JP2005516398A - ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置 - Google Patents

ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005516398A
JP2005516398A JP2003562997A JP2003562997A JP2005516398A JP 2005516398 A JP2005516398 A JP 2005516398A JP 2003562997 A JP2003562997 A JP 2003562997A JP 2003562997 A JP2003562997 A JP 2003562997A JP 2005516398 A JP2005516398 A JP 2005516398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
single package
clip
semiconductor die
characterized
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003562997A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4712303B2 (ja
Inventor
マーティン・スタンディング
Original Assignee
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US10/053,123 priority Critical patent/US6677669B2/en
Priority to US10/053,123 priority
Application filed by インターナショナル レクティフィアー コーポレイション filed Critical インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
Priority to PCT/US2002/032677 priority patent/WO2003063236A1/en
Publication of JP2005516398A publication Critical patent/JP2005516398A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4712303B2 publication Critical patent/JP4712303B2/ja
Application status is Active legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492Bases or plates or solder therefor
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 and H01L51/00, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73151Location prior to the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73153Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12032Schottky diode
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49169Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49169Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
    • Y10T29/49171Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating
    • Y10T29/49172Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating by molding of insulating material

Abstract

金属の形態の外部クリップ(12)を含むワンパッケージ化された半導体装置(10)は、少なくとも一つが電気コネクタとして外部クリップを使用する2つの半導体ダイ(30)を含むこともできる。内部クリップ(28)は、外部クリップ内のダイの一つを配置するために用いられる。内部クリップは、絶縁層によって外部クリップから絶縁され得る。

Description

この発明は、半導体装置に関し、より詳細には、少なくとも2つのワンパッケージ化された半導体ダイを含む半導体装置に関する。

一般にコパック(copak)と称されるワンパッケージ化された装置が良く知られている。通常、そのような装置は、共通のハウジングにパッケージ化された2つ又はそれよりも多くの同一の又は異なる半導体装置を含む。そのような構成によって達成される利益は、回路内の同一の機能に対して用いられる別々にパッケージ化された半導体ダイによって消費されるよりも、回路基盤上でより小さな空間を占める、よりコンパクトな電子パッケージである。この空間の節約によって、同一の空間により多くの電子部品を有する、よりコンパクトな装置及び/又はより複雑な装置の構築が無理なく可能になる。

多くのコパック装置はモールドハウジングとリードフレームとを含む。リードフレームが半導体ダイを回路内の外部要素へ接続するために用いられる一方で、ハウジングは、水蒸気のような環境要素に対して半導体ダイへ保護を与える。したがって、この従来の構成は、コパックのコストに加わるだけでなく、コパックの製造を複雑にするいくつかの構成要素を必要とする。したがって、アセンブリに要求される構成要素の数を減少させつつ、2つ又はそれよりも多くの装置を有するコパック装置が望まれている。

この発明に係る半導体装置は、少なくとも2つの同一の又は異なる半導体ダイを含む。2つの半導体ダイは、これら半導体ダイのうちの少なくとも一つに対して外部コネクタとして役立つことのできる共通の外部金属クリップ内にワンパッケージ化されている。

本発明の第1の側面によれば、2つの同一の又は異なる半導体ダイは、外部クリップ内に収容され、該外部クリップは、ダイのためのハウジングとダイのうちの一つを電子回路の外部構成要素へ接続するための電気コネクタとの両方に役立つ。

特に、本発明に係るワンパッケージ化された半導体装置は、実質的に平らなウェブ部(web portion)と、空間を画定する複数の壁と、を有することができる。MOSFETとすることができる第1半導体ダイは、ドレイン電極で導電層によってウェブ部へ電気的に接続されており、導電層は、はんだ層又は導電性エポキシとすることができる。外部クリップの2つの対向壁の端縁部から延在する2つの隆起部は、回路基盤のような基板上の対応する電気パッドへの接続を形成し、これによりMOSFETのドレイン電極が電子回路内の適切な箇所へ接続される。

第2半導体ダイは内部クリップ内に配置され、該クリップは、絶縁層によって外部クリップのウェブ部に接続されているがウェブ部から絶縁されている。第2半導体ダイは第1半導体ダイと同一のMOSFET、又は第1半導体ダイの動作を制御するために半導体チップ上に形成された集積回路とすることができる。

