JP2006018591A - Memory card - Google Patents

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Keisuke Sakai
敬介 坂井
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory card capable of preventing the decline of a processing speed for write by a small capacity unit even when the flash memory of a large capacity is used. <P>SOLUTION: The memory card is provided with a large capacity flash memory for which a write data unit is large, a small capacity flash memory for which the write data unit is small, and a controller for controlling the large capacity flash memory and the small capacity flash memory. At the time of writing data less than the page size of the large capacity flash memory, the data are written to the small capacity flash memory. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、メモリカードに関し、特に、書換え可能なフラッシュメモリを有するものに関するものである。   The present invention relates to a memory card, and more particularly to a memory card having a rewritable flash memory.

昨今、コンピュータ等の電子機器で用いられるデータを記憶させておく外部記憶装置として、書換え可能な不揮発性メモリを用いた主としてカード形態の記憶装置の使用が広がっている。   Recently, the use of a storage device mainly in the form of a card using a rewritable nonvolatile memory is spreading as an external storage device for storing data used in electronic devices such as computers.

このメモリカードにおける記憶手段である不揮発性メモリの代表的なものにフラッシュメモリがある。フラッシュメモリに保持するデータはブロック単位で管理され、フラッシュメモリのデータの消去はブロック単位で行なわれる。また、各ブロックは複数のページからなる。このページは、フラッシュメモリへのデータの読出し・書込みの最小単位である。(一般にフラッシュメモリの消去とは全ビットを“1”とする処理を示し、書込みとは指定ビットを“0”とする処理を示す。)したがって、ホストから要求されたデータの書込みの対象領域がページの一部である場合には、書き換える必要のないデータが当該書き換え処理に巻き込まれないようにするために、一旦当該ページのデータを読出して該当部分を書込みデータで置き換え、その置き換え後のデータを当該ページに書込むという巻き込み退避処理を行なう必要がある。同様に、ホストから要求されたデータの読出しの対象領域がページの一部である場合には、当該ページのデータを読出し、そこから該当部分のデータを選択してホストに送出する。   A typical non-volatile memory that is a storage means in this memory card is a flash memory. Data held in the flash memory is managed in units of blocks, and data in the flash memory is erased in units of blocks. Each block is composed of a plurality of pages. This page is the minimum unit for reading and writing data to the flash memory. (In general, erasing the flash memory indicates a process for setting all bits to “1”, and writing indicates a process for setting the designated bit to “0”.) Therefore, the target area for writing data requested by the host is If it is a part of the page, in order to prevent the data that does not need to be rewritten from being involved in the rewriting process, the data of the page is read once, the corresponding part is replaced with the write data, and the data after the replacement It is necessary to perform a roll-in evacuation process in which the is written on the page. Similarly, when the target area for reading data requested from the host is a part of the page, the data of the page is read, and the data of the corresponding part is selected from the read data and sent to the host.

また、各ページはデータとは別に冗長部を有しており、この冗長部に、当該ページに割り当てられている論理アドレスに関した情報や、データの訂正符号を保持する。ここで、各ページにはフラッシュメモリ内で一意な物理アドレスが割り当てられており、コントローラはフラッシュメモリにコマンドを送る際に、物理アドレスを指定することで、処理を制御することができる。   Each page has a redundant portion separately from the data, and the redundant portion holds information relating to the logical address assigned to the page and a data correction code. Here, each page is assigned a unique physical address in the flash memory, and the controller can control processing by designating the physical address when sending a command to the flash memory.

ホストからメモリカードに対しデータアクセスを行なう際には、ホストはセクタと呼ばれるデータサイズでデータを取り扱う。また、ホストからのデータは、フラッシュメモリ上で保持される際には、フラッシュメモリの管理単位である物理ブロックのサイズに合わせて、論理ブロックという単位で管理される。この論理ブロックは一般的に複数のセクタから構成される。各セクタには論理的な順番である論理アドレスが付加されており、ホストはメモリカードに論理アドレスを指定することにより、データ処理の制御を行なう。   When data is accessed from the host to the memory card, the host handles data with a data size called a sector. Further, when data from the host is held on the flash memory, it is managed in units of logical blocks in accordance with the size of the physical block that is the management unit of the flash memory. This logical block is generally composed of a plurality of sectors. A logical address which is a logical order is added to each sector, and the host controls data processing by designating the logical address to the memory card.

図9は、一般的なメモリカードで実施されているデータ管理手法における論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を示す図である。   FIG. 9 is a diagram illustrating a correspondence relationship between a logical address and a physical address in a data management method implemented in a general memory card.

メモリカードへ書込まれている論理ブロックは、フラッシュメモリ内の物理ブロックと1対1で対応付けられ、管理されている(ただし、未書込みの論理ブロックに対しては対応した物理ブロックは存在しない)。そして、複数の論理ブロック(ここではM個)をまとめて論理セグメントが構成され、物理ブロック(ここではN個)をまとめて物理セグメントが構成される。ここで、ある論理セグメントは1つの物理セグメントに割り当てられ、当該論理セグメントを構成する論理データは、特定の物理セグメントで管理される領域に保持される(物理ブロックには不良ブロックも存在するため、一般にM<N)。よって、フラッシュメモリ内に保持する論理ブロックと物理ブロックとの対応情報(以下、論物変換情報と記す)は物理セグメント単位で管理されることになる。   The logical block written to the memory card is managed in one-to-one correspondence with the physical block in the flash memory (however, there is no corresponding physical block for the unwritten logical block). ). A plurality of logical blocks (here, M) are combined to form a logical segment, and physical blocks (here, N) are combined to form a physical segment. Here, a certain logical segment is assigned to one physical segment, and logical data constituting the logical segment is held in an area managed by a specific physical segment (because a physical block includes a bad block, Generally M <N). Therefore, correspondence information (hereinafter referred to as logical-physical conversion information) between logical blocks and physical blocks held in the flash memory is managed in units of physical segments.

