JP2005309611A - 定電流レギュレータ回路および増幅回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 定電流レギュレータ回路により生成された電流をバイアス電流として用いる事により、AMPのゲインがFETの閾値Vtや温度変化の影響を受けることの無いAMPが実現可能な定電流レギュレータ回路および増幅回路を得る。
【解決手段】 ゲート同士が接続されたソースが抵抗を介して接地された第1のMOSトランジスタおよび直接接地された第2のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは第2のMOSトランジスタのK倍に設定され、第2のMOSトランジスタのドレインにゲートが接続されソースは接地された第3のMOSトランジスタと、この第3のMOSトランジスタのドレインにゲートとドレインが接続された第1乃至第3のMOSトランジスタと異なる極性の第4のMOSトランジスタと、この第4のMOSトランジスタのゲートとゲートが接続されたカレントミラー用の複数のMOSトランジスタとで定電流レギュレータ回路を構成し、この定電流レギュレータ回路で得た定電流を増幅回路に供給する。
【選択図】 図1
【解決手段】 ゲート同士が接続されたソースが抵抗を介して接地された第1のMOSトランジスタおよび直接接地された第2のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは第2のMOSトランジスタのK倍に設定され、第2のMOSトランジスタのドレインにゲートが接続されソースは接地された第3のMOSトランジスタと、この第3のMOSトランジスタのドレインにゲートとドレインが接続された第1乃至第3のMOSトランジスタと異なる極性の第4のMOSトランジスタと、この第4のMOSトランジスタのゲートとゲートが接続されたカレントミラー用の複数のMOSトランジスタとで定電流レギュレータ回路を構成し、この定電流レギュレータ回路で得た定電流を増幅回路に供給する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、温度依存性の小さい定電流レギュレータ回路および低電圧で動作する増幅回路に係わり、特に、MOSFETのデバイスパラメータのばらつきの影響を受けず、抵抗の相対精度とMOSFETのゲート幅Wとゲート長Lの比の相対精度だけでゲインが決まる定電流レギュレータ回路および増幅回路の改良に関する。
従来から、増幅器のゲインを決定する電流源を作り出す定電流レギュレータ回路としてはバンドギャップレファレンスを用いた温度変化の小さい電圧源と抵抗とから電流を作り出す回路が知られている。
この様な回路の1つとして、帰還用のMOSトランジスタの帰還作用によりMOSトランジスタのドレイン電流を設定抵抗で設定した電流値に収束するとともに、その電流値が温度の変化によって変わらないようにしたトランジスタ回路から実質的に抵抗によって決めることができる出力電流を取り出すことで、信頼性の高い電流出力回路を生成するようにした構成が特許文献1に記載されている。
図3は上記特許文献1に記載された電流出力回路を示すものであり、図3において、3は差動増幅回路であり、その正転入力端子6は電流設定抵抗Rを介して端子1に接続されている。端子1には正電源電圧(バイアス電源電圧)Vbが入力される。差動増幅回路3の反転入力端子7はグランドGNDに接続されている。また、差動増幅回路3の出力端子は帰還用のNチャンネルMOSトランジスタM1(以下NMOSと記す)のゲートに接続されている。
このNMOSトランジスタT1のソースは温度依存の無い基準の電圧Vrefが供給される端子2に接続され、ドレインは差動増幅回路3の正転入力端子6に接続されている。M2はNMOSトランジスタM1のドレイン電流Ids1と同値のドレイン電流Ids2を出力する出力用のNMOSトランジスタである。このNMOSトランジスタM2のゲートはNMOSトランジスタM1のゲートに接続され、ドレインは出力端子4に、またソースは端子2に接続されて帰還用のNMOSトランジスタM1とカレントミラー回路を構成するNMOSトランジスタM2のドレインからバイアス用の出力電流Ids1、Ids2を出力する。出力端子4には図示しないが後述する増幅回路等の負荷回路に接続されている。
