JP2006032527A - Solid-state laser device - Google Patents

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Inventor
Tomoshi Iriguchi
知史 入口
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Shimadzu Corp
株式会社島津製作所
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state laser device which can give an effective influence to an optical characteristic by giving a small change in temperature to an etalon. <P>SOLUTION: Assuming that the refractive index of an etalon 5 is n, the temperature dispersion of the refractive index n is dn/dt, the coefficient of linear expansion is α, a laser oscillation wavelength is λ, and a vertical mode interval is δλ; the etalon 5 is made of a material satisfying a relationship of 0<n×δλ/[(n×α+dn/dt)×λ]≤4. Even if the laser oscillation wavelength varies due to a secular change or the like, the temperature of the etalon is slightly changed to stabilize a laser. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、固体レーザ装置に関し、さらに詳しくは、小さな温度変化をエタロンに与えることによって光学特性に有効な影響を及ぼすことが出来る固体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a solid-state laser apparatus, and more particularly relates to a solid-state laser apparatus can be effective influence on the optical characteristics by providing a small temperature change in the etalon.

従来の固体レーザ装置では、例えば石英のように線膨張係数が小さく且つ屈折率の温度分散が小さい材料によりエタロンが構成されている。 In the conventional solid-state laser apparatus, for example, by temperature dispersion material having a small linear expansion coefficient is small and a refractive index as quartz etalon is constructed. これは、エタロンの温度変動が光学特性に与える影響をできるだけ小さくするためである。 This is because the temperature change of the etalon is to minimize the effect on the optical properties.
他方、半導体レーザの温調を行うための温調手段と、光共振器全体の温調を行うための温調手段と、エタロンの温調を行うための温調手段とを具備し、半導体レーザの駆動電流が最小となるように、半導体レーザと光共振器全体とエタロンの温調を行う固体レーザ装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。 On the other hand, includes a temperature control means for performing temperature control of the semiconductor laser, and the temperature control means for performing temperature control of the entire optical resonator, and a temperature control means for performing temperature control of the etalon, the semiconductor laser as the drive current is minimum, the solid-state laser apparatus is known which performs temperature adjustment of the semiconductor laser and the optical resonator whole and the etalon (e.g., see Patent Document 1.).
特開2003−158316号公報 JP 2003-158316 JP

上記従来の固体レーザ装置では、エタロンの温調を行っているが、例えば石英のように線膨張係数が小さく且つ屈折率の温度分散が小さい材料によりエタロンが構成されているため、小さな温度変化をエタロンに与えても光学特性に及ぼす影響はほとんどなかった。 The above conventional solid-state laser apparatus, is performed the temperature control of the etalon, for example, since the linear expansion coefficient as quartz etalon is formed by the temperature variance is small material small and refractive index, a small temperature change impact be given to the etalon on the optical properties was little. 換言すれば、光学特性に影響を有効に及ぼすには、大きな温度変化をエタロンに与える必要があった。 In other words, the effective influence on optical characteristics, it is necessary to provide a large temperature change in the etalon.
しかし、共振器長が例えば10mm程度の小型レーザ装置では、温調手段も能力の小さなものになるため、大きな温度変化をエタロンに与えることが困難となる問題点がある。 However, a small laser device resonator length of about, for example, 10mm, since also the temperature control unit becomes capable of small, be given a large temperature change in the etalon has a problem difficult. また、大きな温度変化をエタロンに与えることが可能としても、熱輻射により近傍の光学素子に悪影響を及ぼしてしまうという別の問題点がある。 Further, even possible to give large temperature change in the etalon, there is another problem that adversely affect the optical element in the vicinity of the thermal radiation.
そこで、本発明の目的は、小さな温度変化をエタロンに与えることによって光学特性に有効な影響を及ぼすことが出来る固体レーザ装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a solid-state laser apparatus can be effective influence on the optical characteristics by providing a small temperature change in the etalon.