この発明の第1の側面によれば、第1半導体ダイの厚さと内部クリップ及び第2半導体ダイの全体の高さとは、それぞれの頂部表面が互いに同一平面に、かつ好適には隆起部の接触表面と同一平面にあるように等しい。この結果を達成するために、第2半導体ダイは、その厚さを減少させるために基部(ground)とすることができる。

この発明に係る内部クリップは、基部プレートと、基部プレートの端縁部から実質的に垂直に延在する複数の壁と、を含む。内部クリップの壁の少なくとも一つは、外部クリップの隆起部と好ましくは同一平面にある接触表面を画定するために屈曲された拡張部を含む。内部クリップの接触表面は、第2半導体ダイを電子回路内の位置へ接続するために、基板上の適切なパッドと接触を形成する。好ましくは、内部クリップの外部表面は、絶縁表面を形成するよう化学的に処理されているか、又はポリイミドのような電気的絶縁ポリマー層によって絶縁されている。内部クリップの内部表面は、銀のような導電性の高い金属で好ましくは被覆されている。内部クリップは、第2半導体ダイを少なくとも部分的に受ける実質的に垂直な壁を形成するために銅箔の端縁部を持ち上げることによって形成され得る。

この発明の第2実施例に係るワンパッケージ化された半導体装置は、第1実施例で用いられたものと実質的に同様の金属缶とすることができる外部クリップを含む。第2実施例に係る半導体装置は、少なくとも2つの同一の又は異なる半導体ダイを含み、半導体ダイのそれぞれは、導電性はんだ層又は導電性エポキシによって外部クリップのウェブ部へ電気的に接続された主電極のうちの少なくとも一つを有する。この実施例では、外部クリップは、半導体ダイのためのハウジングと、装置を電子回路内の外部構成要素へ接続するコネクタと、の両方として役に立つ。

この発明の他の特徴及び優位点は、添付の図面を参照する本発明の次の記述から明らかとなろう。

図1は、この発明の第1実施例に係る半導体装置10を示す。半導体装置10は、外部導電クリップ12を含む。外部導電クリップ12は、ウェブ部14と、空間を画定するためにウェブ部14の端縁部から延在する複数の壁16と、を含む金属缶である。外部クリップ12は銅から形成することができ、好ましくは銀で被覆される。第1半導体ダイ18は、外部導電クリップ12の壁16によって画定された空間内に配置されている。第1半導体ダイ18は、垂直導電性MOSFET、パワーダイオード、IGBT、又は同様のものとすることができる。この発明の第1実施例では、第1半導体装置18は、ソース電極20、ゲート電極22、及びドレイン電極24を有する垂直導電性MOSFET(vertical conduction MOSFET)である(図2)。

図2を参照すると、第1半導体ダイ18のドレイン電極24は、導電材料層26によって外部導電クリップ12のウェブ部14へ電気的に接続されており、導電材料層26ははんだ又は導電性エポキシとすることができる。第1実施例に係る半導体装置10はまた、外部クリップ12の壁16によって画定された空間内に配置された内部クリップ28をも含む。

図3及び図4を参照すると、内部クリップ28は、銅のシートのような薄い導電性金属シートから好ましくは形成されており、基部プレート部32の周囲で空間を画定する好ましくは垂直に延在する壁30を含む。内部クリップ28はまた、クリップ28の壁30のうちの一つの端縁部から延在する拡張部34を含み、接触表面33を提供するよう曲げられている。内部クリップ28の内部表面は、銀のような導電性の高い材料で被覆することができ、外部表面は、絶縁を形成するよう化学的に処理され得るか、又はポリイミドのような絶縁接着フィルム(insulating adhesive film)で被覆され得る。内部クリップ28は、壁30を形成するために薄い銅箔の外部端縁部を持ち上げることによって好ましくは形成される。そのように形成された壁のうちの一つは、接触表面33として拡張部34の内部表面を露出させるために外側へ曲げられた拡張部34を有するべきである。内部クリップ28を形成するために用いられる銅箔は、外部クリップ12の深さよりも薄くするべきである。好ましい実施例では、例えば、外部クリップ12が約0.396mmの深さを有する箇所で、約0.100mmの厚さの銅箔が用いられる。

