be described with reference to FIGS. 4 and 5 for the floating mechanism of the stage 220.
図4は、ステージ部220の浮上機構を示す図であり、レチクル定盤210のガイド部216d及びステージ本体222のアングル部材227bの近傍の断面を模式的に示している。 Figure 4 is a diagram illustrating a floating mechanism of the stage 220, and a cross-section in the vicinity of the angle members 227b of the guide portion 216d and the stage body 222 of the reticle surface plate 210 is schematically shown. 図5は、図4に示すA−A断面図である。 Figure 5 is an A-A cross-sectional view shown in FIG.

図4に示すように、ステージ本体222の底面(下面、−Z側の面)には、レチクル定盤210のガイド部216dの上面に対向する位置に、所定深さの凹溝からなる第1溝301、第2溝302、及び第3溝303が設けられている。 Figure 4 As shown in the bottom surface of the stage main body 222 (lower surface, the -Z side surface) is in a position facing the upper surface of the guide portion 216d of the reticle surface plate 210, the first consisting of the concave groove having a predetermined depth groove 301, second groove 302, and the third groove 303 is provided. 図5に示すように、これらの溝301,302,303はそれぞれ、ステージ本体222の延設部224のY方向の両端付近までY軸方向に延在して設けられており、また、互いにX方向に所定間隔ずつ隔てられかつ互いに平行な関係にある。 As shown in FIG. 5, each of these grooves 301, 302, 303 are provided to extend in the Y-axis direction to the vicinity of both ends in the Y direction extending portion 224 of the stage main body 222, Further, X together and spaced by a predetermined distance in a direction in parallel relationship to each other. 本実施形態では、各溝301,302,303の幅及び深さはそれぞれ互いに同程度である。 In the present embodiment, the width and depth of each groove 301, 302, 303 are each comparable to each other. 溝301,302,303の形状は上記に限らず、例えば、幅及び深さは互いに異なってもよい。 The shape of the grooves 301, 302, 303 is not limited to the above, for example, the width and depth may be different from each other. なお、後述するように、第1溝301はステージ本体222の浮上支持におけるガス供給に用いられ、第2溝302及び第3溝303は、上記浮上支持におけるガス吸引(ガス排出)に用いられる。 As described later, the first groove 301 is used for the gas supply in the floating support of the stage main body 222, second grooves 302 and third grooves 303 are used in the gas suction (gas discharge) in the floating support.

また、図4に示すように、ステージ本体222のアングル部材227bの上面には、第1溝301に対向位置に、所定深さの凹溝からなる第4溝304が設けられている。 Further, as shown in FIG. 4, the upper surface of the angle member 227b of the stage main body 222, a position opposite to the first groove 301, fourth groove 304 made concave groove having a predetermined depth is provided. 第4溝304の、延在長さ、幅、及び深さは第1溝301とほぼ同じである。 The fourth grooves 304, extending length, width, and depth is substantially the same as the first groove 301. なお、後述するように、第4溝304はステージ本体222の浮上支持におけるガス供給に用いられる。 As described later, the fourth groove 304 is used in the gas supply in the floating support of the stage main body 222.

また、ステージ本体222の底面において、第1溝301と第2溝302との間には、Y方向に延在して大気開放溝305が設けられている。 Further, the bottom surface of the stage main body 222, a first groove 301 is formed between the second groove 302, the atmosphere opening groove 305 is provided extending in the Y direction. 大気開放溝305は、溝301,302,303に比べて幅が狭く、また、Y軸方向の両端が開放されている。 Air release groove 305 is narrower in width than the groove 301, 302, 303, also, both ends of the Y-axis direction is open.

更に、ステージ本体222の底面において、第2溝302と第3溝303との間には、Y方向に延在する複数のガス噴出溝306が設けられている。 Further, the bottom surface of the stage main body 222, a second groove 302 is formed between the third groove 303, a plurality of gas injection grooves 306 extending in the Y direction are provided. 複数のガス噴出溝306は同一直線上でY方向に互いに所定間隔ずつ隔てられており、それぞれがY軸方向に所定長さ延在し、かつ溝301,302,303に比べて幅が狭い。 The plurality of gas ejection grooves 306 are separated by a predetermined distance from each other in the Y direction on the same line, each extending a predetermined length in the Y-axis direction and is narrower than the groove 301, 302 and 303. なお、ステージ本体222の底面における、複数のガス噴出溝306が設けられた、第2溝302と第3溝303との間の領域が気体静圧軸受307(エアパッド)となる。 Incidentally, the bottom surface of the stage main body 222, a plurality of gas injection groove 306 is provided, the region between the second groove 302 and the third grooves 303 is static gas bearing 307 (air pad).

図4に示すように、第1溝301と各ガス噴出溝306とは、通気経路310を介して連通されている。 As shown in FIG. 4, the first groove 301 and the gas injection grooves 306 are communicated through the ventilation pathway 310. 実際には、通気経路310は、細孔、コネクタ、及び配管チューブ等を含む。 In practice, the ventilation path 310 includes pores, connectors, and the piping tube or the like. 各ガス噴出溝306に対して通気経路310は1つずつ設けられてもよく、複数ずつ設けられてもよい。 Ventilation pathway 310 for each gas injection grooves 306 may be provided one by one, may be provided with a plurality each.

また、ステージ本体222の上面には、レチクルRを吸着保持するための吸着孔315が設けられている。 Further, the upper surface of the stage main body 222, suction holes 315 for sucking and holding the reticle R is provided. この吸着孔315は、通気経路316を介して第3溝303と連通されている。 The suction hole 315 is communicated with the third groove 303 through the vent passage 316.

ここで、先の図2及び図3を用いて説明したように、レチクル定盤210における突部216aには、X軸方向の一側にガイド部216cが設けられるとともに、他側にガイド部216dが設けられている。 Here, as described with reference to the previous Figures 2 and 3, the projections 216a at the reticle surface plate 210, the guide portion 216c is provided on one side of the X-axis direction, the guide portion 216d on the other side It is provided. またこれに対応して、ステージ本体222には、X軸方向の一側にアングル部材227aが配設されるとともに、他側にアングル部材227bが配設されている。 Also Correspondingly, the stage main body 222, together with the angle member 227a is disposed on one side of the X-axis direction, the angle member 227b is disposed on the other side. 図4及び図5では、それぞれ+X側の、ガイド部216d及びアングル部材227bの近傍の様子を示しているが、−X側のガイド部216d及びアングル部材227bの近傍も同様の浮上機構からなる。 4 and 5, respectively + X side and shows a state in the vicinity of the guide portion 216d and the angle members 227b, also near the -X side of the guide portion 216d and the angle member 227b made of the same floating mechanism. 両者の構造は概ね左右対称である。 Structure of both are generally symmetrical.

図4に戻り、レチクル定盤210のガイド部216d並びに突部216aには、第1溝301に対するガス供給のためのガス供給経路321と、第2溝302に対するガス吸引のための第1ガス吸引経路322と、第3溝303に対するガス吸引のための第2ガス吸引経路323とが設けられている。 Returning to Figure 4, the guide portion 216d and projection 216a of the reticle surface plate 210, a gas supply path 321 for gas supply to the first groove 301, the first gas suction for gas suction to the second groove 302 a path 322, a second gas suction passage 323 for the gas suction is provided to the third groove 303. ガス供給経路321及びガス吸引経路322,323はそれぞれ、細孔、コネクタ、及び配管チューブ等を含む。 Each gas supply path 321 and the gas suction path 322, 323 includes pores, connectors, and the piping tube or the like.