図10は、従来のメモリカードを示すブロック図である。
図10に示されるように、メモリカード104は、フラッシュメモリ102と、フラッシュメモリ102の制御を行なうコントローラ103とから構成される。また、フラッシュメモリ102は、論物変換情報を保持する管理領域1021と、論理アドレスに割当てられるデータを保持する領域1022とから構成される。また、101はメモリカード104に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
FIG. 10 is a block diagram showing a conventional memory card.
As shown in FIG. 10, the memory card 104 includes a flash memory 102 and a controller 103 that controls the flash memory 102. The flash memory 102 includes a management area 1021 that holds logical-physical conversion information and an area 1022 that holds data assigned to a logical address. Reference numeral 101 denotes a host device that performs data access to the memory card 104.

以上のように構成された従来のメモリカードにおけるデータ処理の一例として、以下にホスト機器101からのデータの書込み時の処理手順について説明する。   As an example of data processing in the conventional memory card configured as described above, a processing procedure when data is written from the host device 101 will be described below.

図11は、従来のメモリカードにおける書込み処理のフローチャートである。
まず、ホスト機器101がコントローラ103に書込み命令を出す(S11−1)。ホスト機器101からの書込み命令を受けたコントローラ103は、フラッシュメモリ102のデータ領域1022に対して書込み命令を出す(S11−2)。フラッシュメモリ102の書込み処理終了を判断し(S11−3)、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、フラッシュメモリ102のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する(S11−4)。
FIG. 11 is a flowchart of a writing process in a conventional memory card.
First, the host device 101 issues a write command to the controller 103 (S11-1). Receiving the write command from the host device 101, the controller 103 issues a write command to the data area 1022 of the flash memory 102 (S11-2). The end of the writing process of the flash memory 102 is determined (S11-3). If the writing process is ended, it is determined whether the written data size is smaller than the page size unit of the flash memory 102 (S11-4).

S11−4にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、フラッシュメモリ102への書込みデータサイズがページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない(S11−5)、その後、論物変換情報を保持する管理領域1021に論物変換情報の書込みを行なう(S11−6)。また、S11−4にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、S11−5の巻き込み退避処理を行なわずにS11−6の書込みを行なう。   If it is determined in S11-4 that the size is smaller than the page size unit, the evacuation and save processing is performed so that the data size written to the flash memory 102 becomes the page size unit (S11-5). The logical-physical conversion information is written in the management area 1021 held (S11-6). If it is determined in S11-4 that it is larger than the page size unit, the writing in S11-6 is performed without performing the winding and saving process in S11-5.

その後、フラッシュメモリ102の書込み処理が終了したかを判断し(S11−7)、処理が終了すれば、ホスト機器101へデータ書込み完了の合図を送る(S11−8)。   Thereafter, it is determined whether or not the writing process of the flash memory 102 has been completed (S11-7). When the process is completed, a signal indicating the completion of data writing is sent to the host device 101 (S11-8).

このように、従来のメモリカードは、1枚のフラッシュメモリ、もしくは同種の複数枚のフラッシュメモリを有し、各々のフラッシュメモリ内にデータ領域と、ホストから見た論理アドレスとフラッシュメモリ内の物理アドレスとを対応付ける論物変換情報を保持する領域とを持っていた(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−142774号公報
As described above, the conventional memory card has one flash memory or a plurality of flash memories of the same type, and each flash memory has a data area, a logical address viewed from the host, and a physical address in the flash memory. It has an area for holding logical-physical conversion information that associates addresses (for example, see Patent Document 1).
JP 2001-142774 A

メモリカードに使用されるフラッシュメモリは近年大容量化が進んでおり、この大容量化にあたり、消去単位であるブロックサイズや書込み単位であるページサイズが大きくなる傾向にある。   In recent years, the capacity of flash memories used for memory cards has been increasing, and with this increase in capacity, the block size as an erasing unit and the page size as a writing unit tend to increase.

ページサイズが大きくなれば、ページサイズ以下での書込みを行なう際に巻き込み退避処理を行なう必要があるため、メモリカードの処理速度が低下してしまうという問題があった。   If the page size is large, there is a problem that the processing speed of the memory card decreases because it is necessary to perform a roll-in save process when writing at a page size or smaller.

また、フラッシュメモリにデータ部分と論物変換情報部分とを別途に書込むケースにおいても、ページサイズの大容量化に伴いフラッシュメモリの書込み処理時間が増加するため、論物変換情報部分の書込み時のオーバーヘッドが大きくなり、やはりメモリカード自体の処理速度が低下してしまうという問題があった。   Even when the data portion and the logical / physical conversion information portion are written separately to the flash memory, the flash memory write processing time increases as the page size increases. There is a problem in that the overhead of the memory card increases and the processing speed of the memory card itself decreases.