上述の出力電流の設定は実質的に抵抗Rによって決めることができるので、従来のようにMOSトランジスタのゲートソース間電圧をも考慮しなければならないものに比べて温度依存性の無い電流出力回路(定電流レギレータ回路)および増幅回路が得られる。
特開2000−305640号公報(図1)
上述の特許文献1に記載の電流出力回路によると差動増幅回路3とPMOSトランジスタによる負帰還回路の動作によりNMOSトランジスタM1からの出力電流Ids1はVref/Rとなる。NMOSトランジスタM1とM2はカレントミラー構成であるので出力端子4にはIds1=Ids2の電流が得られる。この様な電流出力回路を用いて、FETMOS構成の増幅回路(本発明中で説明する図2の増幅回路参照)の増幅用のNMOSトランジスタQ13をバイアスすれば、gm13は次の(1)式および(2)式となり、電圧利得Avは(3)式で表される。
となり、増幅回路の利得はβ13=μ・Cox・W/L,すなわち、NMOSトランジスタQ13の移動度μと酸化膜厚Coxとに依存してしまうので、増幅回路の利得はFETの特性によりバラつくことになるので、この電流出力回路を使ったMOSFET構成の増幅回路は電流値が一定の値となるもののゲインはMOSFETの諸特性(移動度μ、酸化膜厚Cox、)の影響を受けバラついてしまうという課題があった。
本発明は上述の課題を解消するために成されたもので、増幅回路の利得は、MOSトランジスタのゲート長Lに対するゲート幅Wの比W/Lで正確に決める様にし、MOSトランジスタのサイズが変動してもW/Lの比が変わらない限り、増幅回路の利得が変動しないようにし、低電圧で駆動可能で温度依存性の無いものを得るようにしたものである。また、定電流レギレータ回路も閾値電圧を参照しないので電源電圧の依存性の無いものが得られる。
本発明の第1の定電流レギュレータ回路は、ゲート同士が接続されたソースが抵抗を介して接地された第1のMOSトランジスタおよび直接接地された第2のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは第2のMOSトランジスタのK倍に設定され、第2のMOSトランジスタのドレインにゲートが接続されソースは接地された第3のMOSトランジスタと、この第3のMOSトランジスタのドレインにゲートとドレインが接続された第1乃至第3のMOSトランジスタと異なる極性の第4のMOSトランジスタと、この第4のMOSトランジスタのゲートとゲートが接続されたカレントミラー用の複数のMOSトランジスタとを有してなるものである。
本発明の第2の定電流レギュレータ回路は、ソースとゲートが電源とグランドにそれぞれ接続された第5のMOSトランジスタと、この第5のMOSトランジスタのドレインにゲートとソースが接続された第6のMOSトランジスタと、この第6のMOSトランジスタとゲート同士が接続され、ドレインがグランドに接続された第7のMOSトランジスタとからなる起動回路を有し、この起動回路の第7のMOSトランジスタのソースは第4のMOSトランジスタのゲートと接続したものである。
本発明の増幅回路は、ゲート同士が接続されたソースが抵抗を介して接地された第1のMOSトランジスタおよび直接接地された第2のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは第2のMOSトランジスタのK倍に設定され、第2のMOSトランジスタのドレインにゲートが接続されソースは接地された第3のMOSトランジスタと、この第3のMOSトランジスタのドレインにゲートとドレインが接続された第1乃至第3のMOSトランジスタと異なる極性の第4のMOSトランジスタと、この第4のMOSトランジスタのゲートとゲートが接続されたカレントミラー用の複数のMOSトランジスタとを有する定電流レギュレータ回路と、定電流レギュレータ回路から生成した電流をバイアス電流として増幅器に供給する様に成したものである。