ガス供給経路321は、レチクル定盤210におけるガイド部216dのX方向の張り出し部分216eの上端面に設けられる第1噴出口321aと、その張り出し部分216eの下端面に設けられる第2噴出口321bとを含む。 Gas supply path 321 includes a first ejection port 321a provided on the upper end face of the projecting portion 216e of the X direction of the guide portion 216d of the reticle surface plate 210, and the second ejection port 321b provided at the lower end face of the overhang portion 216e including. 第1噴出口321aは、上記張り出し部分216eの上端面において、ステージ本体222の第1溝301と対向する位置に設けられている。 The first ejection port 321a, in the upper end surface of the projecting portion 216e, are provided at a position facing the first groove 301 of the stage main body 222. 第2噴出口321bは、上記張り出し部分216eの下端面において、その張り出し部分216eを挟んで第1噴出口321aの反対位置であり、ステージ本体222のアングル部材227bの第4溝304に対向する位置に設けられている。 The second ejection port 321b is at the lower end face of the projecting portion 216e, across the overhang portion 216e is opposite the position of the first ejection port 321a, a position opposed to the fourth groove 304 of the angle members 227b of the stage main body 222 It is provided to.

ガス供給経路321は、制御弁330を介して窒素又は希ガス(例えばヘリウムガス)などの所定のガスの供給源であるガス供給装置325に接続されている。 Gas supply path 321 is connected to the gas supply device 325 is the source of a given gas such as via a control valve 330 nitrogen or a noble gas (e.g., helium gas). ガス供給装置325から供給される加圧ガスは、第1噴出口321aと第2噴出口321bとのそれぞれから噴出される。 Pressurized gas supplied from the gas supply unit 325 is ejected from each of the first ejection port 321a and the second ejection port 321b. 第1噴出口321aから噴出されたガスは、一旦第1溝301で受け止められ、さらに第1噴出口321aからガスが噴出され続けることにより、そのガスが第1溝301の全体に行き渡り、第1溝301におけるガスの静圧がある程度の圧力になった段階でそのガスは、通気経路310を介して各ガス噴出溝306に供給される。 Gas ejected from the first ejection port 321a is temporarily is received by the first groove 301, further by the gas continues to be ejected from the first ejection port 321a, the gas spreads in the entire first groove 301, the first its gas at the stage where the static pressure of the gas in the groove 301 reaches a certain pressure is supplied via the ventilation path 310 to each gas ejection grooves 306. ガス噴出溝306からのガス噴出により、気体静圧軸受307の領域において、ステージ本体222の底面とレチクル定盤210上面との間隙の圧力(静圧、隙間内圧力)が高まり、ある程度の圧力になると、ステージ本体222がレチクル定盤210に対して浮上支持される。 The gas jet from the gas injection groove 306, in the region of the static gas bearing 307, the gap pressure (static pressure, a gap in the pressure) between the bottom surface and the reticle surface plate 210 top surface of the stage main body 222 is increased, a certain pressure becomes, the stage main body 222 is floatingly supported relative to the reticle surface plate 210.

このとき、張り出し部分216eにおける第1噴出口321aからの噴出ガスは第1溝301を介してステージ本体222を上方に押圧し、第2噴出口321bからの噴出ガスは第4溝304を介してステージ本体222を下方に押圧する。 In this case, gas discharged from the first ejection port 321a of the overhanging portion 216e pushes the stage body 222 upward via the first groove 301, the gas injected from the second ejection port 321b via a fourth trench 304 pressing the stage body 222 downward. そのため、第1溝301に作用するガスによる上向きの力は、第4溝304に作用するガスによる下向きの力によってほぼ相殺され、その結果、ステージ本体222が必要以上に浮き上がることが防止される。 Therefore, the upward force due to gas acting on the first groove 301 is substantially offset by a downward force due to gas acting on the fourth groove 304, as a result, it is possible to prevent the stage main body 222 is lifted more than necessary. つまり、ステージ部220の重量は、気体静圧軸受307における圧力によって支持される。 In other words, the weight of the stage 220 is supported by the pressure in the static gas bearing 307. なお、気体静圧軸受307に残留する圧力(陽圧)は、ガス吸引経路322,323を介して適宜軽減される。 The pressure remaining in the static gas bearing 307 (positive pressure) is appropriately alleviated through the gas suction path 322.

ガス吸引経路322,323はそれぞれ、制御弁331,332を介して真空ポンプ326に接続されている。 Each gas suction path 322 is connected to a vacuum pump 326 through a control valve 331, 332. 真空ポンプ326は不図示のガス回収装置に接続されている。 Vacuum pump 326 is connected to a gas recovery apparatus (not shown). 第1ガス吸引経路322と第2ガス吸引経路323とは互いに独立した関係にある。 A first gas suction path 322 and the second gas suction passage 323 in independent relationship to each other. 第1ガス吸引経路322は、レチクル定盤210におけるガイド部216dの上端面に設けられる第1吸引口322aを含み、第2ガス吸引経路323は、レチクル定盤210におけるガイド部216dの上端面に設けられる第2吸引口323aを含む。 First gas suction path 322 includes a first suction port 322a provided on the upper end face of the guide portion 216d of the reticle surface plate 210, a second gas suction path 323, the upper end surface of the guide portion 216d of the reticle surface plate 210 It includes a second suction port 323a provided. 第1吸引口322aは、ガイド部216dの上端面において、ステージ本体222の第2溝302と対向する位置に設けられている。 First suction port 322a, in the upper end face of the guide portion 216d, is provided at a position opposed to the second groove 302 of the stage main body 222. 第2吸引口323aは、ガイド部216dの上端面において、ステージ本体222の第3溝303と対向する位置に設けられている。 The second suction port 323a, in the upper end face of the guide portion 216d, is provided at a position facing the third groove 303 of the stage main body 222. すなわち、第1吸引口322a及び第2吸引口323aはそれぞれ、気体静圧軸受307の隣接位置に設けられている。 That is, the first suction port 322a and the second suction port 323a are respectively provided on the adjacent position of the static gas bearing 307. 言い換えると、第1吸引口322a及び第2吸引口323aは、気体静圧軸受307を間に挟んで、その両側に対称に、X方向に互いに離間して配されている。 In other words, the first suction port 322a and the second suction port 323a is sandwiched between the static gas bearing 307, symmetrically on both sides, it is arranged spaced from each other in the X direction.

気体静圧軸受307の隣接位置に、ガス吸引用の溝302,303及び吸引口322a,323aを設けるのは、気体静圧軸受307のガスを直接吸引することで、気体静圧軸受307に残留する圧力(陽圧)を確実かつ短時間で軽減すること等を目的としている。 To adjacent positions of the static gas bearing 307, grooves 302, 303 and suction port 322a of the gas suction, to provide a 323a, by sucking the gas in the gas hydrostatic bearing 307 directly, remaining static gas bearing 307 It is aimed at such to reduce pressure (positive pressure) reliably and in a short time to. ただし、吸引口322a,323aの配設位置は上記に限定されない。 However, the suction port 322a, the arrangement position of 323a is not limited to the above. 例えば、ガス吸引用の第2溝302及び第3溝303の双方を、気体静圧軸受307に対してX方向の一方の側(例えば、+X側)に並べて設け、これに対応して、吸引口322a,323aを、気体静圧軸受307に対してX方向の一方の側(例えば、+X側)に並べて設けてもよい。 For example, both the second grooves 302 and third grooves 303 for gas suction, one side of the X direction with respect to the static gas bearing 307 (e.g., + X side) provided side by side and, correspondingly, suction mouth 322a, the 323a, one side of the X direction with respect to the static gas bearing 307 (e.g., + X side) may be provided side by side on.

図6は、レチクルRの保持時と非保持時との間におけるガス吸引経路322,323の切り替えの様子を模式的に示す図である。 Figure 6 is a diagram schematically showing the switching of the gas suction path 322, 323 between the time and the non-holding time of the holding of the reticle R.
図6に示すように、本実施形態では、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガス吸引経路322,323を選択的に切り替える。 As shown in FIG. 6, in this embodiment, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, selectively switches the gas suction path 322. すなわち、レチクルRの保持時においては、第2ガス吸引経路323を使用し、レチクルRの非保持時においては、第1ガス吸引経路322を使用する。 That is, at the time of holding the reticle R, using a second gas suction path 323, during the non-holding of the reticle R, using the first gas suction path 322.

