JP2005268475A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数のリッジ16・36を並設した素子において、各リッジ16・36を挟むようにサポート17・37を形成する。より具体的には、リッジ16の素子外側に第1サポート17aを形成し、素子内側に第2サポート17bを形成する。また、リッジ36の素子外側に第1サポート37aを形成し、素子内側に第2サポート37bを形成する。これにより、素子製造時に素子表面にレジストを塗布してスピンコートを行っても、リッジ16・36よりも素子内側のレジストがリッジ間の溝に流れるのを、この第2サポート17b・37bである程度抑えることができ、リッジ16・36に対して素子内側のレジスト膜厚が素子外側に比べて大幅に薄くなるのを回避することができる。
【選択図】 図1
Description
16 リッジ
17 サポート
17a 第1サポート
17b 第2サポート
18 ブロック層
19 p型電極(電極層)
36 リッジ
37 サポート
37a 第1サポート
37b 第2サポート
38 ブロック層
39 p型電極(電極層)
51 ブロック層
52 レジスト(保護膜)
Claims (5)
- リッジを保護する一対の第1サポートの内側に、前記リッジが複数並設された半導体レーザ素子であって、
前記複数のリッジの間に、前記リッジを保護する第2サポートが設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記第2サポートは、各リッジに対応して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 当該素子の最外縁に、エッチングの進行を確認するためのモニタ領域が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記モニタ領域が、素子を分離するための分離溝を兼ねていることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ素子。
- 素子表面に複数のリッジを並べて形成するとともに、各リッジに対して、各リッジを挟むように複数のサポートを形成する工程と、
前記リッジおよび前記サポートの表面にブロック層を形成する工程と、
スピンコート法により、前記ブロック層の表面に保護膜を塗布する工程と、
前記リッジのトップを覆う前記保護膜を除去する工程と、
前記保護膜をマスクとして、前記リッジのトップを覆う前記ブロック層を除去する工程と、
前記リッジを覆うように電極層を形成する工程とを有していることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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JP2008047663A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザ素子、および光ディスク装置 |
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- 2004-03-18 JP JP2004077689A patent/JP2005268475A/ja active Pending
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