第1および第2の本発明の定電流レギレータ回路によれば、第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは第2のMOSトランジスタのパラメータのK倍に設定され、誤差検出用の第3のNMOSトランジスタとカレントミラー回路を構成するNMOSトランジスタQ4、Q9、Q10の定電流源により第1および第2のNMOSトランジスタQ1、Q2に同一の定電流が流れるように負帰還を掛けるようにしたので、この定電流は負帰還回路による帰還抵抗R1とβとパラメータKとで決定されるため閾値電圧Vtに依存しない一定の電流が流れる定電流レギュレータ回路を得ることが出来る。
本発明の増幅回路によれば、上記した定電流レギュレータ回路からの電流により、増幅器の利得が温度変化に依存せず、増幅器を構成するFETMOSトランジスタの帰還抵抗やパラメータW/Lの相対比だけで決まるものが得られる。
以下、本発明の1形態例を図1および図2によって詳記する。図1は本発明の起動回路付の定電流レギュレータ回路図、図2は電流増幅回路である。
本発明の定電流レギュレータ回路および起動回路REGを図1において説明する。図1において、第1のNMOSトランジスタQ1のゲートはドレインに接続されると共にカレントミラー回路を構成する第10のPMOSトランジスタQ10のドレインおよび第2のNMOSトランジスタQ2と第8のNMOSトランジスタのゲートに接続され、第1のNMOSトランジスタQ1のソースは抵抗R1を介して、電源V1のマイナス電位(接地電位)に接続されている。
第2のNMOSトランジスタのソースは電源V1のマイナス電位に接続されると共にドレインはカレントミラー回路を構成する第9のPMOSトランジスタQ9のドレインおよび第3のNMOSトランジスタQ3のゲートに接続されている。
第3のNMOSトランジスタQ3のゲートと第2のNMOSトランジスタのドレインとの接続点と、第3のNMOSトランジスタQ3のドレイン間に抵抗R2とコンデンサC1の直列回路が接続され、第3のNMOSトランジスタQ3のドレインはカレントミラー回路を構成する第4のPMOSトランジスタQ4のドレインおよび第7のPMOSトランジスタQ7ソースに接続され、第3のNMOSトランジスタQ3のソースは電源V1のマイナス電位に接続されている。
カレントミラー回路を構成する第4のPMOSトランジスタQ4と第9乃至第11のPMOSトランジスタQ9〜Q11のゲートは共通に第4のPMOSトランジスタQ4のドレインに接続され、これら、カレントミラー回路を構成する各PMOSトランジスタQ4、Q9、Q10、Q11のソースは電源V1のプラス電位に接続されている。第11のPMOSトランジスタQ11のドレインから出力端子T1を介して図2に示す増幅回路へ一定電流が出力される。
第7のPMOSトランジスタQ7のドレインは電源V1のマイナス電位に接続され、ゲートは第6のPMOSトランジスタQ6のゲートとソースおよび第5のPMOSトランジスタQ5と第8のNMOSトランジスタQ8のドレインに夫々接続され、第8のNMOSトランジスタQ8のソースは電源V1のマイナス電位に接続され、第5のPMOSトランジスタQ5のソースは電源V1のプラス電位に接続されている。また第6のPMOSトランジスタQ6のソースは電源V1のマイナス電位に接続され、第5のPMOSトランジスタQ5のゲートは第6のPMOSトランジスタQ6のドレインに接続されている。なお、第5のPMOSトランジスタQ5は単なる抵抗でもよい。
上述の回路配置において、第1のNMOSトランジスタQ1のゲート幅Wとゲート長Lの比W/Lは第2のNMOSトランジスタQ2のK倍のパラメータを有し、第3のNMOSトランジスタQ3のドレイントゲート間に接続した抵抗R2とコンデンサC1の直列回路とで誤差アンプを構成し、第4のPMOSトランジスタQ4と第9乃至第11のPMOSトランジスタQ9〜Q11によってカレントミラー回路を構成する、また、第5乃至第7のPMOSトランジスタQ5、Q6、Q7と第8のNMOSトランジスタQ8によって、起動回路を構成し、検出用誤差アンプを形成する第3のNMOSトランジスタQ3とカレントミラー回路を構成する第4のPMOSトランジスタQ4と第9乃至第11のPMOSトランジスタQ9〜Q11とで構成される定電流源により第1のNMOSトランジスタQ1と第2のNMOSトランジスタQ2には同一の電流が流れるように負帰還がかかる。この電流はこの負帰還回路中の負帰還抵抗R1と後述するβと上述のパラメータKとで決定されるため、閾値Vtに依存しない一定の電流が流れる電流レギュレータ回路を得ることができる。