本発明は、上述のような従来の問題点を解決するためになされたものであり、大容量のフラッシュメモリを用いても、小容量単位での書込みに対する処理速度の低下を防ぐことのできるメモリカードを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and can prevent a decrease in processing speed for writing in a small capacity unit even when a large capacity flash memory is used. The purpose is to provide a card.

本発明の請求項1に係るメモリカードは、書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備えるものである。   A memory card according to claim 1 of the present invention is a large-capacity flash memory having a large write data unit, a small-capacity flash memory having a small write data unit, a controller for controlling the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory; Is provided.

本発明の請求項2に係るメモリカードは、請求項1に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、前記大容量フラッシュメモリ内のデータ及び該小容量フラッシュメモリ内のデータに関する論物変換情報を保持する管理領域を有するものとしたものである。   The memory card according to claim 2 of the present invention is the memory card according to claim 1, wherein the small-capacity flash memory is a logical-physical conversion related to data in the large-capacity flash memory and data in the small-capacity flash memory. It has a management area for holding information.

本発明の請求項3に係るメモリカードは、請求項1に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、FATデータのみを保持するデータ領域を有するものとしたものである。   A memory card according to a third aspect of the present invention is the memory card according to the first aspect, wherein the small-capacity flash memory has a data area for holding only FAT data.

本発明の請求項4に係るメモリカードは、請求項1に記載のメモリカードにおいて、前記コントローラが、ホストから送られるデータの先頭セクタを前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとに転送し、ホストから1セクタのみの転送であった場合には前記小容量フラッシュメモリに書込みを行ない、ホストから連続してデータが送られる場合には前記大容量フラッシュメモリに書込みを行なうものとしたものである。   A memory card according to a fourth aspect of the present invention is the memory card according to the first aspect, wherein the controller transfers a head sector of data sent from a host to the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory. In the case where only one sector is transferred from the host, the small capacity flash memory is written, and when data is continuously sent from the host, the large capacity flash memory is written. is there.

本発明の請求項5に係るメモリカードは、請求項4記載のメモリカードにおいて、前記コントローラからの前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとへのデータバスを共用するものとしたものである。   A memory card according to a fifth aspect of the present invention is the memory card according to the fourth aspect, wherein a data bus from the controller to the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory is shared. .

本発明の請求項1に係るメモリカードは、書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備え、大容量フラッシュメモリのページサイズ未満のデータを書込む際に小容量フラッシュメモリを用いるようにしたので、小容量単位での書込みに対する処理速度を向上させることができるという効果がある。   A memory card according to claim 1 of the present invention is a large-capacity flash memory having a large write data unit, a small-capacity flash memory having a small write data unit, a controller for controlling the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory; Since the small-capacity flash memory is used when writing data smaller than the page size of the large-capacity flash memory, the processing speed for writing in small-capacity units can be improved.

本発明の請求項2に係るメモリカードは、請求項1に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、前記大容量フラッシュメモリ内のデータ及び該小容量フラッシュメモリ内のデータに関する論物変換情報を保持する管理領域を有するものとし、大容量フラッシュメモリのページサイズ以下の論物変換情報データを小容量フラッシュメモリへ書込むようにしたので、論物変換情報データの書込み時間を短縮し、実効速度を向上させることができるという効果がある。   The memory card according to claim 2 of the present invention is the memory card according to claim 1, wherein the small-capacity flash memory is a logical-physical conversion related to data in the large-capacity flash memory and data in the small-capacity flash memory. It is assumed that it has a management area to hold information, and because the logical-physical conversion information data smaller than the page size of the large-capacity flash memory is written to the small-capacity flash memory, the writing time of the logical-physical conversion information data is shortened, There is an effect that the effective speed can be improved.

本発明の請求項3に係るメモリカードは、請求項1に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、FATデータのみを保持するデータ領域を有するものとし、FAT領域の書替え処理に小容量フラッシュメモリを用いて巻き込み退避処理を行なわないようにしたので、実効速度を向上させることができるという効果がある。   A memory card according to a third aspect of the present invention is the memory card according to the first aspect, wherein the small-capacity flash memory has a data area that holds only FAT data, and a small capacity for rewriting the FAT area. Since the evacuation process is not performed using the flash memory, the effective speed can be improved.

本発明の請求項4に係るメモリカードは、請求項1に記載のメモリカードにおいて、前記コントローラが、ホストから送られるデータの先頭セクタを前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとに転送し、ホストから1セクタのみの転送であった場合には前記小容量フラッシュメモリに書込みを行ない、ホストから連続してデータが送られる場合には前記大容量フラッシュメモリに書込みを行なうものとしたので、1セクタ単位での書込み時間を短縮し、実効速度を向上させることができるという効果がある。   A memory card according to a fourth aspect of the present invention is the memory card according to the first aspect, wherein the controller transfers a head sector of data sent from a host to the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory. In the case where only one sector is transferred from the host, the small-capacity flash memory is written, and when data is continuously sent from the host, the large-capacity flash memory is written. This has the effect of shortening the writing time per sector and improving the effective speed.

