JP2006059468A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】行列状に配置された複数のSRAMセル11と、各行に配置された複数のSRAMセルに対して共通に接続されたワード線WLと、各行に配置された複数のSRAMセルに対して共通に接続された電源線PLと、複数のSRAMセルを各行毎にアクセスする際は、電源線PLの電圧を上昇させ、電源線の電圧が全ての位置において高電圧DDHに達した後に、ワード線WLの活性化を開始し、アクセス状態から非アクセス状態にする際は、ワード線を非活性化し、ワード線の電圧が全ての位置において接地電圧GNDに変化した後に、電源線の電圧を低電圧DDLに変化させる電源線/ワード線制御回路13とを具備する。
【選択図】 図1
Description
Kenneth W.Mai et al.「Low-Power SRAM Design Using Half-Swing Pulse-Mode Techniques」IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.33,NO.11,pp 1659-1671, NOVEMBER 1998
Claims (5)
- 行列状に配置された複数のSRAMセルと、
各行に配置された前記複数のSRAMセルに対して共通に接続されたワード線と、
各行に配置された前記複数のSRAMセルに対して共通に接続され、これら複数のSRAMセルに電源電圧を供給する電源線と、
前記複数のSRAMセルを各行毎にアクセスする際は、前記電源線の電圧を上昇させ、電源線の電圧が全ての位置において第1の電圧に達した後に、前記ワード線の活性化を開始し、アクセス状態から非アクセス状態にする際は、前記ワード線を非活性化し、ワード線の電圧が全ての位置において非活性状態に対応した電圧に変化した後に、前記電源線の電圧を前記第1の電圧よりも低い第2の電圧に変化させる電源線/ワード線制御回路
とを具備したことを特徴する半導体記憶装置。 - 前記第2の電圧は0Vよりも高い電圧である請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記ワード線の活性化電圧は、前記第2の電圧と等しい電圧である請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記電源線/ワード線制御回路は、
前記電源線の一端に接続され、前記複数のSRAMセルを各行毎にアクセスするための制御信号が供給され、前記制御信号が活性化された後に前記第1の電圧を前記電源線の一端に出力する第1の駆動回路と、
前記電源線の他端に接続され、前記電源線の他端の電圧が前記第1の電圧に達したことを検知する第1の検知回路と、
前記ワード線の一端に接続され、前記制御信号が活性化され、かつ前記第1の検知回路で前記電源線の他端が前記第1の電圧に達したことが検知された後に、ワード線の活性状態に対応した電圧を前記ワード線の一端に出力すると共に、前記制御信号が非活性化された後はワード線の非活性状態に対応した電圧を前記ワード線の一端に出力する第2の駆動回路と、
前記ワード線の他端に接続され、前記ワード線の他端の電圧がワード線の非活性状態に対応した電圧に達したことを検知する第2の検知回路とを有し、
前記第1の駆動回路は、前記第2の検知回路で前記ワード線の他端の電圧がワード線の非活性状態に対応した電圧に達したことが検知された後に、前記第2の電圧を前記電源線の一端に出力することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の駆動回路は、前記第1の電圧の供給ノードと前記電源線の一端との間に電流通路が接続されゲートに前記制御信号が入力されるPMOS型の第1のトランジスタと、前記電源線と前記第2の電圧の供給ノードとの間に電流通路が挿入されゲートに前記制御信号が入力されるNMOS型の第2のトランジスタと、前記電源線と前記第2の電圧の供給ノードとの間で前記第2のトランジスタの電流通路に対して電流通路が直列に接続されゲートに前記第2の検知回路の検知信号が入力されるNMOS型の第3のトランジスタとを有し、
前記第1の検知回路は、前記第1の電圧の供給ノードと前記第2の電圧の供給ノードとの間に電流通路が直列に接続されゲートが前記電源線の他端に接続されたPMOS型の第4のトランジスタ及びNMOS型の第5のトランジスタを有し、前記第4及び第5のトランジスタの直列接続ノードから検知信号を出力し、
前記第2の駆動回路は、前記第1の電圧の供給ノードと前記ワード線の一端との間に電流通路が挿入されゲートに前記第1の検知回路の検知信号が入力されるPMOS型の第6のトランジスタと、前記第1の電圧の供給ノードと前記ワード線の一端との間で前記第6のトランジスタの電流通路に対して電流通路が直列に接続されゲートに前記制御信号が入力されるPMOS型の第7のトランジスタと、前記ワード線の一端と接地電圧の供給ノードとの間に電流通路が接続されゲートに前記制御信号が入力されるNMOS型の第8のトランジスタとを有し、
前記第2の検知回路は、前記第1の電圧の供給ノードと接地電圧の供給ノードとの間に電流通路が直列に接続されゲートが前記ワード線の他端に接続されたPMOS型の第9のトランジスタ及びNMOS型の第10のトランジスタを有し、前記第9及び第10のトランジスタの直列接続ノードから検知信号を出力することを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
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