つぎに、図2を用いて、本発明に適用される電流増幅回路の構成を説明する。この電流増幅回路AMPの構成は一般に用いられているものである。図2において、入力端子T2に定電流が供給され第12のNMOSトランジスタQ12のドレインとゲートは接続され、入力端子T2はゲートに接続されている。第12のNMOSトランジスタQ12のソースは電源V1のマイナス電位に接続されている。ゲートとマイナス電位間には第2のコンデンサC2が接続されると共に第3の抵抗R3を介して信号入力端子T3およびアンプ用の第13のNMOSトランジスタQ13のゲートに接続され、第13のNMOSトランジスタQ13のドレインは信号出力端子T4のおよび抵抗R4に接続され、ソースおよび抵抗R4の他端にバッテリなどの電源電圧V1が供給される構成と成されている。
一般に、携帯電話等のような電池で動作する無線通信用の高周波ICには、通信時間を長時間化するために、少ない消費電力で動作する事が求められているが、上述の定電流レギュレータ回路を高周波IC内の増幅回路に用いることで低電源電圧動作し、低消費電力化が可能となる。
図1において、第1のNMOSトランジスタQ1のβは第2のNMOSトランジスタQ2のβとは異なり、誤差検出用NMOSトランジスタQ3とカレントミラー回路のPMOSトランジスタQ4、Q9、Q10 とで構成される電流源により第1のNMOSトランジスタQ1と第2のNMOSトランジスタQ2には同一の電流が流れるように負帰還がかかる。この電流はこの負帰還回路によりR1とβとKとで決定されるため、閾値Vtに依存しない一定の電流が流れる定電流レギュレータ回路が実現できる。即ち、電源電圧に依存せずに増幅回路のゲインの温度変動を補償する定電流を得るよう成すことで、増幅回路のゲインは抵抗とMOSトランジスタのパラメータKの比だけで決まり、温度補償精度を高く維持したまま自由なゲイン設定ができるものが得られることになる。以下この動作を説明する。
MOSFETの静特性は一般に下記(4)式で表される。
ここで、一般のMOSFETの諸特性において、Idsはドレイン電流、μは移動度、Coxは酸化膜厚、Wはゲート幅、Lはゲート長、Vgsはゲートソース間電圧、Vtは閾値である。
よってVgsは(7)式で表すことができる。
今、図1において、第1のNMOSトランジスタQ1のゲートソース間電圧をVgs1、第2のNMOSトランジスタQ2のゲートソース間電圧をVsg2とし、第9、第10のPMOSトランジスタQ9、Q10の カレントミラー回路により、第1および第2のNMOSトランジスタQ1、Q2 には同一の定電流Ids=Ids1=Ids2が流れて(8)式を得る。
Idsについて本式を解くと下記の(10)式が得られる。
この、(10)式によれば、第1および第2のNMOSトランジスタQ1、Q2に流れる同一値のIdsは閾値Vtに依存せず抵抗R1、β2、パラメータKで決定されることが解る。
次に、図2に示すNMOSFETを使った増幅回路AMPのgmについて式を展開し、このAMPに流すバイアス用の定電流を図1で示した電流レギュレータ回路より得た時には、図2で示すAMPのゲインの温度変化が無くFETや抵抗のパラメータの相対比で決まるようになることを以下に説明する。
図2で示すAMPに用いられる第13のNMOSトランジスタQ13の静特性は上記(4)式をベースにIds13に適用すると(11)式を得る。
(11)式をVgsで微分してgmを求めると下記の(12)式を得る。
上述の(17)式に示すように、本発明のAMPのゲインはK、 R比、β比、等で決定されるので閾値Vt、移動度μ、酸化膜厚Coxといったデバイスのばらついてしまうパラメータに依存すること無く、相対精度のみで決まるようになる。
本発明によれば、定電流レギュレータ回路により生成された電流をバイアス電流として用いる事により、AMPのゲインがFETの閾値Vtや温度変化の影響を受けることの無いAMPが実現できる。
以上、上述したとおり、本発明によれば、低電圧(1.0v程度)で動作するAMPが実現できるようになり、かつ、FETの閾値Vtや移動度μ、酸化膜圧Cox等のデバイスパラメータのばらつきの影響を受けず、抵抗の相対精度とFETのW/Lの相対精度だけでゲインが決まり、温度依存性の小さいAMPが得られる。