ここで図1及び図2を参照すると、第2半導体ダイ36は、内部クリップ28の壁30内の空間に備わっている。第1実施例では、第2半導体ダイは、導電層38によって内部クリップ28に電気的に接続されたドレイン電極(不図示)を有するMOSFETとすることができ、導電層38は、はんだ、又は銀の加えられたエポキシのような導電性エポキシとすることができる。内部クリップ28の壁30は、はんだ又は導電性エポキシが外部クリップ12のウェブ部14にこぼれて接触するのを防止するためのダムとして作用する。第2半導体ダイ36は、内部クリップ28の基部と外部クリップ12のウェブ部14との間に配置された絶縁層40によって外部クリップ12から絶縁されている。好ましい実施例では、第1半導体ダイ18は、約0.350の厚さを有し、導電材料26によって外部クリップ12の深さにおける頂部に持ち上げられる。第2半導体ダイ36はまた、その頂部表面が第1半導体ダイ18の頂部表面と同一平面となるように、内部クリップ28の内側で持ち上げられている。この結果を得るために、第1半導体ダイ18よりも薄いダイを用いる必要がある。好ましい実施例では、第2半導体ダイ36は0.200mmの厚さである。この厚さを達成するために、ダイの背部は、内部缶28に配置される準備ができる前に、所望の厚さに対する基部とすることができる。

図7を参照すると、この発明の1側面によれば、外部クリップ12は、外部クリップ12の2つの対向壁の端縁部から立ち上がる少なくとも2つの隆起部42を含む。各隆起部42は、基板45上の対応する電気パッド43と電気的な接触を形成するための平らな接触表面を有する。隆起部42を介して、第1半導体ダイ18のドレイン電極24は、電子回路内の適切な箇所に電気的に接続される。したがって、外部クリップ12は、ハウジングと第1半導体ダイ12のための電気コネクタとの両方として役立つ。

第1実施例に係る半導体装置10においては、拡張部34の接触表面33、第1半導体ダイ18のソース電極20、及び第2半導体ダイ36のソース電極35は、外部クリップ12の隆起部42の接触表面と同一平面である。接触表面33は、第2半導体ダイ36のドレイン電極を電子回路内の適切な位置へ接続するために、第2半導体ダイ36のドレイン電極を基板45上の適切な導電パッド47へ接続する。

同様の数字が同様の構成要素と結び付けられる図5及び図6は、この発明の第2実施例に係る半導体装置44を示す。第2実施例に係る半導体装置44は、MOSFETとすることができる第1及び第2半導体装置18,18′を含む。しかしながら、パワーダイオード、IGBTS、及び同様のものもまた、MOSFETの代わりに用いることができる。第1及び第2半導体装置18,18′のドレイン電極24,24′は、導電層27,27′によって外部クリップ12のウェブ部14へ電気的に接続されている。共通の導電層がまた、独立した導電層27,27′の代わりに用いることができる。導電層27,27′は、はんだ、又は銀の加えられたエポキシのような導電性エポキシの層とすることができる。第1及び第2半導体装置18,18′のソース電極20,20′は、互いに同一平面にあり、好ましくは外部クリップ12の隆起部42と同一平面にある。第2実施例では、外部クリップ12は、ハウジングとして、及び半導体ダイのドレイン電極24,24′に対する共通のコネクタとして役立つ。図8に示すように、隆起部42は、ダイのドレイン電極24,24′を電子回路内の適切な箇所に接続するために、基板45上のパッド43と電気的な接触を形成する。ダイのソース電極20,20′はまた、基板45上のパッド49と電気的に接触しており、かくしてソース電極20,20′を、図8に示すように、回路内の適切な箇所へ接続する。

当業者は、この発明が、明細書中で開示されるとともに、記述された実施例に関する例によって説明された発明の思想を用いて、様々な組み合わせの半導体ダイによって実施され得る、ということを理解されたい。例えば、第1実施例では第2半導体ダイ36は、ショットキーダイオード又は第1半導体ダイ18を制御するための制御ICと置き換えることができる。

この発明は特定の実施例に関して述べられてきたが、多くの他の変形及び修正、及び他の使用は、当業者に明らかとなろう。したがってこの発明は、明細書中の特定の開示によってではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることが好ましい。