本発明の請求項5に係るメモリカードは、請求項4記載のメモリカードにおいて、前記コントローラからの前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとへのデータバスを共用するものとしたので、コントローラの接続端子を増やすことなく、実効速度を向上させることができるという効果がある。   The memory card according to claim 5 of the present invention is the memory card according to claim 4, wherein a data bus from the controller to the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory is shared. The effective speed can be improved without increasing the number of connection terminals.

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1によるメモリカードを示すブロック図である。
図1に示されるように、メモリカード14は、大容量フラッシュメモリ12と、小容量フラッシュメモリ15と、大容量フラッシュメモリ12及び小容量フラッシュメモリ15を制御するコントローラ13とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ12は、論物変換情報を保持する管理領域121と論理アドレスに割当てられるデータを保持するデータ領域122とから構成され、小容量フラッシュメモリ15は、論物変換情報を保持する管理領域151と論理アドレスに割当てられるデータを保持する領域152とから構成される。また、11はメモリカード14に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram showing a memory card according to Embodiment 1 of the present invention.
As shown in FIG. 1, the memory card 14 includes a large-capacity flash memory 12, a small-capacity flash memory 15, and a controller 13 that controls the large-capacity flash memory 12 and the small-capacity flash memory 15. The large-capacity flash memory 12 includes a management area 121 that holds logical-physical conversion information and a data area 122 that holds data assigned to logical addresses. The small-capacity flash memory 15 holds logical-physical conversion information. Management area 151 and area 152 that holds data assigned to the logical address. Reference numeral 11 denotes a host device that performs data access to the memory card 14.

また、大容量フラッシュメモリ12は、ページサイズが2KByteに対して、書込み処理時間が600us程度で、小容量フラッシュメモリ15は、ページサイズが512Byteに対して、書込み処理時間が200us程度であり、コントローラ13は、ホスト機器11からのデータの書込み処理の際に、512Byte単位のデータは小容量フラッシュメモリ15に書込むよう制御する。   The large-capacity flash memory 12 has a write processing time of about 600 us for a page size of 2 Kbytes, and the small-capacity flash memory 15 has a write processing time of about 200 us for a page size of 512 bytes. 13 controls to write 512-byte data to the small-capacity flash memory 15 when the data is written from the host device 11.

このような本実施の形態1のメモリカードは、512Byte単位でのデータの書換えに対して小容量フラッシュメモリを使用するようにしたので、小容量単位での書込みに対する処理速度を向上させることができる。   Since the memory card of the first embodiment uses a small-capacity flash memory for rewriting data in 512-byte units, the processing speed for writing in small-capacity units can be improved. .

(実施の形態2)
図2は、本発明の実施の形態2によるメモリカードを示すブロック図である。
図2に示されるように、メモリカード24は、大容量フラッシュメモリ22と、小容量フラッシュメモリ25と、大容量フラッシュメモリ22及び小容量フラッシュメモリ25を制御するコントローラ23とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ22は、論理アドレスに割当てられるデータを保持するデータ領域222で構成され、小容量フラッシュメモリ25は、論物変換情報を保持する管理領域251で構成される。また、21はメモリカード24に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
(Embodiment 2)
FIG. 2 is a block diagram showing a memory card according to Embodiment 2 of the present invention.
As shown in FIG. 2, the memory card 24 includes a large-capacity flash memory 22, a small-capacity flash memory 25, and a controller 23 that controls the large-capacity flash memory 22 and the small-capacity flash memory 25. The large-capacity flash memory 22 includes a data area 222 that stores data assigned to a logical address, and the small-capacity flash memory 25 includes a management area 251 that stores logical-physical conversion information. Reference numeral 21 denotes a host device that performs data access to the memory card 24.

また、大容量フラッシュメモリ22は、ページサイズが2KByteに対して、書込み処理時間が600us程度で、小容量フラッシュメモリ25はページサイズが512Byteに対して、書込み処理時間が200us程度であり、コントローラ23は、書込みデータサイズが可変するデータは大容量フラッシュメモリ22のデータ領域222に書込み、一書込みデータサイズが2KByte以下である論物変換データは小容量フラッシュメモリ25の管理領域251に書込むよう制御する。   The large-capacity flash memory 22 has a write processing time of about 600 us for a page size of 2 Kbytes, and the small-capacity flash memory 25 has a write processing time of about 200 us for a page size of 512 bytes. Is controlled so that data whose write data size is variable is written to the data area 222 of the large-capacity flash memory 22 and logical-physical conversion data whose one-write data size is 2 Kbytes or less is written to the management area 251 of the small-capacity flash memory 25. To do.

以上のように構成されたこの本実施の形態2によるメモリカードにおけるデータ処理の一例として、ホスト機器21からのデータの書込み時の処理手順について説明する。   As an example of data processing in the memory card according to the second embodiment configured as described above, a processing procedure when data is written from the host device 21 will be described.

図3は、本発明の実施の形態2によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。   FIG. 3 is a flowchart for explaining a memory card write process according to the second embodiment of the present invention.

まず、ホスト機器21がコントローラ23に書込み命令を出す(S3−1)。ホスト機器21からの書込み命令を受けたコントローラ23は、大容量フラッシュメモリ22のデータ領域222に対して書込み命令を出す(S3−2)。大容量フラッシュメモリ22の書込み処理終了を判断し(S3−3)、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、大容量フラッシュメモリ22のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する(S3−4)。   First, the host device 21 issues a write command to the controller 23 (S3-1). Receiving the write command from the host device 21, the controller 23 issues a write command to the data area 222 of the large-capacity flash memory 22 (S3-2). The end of the writing process of the large-capacity flash memory 22 is determined (S3-3), and if the writing process is ended, it is determined whether the written data size is smaller than the page size unit of the large-capacity flash memory 22 (S3). -4).

