JP2005352434A - Electrooptical apparatus, method for manufacturing electrooptical apparatus, and electronic equipment - Google Patents

Electrooptical apparatus, method for manufacturing electrooptical apparatus, and electronic equipment Download PDF

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JP2005352434A JP2004212604A JP2004212604A JP2005352434A JP 2005352434 A JP2005352434 A JP 2005352434A JP 2004212604 A JP2004212604 A JP 2004212604A JP 2004212604 A JP2004212604 A JP 2004212604A JP 2005352434 A JP2005352434 A JP 2005352434A
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Inventor
Jun Saito
潤 齊藤
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical apparatus with which the curtailment of manufacturing processes is possible, a method for manufacturing the electrooptical apparatus, and electronic equipment.
SOLUTION: A plurality of independent antennas 120 and 122 are arranged on an array substrate 102 provided with pixel electrodes 110 constituting a display element and display element driving wiring. The respective layers of the antennas 120 and 122 are formed by the same conductive materials or semiconductor materials as those for the pixel electrodes 110 or the display element driving wiring simultaneously with the process of forming the pixel electrodes 110 or the display element driving wiring.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。 The present invention relates to an electro-optical device, a manufacturing method and an electronic apparatus of the electro-optical device.

他の機器と無線により通信する機能を備えた種々の電子機器が従来から広く普及している。 Various electronic apparatus having a function of communicating with other devices wirelessly have been widely used conventionally. 例えば、利用者や物品を識別するためのRFID(Radio Frequency Identification)を利用した技術のもとでは、種々のデータが記憶されたICタグ(RFID)と、このICタグに対して非接触にてデータの書込みや読出しを行なう機器(以下「リーダライタ」という)とが利用される。 For example, under the technology using an RFID (Radio Frequency Identification) for identifying the user and the article, the IC tag in which various data is stored (RFID), in non-contact with the IC tag writing and reading of data equipment (hereinafter referred to as "reader-writer") are utilized. RFIDおよびリーダライタにはそれぞれアンテナと、電磁波を変復調する通信チップが設けられている。 And each of the RFID and the reader-writer antenna, the communication chip is provided for modulating and demodulating an electromagnetic wave.

RFIDおよびリーダライタでは、アンテナは通常ループアンテナであり、各機器に1つのアンテナのみが設けられている。 The RFID and reader-writer, the antenna is usually a loop antenna, only one antenna is provided to each device. これらのアンテナについては、通信相手の機器からの距離が離れたり、アンテナと通信相手の機器の間に電波を遮蔽または障害する物体、例えば金属または液体が存在したりしても、確実に通信することが望まれている。 These antennas, and away distance from a communications partner device, an object for shielding or disorder radio waves between the equipment antenna as a communication partner, even, for example, a metal or a liquid or present, communicate securely it is desired. また、一般的には、各機器は単一の通信チップしか有していないので、アンテナの使用可能な周波数帯域が広くても、単一種類の情報しか利用することはできない。 Also, in general, since each device has only a single communication chip, even wider usable frequency band of the antenna, it can not only use a single type of information.

一方、移動体通信端末の技術分野では、受信感度や送信電波強度を上げるために利得の高いヘリカルアンテナを使用する提案や、複数の通信モードを実行できるように複数の通信制御処理部を使用する提案がすでになされている(例えば特許文献1)。 On the other hand, in the technical field of mobile communication terminals, suggestions and the use of high gain helical antenna in order to increase the reception sensitivity and transmission radio wave intensity, using a plurality of communication control processing unit to run a plurality of communication modes proposals have already been made (for example, Patent Document 1).

特開平11−215022号公報(図7、図8) JP 11-215022 discloses (Figure 7, Figure 8)

通信を行う電子機器には表示装置を有するものが多い。 The electronic device that performs communication often having a display device. 例えば、現在ではほとんどの移動体通信端末に表示装置が設けられているし、RFIDのリーダライタでも同様である。 For example, the display device in the most of the mobile communication terminal is currently provided, it is also an RFID interrogator. またリーダライタで読み書きされるRFIDにも人間への情報提供のために表示装置が設けられることがある。 Also there is the display device for providing information to be human RFID read or written by the reader writer is provided. これらの技術において、アンテナは表示装置とは別個に製造されている。 In these techniques, an antenna is manufactured separately from the display device. 製造コストを減少させるにはより工程を簡略化することが必要である。 It is necessary to simplify the more steps to reduce the production cost.

本発明は、製造の工程を削減することが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供する。 The present invention relates to an electro-optical device capable of reducing a manufacturing process, to provide a manufacturing method and an electronic apparatus of the electro-optical device.

本発明に係る電気光学装置は、表示部および前記表示部を駆動する表示部駆動配線が設けられた少なくとも一つの基板と、各々の少なくとも一部が前記基板に配置された複数の独立したアンテナと、前記複数のアンテナにそれぞれ電気的に接続され、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する複数の通信回路とを備える。 Electro-optical device according to the present invention includes at least one substrate indicator drive wire for driving the display unit and the display unit is provided, and each of at least a part has a plurality of independent disposed on the substrate antenna , wherein each electrically connected to a plurality of antennas, and a plurality of communication circuits for controlling the transmission and reception of data through the connected antenna. そして、前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ層にある。 Then, the portion located above the substrate of each of the plurality of antennas are on the same layer as the conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or the display unit driving wiring.
このように、基板に配置されたアンテナの部分が、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ層にあるので、アンテナを表示部または表示部駆動配線と同工程または連続した工程で製造することが可能になる。 Thus, the portion of the antenna located on the substrate and is in the same layer as the conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or display unit drive wire, the step or continuously and a display unit or a display unit drive wire antenna it is possible to produce in the process. 従って、製造の工程を簡略化することが可能である。 Therefore, it is possible to simplify the manufacturing process. また、基板に配置された複数のアンテナは互いに独立し、複数の通信回路にそれぞれ電気的に接続されているので、それぞれ異なる周波数を使用することができる。 Further, a plurality of antennas arranged on the substrate, independently of one another, since they are electrically connected to a plurality of communication circuits, it is possible to use a different frequency, respectively. 例えば異なる周波数チャネルを用いた複数種類の情報の受信や送信が実現できる。 For example different frequency channel reception and transmission of a plurality of kinds of information can be achieved using.

別の観点からは本発明に係る電気光学装置は、前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材から形成されていてもよい。 Electro-optical device according to the present invention from another aspect, the portion located above the substrate of each of the plurality of antennas, the same conductive materials or semiconductor materials constituting the display unit or the display unit drive wire it may be formed from a conductive material or a semiconductor material.
このように、基板に配置されたアンテナの部分が、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材から形成されているので、アンテナを表示部または表示部駆動配線と同工程または連続した工程で製造することが可能になる。 Thus, the portion of the antenna located on the substrate, because they are formed from the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or display unit drive lines, displays the antenna unit or the display unit It is produced by the drive wiring and the same process or a continuous process it is possible to. 従って、製造の工程を簡略化することが可能である。 Therefore, it is possible to simplify the manufacturing process. また、基板に配置された複数のアンテナは互いに独立し、複数の通信回路にそれぞれ電気的に接続されているので、それぞれ異なる周波数を使用することができる。 Further, a plurality of antennas arranged on the substrate, independently of one another, since they are electrically connected to a plurality of communication circuits, it is possible to use a different frequency, respectively. 例えば異なる周波数チャネルを用いた複数種類の情報の受信や送信が実現できる。 For example different frequency channel reception and transmission of a plurality of kinds of information can be achieved using. 本発明に係る電気光学装置としては、液晶表示装置、OLED(Organic Light Emitting Diode)表示装置、プラズマ表示装置、および電気泳動などが例示される。 The electro-optical device according to the present invention, a liquid crystal display device, OLED (Organic Light Emitting Diode) display device, a plasma display device, and the like electrophoresis can be exemplified.