第1の観点では、本発明は、励起レーザ光を出射する半導体レーザと、前記励起レーザ光により励起され基本波レーザ光を誘導放出するレーザ媒質と、前記基本波レーザ光を高調波レーザ光に変換する非線形光学素子と、縦モードをシングル化するためのエタロンと、光共振器の一端を構成すると共に出力レーザ光を透過させる出力ミラーと、前記半導体レーザ,前記レーザ媒質,前記出力ミラーの温度調整を行うための第1の温調手段と、前記エタロンの温度調整を行うための第2の温調手段とを具備すると共に、前記エタロンの屈折率をn,屈折率nの温度分散をdn/dt,線膨張係数をαとし、レーザ発振波長をλ、縦モード間隔をδλとするとき、 In a first aspect, the present invention includes a semiconductor laser that emits excitation laser light, a laser medium that stimulated emission of the excited fundamental laser beam by the excitation laser light, the fundamental laser beam into a harmonic wave laser beam and a non-linear optical element for converting, and the etalon for single the longitudinal mode, and an output mirror that transmits output laser light with composing one end of the optical resonator, the semiconductor laser, the laser medium, the temperature of the output mirror a first temperature control means for adjusting, as well as and a second temperature control means for adjusting the temperature of the etalon, the refractive index of the etalon n, the temperature distribution of the refractive index n dn / dt, and the coefficient of linear expansion alpha, when the laser oscillation wavelength lambda, the longitudinal mode spacing and [delta] [lambda],
0<n×δλ/{(n×α+dn/dt)×λ}≦4 0 <n × δλ / {(n × α + dn / dt) × λ} ≦ 4
を満たすことを特徴とする固体レーザ装置を提供する。 To provide a solid-state laser apparatus characterized by satisfying.

上記第1の観点による固体レーザ装置では、縦モード間隔δλよりも小さな波長変化に対しては、4℃以下の小さなエタロンの温度変化で波長を追従させることが可能になる。 The In the solid-state laser apparatus the first aspect, for small wavelength change than the longitudinal mode interval [delta] [lambda], it is possible to follow the wavelength at the temperature change of a small etalon 4 ° C. or less. また、縦モード間隔δλよりも大きな波長変化に対しては、エタロン5の波長から縦モード間隔δλ以内にある縦モードの波長に4℃以下の小さなエタロンの温度変化で対応させることが可能になる。 Also, for large wavelength change than the longitudinal mode interval [delta] [lambda], it is possible to cope with a temperature change of a small etalon 4 ° C. or less of the wavelength of the longitudinal modes from the wavelength of the etalon 5 within longitudinal mode interval [delta] [lambda] . 従って、経年変化等によりレーザ発振波長が変化しても、エタロンの温度を小さく変化させることで、レーザを安定にすることが出来る。 Therefore, even if the laser oscillation wavelength is changed due to aging or the like, by changing reduced temperature of the etalon can be stabilized laser. なお、エタロンに与える温度変化が小さいため、近傍の光学素子に悪影響を及ぼすことはほとんどない。 Since the temperature change to be applied to the etalon is small, there is little adversely affect the optical elements in the vicinity.

上式は、次のようにして導かれる。 The above equation is derived as follows.
ある温度でのエタロンの透過ピーク波長λは、干渉次数をm(m=1,2,3,…),エタロン5の挿入角度(屈折角)をθ,エタロン5の厚さをdとすると、 The transmission peak wavelength λ of the etalon at a given temperature, the interference order m (m = 1,2,3, ...), the insertion angle of the etalon 5 (refraction angle) theta, and the thickness of the etalon 5 is d,
λ=2×n×d×cosθ/m λ = 2 × n × d × cosθ / m
で表される。 In represented.
エタロン5の温度がT℃だけ上昇したときのエタロンの透過ピーク波長λ'は、 Transmission peak wavelength of the etalon when the temperature of the etalon 5 rises by T ° C. lambda 'is
λ'=2×(n+T×dn/dt)×(1+T×α)×d×cosθ/m λ '= 2 × (n + T × dn ​​/ dt) × (1 + T × α) × d × cosθ / m
で表される。 In represented.
すると、透過ピーク波長の変化λ−λ'は、 Then, change λ-λ of the transmission peak wavelength 'is,
λ−λ'=2×(n×α+dn/dt)×T×d×cosθ/m λ-λ '= 2 × (n × α + dn / dt) × T × d × cosθ / m
となる。 To become. なお、(n+T×dn/dt+n×T×α)に比べて、(T×T×α×dn/dt)が無視できるとした。 Incidentally, in comparison with the (n + T × dn ​​/ dt + n × T × α), was negligible (T × T × α × dn ​​/ dt).

m=2×n×d×cosθ/λを代入すると、 Substituting m = 2 × n × d × cosθ / λ,
λ−λ'=(n×α+dn/dt)×T×λ/n λ-λ '= (n × α + dn / dt) × T × λ / n
小さな温度変化をエタロンに与えることによって光学特性に有効な影響を及ぼすために「エタロン5の温度上昇が4℃以下でも、透過ピーク波長の変化λ−λ'が縦モード間隔δλになることを達成できる」という条件を加えると、 Achieve effective temperature rise of the "etalon 5 to affect even at 4 ° C. or less, the change lambda-lambda of transmission peak wavelength 'is the longitudinal mode interval δλ optical characteristics by providing a small temperature change in the etalon the addition of a condition that can be ",
δλ=(n×α+dn/dt)×T×λ/n δλ = (n × α + dn / dt) × T × λ / n
0<T≦4 0 <T ≦ 4
となる。 To become. これらからTを消去すれば次式になる。 If you erase the T from these become the following equation.
0<n×δλ/{(n×α+dn/dt)×λ}≦4 0 <n × δλ / {(n × α + dn / dt) × λ} ≦ 4