S3−4にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ22への書込みデータサイズが大容量フラッシュメモリ22のページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない(S3−5)、その後、小容量フラッシュメモリ25の論物変換情報を保持する管理領域251に論物変換情報の書込みを行なう(S3−6)。また、S3−4にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、S3−5の巻き込み退避処理は行なわずにS3−6の書込みを行なう。   If it is determined in S3-4 that the data size is smaller than the page size unit, the evacuation process is performed so that the data size written to the large-capacity flash memory 22 becomes the page size unit of the large-capacity flash memory 22 (S3-5). Thereafter, the logical / physical conversion information is written in the management area 251 holding the logical / physical conversion information in the small-capacity flash memory 25 (S3-6). If it is determined in S3-4 that it is larger than the page size unit, the writing in S3-6 is performed without performing the evacuation saving process in S3-5.

その後、小容量フラッシュメモリ25の書込み処理終了を判断し(S3−7)、処理が終了すれば、ホスト機器21へデータ書込み完了の合図を送る(S3−8)。
このような本実施の形態2のメモリカードは、大容量フラッシュメモリのページサイズ以下の論物変換情報データを小容量フラッシュメモリへ書込むようにしたので、論物変換情報データの書込み時間を短縮し、実効速度を向上させることができる。
Thereafter, the end of the writing process of the small-capacity flash memory 25 is determined (S3-7), and when the process is completed, a signal of data writing completion is sent to the host device 21 (S3-8).
In such a memory card according to the second embodiment, the logical-physical conversion information data having a page size smaller than that of the large-capacity flash memory is written to the small-capacity flash memory, so the writing time of the logical-physical conversion information data is shortened. In addition, the effective speed can be improved.

(実施の形態3)
図4は、本発明の実施の形態3によるメモリカードを示すブロック図である。
図4に示されるように、メモリカード44は、大容量フラッシュメモリ42と、小容量フラッシュメモリ45と、大容量フラッシュメモリ42及び小容量フラッシュメモリ45を制御するコントローラ43とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ42は、FAT(File Allocation Tables)以外のデータが保持されるデータ領域421で構成され、小容量フラッシュメモリ45は、論物変換情報を保持する管理領域451とFATデータが保持されるデータ領域452とから構成されている。また、41はメモリカード44に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
(Embodiment 3)
FIG. 4 is a block diagram showing a memory card according to Embodiment 3 of the present invention.
As shown in FIG. 4, the memory card 44 includes a large-capacity flash memory 42, a small-capacity flash memory 45, and a controller 43 that controls the large-capacity flash memory 42 and the small-capacity flash memory 45. The large-capacity flash memory 42 includes a data area 421 that stores data other than FAT (File Allocation Tables). The small-capacity flash memory 45 includes a management area 451 that stores logical-physical conversion information and FAT data. The data area 452 is held. Reference numeral 41 denotes a host device that performs data access to the memory card 44.

また、大容量フラッシュメモリ42は、ページサイズが2KByteに対して、書込み処理時間が600us程度で、小容量フラッシュメモリ45はページサイズが512Byteに対して、書込み処理時間が200us程度であり、コントローラ43は、一度での書込みデータサイズが変化するデータは大容量フラッシュメモリ42のデータ領域421に書込み、一度での書込みデータサイズ512ByteであるFAT領域は小容量フラッシュメモリ45のデータ領域452に書込むよう制御する。   The large-capacity flash memory 42 has a write processing time of about 600 us for a page size of 2 Kbytes, and the small-capacity flash memory 45 has a write processing time of about 200 us for a page size of 512 bytes. The data whose write data size changes at one time is written in the data area 421 of the large-capacity flash memory 42, and the FAT area whose write data size is 512 bytes at one time is written in the data area 452 of the small-capacity flash memory 45. Control.

以上のように構成されたこの本実施の形態3によるメモリカードにおけるデータ処理の一例として、ホスト機器41からのデータの書込み時の処理手順について説明する。   As an example of data processing in the memory card according to the third embodiment configured as described above, a processing procedure at the time of writing data from the host device 41 will be described.

図5は、本発明の実施の形態3によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。   FIG. 5 is a flowchart for explaining a memory card write process according to the third embodiment of the present invention.

まず、ホスト機器41がコントローラ43に書込み命令を出す(S5−1)。ホスト機器41からの書込み命令を受けたコントローラ43は、ホスト機器41からの書込みがFAT領域を対象としたものであるかどうかを判断する(S5−2)。   First, the host device 41 issues a write command to the controller 43 (S5-1). The controller 43 that has received the write command from the host device 41 determines whether or not the write from the host device 41 is for the FAT area (S5-2).

S5−2にてホスト機器41からの書込みがFAT領域に対するものでないと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ42のデータ領域422に対してホスト機器41からのデータに対して書込み命令を出す(S5−3)。大容量フラッシュメモリ42の書込み処理終了を判断し(S5−4)、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、大容量フラッシュメモリ42のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する(S5−5)。   If it is determined in S5-2 that the writing from the host device 41 is not for the FAT area, a write command is issued for the data from the host device 41 to the data area 422 of the large-capacity flash memory 42 (S5). -3). The end of the writing process of the large-capacity flash memory 42 is determined (S5-4), and if the writing process is ended, it is determined whether or not the written data size is smaller than the page size unit of the large-capacity flash memory 42 (S5). -5).