好ましくは、前記複数のアンテナの少なくとも一つは、導電材または半導体材からなる複数の導電層から形成されている。 Preferably, at least one of the plurality of antennas is formed from a plurality of conductive layers made of conductive material or a semiconductor material.
アンテナが複数の導電層から形成されている形態には、複数の形態がありうる。 The form in which the antenna is formed from a plurality of conductive layers, there may be several forms. 一つは、アンテナが螺旋状に形成されている(各導電層は完結的に閉じたループを構成せず、しかも一つの導電層の一端部は近接する他の導電層に接続されているが、他端部は当該他の導電層に接続されていない)形態である。 One antenna is formed in a spiral shape (each conductive layer does not constitute a complete manner closed loop, yet has one end of one of the conductive layer is connected to another conductive layer proximate the other end is not connected to the other conductive layer) in the form. この場合には、各アンテナは、本質的に、複数巻きのヘリカルアンテナであり、単巻きのアンテナに比べて、通信の信頼性すなわち受信感度や送信電波強度が高い。 In this case, each antenna is essentially a multiple turn of the helical antenna, as compared to single turn antenna, reliable that is, the reception sensitivity and transmission radio wave intensity of the communication.
他の一つの形態では、アンテナが格子状に形成されている(互いに離間した複数の箇所で、導電層が相互に電気的に接続されている)。 In one other embodiment, the antenna is formed in a lattice shape (in a plurality of locations spaced from each other, the conductive layer are electrically connected to each other). この場合には、各アンテナは、並列に接続された複数の導電層を有するが、本質的に単巻きのアンテナと等価である。 In this case, each antenna has a plurality of conductive layers which are connected in parallel, is essentially equivalent to the single-turn antenna. 従って、その受信感度や送信電波強度は高くないが、導電層が並列であるために、一つの導電層が断線しても他の導電層が有効に接続されている限り、アンテナの機能が維持される。 Therefore, although the reception sensitivity and transmission radio wave intensity is not high, because the conductive layer is parallel, as long as one conductive layer is also broken other conductive layer is effectively connected, the antenna function is maintained It is.

いずれの場合にも、互いに近接し合う前記導電層が複数の接続部で互いに電気的に接続されているとさらに好ましい。 In either case, more preferable are electrically connected to each other wherein the conductive layer mutually close to each other by a plurality of connecting portions. これによれば、一つの接続部が断線しても他の接続部が有効に接続されている限り、導電層同士の間の導通が維持される。 According to this, as long as one of the connecting portions of other connection portions be broken it is effectively connected, conduction between the adjacent conductive layer is maintained.

本発明に係る電気光学装置を製造する方法は、前記基板に前記表示部駆動配線を形成する工程と、前記基板に前記表示部を形成する工程と、前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により、前記アンテナのうち前記基板に配置された部分を形成する工程とを備える。 Method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention, forming a step of forming the display portion driving wiring on the substrate and forming the display portion on the substrate, the display unit or the display unit drive wire step and at the same time, by the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or the display unit drive lines, and forming a portion disposed on the substrate of the antenna.
このように基板に配置されたアンテナの部分を、表示部または表示部駆動配線と同工程で同じ導電材または半導体材により形成することによって、製造の工程を簡略化することが可能である。 Thus the portion of the deployed antenna substrate, by forming the same conductive material or a semiconductor material on the display unit or display unit drive wiring in the same step, it is possible to simplify the manufacturing process.

この方法において、前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により、前記複数の通信回路のうち少なくとも一つを形成してもよい。 In this way, simultaneously with the step of forming the display unit or the display unit driving wires, the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or the display unit drive lines, the plurality of communication it may form at least one of the circuit. これによれば、さらに製造の工程を簡略化することが可能である。 According to this, it is possible to further simplify the manufacturing process.

本発明に係る電気光学装置は様々な電子機器に設けることが可能である。 Electro-optical device according to the present invention can be provided in various electronic devices. 例えば、電子機器としては、RFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされるRFIDでもよい。 For example, the electronic apparatus may be a RFID interrogator may be a RFID read and written by the writer.

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. なお、以下に示す図面においては、各部の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。 In the drawings shown below, the from the actual dimensions and ratios of the components are varied as appropriate.

<1. <1. 電気光学装置> Electro-optical device>
以下の説明では、本発明の実施形態に係る電気光学装置として液晶表示パネルを例とする。 In the following description, as an example the liquid crystal display panel as an electro-optical device according to an embodiment of the present invention. 図1に示すように、液晶表示パネル(電気光学装置)100は、互いに対向するアレイ基板102および対向基板104を有する。 1, the liquid crystal display panel (electro-optical apparatus) 100 includes an array substrate 102 and the counter substrate 104 are opposed to each other. アレイ基板102の周縁部と対向基板104の周縁部の間には、周辺シール材106が配置されて、この周辺シール材106が基板102,104を接合する。 Between the peripheral edge of the peripheral portion and the opposite substrate 104 of the array substrate 102, peripheral seal member 106 is arranged, the peripheral seal member 106 is bonded to the substrate 102, 104. 基板102,104の間には多数の球形のスペーサ108が配置されており、スペーサ108によって両者は平行に保たれている。 Between the substrates 102 are arranged spacers 108 of a large number of spherical, both of which are held parallel by a spacer 108. 基板102,104および周辺シール材106により画定された空間には、電気光学材料としての液晶105が充填されている。 The space defined by the substrate 102, 104 and the peripheral sealing material 106, liquid crystal 105 as an electro-optical material is filled.

アレイ基板102の一方の面(対向基板104に対向する面)には透明な画素電極110および画素電極を駆動する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下適宜、TFTと称す)が形成されている。 The thin film transistor on one surface of the array substrate 102 (the surface facing the counter substrate 104) for driving the transparent pixel electrode 110 and the pixel electrode (Thin Film Transistor: hereinafter suitably referred to as TFT) are formed. 対向基板104の一方の面(アレイ基板102に対向する面)には透明な共通電極112が形成されている。 One surface common electrode 112 on the transparent (opposed to the array substrate 102) of the counter substrate 104 is formed. これらの電極を含めてアレイ基板102および対向基板104は、液晶表示パネルの技術分野で知られた材料から製造することが可能である。 The array substrate 102 and the counter substrate 104 including these electrodes can be manufactured from known materials in the art of liquid crystal display panel. 即ち、基板102,104は、支持基板としての透明基板に透明電極駆動用のTFTをなす半導体および透明電極となるITO(indium tin oxide)等を堆積させることにより製造することができる。 That is, the substrate 102 can be prepared by the ITO or the like formed of a semiconductor and the transparent electrode forming the TFT for the transparent electrode driving on a transparent substrate as a supporting substrate (indium tin oxide) is deposited. 画素電極110および共通電極112は、それぞれ配向膜114,116により被覆されている。 Pixel electrodes 110 and the common electrode 112 is covered with the alignment film 114 and 116, respectively. 図示しないが、対向基板104には、複数のカラーフィルタおよびブラックマトリクスを設けてもよい。 Although not shown, the counter substrate 104 may be provided with a plurality of color filters and the black matrix.

アレイ基板102には、二つのアンテナすなわち第1のアンテナ120および第2のアンテナ122が互いに重なり合うように配置されている。 The array substrate 102, two antennas i.e. the first antenna 120 and second antenna 122 are arranged so as to overlap each other. 第1のアンテナ120はアレイ基板102に完全に埋設されている。 The first antenna 120 is completely embedded in the array substrate 102. 一方、第2のアンテナ122の下部はアレイ基板102に埋設されており、最上部が画素電極110と同じ高さにあってアレイ基板102に接合されている。 On the other hand, the lower portion of the second antenna 122 is embedded in the array substrate 102, the top is joined to the array substrate 102 in the same height as the pixel electrode 110.