より具体的には、レチクルRがステージ本体222に搭載されると、第1ガス吸引経路322の制御弁331を閉、第2ガス吸引経路323の制御弁332を開にする。 More specifically, when the reticle R is mounted on the stage body 222, a control valve 331 of the first gas suction passage 322 closed, the control valve 332 of the second gas suction passage 323 to open. これにより、第2ガス吸引経路323内が負圧となり、第2ガス吸引経路323の第2吸引口323aを介して、第3溝303に面する空間のガスが吸引される。 Thus, the second gas suction passage 323 becomes a negative pressure, through the second suction port 323a of the second gas suction passage 323, the gas space facing the third groove 303 is sucked. 気体静圧軸受307の隣接位置からガスが吸引されることにより、ステージ本体222が必要以上に浮き上がることが確実に防止される。 By gas from the adjacent position of the static gas bearing 307 is sucked, it is reliably prevented that the stage main body 222 is lifted more than necessary. また、第3溝303は、通気経路316を介してレチクルR吸着用の吸着孔315に連通していることから、負圧による吸引作用により、レチクルRがステージ本体222に吸着保持される。 The third grooves 303, since it is communicated with the suction hole 315 of the reticle R adsorption through the ventilation pathway 316, the suction effect due to the negative pressure, the reticle R is held by suction on the stage main body 222. なお、このとき、第1ガス吸引経路322内は大気圧となる。 At this time, the first gas suction passage 322 becomes the atmospheric pressure.

一方、レチクルRの交換時などのレチクルRの非保持時においては、第1ガス吸引経路322の制御弁331を開、第2ガス吸引経路323の制御弁332を閉にする。 On the other hand, in a time of non-retention of the reticle R including during replacement of the reticle R, the control valve 331 of the first gas suction passage 322 opened, the control valve 332 of the second gas suction passage 323 is closed. これにより、第1ガス吸引経路322の第1吸引口322aを介して、第2溝302に面する空間のガスが吸引される。 Thus, through the first suction port 322a of the first gas suction passage 322, the gas space facing the second groove 302 is sucked. なお、このとき、第2ガス吸引経路323内は大気圧となる。 At this time, the second gas suction passage 323 becomes the atmospheric pressure. 気体静圧軸受307の隣接位置からガスが吸引されることにより、ステージ本体222が必要以上に浮き上がることが確実に防止される。 By gas from the adjacent position of the static gas bearing 307 is sucked, it is reliably prevented that the stage main body 222 is lifted more than necessary.

特に、レチクルRの非保持時においては、レチクルR吸着用の吸着孔315が大気圧に対して開放されているため、吸着孔315に連通している第2ガス吸引経路323を使用すると、十分なガス吸引が行えず、浮上力と吸引力とのバランスが崩れ、ステージ本体222が過度に浮き上がる可能性がある。 In particular, during the non-holding of the reticle R, for suction hole 315 of the reticle R adsorption it is open to atmospheric pressure, using a second gas suction passage 323 communicating with the suction holes 315, sufficient a gas suction can not be performed, imbalance between the floating force and the suction force, the stage main body 222 is likely to float excessively. レチクルRの非保持時には、レチクルRの吸着保持に併用される第2ガス吸引経路323ではなく、ステージ本体222のガス吸引のみに使用される第1ガス吸引経路322を使用することで、ステージ本体222の浮上量を適切に管理することができる。 At a time of non-retention of the reticle R, the second gas suction path 323 is combined to the suction holding the reticle R, not to use a first gas suction path 322, which is used only in the gas suction stage main body 222, the stage body the flying height of 222 can be appropriately managed.

制御弁331,332としては、例えば、電磁弁が用いられる。 The control valve 331 and 332, for example, an electromagnetic valve is used. この場合、開閉制御のみの電磁弁を用いてもよく、流量制御用の電磁弁を用いてもよい。 In this case, it may be an electromagnetic valve opening and closing control only, may be an electromagnetic valve for flow rate control. また、第1ガス吸引経路322と第2ガス吸引経路323の切り替えを、三方弁などの1つの制御弁で行ってもよい。 Further, the first gas suction path 322 to switch the second gas suction passage 323 may be performed in one control valve such as a three-way valve. なお、第1ガス吸引経路322と第2ガス吸引経路323との切り替え時において、双方の経路からガス吸引を行う時間を設ける(すなわちオーバラップさせる)ことにより、切り替え時に生じるガス吸引不足を防止することが可能である。 At the time of switching between the first gas suction path 322 and the second gas suction path 323, by the both path providing time for gas suction (i.e. to overlap) to prevent gas suction shortage caused at the time of switching It is possible. この場合、例えば、一方の制御弁を閉から開状態に変化したのを確認した後に、他方の制御弁を開から閉状態にするとよい。 In this case, for example, after confirming that the one of the control valve is changed from the closed to the open state, it may be closed and the other of the control valve from the open.

なお、上記の浮上機構は、レチクルRの搭載部であるステージ本体222のX方向両側に設けられていることから、左右で合計4系統のガス吸引経路が設けられることになる。 The above floating mechanism, since it is provided in the X direction on both sides of the stage main body 222 is a mounting portion of the reticle R, so that the gas suction path total of four lines are provided in the left and right. そして、レチクルRの保持時には内側2系統のガス吸引経路を使用し、レチクルRの非保持時には外側2系統のガス吸引経路を使用することになる。 Then, at the time of holding the reticle R by using the gas suction path inside two systems would use the gas suction path of the outer two systems when not in holding the reticle R. 内側2系統のガス吸引経路のそれぞれに対して1つずつ制御弁を設けてもよく、1つの制御弁を共用させてもよい。 It may be provided one by one control valve for each of the gas suction path of the inner two lines may be shared with one control valve. 同様に、外側2系統のガス吸引経路のそれぞれに対して1つずつ制御弁を設けてもよく、1つの制御弁を共用させてもよい。 Similarly, it may be provided one by one control valve for each of the gas suction path of the outer two channels may be shared with one control valve.

また、本例においては、ステージ本体222に対して、ある領域では気体静圧軸受307を介して鉛直上向きに押圧し、別の領域ではガス吸引経路322,323を介して鉛直下向きに吸引している(いわゆる押し引きしている)ことから、ステージ本体222に対して曲げモーメントが作用する。 In the present embodiment, with respect to the stage body 222, it presses vertically upward through the static gas bearing 307 in some regions, in another area by sucking vertically downward through the gas suction path 322 since you are (are called push-pull) the bending moment acts on the stage body 222. しかしながら、ステージ本体222に対する吸引箇所(第2溝302、第3溝303)が、押圧箇所(気体静圧軸受307)の隣接位置であることから、吸引箇所と押圧箇所の距離が短く、実際に生じる曲げモーメントは極めて小さい。 However, the suction portion (second groove 302, third groove 303) relative to the stage main body 222, because it is adjacent position of the pressing portion (static gas bearing 307), the distance of the suction portion and the pressing portion is short, actually resulting bending moment is extremely small.

図7は、レチクルRの保持時と非保持時との間におけるガス吸引経路322,323の切り替えの他の例を模式的に示す図である。 Figure 7 is a diagram schematically showing another example of the switching of the gas suction path 322, 323 between the time of holding at the non-holding of the reticle R.
図7において、本例では、レチクルRの保持時においては、第1ガス吸引経路322と第2ガス吸引経路323との双方を使用し、レチクルRの非保持時においては、第1ガス吸引経路322のみを使用する。 7, in this example, at the time of holding the reticle R, the first gas suction path 322 using both the second gas suction path 323, during the non-holding of the reticle R, the first gas suction passage using the 322 only.