S5−5にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ42への書込みデータサイズが大容量フラッシュメモリ42のページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない(S5−6)、その後、小容量フラッシュメモリ45の論物変換情報を保持する管理領域451に論物変換情報の書込みを行なう(S5−9)。また、S5−5にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、S5−6の巻き込み退避処理を行なわずにS5−6の書込みを行なう。   If it is determined in S5-5 that the size is smaller than the page size unit, the wrap-around save process is performed so that the size of data written to the large-capacity flash memory 42 becomes the page size unit of the large-capacity flash memory 42 (S5-6). Thereafter, the logical / physical conversion information is written in the management area 451 that holds the logical / physical conversion information in the small-capacity flash memory 45 (S5-9). If it is determined in S5-5 that it is larger than the page size unit, the writing in S5-6 is performed without performing the wrap-around saving process in S5-6.

また、S5−2にてホスト機器41からの書込みがFAT領域に対するものであると判断した場合は、小容量フラッシュメモリ45のデータ領域452に対してホスト機器41からのデータに対して書込み命令を出す(S5−7)。その後、小容量フラッシュメモリ45の書込み処理終了を判断し(S5−8)、書込み処理が終了すれば、S5−9の書込みを行なう。ここで、小容量フラッシュメモリ45のページサイズは512Byteであるため、巻き込み退避処理は発生しない。   If it is determined in S5-2 that the write from the host device 41 is for the FAT area, a write command for the data from the host device 41 is issued to the data area 452 of the small-capacity flash memory 45. (S5-7). Thereafter, the end of the writing process of the small-capacity flash memory 45 is determined (S5-8), and when the writing process ends, the writing of S5-9 is performed. Here, since the page size of the small-capacity flash memory 45 is 512 Bytes, no evacuation process occurs.

その後、小容量フラッシュメモリ45の書込み処理終了を判断し(S5−10)、処理が終了すれば、ホスト機器41へデータ書込み完了の合図を送る(S5−11)。   Thereafter, the end of the writing process of the small-capacity flash memory 45 is determined (S5-10). When the process is completed, a signal indicating the completion of data writing is sent to the host device 41 (S5-11).

このような本実施の形態3のメモリカードは、FAT領域の書替え処理に小容量フラッシュメモリを用いて巻き込み退避処理を行なわないようにしたので、実効速度を向上させることができる。   In such a memory card according to the third embodiment, the effective speed can be improved since the small area flash memory is not used for the FAT area rewriting process and the retraction process is not performed.

(実施の形態4)
図6は、本発明の実施の形態4によるメモリカードを示すブロック図である。
図6に示されるように、メモリカード64は、大容量フラッシュメモリ62と、小容量フラッシュメモリ65と、大容量フラッシュメモリ62及び小容量フラッシュメモリ65を制御するコントローラ63とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ62は、データが保持されるデータ領域621で構成され、小容量フラッシュメモリ65は、論物変換情報を保持する管理領域651とデータが保持されるデータ領域652とから構成されている。また、61はメモリカード64に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
(Embodiment 4)
FIG. 6 is a block diagram showing a memory card according to Embodiment 4 of the present invention.
As shown in FIG. 6, the memory card 64 includes a large-capacity flash memory 62, a small-capacity flash memory 65, and a large-capacity flash memory 62 and a controller 63 that controls the small-capacity flash memory 65. The large-capacity flash memory 62 includes a data area 621 that holds data, and the small-capacity flash memory 65 includes a management area 651 that stores logical-physical conversion information and a data area 652 that stores data. Has been. Reference numeral 61 denotes a host device that performs data access to the memory card 64.

また、大容量フラッシュメモリ62は、ページサイズが2KByteに対して、書込み処理時間が600us程度で、小容量フラッシュメモリ65はページサイズが512Byteに対して、書込み処理時間が200us程度であり、コントローラ63は、ホスト機器61から1セクタ単位で送られるデータは小容量フラッシュメモリ65のデータ領域652に書込み、ホスト機器61から連続して送られるデータは大容量フラッシュメモリ62のデータ領域622に書込むよう制御する。   The large-capacity flash memory 62 has a write processing time of about 600 us for a page size of 2 Kbytes, and the small-capacity flash memory 65 has a write processing time of about 200 us for a page size of 512 bytes. The data sent from the host device 61 in units of one sector is written to the data area 652 of the small-capacity flash memory 65, and the data continuously sent from the host apparatus 61 is written to the data area 622 of the large-capacity flash memory 62. Control.

以上のように構成されたこの本実施の形態4によるメモリカードにおけるデータ処理の一例として、ホスト機器61からのデータの書込み時の処理手順について説明する。
図7は、本発明の実施の形態4によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
As an example of data processing in the memory card according to the fourth embodiment configured as described above, a processing procedure when data is written from the host device 61 will be described.
FIG. 7 is a flowchart for explaining a memory card write process according to the fourth embodiment of the present invention.