図1には示さないが、アンテナ120,122の各々は、別個のICチップに接続されている。 Not shown in Figure 1, each antenna 120, 122 is connected to a separate IC chip. 各ICチップは通信回路を内包しており、この通信回路は電磁波を変復調することが可能であって、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する。 Each IC chip has encloses the communication circuit, the communication circuit be capable of modulating and demodulating an electromagnetic wave, and controls the transmission and reception of data through the connected antenna. 従って、アンテナとICチップは非接触通信を行う通信装置を構成する。 Therefore, the antenna and the IC chip constituting the communication device that performs noncontact communication. 電磁波による通信に加えてアンテナ120,122は電磁誘導の原理を用いた充電のために使用されてもよい。 Antenna 120, 122 in addition to communication by electromagnetic waves may be used for charging using the principle of electromagnetic induction. また各ICチップは通信したデータを格納する記憶回路や通信するデータを生成する制御回路を内包していてもよい。 And each IC chip may also be included a control circuit for generating a data storage circuit and communication to store the communication data.

これらのアンテナ120,122は、アレイ基板102の製造時に製造される。 These antennas 120, 122 are produced during the manufacture of the array substrate 102. より具体的には、アレイ基板102に表示部としての画素電極110または画素電極駆動用の駆動配線(TFTを含む)を形成する工程と同時に、画素電極110または画素電極駆動用の駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により形成される。 More specifically, constituting a step and at the same time, drive wire for driving the pixel electrode 110 or the pixel electrode forming the pixel electrode 110 or the driving wiring for driving the pixel electrodes (including TFT) serving as a display unit on the array substrate 102 It is formed by the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material to be. 以下、アレイ基板102の製造方法を説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing the array substrate 102. TFTおよび駆動配線の具体的構成も製造方法の説明を通じて明らかにする。 Specific structure of the TFT and the driving wiring also reveals throughout the description of the manufacturing method.

まず図2に示すように、例えばガラスまたは石英製の支持基板10の上に、合金アンテナ最下層12および遮光層(ブラックマトリクス)14を同一の導電材から同時に形成する。 First, as shown in FIG. 2, for example, on a glass or quartz support substrate 10, at the same time to form an alloy antenna lowermost 12 and the light-shielding layer (black matrix) 14 of the same conductive material. 具体的には、支持基板10の全面に、好ましくは不透明な高融点金属であるTi、Cr、W、Ta、Mo及びPbのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金またはシリサイドの膜を、スパッタリングにより堆積させる。 More specifically, the entire surface of the supporting substrate 10 is preferably opaque refractory metal Ti, Cr, W, Ta, at least one of Mo and Pb, a metal simple substance, a film of an alloy or silicide , it is deposited by sputtering. そして、この膜をエッチングすることにより、アンテナ最下層12と遮光層14をパターニングする。 Then, by etching the film, patterning the light shielding layer 14 and the antenna bottom layer 12.

次に、図3に示すように、アンテナ最下層12および遮光層14の上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁層16を堆積させる。 Next, as shown in FIG. 3, on the antenna lowermost 12 and the light blocking layer 14 is deposited a base insulating layer 16 made of a silicon nitride film or a silicon oxide film or the like. さらに図4に示すように、アンテナ最下層12に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール18を下地絶縁層16に形成する。 As further shown in FIG. 4, to form the holes or antenna contact hole 18 reaching the antenna lowermost 12 in the base insulating layer 16.

次に、図5に示すように、下地絶縁層16の上にトランジスタ能動層22とアンテナ中間層20を同一の半導体材から同時に形成する。 Next, as shown in FIG. 5, simultaneously formed on the underlying insulating layer 16 to the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20 of the same semiconductor material. この時、アンテナコンタクトホール18もアンテナ中間層20の半導体材で埋められる。 At this time, the antenna contact hole 18 is also filled with the semiconductor material of the antenna intermediate layer 20. アンテナ中間層20はアンテナ最下層12に接してこれの上方に形成され、トランジスタ能動層22は遮光層14と間隔をおいてこれの上方に形成される。 Antenna intermediate layer 20 is formed to the upper in contact with the antenna lowermost 12, transistor active layer 22 is formed above the this at a light-shielding layer 14 intervals.

この半導体材は、好ましくは抵抗値の小さい半導体、例えばポリシリコン膜である。 The semiconductor material is a small semiconductor, for example, polysilicon films preferably resistance. 具体的には、ポリシリコン膜の形成は、例えばアモルファスシリコン膜を下地絶縁層16の上に堆積させた後、アモルファスシリコン膜にアニール処理を施せばよい。 Specifically, the formation of the polysilicon film, for example, after an amorphous silicon film is deposited on the underlying insulating layer 16, it may be subjected to annealing the amorphous silicon film. アモルファスシリコン膜を堆積させずに、減圧CVD法等によりポリシリコン膜を下地絶縁層16の上に直接堆積させてもよい。 Without depositing an amorphous silicon film may be deposited directly on the polysilicon film base insulating layer 16 by a low pressure CVD method or the like. そして、この膜をエッチングすることにより、トランジスタ能動層22とアンテナ中間層20をパターニングする。 Then, by etching the film, patterning the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20. 好ましくは、アンテナ中間層20には、さらにその抵抗を低下させる処理が施される。 Preferably, the antenna intermediate layer 20, processing is performed to further reduce the resistance. 例えば、Pイオンを内部に拡散することにより導電化することができる。 For example, it can be conductive by diffusing P ions therein.

次に、図6に示すように、トランジスタ能動層22とアンテナ中間層20を覆うゲート絶縁膜23を形成する。 Next, as shown in FIG. 6, a gate insulating film 23 covering the transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20. ゲート絶縁膜23は、熱酸化シリコン膜24と高温酸化シリコン膜(HTO膜)26を有する。 The gate insulating film 23 has a thermal silicon oxide film 24 and the high-temperature silicon oxide film (HTO film) 26. 熱酸化シリコン膜24は、約900〜1300℃の温度でトランジスタ能動層22とアンテナ中間層20のポリシリコン膜の表面を酸化させることにより得られる。 Thermal silicon oxide film 24 is obtained by oxidizing the surface of the polysilicon film transistor active layer 22 and the antenna intermediate layer 20 at a temperature of about 900 to 1300 ° C.. HTO膜26は、減圧CVD法等により堆積することにより得られる。 HTO film 26 is obtained by depositing by low pressure CVD or the like. さらに図7に示すように、アンテナ中間層20に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール28をゲート絶縁膜23に形成する。 As further shown in FIG. 7, to form the holes or antenna contact hole 28 reaching the antenna intermediate layer 20 on the gate insulating film 23.

次に、図8に示すように、ゲート絶縁膜23の上にゲート電極(走査線)32とアンテナ最上層30を同一の導電材または半導体材から同時に形成する。 Next, as shown in FIG. 8, at the same time to form a gate electrode (scanning line) 32 and an antenna top layer 30 on the gate insulating film 23 of the same conductive material or a semiconductor material. この時、アンテナコンタクトホール28もアンテナ最上層30の導電材または半導体材で埋められる。 At this time, the antenna contact hole 28 is also filled with a conductive material or a semiconductor material of the antenna top layer 30. アンテナ最上層30はアンテナ中間層20に接してこれの上方に形成され、ゲート電極(走査線)32はトランジスタ能動層22と間隔をおいてその上方に形成され、紙面に対する垂直方向に延びている。 Antenna top layer 30 is formed to the upper contact with the antenna intermediate layer 20, a gate electrode (scanning line) 32 is formed above at a transistor active layer 22 and the gap extends in a direction perpendicular to the paper surface .