すなわち、レチクルRの保持時には、第1ガス吸引経路322の制御弁331、第2ガス吸引経路323の制御弁332をともに開にする。 That is, when holding the reticle R, the control valve 331 of the first gas suction path 322, to both open the control valve 332 of the second gas suction path 323. 一方、レチクルRの非保持時においては、第1ガス吸引経路322の制御弁331を開、第2ガス吸引経路323の制御弁332を閉にする。 On the other hand, in a time of non-retention of the reticle R, the control valve 331 of the first gas suction passage 322 opened, the control valve 332 of the second gas suction passage 323 is closed. 本例では、レチクルRの保持時において、気体静圧軸受307の両側でガス吸引を行うことから、ステージ本体222に対して曲げモーメントが生じにくいという利点がある。 In this example, at the time of holding the reticle R, since carrying out the gas suction on both sides of the static gas bearing 307, there is an advantage that the bending moment is less likely to occur with respect to the stage body 222.

なお図7の例では、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガス吸引経路の使用数が変化する。 Note that in the example of FIG. 7, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, changes the number of used gas suction path. そのため、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ステージ本体222に対する負圧力の変化が生じ、ステージ本体222の曲がり量が変化する可能性がある。 Therefore, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, the change in the negative pressure is generated relative to the stage main body 222, the bending amount of the stage main body 222 may change. そのため、図8あるいは図9に示すように、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガスの供給圧及びガスの吸引圧の少なくとも一方を変化させるのが好ましい。 Therefore, as shown in FIG. 8 or 9, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, preferably changing at least one of the supply pressure and the gas suction pressure of the gas.

図8の例では、レチクルRの保持時において、第1ガス吸引経路322と第2ガス吸引経路323との双方を使用し、レチクルRの非保持時においては、第1ガス吸引経路322のみを使用している。 In the example of FIG. 8, at the time of holding the reticle R, the first gas suction path 322 using both the second gas suction path 323, during the non-holding of the reticle R, only the first gas suction path 322 I am using. 更に本例では、レチクルRの非保持時において、ガス吸引経路の数の減少に伴う吸引力を補うために、その減少分に見合う分だけガスの供給圧を減少させている。 Further in this example, at the time of non-retention of the reticle R, and to supplement the suction force caused by the reduction in the number of the gas suction path reduces the supply pressure of the amount corresponding gas commensurate with the decrease. つまり、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガス供給経路321、第1ガス吸引経路322、及び第2ガス吸引経路323による浮上力と吸引力とのバランスが保たれるように、ガス供給経路321におけるガスの供給圧(供給量)を制御している。 That is, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, as the gas supply path 321, the balance between the floating force and the suction force of the first gas suction path 322 and the second gas suction path 323 is maintained , and it controls the supply pressure of the gas in the gas supply path 321 (supply amount). これにより、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガス吸引経路の使用数が変化したことに伴うステージ本体222の曲がり量の変化が抑制される。 Thus, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, the bending amount of change of the stage main body 222 due to the number of used gas suction path is changed can be suppressed.

また、図9の例では、レチクルRの非保持時において、ガス吸引経路の数の減少に伴う吸引力を補うために、その減少分に見合う分だけガスの吸引圧を増加させている。 Further, in the example of FIG. 9, during the non retention of the reticle R, and to supplement the suction force caused by the reduction in the number of the gas suction path, increasing the suction pressure of the amount corresponding gas commensurate with the decrease. つまり、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガス供給経路321、第1ガス吸引経路322、及び第2ガス吸引経路323による浮上力と吸引力とのバランスが保たれるように、第1ガス吸引経路322におけるガスの吸引圧(吸引量)を制御している。 That is, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, as the gas supply path 321, the balance between the floating force and the suction force of the first gas suction path 322 and the second gas suction path 323 is maintained , and it controls the suction pressure of the gas in the first gas suction path 322 (suction amount). これにより、レチクルRの保持時と非保持時との間で、ガス吸引経路の使用数変化に伴うステージ本体222の曲がり量の変化が抑制される。 Thus, between the time of holding at the non-holding of the reticle R, the bending amount of change of the stage main body 222 with the use number change in the gas suction path is suppressed.

図10は、上記の実施形態の変形例を示している。 Figure 10 shows a modification of the above embodiment.
図10の例では、ガスの供給圧あるいはガスの吸引圧の制御により、ステージ本体222に保持されるレチクルRの湾曲を補正している。 In the example of FIG. 10, by the control of the suction pressure of the feed pressure or gas in the gas is corrected the curvature of the reticle R held on the stage main body 222. すなわち、本例では、レチクルRの保持時において、ステージ本体222に対して、ガス供給経路による鉛直上向きの浮上力Fsと、内側のガス吸引経路による鉛直下向きの吸引力Fv1と、外側のガス吸引経路による鉛直下向きの吸引力Fv2とが作用しており、このうち、内側のガス吸引経路のガス吸引圧を制御して吸引力Fv1を大きくしている(Fv1→Fv1'>Fv1)。 That is, in this example, at the time of holding the reticle R, with respect to the stage body 222, and an upward levitation force Fs vertical by gas supply path, a vertical downward suction force Fv1 by inner gas suction path, the outer gas suction and acts with vertically downward suction force Fv2 by the route, these are to increase the suction force Fv1 by controlling the gas suction pressure inside the gas suction path (Fv1 → Fv1 '> Fv1). これにより、ステージ本体222に曲げモーメントM1が作用し、ステージ本体222の湾曲が補正され、これに伴い、レチクルRの湾曲が補正される。 Thus, the bending moment M1 acts on the stage body 222, the curvature of the stage body 222 is corrected, Accordingly, the curvature of the reticle R is corrected. なお、図10は一例であって、ガス吸引箇所の選択、及びガス供給圧と吸引圧とのバランスを適宜変更することにより、様々な形状の湾曲の補正が可能である。 Incidentally, FIG. 10 is an example, selection of the gas suction portion, and by appropriately changing the balance between the gas supply pressure and suction pressure, it is possible to correct the curvature of various shapes.

次に、上述したレチクルステージ装置200を露光装置100に適用した実施形態について説明する。 Next, a description will be given of application to the embodiment of the reticle stage apparatus 200 described above in the exposure apparatus 100. 図11は、露光装置100を示す模式図である。 Figure 11 is a schematic diagram showing an exposure apparatus 100.

露光装置100は、露光用照明光(露光光)ELをレチクルRに照射しつつ、レチクルRとウエハ(板状体、基板)Wとを一次元方向に相対的に同期移動させて、レチクルRに形成されたパターン(回路パターン等)PAを投影光学系40を介してウエハW上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、いわゆるスキャニング・ステッパである。 The exposure apparatus 100, while irradiating the exposure illumination light (exposure light) EL on the reticle R, the reticle R and the wafer (plate-substrate) by a W are relatively synchronous movement in a one-dimensional direction, the reticle R scanning exposure apparatus by a step-and-scan method for transferring onto the wafer W to form pattern (circuit pattern, etc.) PA via the projection optical system 40, a so-called scanning stepper.

この露光装置100は、露光用照明光ELによりレチクルRを照明する露光照明系10、レチクルRを保持するレチクルステージ装置200、レチクルRから射出される露光用照明光ELをウエハW上に照射する投影光学系40、ウエハWを保持するウエハステージ装置50、及び露光装置100の動作を統括的に制御する主制御系70等を含んで構成される。 The exposure apparatus 100 includes an exposure illumination system 10 that illuminates a reticle R by exposure illumination light EL, the reticle stage device 200 that holds a reticle R, irradiates the exposure illumination light EL emitted from the reticle R onto the wafer W the projection optical system 40, and the wafer stage apparatus 50, and includes a main control system 70 or the like that integrally controls the operation of the exposure apparatus 100 to hold the wafer W.