本発明の固体レーザ装置によれば、4℃以下の小さなエタロンの温度変化で、縦モードのどれかの波長に対応させることが可能になり、経年変化等によりレーザ発振波長が変化しても、エタロンの温度を小さく変化させることで、レーザを安定にすることが出来る。 According to the solid-state laser apparatus of the present invention, 4 ° C. in a temperature change of less than a small etalon results in any of the wavelengths of the longitudinal modes can be made to correspond, be the lasing wavelength is changed due to aging or the like, by changing reduced temperature of the etalon can be stabilized laser.

以下、図に示す実施例により本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, a more detailed description of the present invention by the embodiment shown in FIG. なお、これにより本発明が限定されるものではない。 Incidentally, thereby not limit the present invention.

図1は、実施例1に係る固体レーザ装置100を示す構成説明図である。 Figure 1 is a block diagram showing a solid-state laser apparatus 100 according to the first embodiment.
この固体レーザ装置100は、励起レーザ光Leを出射する半導体レーザ1と、励起レーザ光Leをレーザ媒質3に集光する集光レンズ2と、励起レーザ光Leで励起され基本波レーザ光を誘導放出するレーザ媒質3と基本波レーザ光を高調波レーザ光に変換する非線形光学素子4と、縦モードをシングル化(単一化)するためのエタロン5と、光共振器7の一端を構成すると共に出力レーザ光Loを透過させる出力ミラー6と、出力レーザ光Loの一部を取り出すビームスプリッタ8と、半導体レーザ1を駆動する半導体レーザ駆動回路9とを具備している。 The solid-state laser apparatus 100 may include various semiconductor laser 1 which emits excitation laser light Le, a condensing lens 2 for condensing the excitation laser light Le to a laser medium 3 is excited by the excitation laser light Le fundamental laser beam constituting the nonlinear optical element 4 for converting the laser medium 3 for emitting fundamental wave laser beam into a harmonic wave laser beam, the longitudinal mode and the etalon 5 for single reduction (unification), one end of the optical resonator 7 with an output mirror 6 for transmitting the output laser light Lo, a beam splitter 8 for taking out a part of the output laser beam Lo, and includes a semiconductor laser drive circuit 9 for driving the semiconductor laser 1.

また、固体レーザ装置100は、ビームスプリッタ8で取り出したレーザ光を受光する受光素子11と、受光素子11における受光強度が一定になるように半導体レーザ駆動回路9を介して半導体レーザ1を制御する制御装置12と、光共振器7の全体を加熱または冷却するための光共振器温調器21と、エタロン5を加熱または冷却するためのエタロン温調器22と、制御装置12の制御下で光共振器温調器21を駆動する第1温調器駆動回路23と、制御装置12の制御下でエタロン温調器22を駆動する第2温調器駆動回路24とを具備している。 The solid-state laser apparatus 100 includes a light receiving element 11 for receiving the laser beam taken out by the beam splitter 8, and controls the semiconductor laser 1 through the semiconductor laser driving circuit 9 so that the received light intensity becomes constant in the light receiving element 11 a control unit 12, an optical resonator temperature regulator 21 for heating or cooling the entire optical resonator 7, the etalon temperature controller 22 for heating or cooling the etalon 5, under the control of the control unit 12 a first temperature control device drive circuit 23 for driving the optical resonator temperature controller 21, and a second temperature control device drive circuit 24 for driving the etalon temperature controller 22 under the control of the control unit 12.

エタロン5は、その屈折率をn,屈折率nの温度分散をdn/dt,線膨張係数をαとし、レーザ発振波長をλ、縦モード間隔をδλとするとき、 Etalon 5, and the refractive index n, the temperature dispersion dn / dt of the refractive index n, and the linear expansion coefficient alpha, the laser oscillation wavelength lambda, when the longitudinal mode spacing and [delta] [lambda],
T=n×δλ/{(n×α+dn/dt)×λ} T = n × δλ / {(n × α + dn / dt) × λ}
0<T≦4 0 <T ≦ 4
を満たす材料からなる。 Made of a material that satisfies the.