上述の定電流レギュレータ回路では各回路構成をNMOSトランジスタおよびPMOSトランジスタで構成させたがNMOSトランジスタをPMOSトランジスタに、PMOSトランジスタをNMOSトランジスタに置き換えて回路設計することもできる。
Q1、Q2、Q3、Q8、Q12、Q13・・NMOSトランジスタ、 Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11・・PMOSトランジスタ、REG・・定電流レギュレータ回路、AMP・・増幅回路
Claims (5)
- ゲート同士が接続されたソースが抵抗を介して接地された第1のMOSトランジスタおよび直接接地された第2のMOSトランジスタと、
上記第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは上記第2のMOSトランジスタのK倍に設定され、
上記第2のMOSトランジスタのドレインにゲートが接続されソースは接地された第3のMOSトランジスタと、
上記第3のMOSトランジスタのドレインにゲートとドレインが接続された上記第1乃至第3のMOSトランジスタと異なる極性の第4のMOSトランジスタと、
上記第4のMOSトランジスタのゲートとゲートが接続されたカレントミラー用の複数のMOSトランジスタとを有することを特徴とする定電流レギュレータ回路。 - ソースとゲートが電源とグランドにそれぞれ接続された第5のMOSトランジスタと、
上記第5のMOSトランジスタのドレインにゲートとソースが接続された第6のMOSトランジスタと、
上記第6のMOSトランジスタとゲート同士が接続され、ドレインがグランドに接続された第7のMOSトランジスタとからなる起動回路を有し、
上記起動回路の上記第7のMOSトランジスタのソースは前記第4のMOSトランジスタのゲートと接続したことを特徴とする請求項1記載の定電流レギレータ回路。 - 前記第6および第7のMOSトランジスタのゲートがドレインに接続され、ソースがグランドに接続された該第6および第7のMOSトランジスタとは異なる極性の第8のMOSトランジスタとを有し、
上記第8のMOSトランジスタのゲートは前記第1および第2のMOSトランジスタのゲートと接続され、上記定電流レギュレータ回路の動作時に該第8のMOSトランジスタによりオフとする様に成したことを特徴とする請求項2記載の定電流レギュレータ回路。 - 上記第1乃至第11のMOSトランジスタがPch、NchのMOSFETであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の定電流レギュレータ回路。
- ゲート同士が接続されたソースが抵抗を介して接地された第1のMOSトランジスタおよび直接接地された第2のMOSトランジスタと、
上記第1のMOSトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lは上記第2のMOSトランジスタのK倍に設定され、
上記第2のMOSトランジスタのドレインにゲートが接続されソースは接地された第3のMOSトランジスタと、
上記第3のMOSトランジスタのドレインにゲートとドレインが接続された上記第1乃至第3のMOSトランジスタと異なる極性の第4のMOSトランジスタと、
上記第4のMOSトランジスタのゲートとゲートが接続されたカレントミラー用の複数のMOSトランジスタとを有する定電流レギュレータ回路と、
上記定電流レギュレータ回路から生成した電流をバイアス電流として増幅器に供給する様に成したこと特徴とする増幅回路。
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JP2003078366A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Toyama Prefecture | Mos型基準電圧発生回路 |
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2004
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