露光照明系10は、光源12から照射された露光用照明光ELがレチクルR上の所定の照明領域内にほぼ均一な照度分布で照射するために、オプティカルインテグレータ等を備える。 Exposure illumination system 10, to illumination light EL for exposure irradiated from the light source 12 is irradiated with substantially uniform illuminance distribution on a predetermined illumination region on the reticle R, comprising an optical integrator and the like.

露光用照明光ELには、波長約120nm〜約190nmの真空紫外線、例えば、発振波長193nmのArFエキシマレーザ(ArFレーザ)、発振波長157nmのフッ素レーザ(F2レーザ)、発振波長146nmのクリプトンダイマーレーザ(Kr2レーザ)、発振波長126nmのアルゴンダイマーレーザ(Ar2レーザ)等が用いられる。 The exposure illumination light EL, vacuum ultraviolet rays having a wavelength of about 120nm~ about 190 nm, for example, ArF excimer laser (ArF laser) with an oscillation wavelength of 193 nm, a fluorine laser (F2 laser) with an oscillation wavelength of 157 nm, a krypton dimer laser of oscillation wavelength 146nm (Kr2 laser), argon dimer laser with an oscillation wavelength of 126 nm (Ar @ 2 laser) or the like is used.

レチクルステージ装置200は、露光照明系10の直下に設けられる。 The reticle stage apparatus 200 is provided directly below the exposure illumination system 10. レチクルステージ装置200の具体的構成は、上述した通りである。 Specific configuration of the reticle stage device 200 is as described above.

投影光学系40は、蛍石、フッ化リチウム等のフッ化物結晶からなるレンズや反射鏡などの複数の投影レンズ系を投影系ハウジング(鏡筒)で密閉したものである。 The projection optical system 40 is a sealed fluorite, a plurality of projection lens systems, such as a lens or a reflection mirror made of fluoride crystal such as lithium fluoride projection system housing (barrel). 投影レンズ系は、レチクルRを介して射出される照明光を所定の投影倍率β(βは、例えば1/4)で縮小して、レチクルRのパターンPAの像をウエハW上の特定領域(ショット領域)に結像させる。 Projection lens system is a (are beta, for example, 1/4) a predetermined projection magnification beta illumination light emitted through the reticle R to shrink in a specific region on the image of the wafer W of the pattern PA of the reticle R ( to be focused on the shot area). なお、投影光学系40の投影レンズ系の各要素は、それぞれ保持部材を介して投影系ハウジングに支持され、該各保持部材は各要素の周縁部を保持するように例えば円環状に形成されている(いずれも不図示)。 Each element of the projection lens system of the projection optical system 40 is supported on the projection system housing through the respective holding members, each of said retaining member is formed into for example an annular hold the peripheral edge portion of each element They are (both not shown).

ウエハステージ装置(ステージ装置)50は、ウエハWを保持するウエハホルダ52とXY平面内で移動可能なウエハステージ53等から構成される。 Wafer stage apparatus (stage apparatus) 50 is composed of a movable wafer stage 53 mag wafer holder 52 and the XY plane for holding the wafer W. ウエハホルダ52は、ウエハステージ53に支持されるとともに、ウエハWを真空吸着によって保持する。 Wafer holder 52 is supported by the wafer stage 53 holds the wafer W by vacuum suction. ウエハステージ53は、互いに直交する方向へ移動可能な一対のブロックをベース54上に重ね合わせたものであって、不図示の駆動部によりXY平面内で移動可能となっている。 Wafer stage 53 is movable to a pair of blocks that can move a a superposition on the base 54, within the XY plane by a drive unit (not shown) in a direction orthogonal to each other.

そして、外部に設けたレーザ干渉計測長器によってウエハステージ53のX方向及びY方向の位置が逐次検出されて、主制御系70に出力される。 The position in the X direction and Y direction of the wafer stage 53 by the laser interferometer length instrument provided outside is sequentially detected, is outputted to the main control system 70.

ウエハホルダ52の−Y側の端部には、平面鏡からなるY移動鏡56がX方向に延設されている。 At the end of the -Y side of the wafer holder 52, Y movable mirror 56 consisting of a plane mirror is arranged extending in the X direction. このY移動鏡56にほぼ垂直に外部に配置されたY軸レーザ干渉計57からの測長ビームが投射され、その反射光がY軸レーザ干渉計57に受光されることによりウエハWのY位置が検出される。 The Y measurement beams from the movable mirror 56 Y-axis laser interferometer 57 arranged externally substantially perpendicular to is projected, Y position of the wafer W by the reflected light is received in the Y-axis laser interferometer 57 There are detected. また、略同様の構成によりX軸レーザ干渉計によってウエハWのX位置が検出される。 Further, X position of the wafer W is detected by the X-axis laser interferometer by substantially the same configuration.

そして、ウエハステージ53のXY面内の移動により、ウエハW上の任意のショット領域をレチクルRのパターンPAの投影位置(露光位置)に位置決めして、レチクルRのパターンPAの像をウエハWに投影転写する。 Then, by the movement in the XY plane of wafer stage 53, any shot area on the wafer W is positioned at the projection position of the pattern PA of the reticle R (exposure position), the image of the pattern PA of the reticle R to the wafer W projected transfer.

主制御系70は、露光装置100を統括的に制御するものである。 The main control system 70 is responsible for the overall control of the exposure apparatus 100. 例えば、露光量(露光光の照射量)やレチクルステージ装置200及びウエハステージ53の位置等を制御して、レチクルRに形成されたパターンPAの像をウエハW上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。 For example, (the dose of exposure light) exposure amount and by controlling the positions of the reticle stage 200 and wafer stage 53, the exposure operation for transferring an image of the formed pattern PA on the reticle R to the shot area on the wafer W It is carried out repeatedly. また、主制御系70には、各種演算を行う演算部71の他、各種情報を記録する記憶部72が設けられる。 Further, the main control system 70, in addition to the arithmetic unit 71 for performing various calculations, a storage unit 72 for storing various information are provided.
この制御系は、前述の制御弁331、332等とも接続され、例えば、レチクルRがレチクルステージ装置200のステージ本体222に保持されているか否かという情報に基づいて制御弁331、332の開閉状態を適宜選択したり、ガスの供給圧、吸引圧の調整を行えるように構成されている。 The control system is also connected like the control valve 331 and 332 described above, for example, open or closed state of the control valve 331 and 332 based on the information as to whether the reticle R is held on the stage main body 222 of the reticle stage device 200 appropriately selecting or and is configured to allow the adjustment of the supply pressure, suction pressure of the gas.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。 Having described the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiment. 当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Those skilled in the art within the scope of the technical idea described in the claims, it is intended to cover various modifications included technical scope of the invention as for their It is understood to belong to.

例えば、上記実施形態では、本発明に係るステージ装置をレチクルステージ装置に適用した例について説明したが、ウエハステージ装置に適用してもよい。 For example, in the above embodiment, the stage device according to the present invention has been described an example of application to a reticle stage device may be applied to the wafer stage apparatus.

また、上記実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、本発明はステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも適用可能である。 In the above embodiment has been described as an exposure apparatus of the step-and-scan method to the example, the present invention is also applicable to an exposure apparatus of step-and-repeat method. また、本実施形態の露光装置の照明光学系80が備える光源は、超高圧水銀ランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、又はF2レーザ(157nm)のみならず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。 The light source of the illumination optical system 80 comprises an exposure device of the present embodiment, an ultra-high pressure mercury lamp, not KrF excimer laser, ArF excimer laser, or F2 laser (157 nm) only, charged particles such as X-ray or electron beam it is possible to use the line. 例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(Ta)を用いることができる。 For example, in the case of using an electron beam as the electron gun, thermionic emission type lanthanum hexaboride (LaB6), it is possible to use tantalum (Ta).