まず、ホスト機器61がコントローラ63に書込み命令を出す(S7−1)。ホスト機器61からの書込み命令を受けたコントローラ63は、大容量フラッシュメモリ62のデータ領域621と小容量フラッシュメモリ65のデータ領域652との双方に対してホスト機器61からのデータを転送する(S7−2)。   First, the host device 61 issues a write command to the controller 63 (S7-1). Receiving the write command from the host device 61, the controller 63 transfers the data from the host device 61 to both the data area 621 of the large-capacity flash memory 62 and the data area 652 of the small-capacity flash memory 65 (S7). -2).

その後、ホスト機器61からの書込みが1セクタのみかどうかを判断する(S7−3)。ホスト機器61からの2セクタ以上データが送られてくる場合は、大容量フラッシュメモリ62のデータ領域622に対してホスト機器61からのデータに対しての書込み命令を出し(S7−4)、小容量フラッシュメモリ62に対する転送データをキャンセルする(S7−5)。大容量フラッシュメモリ62の書込み処理終了を判断し(S7−6)、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、大容量フラッシュメモリ62のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する(S7−7)。   Thereafter, it is determined whether or not writing from the host device 61 is only one sector (S7-3). When two or more sectors of data are sent from the host device 61, a write command for data from the host device 61 is issued to the data area 622 of the large-capacity flash memory 62 (S7-4). The transfer data to the capacity flash memory 62 is canceled (S7-5). The end of the writing process of the large-capacity flash memory 62 is determined (S7-6), and if the writing process is ended, it is determined whether or not the written data size is smaller than the page size unit of the large-capacity flash memory 62 (S7). -7).

S7−7にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ62への書込みデータサイズが大容量フラッシュメモリ62のページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない(S7−8)、その後、小容量フラッシュメモリ65の論物変換情報を保持する管理領域651に論物変換情報の書込みを行なう(S7−12)。また、S7−7にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、S7−8の巻き込み退避処理を行なわずにS7−12の書込みを行なう。   If it is determined in S7-7 that the size is smaller than the page size unit, the wrap-around save process is performed so that the data size written to the large-capacity flash memory 62 becomes the page size unit of the large-capacity flash memory 62 (S7-8). Thereafter, the logical / physical conversion information is written into the management area 651 that holds the logical / physical conversion information of the small-capacity flash memory 65 (S7-12). If it is determined in S7-7 that it is larger than the page size unit, the writing in S7-12 is performed without performing the evacuation process in S7-8.

また、S7−3にてホスト機器61からの書込みが1セクタのみであると判断した場合は、小容量フラッシュメモリ65のデータ領域652に対してホスト機器61からのデータに対して書込み命令を出し(S7−9)、大容量フラッシュメモリ62に対して転送データのキャンセルする(S7−10)。その後、小容量フラッシュメモリ65の書込み処理終了を判断し(S7−11)、書込み処理が終了すれば、S7−12の書込みを行なう。ここで、小容量フラッシュメモリ65のページサイズは512Byteであるため、巻き込み退避処理は発生しない。   If it is determined in S7-3 that the write from the host device 61 is only one sector, a write command for the data from the host device 61 is issued to the data area 652 of the small-capacity flash memory 65. (S7-9), the transfer data is canceled for the large-capacity flash memory 62 (S7-10). Thereafter, the end of the writing process of the small-capacity flash memory 65 is determined (S7-11), and when the writing process ends, the writing of S7-12 is performed. Here, since the page size of the small-capacity flash memory 65 is 512 Bytes, no wrap-around saving process occurs.

その後、小容量フラッシュメモリ65の書込み処理終了を判断し(S7−13)、処理が終了すれば、ホスト機器61へデータ書込み完了の合図を送る(S7−14)。   Thereafter, the end of the writing process of the small-capacity flash memory 65 is determined (S7-13), and when the process is completed, a signal of data writing completion is sent to the host device 61 (S7-14).

このような本実施の形態4のメモリカードは、ホストからの1セクタの書込み処理に小容量フラッシュメモリを用いて巻き込み退避処理を行なわないようにしたので、実効速度を向上させることができる。   In such a memory card of the fourth embodiment, the effective speed can be improved because the small-capacity flash memory is not used for the one-sector write process from the host and the evacuation process is not performed.

(実施の形態5)
図8は、本発明の実施の形態5によるメモリカードを示すブロック図である。
図8に示されるように、メモリカード84は、大容量フラッシュメモリ82と、小容量フラッシュメモリ85と、大容量フラッシュメモリ82及び小容量フラッシュメモリ85を制御するコントローラ83とから構成される。ここで、大容量フラッシュメモリ82と小容量フラッシュメモリ85とはコントローラ83から同一のBUSにて制御されている。また、大容量フラッシュメモリ82は、データが保持されるデータ領域821で構成され、小容量フラッシュメモリ85は、論物変換情報を保持する管理領域851とデータが保持されるデータ領域852とから構成されている。また、81はメモリカード84に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
(Embodiment 5)
FIG. 8 is a block diagram showing a memory card according to the fifth embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 8, the memory card 84 includes a large-capacity flash memory 82, a small-capacity flash memory 85, and a controller 83 that controls the large-capacity flash memory 82 and the small-capacity flash memory 85. Here, the large-capacity flash memory 82 and the small-capacity flash memory 85 are controlled from the controller 83 by the same BUS. The large-capacity flash memory 82 includes a data area 821 that holds data, and the small-capacity flash memory 85 includes a management area 851 that stores logical-physical conversion information and a data area 852 that stores data. Has been. Reference numeral 81 denotes a host device that performs data access to the memory card 84.