ゲート電極32とアンテナ最上層30を形成する導電材または半導体材は、金属単体、合金またはシリサイドの膜でもよいし、ポリシリコンの膜でもよい。 Conductive material or a semiconductor material to form the gate electrode 32 and the antenna top layer 30, a metal simple substance, may be a film of an alloy or silicide, or a layer of polysilicon. 例えば、金属単体、合金またはシリサイドの膜を、スパッタリングにより堆積させ、この膜をエッチングすることにより、アンテナ最上層30とゲート電極32をパターニングしてよい。 For example, a simple metal, a film of an alloy or silicide, is deposited by sputtering, by etching the film, may be patterned antenna top layer 30 and the gate electrode 32. また、ポリシリコン膜の内部にPイオンを拡散させて導電化したアンテナ最上層30とゲート電極32を得ることもできる。 It is also possible to obtain an antenna top layer 30 and the gate electrode 32 which is electrically conductive by diffusing P ions into the interior of the polysilicon film. この時点で、アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の三つの導電層を有する第1のアンテナ120が形成される。 At this point, the antenna bottom layer 12, a first antenna 120 having three conductive layers of the antenna intermediate layer 20 and the antenna top layer 30 is formed.

次に、図9に示すように、ゲート電極32とアンテナ最上層30を覆う層間絶縁膜34を形成する。 Next, as shown in FIG. 9, an interlayer insulating film 34 covering the gate electrode 32 and the antenna top layer 30. 層間絶縁膜34は例えばCVD法等により酸化シリコンまたは窒化シリコンを堆積させることにより形成できる。 Interlayer insulating film 34 may be formed by depositing silicon oxide or silicon nitride, for example, by a CVD method or the like. さらに、トランジスタ能動層22に到達する対になった穴を層間絶縁膜34およびゲート絶縁膜23に形成し、これらの穴を埋めるソース電極36およびドレイン電極37を導電材から形成する。 Further, a hole paired reaching the transistor active layer 22 are formed in the interlayer insulating film 34 and the gate insulating film 23, a source electrode 36 and drain electrode 37 fill these holes of a conductive material. ソース電極36およびドレイン電極37の形成と同時に、別のアンテナ(第2のアンテナ122)のアンテナ最下層38を同じ導電材によって形成することができる。 Simultaneously with the formation of the source electrode 36 and drain electrode 37, it is possible to form the antenna top layer 38 of another antenna (second antenna 122) by the same conductive material. 図示の形態では、アンテナ最下層38は、既に形成された第1のアンテナ120の上方に形成されているが、他の箇所に形成してもよい。 In the illustrated embodiment, the antenna bottom layer 38 has been formed over the first antenna 120 which has already been formed may be formed elsewhere.

さらに、ソース電極36、ドレイン電極37およびアンテナ最下層38を覆う層間絶縁膜40を形成する。 Further, an interlayer insulating film 40 covering the source electrode 36, drain electrode 37 and the antenna lowermost 38. 層間絶縁膜40も層間絶縁膜34と同様に形成できる。 Interlayer insulating film 40 can be formed in the same manner as the interlayer insulating film 34. また、アンテナ最下層38に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール42を層間絶縁膜40に形成する。 Also, to form the holes or antenna contact hole 42 reaching the antenna lowermost 38 in the interlayer insulating film 40.

次に、図10に示すように、層間絶縁膜40の上に容量電極(容量電極線)46とアンテナ中間層48を同一の導電材または半導体材から同時に形成する。 Next, as shown in FIG. 10, at the same time to form a capacitor electrode (capacitor electrode line) 46 and an antenna intermediate layer 48 on the interlayer insulating film 40 of the same conductive material or a semiconductor material. この時、アンテナコンタクトホール42もアンテナ中間層48の導電材または半導体材で埋められる。 At this time, the antenna contact holes 42 filled with conductive material or a semiconductor material of the antenna intermediate layer 48. アンテナ中間層48はアンテナ最下層38に接してこれの上方に形成され、容量電極46はゲート電極(走査線)32と間隔をおいてその上方に形成され、紙面に対する垂直方向に延びている。 Antenna intermediate layer 48 is formed to the upper in contact with the antenna lowermost 38, capacitor electrode 46 is formed above at a gate electrode (scanning line) 32 and spacing and extend in the direction perpendicular to the paper surface. 容量電極46とアンテナ中間層48を形成する導電材または半導体材は、前述のゲート電極32とアンテナ最上層30を形成する導電材または半導体材と同様でよく、同様に形成することができる。 Conductive material or a semiconductor material to form a capacitor electrode 46 and the antenna intermediate layer 48 may be the same as the conductive material or a semiconductor material to form the gate electrode 32 and the antenna top layer 30 described above, it can be similarly formed.

次に、図11に示すように、容量電極46とアンテナ中間層48を覆う層間絶縁膜50を形成する。 Next, as shown in FIG. 11, an interlayer insulating film 50 covering the capacitor electrode 46 and the antenna intermediate layer 48. 層間絶縁膜50も例えばCVD法等により酸化シリコンまたは窒化シリコンを堆積させることにより形成できる。 Interlayer insulating film 50 may be for example formed by depositing silicon oxide or silicon nitride by a CVD method or the like. さらに、ソース電極36とドレイン電極37に到達する対になった穴を層間絶縁膜50,40に形成するとともに、アンテナ中間層48に到達する穴(アンテナコンタクトホール)を層間絶縁膜50に形成する。 Further, to form a hole paired reaching the source electrode 36 and drain electrode 37 in the interlayer insulating film 50, 40 is formed in the interlayer insulating film 50 holes (antenna contact hole) reaching the antenna intermediate layer 48 . そして、これらの穴を導電材で埋めることにより、アンテナ中間層52、ソース電極(データ線)54およびドレイン電極55を形成する。 By filling these holes with conductive material to form an antenna intermediate layer 52, the source electrode (data line) 54 and a drain electrode 55. このようにして同一の導電材によりアンテナ中間層52、ソース電極54およびドレイン電極55は同時に形成される。 Antenna intermediate layer 52 by the same conductive material in this way, the source electrode 54 and drain electrode 55 are simultaneously formed. アンテナ中間層52はアンテナ中間層48と接してこれの上方に形成され、ソース電極54はソース電極36と接してこれの上方に形成され、ドレイン電極55はドレイン電極37と接してこれの上方に形成されている。 Antenna intermediate layer 52 is formed to the upper in contact with the antenna intermediate layer 48, the source electrode 54 is formed above the this in contact with the source electrode 36, drain electrode 55 is above the this in contact with the drain electrode 37 It is formed.

さらにソース電極54、ドレイン電極55およびアンテナ中間層52を覆う層間絶縁膜56を形成する。 Further forming an interlayer insulating film 56 covering the source electrode 54, the drain electrode 55 and the antenna intermediate layer 52. 層間絶縁膜56も層間絶縁膜34と同様に形成できる。 Interlayer insulating film 56 can be formed also in the same manner as the interlayer insulating film 34. また、ドレイン電極55およびアンテナ最下層38に到達する穴すなわちアンテナコンタクトホール42を層間絶縁膜56に形成する。 Also, to form the holes or antenna contact holes 42 reaching the drain electrode 55 and the antenna lowermost 38 in the interlayer insulating film 56. この後、これらの穴をITO(Indium Tin Oxide)で埋めることにより、画素電極110およびアンテナ最上層58を形成する。 Thereafter, by filling these holes with ITO (Indium Tin Oxide), to form the pixel electrode 110 and the antenna top layer 58. このようにして同一の導電材により画素電極110およびアンテナ最上層58は同時に形成される。 Thus the pixel electrode 110 and the antenna top layer 58 by the same conductive material in the are simultaneously formed. 画素電極110はドレイン電極55と接してこれの上方に形成され、ソース電極54はソース電極36と接してこれの上方に形成され、ドレイン電極55はドレイン電極37と接してこれの上方に形成されている。 The pixel electrode 110 is formed to the upper in contact with the drain electrode 55, source electrode 54 is formed above the this in contact with the source electrode 36, drain electrode 55 is formed to the upper in contact with the drain electrode 37 ing. この時点で、アンテナ最下層38、アンテナ中間層48,52およびアンテナ最上層58の四つの導電層を有する第2のアンテナ122が形成される。 At this point, the antenna bottom layer 38, a second antenna 122 having four conductive layers of the antenna intermediate layer 48, 52 and the antenna top layer 58 is formed.