この発明の第1実施例に係る半導体装置の平面図である。 図1の1−1線の方向に見たこの発明の第1実施例の断面図である。 この発明の1側面に係る内部クリップの側面図である。 図3に示された内部クリップの平面図である。 この発明の第2実施例に係る半導体装置の平面図である。 図5の2−2線の方向に見たこの発明の第2実施例の断面図である。 基板に接続されたこの発明の第1実施例に係る半導体装置を示す図である。 基板に接続されたこの発明の第2実施例に係る半導体装置を示す図である。

符号の説明

10 半導体装置
12 外部導電クリップ
14 ウェブ部
18 第1半導体ダイ
24 ドレイン電極
28 内部導電クリップ
33 接触表面
36 第2半導体ダイ
38 導電層
40 絶縁層
42 隆起部

Claims (13)

  1. ウェブ部と、空間を形成するために該ウェブ部の端縁部から延在する複数の壁と、を有する外部導電クリップと;
    少なくとも2つの主電極を有する第1半導体ダイであって、前記主電極のそれぞれが該第1半導体ダイのそれぞれの主表面に配置された第1半導体ダイと;
    前記主電極のうちの一つを前記ウェブ部へ電気的に接続する導電層と;
    複数の壁を有するとともに、前記空間内にかつ前記ウェブ部上に配置された内部クリップと;
    前記内部導電クリップ内に少なくとも部分的に配置された第2半導体ダイと;
    を備えることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  2. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記外部導電クリップは、該外部導電クリップの対向壁の2つの端縁部から延在する2つの隆起部を含み、各隆起部は、基板上の対応する電気的コンタクトパッドと電気的な接触を形成するための接触表面を含むことを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  3. 請求項2記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記内部クリップは、前記外部導電クリップの前記2つの隆起部の前記接触表面と同一平面にある壁のうちの少なくとも一つから延在する部分を含むことを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  4. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記内部クリップは、前記ウェブ部へ接続されているが前記ウェブ部から絶縁されていることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  5. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記第1及び第2半導体ダイはMOSFETであることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  6. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記第1半導体ダイは、前記ウェブ部へ接続されたドレイン電極を有するMOSFETであり、前記第2半導体ダイは、前記MOSFETを制御するための集積回路であることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  7. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記内部クリップは、銅から形成されていることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  8. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記内部導電クリップの外部表面は、絶縁されていることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  9. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記内部クリップの内部表面は、銀で被覆されていることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  10. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記内部クリップを前記ウェブ部へ接続する絶縁層をさらに備えることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  11. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記第2半導体ダイは、前記第1半導体ダイよりも薄いことを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  12. 請求項1記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記第2半導体ダイは、導電性エポキシによって前記内部クリップへ電気的に接続されていることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
  13. 請求項1から12のいずれか一項に記載のワンパッケージ化された半導体装置において、
    前記外部導電クリップは、金属缶であることを特徴とするワンパッケージ化された半導体装置。
JP2003562997A 2002-01-18 2002-10-09 ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置 Active JP4712303B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/053,123 US6677669B2 (en) 2002-01-18 2002-01-18 Semiconductor package including two semiconductor die disposed within a common clip
US10/053,123 2002-01-18
PCT/US2002/032677 WO2003063236A1 (en) 2002-01-18 2002-10-09 Semiconductor device with co-packaged die

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005516398A true JP2005516398A (ja) 2005-06-02
JP4712303B2 JP4712303B2 (ja) 2011-06-29

Family

ID=21982077

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003562997A Active JP4712303B2 (ja) 2002-01-18 2002-10-09 ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置
JP2010224279A Pending JP2011049575A (ja) 2002-01-18 2010-10-01 ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010224279A Pending JP2011049575A (ja) 2002-01-18 2010-10-01 ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6677669B2 (ja)
EP (1) EP1466363A4 (ja)
JP (2) JP4712303B2 (ja)
CN (1) CN100466235C (ja)
TW (1) TW565921B (ja)
WO (1) WO2003063236A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4878030B2 (ja) * 2004-09-23 2012-02-15 インターナショナル レクティフィアー コーポレイション エッチング処理されたリードフレームを用いる再分散型ハンダパッド
JP2012146960A (ja) * 2011-01-10 2012-08-02 Internatl Rectifier Corp 低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ
JP2012212863A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Internatl Rectifier Corp 温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージ
JP2014131027A (ja) * 2012-12-18 2014-07-10 Internatl Rectifier Corp Iii族−nおよびiv族デバイスのカスコード回路集積