更に、光源としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイットリビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。 Moreover, the infrared region, which is oscillated from the DFB semiconductor laser or fiber laser as a light source, or a single-wavelength laser beam in the visible region, for example, erbium (or both erbium and ytterbium) is a fiber amplifier doped with nonlinear optical crystals may be used harmonic by converting the wavelength into ultraviolet light using a. 例えば、単一波長レーザの発振波長を1.51〜1.59μmの範囲内とすると、発生波長が189〜199nmの範囲内である8倍高調波、又は発生波長が151〜159nmの範囲内である10倍高調波が出力される。 For example, the oscillation wavelength of the single wavelength laser when in the range of 1.51~1.59Myuemu, 8 harmonic generation wavelength in the range of 189~199Nm, or generation wavelength within the range of 151~159nm the 10-fold higher harmonic is outputted.

特に、発振波長を1.544〜1.553μmの範囲内とすると、発生波長が193〜194nmの範囲内の8倍高調波、即ちArFエキシマレーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を1.57〜1.58μmの範囲内とすると、発生波長が157〜158nmの範囲内の10倍高調波、即ちF2レ−ザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。 In particular, when the oscillation wavelength is in the range of 1.544~1.553Myuemu, 8 harmonic in the range generation wavelength of 193~194Nm, i.e., ultraviolet light having almost the same wavelength as the ArF excimer laser beam is obtained, If the oscillation wavelength is in the range of 1.57~1.58μm, 10 harmonics in the range generation wavelength of 157~158Nm, i.e. F2 Le - ultraviolet light having substantially the same wavelength as laser light is obtained. また、発振波長を1.03〜1.12μmの範囲内とすると、発生波長が147〜160nmの範囲内である7倍高調波が出力され、特に発振波長を1.099〜1.106μmの範囲内とすると、発生波長が157〜158μmの範囲内の7倍高調波、即ちF2レーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。 Further, when the oscillation wavelength is in the range of 1.03~1.12Myuemu, generation wavelength is output 7 harmonic in the range of 147~160Nm, in particular in the range of oscillation wavelength of 1.099~1.106μm When the inner, generation wavelength 7 harmonic in the range of 157~158Myuemu, namely ultraviolet light having substantially the same wavelength as F2 laser light. この場合、単一波長発振レーザとしては例えばイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。 In this case, as the single wavelength oscillating laser can be used ytterbium-doped fiber laser, for example.

また、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子(LCD)等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。 Further, the present invention is not only an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device (LCD) such as an exposure apparatus for transferring onto a glass plate a device pattern is used in the manufacture of displays including, a thin-film magnetic head it can also be applied to used in manufacturing an exposure apparatus that transfers a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus such as used for manufacturing the imaging device such as CCD. 更には、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。 Furthermore, the optical exposure apparatus, EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, and in order to produce a reticle or mask used in an electron beam exposure apparatus, an exposure apparatus for transferring a circuit pattern on a glass substrate or a silicon wafer the present invention can be applied. ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。 Here, DUV (far ultraviolet) at light or VUV (vacuum ultraviolet) exposure apparatus that uses such light generally transmissive reticle is used, a quartz glass as the reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped, fluorite, magnesium fluoride, or crystal are used. また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。 Further, X-ray proximity type exposure apparatus, or a transmission mask (a stencil mask, a membrane mask) is an electron beam exposure device is used, such as a silicon wafer is used as the mask substrate. なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。 Incidentally, such an exposure apparatus, No. WO99 / ​​34 255, No. WO99 / ​​fifty thousand seven hundred twelve, No. WO99 / ​​66,370, JP-A-11-194479, JP-2000-12453, is disclosed in JP-2000-29202, etc. .
また、例えば、特開平10−154659号に開示されているように、基板上の液体を介してその基板に像を形成する液浸露光装置に本発明を適用してもよい。 Further, for example, as disclosed in JP-A-10-154659, the present invention may be applied to an immersion exposure apparatus that forms an image on the substrate through the liquid on the substrate.

また、本発明のステージは、露光装置に設けられるレチクルステージ及びウェハステージのみならず、物体を載置した状態で移動させる(1次元的な移動又は2次元的な移動に制限されない)ステージ装置を制御する場合一般について適用することが可能である。 The stage of the present invention not only the reticle stage and the wafer stage is provided in the exposure apparatus, it is moved in a state of arranging an object (not limited one-dimensional movement or 2-dimensional to move) the stage device it is possible to apply the general case of controlling.

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 The exposure apparatus to which the present invention is applied is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy, assembling It is produced by. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. 尚、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 Incidentally, exposure apparatus is preferably performed in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.

次に、上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。 Next, an embodiment of a method of manufacturing a micro device using the above-described exposure apparatus in the lithography step. 図12は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。 Figure 12 is a diagram showing a microdevice (IC or LSI, etc. of the semiconductor chip, a liquid crystal panel, CCD, thin film magnetic head, micromachine, or the like) to a flowchart of preparation of. 図12に示すように、まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。 As shown in FIG. 12, first, in step S10 (design step), function and performance design of the micro device (e.g., circuit design of semiconductor device) is performed, and pattern design to realize the function. 引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。 Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask on which the designed circuit pattern is formed (reticle). 一方、ステップS12(ウェハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。 On the other hand, in step S12 (wafer fabrication step), a wafer is manufactured using materials such as silicon.

次に、ステップS13(ウェハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。 Next, in step S13 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in step S10~ step S12, as will be described later, the actual circuit and the like are formed on the wafer by lithography or the like. 次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。 Then, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。 This step S14, the dicing step, Bonding step, and packaging step (chip encapsulation) steps are optionally included. 最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。 Finally, in step S15 (inspection step), fabricated microdevices operation check, a durability check and executed in step S14. こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Micro device is completed After these steps and shipped.

図13は、半導体デバイスの場合における、図13のステップS13の詳細なフローの一例を示す図である。 13, in the case of semiconductor devices, is a diagram illustrating an example of a detailed flow of step S13 in FIG. 13. 図13において、ステップS21(酸化ステップ)においてはウェハの表面を酸化させる。 13, in step S21 (oxidation step) oxidizes the wafer's surface. ステップS22(CVDステップ)においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。 In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. ステップS23(電極形成ステップ)においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。 In step S23 (electrode formation step) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. ステップS24(イオン打込みステップ)においてはウェハにイオンを打ち込む。 In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. 以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 Above each step S21~ step S24, constitutes the pre-process in each step of wafer processing, it is selectively executed in accordance with the processing required in each step.

ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。 At each stage of wafer process, the above pre-process is completed, post-process is executed as follows. この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウェハに感光剤を塗布する。 In this post-process, first in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. 引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。 Subsequently, in step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred by the exposure apparatus and the exposure method described above to the wafer. 次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウェハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。 Next, step S27 develops the wafer which has been exposed in (development step), in a step S28 (etching step), the resist is removed by etching an exposed member of an area other than the area remaining. そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。 In step S29 (resist removing step), the unnecessary resist after etching. これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。 By repeatedly performing these pre-process and post-process, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

以上説明したマイクロデバイス製造方法においては、露光ステップ(ステップS26)において前述した信号処理方法を用いてマスク及びウェハの位置情報が高い精度をもって測定されるため、ウェハ上に既に形成されているパターンとウェハ上に転写するパターンとの重ね合わせ精度を向上させることができ、結果的に最小線幅が0.1μm程度の高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができる。 In the micro device manufacturing method described above, since the positional information of the mask and the wafer using a signal processing method described above it is measured with high accuracy in the exposure step (step S26), and the pattern already formed on the wafer it is possible to improve the overlay accuracy of the pattern to be transferred onto the wafer, resulting in minimum line width can be high yield production of a highly integrated device of about 0.1 [mu] m.