以上のようにして、表示部としての画素電極110と、画素電極駆動用の駆動配線(TFTを含む)と、第1のアンテナ120と、第2のアンテナ122を備えたアレイ基板102が形成される。 As described above, the pixel electrode 110 as a display unit, the drive wire for driving the pixel electrodes (including TFT), a first antenna 120, the array substrate 102 having a second antenna 122 is formed that. このようにアレイ基板102に配置されたアンテナの部分を、表示部または表示部駆動配線と同工程で同じ導電材または半導体材により形成することによって、製造の工程を簡略化することが可能である。 Thus the portion of the arranged antenna array substrate 102, by forming the same conductive material or a semiconductor material on the display unit or display unit drive wiring in the same step, it is possible to simplify the manufacturing process .

図12は、アレイ基板102の一例の透視斜視図である。 Figure 12 is an example transparent perspective view of the array substrate 102. この図では、第1のアンテナ120および第2のアンテナ122を重視し、画像範囲となる画素電極および駆動配線の図示を省略している。 In this figure, the first antenna 120 and second antenna 122 emphasizes, are omitted pixel electrode and the driving wiring to be the image area. 第1のアンテナ120は、アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の三つの導電層を備えており、格子状に形成されている。 The first antenna 120 includes an antenna bottom layer 12 has a three conductive layers of the antenna intermediate layer 20 and the antenna top layer 30, it is formed in a lattice shape. つまり互いに離間した複数の箇所で、導電層が相互に電気的に接続されている。 That at a plurality of points spaced from each other, the conductive layer are electrically connected to each other. アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の各々には、導電性のない隙間S1が設けられている。 Antenna lowermost 12, each of the antenna intermediate layer 20 and the antenna top layer 30, nonconductive gap S1 is provided.

第1のアンテナ120には、上述した通信回路などを内包したICチップ124が接続されている。 The first antenna 120, IC chip 124 containing therein a communication circuit described above is connected. ICチップ124の両方の端子から延びた接続線125は、隙間S1を挟んだアンテナ最上層30の両端に接続されている。 Connecting lines 125 extending from both terminals of the IC chip 124 is connected to both ends of the antenna top layer 30 across the gap S1.

また、第2のアンテナ122は、アンテナ最下層38、アンテナ中間層48、アンテナ中間層52およびアンテナ最上層58の四つの導電層を備えており、やはり格子状に形成されている。 The second antenna 122 is an antenna bottom layer 38, the antenna intermediate layer 48 comprises four conductive layer of the antenna intermediate layer 52 and the antenna top layer 58, it is also formed in a grid pattern. アンテナ最下層38、アンテナ中間層48、アンテナ中間層52およびアンテナ最上層58には、導電性のない隙間S2が設けられている。 Antenna lowermost 38, the antenna intermediate layer 48, the antenna intermediate layer 52 and the antenna top layer 58, nonconductive gap S2 is provided.

第2のアンテナ122には、上述した通信回路などを内包したICチップ126が接続されている。 The second antenna 122, IC chip 126 containing therein a communication circuit described above is connected. ICチップ126の両方の端子は、隙間S2を挟んだアンテナ最上層58の両端に接続されている。 Both terminals of the IC chip 126 is connected to both ends of the antenna top layer 58 across the gap S2.

この例では、格子状に形成されたアンテナ120,122の各々は、並列に接続された複数の導電層を有するが、本質的に単巻きのアンテナと等価である。 In this example, each antenna 120, 122 formed in a lattice pattern, which has a plurality of conductive layers which are connected in parallel, is essentially equivalent to the single-turn antenna. 従って、その受信感度や送信電波強度は高くないが、導電層が並列であるために、一つの導電層が断線しても他の導電層が有効に接続されている限り、アンテナの機能が維持される。 Therefore, although the reception sensitivity and transmission radio wave intensity is not high, because the conductive layer is parallel, as long as one conductive layer is also broken other conductive layer is effectively connected, the antenna function is maintained It is. また、互いに近接し合う導電層が複数の接続部で互いに電気的に接続されているので、一つの接続部が断線しても他の接続部が有効に接続されている限り、導電層同士の間の導通が維持される。 Further, since the electrically connected to each other conductive layer mutually close to each other by a plurality of connecting portions, as long as one of the connecting portion is the other connection portion is effectively connected disconnected, conductive layer between the conduction between is maintained.

図13は、アレイ基板102の他の例の透視斜視図である。 Figure 13 is a transparent perspective view of another example of the array substrate 102. この図でも図13と同様に、第1のアンテナ120および第2のアンテナ122を重視し、画像範囲となる画素電極および駆動配線の図示を省略している。 FIG even similar to FIG. 13, the first antenna 120 and second antenna 122 emphasizes, are omitted pixel electrode and the driving wiring to be the image area. 第1のアンテナ120は、アンテナ最下層12、アンテナ中間層20およびアンテナ最上層30の三つの導電層を備えており、螺旋状に形成されている。 The first antenna 120 includes an antenna bottom layer 12 has a three conductive layers of the antenna intermediate layer 20 and the antenna top layer 30, it is formed in a spiral shape. つまり各導電層は完結的に閉じたループを構成せず、しかも一つの導電層の一端部は近接する他の導電層に接続されているが、他端部は当該他の導電層に接続されていない。 That is, each conductive layer does not constitute a complete manner closed loop, yet has one end of one of the conductive layer is connected to another conductive layer proximate the other end is connected to the other conductive layer not. ICチップ124の両方の端子から延びた接続線125は、アンテナ最上層30の一端とアンテナ最下層12の一端に接続されている。 Connecting lines 125 extending from both terminals of the IC chip 124 is connected to one ends of the antenna lowermost 12 of the antenna top layer 30.

また、第2のアンテナ122は、アンテナ最下層38、アンテナ中間層48、アンテナ中間層52およびアンテナ最上層58の四つの導電層を備えており、やはり螺旋状に形成されている。 The second antenna 122 is an antenna bottom layer 38, the antenna intermediate layer 48 comprises four conductive layer of the antenna intermediate layer 52 and the antenna top layer 58, it is also formed in a spiral shape. ICチップ126は、アンテナ最上層58の一端とアンテナ最下層38の一端に接続されている。 IC chip 126 is connected to one ends of the antenna lowermost 38 of the antenna top layer 58. この例では、アンテナ120,122の各々は、本質的に、複数巻きのヘリカルアンテナであり、単巻きのアンテナに比べて、通信の信頼性すなわち受信感度や送信電波強度が高い。 In this example, each antenna 120, 122 is essentially a multiple turn of the helical antenna, as compared to single turn antenna, reliable that is, the reception sensitivity and transmission radio wave intensity of the communication. この例でも、図示のように、導電層の端部は、複数の接続部で互いに電気的に接続されているので、一つの接続部が断線しても他の接続部が有効に接続されている限り、導電層同士の間の導通が維持される。 In this example, as shown, the end portion of the conductive layer, since they are electrically connected to each other by a plurality of connecting portions, the other connecting portion even one connection portion is broken is effectively connected as long as, conduction between the adjacent conductive layer is maintained.