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6946740B2 (en) * 2002-07-15 2005-09-20 International Rectifier Corporation High power MCM package
US7633158B2 (en) * 2003-09-05 2009-12-15 Rohde & Schwarz Gmbh & Co., Kg Electronic component comprising a cooling surface
JP4244318B2 (ja) * 2003-12-03 2009-03-25 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4312616B2 (ja) * 2004-01-26 2009-08-12 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN100524711C (zh) 2004-09-23 2009-08-05 国际整流器公司 使用蚀刻引线框的半导体设备和半导体封装的制造方法
WO2006068643A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor package structure having enhanced thermal dissipation characteristics
US7884454B2 (en) 2005-01-05 2011-02-08 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Use of discrete conductive layer in semiconductor device to re-route bonding wires for semiconductor device package
US7524701B2 (en) * 2005-04-20 2009-04-28 International Rectifier Corporation Chip-scale package
US7230333B2 (en) * 2005-04-21 2007-06-12 International Rectifier Corporation Semiconductor package
US7504733B2 (en) 2005-08-17 2009-03-17 Ciclon Semiconductor Device Corp. Semiconductor die package
US7560808B2 (en) * 2005-10-19 2009-07-14 Texas Instruments Incorporated Chip scale power LDMOS device
US8089147B2 (en) * 2005-11-02 2012-01-03 International Rectifier Corporation IMS formed as can for semiconductor housing
US7446375B2 (en) * 2006-03-14 2008-11-04 Ciclon Semiconductor Device Corp. Quasi-vertical LDMOS device having closed cell layout
US20070215997A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Martin Standing Chip-scale package
US7541681B2 (en) * 2006-05-04 2009-06-02 Infineon Technologies Ag Interconnection structure, electronic component and method of manufacturing the same
US7757392B2 (en) 2006-05-17 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Method of producing an electronic component
US7476978B2 (en) * 2006-05-17 2009-01-13 Infineon Technologies, Ag Electronic component having a semiconductor power device
US7271470B1 (en) 2006-05-31 2007-09-18 Infineon Technologies Ag Electronic component having at least two semiconductor power devices
US7626262B2 (en) * 2006-06-14 2009-12-01 Infineon Technologies Ag Electrically conductive connection, electronic component and method for their production
US20080013298A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
US20080036078A1 (en) * 2006-08-14 2008-02-14 Ciclon Semiconductor Device Corp. Wirebond-less semiconductor package
DE102006044690B4 (de) * 2006-09-22 2010-07-29 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen
DE102006047761A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-10 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007007142B4 (de) * 2007-02-09 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Nutzen, Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102007012154B4 (de) * 2007-03-12 2014-05-08 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007013186A1 (de) * 2007-03-15 2008-09-18 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
US7759777B2 (en) * 2007-04-16 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US7879652B2 (en) * 2007-07-26 2011-02-01 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US20090057855A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Maria Clemens Quinones Semiconductor die package including stand off structures
US7701065B2 (en) * 2007-10-26 2010-04-20 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip having a plurality of electrodes
US7898092B2 (en) * 2007-11-21 2011-03-01 Alpha & Omega Semiconductor, Stacked-die package for battery power management
US7799614B2 (en) * 2007-12-21 2010-09-21 Infineon Technologies Ag Method of fabricating a power electronic device
US8642394B2 (en) * 2008-01-28 2014-02-04 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing electronic device on leadframe
US8294208B2 (en) * 2008-03-04 2012-10-23 International Rectifier Corporation Semiconductor device having a gate contact on one surface electrically connected to a gate bus on an opposing surface
US8637341B2 (en) * 2008-03-12 2014-01-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US7759163B2 (en) * 2008-04-18 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US8441804B2 (en) * 2008-07-25 2013-05-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
US8410590B2 (en) * 2008-09-30 2013-04-02 Infineon Technologies Ag Device including a power semiconductor chip electrically coupled to a leadframe via a metallic layer
US8710665B2 (en) 2008-10-06 2014-04-29 Infineon Technologies Ag Electronic component, a semiconductor wafer and a method for producing an electronic component
US8049312B2 (en) * 2009-01-12 2011-11-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package and method of assembly thereof
US8164199B2 (en) * 2009-07-31 2012-04-24 Alpha and Omega Semiconductor Incorporation Multi-die package
US9257375B2 (en) 2009-07-31 2016-02-09 Alpha and Omega Semiconductor Inc. Multi-die semiconductor package
US8531016B2 (en) * 2011-05-19 2013-09-10 International Rectifier Corporation Thermally enhanced semiconductor package with exposed parallel conductive clip
US9048338B2 (en) * 2011-11-04 2015-06-02 Infineon Technologies Ag Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof
DE102011086687A1 (de) * 2011-11-21 2013-05-23 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiters und Kontaktanordnung für einen Halbleiter
DE102012215656B4 (de) * 2012-09-04 2015-05-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
US9054040B2 (en) 2013-02-27 2015-06-09 Infineon Technologies Austria Ag Multi-die package with separate inter-die interconnects
US9041170B2 (en) 2013-04-02 2015-05-26 Infineon Technologies Austria Ag Multi-level semiconductor package
US9214415B2 (en) * 2013-04-11 2015-12-15 Texas Instruments Incorporated Integrating multi-output power converters having vertically stacked semiconductor chips
US9536800B2 (en) 2013-12-07 2017-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing
JP2015176916A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 半導体装置およびモジュール
DE102014118080A1 (de) 2014-12-08 2016-06-09 Infineon Technologies Ag Wärmespreizer, elektronisches Modul mit einem Wärmespreizer und Verfahren zur Herstellung davon
DE102015200868A1 (de) * 2015-01-20 2016-07-21 Zf Friedrichshafen Ag Steuerelektronik
CN104617058A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 用于功率变换器的封装结构及其制造方法
EP3065172A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-07 Nxp B.V. Semiconductor device
DE102015104995A1 (de) 2015-03-31 2016-10-06 Infineon Technologies Austria Ag Verbindungshalbleitervorrichtung mit einem mehrstufigen Träger
US20180182730A1 (en) * 2016-12-23 2018-06-28 Infineon Technologies Americas Corp. Common contact semiconductor device package