本発明に係るレチクルステージ装置を示す斜視図である。 It is a perspective view showing a reticle stage device according to the present invention. レチクルステージ装置の分解斜視図である。 It is an exploded perspective view of the reticle stage device. ステージ部を示す斜視図及び断面図である。 It is a perspective view and a cross-sectional view showing a stage unit. ステージ部の浮上機構を示す図であり、レチクル定盤のガイド部及びステージ本体のアングル部材の近傍の断面を模式的に示している。 It is a diagram illustrating a floating mechanism of the stage, and the cross section in the vicinity of the guide portion and the stage body of the angle member of the reticle surface plate shown schematically. 図4に示すA−A断面図である。 It is an A-A cross-sectional view shown in FIG. レチクルの保持時と非保持時との間におけるガス吸引経路の切り替えの様子を模式的に示す図である。 It is a diagram schematically showing the switching of the gas suction path between the time of holding the reticle and the time of non-retention. レチクルの保持時と非保持時との間におけるガス吸引経路の切り替えの他の例を模式的に示す図である。 Another example of switching the gas suction path between the time of the reticle holding time and non-holding is a diagram schematically illustrating. レチクルの保持時と非保持時との間で、ガスの供給圧を変化させる例を示す図である。 Between the time of holding at the non-holding of the reticle is a diagram showing an example of changing the supply pressure of the gas. レチクルの保持時と非保持時との間で、ガスの吸引圧を変化させる例を示す図である。 Between the non-holding state and during the holding of the reticle is a diagram showing an example of changing the suction pressure of the gas. ガスの吸引圧の制御により基板(レチクル)の曲がりを補正する例を説明するための図である。 By controlling the suction pressure of the gas is a diagram for explaining an example of correcting the bending of the substrate (reticle). 露光装置を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing an exposure apparatus. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。 Is a flow chart showing an example of a process of fabricating a microdevice. 半導体デバイスの場合における、図12のステップS13の詳細なフローの一例を示す図である。 In the case of semiconductor devices, it is a diagram illustrating an example of a detailed flow of step S13 in FIG. 12.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

EL…露光用照明光、R…レチクル(マスク、被保持部材)、W…ウエハ(基板)、40…投影光学系、50…ウエハステージ装置、70…主制御系、100…露光装置、200…レチクルステージ装置、210…レチクル定盤(ベース、第1の部材、ベース部材)、216c,216d…ガイド部、216e…張り出し部分、220…ステージ部、222…ステージ本体(第2の部材、ステージ)、224…延設部、227a,227b…アングル部材、301…第1溝、302…第2溝、303…第3溝、304…第4溝、305…大気開放溝、306…ガス噴出溝、307…気体静圧軸受、310、316…通気経路、315…吸着孔、321…ガス供給経路(ガス供給部)、321a…第1噴出口、321b…第2噴出口、322… EL ... exposure illumination light, R ... reticle (mask, the held member), W ... wafer (substrate), 40 ... projection optical system, 50 ... wafer stage apparatus 70 ... main control system, 100 ... exposure apparatus, 200 ... the reticle stage apparatus 210 ... reticle surface plate (base, the first member, the base member), 216c, 216d ... guide portion, 216e ... overhang, 220 ... stage portion, 222 ... main stage member (second member, stage) , 224 ... extended portion, 227a, 227b ... angle members, 301 ... first groove, 302 ... second groove, 303 ... third grooves, 304 ... fourth groove, 305 ... air release groove 306 ... gas ejection groove, 307 ... static gas bearing, 310, 316 ... vent passage, 315 ... suction hole, 321 ... gas supply path (gas supply unit), 321a ... first spout 321b ... second spout 322 ... 1ガス吸引経路(ガス吸引部)、323…第2ガス吸引経路(ガス吸引部)、322a…第1吸引口、323a…第2吸引口、325…ガス供給装置、326…真空ポンプ、330、331、332…制御弁(制御器)。 1 Gas suction passage (gas suction portion), 323 ... second gas suction passage (gas suction portion) 322a ... first suction port 323a ... second suction port, 325 ... gas supply device, 326 ... vacuum pump, 330, 331, 332 ... control valve (controller).

Claims (16)