図12および図13に示されたいずれの例でも、アレイ基板102に配置された複数のアンテナ120,122は互いに独立し、ICチップ124,126にそれぞれ電気的に接続されているので、それぞれ異なる周波数帯を使用することができる。 In both examples shown in FIGS. 12 and 13, a plurality of antennas 120, 122 arranged on the array substrate 102 may be each independently, since each of the IC chips 124 and 126 are electrically connected, respectively different it is possible to use the frequency band. 従って、この液晶表示パネルを持つ電子機器としては、例えば異なる周波数チャネルを用いた複数種類の情報の受信や送信が実現できる。 Accordingly, the electronic apparatus having the liquid crystal display panel, the reception and transmission of a plurality of kinds of information can be realized using, for example, different frequency channels.

図12および図13に示されたいずれの例でも、アンテナ120,122と同様に、ICチップ124,126とアンテナ120,122とを接続する接続線(例えば接続線125)を、表示部または表示部駆動配線を形成する工程と同時に、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により形成してもよい。 In both examples shown in FIGS. 12 and 13, similarly to the antenna 120, 122, connecting lines for connecting the IC chip 124 and the antenna 120, 122 (e.g., connection lines 125), a display unit or a display simultaneously with the step of forming a section drive wiring may be formed of the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material forming the display unit or display unit drive wire.

ICチップ124,126は、アレイ基板102の内部に配置せずに別個に製造してアレイ基板102に実装することができる。 IC chips 124, 126 can be mounted on the array substrate 102 manufactured separately without placing inside the array substrate 102. 但し、ICチップ124,126と等価な通信回路を、表示部または表示部駆動配線を形成する工程と同時に、表示部または表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により形成してもよい。 However, an equivalent communication circuit and IC chip 124, a display unit or a display unit drive lines simultaneously with the step of forming the display portion or the conductive material constituting the display portion driving wiring or a semiconductor material and the same conductive material or a semiconductor material it may be formed by. これによれば、さらに製造の工程を簡略化することが可能である。 According to this, it is possible to further simplify the manufacturing process. この場合、アレイ基板102内の通信回路が配置される位置(高さ)は任意である。 In this case, the position where the communication circuit of the array substrate 102 is placed (height) is optional.

図14から図17は、画素領域130の周囲に設けられたアンテナ120,122の配置例である。 FIGS. 14 17 is an arrangement example of the antenna 120, 122 provided around the pixel region 130. このようにアンテナ120,122は様々なパターンで配置することができる。 Thus the antenna 120, 122 may be arranged in various patterns. このほかのパターンを採用することもできる。 It is also possible to adopt this other pattern. なお、液晶表示パネルでは、走査線、データ線等が画素領域130の外部の駆動回路に接続されているので、アンテナ120,122を構成する導電層がこれらの線に接することなく避けるように配置しなければならない。 In the liquid crystal display panel, scan lines, the data lines and the like are connected to the external driving circuit of the pixel region 130, disposed so as to avoid without conductive layer constituting the antenna 120, 122 is in contact with these lines Must. 尚、アンテナ同士を互いに重ならないように配置すると、受信状態等がより向上される。 Incidentally, when placed so as not to overlap the antenna together with each other, the reception state and the like can be further improved. 個々のアンテナは、アンテナ部分を形成していない層のパターン等の遮蔽物と重ならないように配置すると、受信状態等がより向上される。 Individual antennas, when arranged so as not to overlap with the shielding object such as a pattern layer not forming the antenna portion, the reception state and the like can be further improved. アンテナを表示部駆動配線と重ならないように配置すると、カップリング容量等の増加による表示部駆動配線の駆動信号の遅延や液晶への書込み能力の低下等によるコントラスト等のパネル特性の低下を防ぐこともできる。 When arranged so as not to overlap with the display unit drive wire antenna, to prevent degradation of the panels characteristics such as the contrast due to deterioration or the like of the writing ability of the delays and the liquid crystal driving signal of the display unit drive wire due to an increase in such coupling capacitance It can also be.

以上、電気光学装置100として液晶表示パネルを例示したが、電気光学装置100の構成の如何は不問である。 It has been described by way of the liquid crystal display panel as the electro-optical device 100, whether the configuration of an electro-optical device 100 is unquestioned. 例えば、有機EL(Electroluminescent)表示パネルなどのOLED(Organic Light Emitting Diode)表示パネル、プラズマ表示パネル、電気泳動表示パネルなど各種の表示パネルに本発明が適用され得る。 For example, OLED, such as an organic EL (Electroluminescent) display panel (Organic Light Emitting Diode) display panel, a plasma display panel, the present invention can be applied to various display panels such as an electrophoretic display panel.

<2. <2. 電子機器> Electronic devices>
図18は、本発明に係る電気光学装置を備える携帯型電子機器140を示す。 Figure 18 shows a portable electronic device 140 comprises an electro-optical device according to the present invention. 携帯型電子機器140はRFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされるRFIDでもよい。 Portable electronic device 140 may be a RFID interrogator may be a RFID read and written by the writer. 図示のように、携帯型電子機器140では、電気光学装置の画素領域142の周囲にアンテナ120,122が配置されている。 As shown, the portable electronic device 140, an antenna 120, 122 around the pixel region 142 of the electro-optical device is disposed. この携帯型電子機器140には、入力装置としての各種のボタンおよびキーが設けられており、その中のボタン144は、第1のアンテナ120とICチップ124を有する非接触通信装置と、第2のアンテナ122とICチップ126を有する非接触通信装置のいずれを使用するか選択的に切り替えるために押し下げられる。 The portable electronic device 140, various buttons and keys are provided as an input device, the button 144 therein, a non-contact communication device having a first antenna 120 and the IC chip 124, second depressed to switch if selectively use one of the non-contact communication device including an antenna 122 and the IC chip 126.

要するに、この携帯型電子機器140は、ある周波数帯を用いて第1のアンテナ120とICチップ124によってある種の情報の受信または送信を行う第1の通信モードと、他の周波数帯を用いて第2のアンテナ122とICチップ126によって他の種の情報の受信または送信を行う第2の通信モードで動作できる。 In short, the portable electronic device 140 uses a first communication mode for receiving or transmitting certain information by the first antenna 120 and the IC chip 124 by using a certain frequency band, other frequency bands the second antenna 122 and the IC chip 126 can operate in a second communication mode for performing reception or transmission of other species information. そしてボタン144は、第1の通信モードと第2の通信モードとを切り替える。 The button 144 switches the first communication mode and the second communication mode.

図19は、本発明に係る電気光学装置を備える他の携帯型電子機器150を示す。 Figure 19 shows another portable electronic device 150 comprising an electro-optical device according to the present invention. 携帯型電子機器150もRFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされるRFIDでもよい。 Portable electronic device 150 also may be a RFID interrogator may be a RFID read and written by the writer. 図示のように、携帯型電子機器150は、表示部筐体156と操作部筐体158とを備える。 As shown, the portable electronic device 150 includes a display housing 156 and the operating section housing 158.

表示部筐体156および操作部筐体158はヒンジ部160により連結されている。 Display housing 156 and the operation unit casing 158 are connected by a hinge portion 160. ヒンジ部160を中心として操作部筐体158に対して表示部筐体156は相対的に回転する。 Display housing 156 relative to the operation section housing 158 around the hinge portion 160 is relatively rotated. つまり、携帯型電子機器150は折り畳み式であり、図19(A)に示す開いた姿勢と、図19(B)に示す閉じた姿勢(筐体156,158が重なった姿勢)を取ることができる。 In other words, the portable electronic device 150 is a collapsible, to take a posture in which open shown in FIG. 19 (A), the posture closed shown in FIG. 19 (B) and (attitude housing 156, 158 are overlapped) it can.