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150140A (ja) * 1996-10-24 1998-06-02 Internatl Rectifier Corp 半導体デバイスおよび表面実装パッケージ
US20010048116A1 (en) * 2000-04-04 2001-12-06 International Rectifier Corp. Chip scale surface mounted device and process of manufacture
JP2002217363A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力制御系電子回路装置及びその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3784726A (en) * 1971-05-20 1974-01-08 Hewlett Packard Co Microcircuit package assembly
US3972062A (en) 1973-10-04 1976-07-27 Motorola, Inc. Mounting assemblies for a plurality of transistor integrated circuit chips
US4314270A (en) * 1977-12-02 1982-02-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly
US4766479A (en) * 1986-10-14 1988-08-23 Hughes Aircraft Company Low resistance electrical interconnection for synchronous rectifiers
JPS6481346A (en) * 1987-09-24 1989-03-27 Fujitsu Ltd Sealing structure of chip component of microwave integrated circuit
US5731970A (en) * 1989-12-22 1998-03-24 Hitachi, Ltd. Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device
JP2936855B2 (ja) * 1991-12-26 1999-08-23 富士電機株式会社 電力用半導体装置
KR100260347B1 (ko) * 1992-06-05 2000-07-01 나까니시 히로유끼 입체인쇄기판, 이것을 사용한 전자회로패키지 및 인쇄기판의 제조방법
JP3198796B2 (ja) * 1993-06-25 2001-08-13 富士電機株式会社 モールドモジュール
JP3180863B2 (ja) * 1993-07-27 2001-06-25 富士電機株式会社 加圧接触形半導体装置およびその組立方法
JP2991010B2 (ja) * 1993-09-29 1999-12-20 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH07161925A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JPH07297575A (ja) 1994-04-21 1995-11-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール装置
KR100230894B1 (ko) * 1995-06-22 1999-11-15 구라우치 노리타카 전력증폭모듈
TW315491B (en) 1995-07-31 1997-09-11 Micron Technology Inc Apparatus for applying adhesive tape for semiconductor packages
JP3448159B2 (ja) * 1996-06-20 2003-09-16 株式会社東芝 電力用半導体装置
US6075289A (en) * 1996-10-24 2000-06-13 Tessera, Inc. Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies
JP3535328B2 (ja) 1996-11-13 2004-06-07 株式会社ルネサステクノロジ リードフレームとこれを用いた半導体装置
US5926695A (en) 1997-06-10 1999-07-20 National Semiconductor Corporation Lead frame incorporating material flow diverters
US6184585B1 (en) * 1997-11-13 2001-02-06 International Rectifier Corp. Co-packaged MOS-gated device and control integrated circuit
TW451535B (en) * 1998-09-04 2001-08-21 Sony Corp Semiconductor device and package, and fabrication method thereof
JP4286465B2 (ja) * 2001-02-09 2009-07-01 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150140A (ja) * 1996-10-24 1998-06-02 Internatl Rectifier Corp 半導体デバイスおよび表面実装パッケージ
US20010048116A1 (en) * 2000-04-04 2001-12-06 International Rectifier Corp. Chip scale surface mounted device and process of manufacture
JP2002217363A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力制御系電子回路装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4878030B2 (ja) * 2004-09-23 2012-02-15 インターナショナル レクティフィアー コーポレイション エッチング処理されたリードフレームを用いる再分散型ハンダパッド
JP2012146960A (ja) * 2011-01-10 2012-08-02 Internatl Rectifier Corp 低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ
JP2012212863A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Internatl Rectifier Corp 温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージ
JP2014131027A (ja) * 2012-12-18 2014-07-10 Internatl Rectifier Corp Iii族−nおよびiv族デバイスのカスコード回路集積