また、大容量フラッシュメモリ82は、ページサイズが2KByteに対して、書込み処理時間が600us程度で、小容量フラッシュメモリ85はページサイズが512Byteに対して、書込み処理時間が200us程度であり、コントローラ83は、ホスト機器81から1セクタ単位で送られるデータは小容量フラッシュメモリ85のデータ領域852に書込み、ホスト機器81から連続して送られるデータは大容量フラッシュメモリ82のデータ領域821に書込むよう制御する。   The large-capacity flash memory 82 has a write processing time of about 600 us for a page size of 2 Kbytes, and the small-capacity flash memory 85 has a write processing time of about 200 us for a page size of 512 bytes. The data sent from the host device 81 in units of one sector is written in the data area 852 of the small-capacity flash memory 85, and the data continuously sent from the host device 81 is written in the data area 821 of the large-capacity flash memory 82. Control.

このような本実施の形態5のメモリカードは、コントローラの接続端子を増やすことなく、上記実施の形態4のメモリカードと同等の実効速度を得ることができる。   Such a memory card of the fifth embodiment can obtain an effective speed equivalent to that of the memory card of the fourth embodiment without increasing the number of connection terminals of the controller.

本発明に係るメモリカードは、大容量のフラッシュメモリを用いても、小容量単位での書込みに対する処理速度の低下を防ぐことができるので、メモリカードを使用した大容量かつ高速な画像記録等の処理を行なうシステム等に有用である。   Since the memory card according to the present invention can prevent a decrease in processing speed for writing in a small capacity unit even when a large capacity flash memory is used, a large capacity and high speed image recording using the memory card is possible. Useful for systems that perform processing.

本発明の実施の形態1によるメモリカードを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the memory card by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2によるメモリカードを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the memory card by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the write-in process of the memory card by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3によるメモリカードを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the memory card by Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the write-in process of the memory card by Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4によるメモリカードを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the memory card by Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the write-in process of the memory card by Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5によるメモリカードを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the memory card by Embodiment 5 of this invention. 一般的なメモリカードで実施されているデータ管理手法における論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を示す図である。It is a figure which shows the correspondence of the logical address and physical address in the data management method currently implemented with the general memory card. 従来のメモリカードを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the conventional memory card. 従来のメモリカードにおける書込み処理のフローチャートである。It is a flowchart of the write-in process in the conventional memory card.

符号の説明Explanation of symbols

11,21,41,61,81,101 ホスト機器
12,22,42,62,82 大容量フラッシュメモリ
13,23,43,63,83,103 コントローラ
14,24,44,64,84,104 メモリカード
15,25,45,65,85 小容量フラッシュメモリ
121,151,251,451,651,851,1021 管理領域
122,152,222,421,452,621,652,821,852,1022 データ領域
102 フラッシュメモリ
11, 21, 41, 61, 81, 101 Host device 12, 22, 42, 62, 82 Large-capacity flash memory 13, 23, 43, 63, 83, 103 Controller 14, 24, 44, 64, 84, 104 Memory Card 15, 25, 45, 65, 85 Small-capacity flash memory 121, 151, 251, 451, 651, 851, 1021 Management area 122, 152, 222, 421, 452, 621, 652, 821, 852, 1022 Data area 102 flash memory

Claims (5)

書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、
書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、
前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備える、
ことを特徴とするメモリカード。
A large-capacity flash memory with a large write data unit,
A small-capacity flash memory with a small write data unit,
A controller for controlling the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory,
A memory card characterized by that.
請求項1に記載のメモリカードにおいて、
前記小容量フラッシュメモリは、
前記大容量フラッシュメモリ内のデータ及び該小容量フラッシュメモリ内のデータに関する論物変換情報を保持する管理領域を有する、
ことを特徴とするメモリカード。
The memory card according to claim 1,
The small-capacity flash memory is
A management area for holding logical-physical conversion information related to the data in the large-capacity flash memory and the data in the small-capacity flash memory;
A memory card characterized by that.
請求項1に記載のメモリカードにおいて、
前記小容量フラッシュメモリは、
FAT(File Allocation Tables)データのみを保持するデータ領域を有する、
ことを特徴とするメモリカード。
The memory card according to claim 1,
The small-capacity flash memory is
It has a data area that holds only FAT (File Allocation Tables) data.
A memory card characterized by that.
請求項1に記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、
ホストから送られるデータの先頭セクタを前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとに転送し、ホストから1セクタのみの転送であった場合には前記小容量フラッシュメモリに書込みを行ない、ホストから連続してデータが送られる場合には前記大容量フラッシュメモリに書込みを行なう、
ことを特徴としたメモリカード。
The memory card according to claim 1,
The controller is
The first sector of the data sent from the host is transferred to the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory. If the transfer is only one sector from the host, the data is written to the small-capacity flash memory. If data is sent continuously, write to the large-capacity flash memory.
A memory card characterized by that.
請求項4記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラからの前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとへのデータバスを共用する、
ことを特徴としたメモリカード。
The memory card according to claim 4, wherein
Sharing a data bus from the controller to the large-capacity flash memory and the small-capacity flash memory;
A memory card characterized by that.
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