操作部筐体158には入力装置としての各種のボタンおよびキーが設けられ、表示部筐体156には主画面152および副画面154が設けられている。 The operation unit casing 158 is provided various buttons and keys as an input device, the main screen 152 and the sub screen 154 is provided in the display housing 156. 主画面152は表示部筐体156の内面にて露出する。 The main screen 152 is exposed at the inner surface of the display housing 156. この内面とは、図19(A)に示す開いた姿勢で現れ、図19(B)に示す閉じた姿勢では操作部筐体158に覆われて隠れてしまう面である。 And the inner surface, appear in a posture open shown in FIG. 19 (A), in the closed position shown in FIG. 19 (B) is a surface hidden covered by the operation section housing 158. 他方、副画面154は表示部筐体156の外面に露出する。 On the other hand, the sub screen 154 is exposed to the outer surface of the display housing 156. この外面とは上記の内面の裏側にあり、携帯型電子機器150の姿勢に関わらず常に現れている面である。 This outer surface is located on the rear side of the inner surface is a surface always appears regardless of the orientation of the portable electronic device 150.

主画面152および副画面154は、二つの電気光学装置の各々の表示面でよいし、デュアルエミッションタイプ(両面発光形式:反対の二方向に発光する形式)の一つの電気光学装置の両方の発光面でよい。 The main screen 152 and the sub screen 154 may be the display surface of each of the two electro-optical device, the dual emission type: Both single electro-optical device (dual emission type format emitting in opposite two directions) emission surface may be. 実現されているデュアルエミッションタイプの電気光学装置としては、有機EL表示パネルが知られている。 The electro-optical device having a dual emission type being implemented, the organic EL display panel is known. デュアルエミッションタイプの電気光学装置には、表示する画像を瞬時に左右反転できる機能を有しており、主画面および副画面の両方に同じ画像を同時に表示することができるものがあるが、この電気光学装置を用いてもよい。 The dual emission type electro-optical device has a function capable of horizontally inverting the image to be displayed instantaneously, it is one capable of displaying the same image at the same time both the main screen and sub-screen, the electric it may be used an optical device.

表示部筐体156では、画素領域(主画面152および副画面154)の周囲にアンテナ120,122が配置されている。 The display housing 156, an antenna 120, 122 are disposed around the pixel region (the main screen 152 and the sub screen 154). 第1のアンテナ120は主画面152が露出した内面に近い層に設けられており、第2のアンテナ122は副画面154が露出した外面に近い層に設けられている。 The first antenna 120 is mainly screen 152 is provided in a layer close to the inner surface exposed, the second antenna 122 is provided in a layer near the outer surface of the sub screen 154 is exposed.

表示部筐体156には突起164が形成されており、操作部筐体158にはボタン166が設けられている。 The display housing 156 is formed protrusions 164, button 166 is provided on the operation unit casing 158. ボタン166は、第1のアンテナ120とICチップ124を有する非接触通信装置と、第2のアンテナ122とICチップ126を有する非接触通信装置のいずれを使用するか選択的に切り替えるために設けられている。 Button 166 is provided for switching the first non-contact communication device including an antenna 120 and IC chip 124, or selectively use one of the non-contact communication device having a second antenna 122 and the IC chip 126 ing.

要するに、この携帯型電子機器150は、ある周波数帯を用いて第1のアンテナ120とICチップ124によってある種の情報の受信または送信を行う第1の通信モードと、他の周波数帯を用いて第2のアンテナ122とICチップ126によって他の種の情報の受信または送信を行う第2の通信モードで動作できる。 In short, the portable electronic device 150 uses a first communication mode for receiving or transmitting certain information by the first antenna 120 and the IC chip 124 by using a certain frequency band, other frequency bands the second antenna 122 and the IC chip 126 can operate in a second communication mode for performing reception or transmission of other species information. そしてボタン166は、第1の通信モードと第2の通信モードとを切り替える。 The button 166 switches the first communication mode and the second communication mode. 具体的には、図19(B)に示す閉じた姿勢では突起164でボタン166が押し下げられ、携帯型電子機器150の動作モードは第2の通信モードになる。 Specifically, in the closed position shown in FIG. 19 (B) button 166 is depressed by the protrusion 164, the operation mode of the portable electronic device 150 comprises a second communication mode. また、図19(A)に示す開いた姿勢では突起164がボタン166から離れ、携帯型電子機器150の動作モードは第1の通信モードになる。 Further, in the posture open shown in FIG. 19 (A) away from the protrusion 164 the button 166, the operation mode of the portable electronic device 150 comprises a first communication mode.

<3. <3. 変形例> Modification>
上記実施形態に対しては種々の変形が施される。 For the above embodiments and various modifications are performed. 具体的な変形の態様は以下の通りである。 Specific modifications are as follows. 以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。 The following aspects may be combined as appropriate.

(1)上記の実施形態では、アンテナ120,122の全体がアレイ基板102の製造と同時に形成されているが、アンテナの一部だけをアレイ基板102と同時に製造し、アンテナの他の部分がアレイ基板102とは別個に製造して、アレイ基板102上のアンテナの部分と接続してもよい(例えば、他のフィルムや板の上に形成されていてもよい)。 (1) In the embodiments, the whole of the antenna 120, 122 is formed simultaneously with the manufacture of the array substrate 102, only a portion of the antenna array substrate 102 simultaneously with manufacturing, other parts of the antenna array the substrate 102 is manufactured separately, may be connected to the antenna part on the array substrate 102 (e.g., may be formed on the other film or plate).

(2)図18および図19に示す携帯型電子機器140,150には、第1の通信モードと第2の通信モードとを切り替えるボタンが設けられている。 (2) The portable electronic device 140 and 150 shown in FIGS. 18 and 19, a button for switching between a first communication mode and the second communication mode is provided. 但し、通信モードの切り替えを行わずに、第1のアンテナ120とICチップ124を有する非接触通信装置と、第2のアンテナ122とICチップ126を有する非接触通信装置の両方を継続的に同時に使用するようにしてもよい。 However, without switching the communication mode, a non-contact communication device having a first antenna 120 and the IC chip 124, the second antenna 122 and the IC chip 126 both of the non-contact communication device continuously concurrently with it may be used. すなわち両方の周波数帯を使用して別個の種類の通信を継続的に行うようにしてもよい。 That both frequency bands communications distinct types may be continuously performed using.

(3)上記の実施形態においては、一つの電気光学装置が二つのアンテナ120,122およびICチップ124,126を有するが、アンテナおよびICチップの個数を実施形態に限定する意図ではない。 (3) In the above embodiment, although one of the electro-optical device having two antennas 120, 122 and IC chip 124, 126, are not intended to limit the number of antennas and the IC chip to the embodiment. 三つ以上のアンテナおよびICチップを設けることも可能である。 It is also possible to provide three or more antennas and IC chips. 電気光学装置の表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材のいずれをアンテナの導電層と同じ層にするのかも実施形態に限定されずに、変更してよい。 Without being limited to any conductive material or a semiconductor material which constitutes the display portion or the display driving wiring of the electro-optical device to be embodiments of the same layer as the antenna of the conductive layer may be changed.