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003063236A1 (en) 2003-07-31
US20030137040A1 (en) 2003-07-24
JP4712303B2 (ja) 2011-06-29
EP1466363A1 (en) 2004-10-13
CN1613148A (zh) 2005-05-04
US6677669B2 (en) 2004-01-13
TW565921B (en) 2003-12-11
CN100466235C (zh) 2009-03-04
JP2011049575A (ja) 2011-03-10
EP1466363A4 (en) 2007-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6713856B2 (en) Stacked chip package with enhanced thermal conductivity
CN100521196C (zh) 半导体器件
CN1199268C (zh) 半导体装置及其制造方法
US6421244B1 (en) Power module
US6343019B1 (en) Apparatus and method of stacking die on a substrate
JP4037589B2 (ja) 樹脂封止形電力用半導体装置
US7821124B2 (en) Thin, thermally enhanced flip chip in a leaded molded package
KR100524437B1 (ko) 반도체 장치, 반도체 장치용 기판 및 이들의 제조방법 및 전자기기
US6331221B1 (en) Process for providing electrical connection between a semiconductor die and a semiconductor die receiving member
US6593647B2 (en) Semiconductor device
CN101752329B (zh) 带有堆积式互联承载板顶端散热的半导体封装及其方法
CN1132244C (zh) 树脂封装型半导体装置及其制造方法
US7906375B2 (en) Compact co-packaged semiconductor dies with elevation-adaptive interconnection plates
US6909170B2 (en) Semiconductor assembly with package using cup-shaped lead-frame
JP4058642B2 (ja) 半導体装置
CN100373604C (zh) 高功率mcm封装
JP3868777B2 (ja) 半導体装置
US9159720B2 (en) Semiconductor module with a semiconductor chip and a passive component and method for producing the same
KR100661948B1 (ko) 회로 장치 및 그의 제조 방법
KR960004562B1 (ko) 반도체 장치 패키지
JP5497985B2 (ja) 半導体パッケージ
JP3809168B2 (ja) 半導体モジュール
US7301235B2 (en) Semiconductor device module with flip chip devices on a common lead frame
US6165814A (en) Thin film capacitor coupons for memory modules and multi-chip modules
JP2005302951A (ja) 電力用半導体装置パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070731

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071030

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071106

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090310

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090604

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090611

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091201

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100215

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100128

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100601

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101001

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20101013

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110323

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350