レーザ発振波長λ=1064[nm]、縦モード間隔δλ=0.04[nm]とすれば、エタロン5の材料としては、例えばドイツ国ショット(Schott)社製のBK7、SF11、LaSFN9または相当品が好ましい。 Lasing wavelength λ = 1064 [nm], if the longitudinal mode interval δλ = 0.04 [nm], as the material of the etalon 5, for example, Germany shot (Schott) manufactured by BK7, SF11, LaSFN9 or equivalent It is preferred.
波長λ=1064[nm]におけるBK7の屈折率n=1.51、屈折率nの温度分散dn/dt=2.3×10 −6 、線膨張係数α=8.9×10 −6であるから、T=3.97となる。 Is the refractive index n = 1.51, the temperature dispersion dn / dt = 2.3 × 10 -6 refractive index n, the linear expansion coefficient α = 8.9 × 10 -6 of BK7 at a wavelength λ = 1064 [nm] from, the T = 3.97.
SF11の屈折率n=1.76、屈折率nの温度分散dn/dt=9.00×10 −7 、線膨張係数α=1.05×10 −5であるから、T=3.41となる。 SF11 refractive index n = 1.76, the temperature dispersion dn / dt = 9.00 × 10 -7 refractive index n, since coefficient of linear expansion α = 1.05 × 10 -5, T = 3.41 and Become.

LaSFN9の屈折率n=1.77、屈折率nの温度分散dn/dt=5.00×10 −6 、線膨張係数α=7.70×10 −6であるから、T=3.93となる。 Refractive index n = 1.77 of LaSFN9, temperature dispersion dn / dt = 5.00 × 10 -6 refractive index n, since coefficient of linear expansion α = 7.70 × 10 -6, T = 3.93 and Become.
石英は好ましくない。 Quartz is not preferable.
石英の屈折率n=1.45、屈折率nの温度分散dn/dt=9.80×10 −6 、線膨張係数α=5.10×10 −7であるから、T=5.71となってしまう。 Refractive index n = 1.45 of quartz, the temperature dispersion dn / dt = 9.80 × 10 -6 refractive index n, since coefficient of linear expansion α = 5.10 × 10 -7, T = 5.71 and turn into.

定期的に又は随時に、固体レーザ装置100は、次の温度設定動作を行う。 Periodically or from time to time, the solid-state laser apparatus 100 performs the following temperature setting operation.
(1)制御装置12は、受光素子11における受光強度を所定値に維持するように、半導体レーザ駆動回路9を介して、半導体レーザ1の駆動電流を制御する。 (1) controller 12, so as to maintain the received light intensity in the light receiving element 11 to a predetermined value, through the semiconductor laser driving circuit 9, controls the driving current of the semiconductor laser 1.
(2)制御装置12は、エタロン5の温度が所定値で一定になるように第2温調器駆動回路24を介してエタロン温調器22を制御する。 (2) control device 12, the temperature of the etalon 5 via the second temperature control device drive circuit 24 to be constant at a predetermined value to control the etalon temperature controller 22.
(3)制御装置12は、第1温調器駆動回路23を介して光共振器7の温度を変化させ、駆動電流が最小になる温度を見つけ、その温度で一定になるように第1温調器駆動回路23を介して光共振器温調器21を制御する。 (3) control unit 12 via the first temperature control device drive circuit 23 to change the temperature of the optical resonator 7, find the temperature at which the drive current is minimized, the first temperature so as to be constant at that temperature controlling the optical resonator temperature controller 21 via a regulator driving circuit 23.
(4)制御装置12は、第2温調器駆動回路24を介してエタロン5の温度を変化させ、駆動電流が最小になる温度を見つけ、その温度で一定になるように第2温調器駆動回路24を介してエタロン温調器22を制御する。 (4) The control unit 12 changes the temperature of the etalon 5 via the second temperature control device drive circuit 24, to find the temperature at which the drive current is minimized, the second temperature controller so as to be constant at that temperature via the drive circuit 24 to control the etalon temperature controller 22.