本発明の実施形態に係る電気光学装置である液晶表示パネルを示す断面図である。 The liquid crystal display panel which is an electro-optical device according to an embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 本発明の実施形態において、アンテナを形成しながら液晶表示パネルのアレイ基板を製造する方法の最初の工程を示す断面図である。 In an embodiment of the present invention, it is a cross-sectional view showing a first step of a method of manufacturing the array substrate of the liquid crystal display panel while forming an antenna. 図2の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図3の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図4の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図5の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図6の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図7の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図8の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図9の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 図10の次の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a step subsequent to FIG. 10. 前記方法で製造されたアレイ基板の一例の透視斜視図である。 It is a transparent perspective view of an exemplary array substrate manufactured by the above method. 前記方法で製造されたアレイ基板の他の例の透視斜視図である。 It is a transparent perspective view of another example of the array substrate manufactured by the method. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの一例を示す平面図である。 Is a plan view showing an example of a pattern of an antenna can be produced in the present invention. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの他の例を示す平面図である。 It is a plan view showing another example of a pattern of the antenna which can be produced by the present invention. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの他の例を示す平面図である。 It is a plan view showing another example of a pattern of the antenna which can be produced by the present invention. 本発明で製造しうるアンテナのパターンの他の例を示す平面図である。 It is a plan view showing another example of a pattern of the antenna which can be produced by the present invention. 本発明の実施形態に係る電気光学装置を備える携帯型電子機器を示す正面図である。 A portable electronic device including the electro-optical device according to an embodiment of the present invention is a front view showing. (A)は本発明の実施形態に係る電気光学装置を備える他の携帯型電子機器の開いた状態を示す正面図であり、(B)はこの携帯型電子機器の閉じた状態を示す背面図である。 (A) is a front view showing another open state of the portable electronic apparatus including the electro-optical device according to an embodiment of the present invention, (B) is a rear view showing a closed state of the portable electronic device it is.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10…支持基板、12…アンテナ最下層、14…遮光層、16…下地絶縁層、18…アンテナコンタクトホール、20…アンテナ中間層、22…トランジスタ能動層、23…ゲート絶縁膜、24…熱酸化シリコン膜、26…高温酸化シリコン膜(HTO膜)、28…アンテナコンタクトホール、30…アンテナ最上層、32…ゲート電極(走査線)、34…層間絶縁膜、36…ソース電極、37…ドレイン電極、38…アンテナ最下層、40…層間絶縁膜、42…アンテナコンタクトホール、46…容量電極、48…アンテナ中間層、50…層間絶縁膜、52…アンテナ中間層、54…ソース電極(データ線)、55…ドレイン電極、56…層間絶縁膜、58…アンテナ最上層、100…電気光学装置、102…アレイ基板、104…対向基 10 ... supporting substrate, 12 ... antenna lowermost, 14 ... light shielding layer, 16 ... base insulating layer, 18 ... antenna contact hole, 20 ... antenna middle layer, 22 ... transistor active layer, 23 ... gate insulating film, 24 ... thermal oxidation silicon film, 26 ... hot silicon oxide film (HTO film), 28 ... antenna contact hole, 30 ... antenna top layer, 32 ... gate electrode (scanning line), 34 ... interlayer insulation film, 36 ... source electrode, 37 ... drain electrode , 38 ... antenna lowermost, 40 ... interlayer insulation film, 42 ... antenna contact hole, 46 ... capacitor electrode, 48 ... antenna middle layer, 50 ... interlayer insulation film, 52 ... antenna middle layer, 54 ... source electrode (data line) 55 ... drain electrode, 56 ... interlayer insulation film, 58 ... antenna top layer, 100 ... electro-optical device, 102 ... the array substrate, 104 ... opposed base 、110…画素電極、112…共通電極、120…第1のアンテナ、122…第2のアンテナ、124,126…ICチップ、140…携帯型電子機器、150…携帯型電子機器、152…主画面、154…副画面。 , 110 ... pixel electrode, 112 ... common electrode, 120 ... first antenna, 122 ... second antenna, 124, 126 ... IC chip, 140 ... portable electronic device, 150 ... portable electronic device, 152 ... main screen , 154 ... sub-screen.

Claims (10)

  1. 表示部および前記表示部を駆動する表示部駆動配線が設けられた少なくとも一つの基板と、 At least one substrate indicator drive wire for driving the display unit and the display unit is provided,
    各々の少なくとも一部が前記基板に配置された複数の独立したアンテナと、 A plurality of independent antenna each at least partially disposed in said substrate,
    前記複数のアンテナにそれぞれ電気的に接続され、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する複数の通信回路とを備え、 Wherein each of the plurality of antennas are electrically connected, and a plurality of communication circuits for controlling the transmission and reception of data through the connected antenna,
    前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ層にある電気光学装置。 It said plurality of arranged portions in the substrate of each of the antennas is, the electro-optical device in the same layer as the conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or the display unit driving wiring.
  2. 表示部および前記表示部を駆動する表示部駆動配線が設けられた少なくとも一つの基板と、 At least one substrate indicator drive wire for driving the display unit and the display unit is provided,
    各々の少なくとも一部が前記基板に配置された複数の独立したアンテナと、 A plurality of independent antenna each at least partially disposed in said substrate,
    前記複数のアンテナにそれぞれ電気的に接続され、接続されたアンテナを介したデータの送受信を制御する複数の通信回路とを備え、 Wherein each of the plurality of antennas are electrically connected, and a plurality of communication circuits for controlling the transmission and reception of data through the connected antenna,
    前記複数のアンテナの各々のうち前記基板に配置された部分が、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材から形成されている電気光学装置。 It said plurality of arranged portions in the substrate of each of the antennas is, the display unit or the display unit an electro-optical device which is formed from the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material constituting the drive wires.
  3. 前記複数のアンテナの少なくとも一つは、導電体または半導体材からなる複数の導電層から形成されている請求項1または請求項2に記載の電気光学装置。 It said plurality of at least one antenna, an electro-optical device according to claim 1 or claim 2 which is formed from a plurality of conductive layers made of a conductor or semiconductor material.
  4. 互いに近接し合う前記導電層が複数の接続部で互いに電気的に接続されている請求項3に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 3 which is electrically connected to each other wherein the conductive layer mutually close to each of a plurality of connecting portions to each other.
  5. 請求項1または請求項2に記載の電気光学装置を製造する方法であって、 A method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1 or claim 2,
    前記基板に前記表示部駆動配線を形成する工程と、 A step of forming the display portion driving wiring on the substrate,
    前記基板に前記表示部を形成する工程と、 A step of forming the display portion on the substrate,
    前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導電体材と同じ導電材または半導体材により、前記アンテナのうち前記基板に配置された部分を形成する工程とを備える電気光学装置の製造方法。 Simultaneously with the step of forming the display unit or the display unit driving wires, the same conductive material or a semiconductor material and the conductive material or semiconductive material member constituting the display unit or the display unit drive lines, said one of the antenna substrate method of manufacturing an electro-optical device and forming a portion located.
  6. 前記表示部または前記表示部駆動配線を形成する工程と同時に、前記表示部または前記表示部駆動配線を構成する導電材または半導体材と同じ導電材または半導体材により、前記複数の通信回路のうち少なくとも一つを形成する工程をさらに備える請求項5に記載の電気光学装置の製造方法。 Simultaneously with the step of forming the display unit or the display unit driving wires, the same conductive material or a semiconductor material and conductive material or a semiconductor material constituting the display unit or the display unit drive lines, at least one of the plurality of communication circuits the method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, further comprising the step of forming one.
  7. 前記複数のアンテナの各々のうち少なくとも一つは、前記アンテナの各々の部分を構成していない層と重ならない位置に形成されている請求項1または請求項4に記載の電気光学装置。 Wherein at least one of each of the plurality of antennas, the electro-optical device according to claim 1 or claim 4 which is formed at a position not overlapping with the layer does not constitute a respective part of the antenna.
  8. 前記複数のアンテナのうち少なくとも一つは、前記表示部または前記表示部駆動配線と重ならない位置に形成されている請求項1または請求項4に記載の電気光学装置。 Wherein at least one of the plurality of antennas, the electro-optical device according to claim 1 or claim 4 which is formed at a position which does not overlap with the display unit or the display unit driving wiring.
  9. 前記複数のアンテナのうち少なくとも一つは、前記複数のアンテナのうちの他のアンテナと互いに重ならない位置に形成されている請求項1または請求項4に記載の電気光学装置。 It said plurality of at least one of the antennas, the electro-optical device according to claim 1 or claim 4 are formed at positions which do not overlap with each other with other antennas of the plurality of antennas.
  10. 請求項1ないし請求項4のうちいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device as claimed in any one of claims 1 to 4.
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