  1. ベース上を移動するステージと、 A stage for movement on the base,
    前記ベースを通じて前記ステージに対してガス供給及びガス吸引を行い、前記ステージを前記ベースに対して浮上支持する浮上機構と、を備え、 Wherein performs gas supply and gas suction to the stage through the base, and a floating mechanism for floating supporting the stage relative to the base,
    前記浮上機構は、前記ステージに対する前記ベース上での吸引箇所が互いに離れた複数のガス吸引経路と、前記複数のガス吸引経路の中から前記ガス吸引に使用する経路を選択するための制御器と、を有する、ことを特徴とするステージ装置。 The floating mechanism includes a plurality of gas suction path suction portion on the base relative to the stage apart from each other, a controller for selecting a route used for the gas sucked from the plurality of gas suction passage the a, a stage apparatus characterized by.
  2. 前記ステージは、被保持部材を吸着保持するものであり、 The stage is for holding suction the held member,
    前記制御器は、前記ステージによる前記被保持部材の保持時と非保持時との間で、前記経路の選択を行う、ことを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。 Wherein the controller, between said that during the holding time of the non-holding of the holding member according to the stage, the selection of the route, the stage apparatus according to claim 1, characterized in that.
  3. 前記複数のガス吸引経路は、前記ステージに対するガス吸引のみに使用される第1ガス吸引経路と、前記ステージに対するガス吸引に加えて前記被保持部材の吸着保持に使用される第2ガス吸引経路と、を含み、 Wherein the plurality of gas suction passage includes a first gas suction path used only for gas suction for the stage, a second gas suction path used to suction holding of the object holding member in addition to the gas suction against the stage It includes,
    前記制御器は、前記ステージによる前記被保持部材の保持時に前記第2ガス吸引経路を選択し、前記被保持部材の非保持時に前記第1ガス吸引経路を選択する、ことを特徴とする請求項2に記載のステージ装置。 Claim wherein the controller, which then selects the second gas suction passage said at holding of the holding member according to the stage, the selecting the first gas suction passage at the time of non-retention of the holding member, characterized in that stage apparatus according to 2.
  4. 前記複数のガス吸引経路は、前記ステージに対するガス吸引のみに使用される第1ガス吸引経路と、前記ステージに対するガス吸引に加えて前記被保持部材の吸着保持に使用される第2ガス吸引経路と、を含み、 Wherein the plurality of gas suction passage includes a first gas suction path used only for gas suction for the stage, a second gas suction path used to suction holding of the object holding member in addition to the gas suction against the stage It includes,
    前記制御器は、前記ステージによる前記被保持部材の保持時に前記第1ガス吸引経路と前記第2ガス吸引経路とを選択し、前記被保持部材の非保持時に前記第1ガス吸引経路を選択する、ことを特徴とする請求項2に記載のステージ装置。 Wherein the controller, the stage the Select the first gas suction path during the holding of the holding member and the second gas suction pathway by, selecting the first gas suction passage said at non-holding of the holding member the stage apparatus according to claim 2, characterized in that.
  5. 前記被保持部材の保持時と非保持時との間で、ガスの供給圧及びガスの吸引圧の少なくとも一方を変化させる、ことを特徴とする請求項4に記載のステージ装置。 Wherein between the at retention time and a non-holding of the holding member, changing at least one of the supply pressure and the gas suction pressure of gas, the stage apparatus according to claim 4, characterized in that.
  6. 前記ステージには、前記ガス供給に伴う浮上力を受ける領域である気体静圧軸受と、前記ガス吸引に伴う負圧空間を形成するための凹部とが設けられ、 Wherein the stage comprises a static gas bearing is an area for receiving a floating force due to the gas supply, and a recess for forming a negative pressure space due to the gas suction is provided,
    前記気体静圧軸受は、所定方向に延在しており、 The static gas bearing extends in a predetermined direction,
    前記凹部は、前記気体静圧軸受に隣接し、且つ前記気体静圧軸受と同方向に延在している、ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のステージ装置。 The recess, the adjacent static gas bearing, and a stage apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the gas extend hydrostatic bearing the same direction, it is characterized.
  7. 前記凹部は、前記気体静圧軸受を間に挟んでその両側に配される2つの溝を含む、ことを特徴とする請求項6に記載のステージ装置。 The recess, the stage apparatus according to claim 6, wherein in between the static gas bearing includes two grooves disposed on both sides, characterized in that.
  8. 前記気体静圧軸受には、該気体静圧軸受の延在方向と同方向に所定間隔ずつ隔てられ、且つ該延在方向と同方向に所定長さずつ延在して設けられる複数のガス噴出溝が設けられている、ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載のステージ装置。 Wherein the static gas bearing is in the extending direction and the direction of the static gas bearing spaced by a predetermined distance, and said extension of the plurality of provided extending by a predetermined length in the extending direction in the same direction the gas ejection stage apparatus according to claim 6 or claim 7, characterized in that, the grooves are provided.
  9. 前記ステージに保持される前記被保持部材の湾曲を補正するように、ガスの供給圧及びガスの吸引圧の少なくとも一方を制御する、ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載のステージ装置。 So as to correct the curvature of the object holding member held by the stage, controls at least one of the supply pressure and the gas suction pressure of the gas, to one of the claims 1 to 8, characterized in that stage device as claimed.
  10. 第1の部材と対向し、該第1の部材に対して相対移動可能な第2の部材と、 Facing the first member, a second member movable relative the first member,
    前記第1の部材と前記第2の部材との対向面の少なくとも一部にガスを供給する少なくとも1つのガス供給部と、 And at least one gas supply unit for supplying a gas to at least a portion of the opposing surfaces of the first member and the second member,
    互いに離れた位置に設けられ、各々が前記対向面の少なくとも一部からガスを吸引する少なくとも2つのガス吸引部と、 Provided at mutually distant positions, at least two gas suction portion, each of which sucks the gas from at least a portion of the facing surface,
    前記少なくとも2つのガス吸引部における各々のガスの吸引状態を、互いに独立に制御する制御器と、を備えることを特徴とするガスベアリング装置。 Wherein the suction state of each of the gas in at least two gas suction portion, the gas bearing system, characterized in that it comprises a control unit for controlling independently of each other.
  11. 前記制御器は、前記ガス供給部におけるガスの供給状態を制御することを特徴とする請求項10に記載のガスベアリング装置。 Wherein the controller, the gas bearing device as claimed in claim 10, characterized by controlling the supply state of the gas in the gas supply unit.
  12. 前記制御器は、前記吸引状態または前記供給状態の制御の前後で、ガスを供給することによって前記第1の部材に作用する力とガスを吸引することによって前記第1の部材に作用する力とのバランスが変わらないように制御することを特徴とする請求項10または請求項11に記載のガスベアリング装置。 Wherein the controller, before and after the control of the suction state or the supply state, the force acting on the first member by sucking force and gas acting on the first member by supplying a gas gas bearing according to claim 10 or claim 11, wherein the controller controls so that the balance of unchanged.
  13. 前記制御器は、前記少なくとも2つのガス吸引部の中からガス吸引に使用する吸引部を選択することを特徴とする請求項10から請求項12のいずれか一項に記載のガスベアリング装置。 Wherein the controller, the gas bearing device as claimed in claim 10, characterized by selecting a suction unit for use the in the gas suction from at least two gas suction portion to any one of claims 12.
  14. 案内面を有するベース部材と、前記案内面と対向する対向部を有し前記ベース部材に対して相対移動可能なステージとを備えたステージ装置において、 A base member having a guide surface, in the stage device that includes a relatively movable stage with respect to the base member has a facing portion facing the guide surface,
    前記案内面と前記対向部との間に、請求項10から請求項13のいずれかに記載のガスベアリング装置が設けられていることを特徴とするステージ装置。 Between the guide surface and the opposing portion, a stage device, wherein a gas bearing system according to claim 10 of claim 13 is provided.
  15. マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置であって、 A mask stage for holding a mask, and a substrate stage for holding a substrate, an exposure apparatus that exposes a pattern formed on the mask onto the substrate,
    前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、請求項1から請求項9、14のいずれかに記載のステージ装置を用いることを特徴とする露光装置。 At least one of said mask stage the substrate stage, the exposure is characterized by using a stage device according to any one of claims 1 to 9 and 14 apparatus.
  16. 請求項15に記載の露光装置を用いて所定のパターンを物体上に形成するリソグラフィ工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 A device manufacturing method which comprises a lithography step of forming on an object a predetermined pattern using an exposure apparatus according to claim 15.
JP2004262362A 2004-09-09 2004-09-09 Stage device, gas bearing device, exposure device, and device manufacturing method Withdrawn JP2006080281A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004262362A JP2006080281A (en) 2004-09-09 2004-09-09 Stage device, gas bearing device, exposure device, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004262362A JP2006080281A (en) 2004-09-09 2004-09-09 Stage device, gas bearing device, exposure device, and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006080281A true true JP2006080281A (en) 2006-03-23

Family

ID=36159497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004262362A Withdrawn JP2006080281A (en) 2004-09-09 2004-09-09 Stage device, gas bearing device, exposure device, and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006080281A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007147304A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Immersion flow field maintenance system for immersion lithography machine
US8358401B2 (en) 2008-04-11 2013-01-22 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
JP2017010061A (en) * 2011-02-22 2017-01-12 株式会社ニコン Holding apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing device
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8130365B2 (en) 2006-06-13 2012-03-06 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Immersion flow field maintenance system for an immersion lithography machine
JP4847584B2 (en) * 2006-06-13 2011-12-28 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント カンパニー リミティド Immersion flow field maintenance system for an immersion lithography machine
WO2007147304A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Immersion flow field maintenance system for immersion lithography machine
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8358401B2 (en) 2008-04-11 2013-01-22 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2017010061A (en) * 2011-02-22 2017-01-12 株式会社ニコン Holding apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6417914B1 (en) Stage device and exposure apparatus
US20060023186A1 (en) Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US20100157276A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US7489389B2 (en) Stage device with frame-shaped member movable in at least three degrees of freedom within a two-dimensional plane
US20060187431A1 (en) Exposure method and exposure apparatus, stage unit, and device manufacturing method
US6590355B1 (en) Linear motor device, stage device, and exposure apparatus
US20100297562A1 (en) Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US6654100B2 (en) Stage device and exposure apparatus, and method of manufacturing a device
US20030142281A1 (en) Exposure method and apparatus
US6339266B1 (en) Planar motor device, stage unit, exposure apparatus and its making method, and device and its manufacturing method
US20080111984A1 (en) Substrate Holding Apparatus, Exposure Apparatus, and Device Fabrication Method
US6496248B2 (en) Stage device and exposure apparatus and method
US20080012511A1 (en) Planar Motor Device, Stage Device, Exposure Device and Device Manufacturing Method
US20090059190A1 (en) Movable body apparatus, exposure apparatus and optical system unit, and device manufacturing method
US20090009742A1 (en) Optical element driving apparatus, barrel, exposure apparatus and device manufacturing method
US20100159403A1 (en) Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2000331931A (en) Movable support in vacuum chamber and application of movable support to lithography projection apparatus
US8237911B2 (en) Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US6781669B2 (en) Methods and apparatuses for substrate transporting, positioning, holding, and exposure processing, device manufacturing method and device
US20080192226A1 (en) Stage Unit, Exposure Apparatus, and Exposure Method
US20100073661A1 (en) Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005197447A (en) Aligner and device manufacturing method
WO2006068233A1 (en) Magnetic guiding apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US6555936B1 (en) Flatmotor device and exposure device
WO2005006416A1 (en) Linking unit, exposure apparatus and method for manufacturing device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20071204