実施例1の固体レーザ装置100によれば、エタロン5の温度変化が4℃以下でも、透過ピーク波長の変化λ−λ'が縦モード間隔δλになることを達成できる。 According to the solid-state laser apparatus 100 of the first embodiment can be achieved that the temperature change of the etalon 5 at 4 ° C. or less, the change lambda-lambda 'of transmission peak wavelength is vertical mode interval [delta] [lambda]. 従って、縦モード間隔δλよりも小さな波長変化に対しては、4℃以下の小さなエタロンの温度変化で波長を追従させることが可能になる。 Thus, for small wavelength change than the longitudinal mode interval [delta] [lambda], it is possible to follow the wavelength at the temperature change of a small etalon 4 ° C. or less. また、縦モード間隔δλよりも大きな波長変化に対しては、エタロン5の波長から縦モード間隔δλ以内にある縦モードの波長に、4℃以下の小さなエタロンの温度変化で対応させることが可能になる。 Also, for large wavelength change than the longitudinal mode interval [delta] [lambda], the wavelength of the longitudinal modes from the wavelength of the etalon 5 within longitudinal mode interval [delta] [lambda], 4 ° C. in can correspond with the temperature change of less than a small etalon Become. よって、経年変化等によりレーザ発振波長が変化しても、エタロンの温度を小さく変化させることで、レーザを安定にすることが出来る。 Therefore, even if the laser oscillation wavelength is changed due to aging or the like, by changing reduced temperature of the etalon can be stabilized laser. なお、エタロン5に与える温度変化が4℃以下であるため、近傍の光学素子に悪影響を及ぼすことはほとんどない。 Since the temperature change to be applied to the etalon 5 is 4 ° C. or less, there is little adversely affect the optical elements in the vicinity.

本発明の固体レーザ装置は、バイオエンジニアリング分野や計測分野で利用できる。 Solid-state laser apparatus of the present invention can be used in bioengineering fields and measurement field.

実施例1に係る固体レーザ装置を示す構成説明図である。 It is a configuration diagram of a solid-state laser apparatus according to the first embodiment.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 半導体レーザ 2 集光レンズ 3 レーザ媒質 4 非線形光学素子 5 エタロン 6 出力ミラー 7 光共振器 8 ビームスプリッタ 9 半導体レーザ駆動回路 11 受光素子 12 制御回路 21 光共振器温調器 22 エタロン温調器 23 第1温調器駆動回路 24 第2温調器駆動回路 100 固体レーザ装置 1 semiconductor laser 2 condenser lens 3 the laser medium 4 a non-linear optical element 5 etalon 6 output mirror 7 the optical resonator 8 beam splitter 9 semiconductor laser driving circuit 11 receiving element 12 control circuit 21 optical resonator temperature regulator 22 etalon temperature regulator 23 first temperature control device drive circuit 24 and the second temperature control device drive circuit 100 solid-state laser apparatus

Claims (1)

  1. 励起レーザ光を出射する半導体レーザと、前記励起レーザ光により励起され基本波レーザ光を誘導放出するレーザ媒質と、前記基本波レーザ光を高調波レーザ光に変換する非線形光学素子と、縦モードをシングル化するためのエタロンと、光共振器の一端を構成すると共に出力レーザ光を透過させる出力ミラーと、前記半導体レーザ,前記レーザ媒質,前記出力ミラーの温度調整を行うための第1の温調手段と、前記エタロンの温度調整を行うための第2の温調手段とを具備すると共に、前記エタロンの屈折率をn,屈折率nの温度分散をdn/dt,線膨張係数をαとし、レーザ発振波長をλ、縦モード間隔をδλとするとき、 A semiconductor laser that emits excitation laser light, a laser medium that stimulated emission of the excited fundamental laser beam by the excitation laser light, and a non-linear optical element for converting the fundamental wave laser beam into a harmonic wave laser beam, a longitudinal mode and the etalon for single reduction, and an output mirror that transmits output laser light with composing one end of the optical resonator, the semiconductor laser, the laser medium, a first temperature control for adjusting the temperature of the output mirror means, as well as and a second temperature control means for adjusting the temperature of the etalon, and the refractive index of the etalon n, the temperature dispersion dn / dt of the refractive index n, and the coefficient of linear expansion alpha, when the laser oscillation wavelength lambda, the longitudinal mode spacing and [delta] [lambda],
    0<n×δλ/{(n×α+dn/dt)×λ}≦4 0 <n × δλ / {(n × α + dn / dt) × λ} ≦ 4
    を満たすことを特徴とする固体レーザ装置。 Solid state laser device and satisfies the.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129259A (en) * 2010-12-13 2012-07-05 Mitsubishi Electric Corp Wavelength monitor
CN102694548A (en) * 2011-03-23 2012-09-26 精工爱普生株式会社 Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129259A (en) * 2010-12-13 2012-07-05 Mitsubishi Electric Corp Wavelength monitor
CN102570299A (en) * 2010-12-13 2012-07-11 三菱电机株式会社 Wavelength monitor
CN102694548A (en) * 2011-03-23 2012-09-26 精工爱普生株式会社 Optical module for atomic oscillator and atomic oscillator

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