JP2006054466A - 不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る不揮発性メモリ素子は、半導体基板と、前記半導体基板の一領域上に形成されるトンネル酸化膜と、前記トンネル酸化膜上に形成されるトレンチ構造の浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートのトレンチ構造の内部空間に形成される制御ゲートと、前記浮遊ゲートと制御ゲートの間に形成されるゲート間の絶縁膜とを含んで構成されることを特徴とする。
【選択図】 図2E
Description
そして、前記制御ゲート用のポリシリコン膜は、LP−CVD方法で2000〜2200Åの厚さで形成する。
他の目的としてプラズマダメージによる絶縁膜の汚染を防止することにある。
第一に、浮遊ゲートと制御ゲートとがオーバーラップする面積が増加して、カップリング比が向上するので、消費電力を減らすことができる。
第二に、ゲート形成のためのエッチング工程時に、1ステップエッチング工程で浮遊ゲート用のポリシリコン膜のみをエッチングすれば済むので、エッチング工程時のプラズマダメージによるゲート絶縁膜の汚染に対する問題を解決することができる。
図示したように、半導体基板21の一領域上にトンネル酸化膜22が形成されており、前記トンネル酸化膜22上にトレンチ構造の浮遊ゲート23aが形成されており、前記浮遊ゲート23aのトレンチ構造の内部は、ゲート間の絶縁膜25を介在した制御ゲート26aで満たされている。
まず、図示してはいないが、半導体基板21上に犠牲酸化膜を形成し、ウェル形成のためのウェルインプラント工程、及びチャンネル層のためのチャンネルインプラント工程を行った後、ウェットエッチング工程で前記犠牲酸化膜を除去する。
前記ゲート間の絶縁膜25は、700〜800℃の条件でLP−CVD方法で50〜70Åの厚さで酸化膜を形成し、650〜750℃の条件でLP−CVD法で60〜80Åの厚さで窒化膜を形成した後、800〜900℃の条件でFTP方法で酸化膜を形成して、ONO構造を構成する。
22 トンネル酸化膜
23 浮遊ゲート用のポリシリコン膜
23a 浮遊ゲート
24 トレンチ
25 ゲート間の絶縁膜
26 制御ゲート用のポリシリコン膜
26a 制御ゲート
27 絶縁膜側壁
28 ソース
29 ドレイン
30 シリサイド膜
31 プラグ
Claims (13)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一領域上に形成されるトンネル酸化膜と、
前記トンネル酸化膜上に形成されるトレンチ構造の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲートのトレンチ構造の内部空間に形成される制御ゲートと、
前記浮遊ゲートと制御ゲートの間に形成されるゲート間の絶縁膜とを含んで構成されることを特徴とする不揮発性メモリ素子。 - 前記浮遊ゲートの両側の半導体基板内のソース/ドレインと、
前記浮遊ゲートの両側面の絶縁膜の側壁とをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記ゲート間の絶縁膜はONO(Oxide-Nitride-Oxide)膜であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記トレンチ構造の浮遊ゲートのトップ部と、制御ゲートの表面にシリサイド膜をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記ソース/ドレインの表面にシリサイド膜をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子。
- 半導体基板の一領域上にトンネル酸化膜を形成する段階と、
前記トンネル酸化膜上に浮遊ゲート用のポリシリコン膜を形成する段階と、
前記浮遊ゲート用のポリシリコン膜に一定の深さのトレンチを形成する段階と、
前記トレンチの内部にゲート間の絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート間の絶縁膜の上部に制御ゲート用のポリシリコン膜を形成する段階と、
前記浮遊ゲート用ポリシリコン膜の上部の表面まで前記制御ゲート用のポリシリコン膜、及びゲート間の絶縁膜に対して化学機械的な平坦化を実行する段階と、
前記浮遊ゲート、ゲート間の絶縁膜、及び制御ゲートの上部にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを用いて前記浮遊ゲート用のポリシリコン膜をエッチングする段階と、
を備えてなることを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。 - 前記浮遊ゲート用のポリシリコン膜を4500〜5500Åの厚さで形成することを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記浮遊ゲート用のポリシリコン膜はLP−CVD法で形成することを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記トレンチをCl2を用いたエッチング工程で形成することを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記トレンチを2500〜3500Åの深さで形成することを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記制御ゲート用のポリシリコン膜を3500〜4500Åの厚さで形成することを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記浮遊ゲート用のポリシリコン膜をエッチングする段階は、等方性エッチング工程を用いることを特徴とする請求項6に記載の不揮発性メモリ素子の製造方法。
- 前記制御ゲートを形成する段階後に前記浮遊ゲートの両側面に絶縁膜側壁を形成する段階と、
前記浮遊ゲートの両側の半導体基板内にソース/ドレインを形成する段階と、
前記トレンチ構造の浮遊ゲートのトップ部、制御ゲートの表面、ソース/ドレインの表面にシリサイド膜を形成する段階と、
をさらに備えてなることを特徴とする不揮発性メモリ素子の製造方法。
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